本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)(Optical Proximity Correction repair,OPC repair)的方法。

背景技術(shù)：

隨著集成電路的復(fù)雜度越來越高，特征尺寸也變的越來越小。當(dāng)集成電路的特征尺寸接近光刻機(jī)曝光的系統(tǒng)極限，即特征尺寸接近或小于光刻光源時(shí)，硅片上制造出的版圖會(huì)出現(xiàn)明顯的畸變，該現(xiàn)象稱為光學(xué)鄰近效應(yīng)。為了應(yīng)對(duì)光學(xué)鄰近效應(yīng)，提出了分辨率增強(qiáng)技術(shù)。其中，光學(xué)鄰近修正(即OPC)已成為最重要的技術(shù)。

通常實(shí)施OPC以確保模擬輪廓能夠與目標(biāo)輪廓相吻合。當(dāng)前一種有效的方法是基于站點(diǎn)(site)的邊緣放置誤差(edge placement error,EPE)控制使輪廓符合規(guī)格。在該方法中，通常對(duì)將在半導(dǎo)體上產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的邊緣分配站點(diǎn)，使沿著每個(gè)站點(diǎn)的邊緣放置誤差最小化，從而實(shí)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)所期望的規(guī)格。然而，現(xiàn)有的站點(diǎn)分配通?；趩蝹€(gè)邊緣而不顧與該邊緣相關(guān)聯(lián)的環(huán)境因素，因此可能無法獲得最佳站點(diǎn)分配方案而導(dǎo)致壞點(diǎn)(weak point)的出現(xiàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法，所述方法包括：選擇包含問題圖案的特定圖案；對(duì)整個(gè)芯片進(jìn)行掃描以定位與所述特定圖案相匹配的特定區(qū)域；以及在所述特定區(qū)域內(nèi)對(duì)問題圖案的問題邊緣進(jìn)行不同于所述問題圖案的其他邊緣的站點(diǎn)分配，以進(jìn)行基于站點(diǎn)的邊緣放置誤差控制。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述特定區(qū)域內(nèi)對(duì)問題圖案的問題邊緣進(jìn)行不同于所述問題圖案的其他邊緣的站點(diǎn)分配包括在所述問題邊緣上創(chuàng)建數(shù)量比所述其他邊緣上多的站點(diǎn)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述問題邊緣上創(chuàng)建數(shù)量比所述其他邊緣上多的站點(diǎn)包括：在所述問題邊緣上創(chuàng)建多個(gè)站點(diǎn)；以及在所述其他邊緣上各自創(chuàng)建一個(gè)站點(diǎn)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述問題邊緣上創(chuàng)建多個(gè)站點(diǎn)進(jìn)一步包括：在所述問題邊緣上附上多個(gè)標(biāo)記；以及在所述多個(gè)標(biāo)記中的每一個(gè)內(nèi)創(chuàng)建站點(diǎn)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)標(biāo)記為多個(gè)矩形標(biāo)記，所述在所述多個(gè)標(biāo)記中的每一個(gè)內(nèi)創(chuàng)建站點(diǎn)包括在所述多個(gè)矩形標(biāo)記中的每一個(gè)的中心處創(chuàng)建站點(diǎn)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述問題邊緣上創(chuàng)建多個(gè)站點(diǎn)包括在所述問題邊緣上創(chuàng)建兩個(gè)站點(diǎn)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述基于站點(diǎn)的邊緣放置誤差控制考慮了所述問題邊緣的環(huán)境因素。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述特定區(qū)域視為所述問題邊緣的環(huán)境區(qū)域。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述方法是針對(duì)連接孔層的光學(xué)鄰近修正修復(fù)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述連接孔為接觸孔(contact，CT)。

本發(fā)明所提供的用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法基于圖案匹配進(jìn)行站點(diǎn)分配，使得基于站點(diǎn)的邊緣放置誤差控制可以在考慮壞點(diǎn)的環(huán)境的情況下進(jìn)行，從而可以獲得最佳站點(diǎn)分配方案，實(shí)現(xiàn)高效的光學(xué)鄰近修正修復(fù)。

