Tft陣列基板結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，包括第一與第二柵極(11、13)、半導(dǎo)體層(20)、第一與第二源極(31、33)及第一與第二漏極(42、44)，第一柵極(11)與第一漏極(42)在空間上交疊設(shè)置形成第一交疊區(qū)域(D)，第二柵極(13)與第二漏極(44)在空間上交疊設(shè)置形成第二交疊區(qū)域(E)，第一柵極(11)對應(yīng)第一交疊區(qū)域(D)具有第一邊緣(113)，第二柵極(13)對應(yīng)第二交疊區(qū)域(E)具有第二邊緣(133)，第一邊緣(113)與第一漏極(42)在空間上斜交，第二邊緣(133)與第二漏極(44)在空間上斜交，當(dāng)?shù)谝?、第二漏極(42、44)相對于第一、第二柵極(11、13)發(fā)生相對移動時，第一交疊區(qū)域(D)與第二交疊區(qū)域(E)的面積產(chǎn)生同向變化。
【專利說明】TFT陣列基板結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)陣列基板結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display,LCD)具有機(jī)身薄、省電、無福射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用，如移動電話、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)、計算機(jī)屏幕或筆記本電腦屏幕等。
[0003]通常液晶顯示裝置包括殼體、設(shè)于殼體內(nèi)的液晶顯示面板及設(shè)于殼體內(nèi)的背光模組(Backlight module)。如圖1所示,現(xiàn)有的液晶顯示面板包括TFT陣列基板100、位于TFT陣列基板100上方并與之貼合設(shè)置的一彩膜基板(Color Filter, CF) 300、設(shè)于陣列基板100與彩膜基板300之間的液晶層(Liquid Crystal Layer) 500及密封膠框700，其工作原理是通過在TFT陣列基板100、彩膜基板300間施加驅(qū)動電壓來控制液晶層500的液晶分子的旋轉(zhuǎn)，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。
[0004]就目前主流市場上的液晶顯示面板而言，按照液晶分子排列方式的不同可分為三大類，分別是TN (扭曲向列)/STN (超級扭曲向列)、IPS (板內(nèi)切換)/FFS (邊緣切換)及VA(垂直配向)型。其中，VA(Vertical Alignment,垂直配向)型液晶顯示器具有高對比度、寬視角、顏色表現(xiàn)好等優(yōu)點(diǎn)。但由于VA型顯示器采用的是垂直轉(zhuǎn)動型的液晶，大視角下會存在色偏現(xiàn)象，針對該現(xiàn)象，目前的設(shè)計是將子像素區(qū)域劃分為主(main)和次(sub)兩個區(qū)域來顯示，主區(qū)域和次區(qū)域液晶兩側(cè)所加電壓不同使主區(qū)域和次區(qū)域液晶偏轉(zhuǎn)角不同，從而解決色偏問題。
[0005]如圖2所示，為一現(xiàn)有的用于VA型液晶顯示器的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖，該TFT陣列基板結(jié)構(gòu)包括第一與第二柵極101、103、設(shè)于第一與第二柵極101、103上方的半導(dǎo)體層200、設(shè)于半導(dǎo)體層200上的第一與第二源極301、303及設(shè)于半導(dǎo)體層200上的第一與第二漏極402、404，所述第一與第二柵極101、103電性連接，第一與第二源極301、303電性連接，所述第一柵極101與第一漏極402在空間上交疊設(shè)置，形成第一交疊區(qū)域A，所述第一柵極101對應(yīng)第一交疊區(qū)域A具有第一邊緣105，其與第一漏極402在空間上垂直相交。所述第二柵極103與第二漏極404在空間上交疊設(shè)置，形成第二交疊區(qū)域B，所述第二柵極103對應(yīng)第二交疊區(qū)域B具有第二邊緣107，其與第二漏極404在空間上垂直相交。第一漏極402對應(yīng)第一交疊區(qū)域A的部分與第二漏極404對應(yīng)第二交疊區(qū)域B的部分分別呈條形，且兩條形的朝向垂直。第一源極301電性連接于數(shù)據(jù)線；第一柵極101電性連接于柵極掃描線；第一、第二漏極402、404分別電性連接于主、次區(qū)域的像素電極。第一交疊區(qū)域A產(chǎn)生第一寄生電容及Cgsl，第二交疊區(qū)域B產(chǎn)生第二寄生電容Cgs2。以第一漏極402的條形朝向為豎直方向，當(dāng)?shù)谝?、第二漏極402、404相對于第一、第二柵極101、103在豎直方向上相對移動時，第一交疊區(qū)域A的面積發(fā)生變化，而第二交疊區(qū)域B的面積保持不變，從而導(dǎo)致第一寄生電容CgsI發(fā)生變化而第二寄生電容Cgs2不變。[0006]根據(jù)潰通電壓公式:
【權(quán)利要求】
1.一種TFT陣列基板結(jié)構(gòu),包括:第一與第二柵極(11、13)、設(shè)于第一與第二柵極(11、13)上方的半導(dǎo)體層(20)、設(shè)于半導(dǎo)體層(20)上的第一與第二源極(31、33)及設(shè)于半導(dǎo)體層(20)上的第一與第二漏極(42、44),所述第一與第二柵極(11、13)電性連接,第一與第二源極(31、33)電性連接，所述第一柵極(11)與第一漏極(42)在空間上交疊設(shè)置形成第一交疊區(qū)域(D)，所述第二柵極(13)與第二漏極(44)在空間上交疊設(shè)置形成第二交疊區(qū)域(E)，所述第一柵極(11)對應(yīng)第一交疊區(qū)域(D)具有第一邊緣(113)，所述第二柵極(13)對應(yīng)第二交疊區(qū)域(E)具有第二邊緣(133)，其特征在于，所述第一邊緣(113)與第一漏極(42)在空間上斜交，所述第二邊緣(133)與第二漏極(44)在空間上斜交，從而，當(dāng)?shù)谝弧⒌诙O(42、44)相對于第一、第二柵極(11、13)發(fā)生相對移動時，第一交疊區(qū)域(D)與第二交疊區(qū)域(E)的面積產(chǎn)生同向的變化。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)?shù)谝?、第二漏極(42、44)相對于第一、第二柵極(11、13)發(fā)生相對移動時，第一交疊區(qū)域(D)與第二交疊區(qū)域(E)的面積產(chǎn)生相同的變化。
3.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一邊緣(113)相對于第一漏極(42)的傾斜方向與第二邊緣(133)相對于第二漏極(44)的傾斜方向相反。
4.如權(quán)利要求3所述的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一漏極(42)對應(yīng)于第一交疊區(qū)域(D)的部分呈條形，第二漏極(44)對應(yīng)于第二交疊區(qū)域(E)的部分呈條形，且兩條形的朝向垂直。
5.如權(quán)利要求4所述的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一漏極(42)對應(yīng)第一交疊區(qū)域(D)的寬度為Wl，第二漏極(44)對應(yīng)第二交疊區(qū)域(E)的寬度為W2，第一邊緣(113)與第一漏極(42)形成的銳角夾角a I = arccot(W2/Wl)，第二邊緣(133)與第二漏極(44)形成的銳角夾角a 2 = arccot (W1/W2)。
6.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一源極(31)呈開口朝上的U形，第二源極(33)呈開口朝右的U形，且第一源極(31)的右部分與第二源極(33)的左部分連接。
7.如權(quán)利要求6所述的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一漏極(42)伸入第一源極(31)的U形開口內(nèi)，所述第二漏極(44)伸入第二源極(33)的U形開口內(nèi)。
8.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述TFT陣列基板結(jié)構(gòu)用于垂直配向型液晶顯示面板。
9.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述TFT陣列基板結(jié)構(gòu)用于曲面液晶顯示面板。
【文檔編號】G02F1/1368GK104007594SQ201410271346
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2014年6月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月17日
【發(fā)明者】姚曉慧, 許哲豪 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司