玻璃面板和用于制造所述面板的掩膜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及液晶顯示面板制造領(lǐng)域，特別涉及一種改進(jìn)的玻璃面板。所述玻璃面板包括：用于形成掃描線和電荷分享線的第一金屬層，其中一條掃描線和一條相應(yīng)的電荷分享線共同對應(yīng)于一行像素單元；用于形成連接配線的配線金屬層，所述連接配線能夠?qū)⑺鰭呙杈€和所述電荷分享線連接起來，其中，所述連接配線具有過孔部，所述連接配線在過孔部中通過過孔連接到所述掃描線和/或所述電荷分享線。本發(fā)明還提出了相應(yīng)的制造方法。以此方式，可以通過后開啟的掃描線來打開前一組中的電荷分享線，在制造和封裝的工藝中，減少了覆晶薄膜的使用量。
【專利說明】玻璃面板和用于制造所述面板的掩膜

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示面板制造領(lǐng)域，尤其涉及一種玻璃面板和用于制造所述面板的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用如圖1所示的工藝步驟來制造薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基板。參照圖1，在步驟a中，在玻璃基板上鍍膜。在步驟b中，在所鍍的膜層上涂布光阻材料。在步驟c中，在掩膜105的遮蔽下，對涂布光阻材料后的玻璃板進(jìn)行光照。在步驟d中，進(jìn)行顯影。在步驟e中，進(jìn)行刻蝕。在步驟f中，通過去光阻液106對所處理的玻璃板去除光阻。之后可得到具有圖形的鍍層，而后循環(huán)至步驟a，進(jìn)行下一次鍍層的處理。不斷循環(huán)步驟a至f，直至得到具有多個鍍層的所需的玻璃面板。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，常用“五道掩膜”工藝來制造用于液晶顯示器的陣列基板的玻璃面板。“五道掩膜”，主要重復(fù)進(jìn)行五次如圖1所示的工藝步驟，通過五道不同的掩膜105，來形成玻璃基板上的五個層。
[0004]圖2顯示了 “五道掩膜”工藝所制造的玻璃面板的橫截面剖視圖。參照圖2，位于最下層的為玻璃基板I。在玻璃基板I上通過圖1所示的方法，用第一道掩膜來制造柵極2 (其位于第一金屬層Ml中)，而后覆蓋絕緣層3。在絕緣層3之上，用第二道掩膜來制造例如由不同半導(dǎo)體材料4和5構(gòu)成的有源層。在有源層4和5之上，用第三道掩膜來制造源極6和漏極7 (位于第二金屬層M2中)。位于其之上的為具有過孔8的過孔層，過孔層通過第四道掩膜來制造。在過孔層之上通過第五道掩膜來制造用作電極的ITO層9。
[0005]圖3顯示了現(xiàn)有技術(shù)中的液晶像素單元。為了提高視角、降低色偏，在大尺寸的面板中，通常會做低色偏的設(shè)計(jì)。例如通過增加像素單元的域，可以將一個像素單元分成4個像素域。如果將一個像素單元進(jìn)一步分割為主區(qū)21和副區(qū)22，則可以增加到8個像素域，以達(dá)到提高視角、改善色偏的目的。
[0006]像素單元的主區(qū)21和副區(qū)22通常通過兩個或更多不同的薄膜晶體管來供電。圖4所示為一種常見的帶有低色偏設(shè)計(jì)的像素單元的等效電路圖。一個像素單元分為主區(qū)和副區(qū)。在掃描線11打開時，位于主區(qū)的薄膜晶體管Tmain和位于副區(qū)的薄膜晶體管Tsub導(dǎo)通，分別將來自數(shù)據(jù)線13的電信號送至位于像素單元的主區(qū)和副區(qū)的液晶電容和存儲電容中。當(dāng)掃描線11關(guān)閉、電荷分享線12打開時，分享薄膜晶體管Tcs導(dǎo)通，將位于副區(qū)的液晶電容Clcsub和存儲電容CSTsub中的部分電壓釋放到分享電容Cb中。這樣像素單元的副區(qū)和主區(qū)之間就會呈現(xiàn)出電位差，再輔以調(diào)控，可以達(dá)到降低色偏的目的。
