本申請要求2015年10月23日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2015-0148200號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容以引用的方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域：
公開一種產(chǎn)生層結(jié)構(gòu)的方法和形成圖案的方法。確切地說，公開一種產(chǎn)生用于形成如雙重鑲嵌互連結(jié)構(gòu)的多圖案結(jié)構(gòu)的層結(jié)構(gòu)的方法，和一種使用其形成圖案的方法。
背景技術(shù)：
：最近，半導體行業(yè)已發(fā)展到具有幾納米到幾十納米尺寸的圖案的超精細技術(shù)。所述超精細技術(shù)主要需要有效的光刻技術(shù)。典型的光刻技術(shù)包含：在半導體襯底上提供材料層；在材料層上涂布光刻膠層；將光刻膠層曝光且顯影以提供光刻膠圖案；以及使用光刻膠圖案作為掩模來蝕刻材料層。當今，根據(jù)待形成的圖案的較小尺寸，僅僅通過上述典型的光刻技術(shù)難以提供輪廓清晰的精細圖案。因此，可在材料層與光刻膠層之間形成被稱作硬掩模層的層來提供精細圖案。硬掩模層起到中間層的作用，所述中間層用于經(jīng)由選擇性蝕刻工藝來將光刻膠的精細圖案轉(zhuǎn)移到材料層上。因此，硬掩模層需要具有如耐熱性和耐蝕刻性等特征以在多個蝕刻工藝期間為耐受的。另外，在多重圖案化工藝中，當襯底具有梯級，或作為襯底的芯片具有圖案致密區(qū)域和無圖案區(qū)域兩者時，圖案中填充的硬掩模層應(yīng)具有平坦化特征以使圖案之間的梯級最小化。因此，需要滿足所述特征的層結(jié)構(gòu)。技術(shù)實現(xiàn)要素：一個實施例提供通過不使用特定回蝕或化學機械拋光(chemicalmechanicalpolishing，CMP)工藝而顯示極好的平坦化特征且通過使用預定聚合物作為層材料而顯示改進的耐蝕刻性的產(chǎn)生層結(jié)構(gòu)的方法。另一實施例提供一種使用所述產(chǎn)生方法而形成層結(jié)構(gòu)的圖案的方法。根據(jù)一個實施例，產(chǎn)生層結(jié)構(gòu)的方法包含在具有多個圖案的襯底上涂布第一組合物且將其固化以形成第一有機層(S1)；施用液體材料到第一有機層以去除第一有機層的一部分(S2)；以及在部分去除的第一有機層上涂布第二組合物且將其固化以形成第二有機層(S3)，其中第一組合物和第二組合物獨立地為包含由化學式1表示的結(jié)構(gòu)單元和溶劑的聚合物。[化學式1]在化學式1中，A1為包含至少一個經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯環(huán)的二價環(huán)基，B1為二價有機基團，以及*為連接點。部分去除的第一有機層可保持于圖案的間隙內(nèi)部。液體材料可包含γ-丁內(nèi)酯(γ-butyrolactone)、δ-戊內(nèi)酯(δ-valerolactone)、乳酸乙酯(ethyllactate)、3-乙氧基丙酸乙酯(ethyl-3-ethoxypropionate)、丙二醇單甲醚乙酸酯(propyleneglycolmonomethyletheracetate)、β-甲基丁酸β-羥基酯(β-hydroxyβ-methylbutyrate)、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、2-丁醇、乙二醇、丙二醇、甘油、1，6-己二醇、環(huán)己二醇、山梨糖醇、木糖醇、2-甲基-2，4-戊二醇、1，3-丁二醇、1，4-丁二醇、乙二醇單甲醚(ethyleneglycolmonomethylether)、二乙二醇、二同二醇、丙二醇單甲醚(propyleneglycolmonomethylether)、二乙二醇單甲醚(diethyleneglycolmonomethylether)、三乙二醇、聚(乙二醇)、丙二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚、三丙二醇單甲醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚乙酸酯(propyleneglycolmonomethyletheracetate)、乙基乙氧基丙酸酯〔ethylethoxypropionate)、丙二醇單甲醚丙酸酯〔propyleneglycolmonomethyletherpropionate)、乙二醇二乙酸酯(ethyleneglycoldiacetate)、乳酸乙酯、乳酸丁酯、2-羥基異丁酸甲酯、乙酸正丁酯、甲酰胺、單甲基甲酰胺、二甲基甲酰胺、乙酰胺、單甲基乙酰胺、二甲基乙酰胺、單乙基乙酰胺、二乙基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、甲氧基丙酸甲酯(methoxymethylpropionate)、甲氧基丙酸乙酯〔methoxyethylpropionate)、甲氧基丙酸丙酯〔methoxypropylpropionate)、甲氧基丙酸丁酯〔methoxybutylpropionate)、乙氧基丙酸甲酯〔ethoxymethylpropionate)、乙氧基丙酸乙酯(ethoxyethylpropionate)、乙氧基丙酸丙酯(ethoxypropylpropionate)、乙氧基丙酸丁酯(ethoxybutylpropionate)、二甲砜、二甲亞砜、環(huán)丁砜、丙酮、乙酰丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮或其組合?？梢约s0.1立方厘米(cc)到約100立方厘米的量施用液體材料。第一有機層和第二有機層可以是硬掩模層。第二有機層可直接安置于部分去除的第一有機層上。在化學式1中，A1可為在結(jié)構(gòu)中包含至少兩個環(huán)的二價環(huán)基。在化學式1中，A1可為衍生自族群1和族群2的化合物中的一者的二價環(huán)基，且二價基團的至少一個氫可經(jīng)置換或未經(jīng)置換。