欧美在线观看视频网站,亚洲熟妇色自偷自拍另类,啪啪伊人网,中文字幕第13亚洲另类,中文成人久久久久影院免费观看 ,精品人妻人人做人人爽,亚洲a视频

高對比度透射式硅基液晶微顯示屏的制備方法

文檔序號:2704338閱讀:260來源:國知局
高對比度透射式硅基液晶微顯示屏的制備方法
【專利摘要】一種高對比度透射式硅基液晶微顯示屏的制備方法,其特征是通過在微顯示屏的透明硅基驅(qū)動背板反面,在像素的驅(qū)動單元和走線處,制作鉻/氧化鉻遮光線條,減少像素之間的發(fā)光串?dāng)_,提高顯示屏的對比度。本發(fā)明通過制作遮光層一方面減少了像素間的光學(xué)串?dāng)_,提高了顯示屏的對比度;另一方面遮光層避免了強(qiáng)背光源照射驅(qū)動像素單元的晶體管而導(dǎo)致晶體管性能劣化,提高了微顯示驅(qū)動背板及顯示屏的可靠性。
【專利說明】高對比度透射式硅基液晶微顯示屏的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種液晶顯示技術(shù),尤其是一種提高透射式硅基液晶微顯示屏對比度的技術(shù),具體地說是一種通過制造和結(jié)構(gòu)改進(jìn)來提高對比度的高對比度透射式硅基液晶微顯示屏的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]眾所周知,透射式硅基液晶微顯示屏是直接將背光源放置于液晶器件一側(cè),另外一側(cè)放置光學(xué)系統(tǒng)或者直接觀察,具有光路簡單、結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、重量輕等優(yōu)勢,同時也具有集成度高、分辨率高等優(yōu)勢特點(diǎn)。
[0003]為了提高對比度,液晶顯示器件必須需要制作遮光層,一般的透射式液晶器件是將遮光層制作在濾色器透明基板一側(cè),像素的特征尺寸在幾百微米,貼合精度可以做到幾十微米就可以。但是微顯示器件的像素單元的特征尺寸在數(shù)微米量級,對驅(qū)動背板和濾色器基板的貼合精度提出很高的要求,要做到亞微米精度,工藝難度非常大,導(dǎo)致高對比度的透射式硅基液晶微顯示屏的成本居高不下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有的透射式硅基液晶微顯示屏由于受像素單元特征尺寸的限制對驅(qū)動背板和濾色器基板帖合精度要求高,制造難度大、導(dǎo)致對比度難以提高的問題,發(fā)明一種全新的高對比度透射式硅基液晶微顯示屏的制備方法,它通過使用半導(dǎo)體光刻的套刻工藝,制備的遮光層與像素單元間達(dá)到亞微米量級的對位精度,同時通過在驅(qū)動背板的反面,對應(yīng)于像素驅(qū)動單元的走線和晶體管處制備低透過率的遮光層金屬細(xì)線,實(shí)現(xiàn)對相鄰像素單元間的光學(xué)隔離,不僅減少了像素間的光學(xué)串?dāng)_,有利于提高顯示屏的對比度,而且遮光層還可以保護(hù)晶體管使其不受強(qiáng)背光源照射,進(jìn)一步提高了可靠性。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案是:
一種高對比度透射式硅基液晶微顯示屏的制備方法,其特征是它包括以下步驟:
1)選擇SOI(SILICON ON INSULATOR)硅片作為驅(qū)動背板的制作基板,所述的SOI硅片由襯底硅層、二氧化硅絕緣層和器件硅層構(gòu)成,器件硅層位于頂層,二氧化硅絕緣層位于襯底硅層和器件硅層之間;
2)在器件硅層上制作IC驅(qū)動電路及像素單元晶體管電路,并在電路的底層金屬布線層上加入光刻套刻標(biāo)記,得到有源驅(qū)動背板;
3)將有源驅(qū)動背板通過臨時粘接膠與表面處理過的臨時基板粘接;
4)先通過機(jī)械減薄,再通過選擇性刻蝕將襯底硅層去除掉;
5)在露出的二氧化硅絕緣層上制備鉻/氧化鉻遮光層;
6)通過光刻套刻及選擇性刻蝕圖形化遮光層,露出需要透光的部分,在對應(yīng)像素單元之間形成遮光線條;
7)將驅(qū)動背板轉(zhuǎn)移到透明基板并且固定,去掉臨時基板,形成有遮光功能的透明有源驅(qū)動背板;
