1.一種裝置，包括：
兩個(gè)相對(duì)的表面，該表面之間具有由沿著第一軸的距離；
第三表面，向第一軸彎曲；以及
材料，具有沿第一軸的可變的折射率，其中所述可變的折射率被配置以沿著所述第一軸聚焦光線到區(qū)域上，并且其中所述第三表面被配置以沿著第二軸聚焦光線到所述區(qū)域上，所述第二軸垂直于所述第一軸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述材料是氮氧化硅(“SiON”)，并且其中所述材料的氧和氮的相對(duì)含量沿著所述第一軸變化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，沿所述第一軸的可變的折射率被配置以提供沿著所述第一軸的拋物線的可變折射率。
4.一種系統(tǒng)，包括：
光線耦合器，該光線耦合器還包括：
波導(dǎo)，以及
鏡片，包括沿著第一軸的梯度折射率焦點(diǎn)特性，以及由在鏡片表面中的彎曲所產(chǎn)生的焦點(diǎn)特性，
其中，所述鏡片是可導(dǎo)向的，使得經(jīng)由波導(dǎo)傳播的光線沿著所述第一軸與所述第二軸被聚焦到所述光線耦合器的外表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中，所述鏡片包括第三材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中，所述鏡片大體上包括單一的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中，所述鏡片包括氮氧化硅(“SiON”)，以及其中在所述鏡片中的氧和氮的相對(duì)含量沿著所述第一軸變化。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中，所述波導(dǎo)的光學(xué)中心線與對(duì)于所述鏡片的所述第一軸的光學(xué)中心線被對(duì)齊。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所示的系統(tǒng)，其中，所述波導(dǎo)的光學(xué)中心線以及對(duì)于所述鏡片的第一軸的光學(xué)中心線被偏移，使得將沒(méi)有與任何一個(gè)中心線相對(duì)齊的光線聚焦在所述表面上的區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中所述波導(dǎo)包括在在第三軸中的錐形，該第三軸平行于所述波導(dǎo)中的光線傳播的方向，所述錐形被配置使得所述波導(dǎo)的截面區(qū)域沿著所述第三軸減小。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，還包括多個(gè)鏡片以及多個(gè)波導(dǎo)。
12.一種方法，包括：
在主體中蝕刻槽，該主體具有所嵌入的波導(dǎo)；
在具有沿著所述槽的深度的可變的折射率的槽中沉積材料，該可變折射率被配置以聚焦來(lái)自波導(dǎo)的沿著平行于槽的深度的軸傳播的光線到所述主體表面的區(qū)域上；以及
將所述槽中的所述材料的表面形成為曲面，該曲面被配置以沿著平行于所述槽的長(zhǎng)度的軸將光線聚焦到所述主體的表面的區(qū)域上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括：
在所述槽中沉積所述材料之后，將所述主體平面化。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括：
從所述主體的平行表面中移除所沉積的材料；以及
填充由于移除與所沉積的材料不同的材料而留下的空缺。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，通過(guò)所述所沉積的材料的移除，在所述槽中的所述材料的表面被形成為曲面。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述槽還包括彎曲的表面，并且其中將所述材料的表面形成為曲面，包括用所述材料來(lái)填充所述槽，使得所述材料的表面中的曲面通過(guò)所述槽彎曲的表面而形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，用化學(xué)氣相沉積來(lái)沉積所述槽中的所述材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在所述槽中的所述材料是氮氧化硅(“SiON”)，并且其中所述材料中的氧和氮的相對(duì)含量沿著平行于所述槽的深度的軸變化。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述波導(dǎo)的光學(xué)中心線以及沉積在所述槽中的材料的光學(xué)中心線在平行于所述槽的深度的軸中被對(duì)齊。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述波導(dǎo)的光學(xué)中心線以及沉積在所述槽中的材料的光學(xué)中心線在平行于所述槽的深度的軸中被偏移。