[族群1][族群2]在族群1中，M為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C5亞烷基、-O-、-S-、-SO2-或羰基，且在族群2中，R0和R1獨立地為氫、羥基、甲氧基、乙氧基、鹵素原子、含鹵素的基團、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基或其組合。在化學式1中，A1可為一個基團，其中至少一個氫經(jīng)羥基、亞硫?；?、巰基、氰基、氨基、C1到C10烷基、C6到C30芳基、C1到C30烷氧基或其組合置換。聚合物可還包含由化學式2表示的結(jié)構(gòu)單元。[化學式2]在化學式2中，A2為包含至少一個經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯環(huán)的二價環(huán)基，且B1和*與化學式1中所定義相同。在化學式1中，B1可由化學式3表示。[化學式3]在化學式3中，a和b獨立地為0到2的整數(shù)，且L為衍生自族群3中的一者的二價環(huán)基，且二價基團的至少一個氫可經(jīng)置換或未經(jīng)置換。[族群3]在族群3中，M為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C5亞烷基、-O-、-S-、-SO2-或羰基。聚合物的重量平均分子量可為約500到約200,000。在比施用第一組合物之后的固化高的溫度下進行施用第二組合物之后的固化。第一組合物和第二組合物可獨立地為表面活性劑、塑化劑、交聯(lián)劑、熱酸產(chǎn)生劑(thermalacidgenerator，TAG)、光酸產(chǎn)生劑(photoacidgenerator，PAG)或其組合。交聯(lián)劑可包含甲氧基甲基化甘脲(methoxymethylatedglycoluril)、丁氧基甲基化甘脲(butoxymethylatedglycoluril)、甲氧基甲基化三聚氰胺(methoxymethylatedmelamine)、丁氧基甲基化三聚氰胺(butoxymethylatedmelamine)、甲氧基甲基化苯并胍胺(methoxymethylatedbenzoguanamine)、丁氧基甲基化苯并胍胺(butoxymethylatedbenzoguanamine)、甲氧基甲基化脲(methoxymethylatedurea)、丁氧基甲基化脲(butoxymethylatedurea)、甲氧基甲基化硫脲(methoxymethylatedthiourea)、丁氧基甲基化硫脲(butoxymethylatedthiourea)、甲氧基甲基化苯(methoxymethylatedbenzene)、丁氧基甲基化苯(butoxymethylatedbenzene)、甲氧基甲基化苯酚(methoxymethylatedphenol)、丁氧基甲基化苯酚(butoxymethylatedphenol)或其組合。交聯(lián)劑可為具有較高耐熱性的交聯(lián)劑。具有較高耐熱性的交聯(lián)劑可為在分子中包含含芳族環(huán)(例如苯環(huán)或萘環(huán))的交聯(lián)取代基的化合物。第一組合物和第二組合物的溶劑可獨立地為丙二醇、丙二醇二乙酸酯、甲氧基丙二醇、二乙二醇、二乙二醇丁醚、三(乙二醇)單甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、環(huán)己酮、乳酸乙酯、γ-丁內(nèi)酯、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、甲基吡咯烷酮(methylpyrrolidone/methylpyrrolidinone)、乙酰丙酮、3-乙氧基丙酸乙酯或其組合。第一組合物和第二組合物可獨立地以約300埃到約10微米的每一厚度施用。襯底的一側(cè)可具有多個圖案的第一部分和不具有圖案的第二部分，且第二有機層(S3)的梯級的總和可小于第一有機層(S1)的梯級的總和。根據(jù)一個實施例，一種形成圖案的方法包含提供根據(jù)產(chǎn)生方法產(chǎn)生的層結(jié)構(gòu)；在層結(jié)構(gòu)上形成含硅薄層；在含硅薄層上形成光刻膠層；曝光且顯影光刻膠層以形成光刻膠圖案；以及使用光刻膠圖案選擇性地去除層結(jié)構(gòu)中的含硅薄層和第一有機層、第二有機層或其組合。所述方法可還包含在形成光刻膠之前形成底部抗反射涂層(bottomantirefleetivecoating，BARC)。所述方法在無如回蝕或CMP的特定平坦化工藝的情況下提供具有極好的梯級特征的層結(jié)構(gòu)且因此可有利地獲得半導體精細圖案。另外，所述方法使用預定聚合物以形成層結(jié)構(gòu)且因此可同時確保耐蝕刻性和溶解性。附圖說明圖1是解釋根據(jù)一個實施例的一種產(chǎn)生層結(jié)構(gòu)的方法的流程圖；圖2是顯示第一有機層的梯級的橫截面圖；圖3到圖5是顯示圖2中的第一有機層的一部分被去除的狀態(tài)的橫截面圖；圖6是顯示第二有機層的梯級的橫截面圖；圖7到圖9是說明根據(jù)一個實施例的一種形成圖案的方法的橫截面圖；圖10是解釋用于評估梯級特征的計算方程式1的參考視圖。具體實施方式本發(fā)明的示例性實施例將在下文中進行詳細描述，并且可以容易由相關(guān)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員執(zhí)行。然而，本發(fā)明可按多種不同形式實施，并且不理解為限于本文中所闡述的示例性實施例。在附圖中，為清楚起見放大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在本說明書通篇中相同的附圖元件符號表示相同的元件。應(yīng)理解，當如層、膜、區(qū)域或襯底的元件被稱作在另一元件“上”時，其可直接在另一元件上或還可存在插入元件。相比之下，當元件被稱作“直接在”另一元件“上”時，不存在插入元件。如本文所用，除非未特定提及，否則任何單數(shù)形式包含多數(shù)形式。