附圖說明

本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。

附圖中：

圖1示出了由于非最佳站點(diǎn)分配而導(dǎo)致的接觸孔壞點(diǎn)的示意圖；

圖2示出了接觸孔壞點(diǎn)及其環(huán)境的示意圖；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法的流程圖；

圖4示出了采用圖3的方法進(jìn)行光學(xué)鄰近修正修復(fù)的示例；以及

圖5示出了采用圖3的方法進(jìn)行光學(xué)鄰近修正修復(fù)的另一示例。

具體實(shí)施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。

在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。

為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明提出的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。

OPC已經(jīng)成為集成電路制造工藝中關(guān)鍵尺寸控制和良率提升不可缺少的途徑。例如，對(duì)接觸孔等連通孔的OPC程序(recipe)通常被設(shè)計(jì)用于確保模擬輪廓能夠與目標(biāo)輪廓相吻合。當(dāng)前一種有效的方法是基于站點(diǎn)的邊緣放置誤差控制使輪廓符合規(guī)格。在該方法中，通常對(duì)將在半導(dǎo)體上產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的每個(gè)邊緣分配一個(gè)稱為“站點(diǎn)”的線段，以使沿著每個(gè)站點(diǎn)的邊緣放置誤差最小化，從而實(shí)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)的所期望的規(guī)格。對(duì)于很多情況，這樣的站點(diǎn)分配方案可以很好地工作。然而，對(duì)于某些情況，這樣的站點(diǎn)分配方案并非最佳站點(diǎn)分配方案，仍有可能存在壞點(diǎn)，正如圖1所示出的。

在當(dāng)前階段，站點(diǎn)分配基于單個(gè)邊緣而不顧與邊緣相關(guān)聯(lián)的環(huán)境因素。圖2以接觸孔為例示出了接觸孔壞點(diǎn)及其環(huán)境的示意圖，虛線方框可以視為問題接觸孔的環(huán)境區(qū)域。然而，現(xiàn)有技術(shù)沒有將問題邊緣的環(huán)境因素考慮在站點(diǎn)分配中，這樣的站點(diǎn)分配方案可能導(dǎo)致如圖1所示出的存在壞點(diǎn)的情況。

對(duì)于上述情況，可以通過修改站點(diǎn)分配方案用于特定的結(jié)構(gòu)來提高OPC的收斂性。然而，當(dāng)壞點(diǎn)數(shù)目增多時(shí)，這樣的修改方案將會(huì)有很大的復(fù)雜度。此外，將問題邊緣的環(huán)境因素納入到OPC程序中，也會(huì)使得OPC程序的構(gòu)建非常復(fù)雜。

針對(duì)上述問題，本發(fā)明提供了用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法300的流程圖。如圖3所示，方法300包括以下步驟：

步驟301：選擇包含問題圖案的特定圖案。具體地，可以選擇包含問題圖案(壞點(diǎn))的小片區(qū)域，以形成特定圖案。

步驟302：對(duì)整個(gè)芯片進(jìn)行掃描以定位與該特定圖案相匹配的特定區(qū)域。具體地，可以采用圖案匹配的方法在整個(gè)芯片中定位出與步驟301中形成的特定圖案相匹配的圖案區(qū)域，以實(shí)現(xiàn)基于圖案匹配的站點(diǎn)分配。

步驟303：在該特定區(qū)域內(nèi)對(duì)問題圖案的問題邊緣進(jìn)行不同于該問題圖案的其他邊緣的站點(diǎn)分配，以進(jìn)行基于站點(diǎn)的邊緣放置誤差控制。