8)將有遮光功能的透明有源驅(qū)動背板和另外透明基板貼合,完成高對比度透射式硅基液晶微顯示屏的制作。
[0006]所述的二氧化硅絕緣層的厚度為0.?Μπι,器件硅層厚度為0.2^1.0Mm。
[0007]有源驅(qū)動背板包括像素單元晶體管陣列和周邊驅(qū)動控制電路部分。
[0008]所述的套刻標(biāo)記置于IC驅(qū)動電路的底層金屬布線層。
[0009]所述的粘接是SOI硅片與表面處理過的臨時基板的臨時粘接。
[0010]所述的機(jī)械減薄為帶有邊緣切邊的機(jī)械減薄,終止厚度為50-100Mm。
[0011]所述的選擇性刻蝕為等離子體干法ICP刻蝕,并利用二氧化硅絕緣層作為硅刻蝕的終止層,完成襯底硅的去除。 [0012]本發(fā)明的有益效果:
本發(fā)明通過制備的低透過率遮光層金屬細(xì)線,實(shí)現(xiàn)了對相鄰像素單元間的光學(xué)隔離,不僅能減少像素間的光學(xué)串?dāng)_,提高顯示屏的對比度;同時遮光層可以保護(hù)晶體管使其不受強(qiáng)背光源照射。遮光層還能避免強(qiáng)背光源照射驅(qū)動像素單元的晶體管而導(dǎo)致晶體管性能劣化現(xiàn)象的發(fā)生,提高了微顯示驅(qū)動背板及顯示屏的可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是本發(fā)明采用的SOI硅片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖2是在圖1所示的SOI硅片上制作的像素單元晶體管及光刻套刻標(biāo)記的剖面示意圖。
[0015]圖3是SOI硅片的電路面用臨時粘接膠與處理過的臨時基板粘接的剖面示意圖。
[0016]圖4是將SOI硅片的襯底硅減薄后的剖面示意圖。
[0017]圖5是在減薄后的SOI硅片上制備遮光層的剖面示意圖。
[0018]圖6是制作有遮光層的有源驅(qū)動背板的剖面示意圖。
[0019]圖7是制作有遮光層的驅(qū)動基板粘接到透明基板的示意圖。
[0020]圖8是制作有帶遮光層的透明硅基液晶驅(qū)動基板示意圖。
[0021]圖9是本發(fā)明方法制作的透明硅基液晶屏的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
[0023]如圖1-9所示。
[0024]一種高對比度透射式硅基液晶微顯示屏的制備方法,它包括以下步驟:
1)選擇SOI硅片作為IC器件制作的基板,所述的SOI硅片如圖1所示,由襯底硅層3、二氧化硅絕緣層2和器件硅層I構(gòu)成,其中二氧化硅絕緣層的厚度可為0.?Μπι,器件硅層的厚度可為0.2^1.0Mm,器件硅層I位于頂層用于制作IC器件,二氧化硅絕緣層2位于襯底硅層3和器件硅層I之間,起到刻蝕阻擋和終止層的作用;
2)在器件硅層I上制作如圖2所示的IC器件;主要包括透射式硅基像素單元矩陣陣列、周邊的驅(qū)動控制電路等,其主要的IC器件就是MOS晶體管開關(guān)器件,包括源4、漏5、柵極6以及金屬電極7等。金屬電極引出并在布線層進(jìn)行互聯(lián),通過金屬互聯(lián)制作像素電極8,主要是ITO透明電極,以及介質(zhì)層10,在第一層金屬互聯(lián)層上制備光刻套刻標(biāo)記9。
[0025]3)對臨時基板12表面進(jìn)行處理,如圖3所示將制作電路的絕緣層上硅片通過臨時粘接膠11與表面處理過的基板12進(jìn)行邊緣粘接;
4)先通過邊緣研磨去除硅片邊緣,再通過機(jī)械減薄工藝將襯底硅I減薄至50μπι,然后通過干法刻蝕工藝將硅片刻蝕至二氧化硅層2,如圖4所示;
5)在露出的二氧化硅絕緣層上制備鉻/氧化鉻遮光層13,如圖5所示;
6)通過光刻套刻及選擇性刻蝕圖形化遮光層,露出需要透光的部分,在對應(yīng)像素單元之間形成遮光線條14,如圖6所示;
7)使用光學(xué)膠15將上述遮光層與透明基板16進(jìn)行永久固定粘接,如圖7所示;使用的光學(xué)膠應(yīng)考慮光學(xué)膠的光學(xué)透過率、耐候性、與器件硅層上面的各種材料不能發(fā)生反應(yīng)并且粘接牢固、粘接后應(yīng)力小、不能廣生形變和翅曲等不良缺陷等關(guān)鍵因素。
