液晶顯示器及液晶顯示器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種液晶顯示器。所述液晶顯示器包括：第一基板，所述第一基板包括第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述第一基板的第一表面上設(shè)置薄膜晶體管陣列及彩色濾光層，所述彩色濾光層包括多個(gè)呈矩陣分布的彩色濾光單元，相鄰的彩色濾光單元之間設(shè)置間隙；第二基板，所述第二基板包括第三表面及與所述第三表面相對(duì)的第四表面，所述第三表面與所述第一表面相對(duì)設(shè)置，所述三表面上設(shè)置黑矩陣層，所述黑矩陣層包括多個(gè)黑矩陣，所述黑矩陣分別對(duì)應(yīng)所述多個(gè)彩色濾光單元之間的間隙設(shè)置，所述黑矩陣層上涂布一層透明導(dǎo)電膜，其中，所述黑矩陣層的材料為鉬。本發(fā)明還提供了一種液晶顯示器的制造方法。本發(fā)明液晶顯示器具有較高的質(zhì)量。
【專利說明】
液晶顯示器及液晶顯示器的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶顯示器及液晶顯示器的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器作為一種常用的電子設(shè)備在人們的日常生活中得到了廣泛的應(yīng)用。液晶顯示器通常包括上基板及下基板兩塊基板。上基板及下基板之間設(shè)置液晶分子以形成了所述液晶顯示器。上基板上通常設(shè)置有黑矩陣層(black matrix，BM)?，F(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣層的材料通常為鉻(Cr)或者有機(jī)材料，而鉻是一種重金屬，對(duì)環(huán)境會(huì)造成污染。當(dāng)所述黑矩陣層的材料為鉻及有機(jī)材料時(shí)，形成的黑矩陣層的厚度較厚(通常為一微米)。較厚的黑矩陣層不利于液晶分子的流動(dòng)，從而使得所述液晶顯示器的質(zhì)量較差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種液晶顯示器，所述液晶顯示器的質(zhì)量得到了提高。
[0004]第一方面，提供了一種液晶顯示器，所述液晶顯示器包括:
[0005]第一基板，所述第一基板包括第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述第一基板的第一表面上設(shè)置薄膜晶體管陣列及彩色濾光層，所述彩色濾光層包括多個(gè)呈矩陣分布的彩色濾光單元，相鄰的彩色濾光單元之間設(shè)置間隙；
[0006]第二基板，所述第二基板包括第三表面及與所述第三表面相對(duì)的第四表面，所述第三表面與所述第一表面相對(duì)設(shè)置，所述三表面上設(shè)置黑矩陣層，所述黑矩陣層包括多個(gè)黑矩陣，所述黑矩陣分別對(duì)應(yīng)所述多個(gè)彩色濾光單元之間的間隙設(shè)置，所述黑矩陣層上涂布一層透明導(dǎo)電膜，其中，所述黑矩陣層的材料為鑰。
[0007]在第一方面的第一種實(shí)施方式中，所述黑矩陣的厚度為100埃?1000埃。
[0008]在第一面的第二種實(shí)施方式中，所述液晶顯示器還包括間隔件，所述間隔件設(shè)置于所述透明導(dǎo)電薄膜上，且所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板的第三表面的邊緣設(shè)置，所述間隔件用于支撐所述第一基板及所述第二基板。
[0009]在第一面的第三種實(shí)施方式中，所述第二基板還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋在所述透明導(dǎo)電膜上。
[0010]結(jié)合第一方面的第三種實(shí)施方式中，在第四種實(shí)施方式中，所述液晶顯示器還包括間隔件，所述間隔件設(shè)置于所述保護(hù)層上，且所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板的第三表面的邊緣設(shè)置，所述間隔件用于支撐所述第一基板及所述第二基板。
[0011]結(jié)合第一方面的第三種實(shí)施方式中，在第五種實(shí)施方式中，所述保護(hù)層的為氮娃化合物。
[0012]結(jié)合第一方面的第五種實(shí)施方式中，在第六種實(shí)施方式中，所述保護(hù)層的厚度為
300埃。
[0013]在第七種實(shí)施方式中，所述透明導(dǎo)電膜的材料為氧化銦錫，所述氧化銦錫的厚度為300埃?600埃。
[0014]第二方面，提供了一種液晶顯示器的制造方法，用所述制造方法制造出來的液晶顯示器的質(zhì)量得到了提高。
[0015]一種液晶顯示器的制造方法，所述液晶顯示器的制造方法包括:
