專利名稱：用于3d抗蝕劑輪廓模擬的光刻模型的制作方法
技術領域：
本發(fā)明整體上涉及光刻過程，更具體地涉及一種對形成在三維抗蝕劑圖像和抗蝕劑層內的輻射的三維空間強度分布構建模型的方法。
背景技術：
可以將光刻設備例如用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情形中，掩?？梢园瑢谒鯥C的單層的電路圖案，并且可以將該圖案成像到已經涂覆有一層輻射敏感材料(抗蝕劑)的襯底(硅晶片)上的目標部分(包括一個或更多個管芯)上。通常，單個晶片將包含相鄰目標部分的整個網(wǎng)絡，其中所述相鄰目標部分通過投影系統(tǒng)被一次一個地連續(xù)輻射。在一種類型的光刻投影設備中，通過將整個掩模圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一目標部分；這樣的設備通常稱作為晶片步進機。在通常稱為步進和掃描設備的替代設備中，通過在沿給定的參考方向(“掃描”方向)于投影束下逐步掃描掩模圖案的同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底臺來輻射每一目標部分。因為通常投影系統(tǒng)將具有放大率因子(magnification factor)M (通常M < I),襯底臺被掃描的速度V將是掩模臺被掃描的速度的M倍。在使用光刻投影設備的制造過程中，掩模圖案被成像到至少部分地由一層輻射敏感材料(抗蝕劑)覆蓋的襯底上。在該成像步驟之前，襯底可以經過多種工序，例如涂底料、抗蝕劑涂覆和軟烘烤。在曝光之后，襯底可以經過其它工序，例如曝光后烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤和成像特征的測量/檢驗。這一系列的工序被用作對器件(例如IC)的單層進行圖案化的基礎。然后，這樣的圖案化層可以經過多種處理，例如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學-機械拋光等，以完成一個單層。如果需要幾個層，則對于每個新的層必須重復整個工序或其變體。最后，在襯底(晶片)上將形成器件的陣列。然后，這些器件通過例如劃片(dicing)或切 割等技術彼此分離開，由此,各個器件可以安裝到連接至插腳等的載體上。基于簡明的原因，投影系統(tǒng)在下文中可以被稱為“透鏡”;然而，該術語應該被廣義地解釋為包含不同類型的投影系統(tǒng)，包括例如折射式光學裝置、反射式光學裝置和反射折射式裝置。輻射系統(tǒng)還可以包括根據(jù)用于引導、成形或控制投影輻射束的這些設計類型中的任一種進行操作的部件，并且這種部件在下文中還可以統(tǒng)稱或單一地稱為“透鏡”。而且，光刻設備可以是具有兩個或更多個襯底臺(和/或兩個或更多個掩模臺)的類型。在這種“多臺”的裝置中，附加的臺可以并行地使用，或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預備步驟的同時使用一個或更多個其它的臺進行曝光。上面提及的光刻掩模包括對應于將要被集成到硅晶片上的電路部件的幾何圖案。用來形成這種掩模的圖案使用CAD (計算機輔助設計)程序來生成，這種過程通常被稱為EDA(電子設計自動化)。大多數(shù)CAD程序依照一組預定的設計規(guī)則以便產生功能化掩模。這些規(guī)則通過過程和設計限制來設定。例如，設計規(guī)則限定電路器件(例如柵極、電容等)或互連線之間的間隔容許量，使得確保電路器件或線不會彼此以不希望的方式相互作用/影響。通常，設計規(guī)則限制被稱為“臨界尺寸”(CD)。電路的臨界尺寸可以被定義成線或孔的最小寬度或兩條線或兩個孔之間的最小間隔。因此，CD決定所設計的電路的總的尺寸和密度。當然，集成電路制造的目標之一是(通過掩模)在晶片上忠實地復制原始電路設計。正如所知的，微光刻是制造半導體集成電路的核心步驟，其中形成在半導體晶片襯底上的圖案限定半導體器件的功能元件，例如微處理器、存儲器芯片等。類似的光刻技術還用于形成平板顯示器、微機電系統(tǒng)(MEMS)以及其他器件。隨著半導體制造工藝的繼續(xù)發(fā)展，電路元件的尺寸持續(xù)地減小，同時在過去的幾十年中每個器件的功能元件(諸如晶體管等)的數(shù)量逐步地增長，遵循通常所說的“摩爾定則”。在當前的技術狀態(tài)下，使用光學光刻投影系統(tǒng)(已知為掃描器)制造先進器件的關鍵層，其中該光學光刻投影系統(tǒng)使用來自深紫外激光源的照射將掩模圖像投影到襯底上，形成尺寸遠小于lOOnm、S卩小于投影光的半波長的單個電路特征。

