基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法，所述基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法通過在進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正和工藝偏差圖形模擬之前，增加對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾的步驟，不僅能夠縮短版圖設(shè)計(jì)時(shí)光刻工藝友善性檢查的耗時(shí)，減少軟件和硬件的使用成本，而且檢查結(jié)果與現(xiàn)有技術(shù)的方法能夠?qū)崿F(xiàn)很好的匹配，從而實(shí)現(xiàn)在版圖設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)工藝熱點(diǎn)區(qū)域的快速準(zhǔn)確查找。
【專利說明】基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及可制造性圖形設(shè)計(jì)領(lǐng)域(DFM, Design For Manufacture),特別涉及一種基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前集成電路生產(chǎn)工藝中，首先根據(jù)設(shè)計(jì)好的版圖制作掩膜版，然后通過光刻技術(shù)將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上，由于亞波長光刻技術(shù)中光學(xué)臨近效應(yīng)(OPE)的影響，掩膜版的版圖最終轉(zhuǎn)移到晶圓上時(shí)，將產(chǎn)生較大的失真。雖然可以使用各種分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)，如光學(xué)臨近修正(0PC)，相移掩膜(PSM)等提高光刻的精度，但由于設(shè)計(jì)不當(dāng)或RET技術(shù)本身的限制等原因,最終晶圓上的電路仍可能會(huì)出現(xiàn)Line Pinch(線夾斷)Line Bridge(線連接)Hole Overlap Missing (接孔不良)等不良現(xiàn)象,掩膜版上的版圖中可能導(dǎo)致這些現(xiàn)象的區(qū)域成為光刻熱點(diǎn)區(qū)域，光刻熱點(diǎn)區(qū)域可能會(huì)影響最終電路的性能甚至導(dǎo)致功能的失效，因此應(yīng)在芯片生產(chǎn)之前找出并加以修正，光刻熱點(diǎn)檢測(cè)是可制造性設(shè)計(jì)(DFM)中的一項(xiàng)重要技術(shù)。
[0003]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法的流程示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中常用的光刻熱點(diǎn)檢查方法如基于設(shè)計(jì)規(guī)則的方法一般對(duì)所有圖形數(shù)據(jù)做精確的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正，并且生成整個(gè)芯片的模擬圖形在整個(gè)芯片范圍內(nèi)來查光刻工藝熱點(diǎn)區(qū)域的圖形。該方法雖然能準(zhǔn)確的找到工藝熱點(diǎn)，但是整個(gè)過程的軟件計(jì)算和使用時(shí)間會(huì)很長，相應(yīng)的生產(chǎn)成本也比較高，并且不利于代工廠的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查套件在設(shè)計(jì)公司的應(yīng)用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法，以縮短版圖設(shè)計(jì)時(shí)光刻工藝友善性檢查的耗時(shí)，減少軟件和硬件的使用成本，最終實(shí)現(xiàn)在版圖設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)工藝熱點(diǎn)區(qū)域的快速準(zhǔn)確查找。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法，包括以下步驟:
[0006]提供原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)，并對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾，確定潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域；
[0007]將所述潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域的圖形數(shù)據(jù)產(chǎn)生光刻目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)；
[0008]對(duì)所述光刻目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行完整的光學(xué)臨近效應(yīng)修正；
[0009]對(duì)光學(xué)臨近修正后的光刻目標(biāo)圖形進(jìn)行工藝偏差圖形模擬，模擬的區(qū)域范圍與光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的區(qū)域范圍相同；
[0010]進(jìn)行熱點(diǎn)檢查,生成各項(xiàng)檢查的熱點(diǎn)位置標(biāo)記；
[0011]生成最終的熱點(diǎn)位置索引文件。