如本文所用，術(shù)語“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)”是指存在所述特征、整數(shù)、步驟、操作、構(gòu)成要素和/或組分但不排除添加大于一個其它特征、整數(shù)、步驟、操作、構(gòu)成要素、組分和/或其組合。如本文所用，當未另外提供定義時，術(shù)語‘取代’可指一者被選自以下的取代基而不是化合物的氫取代：鹵素原子(F、Br、Cl或I)、羥基、烷氧基、硝基、氰基、氨基、疊氮基、甲脒基、肼基、亞肼基、羰基、氨甲?；?、巰基、酯基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸或其鹽、C1到C20烷基、C2到C20烯基、C2到C20炔基、C6到C30芳基、C7到C30芳烷基、C1到C30烷氧基、C1到C20雜烷基、C2到C20雜芳基、C3到C20雜芳烷基、C3到C30環(huán)烷基、C3到C15環(huán)烯基、C6到C15環(huán)炔基、C2到C30雜環(huán)烷基以及其組合。如本文所用，當未另外提供定義時，術(shù)語‘雜’是指包含1到3個由以下各者中選出的雜原子：N、O、S以及P。如本文所用，‘衍生’自化合物A的‘單價基團’指示由置換化合物A中的一個氫形成的單價基團。舉例來說，衍生自苯基(benzenegroup)的單價基團變成苯基(phenylgroup)。另外，‘衍生’自化合物A的‘二價基團’指示具有兩個由置換化合物A中的兩個氫形成的連接點的二價基團。舉例來說，衍生自苯基的二價基團變成亞苯基。在下文中，參看圖1描述根據(jù)一個實施例的一種制造層結(jié)構(gòu)的方法。圖1是解釋根據(jù)一個實施例的一種產(chǎn)生層結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。參看圖1，產(chǎn)生層結(jié)構(gòu)的方法包含在具有多個圖案的襯底上涂布第一組合物且將其固化以形成第一有機層(S1)；施用液體材料到第一有機層以去除第一有機層的一部分(S2)；以及在部分去除之后，在第一有機層上涂布第二組合物且將其固化以形成第二有機層(S3)。在形成第一有機層(S1)中，襯底可例如為硅芯片、玻璃襯底或聚合物襯底?；蛘?，襯底可通過將氧化硅、氮化硅、TiSi、硅化物、多晶硅、鎢、銅、鋁、TiN、TaN或其組合安置于玻璃襯底或聚合物襯底上獲得。襯底可在一側(cè)上具有多個圖案，并且圖案可具有如三角形、四邊形、圓形等任何形狀而無特定限制。多個圖案不具有關(guān)于尺寸的限制但可具有例如幾納米到幾百納米范圍內(nèi)的平均尺寸(水平長度或?qū)挾?，以及幾納米到幾十微米范圍內(nèi)的平均尺寸(垂直長度或深度)。如本文所用，“圖案的間隙”或“圖案的間隙內(nèi)部”指示形成于第一圖案與相鄰于第一圖案的第二圖案之間的自由空間，且多個圖案的間隙可例如具有幾納米到幾百納米范圍內(nèi)的平均尺寸(水平長度)，且圖案可例如具有幾納米到幾十微米范圍內(nèi)的平均尺寸(垂直長度)。在形成第一有機層(S1)中，第一組合物可通過向其施加能量固化。能量可包含能夠固化第一組合物的任何形式，例如紫外線(ultraviolet，UV)、微波、聲波、超聲波等。固化可另外在多個圖案之間的間隙中裝填第一組合物。舉例來說，第一組合物的固化可例如在約20℃到約400℃下進行。在下文中，描述第一組合物。第一組合物包含由化學式1表示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物和溶劑。[化學式1]在化學式1中，A1為包含至少一個經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯環(huán)的二價環(huán)基，B1為二價有機基團，以及*為連接點。聚合物可包含多個由化學式1表示的結(jié)構(gòu)單元且多個結(jié)構(gòu)單元可各自相同或不同。舉例來說，在化學式1中，A1為衍生自族群1和族群2的化合物中的一者的二價環(huán)基，但不限于此。[族群1][族群2]在族群1中，M為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C5亞烷基、-O-、-S-、-SO2-或羰基，在族群2中，R0和R1獨立地為氫、羥基、甲氧基、乙氧基、鹵素原子、含鹵素的基團、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基或其組合，且在族群1和族群2中，連接點不受特定限制。舉例來說，在族群2中，R1可為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基。舉例來說，在化學式1中，A1可為在結(jié)構(gòu)中包含至少兩個環(huán)的二價環(huán)基。因此，可另外改進第一有機層的耐蝕刻性。在化學式1中，A1可為衍生自族群1和族群2的化合物中的一者的二價環(huán)基，其中至少一個氫經(jīng)取代。本文中，可通過選擇取代基的種類和數(shù)目控制第一組合物的特性，并且官能基可選自羥基、鹵素原子、含鹵素的基團、亞硫?；€基、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3到C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3到C30環(huán)烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C20烷基氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7到C20芳烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C20雜烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30雜環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C20醛基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C4烷基醚、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7到C20亞芳烷基醚、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl到C30鹵烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C20烷基硼烷基以及經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基硼烷基，但不限于此。