本申請(qǐng)要求于2015年5月8日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2015-0064325號(hào)的優(yōu)先權(quán)以及由其衍生的所有權(quán)益，通過(guò)引用將其全部?jī)?nèi)容結(jié)合在此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及顯示設(shè)備，更具體地，涉及增強(qiáng)亮度均勻性的顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

液晶顯示器(“LCD”)設(shè)備是一種最近得到廣泛認(rèn)可的平板顯示器(“FPD”)設(shè)備。LCD設(shè)備包括兩個(gè)基板和插入在兩個(gè)基板之間的液晶(“LC”)層，兩個(gè)基板上形成有電極。在這樣的LCD設(shè)備中，LC層的LC分子因施加在兩個(gè)電極上的電壓而重新排列，由此調(diào)整透光量并且在LCD設(shè)備上顯示圖像。

此外，與LCD設(shè)備不同，有機(jī)發(fā)光二極管(“OLED”)顯示設(shè)備作為柔性顯示設(shè)備以及FPD設(shè)備因沒有背光單元并可制造成薄膜堆疊式結(jié)構(gòu)而備受關(guān)注。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施方式中的示例性實(shí)施方式涉及能夠提供增強(qiáng)圖像的亮度均勻性的顯示設(shè)備。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，顯示設(shè)備包括：第一基板；第一柵極線，第一柵極線在第一基板上；第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線與第一柵極線交叉；第一薄膜晶體管(“TFT”)，第一薄膜晶體管連接至第一柵極線和第一數(shù)據(jù)線；第二薄膜晶體管，第二TFT連接至第一柵極線和第二數(shù)據(jù)線；第一鈍化層，第一鈍化層在第一TFT T₁和第二 TFT T₂上；下共用電極，下共用電極在第一鈍化層上；第二鈍化層，第二鈍化層覆蓋下共用電極；以及第一像素電極，第一像素電極包括與第一TFT連接的第一子像素電極和與第二TFT連接的第二子像素電極；其中，第一子像素電極的至少一部分和第二子像素電極的至少一部分均與下共用電極重疊。

在示例性實(shí)施方式中，第一子像素電極和第二子像素電極可均與下共用電極的邊緣重疊。

在示例性實(shí)施方式中，第一子像素電極與下共用電極的重疊可小于第一子像素電極的寬度的一半，并且第二子像素電極與下共用電極的重疊可小于第二子像素電極的寬度的一半。

在示例性實(shí)施方式中，下共用電極可不存在于第一子像素電極與第二子像素電極之間的區(qū)域中。

在示例性實(shí)施方式中，下共用電極可與第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線重疊。

在示例性實(shí)施方式中，下共用電極可不與第一TFT和第二TFT重疊。

在示例性實(shí)施方式中，下共用電極可具有比第一子像素電極和第二子像素電極各自的寬度更寬的寬度。

在示例性實(shí)施方式中，第一子像素電極和第二子像素電極各自的寬度可以小于第一子像素電極與第二子像素電極之間的間隔。

在示例性實(shí)施方式中，第一子像素電極和第二子像素電極可設(shè)置在同一層上同時(shí)彼此相鄰。

在示例性實(shí)施方式中，第一子像素電極和第二子像素電極可大致平行于彼此。

在示例性實(shí)施方式中，第一子像素電極和第二子像素電極可接收具有同一電平且不同極性的電壓。

在示例性實(shí)施方式中，顯示設(shè)備可進(jìn)一步包括：第二基板，第二基板與第一基板相對(duì)；液晶(“LC”)層，液晶層在第一基板與第二基板之間；以及上共用電極，上共用電極在第二基板上。

在示例性實(shí)施方式中，LC層可以是垂直取向?qū)印?/p>

在示例性實(shí)施方式中，LC層可具有負(fù)介電各向異性。

在示例性實(shí)施方式中，顯示設(shè)備可進(jìn)一步包括：第二柵極線，第二柵極線大致平行于第一柵極線；第三數(shù)據(jù)線，第三數(shù)據(jù)線與第一數(shù)據(jù)線相對(duì)同時(shí)在第三數(shù)據(jù)線與第一數(shù)據(jù)線之間具有第二數(shù)據(jù)線；第三TFT，第三TFT連接至第二數(shù)據(jù)線和第二柵極線；第四TFT，第四TFT連接至第二柵極線和第三數(shù)據(jù)線；以及第二像素電極，第二像素電極包括與第三TFT連接的第三子像素電極和與第四TFT連接的第四子像素電極。

在示例性實(shí)施方式中，第二柵極線可被設(shè)置成與第一子像素電極的端部和第二子像素電極的端部重疊。

在示例性實(shí)施方式中，第三TFT和第四TFT可不與下共用電極重疊。

在示例性實(shí)施方式中，下共用電極可與第三數(shù)據(jù)線重疊。

上述實(shí)施方式僅是說(shuō)明性的并且并不旨在進(jìn)行任何限制。除說(shuō)明的示例性實(shí)施方式、實(shí)施方式以及特征之外，通過(guò)參考附圖和以下詳細(xì)的描述，進(jìn)一步的示例性實(shí)施方式、實(shí)施方式以及特征將變得顯而易見。

附圖說(shuō)明

根據(jù)結(jié)合所附的附圖進(jìn)行的以下詳細(xì)描述，將能更為清晰地理解本發(fā)明的上述特征和其他特征以及示例性實(shí)施方式，其中：