[0012]進(jìn)一步的，所述對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾的步驟用以尋找存在線夾斷、線連接、接孔不良及由于短延伸的L形狀設(shè)計(jì)造成的晶體管溝道長度或者溝道寬度不均勻性的工藝熱點(diǎn)區(qū)域。
[0013]進(jìn)一步的，在對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾的步驟包括，尋找所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)中具有凸角或凹角的圖形，對(duì)所述凸角或凹角的頂點(diǎn)進(jìn)行切邊，根據(jù)切邊的受限情況生成矩形區(qū)域，進(jìn)而生成潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域。
[0014]進(jìn)一步的，在根據(jù)切邊的受限情況生成矩形區(qū)域的步驟包括:當(dāng)所述凸角或凹角的頂點(diǎn)附近的切邊與鄰近的圖形的間距小于等于規(guī)則尺寸，則確定為受限切邊；當(dāng)一凸角或凹角的頂點(diǎn)附近的兩條切邊均為受限切邊，則確定為受限矩形；根據(jù)受限矩形生成所述矩形區(qū)域。
[0015]進(jìn)一步的，在用以尋找存在線夾斷、線連接、接觸孔不良的工藝熱點(diǎn)區(qū)域的過濾過程中，所述規(guī)則尺寸為最小設(shè)計(jì)線或隙尺寸的1.1倍為最小設(shè)計(jì)線或隙尺寸的1.1倍。
[0016]進(jìn)一步的，所述凸角或凹角的頂點(diǎn)處的切邊的長度小于最小設(shè)計(jì)線或隙尺寸的0.5 倍。
[0017]進(jìn)一步的，所述凸角或凹角的頂點(diǎn)處的切邊的長度為最小設(shè)計(jì)線或隙尺寸的0.4
倍?0.45倍。
[0018]進(jìn)一步的，在根據(jù)受限矩形生成所述矩形區(qū)域的步驟包括:當(dāng)受限矩形與待檢圖形相交時(shí)，則其待檢圖形所在區(qū)域即生成所述矩形區(qū)域。
[0019]進(jìn)一步的，在用以尋找由于短延伸的L形狀設(shè)計(jì)造成的晶體管溝道長度或者溝道寬度不均勻性的工藝熱點(diǎn)區(qū)域的過程中，所述凸角或凹角的頂點(diǎn)處的切邊的長度大于設(shè)計(jì)規(guī)則尺寸的最小延伸值。
[0020]進(jìn)一步的，所述潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域的大小為所述矩形區(qū)域的每邊放大最小設(shè)計(jì)規(guī)則尺寸的1.5倍后生成的區(qū)域。
[0021]進(jìn)一步的，對(duì)所述光刻目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行完整的光學(xué)臨近效應(yīng)修正的步驟中，光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的區(qū)域?yàn)樗鰸撛诠に嚐狳c(diǎn)區(qū)域的圖形每邊放大一個(gè)光暈大小，所述光暈的取值要大于等于光學(xué)模型半徑。
[0022]進(jìn)一步的，對(duì)光學(xué)臨近修正后的光刻目標(biāo)圖形進(jìn)行工藝偏差圖形模擬的步驟中，工藝偏差圖形模擬的區(qū)域與光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的區(qū)域相同。
[0023]綜上所述，本發(fā)明所述基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法通過在進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正和工藝偏差圖形模擬之前，增加對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾的步驟，不僅能夠縮短版圖設(shè)計(jì)時(shí)光刻工藝友善性檢查的耗時(shí)，減少軟件和硬件的使用成本，而且檢查結(jié)果與現(xiàn)有技術(shù)的方法能夠?qū)崿F(xiàn)很好的匹配，從而實(shí)現(xiàn)在版圖設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)工藝熱點(diǎn)區(qū)域的快速準(zhǔn)確查找。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法的流程示意圖。
[0025]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法的流程示意圖。
[0026]圖3 (a)?圖3 (f)為本發(fā)明基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法中對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾的一實(shí)施例。[0027]圖4 (a)~圖4 (e)為本發(fā)明基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法中對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾的另一實(shí)施例。
[0028]圖5 (a)~圖5 (g)為本發(fā)明基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法中對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾的又一實(shí)施例。
[0029]圖6為本發(fā)明基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法中過濾后的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正區(qū)域和圖形模擬區(qū)域的一實(shí)施例。