舉例來說，在化學式1中，A1可為其中至少一個氫經(jīng)羥基、亞硫酰基、巰基、氰基、氨基、C1到C10烷基、C6到C30芳基、C1到C30烷氧基或其組合置換的基團。第一組合物的聚合物可還包含由化學式2表示的結(jié)構(gòu)單元。[化學式2]在化學式2中，A2為包含至少一個經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯環(huán)的二價環(huán)基，B1和*與化學式1中所定義相同。聚合物可例如通過包含由化學式1表示的結(jié)構(gòu)單元和由化學式2表示的結(jié)構(gòu)單元的三元共聚來合成。本文中，在化學式1和化學式2中，A1和A2可為不同基團。舉例來說，在化學式1和化學式2中，作為鍵聯(lián)基團的B1可由化學式3表示。[化學式3]在化學式3中，a和b獨立地為0到2的整數(shù)，且L為衍生自族群3中的一者的二價環(huán)基，且二價基團的至少一個氫可經(jīng)置換或未經(jīng)置換。[族群3]在族群3中，M為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C5亞烷基、-O-、-S-、-SO2-或羰基，且連接點不受特定限制。第一組合物的溶劑可為對于第一組合物的聚合物具有足夠溶解性或分散性的任一溶劑且不受特定限制。溶劑可例如為選自以下的至少一者：丙二醇、丙二醇二乙酸酯、甲氧基丙二醇、二乙二醇、二乙二醇丁醚、三(乙二醇)單甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、環(huán)己酮、乳酸乙酯、γ-丁內(nèi)酯、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、甲基吡咯烷酮(methylpyrrolidone/methylpyrrolidinone)、乙酰丙酮以及3-乙氧基丙酸乙酯。按第一組合物的總量計，第一組合物的聚合物可以約0.1重量％到約60重量％的量包含在內(nèi)。當聚合物在所述范圍內(nèi)被包含時，可控制第一有機層的厚度、表面粗糙度以及平坦化。第一組合物可還包含表面活性劑、塑化劑、交聯(lián)劑、熱酸產(chǎn)生劑(TAG)或光酸產(chǎn)生劑(PAG)的添加劑。表面活性劑可包含例如烷基苯磺酸鹽、烷基吡啶鎓鹽、聚乙二醇或季銨鹽，但并不限于此。塑化劑可為例如鄰苯二甲酸二辛酯(dioctylphthalate，DOP)、己二酸二辛酯(dioctyladipate，DOA)、磷酸三甲苯酯(tricresylphosphate，TCP)、鄰苯二甲酸二異辛酯(Diisocctylphthalate，DIOP)、鄰苯二甲酸二庚酯壬酯(diheptyl，nonylphthalate，DL79P)、鄰苯二甲酸二異壬酯(diisononylphthalate，DINP)、鄰苯二甲酸二(十一酯)(diunedcylphthalate，DUP)、鄰苯二甲酸丁酯苯甲酯(butylbenzylphthalate，BBP)、己二酸二-2-乙基己酯(di-2-ethylhexyladipate，DOA)、己二酸二異癸酯(diisodecyladipate，DIDA)、癸二酸二-2-乙基己酯(di-2-ethylhexylSebacate，DOZ)、壬二酸二異辛酯(DiisooctylAzelate，DIOZ)、癸二酸二-2-乙基己酯(Di-2-ethylhexylSebacate，DOS)、磷酸三-2乙基己酯(tri-2ethylhexylphosphate，TOP)、磷酸三苯酯(triphenylphosphate，TTP)、磷酸甲苯基二苯酯(cresyldephenylphosphate，CDP)、磷酸三甲苯酯(tircresylphosphate，TCP)、磷酸三二甲苯酯(trixylylphosphate，TXP)、偏苯三酸三-2-乙基己酯(tri-2-ethylhexyltrimellitate，TOTM)、聚乙二醇酯、烷基磺酸苯酯(alkylsulphonicacidphenylester，ASE)、三乙二醇二己酸酯(triethyleneglycoldihexanoate，3G6)、四乙二醇二庚酸酯(tetraethyleneglycoldiheptanoate，4G7)、檸檬酸乙?；阴?acetyltriethylcitrate，ATEC)、檸檬酸三丁酯(tributylcitrate，TBC)、檸檬酸三辛酯(trioctylcitrate，TOC)、檸檬酸乙?；刘?acetyltrioctylcitrate，ATOC)、檸檬酸乙?；乎?acetyltrihexylcitrate，ATHC)、檸檬酸三甲酯(trimethylcitrate，TMC)、己二酸二甲酯(dimethyladipate，DMAD)、己二酸單甲酯(monomethyladipate，MMAD)、順丁烯二酸二丁酯(dibutylmaleate，DBM)、順丁烯二酸二異丁酯(diisobutylmaleate，DIBM)、雙(2，2-二硝基丙基)縮甲醛(bis(2，2-dinitropropyl)formal，BDNPF)、2，2，2-三硝基乙基2-硝氧基乙基醚(2，2，2-trinitroethyl2-nitroxyethylether，TNEN)、聚乙二醇、聚丙烯或其組合，但不限于此。交聯(lián)劑可例如為其三聚氰胺類試劑、經(jīng)取代的脲類試劑或聚合物類試劑。在一個實施例中，具有至少兩個交聯(lián)形成的取代基的交聯(lián)劑可例如為化合物，如甲氧基甲基化甘脲、丁氧基甲基化甘脲、甲氧基甲基化三聚氰胺、丁氧基甲基化三聚氰胺、甲氧基甲基化苯并胍胺、丁氧基甲基化苯并胍胺、甲氧基甲基化脲、丁氧基甲基化脲、甲氧基甲基化硫脲、丁氧基甲基化硫脲、甲氧基甲基化苯、丁氧基甲基化苯、甲氧基甲基化苯酚、丁氧基甲基化苯酚或其組合，但不限于此。