根據(jù)分辨率公式⑶=kl X λ /NA,印刷尺寸小于光學投影系統(tǒng)的經典分辨率極限的特征的工藝通常被稱為低-kl(low-kl)光刻術，其中λ是所用輻射的波長(目前大多數(shù)情況下是248nm或193nm) ,NA是投影光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，CD是臨界尺寸(通常是所印刷的最小特征尺寸)，以及h是經驗分辨率因子。通常，kl越小，越難以在晶片上復制類似電路設計者所設計的形狀和尺寸的圖案以便實現(xiàn)特定電功能和性能。為了克服這些困難，對投影系統(tǒng)以及掩模設計應用復雜的精密調節(jié)步驟。這些包括但不限于例如NA和光學相干性設定的優(yōu)化、用戶定制的照射方案、使用相移掩模、掩模布局中的光學鄰近效應校正、或通常稱為“分辨率增強技術”(RET)的其他方法。作為RET的一個重要的示例，光學鄰近效應校正(OPC)解決了晶片上所印刷的特征的最終尺寸和位置將不簡單地是掩模上的對應的特征的尺寸和位置的函數(shù)的問題。要注意的是，術語“掩?！焙汀把谀０妗痹诖丝梢韵嗷ソ粨Q地使用。對于通常的電路設計上存在的小的特征尺寸和高的特征密度，給定特征的特定邊緣的位置將在一定程度上受到其他鄰近的特征的存在與否的影響。這些鄰近效應來源于一個特征與另一特征耦合的微小量的光。類似地，鄰近效應可以由曝光后的烘烤(PEB)、抗蝕劑顯影以及通常在光刻曝光之后的蝕刻期間的擴散和其他化學效應弓I起。為了確保根據(jù)給定目標電路設計的需求而在半導體襯底上形成特征，需要使用復雜的數(shù)值模型預測鄰近效應，并且在能夠成功地制造高端器件之前需要將校正或預變形應用至掩模的設計中。在通常的高端設計中，幾乎每一個特征邊緣都需要一些修改，以便實現(xiàn)與目標設計充分接近的印刷圖案。這些修改可以包括移動或偏移邊緣位置或線寬以及應用不是為了印刷其本身但是將影響相關主要特征的性質的“輔助”特征。在半導體工業(yè)中，微光刻(或簡單光刻術)是在半導體晶片(例如，硅或GaAs晶片)上印刷電路圖案的過程。目前，光學光刻術是用于半導體器件或諸如平板顯示器等其他器件的批量制造的主要技術。這種光刻術采用在可見光至深紫外光譜范圍內的光來曝光襯底上的光敏抗蝕劑。在將來，可以采用極紫外(EUV)和軟X射線。在曝光之后，抗蝕劑被顯影以得出抗蝕劑圖像。在討論本發(fā)明之前，提供對于有關整體模擬和成像過程的簡短描述。圖1示出示例性光刻投影系統(tǒng)10。主要部件是:光源12，其可以例如是深紫外準分子激光源，或其他波長(包括EUV波長)的源；限定部分相干性并且可以包括特定源成形光學裝置14、16a以及16b的照射光學裝置；掩?；蜓谀０?8 ;以及將掩模版圖案的圖像形成到晶片平面22上的投影光學裝置16c。在光瞳平面處的可調的濾光片或孔20可以限制入射到晶片平面22上的束角度范圍，其中最大可能角度限定投影光學裝置的數(shù)值孔徑NA = sin (ΘωJ。圖2中示出了光刻投影設備中的用于模擬光刻的示例性流程圖。源模型31表示源的光學特性(包括輻射強度分布和/或相位分布)。投影光學裝置模型32表示投影光學裝置的光學特性(包括被投影光學裝置引起的輻射強度分布和/相位分布的改變)。設計布局模型35表示設計布局的光學特性(包括由給定設計布局33引起的輻射強度分布和/或相位分布的改變)，其表示在圖案形成裝置上的特征或通過圖案形成裝置形成的特征的布置?？臻g圖像36可以由設計布局模型35、投影光學裝置模型32以及設計布局模型35模擬?？梢允褂每刮g劑模型37由空間圖像36模擬抗蝕劑圖像37。