圖1是示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的顯示區(qū)域的一部分的平面圖；

圖2是示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的像素的平面圖；

圖3是沿著圖1中的線A-A’的截面圖；

圖4A是示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的像素的電路圖；

圖4B是示出了施加至根據(jù)示例性實(shí)施方式的像素的電壓的波形圖；

圖5示出了基于鈍化層的厚度變化的亮度變化的曲線圖；

圖6示出了基于像素的臨界尺寸(“CD”)變化的局部亮度變化的曲線圖；

圖7是示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的像素的一部分的放大圖；

圖8是沿著圖7中的線B-B’的截面圖；

圖9是示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的截面圖；并且

圖10示出了基于像素的CD變化的亮度變化的曲線圖。

具體實(shí)施方式

根據(jù)下面參考所附的附圖詳細(xì)描述的示例性實(shí)施方式，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征以及實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征的方法將變得清晰。然而，本發(fā)明可涵蓋多種不同形式并且不應(yīng)被解釋為局限于此處闡述的示例性實(shí)施方式。更確切地，提供這些示例性實(shí)施方式使得本公開全面且完整并且將本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。本發(fā)明僅由權(quán)利要求的范圍限定。因此，為了防止本發(fā)明被模糊地解釋，在示例性實(shí)施方式中未詳細(xì)描述公知的組成元件、操作以及技術(shù)。在本說(shuō)明書中，類似參考標(biāo)號(hào)指類似元件。

為便于描述，本文可能使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)“在…下面”、“在…之下”、“下”、“在…上面”、“上”等來(lái)描述如圖中所示的一個(gè)元件或部件與另一元件或部件之間的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，除附圖中描繪的方位之外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)還旨在包括使用或操作中的設(shè)備的不同方位。例如，在將附圖中所示的設(shè)備翻轉(zhuǎn)的情況下，位于另一設(shè)備下或在另一設(shè)備之下的設(shè)備可放置在另一設(shè)備上面。因此，說(shuō)明性術(shù)語(yǔ)“下”可包括下方和上方位置。設(shè)備還可定位在其他方向上，因此，根據(jù)方位的不同可對(duì)空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行不同地解釋。

此處使用的全部術(shù)語(yǔ)僅用于描述示例性實(shí)施方式并且可根據(jù)相關(guān)技術(shù)和申請(qǐng)人的意圖進(jìn)行修改。因此，本文使用的術(shù)語(yǔ)應(yīng)被解釋為具有與其在本公開的上下文中的含義一致的含義并且并不旨在限制示例性實(shí)施方式。除非上下文另有清楚的說(shuō)明，否則本文使用的單數(shù)形式“a”、“an”、以及“the(該)”也旨在包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解的是，本說(shuō)明書中使用的術(shù)語(yǔ)“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”和/或“包含(including)”指定了存在所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但是并不排除存在或添加一種或多種其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合。

應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件被稱之為在另一元件上時(shí)，該元件可直接在另一元件上或其間可存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱之為直接在另一元件上時(shí)，則不存在中間元件。

應(yīng)當(dāng)理解的是，盡管此處可能使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等描述各個(gè)元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，然而，這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層和/或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層和/或部分。因此，在不背離本文教導(dǎo)的情況下，下面討論的“第一元件”、“第一部件”、“第一區(qū)域”、“第一層”、或“第一部分”可被稱為第二元件、第二部件、第二區(qū)域、第二層、或第二部分。

考慮到所討論的測(cè)量和與特定數(shù)量的測(cè)量相關(guān)聯(lián)的誤差(即，測(cè)量系統(tǒng)的局限性)，此處使用的“約”或“大約”包含所陳述的值和由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員確定的與特定值的偏差的可接受范圍內(nèi)的均值。例如，“約”可指在一個(gè)或多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差內(nèi)或在所陳述值的±30％、±20％、±10％、±5％內(nèi)。

除非另有限定，否則本文使用的全部術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本領(lǐng)域技術(shù)人員通常理解的相同含義。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解的是，除非本說(shuō)明書中有清晰限定，否則諸如通常使用詞典中限定的術(shù)語(yǔ)應(yīng)被解釋為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域的上下文中的含義一致的含義并且不應(yīng)以理想化或過(guò)于刻板的含義進(jìn)行解釋。

本文參考理想化實(shí)施方式的示意性示圖的截面示圖描述了示例性實(shí)施方式。這樣，預(yù)計(jì)因例如制造技術(shù)和/或容差而從示圖的形狀發(fā)生變化。因此，本文描述的實(shí)施方式不應(yīng)被解釋為局限于此處示出的區(qū)域的具體形狀，而是包括例如因制造而產(chǎn)生的形狀上的偏差。例如，被示出或描述為平坦的區(qū)域通?？删哂写植诤?或非線性特征。而且，所示出的尖銳角可以是圓形的。因此，圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的并且其形狀并不旨在示出區(qū)域的精確形狀并且并不旨在限制本權(quán)利要求的范圍。

在下文中，將參考圖1、圖2、圖3、圖4A以及圖4B描述有關(guān)顯示設(shè)備的示例性實(shí)施方式。

圖1是示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的顯示區(qū)域的一部分的平面圖。圖2是示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的像素的平面圖。圖3是沿著圖1中的線A-A’的截面圖。圖4A是根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的像素的電路圖。圖4B是施加至根據(jù)示例性實(shí)施方式的像素的電壓的波形圖。

圖1示出了兩個(gè)像素P_x1和P_x2、四個(gè)子像素電極P₁、P₂、P₃及P4、以及四個(gè)薄膜晶體管(“TFT”)T₁、T₂、T₃及T₄來(lái)描述兩個(gè)鄰近像素電極(即，四個(gè)鄰近的子像素電極)之間的布置關(guān)系。

參考圖1，根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可包括：第一柵極線G₁，第一柵極線G₁在基板上；第二柵極線G₂，第二柵極線G₂與第一柵極線G₁相鄰且大致平行于第一柵極線G₁；第一數(shù)據(jù)線D₁和第二數(shù)據(jù)線D₂，第一數(shù)據(jù)線D₁和第二數(shù)據(jù)線D₂與第一柵極線G₁交叉；第三數(shù)據(jù)線D₃，關(guān)于第二數(shù)據(jù)線D₂與第一數(shù)據(jù)線D₁相對(duì)，第二數(shù)據(jù)線D₂位于第三數(shù)據(jù)線D₃與第一數(shù)據(jù)線D₁之間；第一TFT T₁，第一TFT T₁連接至第一柵極線G₁和第一數(shù)據(jù)線D₁；第二TFT T₂，第二TFT T₂連接至第一柵極線G₁和第二數(shù)據(jù)線D₂；第三TFT T₃，第三TFT T₃連接至第二柵極線G₂和第二數(shù)據(jù)線D₂；第四TFT T₄，第四TFT T₄連接至第二柵極線G₂和第三數(shù)據(jù)線D₃；下共用電極COM，下共用電極COM在第一鈍化層171上；第一像素電極，第一像素電極包括與第一TFT T₁連接的第一子像素電極P₁和與第二TFT T₂連接的第二子像素電極P₂；以及第二像素電極，第二像素電極包括與第三TFT T₃連接的第三子像素電極P₃和與第四TFT T₄連接的第四子像素電極P₄。