交聯(lián)劑可為具有較高耐熱性的交聯(lián)劑。具有較高耐熱性的交聯(lián)劑可為在分子中包含含芳族環(huán)(例如苯環(huán)或萘環(huán))的交聯(lián)取代基的化合物。熱酸產(chǎn)生劑可例如為有機磺酸烷基酯化合物，如安息香甲苯磺酸酯和甲苯磺酸2-硝基苯甲酯；鎓鹽化合物，如二苯基碘鎓三氟甲烷磺酸鹽、二苯基碘鎓十二烷基苯磺酸鹽、雙(4-叔丁基苯基)碘鎓樟腦磺酸鹽、雙(4-叔丁基苯基)碘鎓九氟正丁烷磺酸鹽、雙(4-叔丁基苯基)碘鎓三氟甲烷磺酸鹽；以及鎓鹽化合物，如三苯基硫鎓三氟甲烷磺酸鹽。另外，可使用2，4，4，6-四溴環(huán)己二烯酮、苯基-雙(三氯甲基)-s-三嗪和N-羥基丁二酰亞胺三氟甲烷磺酸鹽、對甲苯磺酸吡啶鎓鹽或其組合，但不限于此。光酸產(chǎn)生劑的實例可為三苯基硫鎓三氟甲磺酸鹽、三苯基硫鎓銻酸鹽、二苯基碘鎓三氟甲磺酸鹽、二苯基碘鎓銻酸鹽、甲氧基二苯基碘鎓三氟甲磺酸鹽、二-叔丁基二苯基碘鎓三氟甲磺酸鹽、2，6-二硝基苯甲基磺酸鹽、連苯三酚三(烷基磺酸鹽)、N-羥基丁二酰亞胺三氟甲磺酸鹽、降冰片烯-二甲酰亞胺-三氟甲磺酸鹽、三苯基硫鎓九氟丁磺酸鹽、二苯基碘鎓九氟丁磺酸鹽、甲氧基二苯基碘鎓九氟丁磺酸鹽、二-叔丁基二苯基碘鎓九氟丁磺酸鹽、N-羥基丁二酰亞胺九氟丁磺酸鹽、降冰片烯-二甲酰亞胺-九氟丁磺酸鹽、三苯基硫輸全氟丁烷磺酸鹽、三苯基硫鎓全氟辛磺酸鹽(perfluorooctanesulfonate；PFOS)、二苯基碘鎓PFOS、甲氧基二苯基碘鎓PFOS、二-叔丁基二苯基碘鎓三氟甲磺酸鹽、N-羥基丁二酰亞胺PFOS、降冰片烯-二甲酰亞胺PFOS或其組合，但不限于此。如果在不改變第一組合物的光學特性但改進間隙填充和蝕刻性能以及溶解性下，可在一定量范圍內(nèi)使用添加劑，且按100重量份的第一組合物計，包含例如約0.001重量份到約40重量份的量。第一組合物可于絲網(wǎng)印刷、狹縫涂布、浸漬、噴墨、澆鑄和噴涂以及旋涂法的方法中處理且經(jīng)施用以具有約300埃到約10微米的厚度，但不限于此。接著，說明部分去除第一有機層(S2)。通過液體材料溶解以及去除部分的第一有機層且因此平坦化。液體材料可為能夠溶解包含于第一有機層中的有機化合物的任何材料而無特定限制。舉例來說，液體材料可為有機溶劑。舉例來說，液體材料可為γ-丁內(nèi)酯、δ-戊內(nèi)酯、乳酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、β-甲基丁酸β-羥基酯或其組合。舉例來說，液體材料可為以下溶劑；醇類溶劑，如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、2-丁醇、乙二醇、丙二醇、甘油、1，6-己二醇、環(huán)己二醇、山梨糖醇、木糖醇、2-甲基-2，4-戊二醇、1，3-丁二醇以及1，4-丁二醇；醚類溶劑，如乙二醇單甲醚、二乙二醇、二丙二醇、丙二醇單甲醚、二乙二醇單甲醚、三乙二醇、聚(乙二醇)、丙二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚、三丙二醇單甲醚、二乙二醇單丁醚以及二乙二醇單丁醚；酯類溶劑，如丙二醇單甲醚乙酸酯、乙基乙氧基丙酸酯、丙二醇單甲醚丙酸酯、乙二醇二乙酸酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、2-羥基異丁酸甲酯、乙酸正丁酯等；酰胺類溶劑，如甲酰胺、單甲基甲酰胺、二甲基甲酰胺、乙酰胺、單甲基乙酰胺、二甲基乙酰胺、單乙基乙酰胺、二乙基乙酰胺以及N-甲基吡咯烷酮；烷氧基丙酸烷基酯類溶劑，如甲氧基丙酸甲酯、甲氧基丙酸乙酯、甲氧基丙酸丙酯、甲氧基丙酸丁酯、乙氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、乙氧基丙酸丙酯以及乙氧基丙酸丁酯；含硫溶劑，如二甲砜、二甲亞砜以及環(huán)丁砜；以及酮類溶劑，如丙酮、乙酰丙酮、甲基乙基酮以及甲基異丁基酮。但是，液體材料為實例，但不限于此。舉例來說，液體材料可以約0.1立方厘米到約100立方厘米，例如約0.1立方厘米到約50立方厘米、約0.1立方厘米到約10立方厘米、約0.1立方厘米到約5立方厘米的量施用，但不限于此。舉例來說，液體材料可在旋涂法、絲網(wǎng)印刷、狹縫涂布、浸漬、噴墨、澆鑄或噴涂的方法中分配于第一有機層上，且考慮第一有機層的去除程度，此方法可重復約1次到約10次。分配的速度和頻率可由一般技術(shù)人員在考慮第一組合物的特性、襯底材料、圖案尺寸等的情況下進行適當選擇。在部分去除第一有機層(s2)之后，第一有機層可保持于圖案的間隙內(nèi)部。在部分去除第一有機層(S2)之后剩余的第一有機層可部分或全部存在于圖案的間隙內(nèi)部。接著，說明通過在部分去除之后剩余的第一有機層上施用第二組合物和固化第二組合物而形成第二有機層(S3)。將第二組合物施用于在部分去除第一有機層之后剩余的第一有機層上。第二組合物包含由化學式1表示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物和溶劑。包含于第二組合物中的聚合物和溶劑與包含于第一組合物中的上述聚合物和溶劑相同且因此不說明。包含于第一組合物中的聚合物和溶劑的種類可與包含于第二組合物中的聚合物和溶劑的種類相同或不同。第二有機層直接形成于在部分去除之后的第一有機層上，且第一有機層和第二有機層可例如變?yōu)橛惭谀?。硬掩模層由包含由如上述的化學式1表示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物形成且因此具有極好的對于溶劑的溶解性以及極好的耐蝕刻性且可有利地形成于旋涂法的方法中。按第一組合物的總量計，第二組合物的聚合物可以約0.1重量％到約60重量％的量包含在內(nèi)。當化合物在所述范圍內(nèi)被包含時，可控制第二有機層的厚度、表面粗糙度以及平坦化。第二組合物可還包含表面活性劑、塑化劑、交聯(lián)劑、熱酸產(chǎn)生劑(TAG)或光酸產(chǎn)生劑(PAG)的添加劑，且添加劑的種類和量與第一組合物相同。