[0016]提供第一基板，所述第一基板包括第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；
[0017]在所述第一表面上形成薄膜晶體管陣列及彩色濾光層，所述彩色濾光層包括多個(gè)呈矩陣分布的彩色濾光單元，相鄰的彩色濾光單元之間設(shè)置間隙；
[0018]提供第二基板，所述第二基板包括第三表面及與所述第三表面相對(duì)的第四表面，所述第三表面與所述第一表面相對(duì)設(shè)置；
[0019]在所述第三表面上設(shè)置黑矩陣層，所述黑矩陣層包括多個(gè)黑矩陣，所述黑矩陣分別對(duì)應(yīng)濾光單元之間的間隙設(shè)置，其中，所述黑矩陣層的材料鑰；
[0020]在所述黑矩陣層上涂布一層透明導(dǎo)電膜。
[0021]在第二方面的第一種實(shí)施方式中，所述步驟“在所述第三表面上設(shè)置黑矩陣層，所述黑矩陣層包括多個(gè)黑矩陣，所述黑矩陣分別對(duì)應(yīng)多個(gè)濾光單元之間的間隙設(shè)置，其中，所述黑矩陣層的材料鑰”包括:
[0022]在所述第三表面上濺射鑰金屬層；
[0023]對(duì)所述鑰金屬層進(jìn)行圖案化以形成多個(gè)黑矩陣，所述黑矩陣分別對(duì)應(yīng)所述多個(gè)彩色濾光單元的間隙設(shè)置，所有黑矩陣定義所述黑矩陣層。
[0024]在第二方面的第二種實(shí)施方式中，所述黑矩陣的厚度為100埃?1000埃。
[0025]在第二方面的第三種實(shí)施方式中，所述液晶顯示器的制造方法還包括:
[0026]在所述透明導(dǎo)電膜上設(shè)置間隔件，所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板的第三表面的邊緣設(shè)置，所述間隔件用于支撐所述第一基板及所述第二基板。
[0027]結(jié)合第二方面的第三種實(shí)施方式，在第四種實(shí)施方式中，所述步驟“在所述透明導(dǎo)電膜上設(shè)置間隔件，所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板的第三表面的邊緣設(shè)置，所述間隔件用于支撐所述第一基板及所述第二基板”包括:
[0028]在所述透明導(dǎo)電膜上形成間隔層，圖案化所述間隔層，以在所述透明導(dǎo)電膜的形成所述間隔件，所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板的第三表面的邊緣設(shè)置。
[0029]在第二方面的第五種實(shí)施方式中，所述液晶顯示器的制造方法還包括:
[0030]在所述透明導(dǎo)電膜上覆蓋保護(hù)層；
[0031]在所述保護(hù)層上設(shè)置間隔件，所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板的第三表面的邊緣設(shè)置，所述間隔件用于支撐所述第一基板及所述第二基板。
[0032]結(jié)合第二方面的第五種實(shí)施方式，在第六種實(shí)施方式中，所述步驟“在所述保護(hù)層上設(shè)置間隔件，所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板的第三表面的邊緣設(shè)置，所述間隔件用于支撐所述第一基板及所述第二基板”包括:
[0033]在所述保護(hù)層上設(shè)置間隔層，圖案化所述間隔層，以在所述保護(hù)層上形成所述間隔件，所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板的第三表面的邊緣設(shè)置。
[0034]結(jié)合第二方面的第五種實(shí)施方式，在第六種實(shí)施方式中，所述保護(hù)層為氮娃化合物。
[0035]結(jié)合第二方面的第六種實(shí)施方式中，所述保護(hù)層的厚度為300埃。
[0036]在第二方面的第七種實(shí)施方式中，所述黑矩陣的厚度為100埃?1000埃。
[0037]在第二方面的第八種實(shí)施方式中，所述透明導(dǎo)電膜的材料為氧化銦錫，所述氧化銦錫的厚度為300埃?600埃。
[0038]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的液晶顯示器的制造方法中，由于所述黑矩陣層的材料為鑰，鑰對(duì)環(huán)境沒有污染，因此，本發(fā)明提供的液晶顯示器更環(huán)保。進(jìn)一步地，由于所述黑矩陣的材料為鑰，因此，所述黑矩陣的厚度可做到100埃?1000埃。而現(xiàn)有技術(shù)中的黑矩陣的厚度通常為I微米，因此，相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明中黑矩陣的厚度比現(xiàn)有技術(shù)中的黑矩陣的厚度要小。從而有利于設(shè)置在所述第一基板及所述第二基板之間的液晶分子的擴(kuò)散，也有利于配向液的擴(kuò)散，提高了所制造出來的所述液晶顯示器的質(zhì)量。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0039]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0040]圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0041]圖2本發(fā)明一較佳實(shí)施例的液晶顯示器的制造方法的流程圖。
