電光調(diào)制器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電光調(diào)制器，其包括一基底、一形成于該基底上的Y型光波導(dǎo)、多個(gè)設(shè)置于該基底上的調(diào)制電極及地電極。該Y型光波導(dǎo)包括一第一分支及一第二分支，該第一分支包括一第一子Y型光波導(dǎo)，該第二分支包括一第二子Y型光波導(dǎo)。該多個(gè)調(diào)制電極及地電極分別用于調(diào)制該第一子Y型光波導(dǎo)及該第二子Y型光波導(dǎo)以使該第一子Y型光波導(dǎo)及該第二子Y型光波導(dǎo)輸出的光束的功率相同，從而提高消光比。
【專利說明】電光調(diào)制器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及高速光通訊系統(tǒng)，特別涉及一種電光調(diào)制器。

【背景技術(shù)】
[0002]馬赫-曾德爾(Mach-Zehner)電光調(diào)制器利用電光效應(yīng)通過調(diào)制電場改變Y型光波導(dǎo)兩個(gè)分支之一的等效折射率，從而改變在其中傳輸?shù)墓馐南辔?，使之與Y型光波導(dǎo)另外一分支中傳輸?shù)墓馐嬖谙辔徊?。如此，Y型光波導(dǎo)兩個(gè)分支中傳輸?shù)墓馐匦聟R聚后將發(fā)生干涉，輸出功率取決于相位差，也即是由調(diào)制電場決定，從而實(shí)現(xiàn)調(diào)制。然而，Y型光波導(dǎo)兩個(gè)分支中傳輸?shù)墓馐墓β释嬖谖⑿〔町?，?dǎo)致當(dāng)電光調(diào)制器作為開關(guān)使用時(shí)，關(guān)閉狀態(tài)依然有微小功率輸出而開啟狀態(tài)時(shí)輸出的功率并非最大，消光比(extinct1nrat1)下降。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，有必要提供一種可提高消光比的電光調(diào)制器。
[0004]一種電光調(diào)制器，其包括:
一基底;
一形成于該基底上的Y型光波導(dǎo)，該Y型光波導(dǎo)包括一第一分支及一第二分支，該第一分支包括一第一子Y型光波導(dǎo)，該第一子Y型光波導(dǎo)包括一第一子分支及一第二子分支，該第二分支包括一第二子Y型光波導(dǎo)，該第二子Y型光波導(dǎo)包括一第三子分支及一第四子分支；該第二子分支及該第四子分支分別位于該第一子分支及該第三子分支兩側(cè)；該基底在該第二子分支與該第一子分支相背一側(cè)開設(shè)有一第一凹槽、在該第一分支與該第二分支之間開設(shè)一第二凹槽及在該第四子分支與該第三子分支相背一側(cè)開設(shè)有一第三凹槽；
一填充于該第一凹槽的第一地電極；
一設(shè)置于該基底上且位于該第二子分支與該第一子分支之間的第一調(diào)制電極；
一填充于該第二凹槽的第二地電極；
一覆蓋該第三子分支的第二調(diào)制電極；
一覆蓋該第四子分支的第三地電極；及一填充于該第三凹槽的第三調(diào)制電極。
[0005]該第一地電極、該第一調(diào)制電極及該第二地電極配合用于調(diào)制該第一子Y型光波導(dǎo)而該第二地電極、該第二調(diào)制電極、該第三地電極及該第三調(diào)制電極配合用于調(diào)制該第二子Y型光波導(dǎo)以使該第一子Y型光波導(dǎo)及該第二子Y型光波導(dǎo)輸出的功率相同。
[0006]如此，當(dāng)該電光調(diào)制器作為開關(guān)使用時(shí)，該第一子Y型光波導(dǎo)及該第二子Y型光波導(dǎo)輸出的功率分別決定該第一分支及該第二分支參與干涉的功率，而由于該第一子Y型光波導(dǎo)及該第二子Y型光波導(dǎo)輸出的光束的功率相同，從而使得關(guān)閉狀態(tài)輸出功率最小而開啟狀態(tài)時(shí)輸出功率最大，消光比提高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本發(fā)明較佳實(shí)施方式的電光調(diào)制器的立體示意圖。
[0008]圖2為圖1的電光調(diào)制器沿線I1-1I的剖面示意圖。
[0009]主要元件符號說明

【權(quán)利要求】