第二組合物可在旋涂法的方法中形成為約300埃到約10微米厚，但不限于此。施用第二組合物且接著固化以提供第二有機層。在施用第二組合物之后的固化可包含施加能量到具有施用的第二組合物的層結(jié)構(gòu)，且能量可包含能夠固化第二組合物的任何形式，例如光能、熱能等。經(jīng)由固化形成的第二有機層可為形成圖案的下文工藝中的硬掩模組合物碳化層或犧牲層。舉例來說，施用第二組合物之后的固化可在比施用第一組合物之后的固化高的溫度下進行。第二組合物的固化可包含在約20℃到約400℃下的第一固化，和在約30℃到約500℃下的第二固化，且第二固化溫度可高于第一固化溫度。圖2為顯示上述第一有機層的梯級的橫截面圖。參看圖2，將第一組合物裝入間隙內(nèi)部，但凹-凸面可保持于第一有機層的表面的一部分上。圖3到圖5為顯示圖2的第一有機層經(jīng)部分去除的狀態(tài)的橫截面圖。部分去除之后的第一有機層可為表面層結(jié)構(gòu)，其如圖3中所顯示，第一有機層保持于具有多個圖案的圖案區(qū)域和非圖案區(qū)域上；如圖4中所顯示，第一有機層部分裝入圖案的間隙中(厚度h12＞厚度h11≥0)；或如圖5中所顯示，第一有機層完全裝入圖案的間隙中但不在非圖案區(qū)域上。形成于上述方法中的層結(jié)構(gòu)可從表面上的梯級產(chǎn)生最小化。圖6為顯示根據(jù)一示例性實施例的形成于部分去除的第一有機層上的第二有機層的梯級的橫截面圖。參看圖2和圖6，第二有機層狀態(tài)下的層結(jié)構(gòu)的表面上的梯級總和(即|厚度h0″-厚度h1″|+|厚度h0″-厚度h2″|+|厚度h0″-厚度h3″|+|厚度h0″-厚度h4″|)小于不經(jīng)平坦化工藝處理的情況下(即無部分去除的情況下)第一有機層狀態(tài)下的層結(jié)構(gòu)的表面上的梯級總和(即|厚度h0-厚度h1|+|厚度h0-厚度h2|+|厚度h0-厚度h3|+|厚度h0-厚度h4|)。換句話說，在通過使用液體材料的平坦化工藝之后的最終層結(jié)構(gòu)顯示改進的平坦化特征。根據(jù)另一實施例，提供通過所述產(chǎn)生方法產(chǎn)生的層結(jié)構(gòu)。在層結(jié)構(gòu)中，第一有機層和第二有機層可為硬掩模層。硬掩模層具有極好的平坦化特征且因此可使下文圖案形成工藝中的圖案的關(guān)鍵尺寸(CriticalDimension；CD)誤差最小化且改進圖案的CD均一性。在下文中，參看圖7和圖9說明根據(jù)另一實施例的一種形成圖案的方法。圖7到圖9為說明根據(jù)一個實施例的形成圖案的方法的橫截面圖。形成圖案的方法包含提供根據(jù)產(chǎn)生方法產(chǎn)生的層結(jié)構(gòu)；在層結(jié)構(gòu)上形成含硅薄層；在含硅薄層上形成光刻膠層；曝光且顯影光刻膠層以形成光刻膠圖案；以及使用光刻膠圖案選擇性地去除層結(jié)構(gòu)中的含硅薄層和第一有機層、第二有機層或其組合。參看圖7，有機層120可為上述第一有機層和/或第二有機層且形成于襯底110上且裝填圖案的間隙(G)。在層結(jié)構(gòu)100上，依序形成含硅薄層130和光刻膠層150，且可在形成光刻膠層150之前形成底部抗反射涂層(BARC)140。另外，可在形成第一有機層之前在襯底上形成材料層(未示出)。材料層為最終將圖案化的材料，例如，金屬層，如鋁層和銅層；半導體層，如硅層；或絕緣層，如氧化硅層和氮化硅層。材料層可通過如化學氣相沉積(chemicalvapordeposition；CVD)工藝的方法來形成。舉例來說，含硅薄層130可為SiCN、SiOC、SiON、SiOCN、SiC、SiN或其組合。參看圖8，光刻膠層經(jīng)曝光且顯影以形成光刻膠圖案。光刻膠層的曝光可使用例如ArF、KrF或極紫外光(ExtremeUltraViolet；EUV)進行，但不限于此。在曝光之后，熱處理可以在約100℃到約500℃下進行。參看圖9，選擇性地去除層結(jié)構(gòu)中的含硅薄層130和有機層120。在形成有機層120之前，可形成材料層(未示出)，可選擇性地去除層結(jié)構(gòu)中的含硅薄層130和有機層120且進而可蝕刻曝光的材料層。經(jīng)蝕刻的材料層可以多個圖案形成，并且多個圖案可為金屬圖案、半導體圖案、絕緣圖案以及其類似圖案，例如半導體集成電路裝置的不同圖案。在下文中，參考實例對本發(fā)明進行更詳細的說明。然而，這些實例是示例性的，并且本發(fā)明并不限于此。合成實例合成實例1將16克菲-9-醇、16克1，3-雙(2-甲氧基乙基)苯(1，3-bis(2-methoxyethyl)benzene)、0.46克硫酸二乙酯以及61克丙二醇單甲醚乙酸酯(propyleneglycolmonomethyletheracetate，PGMEA)放入燒瓶中且接著在100℃下攪拌2小時到15小時，進行聚合反應(yīng)。當聚合物的重量平均分子量為2,000到3,500時，反應(yīng)完成。當完成聚合反應(yīng)時，將反應(yīng)物緩慢冷卻到室溫且接著添加到40克蒸餾水和400克甲醇中，并且攪拌混合物且使其靜置。在自其去除上清液之后，將其中的沉淀溶解于80克丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)中，且通過使用320克甲醇和320克水攪拌溶液并使其靜置(初級工藝)。本文中，在再次去除自其獲得的上清液之后，將其中的沉淀再次溶解于80克丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)中(次級工藝)。初級工藝和次級工藝被視為一個純化工藝，并且此純化工藝重復三次。將純化的聚合物溶解于80克丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)中，且在減壓下去除溶液中剩余的甲醇和蒸餾水，獲得包含由化學式1a表示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物(Mw：3700)。