光刻的模擬可以例如預測抗蝕劑圖像中的輪廓和CD。更具體地，要注意的是，源模型31可以表示源的光學特性，包括但不限于NA-σ設定以及任何特定照射源形狀(例如離軸輻射源，諸如環(huán)形、四極以及雙極等)。投影光學裝置模型32可以表示投影光學裝置的光學特性，其包括像差、變形、折射率、物理尺寸、物理維度等。設計布局模型35也可以表示物理圖案形成裝置的物理性質，如例如美國專利N0.7，587，704中描述的，該專利通過參考全文并入本文。模擬的目的是為了精確地預測例如邊緣布置、空間圖像強度斜率以及CD，其可以在隨后與期望的設計進行對比。期望的設計通常被限定為預OPC設計布局，其可以以例如GDSII或OASIS或其他文件格式等標準數(shù)字文件格式被提供。當通過所投影的圖像曝光抗蝕劑并在之后被烘烤和顯影時，抗蝕劑會經歷復雜的化學和物理變化。最終的抗蝕劑圖案通常通過其臨界尺寸或CD (通常被限定為抗蝕劑-襯底界面處的抗蝕劑特征的寬度)表征。雖然CD通常是為了表示在給定器件上被圖案化的最小特征，但是在實際應用中術語CD用于描述任何抗蝕劑特征的線寬。在大多數(shù)曝光工具中，光學系統(tǒng)從掩模水平面至晶片水平面將圖案的尺寸縮小，其中縮小因子通常是4或5倍。因為掩模水平面處的圖案通常大于在晶片水平面處的期望的圖案，因此這緩和了在掩模水平面處所需的尺寸控制容差并改善了產率和掩模制作過程的可制造性。曝光工具的該縮小因子帶來對曝光過程的“維度”的一定的混淆。在此，特征尺寸和維度指的是晶片水平面處的特征尺寸和維度，并且“最小特征尺寸”指的是晶片水平面處的最小特征。對于用以正確地圖案化器件的曝光過程，在器件中的所有臨界結構的⑶必須被圖案化以實現(xiàn)設計目標尺寸。因為實踐上不能實現(xiàn)每一個目標CD沒有誤差，因此器件被設計成具有針對于⑶誤差的一定容差。在這種情況下，如果所有臨界特征的⑶都在這些預定容差內，則圖案被看作是可接受的。對于在制造環(huán)境中可見的曝光過程，跨經表示在工廠中預期發(fā)生的過程變量的通常范圍的過程條件范圍，整個CD分布必須落在容差極限內。例如，名義上相同的過程條件的實際劑量可以相對于名義劑量變化達±5% ;名義上相同的過程條件的實際焦平面可以相對于名義焦平面變化達±100nm。限制或劣化圖案轉移過程的保真度的因素包括在制造掩模過程中、在投影光學裝置中、在抗蝕劑過程中以及在控制投影光和形成在晶片上的膜疊層之間的相互作用的過程中的缺陷。然而，即使用完美的掩模、完美的光學裝置、完美的抗蝕劑系統(tǒng)以及完美的襯底反射率控制，圖像保真 度也難以保持，因為將要成像的特征的尺寸變得小于在曝光工具中使用的光波長。對于使用193nm照射源的曝光過程，期望特征如65nm —樣小。在該深亞波長體系內，圖案轉移過程變得高度非線性，并且晶片水平面處的最終圖案的尺寸變得不但對掩模水平面處的圖案尺寸非常敏感，而且對特征的局部環(huán)境非常敏感，其中局部環(huán)境延伸超出光波長的大約5至10倍的半徑。如果給定相比于波長非常小的特征尺寸，則依賴于鄰近的特征的尺寸和鄰近效應，即使掩模上相同的結構，也將具有不同的晶片水平尺寸，甚至特征不緊鄰但是仍然在由曝光工具的光學裝置限定的鄰近區(qū)域內也是如此。這些光學鄰近效應在文獻中是熟知的。在圖案轉移過程中為了改進成像品質和最小化高的非線性，當前的處理技術采用不同的RET和0PC，這是對于任何旨在克服鄰近效應的技術的通用術語。最簡單形式的OPC之一是選擇性偏置。給定CD隨節(jié)距變化的曲線，至少在最佳聚焦和曝光條件下通過改變掩模水平面處的CD，可以迫使所有的不同節(jié)距形成相同的CD。因此，如果在晶片水平面處特征印刷太小，則掩模水平面處的特征將被偏置以稍微大于名義大小，反之亦然。因為從掩模水平面至晶片水平面的圖案轉移過程是非線性的，所以偏置的量不簡單地是在最佳聚焦和曝光條件下所測量的CD誤差乘以減小倍數(shù)，但是使用模型化和實驗可以確定合適的偏置。選擇性的偏置是鄰近效應問題的不完全解決方案，尤其是如果僅在名義過程條件下應用更是如此。