使用溶劑顯影用形成含硅抗蝕劑下層膜的組合物的半導體裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的課題是提供在將抗蝕劑曝光后，用有機溶劑顯影來形成抗蝕劑圖案方面良好的抗蝕劑下層膜。作為解決本發(fā)明課題的方法涉及一種半導體裝置的制造方法，其包括下述工序：工序(A)，將形成抗蝕劑下層膜的組合物涂布在基板上，進行烘烤來形成抗蝕劑下層膜，所述形成抗蝕劑下層膜的組合物包含水解性硅烷、其水解物、其水解縮合物、或它們的組合，該水解性硅烷為下述式(1)所示的硅烷、式(2)所示的硅烷和式(3)所示的硅烷，在全部硅烷中以摩爾％計下述式(1)所示的硅烷:下述式(2)所示的硅烷:下述式(3)所示的硅烷為45～90:6～20:0～35的比例含有各硅烷；工序(B)，在上述下層膜上涂布抗蝕劑用組合物，形成抗蝕劑膜；工序(C)，將上述抗蝕劑膜進行曝光；工序(D)，曝光后將抗蝕劑膜用有機溶劑顯影，獲得被圖案化了的抗蝕劑膜；和工序(E)，利用被圖案化了的抗蝕劑膜對上述抗蝕劑下層膜進行蝕刻，利用被圖案化了的抗蝕劑下層膜對基板進行加工。Si(R1)4?式(1)，R2[Si(R3)3]a?式(2)，R4[Si(R5)3]b?式(3)。
【專利說明】使用溶劑顯影用形成含硅抗蝕劑下層膜的組合物的半導體裝置的制造方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及在半導體裝置的制造中使用的用于在基板與抗蝕劑(例如，光致抗蝕齊U、電子束抗蝕劑)之間形成下層膜的組合物。具體而言，涉及在制造半導體裝置的光刻工序中用于形成光致抗蝕劑的下層所使用的下層膜的形成光刻用抗蝕劑下層膜的組合物。此夕卜，涉及使用了該形成下層膜的組合物的抗蝕劑圖案的形成方法。

【背景技術】
[0002]一直以來，在半導體裝置的制造中，通過使用了光致抗蝕劑的光刻進行微細加工。上述微細加工為通過在硅片等半導體基板上形成光致抗蝕劑的薄膜，隔著描繪有半導體器件的圖案的掩模圖案在其上照射紫外線等活性光線，進行顯影，將所得的光致抗蝕劑圖案作為保護膜對基板進行蝕刻處理，從而在基板表面形成與上述圖案對應的微細凹凸的加工法。然而，近年來，半導體器件的高集成度化進展，所使用的活性光線也有從KrF準分子激光(248nm)向ArF準分子激光(193nm)進行短波長化的傾向。與此相伴，活性光線從半導體基板反射的影響成為了大問題。因此，為了解決該問題，廣泛研究了在光致抗蝕劑與基板之間設置防反射膜(bottom ant1-reflective coating)的方法。
[0003]此外，作為半導體基板與光致抗蝕劑之間的下層膜，使用作為包含硅、鈦等金屬元素的硬掩模而已知的膜(例如，參照專利文獻I)。在該情況下，抗蝕劑與硬掩模的構成成分差別大，因此它們的通過干蝕刻被除去的速度較大取決于干蝕刻所使用的氣體種類。而且，通過適當?shù)剡x擇氣體種類，能夠在不伴隨光致抗蝕劑的膜厚大幅度減少的情況下通過干蝕刻來除去硬掩模。這樣，在近年來的半導體裝置的制造中，為了達成以防反射效果為代表的各種效果，在半導體基板與光致抗蝕劑之間配置抗蝕劑下層膜。而且，迄今為止也進行了抗蝕劑下層膜用組合物的研究，但由于其要求的特性的多樣性等，因此期望開發(fā)出抗蝕劑下層膜用的新材料。
[0004]已知使用了具有硅硅鍵的化合物的組合物、圖案形成方法(例如，參照專利文獻2)。
[0005]已知以特定比例含有4官能硅烷和3官能硅烷，并溶解于丙二醇單乙基醚、丙二醇單甲基醚等溶劑中的抗蝕劑下層膜材料(例如，參照專利文獻3)。
[0006]現(xiàn)有技術文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本特開平11-258813號公報