[化學式1a]合成實例2根據(jù)與合成實例1相同的合成，通過使用18克蒽、26克1，4-雙(甲氧基甲基)苯(1，4-bis(methoxymethyl)benzene)、66克丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)以及0.5克硫酸二乙酯獲得包含由化學式2a表示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物(Mw：3500)。[化學式2a]合成實例3根據(jù)與合成實例1相同的合成，通過使用38克4，4′-(9H-芴-9，9-二基)二酚(4，4′-(9H-fluorene-9，9-diyl)diphenol)、17克1，4-雙(甲氧基甲基)苯、82克丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)以及0.5克硫酸二乙酯獲得包含由化學式3a表示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物(Mw：3500)。[化學式3a]合成實例4根據(jù)與合成實例1相同的合成，通過使用48克鄰苯二酚、17克1，3-雙(甲氧基甲基)苯、98克丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)以及0.5克硫酸二乙酯獲得包含由化學式4a表示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物(Mw：3500)。[化學式4a]合成實例5根據(jù)與合成實例1相同的合成，通過使用23克6，6′-(9H-芴-9，9-二基)二萘-1-醇(6，6′-(9H-fluorene-9，9-diyl)dinaphthalen-1-ol)、18克菲-9-醇、34克1，3-雙(甲氧基甲基)苯、115克丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)以及0.5克硫酸二乙酯獲得包含由化學式5a表示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物(Mw：3000)。[化學式5a]薄膜的制造實例1通過將100重量份由化學式1a表示的聚合物、40重量份由化學式A表示的單體(在下文中，單體1)(為按100重量％的組合物的全部量計的10重量％)溶解于溶劑(丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)∶乳酸乙酯(EL)的體積比＝1∶1)中來制備硬掩模組合物溶液。將溶液旋涂涂布于硅晶片上并且在120℃下軟烘烤2分鐘，形成薄膜。隨后，將2立方厘米混合溶劑(5重量％γ-丁內(nèi)酯、20重量％乳酸乙酯以及75重量％3-乙氧基丙酸乙酯)注射到旋涂狀態(tài)下的薄膜上且接著與薄膜的一部分一起去除。接著，第二次地涂布硬掩模組合物且在400℃下硬烘烤2分鐘，在裸芯片上將薄膜調(diào)節(jié)為具有2500埃的厚度(厚度測量：KMAC制得的ST5000在下文中用于實例和比較例中)。[化學式A]在化學式A中，Me為甲基。實例2通過溶劑(PGMEA/EL＝1∶1)中以按100重量％的組合物的全部量計10重量％的量的100重量份由化學式1a表示的聚合物和40重量份由化學式A表示的單體(單體1)來制備硬掩模組合物溶液。將溶液旋涂涂布于硅芯片上且接著在150℃下軟烘烤2分鐘，形成薄膜。接著，將2立方厘米混合溶劑(5重量％γ-丁內(nèi)酯、20重量％乳酸乙酯以及75重量％3-乙氧基丙酸乙酯)注射到旋涂狀態(tài)下的薄膜上且接著與薄膜的一部分一起去除。隨后，第二次地涂布硬掩模組合物且在400℃下硬烘烤2分鐘，在裸芯片上將薄膜調(diào)節(jié)為具有2500埃的厚度。實例3通過以按100重量％全部組合物計10重量％的量將100重量份由化學式1a表示的聚合物、30重量份由化學式B表示的單體(在下文中，單體2)以及0.05重量份作為熱酸產(chǎn)生劑的對甲苯磺酸吡啶鎓鹽溶解于溶劑(PGMEA/EL＝1∶1)中來制備硬掩模組合物溶液。將獲得的溶液旋涂涂布于圖案化芯片上并且在120℃下軟烘烤1分鐘，形成薄膜。接著，將2立方厘米混合溶劑〔5重量％γ-丁內(nèi)酯、20重量％乳酸乙酯以及75重量％3-乙氧基丙酸乙酯)注射到旋涂狀態(tài)下的薄膜上且接著與薄膜的一部分一起去除。隨后，第二次地涂布硬掩模組合物且在400℃下硬烘烤2分鐘，在裸芯片上將薄膜調(diào)節(jié)為具有2500埃的厚度。[化學式B]實例4通過以按100重量％全部組合物計10重量％的量將100重量份由化學式1a表示的聚合物、20重量份單體(單體1)溶解于溶劑(PGMEA/EL＝1∶1)中來制備硬掩模組合物溶液。將溶液旋涂涂布到硅芯片上并且在170℃下軟烘烤2分鐘，形成薄膜。隨后，將2立方厘米混合溶劑(5重量％γ-丁內(nèi)酯、20重量％乳酸乙酯以及75重量％3-乙氧基丙酸乙酯)注射到旋涂狀態(tài)下的薄膜上且接著與薄膜的一部分一起去除。接著，第二次地涂布硬掩模組合物且在400℃下硬烘烤2分鐘，在裸芯片上將薄膜調(diào)節(jié)為具有2500埃的厚度。實例5通過以按100重量％全部組合物計10重量％的量將100重量份由化學式1a表示的聚合物、40重量份由化學式A表示的單體(單體1)以及0.05重量份作為熱酸產(chǎn)生劑的對甲苯磺酸吡啶鎓鹽溶解于溶劑(PGMEA/EL＝1∶1)中來制備硬掩模組合物溶液。將溶液旋涂涂布到硅芯片上且接著120℃下軟烘烤2分鐘，形成薄膜。接著，將5立方厘米混合溶劑(5重量％γ-丁內(nèi)酯、20重量％乳酸乙酯以及75重量％3-乙氧基丙酸乙酯)注射到旋涂狀態(tài)下的薄膜上且接著與薄膜的一部分一起去除。隨后，第二次地涂布硬掩模組合物且在400℃下硬烘烤2分鐘，在裸芯片上將薄膜調(diào)節(jié)為具有2500埃的厚度。實例6通過以技100重量％全部組合物計10重量％的量將100重量份由化學式2a表示的聚合物和10重量份由化學式A表示的單體(單體1)溶解于溶劑(PGMEA/EL＝1∶1)中來制備硬掩模組合物溶液。將溶液旋涂涂布到硅芯片上且接著150℃下軟烘烤2分鐘，形成薄膜。接著，將2立方厘米混合溶劑(5重量％γ-丁內(nèi)酯、20重量％乳酸乙酯以及75重量％3-乙氧基丙酸乙酯)注射到旋涂狀態(tài)下的薄膜上且與薄膜的一部分一起去除。