[0030]圖7 (a)~圖7 (C)為本發(fā)明一實(shí)施例中基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法對(duì)實(shí)際原始目標(biāo)圖形示例的過濾過程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出的基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0032]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法的流程示意圖。如圖2所示，本發(fā)明提出的基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法包括以下步驟:[0033]步驟a:提供原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)，并對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾，確定潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域；
[0034]步驟b:將所述潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域的圖形數(shù)據(jù)產(chǎn)生光刻目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)；
[0035]步驟c:對(duì)所述光刻目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行完整的光學(xué)臨近效應(yīng)修正；
[0036]步驟d:對(duì)光學(xué)臨近修正后的光刻目標(biāo)圖形進(jìn)行工藝偏差圖形模擬，模擬的區(qū)域范圍與光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的區(qū)域范圍相同；
[0037]步驟e:進(jìn)行熱點(diǎn)檢查,生成各項(xiàng)檢查的熱點(diǎn)位置標(biāo)記；
[0038]步驟f:生成最終的熱點(diǎn)位置索引文件。
[0039]以下結(jié)合幾個(gè)實(shí)施例對(duì)所述基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法的步驟進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0040]步驟a:提供原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)，并對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾，確定潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域；
[0041]本發(fā)明的關(guān)鍵在于:在進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正和工藝偏差圖形模擬的步驟之前，對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾，確定潛在的工藝熱點(diǎn)區(qū)域，縮小進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正和工藝偏差圖形模擬的范圍，從而縮短版圖設(shè)計(jì)時(shí)光刻工藝友善性檢查的耗時(shí)，減少軟件和硬件的使用成本，最終實(shí)現(xiàn)在版圖設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)工藝熱點(diǎn)區(qū)域的快速準(zhǔn)確查找。
[0042]所述對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾的步驟可以用以尋找存在線夾斷、線連接、接孔不良及由于短延伸的L形狀設(shè)計(jì)造成的晶體管溝道長度或者溝道寬度不均勻性的工藝熱點(diǎn)區(qū)域。以下結(jié)合幾個(gè)實(shí)施例進(jìn)一步說明在步驟a中對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾的方法:
[0043]【實(shí)施例一】
[0044]圖3 (a)~圖3 (f)為本發(fā)明基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法中對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾一實(shí)施例，結(jié)合圖3 (a)~圖3 (f)，本實(shí)施例是利用對(duì)原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)中的凸角頂點(diǎn)附近的切邊(edge fragment)周圍的圖形來對(duì)原始數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾的方法，本實(shí)施例所述的過濾方法可以用于尋找線夾斷(Line Pinch)、線連接(Line Bridge)及接孔不良(Hole Overlap Missing)等類型的潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域。