[0042]圖3?圖8為本發(fā)明液晶顯示器的第二基板的制造過程中各個(gè)步驟中第二基板的剖面圖。
[0043]圖9為本發(fā)明第一基板的制造方法中步驟S200中的子流程圖。
[0044]圖10?圖27為本發(fā)明液晶顯示器的第一基板的制造過程中各個(gè)步驟中第一基板的剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0045]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0046]請(qǐng)參閱圖1，圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。所述液晶顯示器I包括第一基板100及第二基板300。所述第一基板100包括第一表面101及與所述第一表面101相對(duì)的第二表面102。所述第一基板101的所述第一表面101上設(shè)置薄膜晶體管陣列(thin film transistor array, TFT array) 103及彩色濾光層104。所述薄膜晶體管陣列103與所述彩色濾光層104依次層疊設(shè)置在所述第一表面101上，且所述薄膜晶體管陣列103相較于所述彩色濾光層104鄰近所述第一表面101。所述彩色濾光層104包括多個(gè)呈矩陣分布的彩色濾光單元1041，所述彩色濾光單元之間設(shè)置間隙1042。所述第二基板300包括第三表面301及與所述第三表面301相對(duì)的第四表面302。所述第三表面
301與所述第一表面101相對(duì)設(shè)置，所述第三表面301上設(shè)置黑矩陣層303，所述黑矩陣層303包括多個(gè)黑矩陣3031，所述黑矩陣3031對(duì)應(yīng)所述多個(gè)彩色濾光單元1041之間的間隙1042設(shè)置。所述黑矩陣層303上涂布一層透明導(dǎo)電膜304。其中所述黑矩陣層303的材料為鑰(Mo)。所述薄膜晶體管陣列103包括多個(gè)薄膜晶體管(thin film transistor, TFT),所述薄膜晶體管及所述透明導(dǎo)電膜304分別加載電壓，以控制設(shè)置于所述第一基板100及所述第二基板300之間的液晶分子500的轉(zhuǎn)向。
[0047]在本發(fā)明提供的液晶顯示器I中，由于所述黑矩陣層303的材料為鑰，鑰對(duì)環(huán)境沒有污染，因此，本發(fā)明提供的液晶顯示器I更環(huán)保。
[0048]所述黑矩陣3031的厚度為100埃?1000埃。
[0049]由于所述黑矩陣3031的材料為鑰，因此，所述黑矩陣3031的厚度可做到100埃?1000埃。而現(xiàn)有技術(shù)中的黑矩陣的厚度通常為I微米，因此，相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明中黑矩陣3031的厚度比現(xiàn)有技術(shù)中的黑矩陣的厚度要小。從而有利于設(shè)置在所述第一基板100及所述第二基板300之間的液晶分子500的擴(kuò)散，也有利于配向液的擴(kuò)散，提高了所述液晶顯示器I的質(zhì)量。
[0050]所述黑矩陣層303的形成可以采用如下方式:采用濺射(sputter)的方式在所述第二基板300的所述第三表面301上形成一層鑰金屬層，然后再將所述鑰金屬層圖案化以形成所述黑矩陣層303。對(duì)所述鑰金屬層進(jìn)行圖案化可以采用曝光、顯影以及蝕刻等工藝。
[0051]所述透明導(dǎo)電膜304的形成可以采用如下方式:采用濺射的方式在所述黑矩陣層303的表面形成一層透明導(dǎo)電材料，以形成所述透明導(dǎo)電膜304。所述透明導(dǎo)電膜304的材料可以為氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)，當(dāng)所述透明導(dǎo)電膜304的材料為氧化銦錫時(shí)，所述透明導(dǎo)電膜304的厚度為300埃?600埃。
[0052]優(yōu)選地，所述第二基板300還包括保護(hù)層305，所述保護(hù)層覆蓋在所述透明導(dǎo)電膜304上，用于保護(hù)所述透明導(dǎo)電膜304。所述液晶顯示器I還包括間隔件(photospacer) 400，所述間隔件400設(shè)置于所述保護(hù)層305上，且所述間隔件400對(duì)應(yīng)所述第二基板300的第三表面301的邊緣設(shè)置。所述間隔件400用于支撐所述第一基板100及所述第二基板300。所述間隔件400和所述第一基板100及所述第二基板300之間形成一收容空間600，所述收容空間600用于收容液晶分子500。
