電容式內(nèi)嵌觸控屏及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電容式內(nèi)嵌觸控屏，其包括基板及設(shè)置在所述基板上的黑矩陣，所述電容式內(nèi)嵌觸控屏還包括第一電容觸控層、絕緣層及第二電容觸控層，所述第一電容觸控層形成于所述黑矩陣上，絕緣層形成于所述第一電容觸控層上，所述第二電容觸控層形成于所述第二電容觸控層上并與所述第一電容觸控層上呈柵格狀疊加相交設(shè)置。本發(fā)明還公開了一種顯示裝置。
【專利說明】電容式內(nèi)嵌觸控屏及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種電容式內(nèi)嵌觸控屏及顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展,觸控屏(Touch Screen Panel)已經(jīng)逐漸遍及人們的生活中。目前，觸控屏按照組成結(jié)構(gòu)可以分為:夕卜掛式觸控屏(Add on Mode Touch Panel)、覆蓋表面式觸控屏(On Cell Touch Panel)、以及內(nèi)嵌式觸控屏(In Cell Touch Panel)。其中，外掛式觸控屏是將觸控屏與液晶顯示屏(Liquid Crystal Display, LCD)分開生產(chǎn)，然后貼合到一起成為具有觸摸功能的液晶顯示屏，外掛式觸控屏存在制作成本較高、光透過率較低、模組較厚等缺點(diǎn)。而內(nèi)嵌式觸控屏將觸控屏的觸控電極內(nèi)嵌在液晶顯示屏內(nèi)部，可以減薄模組整體的厚度，又可以大大降低觸控屏的制作成本，受到各大面板廠家青睞。目前，現(xiàn)有的電容式內(nèi)嵌(in cell)觸控屏是在現(xiàn)有的TFT (Thin FilmTransistor,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)陣列基板上直接另外增加電容感應(yīng)器及觸控線實(shí)現(xiàn)的，但是，在現(xiàn)有的TFT陣列基板中增加的電容感應(yīng)器及觸控線，影響TFT陣列的開口率及觸控靈敏度，降低了觸控操作的可靠性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種電容式內(nèi)嵌觸控屏，用以解決影響液晶面板開口率及提高觸控靈敏度的技術(shù)問題。
[0004]本發(fā)明還提供一種顯示裝置。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施方式提供如下技術(shù)方案:
[0006]本發(fā)明提供一種電容式內(nèi)嵌觸控屏，其包括基板及設(shè)置在所述基板上的黑矩陣，所述電容式內(nèi)嵌觸控屏還包括第一電容觸控層、絕緣層及第二電容觸控層，所述第一電容觸控層形成于所述黑矩陣上，絕緣層形成于所述第一電容觸控層上，所述第二電容觸控層形成于所述第二電容觸控層上并與所述第一電容觸控層上呈柵格狀疊加相交設(shè)置。
[0007]其中，所述第一電容觸控層包括第一透明導(dǎo)電層及第一觸摸感測(cè)線，所述第一透明導(dǎo)電層形成于所述黑矩陣上，所述第一觸摸感測(cè)線形成于所述第一透明導(dǎo)電層上。
[0008]其中，所述第二電容觸控層包括第二透明導(dǎo)電層及第二感測(cè)線，所述第二透明導(dǎo)電層形成于絕緣層上并正投影于所述黑矩陣上，所述第二觸摸感測(cè)線形成于所述第二透明導(dǎo)電層上。
[0009]其中，所述絕緣層覆蓋于所述第一觸摸感測(cè)線上以及未被所述第一觸摸感測(cè)線覆蓋的第一透明導(dǎo)電層上。
[0010]其中，所述第一觸摸感測(cè)線與所述第一透明導(dǎo)電層產(chǎn)生電容感測(cè)，所述第二觸摸感測(cè)線與所述第二透明導(dǎo)電層產(chǎn)生電容感測(cè)。
[0011]其中，所述第一觸摸感測(cè)線在第一透明導(dǎo)電層上的正投影位于所述黑矩陣的正投影之內(nèi)；所述第二觸摸感測(cè)線在第二透明導(dǎo)電層上的正投影位于所述黑矩陣的正投影之內(nèi)。
[0012]其中，所述第一觸摸感測(cè)線沿著開口區(qū)域的行方向延伸，所述第二觸摸感測(cè)線沿著開口區(qū)域的列方向延伸，并且所述第一觸摸感測(cè)線與所述第二觸摸感測(cè)線疊加相交且不連接。