如圖1所示，兩個(gè)相鄰像素P_x1和P_x2(即，第一像素P_x1和第二像素P_x2)可以彼此點(diǎn)對(duì)稱。因?yàn)槌溟g的點(diǎn)對(duì)稱關(guān)系之外，第一像素P_x1和第二像素P_x2具有相同配置，所以將主要關(guān)于第一像素P_x1描述根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備。

根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的像素(例如，第一像素P_x1)可包括設(shè)置在像素上的兩個(gè)數(shù)據(jù)線D₁和D₂、兩個(gè)TFT T₁和TFT T₂、兩個(gè)子像素電極P₁和P₂、以及下共用電極COM。

下面將提供與根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)有關(guān)的詳細(xì)描述。

例如，參考圖1、圖2以及圖3，多條柵極線G₁可設(shè)置在包括諸如玻璃或塑料等透明材料的基板上。

柵極線G₁可傳輸柵極信號(hào)并且可大致在橫向方向上延伸。柵極線G₁中的每條均可包括設(shè)置在其上的多個(gè)柵電極GE。

柵極絕緣層130可設(shè)置在柵極線GL上。在示例性實(shí)施方式中，柵極絕緣層130可包括例如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)等。多個(gè)半導(dǎo)體層AL可設(shè)置在柵極絕緣層130上。在示例性實(shí)施方式中，該多個(gè)半導(dǎo)體層AL可包括例如氫化非晶硅(a-Si)、多晶硅等。

多個(gè)歐姆接觸元件(未示出)可設(shè)置在半導(dǎo)體層AL上。在示例性實(shí)施方式中，歐姆接觸元件可包括摻雜有諸如磷的高濃度n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅或硅化物。歐姆接觸元件可成對(duì)地設(shè)置在半導(dǎo)體層AL上。

多條數(shù)據(jù)線D₁和D₂以及多個(gè)漏電極DE可設(shè)置在歐姆接觸元件和柵極絕緣層130上。

數(shù)據(jù)線D₁和D₂可傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)并且可在與柵極線G₁和G₂交叉的大致縱向方向上延伸。數(shù)據(jù)線D₁和D₂可均包括朝向柵電極GE延伸的源電極SE。

漏電極DE可與數(shù)據(jù)線D₁和D₂分離并且可面向柵電極GE上的源電極SE。

柵電極GE、源電極SE以及漏電極DE與半導(dǎo)體層AL一起可形成TFT。TFT的溝道可形成在源電極SE與漏電極DE之間的半導(dǎo)體層AL中。如上所述，單個(gè)像素可包括設(shè)置在像素上的兩個(gè)TFT T₁和TFT T₂。

第一鈍化層171可設(shè)置在TFT T₁和TFT T₂上。第一鈍化層171可包括無(wú)機(jī)絕緣材料或有機(jī)絕緣材料，并且可具有平坦表面。無(wú)機(jī)絕緣材料的實(shí)施例可包括氮化硅(SiN_x)和氧化硅(SiO_x)。在示例性實(shí)施方式中，有機(jī)絕緣材料可具有光敏性和約4.0或更小的介電常數(shù)。在示例性實(shí)施方式中，第一鈍化層171可具有包括下無(wú)機(jī)層和上有機(jī)層的雙層結(jié)構(gòu)，使得可以實(shí)現(xiàn)有機(jī)層的優(yōu)異絕緣性質(zhì)并且可以明顯減少對(duì)半導(dǎo)體層AL的暴露 部分的損害。在第一鈍化層171中可以限定多個(gè)接觸孔，漏電極DE通過(guò)該多個(gè)接觸孔被暴露。

下共用電極COM可設(shè)置在第一鈍化層171上，在第一鈍化層171具有曲率的情況下，下共用電極COM也可具有曲率。在替代的示例性實(shí)施方式中，下共用電極COM可具有例如平面形狀。設(shè)置在相鄰像素上的下共用電極COM可彼此連接，以接收顯示區(qū)域外部供給的預(yù)定電平的共用電壓。

下共用電極COM可與數(shù)據(jù)線D₁和D₂重疊。

下共用電極COM可在其與柵極線G₁相鄰的部分中具有開口。因此，下共用電極COM可不與第一TFT T₁和第二TFT T₂重疊。

在示例性實(shí)施方式中，下共用電極COM可包括諸如氧化銦錫(“ITO”)、氧化銦鋅(“IZO”)等透明導(dǎo)電材料并且可與像素電極一起形成電場(chǎng)。

此外，下共用電極COM可與數(shù)據(jù)線D₁和D₂重疊并且可設(shè)置在兩個(gè)像素區(qū)域上方，由此用作使得在一像素中形成的電場(chǎng)不對(duì)另一相鄰像素的電場(chǎng)產(chǎn)生影響的屏蔽共用電極。

第二鈍化層173可被設(shè)置成覆蓋下共用電極COM。除了其位置不同之外，就其中包括的材料和其功能而言，第二鈍化層173可與第一鈍化層171相同或相似。第二鈍化層173可包括無(wú)機(jī)絕緣材料或有機(jī)絕緣材料并且可具有平坦表面。在示例性實(shí)施方式中，第二鈍化層173可具有包含下無(wú)機(jī)層和上有機(jī)層的雙層結(jié)構(gòu)，使得可以實(shí)現(xiàn)有機(jī)層的優(yōu)異絕緣性質(zhì)并且不影響下共用電極COM。在第二鈍化層173中可以限定多個(gè)接觸孔，漏電極DE通過(guò)該多個(gè)接觸孔被暴露。