[0053]所述保護(hù)層305的形成可以采用如下方式:采用化學(xué)氣相沉積(Chemical VaporDeposit1n,CVD)的方式在所述透明導(dǎo)電膜304的上形成一層覆蓋所述透明導(dǎo)電膜304的保護(hù)層305。所述保護(hù)層305的材料可以為氮硅化合物(比如SiNx)，當(dāng)所述保護(hù)層305的材料為氮硅化合物時(shí)，所述保護(hù)層305的厚度為300埃，也可以為300埃左右。
[0054]所述間隔件400的形成可以采用如下方式:在所述保護(hù)層305上形成一層間隔層，圖案化所述間隔層，以在所述保護(hù)層上形成所述間隔件400，所述間隔件400對(duì)應(yīng)所述第二基板300的第三表面301設(shè)置。
[0055]在其他實(shí)施方式中，所述第二基板300也可以不包括所述保護(hù)層305，則所述間隔件400直接設(shè)置在所述透明導(dǎo)電膜304上，且所述間隔件400對(duì)應(yīng)所述第二基板300的第三表面301的邊緣設(shè)置。所述間隔件400用于支撐所述第一基板100及所述第二基板300。所述間隔件400和所述第一基板100及所述第二基板300之間形成一收容空間600，所述收容空間600用于收容液晶分子500。此時(shí)，所述間隔件400的形成可以采用如下方式:在所述透明導(dǎo)電膜304上形成一層間隔層，圖案化所述間隔層，以在所述透明導(dǎo)電膜304上形成間隔件400，所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板300的第三表面301設(shè)置。
[0056]下面結(jié)合圖1對(duì)本發(fā)明液晶顯示器的制造方法進(jìn)行介紹。請(qǐng)一并參閱圖2，圖2本發(fā)明一較佳實(shí)施例的液晶顯示器的制造方法的流程圖。所述液晶顯示器I的制造方法包括以下步驟。
[0057]步驟S100，提供一第一基板100，所述第一基板100包括第一表面101及與所述第一表面101相對(duì)的第二表面102。在本實(shí)施方式中,所述第一基板100為一玻璃基板?？梢岳斫獾兀谄渌麑?shí)施方式中，所述第一基板100并不僅限于為玻璃基板。
[0058]步驟S200，在所述第一表面上形成薄膜晶體管陣列103及彩色濾光層104，所述彩色濾光層104包括多個(gè)成矩陣分別的彩色濾光單元1041，相鄰的彩色濾光單元1041之間設(shè)置間隙1042。
[0059]步驟S300，提供一第二基板300，所述第二基板300包括第三表面301及與所述第三表面301相對(duì)的第四表面302，所述第三表面301與所述第一表面101相對(duì)設(shè)置。請(qǐng)一并參閱圖3,在本實(shí)施方式中,所述第二基板300為一玻璃基板?？梢岳斫獾兀谄渌麑?shí)施方式中，所述第二基板300并不僅局限于為玻璃基板。
[0060]步驟S400，在所述第三表面301上設(shè)置黑矩陣層303，所述黑矩陣層303包括多個(gè)黑矩陣3031，所述黑矩陣3031分別對(duì)應(yīng)濾光單元1041之間的間隙1042設(shè)置，其中，所述黑矩陣層303的材料為鑰。所述黑矩陣3031的厚度為100埃?1000埃。請(qǐng)一并參閱圖4，在此步驟中，采用濺射的方式在所述第二基板300的所述第三表面301上形成一層鑰金屬層。請(qǐng)一并參閱圖5，圖案化所述鑰金屬層，以形成所述黑矩陣層303。對(duì)所述鑰金屬層進(jìn)行圖案化可以采用曝光、顯影以及蝕刻等工藝。
[0061]步驟S500，在所述黑矩陣層303上形成一層透明導(dǎo)電膜304。請(qǐng)一并參閱圖6，具體地，所述透明導(dǎo)電膜304的形成可以采用如下方式:采用濺射的方式在所述黑矩陣層303的表面形成一層透明導(dǎo)電材料，以形成所述透明導(dǎo)電膜304。所述透明導(dǎo)電膜304的材料可以為氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)，當(dāng)所述透明導(dǎo)電膜304的材料為氧化銦錫時(shí)，所述透明導(dǎo)電膜304的厚度為300埃?600埃
[0062]步驟S600，在所述透明導(dǎo)電膜304上形成一層保護(hù)層305。請(qǐng)一并參閱圖7，所述保護(hù)層305用于保護(hù)所述透明導(dǎo)電膜304。所述保護(hù)層305的形成可以采用如下方式:采用化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposit1n,CVD)的方式在所述透明導(dǎo)電膜304的上形成一層覆蓋所述透明導(dǎo)電膜304的保護(hù)層305。所述保護(hù)層305的材料可以為氮硅化合物(比如SiNx)，當(dāng)所述保護(hù)層305的材料為氮硅化合物時(shí)，所述保護(hù)層305的厚度為300埃，也可以為300埃左右。