[0045]例如在對(duì)原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾以找出接孔不良的潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域。圖3(a)為部分Ml (第一金屬連線)設(shè)計(jì)圖形，包括第一連接層(Ml) 11、接觸孔(CONTACT) 12和第一通孔層(VIA1)13。如圖3 (b)所示，選出圖形中凸角頂點(diǎn)的所有切邊14，其中，切邊14的長度小于版圖中線(line)最小設(shè)計(jì)尺寸的0.5倍，較佳的為0.4倍~0.45倍，這樣可以使相鄰的兩個(gè)切邊不會(huì)跨越整個(gè)線寬。接著，選出切邊受限制的情況，當(dāng)所述凸角的頂點(diǎn)附近的切邊與鄰近的圖形的間距小于等于規(guī)則尺寸，則確定為受限切邊15，這里的受限的間距，即規(guī)則尺寸設(shè)定為1.1倍隙(space)最小設(shè)計(jì)尺寸，也就是說，當(dāng)所述凸角的頂點(diǎn)附近的切邊與鄰近的圖形的間距小于等于隙(space)最小設(shè)計(jì)尺寸的1.1倍時(shí)，則確定為受限切邊15，從而形成如圖3 (C)所示。當(dāng)一凸角的頂點(diǎn)附近的兩條切邊均為受限切邊，則確定為受限矩形16，如圖3 (d)所示，對(duì)于兩個(gè)相交切邊都受限制的情況產(chǎn)生受限矩形16。如圖3 (e)所示，當(dāng)受限矩形與待檢圖形相交時(shí)，在本實(shí)施例中，即受限矩形與接觸孔相交時(shí)，該相交的接觸孔即生成矩形區(qū)域17。如圖3 (f)所示，其后放大該矩形區(qū)域17選出產(chǎn)生工藝熱點(diǎn)檢查區(qū)域18，在較佳的實(shí)施例中，放大方法為將該矩形區(qū)域17每邊放大1.5倍線最小設(shè)計(jì)尺寸。
[0046]【實(shí)施例二】
[0047]圖4 (a)~圖4 (e)為本發(fā)明基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法中對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾的另一實(shí)施例，結(jié)合圖4 (a)~圖4 (e)，本實(shí)施例是利用凹角頂點(diǎn)附近的切邊(edge fragment)周圍的圖形來對(duì)原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾的方法，這個(gè)方法可以用于尋找線夾斷(Line Pinch)和線連接(Line Bridge)等類型的工藝熱點(diǎn)。
[0048]圖4 (a)是一小部分Ml (第一金屬連線)的設(shè)計(jì)圖形，包括第一連接層11 (Ml)。如圖4(b)所示，首先選出凹角頂點(diǎn)附近的所有切邊22，其中，切邊22的長度可以為隙(space)最小設(shè)計(jì)尺寸的0.5倍，較佳的為0.4~0.45倍，這樣可以使相鄰的兩個(gè)切邊不會(huì)跨越整個(gè)隙寬。接著，選出切邊受限制的情況，當(dāng)所述凹角的頂點(diǎn)附近的切邊與鄰近的圖形的間距小于等于規(guī)則尺寸，則確定為受限切邊23，這里的受限的間距，即規(guī)則尺寸設(shè)定為1.1倍隙(space)最小設(shè)計(jì)尺寸，也就是說，也就是說，當(dāng)所述凹角的頂點(diǎn)附近的切邊與鄰近的圖形的間距小于等于隙(space)最小設(shè)計(jì)尺寸的1.1倍時(shí)，則確定為受限切邊23，從而形成如圖4 (c)所示。當(dāng)一凹角的頂點(diǎn)附近的兩條切邊均為受限切邊，則確定為受限矩形24，如圖4
(d)所示，對(duì)于兩個(gè)相交切邊都受限制的情況產(chǎn)生受限矩形24。如圖4 (e)所示，選定受限矩形24為矩形區(qū)域25，并放大該矩形區(qū)域25為工藝熱點(diǎn)檢查區(qū)域25，在較佳的實(shí)施例中，放大方法為將該矩形區(qū)域17每邊放大1.5倍線最小設(shè)計(jì)尺寸。
[0049]【實(shí)施例三】
[0050]圖5 (a)~圖5 (g)為本發(fā)明基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法中對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾的又一實(shí)施例，結(jié)合圖5 (a)~圖5 (g)，本實(shí)施例利用凹角頂點(diǎn)附近的切邊(edge fragment)周圍的圖形來對(duì)原始數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾的方法，可以用于尋找由于短延伸的L形狀設(shè)計(jì)造成的晶體管溝道長度或者溝道寬度不均性的潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域的過濾方法，這種工藝熱點(diǎn)會(huì)影響器件電學(xué)性能甚至失效，對(duì)于短溝道的晶體管的影響尤為厲害。
[0051]圖5(a)是小部分晶體管的平面設(shè)計(jì)，分別包括多晶層(Poly)31和有源區(qū)(ActiveArea)32。如圖5 (b)所示，首先選出柵區(qū)域33，其中有源區(qū)的寬度稱為溝道寬度(ChannelWidth)，多晶硅層的寬度稱為溝道長度(Channel Length)。圖5 (c)是過濾出溝道長度滿足窄溝道的有源區(qū)的邊34。接著，如圖5 (d)所示，選出有源區(qū)的寬度同時(shí)也滿足窄溝道尺寸的有源區(qū)的邊35。其后，如圖5 (e)所示，選出L形狀有源區(qū)的凹角頂點(diǎn)附近的切邊36，切邊36的長度取值要大于設(shè)計(jì)規(guī)則尺寸的最小延伸值，在本實(shí)施例中設(shè)計(jì)規(guī)則的尺寸為關(guān)于L形狀有源區(qū)對(duì)多晶硅層的最小延伸值。其后，如圖5 (f)所示，選出圖5 (d)和圖5
(e)有重邊的柵區(qū)有源區(qū)的邊37。接著，如圖5 (g)，選出相應(yīng)的溝道寬度區(qū)域38，其中，本實(shí)施例中所述的窄溝道的定義參考具體工藝過程的器件的設(shè)計(jì)值和性能考量，不再贅述。
