陣列基板及液晶顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種陣列基板及液晶顯示面板。該陣列基板包括掃描線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、公共電極線、像素電極及公共電極。該數(shù)據(jù)線與該掃描線交叉排列，任意兩條相鄰的掃描線與任意兩條相鄰的數(shù)據(jù)線界定出一像素區(qū)域。該薄膜晶體管包括與掃描線相連的柵極、與數(shù)據(jù)線相連的源極以及漏極。該公共電極線平行掃描線設(shè)置，該公共電極線鄰近該漏極且與漏極位于掃描線的同一側(cè)，且至少部分漏極與公共電極線為層疊設(shè)置。該像素電極對應(yīng)該像素區(qū)域設(shè)置并與漏極電連接。該公共電極與像素電極配合產(chǎn)生水平電場。
【專利說明】陣列基板及液晶顯不面板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種陣列基板及液晶顯示面板。

【背景技術(shù)】
[0002] 作為液晶顯示面板的顯示方式，以往扭曲向列（Twisted Nematic,TN)方式一直被 廣泛使用，但是該方式在顯示原理上，對視場角存在限制。
[0003] 作為解決該問題的方法，橫向電場方式已為眾所周知，例如平面內(nèi)開關(guān)（In Plane Switching, IPS)方式和邊緣場開關(guān)（Fringe Field Switching,FFS)方式。該橫向電場方 式是在液晶顯示面板的陣列基板上形成像素電極和公共電極，對該像素電極和該公共電極 之間施加電壓，使之產(chǎn)生與該陣列基板大致平行的電場，在與該陣列基板基本平行的平面 內(nèi)驅(qū)動液晶分子。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)的一種橫向電場方式的液晶顯示面板的陣列基板，包括透明基底，透明 基底上設(shè)置有柵極線、與柵極線交叉排列的源極線、平行柵極線設(shè)置的公共電極線、薄膜晶 體管以及形成平行電場的公共電極以及像素電極。公共電極與公共電極線電連接，像素電 極與薄膜晶體管的漏極電連接。薄膜晶體管與公共電極線分別位于柵極線的兩側(cè)。則分別 位于柵極線兩側(cè)的薄膜晶體管及公共電極線均需占據(jù)像素區(qū)域的空間，并需要通過黑矩陣 進(jìn)行遮蔽，如此，導(dǎo)致液晶顯示面板開口率下降，影響液晶面板的顯示效果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為解決現(xiàn)有技術(shù)中的液晶顯示面板開口率低的問題，有必要提供一種能有效提高 開口率的陣列基板。
[0006] 還有必要提供一種采用上述陣列基板的液晶顯示面板。
[0007] -種陣列基板，其包括掃描線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、公共電極線、像素電極及公共 電極。該數(shù)據(jù)線與該掃描線交叉排列，任意兩條相鄰的掃描線與任意兩條相鄰的數(shù)據(jù)線界 定出一像素區(qū)域。該薄膜晶體管包括與掃描線相連的柵極、與數(shù)據(jù)線相連的源極以及漏極。 該公共電極線平行掃描線設(shè)置，該公共電極線鄰近該漏極且與漏極位于掃描線的同一側(cè)， 且至少部分漏極與公共電極線為層疊設(shè)置。該像素電極對應(yīng)該像素區(qū)域設(shè)置并與漏極電連 接。該公共電極與像素電極配合產(chǎn)生水平電場。
[0008] -種液晶顯示面板包括彩色濾光片基板、對應(yīng)彩色濾光片基板設(shè)置的陣列基板以 及夾置在二基板之間的液晶層。該陣列基板包括掃描線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、公共電極線、 像素電極及公共電極。該數(shù)據(jù)線與該掃描線交叉排列，任意兩條相鄰的掃描線與任意兩條 相鄰的數(shù)據(jù)線界定出一像素區(qū)域。該薄膜晶體管包括與掃描線相連的柵極、與數(shù)據(jù)線相連 的源極以及漏極。該公共電極線平行掃描線設(shè)置，該公共電極線鄰近該漏極且與漏極位于 掃描線的同一側(cè)，且至少部分漏極與公共電極線為層疊設(shè)置。該像素電極對應(yīng)該像素區(qū)域 設(shè)置并與漏極電連接。該公共電極與像素電極配合產(chǎn)生水平電場。