[0009]專利文獻2:日本特開平10-209134號公報
[0010]專利文獻3:日本特開2002-040668號公報


【發(fā)明內容】

[0011]發(fā)明所要解決的課題
[0012]本發(fā)明的目的是提供一種半導體裝置的制造方法，其包括形成可以作為硬掩模和防反射膜使用的抗蝕劑下層膜的工序。
[0013]此外，本發(fā)明的目的是提供一種半導體裝置的制造方法，其包括形成抗蝕劑下層膜的工序，所述抗蝕劑下層膜不易發(fā)生與抗蝕劑的混合，與抗蝕劑相比具有大的干蝕刻速度，而且，使用通過有機溶劑進行顯影的抗蝕劑時，能夠形成良好的抗蝕劑圖案。
[0014]而且，本發(fā)明的目的是提供可以在半導體裝置的制造中使用的形成光刻用抗蝕劑下層膜的組合物。具體而言，提供用于形成可以作為硬掩模使用的抗蝕劑下層膜的形成光刻用抗蝕劑下層膜的組合物。此外，提供用于形成可以作為防反射膜使用的抗蝕劑下層膜的形成光刻用抗蝕劑下層膜的組合物。此外，提供不發(fā)生與抗蝕劑的混合，與抗蝕劑相比具有大的干蝕刻速度的光刻用抗蝕劑下層膜和用于形成該下層膜的形成抗蝕劑下層膜的組合物。
[0015]而且，該抗蝕劑下層膜，提供在使用通過有機溶劑進行顯影的抗蝕劑時，能夠形成良好的抗蝕劑圖案的溶劑顯影型抗蝕劑下層膜。
[0016]用于解決課題的方法
[0017]本發(fā)明中，作為第I觀點，是一種半導體裝置的制造方法，其包括下述工序:工序(A)，將形成抗蝕劑下層膜的組合物涂布在基板上，進行烘烤來形成抗蝕劑下層膜，所述形成抗蝕劑下層膜的組合物包含水解性硅烷、其水解物、其水解縮合物、或它們的組合，該水解性硅烷為下述式(I)所示的硅烷、式(2)所示的硅烷和式(3)所示的硅烷，在全部硅烷中以摩爾％計下述式(I)所示的硅烷:下述式(2)所示的硅烷:下述式(3)所示的硅烷為45~90:6~20:0~35的比例含有各硅烷；工序(B)，在上述下層膜上涂布抗蝕劑用組合物，形成抗蝕劑膜；工序(C)，將上述抗蝕劑膜進行曝光；工序(D)，曝光后將抗蝕劑膜用有機溶劑顯影，獲得被圖案化了的抗蝕劑膜；和工序(E)，利用被圖案化了的抗蝕劑膜對上述抗蝕劑下層膜進行蝕刻，利用被圖案化了的抗蝕劑下層膜對基板進行加工，
[0018]Si(R1)4式(I)
[0019]R2 (Si(R3)3) a 式⑵
[0020]R4 (Si(R5)3) b 式⑶
[0021](其中，式中，R1、!?3、!?5表示烷氧基、酰氧基或鹵原子，R2表示可以具有取代基的包含苯環(huán)的有機基團并且R2通過S1-C鍵與硅原子結合，R4表示可以具有取代基的包含烴的有機基團并且R4通過S1-C鍵與硅原子結合，a表示I~3的整數(shù)，b表示I~3的整數(shù)。)，
[0022]作為第2觀點，是根據(jù)第I觀點所述的半導體裝置的制造方法，工序(A)為在基板上形成有機下層膜，在該有機下層膜上涂布第I觀點所述的形成抗蝕劑下層膜的組合物，進行烘烤來形成抗蝕劑下層膜的工序(A’)，并且工序(E)為利用被圖案化了的抗蝕劑膜對抗蝕劑下層膜進行蝕刻，利用被圖案化了的抗蝕劑下層膜對有機下層膜進行蝕刻，利用被圖案化了的有機下層膜對基板進行加工的工序(E’)，
[0023]作為第3觀點，是根據(jù)第I觀點或第2觀點所述的半導體裝置的制造方法，上述形成抗蝕劑下層膜的組合物，在全部硅烷中以摩爾％計上述式(I)所示的硅烷:上述式(2)所示的硅烷:上述式(3)所示的硅烷為70~90:10~20:0~20的比例含有各硅烷，
[0024] 作為第4觀點，是根據(jù)第I觀點或第2觀點所述的半導體裝置的制造方法，上述形成抗蝕劑下層膜的組合物，在全部硅烷中以摩爾％計上述式(I)所示的硅烷:上述式(2)所不的娃燒:上述式(3)所不的娃燒為45?90:6?20:4?35的比例含有各娃燒，
