顯示面板及薄膜晶體管陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種顯示面板及薄膜晶體管陣列基板，所述顯示面板包括彩色濾光片基板、液晶層以及薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板上設(shè)置有至少兩個(gè)像素單元，至少兩所述像素單元以陣列的形式排列，所述像素單元包括像素電極，其中，所述像素電極包括：至少兩條狀電極，所述條狀電極包括第一末端和第二末端；以及至少一連接電極，所述連接電極的邊緣處包括至少兩個(gè)接觸區(qū)，所述接觸區(qū)與所述條狀電極的第一末端連接；其中，所述邊緣處位于相鄰兩個(gè)所述接觸區(qū)之間的部位設(shè)置有凹陷陣列或突起陣列。本發(fā)明能降低暗區(qū)現(xiàn)象的出現(xiàn)概率，提高顯示質(zhì)量。
【專利說明】顯示面板及薄膜晶體管陣列基板 【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種顯示面板及薄膜晶體管陣列基板。 【【背景技術(shù)】】
[0002] 傳統(tǒng)的 TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)顯不面板上 設(shè)置有多個(gè)像素單元（包括綠色子像素101、藍(lán)色子像素102和紅色子像素103),所述像素 單元上并列設(shè)置有多個(gè)條狀電極，所述條狀電極用于向液晶分子施加第一電場來驅(qū)動(dòng)液晶 分子實(shí)現(xiàn)灰階轉(zhuǎn)換。
[0003] 在實(shí)踐中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：
[0004] 并列設(shè)置的條狀電極的連接處一般會(huì)產(chǎn)生第二電場，所述第二電場所對應(yīng)的方向 與所述第一電場所對應(yīng)的方向不同。因此，所述連接處附近的液晶分子不受控制，從而導(dǎo)致 所述連接處所對應(yīng)的顯示區(qū)域104出現(xiàn)暗區(qū)現(xiàn)象（Declination),如圖1所示。電壓越大， 所述暗區(qū)現(xiàn)象越明顯，這會(huì)導(dǎo)致顯示面板的穿透率降低，影響顯示質(zhì)量。
[0005] 故，有必要提出一種新的技術(shù)方案，以解決上述技術(shù)問題。 【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0006] 本發(fā)明的目的在于提供一種顯示面板及薄膜晶體管陣列基板，其能降低暗區(qū)現(xiàn)象 的出現(xiàn)概率，提高顯示質(zhì)量。
[0007] 為解決上述問題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：
[0008] -種顯示面板，所述顯示面板包括：一彩色濾光片基板；一液晶層；以及一薄膜晶 體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板上設(shè)置有至少兩個(gè)像素單元，至少兩所述像素單 元以陣列的形式排列，所述像素單元包括像素電極，其中，所述像素電極包括：至少兩條狀 電極，所述條狀電極包括第一末端和第二末端；以及至少一連接電極，所述連接電極的邊緣 處包括至少兩個(gè)接觸區(qū)，所述接觸區(qū)與所述條狀電極的第一末端連接；其中，所述邊緣處位 于相鄰兩個(gè)所述接觸區(qū)之間的部位設(shè)置有凹陷陣列或突起陣列。
[0009] 在上述顯示面板中，所述凹陷陣列包括至少兩個(gè)凹陷部，至少兩個(gè)所述凹陷部以 陣列的形式排列。
[0010] 在上述顯示面板中，所述凹陷部的表面設(shè)置有第一子突起部或第一子凹陷部。
[0011] 在上述顯示面板中，所述突起陣列包括至少兩個(gè)突起部，至少兩個(gè)所述突起部以 陣列的形式排列。
[0012] 在上述顯示面板中，所述突起部的表面設(shè)置有第二子突起部或第二子凹陷部。
[0013] 一種薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板上設(shè)置有至少兩個(gè)像素單 元，至少兩所述像素單元以陣列的形式排列，所述像素單元包括像素電極，其中，所述像素 電極包括：至少兩條狀電極，所述條狀電極包括第一末端和第二末端；以及至少一連接電 極，所述連接電極的邊緣處包括至少兩個(gè)接觸區(qū)，所述接觸區(qū)與所述條狀電極的第一末端 連接；其中，所述邊緣處位于相鄰兩個(gè)所述接觸區(qū)之間的部位設(shè)置有凹陷陣列或突起陣列。
[0014] 在上述薄膜晶體管陣列基板中，所述凹陷陣列包括至少兩個(gè)凹陷部，至少兩個(gè)所 述凹陷部以陣列的形式排列。
[0015] 在上述薄膜晶體管陣列基板中，所述凹陷部的表面設(shè)置有第一子突起部或第一子 凹陷部。
[0016] 在上述薄膜晶體管陣列基板中，所述突起陣列包括至少兩個(gè)突起部，至少兩個(gè)所 述突起部以陣列的形式排列。
[0017] 在上述薄膜晶體管陣列基板中，所述突起部的表面設(shè)置有第二子突起部或第二子 凹陷部。