[0009] 由于至少部分漏極與公共電極線為層疊設(shè)置，則遮蔽薄膜晶體管的黑矩陣同時(shí)可 遮蔽與漏極層疊設(shè)置的部分公共電極線，因此，可減少遮蔽公共電極線的黑矩陣的面積，從 而提商液晶顯不面板的開口率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010] 圖1是本發(fā)明液晶顯示面板的示意圖。
[0011] 圖2是圖1所示的液晶顯示面板的陣列基板的平面示意圖。
[0012] 圖3是沿圖2的III-III線的剖面示意圖。
[0013] 圖4是沿圖2的IV-IV線的剖面示意圖。
[0014] 主要元件符號說明

【權(quán)利要求】
1. 一種陣列基板，其包括： 柵極線； 源極線，該源極線與該柵極線交叉排列，任意兩條相鄰的柵極線與任意兩條相鄰的源 極線界定出一像素區(qū)域； 薄膜晶體管，包括與柵極線相連的柵極、與源極線相連的源極、以及漏極； 公共電極線，平行掃描線設(shè)置，該公共電極線鄰近該漏極且與漏極位于掃描線的同一 偵牝且至少部分漏極與公共電極線為層疊設(shè)置； 像素電極，對應(yīng)該像素區(qū)域設(shè)置并與漏極電連接； 公共電極，該公共電極與像素電極配合產(chǎn)生水平電場。
2. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于：該公共電極線的線寬小于該掃描線的 線寬。
3. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于：該陣列基板包括透明基底、第一線路 層、半導(dǎo)體層及第二線路層，該第一線路層包括該柵極線及與該柵極線平行設(shè)置的該公共 電極線，該第二線路層包括該源極線、該源極及該漏極，該漏極與該源極分別位于該半導(dǎo)體 層的兩側(cè)并彼此分離，且部分漏極和部分源極分別與該半導(dǎo)體層重疊，該柵極、該源極、該 漏極及該半導(dǎo)體層定義為薄膜晶體管，該源極線與該柵極線交叉排列，任意兩條相鄰的柵 極線與任意兩條相鄰的源極線界定出一像素區(qū)域，該薄膜晶體管位于該柵極線與該源極線 相交的角落。
4. 如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于：該第一線路層設(shè)置在該透明基底鄰近 該液晶層一側(cè)的表面上，該第二線路層與第一線路層通過絕緣層絕緣設(shè)置，該半導(dǎo)體層設(shè) 置在該絕緣層與該第二線路層之間。
5. 如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于：該像素電極對應(yīng)該像素區(qū)域設(shè)置，設(shè)置 于該絕緣層鄰近該液晶層的一側(cè)的表面上。
6. 如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于：一鈍化層覆蓋于該絕緣層、該半導(dǎo)體 層、該像素電極、該第二線路層鄰近該液晶層一側(cè)的表面上，該公共電極覆蓋于該鈍化層鄰 近該液晶層一側(cè)的表面上。
7. 如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于：該公共電極是一整面透明電極，該公共 電極對應(yīng)該像素電極的位置設(shè)置有多個(gè)間隔設(shè)置的狹縫。
8. 如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于：該公共電極對應(yīng)薄膜晶體管的部分設(shè) 置開口。
9. 如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于：該公共電極與該像素電極是透明電極。
10. 如權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于：該公共電極與該像素電極的材質(zhì)為氧 化銦錫。
11. 一種液晶顯示面板，其包括彩色濾光片基板、對應(yīng)彩色濾光片基板設(shè)置的陣列基板 以及夾置在二基板之間的液晶層，其特征在于：該陣列基板采用權(quán)利要求1-10中任意一項(xiàng) 權(quán)利要求所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1368GK104122717SQ201310416121
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2013年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月13日
【發(fā)明者】柳智忠, 王明宗, 鄭亦秀, 熊園 申請人:深超光電（深圳）有限公司