[0007]在通常的設(shè)計(jì)中，掃描線11和電荷分享線12是相互獨(dú)立的，在顯示時需要通過分別控制掃描線11和電荷分享線12的開關(guān)來實(shí)現(xiàn)低色偏設(shè)計(jì)。但是由于上述方法掃描線11和電荷分享線12相互獨(dú)立，在制造和封裝的工藝中，需要消耗較多的覆晶薄膜(COF)。
[0008]另一種低色偏設(shè)計(jì)方案是通過后開啟的掃描線11來打開前一組中的電荷分享線12。例如從面板的一端計(jì)算，第η條掃描線對應(yīng)第η行像素單元時，通過第n+p條掃描線11打開第η組中的電荷分享線12，即稱作η+ρ型的低色偏設(shè)計(jì)。這種設(shè)計(jì)的好處是減少了覆晶薄膜的使用量。圖5即顯示了 η+2型低色偏結(jié)構(gòu)的信號圖和電路圖。
[0009]然而目前在現(xiàn)有技術(shù)中，對于η+1型、η+2型甚至是η+ρ型的低色偏設(shè)計(jì)而言，每一種不同的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)都需要單獨(dú)類型的掩膜來進(jìn)行圖1所示的處理步驟。制造工藝復(fù)雜度很高，大大推升了玻璃面板制造的成本，為相關(guān)產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)帶來很大障礙。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]目前在現(xiàn)有技術(shù)中，對于不同類型的低色偏設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)而言(例如η+1型和η+2型)，每一種不同的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)都需要獨(dú)特類型的掩膜來進(jìn)行曝光、蝕刻等工藝步驟。制造工藝非常繁瑣。且轉(zhuǎn)換制造類型時，必須更換全部的掩膜，成本高昂，不利于節(jié)省材料和工序。且不同的掩膜如果相互配合不當(dāng)，容易造成誤差。
[0011]例如通常采用的“五道掩膜”制造方法，如果想轉(zhuǎn)換制造類型，從η+1型轉(zhuǎn)換為η+2型，則需要從頭到尾徹底更換五個掩膜的圖案設(shè)計(jì)，以更改玻璃面板的結(jié)構(gòu)。這在不同的低色偏結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的類型轉(zhuǎn)換的過程中嚴(yán)重降低了生產(chǎn)效率，需要大力調(diào)整工藝條件步驟，同時需要承擔(dān)高昂的掩膜制造成本。
[0012]針對上述問題，發(fā)明人提出了一種改進(jìn)的玻璃面板。
[0013]所述玻璃面板包括:用于形成掃描線和電荷分享線的第一金屬層，其中一條掃描線和一條相應(yīng)的電荷分享線共同對應(yīng)于一行像素單元；用于形成連接配線的配線金屬層，所述連接配線能夠?qū)⑺鰭呙杈€和所述電荷分享線連接起來，其中，所述連接配線具有過孔部，所述連接配線在過孔部中通過過孔連接到所述掃描線和/或所述電荷分享線。
[0014]以此方式，可以通過后開啟的掃描線來打開前一組中的電荷分享線，在制造和封裝的工藝中，減少了覆晶薄膜的使用量。
[0015]優(yōu)選地，每條所述連接配線包括沿直線延伸的干線部分，和垂直于所述干線部分而延伸出來的狹長的第一過孔部、第二過孔部和第三過孔部，其中所述第二過孔部位于所述第一過孔部和所述第三過孔部之間。
[0016]采用此結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，僅通過改變第一道掩膜的圖案來改變掃描線和電荷分享線之間的位置關(guān)系，由此實(shí)現(xiàn)η+1型低色偏結(jié)構(gòu)和η+2型低色偏結(jié)構(gòu)之間的轉(zhuǎn)換。