[0025]作為第5觀點，是根據(jù)第I觀點?第4觀點的任一項所述的半導體裝置的制造方法，在上述式(2)中，R2表示可以具有取代基的苯基，a表示整數(shù)I，
[0026]作為第6觀點，是根據(jù)第I觀點?第5觀點的任一項所述的半導體裝置的制造方法，在上述式(3)中，R4表示可以具有取代基的甲基，a表示整數(shù)I，
[0027]作為第7觀點，是根據(jù)第I觀點?第5觀點的任一項所述的半導體裝置的制造方法，在上述式(3)中，R4表示可以具有取代基的亞烷基異氰脲酸酯基，a表示整數(shù)1，以及
[0028]作為第8觀點，是根據(jù)第I觀點?第7觀點的任一項所述的半導體裝置的制造方法，上述取代基為烷氧基、具有被保護了的醇性羥基的有機基團、或烯丙基。
[0029]發(fā)明的效果
[0030]在本發(fā)明中，形成抗蝕劑下層膜的組合物包含水解性硅烷的水解縮合物，即聚有機硅氧烷結構，因此由該組合物形成的抗蝕劑下層膜可以在半導體裝置的制造中作為硬掩模和防反射膜起作用，此外，該抗蝕劑膜不易發(fā)生與抗蝕劑的混合，而且，在利用特定的蝕刻氣體進行干蝕刻時，具有比抗蝕劑大的干蝕刻速度。
[0031]因此，在通過本發(fā)明的方法來進行半導體裝置的制造的情況下，可以適合進行抗蝕劑膜的微細圖案化，特別是在使用通過有機溶劑進行顯影的抗蝕劑時，能夠使抗蝕劑膜形成良好的圖案。

【具體實施方式】
[0032]在本發(fā)明中，在基板上通過涂布法形成抗蝕劑下層膜，或隔著基板上的有機下層膜在其上通過涂布法形成抗蝕劑下層膜，在該抗蝕劑下層膜上形成抗蝕劑膜(例如，光致抗蝕劑、電子束抗蝕劑、EUV抗蝕劑)。進而，通過曝光和顯影來形成抗蝕劑圖案，使用該抗蝕劑圖案對抗蝕劑下層膜進行干蝕刻來進行圖案的轉印，通過該圖案對基板進行加工，或通過蝕刻對有機下層膜進行圖案轉印，通過該有機下層膜進行基板的加工。
[0033]在形成微細的圖案方面，為了防止圖案倒塌，有使抗蝕劑膜厚變薄的傾向。由于抗蝕劑的薄膜化，因此如果用于向其下層所存在的膜轉印圖案的干蝕刻中蝕刻速度不比上層的膜高，則不能進行圖案轉印。在本發(fā)明中，在基板上隔著有機下層膜或不隔著有機下層膜，在其上被覆本申請抗蝕劑下層膜(含有無機系硅系化合物)，在其上依次被覆抗蝕劑膜(有機抗蝕劑膜)。有機系成分的膜和無機系成分的膜根據(jù)蝕刻氣體的選擇而干蝕刻速度大幅不同，有機系成分的膜用氧系氣體時干蝕刻速度變高，無機系成分的膜用含有鹵素的氣體時干蝕刻速度變高。
[0034]例如形成抗蝕劑圖案，將其下層所存在的本申請抗蝕劑下層膜用含有鹵素的氣體進行干蝕刻來將圖案轉印至抗蝕劑下層膜，以轉印至該抗蝕劑下層膜的圖案使用含有鹵素的氣體來進行基板加工?；蛘撸褂棉D印有圖案的抗蝕劑下層膜，將其下層的有機下層膜用氧系氣體進行干蝕刻來對有機下層膜進行圖案轉印，用該轉印有圖案的有機下層膜，使用含有鹵素的氣體進行基板加工。
[0035]在本發(fā)明中，該抗蝕劑下層膜作為硬掩模起作用。本發(fā)明的硅烷結構中的烷氧基、酰氧基、齒原子等水解性基團水解或部分水解，然后通過硅烷醇基的縮合反應來形成聚硅氧烷結構的聚合物。該聚有機硅氧烷結構具有作為硬掩模的充分的作用。
[0036]本發(fā)明中使用的水解性硅烷化合物通過水解以及接下來的縮合反應，從而形成聚有機硅氧烷。
[0037]通過本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物獲得的抗蝕劑下層膜在上涂抗蝕劑為溶劑顯影用抗蝕劑的情況下發(fā)揮效果。例如如果在使用正型抗蝕劑的情況下進行溶劑顯影，則由于未曝光部分為非水溶性，因此能夠通過溶劑來除去。在使用負型抗蝕劑的情況下，未曝光部分具有非交聯(lián)結構，能夠通過溶劑來除去。在除去溶劑的工序中，通過在抗蝕劑的下層使用由上述硅烷獲得的聚硅氧烷，從而獲得良好的抗蝕劑形狀。