1.一種電光調(diào)制器,其包括: 一基底; 一形成于該基底上的Y型光波導(dǎo)，該Y型光波導(dǎo)包括一第一分支及一第二分支，該第一分支包括一第一子Y型光波導(dǎo)，該第一子Y型光波導(dǎo)包括一第一子分支及一第二子分支，該第二分支包括一第二子Y型光波導(dǎo)，該第二子Y型光波導(dǎo)包括一第三子分支及一第四子分支；該第二子分支及該第四子分支分別位于該第一子分支及該第三子分支兩側(cè)；該基底在該第二子分支與該第一子分支相背一側(cè)開設(shè)有一第一凹槽、在該第一分支與該第二分支之間開設(shè)一第二凹槽及在該第四子分支與該第三子分支相背一側(cè)開設(shè)有一第三凹槽； 一填充于該第一凹槽的第一地電極； 一設(shè)置于該基底上且位于該第二子分支與該第一子分支之間的第一調(diào)制電極； 一填充于該第二凹槽的第二地電極； 一覆蓋該第三子分支的第二調(diào)制電極； 一覆蓋該第四子分支的第三地電極；及 一填充于該第三凹槽的第三調(diào)制電極； 該第一地電極、該第一調(diào)制電極及該第二地電極配合用于調(diào)制該第一子Y型光波導(dǎo)而該第二地電極、該第二調(diào)制電極、該第三地電極及該第三調(diào)制電極配合用于調(diào)制該第二子Y型光波導(dǎo)以使該第一子Y型光波導(dǎo)及該第二子Y型光波導(dǎo)輸出的功率相同。
2.如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該基底的材料采用鈮酸鋰晶體。
3.如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該Y型光波導(dǎo)包括一輸入段及一輸出段，該第一分支及該第二分支自該輸入段分叉出并匯聚入該輸出段，該第一分支還包括一與該輸入段連接的第一子輸入段及一與該輸出段連接第一子輸出段，該第一子分支及該第二子分支自該第一子輸入段分叉出并匯聚入該第一子輸出段，該第二分支還包括一與該輸入段連接的第二子輸入段及一與該輸出段連接第二子輸出段，該第三子分支及該第四子分支自該第二子輸入段分叉出并匯聚入該第二子輸出段。
4.如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該基底包括一個(gè)頂面，該Y型光波導(dǎo)是自該頂面向該基底內(nèi)部高溫?cái)U(kuò)散金屬鈦而形成的，該第一凹槽、該第二凹槽及該第三凹槽自該頂面向該基底內(nèi)開設(shè)，該第一凹槽、該第二凹槽及該第三凹槽的深度大于或至少等于該Y型光波導(dǎo)的深度，而該第一地電極、該第二地電極及該第三調(diào)制電極分別填滿該第一凹槽、該第二凹槽、該第三凹槽，與該第一調(diào)制電極、該第二調(diào)制電極及該第三地電極高度平齊，并伸出側(cè)翼覆蓋該頂面。
5.如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該輸入段、該輸出段、該第一子分支、該第二子分支、該第三子分支及該第四子分支平行設(shè)置，該第二子分支及該第四子分支分別位于該第一子分支及該第三子分支兩側(cè)，該第二子分支比該第一子分支短，該第一凹槽與該第二子分支平行、對齊且等長，該第一調(diào)制電極也與該第二子分支平行、對齊且等長。
6.如權(quán)利要求5所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該第一調(diào)制電極沿垂直于該第二子分支的方向在該第二凹槽上的投影完全落在該第二凹槽上。
7.如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該輸入段、該輸出段、該第一子分支、該第二子分支、該第三子分支及該第四子分支平行設(shè)置，該第二子分支及該第四子分支分別位于該第一子分支及該第三子分支兩側(cè)，該第四子分支比該第三子分支短，該第三凹槽與該第四子分支平行、對齊且等長，該第三地電極也與該第四子分支平行、對齊且等長。
8.如權(quán)利要求7所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該第二調(diào)制電極134與該第三地電極平行、對齊且等長，且該第二調(diào)制電極沿垂直于該第二分支的方向在該第二凹槽上的投影完全落在該第二凹槽上。
9.如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該電光調(diào)制器還包括一設(shè)置于該基底與該第二調(diào)制電極及該第三地電極之間的緩沖層，用于防止在該第一子分支、該第二子分支、該第三子分支及該第四子分支傳輸?shù)墓馐辉摰诙{(diào)制電極與該第三地電極吸收。
10.如權(quán)利要求9所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該緩沖層采用二氧化硅制成。
【文檔編號】G02F1/035GK104133304SQ201310155202
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2013年4月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月30日
【發(fā)明者】黃新舜 申請人:鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司