[0063]步驟S700，在所述保護(hù)層305上形成間隔件400，所述間隔件400對(duì)應(yīng)所述第二基板300的第三表面301的邊緣設(shè)置，所述間隔件400用于支撐所述第一基板100及所述第二基板300。請(qǐng)一并參閱圖8，所述間隔件400的形成可以采用如下方式:在所述保護(hù)層305上形成一層間隔層，圖案化所述間隔層，以在所述保護(hù)層上形成所述間隔件400，所述間隔件400對(duì)應(yīng)所述第二基板300的第三表面301設(shè)置。
[0064]可以理解地，當(dāng)所述液晶顯示器I不包括所述保護(hù)層305時(shí)，此步驟為在所述導(dǎo)電膜304上形成間隔件400，所述間隔件400對(duì)應(yīng)所述第二基板300的第三表面301設(shè)置，所述間隔件400用于支撐所述第一基板100及所述第二基板300。
[0065]步驟S800，向所述間隔件400與所述第一基板100及所述第二基板300之間形成的收容空間600內(nèi)注入液晶分子500。
[0066]其中，步驟S100?步驟S200為所述第一基板100的制造步驟；步驟S300?S700為所述第二基板300的制造步驟。
[0067]下面結(jié)合圖1及圖2對(duì)所述第一基板100的制造步驟中的步驟S200的制造方法詳細(xì)介紹如下。請(qǐng)一并參閱圖9，其為本發(fā)明第一基板的制造方法中步驟S200中的子流程圖。所述步驟S200包括以下步驟。由于所述薄膜晶體管陣列103包括多個(gè)薄膜晶體管，為了方面描述，在以下各個(gè)圖中以薄膜晶體管陣列103中僅僅示意出一個(gè)薄膜晶體管。
[0068]步驟S201,在所述第一基板100的第一表面101上形成第一金屬層120,對(duì)所述第一金屬層120進(jìn)行圖案化，以形成薄膜晶體管的柵極(gate)。具體地，請(qǐng)一并參閱圖10。所述第一金屬層的材質(zhì)120的材質(zhì)選自銅、鎢、鉻、鋁及其組合的其中之一。
[0069]在另一實(shí)施方式中，在所述步驟S201之間，所述步驟S200還包括以下步驟:在所述第一基板100上形成一緩沖層(圖未示)。所述緩沖層用于緩沖所述基板100在制造所述薄膜晶體管陣列103的過程中受到的應(yīng)力，以避免所述第一基板100的損壞或者破裂。所述緩沖層的材質(zhì)選自氧化硅層，氮化硅層，氮氧化硅層及其組合的其中之一。在此方式中，所述步驟S201 “在所述第一基板100的第一表面101上形成第一金屬層120，對(duì)所述第一金屬層120進(jìn)行圖案化，以形成薄膜晶體管的柵極”具體為:所述第一金屬層120通過所述緩沖層設(shè)置于所述第一基板100的所述第一表面101，對(duì)所述第一金屬層120進(jìn)行圖案化，以形成薄膜晶體管的柵極。換句話說，所述緩沖層設(shè)置于所述第一基板100的所述第一表面101，所述第一金屬層120設(shè)置在所述緩沖層上，所述第一金屬層、所述緩沖層及所述第一基板100層疊設(shè)置。對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖案化，以形成所述薄膜晶體管的柵極。
[0070]步驟S202，在形成所述第一金屬層120的所述第一基板100的第一表面101及所述第一金屬層120上形成柵極絕緣層130、半導(dǎo)體層140及第二金屬層150，所述柵極絕緣層130、所述半導(dǎo)體層140及所述第二金屬層150依次層疊設(shè)置。所述柵極絕緣層130相較于所述半導(dǎo)體層140及所述第二金屬層150鄰近設(shè)置所述第一金屬層120的所述第一表面101及所述第一金屬層120設(shè)置。
[0071]具體地，請(qǐng)一并參閱圖11，由于所述第一金屬層120設(shè)置在所述第一基板100的第一表面101上,在所述第一表面101未覆蓋所述第一金屬層120的表面及所述第一金屬層120上形成所述柵極絕緣層130。所述柵極絕緣層130的材質(zhì)選擇氧化硅、氮化硅層，氮氧化硅層及其組合的其中之一。請(qǐng)一并參閱圖12，在所述柵極絕緣層130上形成所述半導(dǎo)體層140，所述半導(dǎo)體層140與所述柵極絕緣層130層疊設(shè)置。請(qǐng)一并參閱圖13，在所述半導(dǎo)體層140上形成所述第二金屬層150，所述第二金屬層150與所述半導(dǎo)體層140及所述柵極絕緣層130依次層疊設(shè)置。所述第二金屬層150的材質(zhì)選自銅、鎢、鉻、鋁及其組合的其中之一 O
[0072]在另一實(shí)施方式中，所述半導(dǎo)體層140包括溝道層(圖未示)及歐姆接觸層(圖未示)。則所述溝道層覆蓋在所述柵極絕緣層130上，所述歐姆接觸層覆蓋于所述溝道層上，所述第二金屬層覆蓋于所述歐姆接觸層上。