[0017]優(yōu)選地，形成η+2型低色偏結(jié)構(gòu)，所述η+2型低色偏結(jié)構(gòu)即從所述玻璃面板的一端開始計(jì)算，第η條電荷分享線由第η+2條掃描線啟動，其中η為正整數(shù)。
[0018]優(yōu)選地，在第η條連接配線中，所述第一過孔部通過過孔連接到第η條電荷分享線，所述第三過孔部通過過孔連接到第η+2條掃描線，所述第二過孔部懸空。
[0019]優(yōu)選地，形成η+1型低色偏結(jié)構(gòu)，所述η+1型低色偏結(jié)構(gòu)即從所述玻璃面板的一端開始計(jì)算，第η條電荷分享線由第η+1條掃描線啟動，其中η為正整數(shù)。
[0020]優(yōu)選地，在第η條連接配線中，所述第一過孔部懸空，所述第二過孔部通過過孔連接到第η條電荷分享線，所述第三過孔部通過過孔連接到第η+1條掃描線。
[0021]通過η+1或η+2型的低色偏設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，有效在降低顯示器的色偏狀況的同時，節(jié)省了制造和封裝過程中所消耗的覆晶薄膜。進(jìn)一步降低了制造成本。
[0022]制造根據(jù)本發(fā)明的玻璃面板，采用η+1型低色偏結(jié)構(gòu)和η+2型低色偏結(jié)構(gòu)時，其余的掩膜可采用同一套，只有第一金屬層Ml的掩膜圖案需要改變。這大大節(jié)省了制造掩膜的材料成本和工序成本。
[0023]優(yōu)選地，所述配線金屬層與用于形成薄膜晶體管的源漏極的第二金屬層位于同一層中。如此可以簡化工序，減少掩膜數(shù)量。
[0024]優(yōu)選地，所述像素單元包括分別配備有不同的像素電極的主區(qū)和副區(qū)，所述副區(qū)額外設(shè)置有分享薄膜晶體管和分享電容，且所述副區(qū)的像素電極連接到所述分享薄膜晶體管的源極，所述分享薄膜晶體管的漏極連接至所述分享電容，所述分享薄膜晶體管的柵極連接至所述電荷分享線。
[0025]如此地，當(dāng)?shù)讦菞l掃描線關(guān)閉，而第η條電荷分享線由第η+1條或第η+2條掃描線啟動時，分享薄膜晶體管被打開，副區(qū)的液晶電容和存儲電容中的一部分電壓會經(jīng)過分享薄膜晶體管而進(jìn)入到分享電容中，從而在主區(qū)和副區(qū)之間造成電位差。且通過調(diào)控機(jī)構(gòu)可以調(diào)節(jié)該電位差，從而調(diào)節(jié)顯示畫面顏色，降低色偏。
[0026]優(yōu)選地，所述掃描線通過多個充電薄膜晶體管同時控制所述像素單元的主區(qū)和副區(qū)中的像素電極。
[0027]本發(fā)明還提出了一種用于制造根據(jù)本發(fā)明所述的玻璃面板的方法，所述玻璃面板通過五道掩膜方法制造，在玻璃基板上用第一道掩膜來制造第一金屬層，而后覆蓋絕緣層，在絕緣層之上用第二道掩膜來制造有源層，在有源層之上用第三道掩膜來制造第二金屬層，通過第四道掩膜來制造位于其之上的過孔層，在過孔層之上通過第五道掩膜來制造電極層，其中，僅通過改變第一道掩膜的圖案來改變掃描線和電荷分享線之間的位置關(guān)系，由此實(shí)現(xiàn)η+1型低色偏結(jié)構(gòu)和η+2型低色偏結(jié)構(gòu)之間的轉(zhuǎn)換。
[0028]采用根據(jù)本發(fā)明的方法來制造根據(jù)本發(fā)明的玻璃面板，采用η+1型低色偏結(jié)構(gòu)和η+2型低色偏結(jié)構(gòu)時，其余的掩膜可采用同一套，只有第一金屬層Ml的掩膜圖案需要改變。這大大節(jié)省了制造掩膜的材料成本和工序成本。同時，通過η+1或η+2型的低色偏設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，有效在降低顯示器的色偏狀況的同時，節(jié)省了制造和封裝過程中所消耗的覆晶薄膜。進(jìn)一步降低了制造成本。