[0038]而且，聚有機硅氧烷結構(中間膜)在其下所存在的有機下層膜的蝕刻、基板的加工(蝕刻)中作為硬掩模是有效的。即，基板加工時，有機下層膜對于氧系干蝕刻氣體具有充分的耐干蝕刻性。
[0039]本發(fā)明為一種半導體裝置的制造方法，其包括下述工序:工序(A)，將形成抗蝕劑下層膜的組合物涂布在基板上，進行烘烤來形成抗蝕劑下層膜，所述形成抗蝕劑下層膜的組合物包含水解性硅烷、其水解物、其水解縮合物、或它們的組合，該硅烷為式(I)所示的硅烷、式(2)所示的硅烷和式(3)所示的硅烷，在全部硅烷中以摩爾％計上述式(I)所示的娃燒:上述式⑵所示的娃燒:上述式(3)所示的娃燒為45?90:6?20:0?35的比例含有各硅烷；工序(B)，在上述下層膜上涂布抗蝕劑用組合物，形成抗蝕劑膜；工序(C)，將上述抗蝕劑膜進行曝光；工序(D)，曝光后將抗蝕劑膜用有機溶劑顯影，獲得抗蝕劑圖案；和工序(E)，利用抗蝕劑圖案對抗蝕劑下層膜進行蝕刻，利用被圖案化了的抗蝕劑下層膜對基板進行加工。
[0040]此外，本發(fā)明為一種半導體裝置的制造方法，其包括下述工序:工序(A’)，在基板上形成有機下層膜，在該有機下層膜上涂布形成抗蝕劑下層膜的組合物，進行烘烤來形成抗蝕劑下層膜，所述形成抗蝕劑下層膜的組合物包含水解性硅烷、其水解物、其水解縮合物、或它們的組合，該硅烷為式⑴所示的硅烷、式⑵所示的硅烷和式⑶所示的硅烷，在全部娃燒中以摩爾％計上述式(I)所示的娃燒:上述式(2)所示的娃燒:上述式(3)所示的硅烷為45?90:6?20:0?35的比例含有各硅烷；工序(B)，在上述下層膜上涂布抗蝕劑用組合物，形成抗蝕劑膜；工序(C)，將上述抗蝕劑膜進行曝光；工序(D)，曝光后將抗蝕劑膜用有機溶劑顯影，獲得抗蝕劑圖案；和工序(E’)，利用抗蝕劑圖案對抗蝕劑下層膜進行蝕刻，利用被圖案化了的抗蝕劑下層膜對有機下層膜進行蝕刻，利用被圖案化了的有機下層膜對基板進行加工。
[0041]上述硅烷可以在全部硅烷中以摩爾％計上述式(I)所示的硅烷:上述式(2)所示的硅烷:上述式⑶所示的硅烷為70?90:10?20:0?20的比例含有各硅烷。
[0042]此外，上述硅烷可以在全部硅烷中以摩爾％計上述式(I)所示的硅烷:上述式(2)所不的娃燒:上述式(3)所不的娃燒為45?90:6?20:4?35的比例含有各娃燒。
[0043]上述水解性硅烷、其水解物和其水解縮合物還可以以它們的混合物的方式使用?？梢砸詫⑺庑怨柰樗猓瑢⑺玫乃馕锟s合而成的縮合物使用。在獲得水解縮合物時水解沒有完全結束的部分水解物、硅烷化合物混合在水解縮合物中，還可以使用該混合物。該縮合物為具有聚硅氧烷結構的聚合物。
[0044]本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物包含上述水解性有機硅烷、其水解物、其水解縮合物、或它們的組合與溶劑。而且作為任意成分，可以包含酸、水、醇、固化催化劑、產(chǎn)酸齊?、其它有機聚合物、吸光性化合物和表面活性劑等。
[0045]本發(fā)明的形成抗蝕劑下層膜的組合物中的固體成分為例如0.5~50質量％、I~30質量％或I~25質量％。這里所謂固體成分，為從形成(抗蝕劑下層膜)膜的組合物的全部成分中除去溶劑成分后的成分。
[0046]水解性有機硅烷、其水解物和其水解縮合物在固體成分中所占的比例為20質量％以上,例如為50~100質量％、60~100質量％、70~100質量％。
[0047]在式(I)所示的水解性硅烷中，R1表示烷氧基、酰氧基或鹵原子。