[0052]上述為對(duì)溝道寬度的圖形過濾過程，對(duì)于溝道長度的圖形過濾方法和參數(shù)設(shè)定原則與溝道寬度的圖形過濾過程相同。
[0053]接著，步驟b:將所述潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域的圖形數(shù)據(jù)產(chǎn)生光刻目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)；光刻目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)是用于后續(xù)進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的區(qū)域和圖形模擬的區(qū)域圖形數(shù)據(jù)，圖6為本發(fā)明基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法中過濾后的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正區(qū)域和圖形模擬區(qū)域的一實(shí)施例。結(jié)合圖6，將步驟a中生成的工藝熱點(diǎn)檢查區(qū)域41每邊放大一個(gè)Halo尺寸，即生成光刻目標(biāo)圖形區(qū)域42及其相應(yīng)的數(shù)據(jù)，即為后續(xù)步驟c和步驟d進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的區(qū)域和圖形模擬區(qū)域，其中工藝偏差圖形模擬的區(qū)域范圍與光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的區(qū)域范圍相同。在較佳的實(shí)施例中，Halo的合理值應(yīng)該大于等于光學(xué)模型半徑，當(dāng)然考慮避免模擬計(jì)算時(shí)間過長，不能太大。
[0054]圖7 (a)?圖7 (C)為本發(fā)明一實(shí)施例中基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法對(duì)實(shí)際原始目標(biāo)圖形示例的過濾過程示意圖。結(jié)合圖7 (a)?圖7 (C)，這里是一個(gè)實(shí)際的版圖示例關(guān)于基于規(guī)則的圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法。其中，圖7 (a)為原始目標(biāo)圖形，包括第一連接層(Ml) 51、接觸孔(CONTACT) 52和第一通孔層(VIAl) 53 ;通過本發(fā)明所述的步驟a，基于規(guī)則對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾，產(chǎn)生了如圖7 (b)所示的潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域54 ;接著，根據(jù)潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域54產(chǎn)生需要進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的區(qū)域和工藝偏差圖形模擬的區(qū)域，僅對(duì)此區(qū)域的數(shù)據(jù)產(chǎn)生光刻目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)，即如圖7 (b)所示的光刻目標(biāo)圖形及數(shù)據(jù)；此后該區(qū)域的圖形數(shù)據(jù)做光學(xué)鄰近效應(yīng)修正和工藝偏差圖形模擬?？梢钥吹綀D7 (c)和圖7 (c)中部分圖形數(shù)據(jù)已經(jīng)被過濾掉，只剩下潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域的圖形數(shù)據(jù)以及進(jìn)行模擬光學(xué)鄰近效應(yīng)修正和工藝偏差圖形模擬所必需的周圍圖形，最后進(jìn)行步驟e和步驟f，即進(jìn)行熱點(diǎn)檢查，生成各項(xiàng)檢查的熱點(diǎn)位置標(biāo)記，并最終生成熱點(diǎn)位置索引文件。
[0055]表一為在一實(shí)施例中，本發(fā)明中具有過濾方法的基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法與現(xiàn)有技術(shù)中無過濾方法的基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法在版圖各層次中計(jì)算時(shí)間與實(shí)際時(shí)間的比較結(jié)果，由表一可以看出，相比于現(xiàn)有技術(shù)，不僅本發(fā)明的檢查方法可以與現(xiàn)有技術(shù)的方法在檢查結(jié)果上實(shí)現(xiàn)很好的匹配，即前十的工藝熱點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了 100%的匹配，且所有的熱點(diǎn)匹配度大于70% ;而且，本發(fā)明可
【權(quán)利要求】