隨后，第二次地涂布硬掩模組合物且在400℃下硬烘烤2分鐘，在裸芯片上將薄膜調(diào)節(jié)為具有2500埃的厚度。實例7通過以按100重量％全部組合物計10重量％的量將100重量份由化學式3a表示的聚合物和30重量份由化學式B表示的單體(在下文中，單體2)溶解于溶劑(PGMEA/EL＝1∶1)中來制備硬掩模組合物溶液。將溶液旋涂涂布到硅芯片上且接著140℃下軟烘烤2分鐘，形成薄膜。接著，將2立方厘米混合溶劑(5重量％γ-丁內(nèi)酯、20重量％乳酸乙酯以及75重量％3-乙氧基丙酸乙酯)注射到旋涂狀態(tài)下的薄膜上且與薄膜的一部分一起去除。隨后，第二次地涂布硬掩模組合物且在400℃下硬烘烤2分鐘，在裸芯片上將薄膜調(diào)節(jié)為具有2500埃的厚度。實例8通過以按100重量％全部組合物計10重量％的量將100重量份由化學式5a表示的聚合物、10重量份由化學式B表示的單體(單體2)以及0.05重量份作為熱酸產(chǎn)生劑的對甲苯磺酸吡啶端鹽溶解于溶劑(PGMEA/EL＝1∶1)中來制備硬掩模組合物溶液。接著，將2立方厘米混合溶劑(5重量％γ-丁內(nèi)酯、20重量％乳酸乙酯以及75重量％3-乙氧基丙酸乙酯)注射到旋涂狀態(tài)下的薄膜上且與薄膜的一部分一起去除。隨后，第二次地涂布硬掩模組合物且在400℃下硬烘烤2分鐘，在裸芯片上將薄膜調(diào)節(jié)為具有2500埃的厚度。比較例1通過以按100重量％全部組合物計10重量％的量將100重量份由化學式1a表示的聚合物和40重量份由化學式A表示的單體(單體1)溶解于溶劑(PGMEA/EL＝1∶1)中來制備硬掩模組合物溶液。將溶液旋涂涂布于硅芯片上且接著在400℃下硬烘烤2分鐘，在裸芯片上形成2500埃厚的薄膜。比較例2通過以按100重量％全部組合物計10重量％的量將100重量份由化學式1a表示的聚合物、30重量份由化學式B表示的單體(單體2)以及0.05重量份作為熱酸產(chǎn)生劑的對甲苯磺酸吡啶鎓鹽溶解于溶劑(PGMEA/EL＝1∶1)中來制備硬掩模組合物溶液。將溶液旋涂涂布于硅芯片上且接著在400℃下硬烘烤2分鐘，在裸芯片上形成2500埃厚的薄膜。比較例3通過以按100重量％全部組合物計10重量％的量將100重量份由化學式1a表示的聚合物和20重量份由化學式A表示的單體(單體1)溶解于溶劑(PGMEA/EL＝1∶1)中來制備硬掩模組合物溶液。將溶液旋涂涂布于硅芯片上且接著在400℃下硬烘烤2分鐘，在裸芯片上形成2500埃厚的薄膜。比較例4通過以按100重量％全部組合物計10重量％的量將100重量份由化學式2a表示的聚合物和10重量份由化學式A表示的單體(單體1)溶解于溶劑(PGMEA/EL＝1∶1)中來制備硬掩模組合物溶液。將溶液旋涂涂布于硅芯片上且接著在400℃下硬烘烤2分鐘，在裸芯片上形成2500埃厚的薄膜。比較例5通過以按100重量％全部組合物計10重量％的量將100重量份由化學式3a表示的聚合物和40重量份由化學式A表示的單體(單體1)溶解于溶劑(PGMEA/EL＝1∶1)中來制備硬掩模組合物溶液。將溶液旋涂涂布于硅芯片上且接著在400℃下硬烘烤2分鐘，在裸芯片上形成2500埃厚的薄膜。比較例6通過以按100重量％全部組合物計10重量％的量將100重量份由化學式4a表示的聚合物和10重量份由化學式A表示的單體(單體1)溶解于溶劑(PGMEA/EL＝1∶1)中來制備硬掩模組合物溶液。將溶液旋涂涂布于硅芯片上且接著在400℃下硬烘烤2分鐘，在裸芯片上形成2500埃厚的薄膜。比較例7通過以按100重量％全部組合物計10重量％的量將100重量份由化學式5a表示的聚合物溶解于溶劑(PGMEA/EL＝1∶1)中來制備硬掩模組合物溶液。將溶液旋涂涂布于硅芯片上且接著在400℃下硬烘烤2分鐘，在裸芯片上形成2500埃厚的薄膜。比較例8通過以按100重量％全部組合物計10重量％的量將100重量份由化學式5a表示的聚合物和10重量份由化學式A表示的單體(單體1)溶解于溶劑(PGMEA/EL＝1∶1)中來制備硬掩模組合物溶液。將溶液旋涂涂布于硅芯片上且接著在400℃下硬烘烤2分鐘，在裸芯片上形成2500埃厚的薄膜。薄膜的平坦化特征評估通過梯級和空隙評估最終薄膜的平坦化特征。通過分別在具有1∶1的L/S和50納米的線寬的圖案芯片和具有1∶1的C/H和60納米的孔的圖案芯片上涂布硬掩模組合物以形成根據(jù)實例1到實例7和比較例1到比較例7的每一硬掩模薄膜且切割所述膜的截面以獲得樣品來評估梯級。隨后，樣品涂布有Pt且用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FieldEmission-ScanningElectronMicroscope；FE-SEM)(SU-8030，日立有限公司(Hitachi，Ltd.))檢查。圖10為說明用于評估梯級特征的計算方程式1的參考視圖。參看圖10，認為平坦化特征極好，因為不具有圖案的周圍區(qū)域與具有圖案的單元區(qū)域(cellregion)之間的膜厚度差異較小。[計算方程式1]|厚度h0-厚度h1|+|厚度h0-厚度h2|+|厚度h0-厚度h3|+|厚度h0-厚度h4|+...+(厚度h0-厚度hn)(n為圖案數(shù)目)。另一方面，通過使用FE-SEM來檢查圖案芯片樣品的截面，以查看是否產(chǎn)生空隙。結(jié)果提供在表1中。[表1]梯級空隙梯級空隙實例1280X比較例1500X實例2230X比較例2450X實例3103X比較例3420X實例450X比較例4320X實例588X比較例5380X實例630X比較例6280X實例768X比較例7340X實例845X比較例8450X(在表1中，X指示無空隙。)參看表1，根據(jù)實例1到實例7的由使用預定聚合物作為用于硬掩模層的材料以形成原生硬掩模層、施用液體材料以形成次生硬掩模層形成的薄膜顯示相比于根據(jù)比較例1到比較例7的薄膜的極好平坦化特征。雖然已經(jīng)結(jié)合目前視為實用示例性實施例的內(nèi)容來描述本發(fā)明，但應(yīng)理解本發(fā)明不限于所公開的實施例，而是相反，本發(fā)明旨在涵蓋包含在所附權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等效布置。當前第1頁1 2 3