在示例性實(shí)施方式中，多個(gè)像素電極可設(shè)置在第二鈍化層173上。像素電極可包括多個(gè)子像素電極P₁和P₂。在示例性實(shí)施方式中，子像素電極P₁和P₂可包括諸如ITO、IZO等的透明導(dǎo)電材料。

參考圖4A，第一子像素電極P₁可連接至第一TFT T₁，并且第二子像素電極P₂可連接至第二TFT T₂。

詳細(xì)地，第一子像素電極P₁可通過(guò)第一接觸孔CH1物理連接和/或電連接至第一漏電極并且可從第一漏電極接收第一數(shù)據(jù)電壓。類似地，第二子像素電極P₂可通過(guò)第二接觸孔CH2物理連接和/或電連接至第二漏電極并且可從第二漏電極接收第二數(shù)據(jù)電壓。類似地，第三接觸孔CH3可從第三漏電極接收第二數(shù)據(jù)電壓，并且第四接觸孔CH4可從第四漏電極接收第三數(shù)據(jù)電壓。下面將進(jìn)一步描述第一數(shù)據(jù)電壓與第二數(shù)據(jù)電壓之間的關(guān)系。

參考圖1，第一子像素電極P₁和第二子像素電極P₂可以預(yù)定間隔交替形成并且可大致平行于彼此。

第一子像素電極P₁的至少一部分和第二子像素電極P₂的至少一部分可均與下共用電極COM重疊。第一子像素電極P₁和第二子像素電極P₂可均與下共用電極COM的邊緣重疊小于子像素電極的寬度的一半。因此，如圖1所示，下共用電極COM可不存在于第一子像素電極P₁與第二子像素電極P₂之間。

圖2是示出了圖1中示出的像素中的像素P_x1的平面圖，并且將參考圖2更為詳細(xì)地描述下共用電極COM、第一子像素電極P₁以及第二子像素電極P₂之間的布置關(guān)系。

在圖2中，W_COM表示下共用電極COM的寬度，并且W_P1和W_P2分別表示第一子像素電極P₁的寬度和第二子像素電極P₂的寬度。W_P1～P2表示第一子像素電極P₁與第二子像素電極P₂之間的間隔，并且W_OL1和W_OL2分別表示下共用電極COM與第一子像素電極P₁之間的重疊寬度和下共用電極COM與第二子像素電極P₂之間的重疊寬度。

參考圖2，下共用電極COM可具有比第一子像素電極P₁的寬度和第二子像素電極P₂的寬度中的每個(gè)寬度更大的寬度。換言之，下共用電極COM的寬度W_COM可比第一子像素電極P₁的寬度W_P1和第二子像素電極P₂的寬度W_P2中的每個(gè)寬度更大。

如上所述，下共用電極COM可與第一子像素電極P₁和第二子像素電極P₂的至少各自部分重疊。第一子像素電極P₁和第二子像素電極P₂與下共用電極COM的重疊可均小于子像素電極的一半。

第一子像素電極P₁和第二子像素電極P₂可設(shè)置在同一層(即，第二鈍化層173)上，同時(shí)彼此相鄰。第一子像素電極P₁和第二子像素電極P₂可分別連接至第一TFT和第二TFT，由此接收具有相同電平且不同極性的電壓。

在示例性實(shí)施方式中，第一子像素電極P₁的寬度W_P1和第二子像素電極P₂的寬度W_P2可均小于第一子像素電極P₁與第二子像素電極P₂之間的間隔W_P1～P2。

在第一子像素電極P₁與第二子像素電極P₂之間可以產(chǎn)生水平電場(chǎng)，并且由此顯示設(shè)備以平面轉(zhuǎn)換(“IPS”)模式工作。

下共用電極COM、第一子像素電極P₁以及第二子像素電極P₂之間的寬度和布置關(guān)系可由以下公式表達(dá)。

W_COM>W_P1

W_COM>W_P2

W_OL1≤1/2*W_P1

W_OL2≤1/2*W_P2

W_P1～P2>W_P1

W_P1～P2>W_P2

圖3是沿著圖1中的線A-A’的截面圖，并且是示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的模擬圖。

根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可包括下面板100、第一子像素電極180以及第二子像素電極190，下面板100包括在第一基板110上的下共用電極120。上面板200可包括在第二基板210上的上共用電極220。

如上參考圖1和圖2所述，第一子像素電極180的至少一部分和第二子像素電極190的至少一部分可均與下共用電極120的邊緣重疊，并且下共用電極120可不存在于第一子像素電極180與第二子像素電極190之間的區(qū)域中。

參考圖3，根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可包括區(qū)域“A”和區(qū)域“B”，在區(qū)域“A”中設(shè)置有下共用電極120并且設(shè)置有第一子像素電極180和第二子像素電極190，第一子像素電極180和第二子像素電極190 均至少具有與下共用電極120重疊的部分，在區(qū)域“B”中下共用電極120不存在且設(shè)置有第一子像素電極180和第二子像素電極190。

在區(qū)域“A”中，下共用電極120和第一子像素電極180可被設(shè)置成彼此重疊以形成邊緣電場(chǎng)。在區(qū)域“B”中，第一子像素電極180和第二子像素電極190可設(shè)置在同一層上同時(shí)彼此相鄰以在第一子像素電極180和第二子像素電極190之間形成水平電場(chǎng)。

根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可包括水平取向的液晶(“LC”)層300。LC層300可具有正介電各向異性或負(fù)介電各向異性。

如圖3中所示，根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可進(jìn)一步包括上共用電極220。