[0048]作為上述烷氧基，可舉出碳原子數(shù)I~20的具有直鏈、支鏈、環(huán)狀的烷基部分的烷氧基，可舉出例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、1-甲基-正丁氧基、2-甲基-正丁氧基、3-甲基-正丁氧基、1，1-二甲基_正丙氧基、1，2- 二甲基_正丙氧基、2，2- 二甲基_正丙氧基、1_乙基_正丙氧基、正己基氧基、1_甲基-正戍基氧基、2-甲基-正戍基氧基、3-甲基-正戍基氧基、4-甲基-正戍基氧基、I, 1- 二甲基_正丁氧基、I, 2- 二甲基_正丁氧基、I, 3- 二甲基_正丁氧基、2，2_ _.甲基-正丁氧基、2，3- 二甲基-正丁氧基、3，3- 二甲基-正丁氧基、1-乙基-正丁氧基、2_乙基-正丁氧基、I, I, 2_ 二甲基-正丙氧基、1，2，2，- 二甲基-正丙氧基、1-乙基-1-甲基_正丙氧基和1_乙基甲基_正丙氧基等。
[0049]式(I)所示的水解性硅烷的R1的酰氧基可舉出碳原子數(shù)2~20的酰氧基，可舉出例如甲基擬氧基、乙基擬氧基、正丙基擬氧基、異丙基擬氧基、環(huán)丙基擬氧基、正丁基擬氧基、異丁基羰氧基、仲丁基羰氧基、叔丁基羰氧基、環(huán)丁基羰氧基、1-甲基-環(huán)丙基羰氧基、
2-甲基-環(huán)丙基擬氧基、 正戍基擬氧基、1-甲基_正丁基擬氧基、2-甲基-正丁基擬氧基、
3-甲基-正丁基擬氧基、I,1- 二甲基_正丙基擬氧基、I, 2- 二甲基-正丙基擬氧基、2，2- 二甲基-正丙基羰氧基、1-乙基-正丙基羰氧基、環(huán)戊基羰氧基、1-甲基-環(huán)丁基羰氧基、
2-甲基-環(huán)丁基羰氧基、3-甲基-環(huán)丁基羰氧基、1，2- 二甲基-環(huán)丙基羰氧基、2，3- 二甲基-環(huán)丙基羰氧基、1-乙基-環(huán)丙基羰氧基、2-乙基-環(huán)丙基羰氧基、正己基羰氧基、1-甲基_正戍基擬氧基、甲基-正戍基擬氧基、3-甲基-正戍基擬氧基、4-甲基-正戍基擬氧基、1，1_ 二甲基_正丁基擬氧基、1,2-二甲基-正丁基擬氧基、1,3-二甲基-正丁基擬氧基、2，2- 二甲基-正丁基羰氧基、2，3- 二甲基-正丁基羰氧基、3，3- 二甲基-正丁基羰氧基、1-乙基_正丁基擬氧基、2-乙基-正丁基擬氧基、I, I, 2- 二甲基-正丙基擬氧基等。
[0050]作為式⑴所示的水解性硅烷的R1的鹵原子，可舉出氟、氯、溴、碘等。
[0051]式(I)所示的水解性硅烷的R1所示的烷氧基、酰氧基和鹵原子等水解基優(yōu)選為甲氧基、乙氧基等烷氧基，特別是可以使用乙氧基。
[0052]在式(2)所示的水解性硅烷中，R2為可以具有取代基的包含苯環(huán)的有機基團并且R2通過S1-C鍵與硅原子結合。
[0053]在式⑵中，可以使a為整數(shù)I。此外，R2作為可以具有取代基的包含苯環(huán)的有機基團，可舉出可以具有取代基的苯基、可以具有取代基的苯環(huán)與亞烷基的組合。該亞烷基可舉出與以下所例示的烷基對應的亞烷基。
[0054]此外，還可以使用在式⑵中，a為2的1，4_雙(三甲氧基甲硅烷基)苯等雙硅烷化合物。
[0055]作為可以在R2中使用的取代基，為烷氧基、或具有被保護了的醇的有機基團。
[0056]該烷氧基可以例不上述烷氧基?？梢允褂美缂籽趸⒁已趸?、異丙氧基。
[0057]此外，作為具有被保護了的醇的有機基團，可以例示烷氧基被烷氧基取代了的基團，可舉出烷氧基烷氧基。烷氧基烷氧基中烷氧基可舉出上述例示，
[0058]該烷氧基烷氧基可舉出例如，甲氧基甲氧基、乙氧基乙氧基、乙氧基甲氧基等。
[0059]式(2)的R3所使用的烷氧基、酰氧基和鹵原子等水解基可以例示上述。