[0029]上述技術(shù)特征可以各種適合的方式組合或由等效的技術(shù)特征來替代，只要能夠達(dá)到本發(fā)明的目的。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]在下文中將基于實(shí)施例并參考附圖來對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。其中:
[0031]圖1顯示了現(xiàn)有技術(shù)中的用于制造玻璃面板的工藝步驟；
[0032]圖2顯示了現(xiàn)有技術(shù)中的用于制造玻璃面板的“五道掩膜”方法；
[0033]圖3顯示了采用低色偏結(jié)構(gòu)的像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖4顯示了采用低色偏結(jié)構(gòu)的像素單元的電路圖；
[0035]圖5顯示了 η+2型低色偏結(jié)構(gòu)的信號圖和電路圖；
[0036]圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明的玻璃面板采用η+2型低色偏結(jié)構(gòu)時的結(jié)構(gòu)示圖；以及
[0037]圖7顯示了根據(jù)本發(fā)明的玻璃面板采用η+1型低色偏結(jié)構(gòu)時的結(jié)構(gòu)示圖。
[0038]在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記。附圖并未按照實(shí)際的比例。

【具體實(shí)施方式】
[0039]下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0040]本發(fā)明提出了一種玻璃面板。
[0041]圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明的玻璃面板采用η+2型低色偏結(jié)構(gòu)時的結(jié)構(gòu)示圖。參照圖6，根據(jù)本發(fā)明的玻璃面板包括用于形成掃描線11和電荷分享線12的第一金屬層Ml。其中一條掃描線11和一條相應(yīng)的電荷分享線12共同對應(yīng)于玻璃面板上的一行像素單兀。
[0042]在通過“五道掩膜”方法進(jìn)行制造的過程中，第一金屬層Ml通過第一道掩膜來完成。也就是說，掃描線11和電荷分享線12的位置由第一道掩膜的圖案決定。金屬層Ml中還可包括公共線14。
[0043]根據(jù)本發(fā)明的玻璃面板還包括用于形成連接配線15的配線金屬層。連接配線15能夠?qū)呙杈€11和電荷分享線12連接起來。具體地可以是，連接配線15具有過孔部，連接配線15在過孔部中通過過孔18連接到掃描線11和/或電荷分享線12。圖6中右側(cè)即顯示了過孔部的放大結(jié)構(gòu)示意圖。從放大圖中可看到，過孔部通過過孔18連接配線金屬層和第一金屬層Ml。同時，在所述兩個金屬層之上還覆蓋有ITO層17 (當(dāng)然，其未必與金屬層緊緊相鄰)。
[0044]由圖6可看出，每條連接配線15包括沿直線延伸的干線部分。在圖6中，干線部分沿縱向方向延伸(圖中的上下方向)。連接配線15還包括垂直于干線部分而延伸出來的第一過孔部31、第二過孔部32和第三過孔部33。在圖6中，第一過孔部31、第二過孔部32和第三過孔部33均為狹長的，且沿橫向方向延伸(圖中的左右向)。在圖6中，第二過孔部32位于第一過孔部31和第三過孔部33之間。
[0045]在圖6所示的情況中，根據(jù)本發(fā)明的玻璃面板形成了 η+2型低色偏結(jié)構(gòu)。所述η+2型低色偏結(jié)構(gòu)，即從玻璃面板的一端開始計(jì)算，第η條電荷分享線12由第η+2條掃描線11啟動，其中η為正整數(shù)。
[0046]從圖6中可看到，第一過孔部31通過過孔18連接到第η條電荷分享線12，而第三過孔部33部通過過孔18連接到第η+2條掃描線11，第二過孔部32懸空，未與任何線路相連。以此方式，實(shí)現(xiàn)了如下結(jié)構(gòu):通過連接配線15相連的掃描線11和電荷分享線12中間隔了一條掃描線、一條電荷分享線，即可知道，第η條電荷分享線12由第η+2條掃描線11啟動。