圖案匹配的性質(zhì)使其能夠自動(dòng)包括對(duì)壞點(diǎn)環(huán)境的考慮，經(jīng)由圖案匹配所得到的特定區(qū)域即可以視為壞點(diǎn)的環(huán)境區(qū)域。因此，基于圖案匹配進(jìn)行站點(diǎn)分配，可以使得基于站點(diǎn)的邊緣放置誤差控制在考慮壞點(diǎn)的環(huán)境的情況下進(jìn)行，從而可以獲得最佳站點(diǎn)分配方案，實(shí)現(xiàn)高效的光學(xué)鄰近修正修復(fù)。因此，方法300允許在無需構(gòu)建復(fù)雜OPC程序的情況下針對(duì)壞點(diǎn)進(jìn)行特定的站點(diǎn)分配。

具體地，在特定區(qū)域內(nèi)對(duì)問題圖案的問題邊緣進(jìn)行不同于問題圖案的其他邊緣的站點(diǎn)分配可以包括在問題邊緣上創(chuàng)建數(shù)量比其他邊緣上多的站點(diǎn)。對(duì)問題邊緣分配更多數(shù)量的站點(diǎn)，可以使得問題邊緣的修復(fù)在顧忌環(huán)境因素的情況下更為精細(xì)。例如，在問題邊緣上創(chuàng)建 數(shù)量比其他邊緣上多的站點(diǎn)可以包括：在問題邊緣上創(chuàng)建多個(gè)站點(diǎn)，以及在其他邊緣上各自創(chuàng)建一個(gè)站點(diǎn)。在考慮環(huán)境因素的情況下對(duì)問題邊緣進(jìn)行特殊的站點(diǎn)分配，可以得到更佳的站點(diǎn)分配方案，實(shí)現(xiàn)更好的光學(xué)鄰近修正修復(fù)。

其中，在問題邊緣上創(chuàng)建多個(gè)站點(diǎn)可以進(jìn)一步包括：在問題邊緣上附上多個(gè)標(biāo)記，以及在多個(gè)標(biāo)記中的每一個(gè)內(nèi)創(chuàng)建站點(diǎn)。例如可以在問題邊緣上附上兩個(gè)標(biāo)記，如圖4所示出的。每當(dāng)一個(gè)圖案匹配到芯片上的一個(gè)區(qū)域時(shí)，可以在圖案匹配的過程中在問題邊緣上引入標(biāo)記，通?？梢砸攵鄠€(gè)標(biāo)記，每個(gè)標(biāo)記對(duì)應(yīng)于一個(gè)站點(diǎn)。

具體地，所述多個(gè)標(biāo)記可以為多個(gè)矩形標(biāo)記，在多個(gè)標(biāo)記中的每一個(gè)內(nèi)創(chuàng)建站點(diǎn)可以包括在多個(gè)矩形標(biāo)記中的每一個(gè)的中心處創(chuàng)建站點(diǎn)，正如圖5所示出的。對(duì)于問題邊緣，可以在多個(gè)矩形標(biāo)記(圖5中示出為兩個(gè))的中心分別創(chuàng)建站點(diǎn)，而對(duì)于其他邊緣，可以常規(guī)地對(duì)其各自分配一個(gè)站點(diǎn)。這樣，既可以提高光學(xué)鄰近修正修復(fù)的質(zhì)量，又不會(huì)使其計(jì)算量大大增加。

基于上述方法，基于站點(diǎn)的邊緣放置誤差控制將可以在站點(diǎn)分配中考慮問題邊緣的環(huán)境因素，基于圖案匹配所形成的特定區(qū)域即可以視為問題邊緣的環(huán)境區(qū)域。在考慮壞點(diǎn)的環(huán)境的情況下進(jìn)行基于站點(diǎn)的邊緣放置誤差控制，可以獲得最佳站點(diǎn)分配方案，實(shí)現(xiàn)高效的光學(xué)鄰近修正修復(fù)。

在本文的附圖及上面的描述中，以接觸孔為示例示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，上述方法還可以適用于其他連接孔層以及其他任何將在半導(dǎo)體上產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的光學(xué)鄰近修正修復(fù)。

本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。