[0060]式(2)所示的水解性硅烷的R3所示的烷氧基、酰氧基和鹵原子等水解基優(yōu)選為甲氧基、乙氧基等烷氧基，特別是可以使用甲氧基。
[0061]式(2)所示的化合物還可以包含以下化合物。
[0062]

【權利要求】
1.一種半導體裝置的制造方法，其包括下述工序: 工序(A)，將形成抗蝕劑下層膜的組合物涂布在基板上，進行烘烤來形成抗蝕劑下層膜，所述形成抗蝕劑下層膜的組合物包含水解性硅烷、其水解物、其水解縮合物、或它們的組合，該水解性硅烷為下述式⑴所示的硅烷、式⑵所示的硅烷和式⑶所示的硅烷，在全部硅烷中以摩爾％計下述式(I)所示的硅烷:下述式(2)所示的硅烷:下述式(3)所示的硅烷為45?90:6?20:0?35的比例含有各硅烷； 工序(B)，在所述下層膜上涂布抗蝕劑用組合物，形成抗蝕劑膜； 工序(C)，將所述抗蝕劑膜進行曝光； 工序(D)，曝光后將抗蝕劑膜用有機溶劑顯影，獲得被圖案化了的抗蝕劑膜；和 工序(E)，利用被圖案化了的抗蝕劑膜對所述抗蝕劑下層膜進行蝕刻，利用被圖案化了的抗蝕劑下層膜對基板進行加工， Si(R1)4式(I) R2 (Si(R3)3) a 式⑵ R4 (Si(R5)3)b 式⑶ 式中，R\ R3, R5表示烷氧基、酰氧基或鹵原子，R2表示可以具有取代基的包含苯環(huán)的有機基團并且R2通過S1-C鍵與硅原子結合，R4表示可以具有取代基的包含烴的有機基團并且R4通過S1-C鍵與硅原子結合，a表示I?3的整數(shù)，b表示I?3的整數(shù)。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，工序(A)為在基板上形成有機下層膜，在該有機下層膜上涂布權利要求1中記載的形成抗蝕劑下層膜的組合物，進行烘烤來形成抗蝕劑下層膜的工序(A’)，并且工序(E)為利用被圖案化了的抗蝕劑膜對抗蝕劑下層膜進行蝕刻，利用被圖案化了的抗蝕劑下層膜對有機下層膜進行蝕刻，利用被圖案化了的有機下層膜對基板進行加工的工序(E’)。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，所述形成抗蝕劑下層膜的組合物，在全部硅烷中以摩爾％計所述式⑴所示的硅烷:所述式⑵所示的硅烷:所述式(3)所示的硅烷為70?90:10?20:0?20的比例含有各硅烷。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，所述形成抗蝕劑下層膜的組合物，在全部硅烷中以摩爾％計所述式⑴所示的硅烷:所述式⑵所示的硅烷:所述式(3)所不的娃燒為45?90:6?20:4?35的比例含有各娃燒。
5.根據(jù)權利要求1?4的任一項所述的半導體裝置的制造方法，在所述式(2)中，R2表不可以具有取代基的苯基，a表不整數(shù)I。
6.根據(jù)權利要求1?5的任一項所述的半導體裝置的制造方法，在所述式(3)中，R4表示可以具有取代基的甲基，a表示整數(shù)I。
7.根據(jù)權利要求1?5的任一項所述的半導體裝置的制造方法，在所述式(3)中，R4表示可以具有取代基的亞烷基異氰脲酸酯基，a表示整數(shù)I。
8.根據(jù)權利要求1?7的任一項所述的半導體裝置的制造方法，所述取代基為烷氧基、具有被保護了的醇性羥基的有機基團、或烯丙基。
【文檔編號】G03F7/40GK104081282SQ201380007256
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2013年1月23日 優(yōu)先權日:2012年2月1日
【發(fā)明者】武田諭, 中島誠, 菅野裕太, 若山浩之 申請人:日產(chǎn)化學工業(yè)株式會社