[0047]在一個實(shí)施例中，如通過“五道掩膜”法制造玻璃面板，可以設(shè)計(jì)為配線金屬層與用于形成薄膜晶體管的源漏極的第二金屬層M2位于同一層中。如此可以降低掩膜數(shù)量，縮短制造工序。
[0048]再次參照圖3。正如先前所介紹，在采用低色偏設(shè)計(jì)的玻璃面板中，一個像素單元可以包括分別配備有不同的像素電極的主區(qū)21和副區(qū)22。結(jié)合圖4所示的電路圖，可清楚地看出，副區(qū)22額外設(shè)置有分享薄膜晶體管Tcs和分享電容Cb。副區(qū)22的像素電極(如圖4所示，副區(qū)22的像素電極例如包括液晶電容Clcsub和存儲電容CSTsub)連接到分享薄膜晶體管Tcs的源極，而分享薄膜晶體管Tcs的漏極連接至分享電容Cb，分享薄膜晶體管Tcs的柵極連接至電荷分享線12。
[0049]掃描線11通過多個充電薄膜晶體管Tniail^P Tsub同時控制像素單元的主區(qū)21和副區(qū)22中的像素電極。參照圖4，掃描線11分別連接至主區(qū)21的充電薄膜晶體管Tmain的柵極和副區(qū)22的充電薄膜晶體管Tsub的柵極，從而控制主區(qū)21的充電薄膜晶體管Tmain和副區(qū)22的充電薄膜晶體管Tsub的通斷。當(dāng)掃描線11啟動時，開啟主區(qū)21的充電薄膜晶體管Tmain和副區(qū)22的充電薄膜晶體管Tsub，使得來自數(shù)據(jù)線13的電信號可以導(dǎo)入主區(qū)21的液晶電容Clcmain和存儲電容CSTmain以及副區(qū)22的液晶電容Clcsub和存儲電容CSTsub。
[0050]同時，副區(qū)22的液晶電容Clcsub和存儲電容CSTsub分別連通至分享薄膜晶體管Tcs的源極，而分享薄膜晶體管Tcs的漏極連接至分享電容Cb，分享薄膜晶體管Tcs的柵極連接至電荷分享線12。如此地，當(dāng)?shù)讦菞l掃描線11關(guān)閉，第η條電荷分享線12由第η+2條掃描線11啟動時，分享薄膜晶體管Tcs被打開，液晶電容Clcsub和存儲電容CSTsub中的一部分電壓會經(jīng)過分享薄膜晶體管Tcs而進(jìn)入到分享電容Cb中，從而在主區(qū)21和副區(qū)22之間造成電位差。且通過調(diào)控機(jī)構(gòu)可以調(diào)節(jié)該電位差，從而調(diào)節(jié)顯示畫面顏色，降低色偏。
[0051 ] 然而，除了上述η+2型低色偏結(jié)構(gòu)，根據(jù)本發(fā)明的玻璃面板也可形成η+1型低色偏結(jié)構(gòu)。所述η+1型低色偏結(jié)構(gòu)，即從玻璃面板的一端開始計(jì)算，第η條電荷分享線12由第η+1條掃描線11啟動，其中η為正整數(shù)。
[0052]從圖7中可看到，在η+1型低色偏結(jié)構(gòu)中，第一過孔部31懸空，第二過孔部32通過過孔連接到第η條電荷分享線12，第三過孔部33通過過孔連接到第η+1條掃描線。以此方式，實(shí)現(xiàn)了如下結(jié)構(gòu):通過相應(yīng)的連接配線15相連的掃描線11和電荷分享線12相鄰，即可知道，第η條電荷分享線12由第η+1條掃描線11啟動。
[0053]在一個實(shí)施例中，如通過“五道掩膜”法制造玻璃面板，可以設(shè)計(jì)為配線金屬層與用于形成薄膜晶體管的源漏極的所述第二金屬層M2位于同一層中。如此可以降低掩膜數(shù)量，縮短制造工序。
[0054]再次參照圖3。正如先前所介紹，在采用低色偏設(shè)計(jì)的玻璃面板中，一個像素單元可以包括分別配備有不同的像素電極的主區(qū)21和副區(qū)22。結(jié)合圖4所示的電路圖，可清楚地看出，副區(qū)22額外設(shè)置有分享薄膜晶體管Tcs和分享電容Cb。副區(qū)22的像素電極(如圖4所示，副區(qū)22的像素電極例如包括液晶電容Clcsub和存儲電容CSTsub)連接到分享薄膜晶體管Tcs的源極，而分享薄膜晶體管Tcs的漏極連接至分享電容Cb，分享薄膜晶體管Tcs的柵極連接至電荷分享線12。