[0073]步驟S203，在所述第二金屬層150上形成光阻層160。請(qǐng)一并參閱圖14，所述光阻層160的上表面可以為水平的平面。
[0074]步驟S204，圖案化所述光阻層160，以漏出所述第二金屬層150的邊緣部分，圖案化的所述光阻層160包括第一部分163及第二部分164，所述第一部分163通過半導(dǎo)體層140及所述柵極絕緣層130與所述第一金屬層120層疊設(shè)置，且所述第一部分163的高度小于所述第二部分164的高度，所述第二部分164圍繞所述第一部分163設(shè)置。
[0075]具體地，在本實(shí)施方式中，請(qǐng)一并參閱圖15，提供一光罩200及設(shè)置在所述光罩200遠(yuǎn)離所述光阻層160—側(cè)的光源(圖未示)。所述光源用于產(chǎn)生光線，所述光線自所述光罩200遠(yuǎn)離所述光阻層160的表面入射。所述光罩200設(shè)置于所述光阻層160的上方，所述光罩200包括兩個(gè)透光部210及三個(gè)遮光部220。所述光罩200的兩端及中間均為遮光部220，所述透光部210設(shè)置在相鄰的兩個(gè)遮光部220的中間，以使得所述透光部210及所述遮光部220依次間隔設(shè)置。位于所述光罩200的中間的遮光部220在橫向的尺寸略小于所述柵極120在同方向上的尺寸。當(dāng)有光線照射到所述透光部210上時(shí)，所述光線能夠通過所述透光部210照射到所述光阻層160上，當(dāng)有光線照射到所述遮光部220上時(shí)，所述光線不能通過所述遮光部220照射至所述光阻層160上。
[0076]在本實(shí)施方式中，所述光阻層160的光阻材料為負(fù)光阻，即被光線照射到的光阻層160不溶解，沒有被光線照射到的光阻層160溶解。因此，所述光罩200放置于所述光阻層160的上方時(shí)，位于所述光罩200的透光部210下方的光阻層160不溶解；位于所述光罩200的遮光部220下方的光阻層160溶解。經(jīng)過所述光罩200后,所述光罩層160被圖案化成如圖9所示的圖案。即，所述光罩200的兩端的遮光部220下方對(duì)應(yīng)的光阻層160完全溶解，漏出所述第二金屬層150的邊緣部分,且所述光罩200的中間的遮光部220下方對(duì)應(yīng)的光阻層160部分溶解以形成所述光阻層160的所述第一部分163，所述光罩200的透光部220下方對(duì)應(yīng)的光阻層不溶解，因此形成了所述光阻層160的第二部分164。
[0077]步驟S205，圖案化所述第二金屬層150及所述半導(dǎo)體層140以定義薄膜晶體管的源極(source)和漏極(drain)。具體地,所述步驟S205包括以下步驟。
[0078]請(qǐng)一并參閱圖16，移除未覆蓋所述光阻層160的所述第二金屬層150。
[0079]請(qǐng)一并參閱圖17，移除未覆蓋所述第二金屬層150的所述半導(dǎo)體層140。
[0080]請(qǐng)一并參閱圖18，移除所述光阻層160的所述第一部分163 ;請(qǐng)一并參閱圖19，移除原來所述光阻層160的所述第一部分163所覆蓋的第二金屬層150 ;請(qǐng)參閱圖20，移除原來所述光阻層160的所述第一部分163覆蓋的部分半導(dǎo)體層140。
[0081]請(qǐng)參閱圖21，移除所述光阻層160的所述第二部分164。經(jīng)過上述圖16至圖21的各個(gè)步驟，形成了所述薄膜晶體管的源極151及漏極152。經(jīng)過上述各個(gè)步驟，形成了所述薄膜晶體管。
[0082]步驟S206，形成第一鈍化層170。具體地，請(qǐng)一并參閱圖22，在所述源極151、所述漏極152及所述柵極絕緣層130裸露的表面上形成第一鈍化層170。所述第一鈍化層170的材料可以為氮硅化合物，比如SiNx。
[0083]步驟S207，形成彩色濾光層180，并對(duì)所述彩色濾光層180進(jìn)行圖案化，以形成圖案化的彩色濾光層180，所述圖案化的彩色濾光層180包括呈矩陣分布的多個(gè)彩色濾光單元181，所述彩色濾光單元181之間形成間隙182。請(qǐng)一并參閱圖23，在所述第一鈍化層170上形成所述彩色濾光層180。請(qǐng)一并參閱圖24，對(duì)所述彩色濾光層180進(jìn)行圖案化，以形成呈矩陣分別的多個(gè)彩色濾光單元181，所述彩色濾光單元181之間形成間隙182。所述彩色濾光單元181可為紅色(Red, R)、綠色(Green, G)、藍(lán)色(Blue, B)濾光單元。
[0084]步驟S208，形成第二鈍化層190。具體地，請(qǐng)一并參閱圖25，在所述圖案化的所述彩色濾光層180及未覆蓋所述彩色濾光單元181的所述第二鈍化層170的表面形成所述第二鈍化層190。