上共用電極220可用于通過(guò)疏散集中在第一子像素電極180和第二子像素電極190的端部的電場(chǎng)而減少圖像殘留。

在根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備包括上共用電極220的情況下，可以使用具有負(fù)介電常數(shù)的LC。通過(guò)使用這樣的具有負(fù)介電常數(shù)的LC，在對(duì)下共用電極120和上共用電極220施加具有相同電平的電壓的情況下，不會(huì)影響下共用電極120并且不會(huì)影響第一子像素電極180與第二子像素電極190之間形成的水平電場(chǎng)，因此，可以保持LC的水平取向并且可以減少圖像殘留。

在根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備不包括上共用電極220的情況下，LC層300可具有負(fù)介電各向異性或正介電各向異性。

下面將參考圖4A和圖4B描述施加至下共用電極COM、第一子像素電極P₁以及第二子像素電極P₂的電壓以及由此形成的電場(chǎng)。

圖4A是示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的像素的電路圖。

參考圖4A，根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可包括像素中的兩個(gè)TFT、分別連接至該兩個(gè)TFT的兩個(gè)子像素電極、以及被設(shè)置成與兩個(gè)子像素電極的至少各自部分重疊的下共用電極。

如圖4A所示，第一子像素電極P₁和第二子像素電極P₂可分別連接至第一TFT T₁和第二TFT T₂，第一TFT T₁和第二TFT T₂彼此不同。

換言之，在通過(guò)柵極線G₁施加?xùn)艠O導(dǎo)通信號(hào)時(shí)，可對(duì)第一子像素電極P₁施加第一數(shù)據(jù)信號(hào)并且可對(duì)第二子像素電極P₂施加不同于第一數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)信號(hào)。第一子像素電極P₁可從第一TFT T₁的第一漏電極接收第一數(shù)據(jù)電壓。類似地，第二子像素電極P₂可從第二TFT T₂的第二漏電極接收第二數(shù)據(jù)電壓。

被施加第一數(shù)據(jù)電壓的第一子像素電極P₁、被施加第二數(shù)據(jù)電壓的第二子像素電極P₂、以及下共用電極COM可產(chǎn)生電場(chǎng)。

圖4B是示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的像素的電壓的波形圖。

參考圖4B，根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可在單個(gè)幀期間對(duì)兩個(gè)子像素電極施加具有相同電平且不同極性的電壓。

在圖4B中，施加至第一子像素電極的電壓可以指示基于第一數(shù)據(jù)信號(hào)施加給第一子像素電極P₁的數(shù)據(jù)電壓，并且施加至第二子像素電極的電壓可以指示基于第二數(shù)據(jù)信號(hào)施加給第二子像素電極P₂的數(shù)據(jù)電壓。此外，在圖4B中的豎直方向上形成的線可指示對(duì)柵極線施加?xùn)艠O導(dǎo)通電壓的時(shí)間點(diǎn)。

在幀中，在施加?xùn)艠O導(dǎo)通電壓的時(shí)間段期間，可以基于第一數(shù)據(jù)信號(hào)將施加至第一子像素電極的電壓施加到第一子像素電極P₁。當(dāng)對(duì)第二子像素電極P₂施加?xùn)艠O導(dǎo)通電壓時(shí)，可對(duì)第二子像素電極P₂施加與第一子像素電極P₁的電壓具有相反極性和相同電平的電壓(以下被稱之為“相反極性電壓”)。

在根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備中，可以基于施加給下共用電極COM的共用電壓分別對(duì)第一子像素電極P₁和第二子像素電極P₂施加具有不同極性且相同電平的電壓。

在上述這樣的顯示設(shè)備的配置中，可以對(duì)第一子像素電極P₁和第二子像素電極P₂施加不同的電壓，以在第一子像素電極P₁和第二子像素電極P₂之間形成水平電場(chǎng)，由此顯示設(shè)備以IPS模式工作，并且可在第一子像素電極P₁與下共用電極COM之間或第二子像素電極P₂與下共用電極COM之間形成邊緣電場(chǎng)，由此顯示設(shè)備以面線轉(zhuǎn)換(“PLS”)模式工作。

因此，根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可通過(guò)在單個(gè)像素中同時(shí)產(chǎn)生水平電場(chǎng)和邊緣電場(chǎng)來(lái)控制LC。

如上參考圖1、圖2、圖3、圖4A以及圖4B所述，根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可通過(guò)在單個(gè)像素中產(chǎn)生水平電場(chǎng)和邊緣電場(chǎng)而顯示具有均勻亮度的圖像。

在下文中，將參考圖5和圖6提供與根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的亮度均勻性有關(guān)的描述。

圖5是示出了基于鈍化層中的厚度分布的關(guān)于灰階(gray scale)的亮度變化的曲線圖。

在圖5中，x軸可表示灰階并且y軸可表示亮度變化。第一曲線圖GR1可表示基于約±0.6微米(μm)的鈍化層的厚度變化的關(guān)于常規(guī)顯示設(shè)備的灰階的亮度變化的測(cè)量結(jié)果。第二曲線圖GR2和第三曲線圖GR3可表示基于約±0.6μm的鈍化層的厚度變化的關(guān)于根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的灰階的亮度變化的測(cè)量結(jié)果。

參考圖5，第一曲線圖GR1展示了基于鈍化層的厚度變化的關(guān)于灰階的相對(duì)較大的亮度變化，而第二曲線圖GR2和第三曲線圖GR3展示了基于鈍化層的厚度變化的關(guān)于灰階的相對(duì)較小的亮度變化。因此，可以認(rèn)識(shí)到，根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的關(guān)于灰階的亮度變化小于常規(guī)顯示設(shè)備的關(guān)于灰階的亮度變化。

在根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備中，鈍化層可不存在于沒有下共用電極的區(qū)域“B”中。因此，可以減少基于鈍化層的厚度變化的關(guān)于灰階的亮度變化。

圖6示出了基于像素的臨界尺寸(“CD”)變化的局部亮度變化的曲線圖。

在圖6中，x軸可表示CD并且y軸可表示亮度。圖6中示出的曲線圖可表示在根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的顯示區(qū)域中基于電場(chǎng)形成方案的局部亮度變化的模擬結(jié)果。