即使這種偏置原理上可以應用于在最佳聚焦和曝光條件下給出一致的CD隨節(jié)距變化的曲線，但是一旦曝光過程從名義條件變化，則每一個偏置后的節(jié)距曲線將不同地響應，由此對于不同的特征導致不同的過程窗口。因此，用于給定一致的⑶隨節(jié)距的變化的“最佳”偏置甚至可以對整個過程窗口產生負面的影響，由此減小，而不是擴大，在期望的過程容差范圍內將所有目標特征印刷到晶片上所在的焦距和曝光范圍。還發(fā)展了其他更為復雜的OPC技術用于超出上述的一維偏置示例之外的應用。二維鄰近效應是線端部縮短。線端部傾向于從其期望的端部點位置作為曝光和聚焦的函數(shù)“拉回(pull back)”。在許多情形中，長的線端部的端部縮短程度可以比相應的線變窄大若干倍。如果線端部沒有完全跨過其期望覆蓋的下面的層(例如源漏區(qū)域之上的多晶硅柵極層)，則這種類型的線端部拉回可以導致正在制造的器件的災難性的失效。因為這種類型的圖案對于聚焦和曝光是高度敏感的，因此簡單地使線端部偏置成比設計長度長是不夠的，因為在最佳聚焦和曝光條件下或在曝光不足條件下，線將過長，由此因為延長的線端部接觸相鄰結構而導致短 路，或如果在電路內的各個特征之間增加更大的空間會導致不必要的大電路尺寸。因為集成電路設計和制造的關鍵目標之一在于最大化功能元件的數(shù)量，同時最小化每個芯片所需的面積，所以增大過多的間隔是非常不希望的方案。已經研發(fā)了二維OPC方法以幫助解決線端部拉回問題。已知為“錘頭”或“配線(serifs) ”的額外的結構(或輔助特征)被例行地增加至線端部，以有效地將它們固定在合適位置并在整個過程窗口上提供減小的拉回。即使在最佳聚焦和曝光條件下，這些額外的結構也沒有被分辨，而是在其自身完全沒有被分辨的情況下改變主特征的形貌?！爸魈卣鳌痹诖擞糜诒硎驹谶^程窗口中的部分或全部條件下期望印刷到晶片上的特征。輔助特征可以采用除了為線端部增加簡單的錘頭以外的更多更大膽的形式，在一定程度上，掩模上的圖案不再簡單地是尺寸被以縮小因子放大的期望的晶片圖案。輔助特征，例如配線，可以應用于除了簡單減小線端部拉回之外的許多更多的情形。內部配線或外部配線可以應用于任何邊緣，尤其是二維邊緣，以減小角部倒圓或邊緣擠壓。使用足夠的選擇性偏置以及全尺寸和極性的輔助特征，掩模上的特征承擔越來越少的與晶片水平面處期望的最終圖案的相類似之處。通常，掩模圖案變成晶片水平面圖案的預變形形式，其中變形是為了抵消或逆轉在光刻過程中將要發(fā)生的圖案變形，以在晶片上形成盡可能接近設計者所期望的圖案。這些OPC技術的許多種可以在具有在分辨率和過程窗口增強過程中加入的以及為增強分辨率和過程窗口而加入的不同相位的相移結構的單個掩模上一起使用。使一維線偏置的簡單任務變得越來越復雜，因為二維結構必須被移動、被調整尺寸、用輔助特征增強以及在不引起與鄰近的特征的任何沖突的情況下可能被移相。由于深亞波長光刻的延伸的鄰近范圍，應用于特征的OPC類型的改變對于位于半微米至一微米范圍內的其他特征可能具有不期望的后果。因為在該鄰近范圍內容易具有許多特征，因此，隨著增加更多的大膽的方法，優(yōu)化OPC修飾的任務變得越來越復雜。所增加的每個新的特征對其他特征具有影響，其隨后又可以被再次校正，并且結果可以被重復地迭代以收斂掩模布局，其中可以以其是原始想要的、同時以正確的方式對其相鄰特征的空間圖像作出貢獻使得它們也被印刷在它們各自的容差范圍內的方式印刷每個特征。

發(fā)明內容
此處描述的是一種用于模擬由入射輻射造成的形成在襯底上的抗蝕劑層中的輻射的三維空間強度分布的方法，所述方法包括步驟:計算抗蝕劑層中的前向傳播輻射和抗蝕劑層中的后向傳播輻射的非相干之和；計算抗蝕劑層中的前向傳播輻射與抗蝕劑層中的后向傳播輻射的干涉；和根據(jù)所述非相干之和和所述干涉計算輻射的三維空間強度分布。


結合附圖描述具體實施例，其中:圖1示出根據(jù)本發(fā)明的示例應用的光刻系統(tǒng)的不同的子系統(tǒng)的方框圖。圖2示出與圖1中的子系統(tǒng)相對應的模擬模型的方框圖。