[0085]步驟S209，在所述第一鈍化層170上對(duì)應(yīng)所述源極151及所述漏極152分別開設(shè)第一貫孔171及第二貫孔172，在所述第二鈍化層190上對(duì)應(yīng)所述源極151及所述漏極152分別開設(shè)第三貫孔191及第四貫孔192，其中，所述第三貫孔191與所述第一貫孔171連通，所述第四貫孔192與所述第二貫孔172連通。請(qǐng)一并參閱圖26。
[0086]步驟S210，形成第一電極193及第二電極194，所述第一電極193通過所述第一貫孔171及所述第三貫孔191電連接所述源極193，所述第二電極194通過所述第二貫孔172及所述第四貫孔192電連接所述漏極152。請(qǐng)一并參閱圖27，所述第一電極193及所述第二電極194可以作為像素電極，且所述第一電極193與所述源極151電連接以及所述第二電極194與所述漏極152電連接，所述薄膜晶體管可以控制所述像素。在本實(shí)施方式中，所述第一電極193及所述第二電極194的材料為ΙΤ0，此時(shí)，所述第一電極193及所述第二電極194的厚度為1000埃?1500埃。
[0087]在本發(fā)明提供的液晶顯示器的制造方法中，由于所述黑矩陣層303的材料為鑰，鑰對(duì)環(huán)境沒有污染，因此，本發(fā)明提供的液晶顯示器I更環(huán)保。
[0088]由于所述黑矩陣3031的材料為鑰，因此，所述黑矩陣3031的厚度可做到100埃?1000埃。而現(xiàn)有技術(shù)中的黑矩陣的厚度通常為I微米，因此，相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明中黑矩陣3031的厚度比現(xiàn)有技術(shù)中的黑矩陣的厚度要小。從而有利于設(shè)置在所述第一基板100及所述第二基板300之間的液晶分子500的擴(kuò)散，也有利于配向液的擴(kuò)散，提高了所制造出來的所述液晶顯示器I的質(zhì)量。
[0089]以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示器，其特征在于，所述液晶顯示器包括: 第一基板，所述第一基板包括第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述第一基板的第一表面上設(shè)置薄膜晶體管陣列及彩色濾光層，所述彩色濾光層包括多個(gè)呈矩陣分布的彩色濾光單元，相鄰的彩色濾光單元之間設(shè)置間隙； 第二基板，所述第二基板包括第三表面及與所述第三表面相對(duì)的第四表面，所述第三表面與所述第一表面相對(duì)設(shè)置，所述三表面上設(shè)置黑矩陣層，所述黑矩陣層包括多個(gè)黑矩陣，所述黑矩陣分別對(duì)應(yīng)所述多個(gè)彩色濾光單元之間的間隙設(shè)置，所述黑矩陣層上涂布一層透明導(dǎo)電膜，其中，所述黑矩陣層的材料為鑰。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征在于，所述黑矩陣的厚度為100埃?1000埃。
3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征在于，所述液晶顯示器還包括間隔件，所述間隔件設(shè)置于所述透明導(dǎo)電薄膜上，且所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板的第三表面的邊緣設(shè)置，所述間隔件用于支撐所述第一基板及所述第二基板。
4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征在于，所述第二基板還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋在所述透明導(dǎo)電膜上。
5.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其特征在于，所述液晶顯示器還包括間隔件，所述間隔件設(shè)置于所述保護(hù)層上，且所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板的第三表面的邊緣設(shè)置，所述間隔件用于支撐所述第一基板及所述第二基板。
6.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其特征在于，所述保護(hù)層的為氮硅化合物。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示器，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度為300埃。
8.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜的材料為氧化銦錫，所述氧化銦錫的厚度為300埃?600埃。