如上參考圖3所述，區(qū)域“A”可指示設(shè)置有下共用電極的區(qū)域，并且區(qū)域“B”可指示沒有下共用電極的區(qū)域。圖6中以箭頭指示的部分可均表示基于CD變化的亮度變化。

參考圖6，區(qū)域“A”和區(qū)域“B”展示了基于CD變化的亮度變化的相反結(jié)果。換言之，隨著CD增加，在區(qū)域“A”中亮度可增加，而在區(qū)域“B”中亮度可減少。

根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可包括區(qū)域“A”和區(qū)域“B”這兩者，區(qū)域“A”中的亮度基于像素內(nèi)的CD變化而增加，并且區(qū)域“B”中的亮度基于像素內(nèi)的CD變化而減少。因此，根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可具有對(duì)基于CD分布的亮度增加和亮度減少的補(bǔ)償效應(yīng)。

根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可通過(guò)補(bǔ)償基于下共用電極的存在的亮度變化來(lái)減少基于CD分布的亮度變化。

在下文中，將參考圖7和圖8描述根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備。

圖7是示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的像素的一部分的放大圖。圖8是沿著圖7中的線B-B’的截面圖。

根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可包括：第一基板110；第一柵極線122，第一柵極線122在第一基板110上；第一數(shù)據(jù)線162-1和第二數(shù)據(jù)線162-2，第一數(shù)據(jù)線162-1和第二數(shù)據(jù)線162-2與第一柵極線122交叉；第一TFT T₁，第一TFT T₁連接至第一柵極線122和第一數(shù)據(jù)線162-1；第二TFT T₂，第二TFT T₂連接至第一柵極線122和第二數(shù)據(jù)線162-2；第一鈍化層171，第一鈍化層171在第一TFT T₁和第二TFT T₂上；平坦化層175，平坦化層175在第一鈍化層171上；下共用電極120，下共用電極120在平坦化層175上；第二鈍化層173，第二鈍化層173覆蓋下共用電極120；以及像素電極，像素電極包括與第一TFT T₁連接的第一子像素電極180和與第二TFT T₂連接的第二子像素電極190。第一子像素電極180和第二子像素電極190的至少各自部分可與下共用電極120重疊。

根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可與參考圖3描述的顯示設(shè)備具有相同的配置，但是，根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可進(jìn)一步包括平坦 化層175并且可在平坦化層175上具有下共用電極120，下共用電極120具有平坦形狀而非彎曲形狀。因此，關(guān)于根據(jù)示例性實(shí)施方式和另一示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備，相同部件和對(duì)應(yīng)的部件被賦予了相同參考標(biāo)號(hào)，簡(jiǎn)潔起見，將省去重復(fù)性描述。

下面板100可包括：第一基板110；TFT 150，TFT 150在第一基板110上；第一鈍化層171，第一鈍化層171在TFT 150上；平坦化層175，平坦化層175在第一鈍化層171上；下共用電極120，下共用電極120在平坦化層175上；第二鈍化層173，第二鈍化層173在下共用電極120上；以及第一子像素電極180和第二子像素電極190，第一子像素電極180和第二子像素電極190在第二鈍化層173上同時(shí)彼此相鄰。

在示例性實(shí)施方式中，第一基板110可使用包括諸如玻璃或塑料的透明材料的絕緣基板。

傳輸柵極信號(hào)的柵極布線122和124可設(shè)置在第一基板110上。柵極布線122和124可包括在一個(gè)方向(例如，橫向方向)上延伸的柵極線122，以及從柵極線122突出以具有突出形狀的柵電極124。柵電極124與源電極165、漏電極166以及半導(dǎo)體層142一起可構(gòu)成TFT 150。

盡管未示出，然而，存儲(chǔ)布線可進(jìn)一步設(shè)置在第一基板110上，存儲(chǔ)布線用于形成像素電極，例如，第一子像素電極180和第二子像素電極190、以及存儲(chǔ)電容器。存儲(chǔ)布線可包括形成柵極布線122和124的相同材料并且可設(shè)置在與設(shè)置有柵極布線122和124的層相同的層上。

在示例性實(shí)施方式中，柵極布線122和124可包括，例如，諸如(Al)或Al合金的基于Al的金屬、諸如Ag或Ag合金的基于銀(Ag)的金屬、諸如Cu或Cu合金的基于銅(Cu)的金屬、諸如Mo或Mo合金的基于鉬(Mo)的金屬、鉻(Cr)、鈦(Ti)以及鉭(Ta)中的至少一種。

柵極布線122和124可具有多層結(jié)構(gòu)，其包括具有不同物理性質(zhì)的至少兩個(gè)導(dǎo)電層。在示例性實(shí)施方式中，兩個(gè)導(dǎo)電層中的一個(gè)可包括具有相對(duì)低電阻系數(shù)的金屬，例如，基于Al的金屬、基于Ag的金屬、或基于Cu的金屬，從而減少柵極布線122和124的信號(hào)延遲或壓降。在示例性實(shí)施方式中，兩個(gè)導(dǎo)電層中的另一個(gè)可包括例如基于Mo的金屬、Cr、Ti、 或Ta等材料，其對(duì)諸如氧化銦錫(“ITO”)、氧化銦鋅(“IZO”)或氧化鋁鋅(“AZO”)的透明導(dǎo)電氧化物(“TCO”)具有優(yōu)異的接觸特性。

柵電極124的這樣的多層結(jié)構(gòu)的實(shí)例可包括具有Cr下層和Al上層的電極、具有Al下層和Mo上層的電極、以及具有Ti下層和Cu上層的電極。然而，示例性實(shí)施方式并不局限于此，并且柵極布線122和124可包括各種其他金屬和導(dǎo)電材料。

柵極絕緣層130可設(shè)置在第一基板110與柵極布線122和124上。例如，在示例性實(shí)施方式中，柵極絕緣層130可包括氧化硅(SiO_x)或氮化硅(SiN_x)。此外，柵極絕緣層130可進(jìn)一步包括氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭或氧化鋯。盡管圖8示出了具有雙層結(jié)構(gòu)的柵極絕緣層130，然而，柵極絕緣層130的結(jié)構(gòu)并不局限于此。