[0018] 相對現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明在暗區(qū)現(xiàn)象方面相比傳統(tǒng)技術(shù)方案具有較大的改善。此外， 本發(fā)明的顯示面板的穿透率相對傳統(tǒng)技術(shù)的穿透率具有較顯著的提升。
[0019] 為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作 詳細(xì)說明如下。 【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0020] 圖1為傳統(tǒng)的顯示面板中像素單元的示意圖；
[0021] 圖2為本發(fā)明的顯示面板的像素單元的第一實(shí)施例的示意圖；
[0022] 圖3為本發(fā)明的顯示面板的像素單元的第二實(shí)施例的示意圖；
[0023] 圖4為本發(fā)明的顯示面板的像素單元的第三實(shí)施例的示意圖；
[0024] 圖5a和圖5b分別為傳統(tǒng)技術(shù)和本發(fā)明在暗區(qū)現(xiàn)象方面的差異的示意圖。 【【具體實(shí)施方式】】
[0025] 本說明書所使用的詞語"實(shí)施例"意指用作實(shí)例、示例或例證。此外，本說明書和 所附權(quán)利要求中所使用的冠詞"一"一般地可以被解釋為意指"一個(gè)或多個(gè)"，除非另外指定 或從上下文清楚導(dǎo)向單數(shù)形式。
[0026] 參考圖2、圖3和圖4,圖2為本發(fā)明的顯示面板的像素單元的第一實(shí)施例的示意 圖，圖3為本發(fā)明的顯示面板的像素單元的第二實(shí)施例的示意圖，圖4為本發(fā)明的顯示面板 的像素單元的第三實(shí)施例的示意圖。
[0027] 本發(fā)明的顯示面板包括彩色濾光片（CF，Color Filter)基板、液晶（LC，Liquid Crystal)層以及薄膜晶體管（TFT,Thin Film Transistor)陣列基板，其中，所述彩色濾光 片基板和所述薄膜晶體管陣列基板疊加組合為一體，所述液晶層設(shè)置于所述彩色濾光片基 板和所述薄膜晶體管陣列基板之間。
[0028] 所述薄膜晶體管陣列基板上設(shè)置有至少兩個(gè)像素單元、至少兩掃描線以及至少兩 數(shù)據(jù)線，至少兩所述像素單元以陣列的形式排列，所述像素單元包括薄膜晶體管開關(guān)201 和像素電極202,所述薄膜晶體管開關(guān)201與所述像素電極202、所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線 連接，其中，所述像素電極202包括至少兩條狀電極2021和至少一連接電極2022。
[0029] 所述條狀電極2021包括第一末端和第二末端。所述連接電極2022的邊緣處包括 至少兩個(gè)接觸區(qū)，所述接觸區(qū)為所述連接電極2022與所述條狀電極2021的接觸區(qū)域/連 接區(qū)域，所述接觸區(qū)與所述條狀電極2021的第一末端連接。所述第二末端遠(yuǎn)離所述連接電 極 2022。
[0030] 其中，所述邊緣處位于相鄰兩個(gè)所述接觸區(qū)之間的部位所對應(yīng)的邊緣線為曲線 (包括規(guī)則曲線或不規(guī)則曲線），其中，所述邊緣線為所述邊緣處的第一截面所對應(yīng)的線 條。即，所述邊緣處位于相鄰兩個(gè)所述接觸區(qū)之間的部位設(shè)置有凹陷陣列203,如圖2和圖 4所示?；蛘?，所述邊緣處位于相鄰兩個(gè)所述接觸區(qū)之間的部位設(shè)置有突起陣列301，如圖 3所示。
[0031] 所述凹陷陣列203或所述突起陣列301是通過蝕刻或切割工序來形成的。所述凹 陷陣列203或所述突起陣列301的形成過程與所述連接電極2022的形成過程同步進(jìn)行。
[0032] 所述凹陷陣列203在第二截面中的形狀或所述突起陣列301在第三截面中的形狀 均為鋸齒狀。所述第一截面、所述第二截面和所述第三截面均平行于所述薄膜晶體管陣列 基板所在的平面。
[0033] 所述凹陷陣列203包括至少兩個(gè)凹陷部2031，所述凹陷部2031的截面形狀可以是 三角形，如圖2所示，也可以是半圓形，如圖4所示，至少兩個(gè)所述凹陷部2031以陣列的形 式排列，至少兩個(gè)所述凹陷部2031沿第一方向204以陣列的形式排列，所述第一方向204 與所述連接電極2022所在的直線平行。所述凹陷部2031凹陷的方向與第二方向205平行， 所述第二方向205與所述第一方向204垂直，S卩，所述凹陷部2031凹陷的方向垂直于所述 連接電極2022的側(cè)面。
[0034] 在本發(fā)明中，由于所述條狀電極2021在所述第一方向204上設(shè)置有包括至少兩個(gè) 所述凹陷部2031的凹陷陣列203,因此，至少兩個(gè)所述凹陷部2031在所述第二方向205上 所產(chǎn)生的電場的部分能夠相互抵消，從而能夠改善電場暗區(qū)（Declination)現(xiàn)象。
[0035] 作為一種改進(jìn)，所述凹陷部2031的表面設(shè)置有第一子突起部或第一子凹陷部。所 述第一子突起部或所述第一子凹陷部為長條狀或顆粒狀。所述第一子突起部或所述第一子 凹陷部遍布所述凹陷部2031的表面。所述第一子突起部是通過在所述凹陷部2031的表面 濺射或涂布第一導(dǎo)電材料來形成的，所述第一子凹陷部是通過在所述凹陷部2031的表面 進(jìn)行蝕刻或切割來形成的。