[0013]其中，所述第二觸控感測(cè)線沿著開口區(qū)域的行方向延伸，所述第一觸控感測(cè)線沿著開口區(qū)域的列方向延伸，并且所述第一觸摸感測(cè)線與所述第二觸摸感測(cè)線疊加相交且不連接。
[0014]其中，所述第一觸控感測(cè)線及第二觸控感測(cè)線的材料為金屬材料。
[0015]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，其包括所述的電容式內(nèi)嵌觸控屏。
[0016]本發(fā)明的電容式內(nèi)嵌觸控屏在觸控位置設(shè)有兩個(gè)電容感器，即疊交設(shè)置的第一電容觸控層與第二電容觸控層，每一層電容感器主要通過導(dǎo)電層與信號(hào)線產(chǎn)生電容耦合出的電壓信號(hào)，來實(shí)現(xiàn)觸控操作，由于設(shè)置雙層結(jié)構(gòu)，提高了觸控的靈敏度。而且每一層的發(fā)射線及接收線設(shè)置于黑矩陣上或者正投影于黑矩陣上，避免了遮蔽開口區(qū)域而影響開口率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施方式中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以如這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1是本發(fā)明較佳實(shí)施方式中的電容式內(nèi)嵌觸控屏的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖2是圖1所述的電容式內(nèi)嵌觸控屏平面示意圖。
[0020]圖3是圖1所示電容式內(nèi)嵌觸控屏的截面示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0022]請(qǐng)參閱圖1與圖2，本發(fā)明的較佳實(shí)施例提供了一種電容式內(nèi)嵌觸控屏，其包括基板10及設(shè)置在所述基板10上的黑矩陣12。所述電容式內(nèi)嵌觸控屏還包括第一電容觸控層13及第二電容觸控層14，所述第一電容觸控層13及第二電容觸控層14形成于所述黑矩陣12上并呈柵格狀疊加相交設(shè)置，并且所述第一電容觸控層13及第二電容觸控層14之間通過設(shè)有絕緣層進(jìn)行絕緣15。
[0023]在具體實(shí)施例中，所述基板10為具有彩色濾光功能的玻璃板。所述觸控屏的TFT陣列基板的液晶面板設(shè)于所述第二電容觸控層14上。在基板10上形成的黑矩陣12 —般都具有呈矩陣排列的開口區(qū)域11，該開口區(qū)域11與TFT陣列基板中各像素單元的有效顯示區(qū)域相對(duì)。所述黑矩陣11呈柵格狀排列。在基板10與TFT陣列基板對(duì)盒后，第一電容觸控層13相對(duì)靠近觀看者。本發(fā)明實(shí)施例提供的上述電容式內(nèi)嵌觸摸屏，可以應(yīng)用于彩色濾光片設(shè)置在與TFT陣列基板相對(duì)的彩膜基板的結(jié)構(gòu)，也可以應(yīng)用于彩色濾光片設(shè)置在TFT陣列基板中的結(jié)構(gòu)，在此不做限定。
[0024]請(qǐng)參閱圖3，進(jìn)一步的，所述第一電容觸控層13包括第一透明導(dǎo)電層131及第一觸摸感測(cè)線132，所述第一透明導(dǎo)電層132形成于所述黑矩陣12上，所述第一觸摸感測(cè)線131形成于所述第一透明導(dǎo)電層132上。具體的，所述第一透明導(dǎo)電層131為ITO透明導(dǎo)電薄膜。所述第一觸摸感測(cè)線132由銅、鋁等導(dǎo)電金屬材料制成，本實(shí)施例中有選為銅。在其他實(shí)施方式中，所述第一觸摸感測(cè)線132可以采用透明導(dǎo)電材料制成。
[0025]進(jìn)一步的，所述絕緣層15覆蓋于所述第一觸摸感測(cè)線132上以及未被所述第一觸摸感測(cè)線132覆蓋的第一透明導(dǎo)電層131上。本實(shí)施例中，所述絕緣層15為絕緣有機(jī)膜。
[0026]進(jìn)一步的，所述第二電容觸控層14包括第二透明導(dǎo)電層141及第二觸摸感測(cè)線142，所述第二透明導(dǎo)電層142形成于絕緣層15上并正投影于所述黑矩陣12上，所述第二觸摸感測(cè)線141形成于所述第二透明導(dǎo)電層142上。具體的，所述第二透明導(dǎo)電層141為ITO透明導(dǎo)電薄膜。所述第二觸摸感測(cè)線132由銅、鋁等導(dǎo)電金屬材料制成，本實(shí)施例中有選為銅。在其他實(shí)施方式中，所述第二觸摸感測(cè)線142可以采用透明導(dǎo)電材料制成。