9.一種液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述液晶顯示器的制造方法包括: 提供第一基板，所述第一基板包括第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面； 在所述第一表面上形成薄膜晶體管陣列及彩色濾光層，所述彩色濾光層包括多個(gè)呈矩陣分布的彩色濾光單元，相鄰的彩色濾光單元之間設(shè)置間隙； 提供第二基板，所述第二基板包括第三表面及與所述第三表面相對(duì)的第四表面，所述第三表面與所述第一表面相對(duì)設(shè)置； 在所述第三表面上設(shè)置黑矩陣層，所述黑矩陣層包括多個(gè)黑矩陣，所述黑矩陣分別對(duì)應(yīng)濾光單元之間的間隙設(shè)置，其中，所述黑矩陣層的材料鑰； 在所述黑矩陣層上涂布一層透明導(dǎo)電膜。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述步驟“在所述第三表面上設(shè)置黑矩陣層，所述黑矩陣層包括多個(gè)黑矩陣，所述黑矩陣分別對(duì)應(yīng)多個(gè)濾光單元之間的間隙設(shè)置，其中，所述黑矩陣層的材料鑰”包括: 在所述第三表面上濺射鑰金屬層； 對(duì)所述鑰金屬層進(jìn)行圖案化以形成多個(gè)黑矩陣，所述黑矩陣分別對(duì)應(yīng)所述多個(gè)彩色濾光單元的間隙設(shè)置，所有黑矩陣定義所述黑矩陣層。
11.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述黑矩陣的厚度為100埃?1000埃。
12.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述液晶顯示器的制造方法還包括: 在所述透明導(dǎo)電膜上設(shè)置間隔件，所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板的第三表面的邊緣設(shè)置，所述間隔件用于支撐所述第一基板及所述第二基板。
13.如權(quán)利要求12所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述步驟“在所述透明導(dǎo)電膜上設(shè)置間隔件，所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板的第三表面的邊緣設(shè)置，所述間隔件用于支撐所述第一基板及所述第二基板”包括: 在所述透明導(dǎo)電膜上形成間隔層，圖案化所述間隔層，以在所述透明導(dǎo)電膜的形成所述間隔件，所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板的第三表面的邊緣設(shè)置。
14.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述液晶顯示器的制造方法還包括: 在所述透明導(dǎo)電膜上覆蓋保護(hù)層； 在所述保護(hù)層上設(shè)置間隔件，所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板的第三表面的邊緣設(shè)置，所述間隔件用于支撐所述第一基板及所述第二基板。
15.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述步驟“在所述保護(hù)層上設(shè)置間隔件，所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板的第三表面的邊緣設(shè)置，所述間隔件用于支撐所述第一基板及所述第二基板”包括: 在所述保護(hù)層上設(shè)置間隔層，圖案化所述間隔層，以在所述保護(hù)層上形成所述間隔件，所述間隔件對(duì)應(yīng)所述第二基板的第三表面的邊緣設(shè)置。
16.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述保護(hù)層為氮硅化合物。
17.如權(quán)利要求16所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度為300 埃。
18.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述黑矩陣的厚度為100埃?1000埃。
19.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器的制造方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜的材料為氧化銦錫，所述氧化銦錫的厚度為300埃?600埃。
【文檔編號(hào)】G02F1/1335GK104133317SQ201410374562
【公開日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月31日
【發(fā)明者】徐亮 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司