[0055]掃描線11通過多個充電薄膜晶體管TMin、Tsub同時控制像素單元的主區(qū)21和副區(qū)22中的像素電極。參照圖4，掃描線11分別連接至主區(qū)21的充電薄膜晶體管Tmain的柵極和副區(qū)22的充電薄膜晶體管Tsub的柵極，從而控制主區(qū)21的充電薄膜晶體管Tmain和副區(qū)22的充電薄膜晶體管Tsub的通斷。當(dāng)掃描線11啟動時，開啟主區(qū)21的充電薄膜晶體管Tmain和副區(qū)22的充電薄膜晶體管Tsub，使得來自數(shù)據(jù)線13的電信號可以導(dǎo)入主區(qū)21的液晶電容Clcmain和存儲電容CSTmain以及副區(qū)22的液晶電容Clcsub和存儲電容CSTsub。
[0056]同時，副區(qū)22的液晶電容Clcsub和存儲電容CSTsub分別連通至分享薄膜晶體管Tcs的源極，而分享薄膜晶體管Tcs的漏極連接至分享電容Cb，分享薄膜晶體管Tcs的柵極連接至電荷分享線12。如此地，當(dāng)?shù)讦菞l掃描線11關(guān)閉，而第η條電荷分享線12由第η+1條掃描線11啟動，分享薄膜晶體管Tcs被打開，液晶電容Clcsub和存儲電容CSTsub中的一部分電壓會經(jīng)過分享薄膜晶體管Tcs而進(jìn)入到分享電容Cb中，從而在主區(qū)21和副區(qū)22之間造成電位差。且通過調(diào)控機(jī)構(gòu)可以調(diào)節(jié)該電位差，從而調(diào)節(jié)顯示畫面顏色，降低色偏。
[0057]本發(fā)明還提出了一種用于制造根據(jù)本發(fā)明的玻璃面板的方法。
[0058]在根據(jù)本發(fā)明的方法中，玻璃面板通過五道掩膜方法制造，即:
[0059]在玻璃基板上用第一道掩膜來制造第一金屬層，而后覆蓋絕緣層；
[0060]在絕緣層之上用第二道掩膜來制造有源層；
[0061]在有源層之上用第三道掩膜來制造第二金屬層；
[0062]通過第四道掩膜來制造位于其之上的過孔層；
[0063]在過孔層之上通過第五道掩膜來制造電極層。
[0064]而在根據(jù)本發(fā)明的方法中，僅通過改變第一道掩膜的圖案來改變掃描線和電荷分享線之間的位置關(guān)系，由此實(shí)現(xiàn)η+1型低色偏結(jié)構(gòu)和η+2型低色偏結(jié)構(gòu)之間的轉(zhuǎn)換。
[0065]采用根據(jù)本發(fā)明的方法來制造根據(jù)本發(fā)明的玻璃面板，采用η+1型低色偏結(jié)構(gòu)和η+2型低色偏結(jié)構(gòu)時，其余的掩膜可采用同一套，只有第一金屬層Ml的掩膜圖案需要改變。這大大節(jié)省了制造掩膜的材料成本、工序成本。同時，通過η+1或η+2型的低色偏設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，有效在降低顯示器的色偏狀況的同時，節(jié)省了制造和封裝過程中所消耗的覆晶薄膜。進(jìn)一步降低了制造成本。
[0066]雖然已經(jīng)參考優(yōu)選實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對其進(jìn)行各種改進(jìn)并且可以用等效物替換其中的部件。尤其是，只要不存在結(jié)構(gòu)沖突，各個實(shí)施例中所提到的各項(xiàng)技術(shù)特征均可以任意方式組合起來。本發(fā)明并不局限于文中公開的特定實(shí)施例，而是包括落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有技術(shù)方案。
【權(quán)利要求】