[0027]進(jìn)一步的，所述第一觸摸感測(cè)線132在第一透明導(dǎo)電層131上的正投影位于所述黑矩陣12的正投影之內(nèi)；所述第二觸摸感測(cè)線142在第二透明導(dǎo)電層141上的正投影位于所述黑矩陣12的正投影之內(nèi)。具體的，由于金屬不透光，所述第一觸摸感測(cè)線132及第二觸摸感測(cè)線142均是位于所述開口區(qū)域11之間的柵格狀的黑矩陣12上，因此不會(huì)遮擋所述開口區(qū)域，不影響開口率。
[0028]更進(jìn)一步的，所述第一觸摸感測(cè)線132沿著開口區(qū)域11的行方向延伸，所述第二觸摸感測(cè)線142沿著開口區(qū)域11的列方向延伸；或者所述第二觸控感測(cè)線142沿著開口區(qū)域11的行方向延伸，所述第一觸控感測(cè)線132沿著開口區(qū)域11的列方向延伸；在上述兩個(gè)設(shè)置方式中，所述第一觸摸感測(cè)線132與所述第二觸摸感測(cè)線142被絕緣層15隔離切疊加相交且不連接，即所述所述第一觸摸感測(cè)線132與所述第二觸摸感測(cè)線142呈柵格排列。本實(shí)施例中，所述第一觸摸感測(cè)線132沿著開口區(qū)域11的行方向延伸，所述第二觸摸感測(cè)線142沿著開口區(qū)域11的列方向延伸。
[0029]進(jìn)一步的，所述第一觸摸感測(cè)線132為發(fā)射線或者接收線，并與觸控屏的驅(qū)動(dòng)電路連接。所述第一觸摸感測(cè)線132與所述第一透明導(dǎo)電層131產(chǎn)生電容感測(cè)，作為觸摸屏的第一電容觸控層13的電容感測(cè)器，實(shí)現(xiàn)觸摸屏的觸控，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的接收或者發(fā)送。本實(shí)施例中，所述第一觸摸感測(cè)線132為發(fā)射線。
[0030]進(jìn)一步的，所述第二觸摸感測(cè)線142為發(fā)射線或者接收線，并與觸控屏的驅(qū)動(dòng)電路連接。所述第二觸摸感測(cè)線142與所述第二透明導(dǎo)電層141產(chǎn)生電容感測(cè)，作為觸摸屏的第二電容觸控層14的電容感測(cè)器，實(shí)現(xiàn)觸摸屏的觸控，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的發(fā)送或者接收。本實(shí)施例中，所述第一觸摸感測(cè)線132為發(fā)射線，所述第二觸摸感測(cè)線142與其相對(duì)應(yīng)的為接收線。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸摸屏可以適用于各種模式的液晶顯示面板，例如可以適用于能夠?qū)崿F(xiàn)寬視角的平面內(nèi)開關(guān)(IPS, In-Plane Switch)和高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)(ADS,Advanced Super Dimens1n Switch)型液晶顯示面板,也可以適用于傳統(tǒng)的扭曲向列(TN,Twisted Nematic)型液晶顯示面板,在此不做限定。
[0032]本發(fā)明的電容式內(nèi)嵌觸控屏在觸控位置設(shè)有兩個(gè)電容感器，即疊交設(shè)置的第一電容觸控層13與第二電容觸控層14，每一層電容感器主要通過導(dǎo)電層與信號(hào)線產(chǎn)生電容耦合出的電壓信號(hào)，來實(shí)現(xiàn)觸控操作，由于設(shè)置雙層結(jié)構(gòu)，提高了觸控的靈敏度。而且每一層的發(fā)射線及接收線設(shè)置于黑矩陣上或者正投影于黑矩陣上，避免了遮蔽開口區(qū)域而影響開口率。
[0033]本發(fā)明還保護(hù)一種顯示裝置，所述顯示裝置包括以上所述的電容式內(nèi)嵌觸控屏。
[0034]本發(fā)明所述電容式內(nèi)嵌觸控屏的制作方法大多過程是通過現(xiàn)有技術(shù)中常見的觸摸屏制作方法實(shí)現(xiàn)，在此需要說明的是第一電容觸控層13與第二電容觸控層14的行程過程:首先在玻璃的基板上涂布有機(jī)擋光層，有機(jī)當(dāng)光層通過曝光顯影形成黑矩陣(BM)結(jié)構(gòu)；通過物理氣相沉積形成第一透明導(dǎo)電氧化物層ITOl及第一金屬層Ml ;然后涂布感光材料，通過曝光、顯影及第一透明導(dǎo)電氧化物層及第一金屬層，二次蝕刻第一金屬層形，最后形成ITOl和Ml結(jié)構(gòu)，即第一觸摸感測(cè)線132與所述第一透明導(dǎo)電層131。