被設(shè)置用于形成TFT 150的溝道的半導(dǎo)體層142可設(shè)置在柵極絕緣層130上。半導(dǎo)體層142的至少一部分可與柵電極124重疊。在示例性實(shí)施方式中，半導(dǎo)體層142可包括氧化物半導(dǎo)體，例如，氧化物半導(dǎo)體包括鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)以及鋅(Zn)中的至少一種。

然而，示例性實(shí)施方式并不局限于此，半導(dǎo)體層142還可包括例如非晶硅(a-Si)。換言之，例如，半導(dǎo)體層142可包括基于硅的半導(dǎo)體。

包括預(yù)定絕緣層的蝕刻阻擋層(etch stopper)(“ES”)168可設(shè)置在源電極165與漏電極166之間的半導(dǎo)體層142的溝道區(qū)域上。ES 168可用于防止溝道區(qū)域被后續(xù)處理?yè)p壞。換言之，ES 168可設(shè)置在半導(dǎo)體層142的溝道區(qū)域上，由此在后續(xù)處理期間防止半導(dǎo)體層142的溝道區(qū)域與化學(xué)材料之間的接觸并且防止溝道區(qū)域暴露于濕或干蝕刻處理和等離子體處理。

然而，根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的TFT的結(jié)構(gòu)并不局限于這樣的ES結(jié)構(gòu)，并且還可包括反向溝道蝕刻(“BSE”)結(jié)構(gòu)。

數(shù)據(jù)布線162、165以及166可設(shè)置在ES 168和柵極絕緣層130上。數(shù)據(jù)布線162、165以及166可包括：數(shù)據(jù)線162，數(shù)據(jù)線162設(shè)置在與柵極線122交叉的方向(例如，縱向方向)上；源電極165，源電極165與數(shù)據(jù)線162的一部分對(duì)應(yīng)并且與數(shù)據(jù)線162設(shè)置在同一線上；以及漏電極 166，漏電極166與源電極165間隔開并且基于TFT 150的溝道區(qū)域與源電極165平行地延伸。因此，漏電極166可與數(shù)據(jù)線162的一部分平行。

柵電極124、源電極165以及漏電極166與半導(dǎo)體層142一起可構(gòu)成TFT 150。源電極165與漏電極166之間的半導(dǎo)體層142中可以形成TFT 150的溝道。

根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可包括與數(shù)據(jù)線162在同一線上的源電極165和與數(shù)據(jù)線162平行延伸的漏電極166。由此在不增加數(shù)據(jù)布線162、165以及166占據(jù)的面積的情況下增加了TFT的寬度，并且由此增加了顯示設(shè)備的開口率。

在示例性實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)線162和漏電極166尤其可包括諸如鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉭(Ta)以及鈦(Ti)或其合金的難熔金屬并且可具有例如包括難熔金屬層和低電阻導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。除上述材料之外，數(shù)據(jù)線162和漏電極166還可包括各種其他金屬或?qū)щ姴牧稀?/p>

可由數(shù)據(jù)線162和柵極線122限定像素區(qū)域，然而，像素區(qū)域并不局限于此。可以由黑矩陣(未示出)限定像素區(qū)域。在示例性實(shí)施方式中，像素區(qū)域可包括例如紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域以及藍(lán)色像素區(qū)域。然而，本發(fā)明并不局限于此，并且像素區(qū)域可包括例如白色像素區(qū)域。

第一鈍化層171可設(shè)置在數(shù)據(jù)布線162、165和166以及ES 168上。詳細(xì)地，第一鈍化層171可設(shè)置在源電極165、漏電極166以及ES 168上。第一鈍化層171可包括有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料。

此外，圖8中示出的TFT 150的結(jié)構(gòu)作為示例給出，而并不局限于此。

平坦化層175可設(shè)置在第一鈍化層171上。在示例性實(shí)施方式中，平坦化層175可具有單層或多層結(jié)構(gòu)，其中包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、具有光敏性的有機(jī)材料、諸如Si:C:O或Si:O:F的低介電常數(shù)絕緣材料等。

平坦化層175可用于使TFT 150的上部平坦化。在通過(guò)第一鈍化層171使TFT 150的上部平坦化的情況下，可以省去平坦化層175。

下共用電極120可設(shè)置在平坦化層175上。下共用電極120可具有無(wú)曲率的平坦形狀。相鄰像素上的下共用電極120可彼此連接，由此接收從顯示區(qū)域外部供給的具有預(yù)定電平的共用電壓。

第二鈍化層173可被設(shè)置成覆蓋下共用電極120。第二鈍化層173可包括有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料。

第一子像素電極180和第二子像素電極190可設(shè)置在第二鈍化層173上。在示例性實(shí)施方式中，第一子像素電極180和第二子像素電極190可包括諸如ITO、IZO等的透明導(dǎo)電材料。第一子像素電極180和第二子像素電極190可以預(yù)定間隔交替形成在同一層上并且可大致平行于彼此。

因?yàn)閰⒖紙D2描述了下共用電極COM、第一子像素電極P₁和第二子像素電極P₂之間的布置關(guān)系以及電場(chǎng)的形成，所以將省去重復(fù)性描述。

可在第一鈍化層171、平坦化層175、第二鈍化層173中限定第一接觸孔CH1，通過(guò)第一接觸孔CH1暴露漏電極166。詳細(xì)地，第一子像素電極180可通過(guò)第一接觸孔CH1物理連接和/或電連接至漏電極166并且可從第一漏電極接收第一數(shù)據(jù)電壓。

盡管圖中未示出，然而，下取向?qū)涌稍O(shè)置在第一子像素電極180和第二子像素電極190以及第二鈍化層173上。在示例性實(shí)施方式中，下取向?qū)涌砂ɡ绻夥磻?yīng)性材料。在示例性實(shí)施方式中，下取向?qū)涌砂ň埘０匪?、聚硅氧烷以及聚酰亞胺中的至少一種。