1.一種玻璃面板,其特征在于,包括: 用于形成掃描線和電荷分享線的第一金屬層，其中一條掃描線和一條相應(yīng)的電荷分享線共同對應(yīng)于一行像素單元； 用于形成連接配線的配線金屬層，所述連接配線能夠?qū)⑺鰭呙杈€和所述電荷分享線連接起來， 其中，所述連接配線具有過孔部，所述連接配線在過孔部中通過過孔連接到所述掃描線和/或所述電荷分享線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃面板，其特征在于，每條所述連接配線包括沿直線延伸的干線部分，和垂直于所述干線部分而延伸出來的狹長的第一過孔部、第二過孔部和第三過孔部，其中所述第二過孔部位于所述第一過孔部和所述第三過孔部之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的玻璃面板，其特征在于，形成n+2型低色偏結(jié)構(gòu)，所述n+2型低色偏結(jié)構(gòu)即從所述玻璃面板的一端開始計(jì)算，第η條電荷分享線由第n+2條掃描線啟動，其中η為正整數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的玻璃面板，其特征在于，在第η條連接配線中，所述第一過孔部通過過孔連接到第η條電荷分享線，所述第三過孔部通過過孔連接到第n+2條掃描線，所述第二過孔部懸空。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的玻璃面板，其特征在于，形成n+1型低色偏結(jié)構(gòu)，所述n+1型低色偏結(jié)構(gòu)即從所述玻璃面板的一端開始計(jì)算，第η條電荷分享線由第n+1條掃描線啟動，其中η為正整數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的玻璃面板，其特征在于，在第η條連接配線中，所述第一過孔部懸空，所述第二過孔部通過過孔連接到第η條電荷分享線，所述第三過孔部通過過孔連接到第n+1條掃描線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1到6中任一項(xiàng)所述的玻璃面板，其特征在于，所述配線金屬層與用于形成薄膜晶體管的源漏極的第二金屬層位于同一層中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1到6中任一項(xiàng)所述的玻璃面板，其特征在于，所述像素單元包括分別配備有不同的像素電極的主區(qū)和副區(qū)，所述副區(qū)額外設(shè)置有分享薄膜晶體管和分享電容，且所述副區(qū)的像素電極連接到所述分享薄膜晶體管的源極，所述分享薄膜晶體管的漏極連接至所述分享電容，所述分享薄膜晶體管的柵極連接至所述電荷分享線。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的玻璃面板，其特征在于，所述掃描線通過多個充電薄膜晶體管同時控制所述像素單元的主區(qū)和副區(qū)中的像素電極。
10.用于制造根據(jù)權(quán)利要求1到9中任一項(xiàng)所述的玻璃面板的方法，所述玻璃面板通過五道掩膜方法制造，其特征在于，在玻璃基板上用第一道掩膜來制造第一金屬層，而后覆蓋絕緣層，在絕緣層之上用第二道掩膜來制造有源層，在有源層之上用第三道掩膜來制造第二金屬層，通過第四道掩膜來制造位于其之上的過孔層，在過孔層之上通過第五道掩膜來制造電極層，僅通過改變第一道掩膜的圖案來改變掃描線和電荷分享線之間的位置關(guān)系，由此實(shí)現(xiàn)n+1型低色偏結(jié)構(gòu)和n+2型低色偏結(jié)構(gòu)之間的轉(zhuǎn)換。
【文檔編號】G02F1/1368GK104298037SQ201410559637
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年10月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月20日
【發(fā)明者】黃世帥, 張?zhí)旌? 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司