[0035]然后在除觸控IC bonding區(qū)之外的區(qū)域涂布一層有機(jī)絕緣層，即所述絕緣層15，然后采用前述同樣的步驟形成第二觸摸感測(cè)線142與所述第二透明導(dǎo)電層141。最后根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中常見的觸摸屏制作方法，依次通過RGB色阻涂布，曝光，顯影工藝形成RGB色阻結(jié)果；RGB完成后，在除觸控IC bonding區(qū)之外的區(qū)域涂布一層有機(jī)平坦層；然后通過PVD沉淀一層COM ΙΤ0,再通過涂布,曝光,顯影工藝在觸控IC bonding區(qū)形成ITO端子結(jié)構(gòu)。
[0036]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種電容式內(nèi)嵌觸控屏，其包括基板及設(shè)置在所述基板上的黑矩陣，其特征在于，所述電容式內(nèi)嵌觸控屏還包括第一電容觸控層、絕緣層及第二電容觸控層，所述第一電容觸控層形成于所述黑矩陣上，絕緣層形成于所述第一電容觸控層上，所述第二電容觸控層形成于所述第二電容觸控層上并與所述第一電容觸控層上呈柵格狀疊加相交設(shè)置。
2.如權(quán)利要求1所述的電容式內(nèi)嵌觸控屏，其特征在于，所述第一電容觸控層包括第一透明導(dǎo)電層及第一觸摸感測(cè)線，所述第一透明導(dǎo)電層形成于所述黑矩陣上，所述第一觸摸感測(cè)線形成于所述第一透明導(dǎo)電層上。
3.如權(quán)利要求2所述的電容式內(nèi)嵌觸控屏，其特征在于，所述第二電容觸控層包括第二透明導(dǎo)電層及第二感測(cè)線，所述第二透明導(dǎo)電層形成于絕緣層上并正投影于所述黑矩陣上，所述第二觸摸感測(cè)線形成于所述第二透明導(dǎo)電層上。
4.如權(quán)利要求3所述的電容式內(nèi)嵌觸控屏，其特征在于，所述絕緣層覆蓋于所述第一觸摸感測(cè)線上以及未被所述第一觸摸感測(cè)線覆蓋的第一透明導(dǎo)電層上。
5.如權(quán)利要求3所述的電容式內(nèi)嵌觸控屏，其特征在于，所述第一觸摸感測(cè)線與所述第一透明導(dǎo)電層產(chǎn)生電容感測(cè)，所述第二觸摸感測(cè)線與所述第二透明導(dǎo)電層產(chǎn)生電容感測(cè)。
6.如權(quán)利要求4所述的電容式內(nèi)嵌觸控屏，其特征在于，所述第一觸摸感測(cè)線在第一透明導(dǎo)電層上的正投影位于所述黑矩陣的正投影之內(nèi)；所述第二觸摸感測(cè)線在第二透明導(dǎo)電層上的正投影位于所述黑矩陣的正投影之內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的電容式內(nèi)嵌觸控屏，其特征在于，所述第一觸摸感測(cè)線沿著開口區(qū)域的行方向延伸，所述第二觸摸感測(cè)線沿著開口區(qū)域的列方向延伸，并且所述第一觸摸感測(cè)線與所述第二觸摸感測(cè)線疊加相交且不連接。
8.如權(quán)利要求7所述的電容式內(nèi)嵌觸控屏，其特征在于，所述第二觸控感測(cè)線沿著開口區(qū)域的行方向延伸，所述第一觸控感測(cè)線沿著開口區(qū)域的列方向延伸，并且所述第一觸摸感測(cè)線與所述第二觸摸感測(cè)線疊加相交且不連接。
9.如權(quán)利要求2-8任一項(xiàng)所述的電容式內(nèi)嵌觸控屏，其特征在于，所述第一觸控感測(cè)線及第二觸控感測(cè)線的材料為金屬材料。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的電容式內(nèi)嵌觸控屏。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK104375729SQ201410667531
【公開日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2014年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月20日
【發(fā)明者】徐向陽 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司