[0036] 所述凹陷部2031的橫截面所對應(yīng)的曲線是連續(xù)的曲線，也就是說，所述凹陷部 2031的棱角設(shè)置為圓滑狀/平滑狀，這樣有利于使得聚集于所述凹陷部2031的圓滑的棱角 表面的電荷相對均勻地分布。
[0037] 所述突起陣列301包括至少兩個(gè)突起部3011，所述突起部3011的形狀可以是三角 形，如圖3所示，至少兩個(gè)所述突起部3011以陣列的形式排列，至少兩個(gè)所述突起部3011 沿所述第一方向204以陣列的形式排列。所述突起部3011突起的方向與所述第二方向205 平行，即，所述突起部3011突起的方向垂直于所述連接電極2022的所述側(cè)面。
[0038] 在本發(fā)明中，由于所述條狀電極2021在所述第一方向204上設(shè)置有包括至少兩個(gè) 所述突起部3011的突起陣列301，因此，至少兩個(gè)所述突起部3011在所述第二方向205上 所產(chǎn)生的電場的部分能夠相互抵消。從而能夠改善電場暗區(qū)現(xiàn)象。
[0039] 作為一種改進(jìn)，所述突起部3011的表面設(shè)置有第二子突起部或第二子凹陷部。所 述第二子突起部或所述第二子凹陷部為長條狀或顆粒狀。所述第二子突起部或所述第二子 凹陷部遍布所述突起部3011的表面。所述第二子突起部是通過在所述突起部3011的表面 濺射或涂布第二導(dǎo)電材料來形成的，所述第二子凹陷部是通過在所述突起部3011的表面 進(jìn)行蝕刻或切割來形成的。
[0040] 所述突起部3011的橫截面所對應(yīng)的曲線是連續(xù)的曲線，也就是說，所述突起部 3011的棱角設(shè)置為圓滑狀/平滑狀，這樣有利于使得聚集于所述突起部3011的圓滑的棱角 表面的電荷相對均勻地分布。
[0041] 通過上述技術(shù)方案，在像素電極202具有較高的灰階電壓輸入的情況下，本發(fā)明 的顯示面板的穿透率相對傳統(tǒng)技術(shù)的穿透率具有較顯著的提升，如表1所示。
[0042]
【權(quán)利要求】
1. 一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括： 一彩色濾光片基板； 一液晶層；以及 一薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板上設(shè)置有至少兩個(gè)像素單元，至少 兩所述像素單元以陣列的形式排列，所述像素單元包括像素電極，其中，所述像素電極包 括： 至少兩條狀電極，所述條狀電極包括第一末端和第二末端；以及 至少一連接電極，所述連接電極的邊緣處包括至少兩個(gè)接觸區(qū)，所述接觸區(qū)與所述條 狀電極的第一末端連接； 其中，所述邊緣處位于相鄰兩個(gè)所述接觸區(qū)之間的部位設(shè)置有凹陷陣列或突起陣列。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述凹陷陣列包括至少兩個(gè)凹陷部， 至少兩個(gè)所述凹陷部以陣列的形式排列。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述凹陷部的表面設(shè)置有第一子突 起部或第一子凹陷部。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述突起陣列包括至少兩個(gè)突起部， 至少兩個(gè)所述突起部以陣列的形式排列。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述突起部的表面設(shè)置有第二子突 起部或第二子凹陷部。
6. -種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板上設(shè)置有至少兩 個(gè)像素單元，至少兩所述像素單元以陣列的形式排列，所述像素單元包括像素電極，其中， 所述像素電極包括： 至少兩條狀電極，所述條狀電極包括第一末端和第二末端；以及 至少一連接電極，所述連接電極的邊緣處包括至少兩個(gè)接觸區(qū)，所述接觸區(qū)與所述條 狀電極的第一末端連接； 其中，所述邊緣處位于相鄰兩個(gè)所述接觸區(qū)之間的部位設(shè)置有凹陷陣列或突起陣列。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述凹陷陣列包括至少 兩個(gè)凹陷部，至少兩個(gè)所述凹陷部以陣列的形式排列。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述凹陷部的表面設(shè)置 有第一子突起部或第一子凹陷部。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述突起陣列包括至少 兩個(gè)突起部，至少兩個(gè)所述突起部以陣列的形式排列。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述突起部的表面設(shè)置 有第二子突起部或第二子凹陷部。
【文檔編號】G02F1/1343GK104298036SQ201410528406
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月9日
【發(fā)明者】葉巖溪 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司