[0026](8)使用解膠液浸泡溶解臨時粘接膠11,使IC硅片I邊緣與臨時基板12分離,再通過解鍵合設(shè)備使IC硅片I與臨時基板12徹底分離,并清洗其上殘余的粘接膠11,得到帶有遮光層的透明IC器件的驅(qū)動背板,如圖8所示。
[0027](9)帶有遮光層的透明驅(qū)動背板與另外一片帶有公共ITO電極19的透明基板17通過粘接膠20貼合,灌注液晶21,上下基板貼偏光片18形成液晶微顯示屏,如圖9所示。
[0028]本發(fā)明制備的帶有遮光層的硅基液晶IC驅(qū)動背板用于透射式硅基液晶顯示屏,可減少顯示屏像素間串?dāng)_,大幅度提高顯示屏的對比度,并且避免驅(qū)動晶體管受強(qiáng)背光源的照射,提高顯示屏可靠性。
[0029]本發(fā)明未涉及部分均與現(xiàn)有技術(shù)相同或可采用現(xiàn)有技術(shù)加以實(shí)現(xiàn)。
【權(quán)利要求】
1.一種高對比度透射式硅基液晶微顯示屏的制備方法,其特征是它包括以下步驟: 1)選擇SOI硅片作為驅(qū)動背板的制作基板,所述的SOI硅片由襯底硅層、二氧化硅絕緣層和器件娃層構(gòu)成,器件娃層位于頂層,二氧化娃絕緣層位于襯底娃層和器件娃層之間; 2)在器件硅層上制作IC驅(qū)動電路及像素單元晶體管電路,并在電路的底層金屬布線層上加入光刻套刻標(biāo)記,得到有源驅(qū)動背板; 3)將有源驅(qū)動背板通過臨時粘接膠與表面處理過的臨時基板粘接; 4)先通過機(jī)械減薄,再通過選擇性刻蝕將襯底硅層去除掉; 5)在露出的二氧化硅絕緣層上制備鉻/氧化鉻遮光層; 6)通過光刻套刻及選擇性刻蝕圖形化遮光層,露出需要透光的部分,在對應(yīng)像素單元之間形成遮光線條; 7)將有源驅(qū)動背板轉(zhuǎn)移到透明基板并且固定,去掉臨時基板,形成有遮光功能的透明有源驅(qū)動背板; 8)將有遮光功能的透明有源驅(qū)動背板和另外一塊透明基板貼合,完成高對比度透射式硅基液晶微顯示屏的制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是所述的二氧化硅絕緣層的厚度為0.4~?μπι,器件硅層厚度為0.2^1.0Mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是有源驅(qū)動背板包括像素單元晶體管陣列和周邊驅(qū)動控制電路部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是所述的套刻標(biāo)記置于IC驅(qū)動電路的底層金屬布線層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是所述的粘接是SOI硅片與表面處理過的臨時基板的臨時粘接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是所述的機(jī)械減薄為帶有邊緣切邊的機(jī)械減薄,終止厚度為50-100Mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征是所述的選擇性刻蝕為等離子體干法ICP刻蝕,并利用二氧化硅絕緣層作為硅刻蝕的終止層,完成襯底硅的去除。
【文檔編號】G02F1/1333GK103744212SQ201310672477
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2013年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月12日
【發(fā)明者】楊洪寶, 李超, 王緒豐, 樊衛(wèi)華, 鐵斌, 陳建軍, 余雷 申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點(diǎn)贊!
1
谢通门县| 江阴市| 嘉义市| 门源| 马公市| 定陶县| 新化县| 镇赉县| 紫阳县| 富顺县| 蓝田县| 临城县| 凤冈县| 蕲春县| 宜州市| 镇远县| 罗源县| 沙田区| 陵水| 比如县| 南召县| 水富县| 响水县| 高邑县| 崇阳县| 南溪县| 米脂县| 苏尼特左旗| 临猗县| 临安市| 沧源| 古田县| 嘉荫县| 台北县| 儋州市| 朝阳县| 武清区| 莱州市| 灵台县| 乃东县| 如皋市|