圖9是示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的截面圖。

根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可包括下面板100、上面板200、以及在下面板100與上面板200之間的LC層300。

因?yàn)樯厦鎱⒖紙D7和圖8描述了下面板100，所以簡(jiǎn)明起見將省去重復(fù)性描述。

上面板200可包括第二基板210、遮光層230、濾色器240、保護(hù)層(overcoat layer)250以及上共用電極220。

在示例性實(shí)施方式中，第二基板210可包括諸如玻璃或塑料的透明材料。

遮光層230可設(shè)置在第二基板210上。遮光層230(也被稱之為黑矩陣)可隔開多個(gè)濾色器240并且可限定像素區(qū)域。

此外，遮光層230可用于防止從背光單元(未示出)供給的光傳輸?shù)酵饷娌⑶铱煞乐雇獠抗庹丈涞綎艠O線122、數(shù)據(jù)線162或TFT 150。遮光層230可被設(shè)置成與柵極線122、數(shù)據(jù)線162以及TFT 150重疊。在示例性實(shí)施方式中，遮光層230可具有格子(lattice)結(jié)構(gòu)，其中，遮光層230沿著柵極線122和數(shù)據(jù)線162布置。

濾色器240可設(shè)置在由遮光層230隔開的像素區(qū)域中。例如，在示例性實(shí)施方式中，濾色器240可進(jìn)一步包括紅色濾光器、綠色濾光器以及藍(lán)色濾光器作為示例。然而，濾色器240的類型并不局限于此。

紅色濾光器、綠色濾光器、以及藍(lán)色濾光器可被設(shè)置成分別與紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域、以及藍(lán)色像素區(qū)域?qū)?yīng)。

保護(hù)層250可設(shè)置在濾色器240上。保護(hù)層250可使濾色器240的上部平坦化并且可保護(hù)濾色器240。在示例性實(shí)施方式中，保護(hù)層250可以包括例如丙烯酸環(huán)氧樹脂材料。

上共用電極220可設(shè)置在保護(hù)層250上。

在示例性實(shí)施方式中，上共用電極220可包括諸如ITO、IZO或AZO的TCO。

上共用電極220可通過(guò)疏散集中在第一子像素電極180和第二子像素電極190的端部上的電場(chǎng)來(lái)減少圖像殘留。因?yàn)樯厦鎱⒖紙D3描述了上共用電極220，所以簡(jiǎn)明起見將省去重復(fù)性描述。

盡管未示出，但上面板200可進(jìn)一步包括上取向?qū)?。上取向?qū)涌稍O(shè)置在上共用電極220上。上取向?qū)涌砂ㄐ纬上氯∠驅(qū)拥南嗤牧稀?/p>

柱狀間隔件可設(shè)置在下面板100與上面板200之間。柱狀間隔件可保持下面板100與上面板200之間的預(yù)定間隔，由此保持了顯示設(shè)備的單元間隙。

當(dāng)?shù)谝换?10和第二基板210的面向彼此的表面分別被定義為相應(yīng)基板的上表面并且第一基板110和第二基板210的與其上表面相對(duì)的表面分別被定義為相應(yīng)基板的下表面時(shí)，上偏光器可進(jìn)一步設(shè)置在第一基板 110的下表面上，并且下偏光器(未示出)可進(jìn)一步設(shè)置在第二基板210的下表面上。

LC層300可設(shè)置在下面板100與上面板200之間的間隔中。因?yàn)樯厦鎱⒖紙D3描述了LC層300，所以簡(jiǎn)明起見將省去重復(fù)性描述。

圖10示出了基于像素中的CD變化的亮度變化的曲線圖。

在圖10中，x軸可表示灰階并且y軸可表示亮度變化。第五曲線圖GR5和第六曲線圖GR6可表示基于像素中約±0.6μm的CD變化的關(guān)于根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的灰階的亮度變化的測(cè)量結(jié)果。第四曲線圖GR4和第七曲線圖GR7可表示基于像素中約±0.6μm的CD變化的關(guān)于常規(guī)顯示設(shè)備的灰階的亮度變化的測(cè)量結(jié)果。

參考圖10，第五曲線圖GR5和第六曲線圖GR6展示了基于像素中的CD變化的關(guān)于灰階的相對(duì)較小的亮度變化，而第四曲線圖GR4和第七曲線圖GR7展示了基于像素中的CD變化的關(guān)于灰階的相對(duì)較大的亮度變化。換言之，根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的關(guān)于灰階的亮度變化可小于常規(guī)顯示設(shè)備的關(guān)于灰階的亮度變化。

根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可包括其中亮度基于像素內(nèi)的CD變化而增加的區(qū)域(具有下共用電極)和其中亮度基于像素內(nèi)的CD變化而減少的區(qū)域(無(wú)下共用電極)這兩者。因此，根據(jù)示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可對(duì)基于CD分布的亮度增加和亮度減少具有補(bǔ)償效應(yīng)。

根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備可通過(guò)補(bǔ)償基于下共用電極的存在的亮度變化，減少基于像素中的CD分布的關(guān)于灰階的亮度變化。

如上所述，根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，顯示設(shè)備通過(guò)在像素內(nèi)形成水平電場(chǎng)區(qū)域和邊緣電場(chǎng)區(qū)域可減少亮度分布偏差。

此外，顯示設(shè)備通過(guò)使用第二基板上的上共用電極疏散集中在像素電極的兩端部上的電場(chǎng)可減少圖像殘留。

因此，顯示設(shè)備可增強(qiáng)亮度均勻性并且可減少圖像殘留。

根據(jù)上文，可以理解的是，出于示例性目的在本文中描述了根據(jù)本公開的各種實(shí)施方式，并且在不背離教導(dǎo)的范圍和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種改造。因此，本文公開的各種實(shí)施方式并不旨在限制教導(dǎo)的實(shí)際范圍 和實(shí)質(zhì)。上述實(shí)施方式以及其他實(shí)施方式的各種特征可以任何方式混合和搭配，以產(chǎn)生與本發(fā)明一致的進(jìn)一步的實(shí)施方式。