1.一種基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法，其特征在于， 提供原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)，并對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾，確定潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域； 將所述潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域的圖形數(shù)據(jù)產(chǎn)生光刻目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)； 對(duì)所述光刻目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行完整的光學(xué)臨近效應(yīng)修正； 對(duì)光學(xué)臨近修正后的光刻目標(biāo)圖形進(jìn)行工藝偏差圖形模擬，模擬的區(qū)域范圍與光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的區(qū)域范圍相同； 進(jìn)行熱點(diǎn)檢查，生成各項(xiàng)檢查的熱點(diǎn)位置標(biāo)記； 生成最終的熱點(diǎn)位置索引文件。
2.如權(quán)利要求1所述的基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法，其特征在于，所述對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾的步驟用以尋找存在線夾斷、線連接、接孔不良及由于短延伸的L形狀設(shè)計(jì)造成的晶體管溝道長度或者溝道寬度不均勻性的工藝熱點(diǎn)區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法，其特征在于，在對(duì)所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾的步驟包括，尋找所述原始目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)中具有凸角或凹角的圖形，對(duì)所述凸角或凹角的頂點(diǎn)進(jìn)行切邊，根據(jù)切邊的受限情況生成矩形區(qū)域，進(jìn)而生成潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法，其特征在于，在根據(jù)切邊的受限情況生成矩形區(qū)域的步驟包括:當(dāng)所述凸角或凹角的頂點(diǎn)附近的切邊與鄰近的圖形的間距小于等于規(guī)則尺寸，則確定為受限切邊；當(dāng)一凸角或凹角的頂點(diǎn)附近的兩條切邊均為受限切邊，則確定為受限矩形；根據(jù)受限矩形生成所述矩形區(qū)域。
5.如權(quán)利要求4所述的基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法，其特征在于，所述規(guī)則尺寸為最小設(shè)計(jì)線或隙尺寸的1.1倍。
6.如權(quán)利要求4所述的基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法，其特征在于，所述凸角或凹角的頂點(diǎn)處的切邊的長度小于最小設(shè)計(jì)線或隙尺寸的0.5倍。
7.如權(quán)利要求6所述的基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法，其特征在于，所述凸角或凹角的頂點(diǎn)處的切邊的長度為最小設(shè)計(jì)線或隙尺寸的0.4倍~0.45倍。
8.如權(quán)利要求4所述的基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法，其特征在于，在根據(jù)受限矩形生成所述矩形區(qū)域的步驟包括:當(dāng)受限矩形與待檢圖形相交時(shí)，則其待檢圖形所在區(qū)域即生成所述矩形區(qū)域。
9.如權(quán)利要求3所述的基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法，其特征在于，在用以尋找由于短延伸的L形狀設(shè)計(jì)造成的晶體管溝道長度或者溝道寬度不均勻性的工藝熱點(diǎn)區(qū)域的過程中，所述凸角或凹角的頂點(diǎn)處的切邊的長度大于設(shè)計(jì)規(guī)則尺寸的最小延伸值。
10.如權(quán)利要求2至9中任意一項(xiàng)所述的基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法，其特征在于，所述潛在工藝熱點(diǎn)區(qū)域的大小為所述矩形區(qū)域的每邊放大最小設(shè)計(jì)規(guī)則尺寸的1.5倍后生成的區(qū)域。
11.如權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法，其特征在于，對(duì)所述光刻目標(biāo)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行完整的光學(xué)臨近效應(yīng)修正的步驟中，光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的區(qū)域?yàn)樗鰸撛诠に嚐狳c(diǎn)區(qū)域的圖形每邊放大一個(gè)光暈大小，所述光暈的取值要大于等于光學(xué)模型半徑。
12.如權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的基于規(guī)則圖形過濾的版圖設(shè)計(jì)光刻工藝友善性檢查方法，其特征在于，對(duì)光學(xué)臨近修正后的光刻目標(biāo)圖形進(jìn)行工藝偏差圖形模擬的步驟中，工藝偏差圖形模擬的區(qū)域與光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的區(qū)域相同。
【文檔編號(hào)】G03F7/20GK103744267SQ201310625726
【公開日】2014年4月23日 申請(qǐng)日期:2013年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月28日
【發(fā)明者】王偉斌, 朱忠華, 魏芳, 張旭升 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司