圖3不出入射福射從襯底上的特征的散射。圖4示出根據(jù)一個實施例的方法的流程圖。圖5示出在抗蝕劑層中前向傳播輻射和后向傳播輻射的示意圖。圖6分別示出了使用嚴格方法和圖4中的方法計算的在抗蝕劑層中的輻射的示例性的三維空間強度分布的橫截面圖。圖7示出由在三個不同的x-y平面處的稠密的采樣點和稀疏的采樣點計算的抑制劑的示例性的濃度分布。圖8是可以實施實施例的示例計算機系統(tǒng)的方框圖。圖9是可以應用實施例的光刻投影系統(tǒng)的示意圖。
具體實施例方式實施例將參考附圖進行詳細地描述，附圖提供示例性的示例。特別地，下面的附圖和示例不意味著將本發(fā)明的范圍限制到單個實施方式,而通過交換所述的或所示的元件的部分或全部也能夠實現(xiàn)其他的實施例。此外，在可以使用已知部件部分地或全部地應用本發(fā)明的特定元件的情況下，將僅描述那些對于理解本發(fā)明所必要的已知部件的部分，而省略已知部件的其他部分的詳細描述，以免混淆本發(fā)明。如果沒有明確地另外說明，則描述為在軟件中實現(xiàn)的實施例應該不限于此，而是可以包括在硬件中實現(xiàn)的實施例，或在軟件和硬件的結合中實現(xiàn)的實施例，反之亦然，如本領域技術人員認識到的。在本說明書中，如果沒有明確地另外說明，示出單個部件的實施例不應該認為是限制性的，相反，本發(fā)明將旨在包括其他包括多個相同部件的實施例，反之亦然。而且，如果沒有明確地另外說明，申請人不是要將說明書或權利要求中的任何術語用來描述不通用的或特定的意義。此外，本發(fā)明包含當前和將來已知的與這里通過示例示出的已知部件等同的等價物。發(fā)明人認識到，在光刻過程中從掩模至襯底的圖案轉移過程由于來自投影光學裝置的入射輻射被在抗蝕劑層下面的襯底或襯底上的已有特征的散射或反射而被進一步復雜化，尤其是當襯底缺乏抗反射涂層(BARC)時更是如此。術語“輻射”和“光”可以被互換地使用。光可以是可見光或不可見光，諸如UV、EUV以及X-射線。如圖3所示，已有的特征250 (或襯底自身)可以從表面220、邊緣230以及角部240散射入射輻射210。這里所用的術語“散射”或“散射的”意味著對“入射輻射”的影響的組合，其可以包括反射、衍射以及折射。散射輻射可以與入射輻射相干涉，并且改變抗蝕劑層中輻射的三維空間強度分布，其又改變形成在抗蝕劑層中的三維抗蝕劑圖像。充分精確的三維抗蝕劑圖像可以幫助檢測傳統(tǒng)的二維抗蝕劑圖像不能檢測的形成圖案的缺陷，該散射可以造成所形成的三維抗蝕劑圖像的變形，尤其是當所散射的輻射和入射的輻射形成橫跨抗蝕劑層深度的駐波時更是如此。因此，所述散射也應該在OPC中被補償。通過求解麥克斯韋方程可以嚴格地預測這種散射的影響，然而這計算量高，并且應用至整個襯底或整個掩模是不實際的。傳統(tǒng)的近似方法假定，輻射的三維空間強度分布對進入抗蝕劑層中的深度具有弱的依賴性并因此在駐波存在于抗蝕劑層中時失效。幾乎不會發(fā)生在抗蝕劑層中完全沒有駐波。在一些實 施例中，可以通過使用圖4的流程圖中示出的示例方法得出抗蝕劑層中的輻射的三維空間強度分布。這種方法計算成本更低，并且可以應用于基本上整個電路設計或整個掩模。可以計算抗蝕劑層中的前向傳播輻射和抗蝕劑層中的后向傳播輻射的非相干之和410。非相干之和410優(yōu)選地沒有駐波。可以計算抗蝕劑層中的前向傳播輻射和抗蝕劑層中的后向傳播輻射的干涉420(或稱為“干涉結果”)。為了獲得輻射的三維空間強度分布的目的，前向傳播輻射502可以由前向傳播電場或前向傳播磁場來表示；后向傳播福射503可以由后向傳播電場或前向傳播磁場來表不。措詞“前向傳播”和“后向傳播”分別是指在抗蝕劑層下面朝向襯底傳播的輻射和在抗蝕劑層501下面遠離襯底504傳播的輻射(圖5)。箭頭505是深度方向。總和430可以通過將非相干之和410和干涉420相加來計算得到，作為抗蝕劑層中的輻射的三維空間強度分布。替代地，總和430可以在沒有明確計算非相干之和410和干涉420的情況下被計算?？蛇x地，根據(jù)總和430，三維抗蝕劑圖像440可以從所述總和430、抗蝕劑層的特性以及曝光后處理(諸如與顯影、烘烤等相關的參數(shù))得出。在一個示例中，總和430、非相干之和410和干涉420可以通過使用傳遞交叉系數(shù)(TCC)來計算。TCC 被定義為 TCC(k'，k"，z) =E kA(k)2L(k+k/，z)L*(k+k"，z)(等式I)?？刮g劑層中的輻射的三維空間強度分布可以表示為:
權利要求
1.一種用于模擬由入射輻射造成的形成在襯底上的抗蝕劑層中的輻射的三維空間強度分布的方法，所述方法包括步驟: 計算抗蝕劑層中的前向傳播輻射和抗蝕劑層中的后向傳播輻射的非相干之和； 計算抗蝕劑層中的前向傳播輻射與抗蝕劑層中的后向傳播輻射的干涉；和 根據(jù)所述非相干之和和所述干涉計算輻射的三維空間強度分布。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述非相干之和沒有駐波。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括通過將所述非相干之和與干涉因子相乘來計算所述干涉，其中所述干涉因子是進入到抗蝕劑層中的深度的函數(shù)。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述干涉因子獨立于所述前向傳播輻射和所述后向傳播輻射的傳播方向。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述前向傳播輻射和所述后向傳播輻射基本上形成駐波。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括通過將所述非相干之和展開成進入到抗蝕劑層中的深度的泰勒級數(shù)來近似所述非相干之和。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中計算所述非相干之和的步驟包括計算透射交叉系數(shù)(TCC)和/或計算在進入到抗蝕劑層中的至少三個不同的深度處的三個透射交叉系數(shù)。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括根據(jù)輻射的三維空間強度分布計算形成在抗蝕劑層內的三維抗蝕劑圖像。
9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中計算三維抗蝕劑圖像的步驟包括施加模糊和閾值給輻射的三維空間強度分布，和/或其中計算三維抗蝕劑圖像的步驟包括使用抗蝕劑模型。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述抗蝕劑模型包括根據(jù)輻射的三維空間強度分布計算抗蝕劑層中的酸的三維空間濃度。
11.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中計算三維抗蝕劑圖像的步驟包括計算化學品種的三維濃度。
12.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中計算化學品種的三維濃度分布的步驟包括所述化學品種從抗蝕劑層中的一個或更多的平面處的化學品種的兩維濃度分布的擴散。
13.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述襯底具有在所述抗蝕劑層中或下面的特征。
14.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述襯底沒有抗反射涂層。
15.—種計算機程序產品,包括在其上記錄有指令的計算機可讀介質,所述指令在被計算機執(zhí)行時實施根據(jù)前述的權利要求中任一項所述的方法。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于模擬由入射輻射造成的形成在襯底上的抗蝕劑層中的輻射的三維空間強度分布的方法，所述方法包括步驟計算抗蝕劑層中的前向傳播輻射和抗蝕劑層中的后向傳播輻射的非相干之和；計算抗蝕劑層中的前向傳播輻射與抗蝕劑層中的后向傳播輻射的干涉；和根據(jù)所述非相干之和和所述干涉計算輻射的三維空間強度分布。
文檔編號G03F7/20GK103246173SQ201310038899
公開日2013年8月14日 申請日期2013年1月31日 優(yōu)先權日2012年2月3日
發(fā)明者劉鵬 申請人:Asml荷蘭有限公司