液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】一種液晶顯示裝置，其特征在于，具備第1基板、第2基板及液晶層，該第1基板具備：第1輔助電容線及第2輔助電容線，分別沿著第1方向延伸；柵極布線，沿著第1方向延伸，位于所述第1輔助電容線和所述第2輔助電容線之間；第1源極布線及第2源極布線，分別沿著與第1方向交叉的第2方向延伸；帶狀的主像素電極，位于所述第1源極布線和所述第2源極布線之間，沿著第2方向延伸；帶狀的第1副像素電極，與所述主像素電極相連，與所述第1輔助電容線對(duì)置，沿著第1方向延伸；帶狀的第2副像素電極，與所述主像素電極相連，從所述第1副像素電極分離，沿著第1方向延伸；以及第1取向膜，由表現(xiàn)出水平取向性的材料形成，覆蓋所述主像素電極、所述第1副像素電極、以及所述第2副像素電極；所述第2基板具備：第2主共用電極，在夾著所述主像素電極的兩側(cè)分別沿著第2方向延伸；第2副共用電極，與所述第2主共用電極相連，在所述第1副像素電極和所述第2副像素電極之間沿著第1方向延伸；以及第2取向膜，由表現(xiàn)出水平取向性的材料形成，覆蓋所述第2主共用電極及所述第2副共用電極覆蓋；所述液晶層包括保持于所述第1基板和所述第2基板之間的液晶分子。
【專利說明】液晶顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，平面顯示裝置的開發(fā)盛行，其中，液晶顯示裝置因輕量、薄型、耗電低等優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注。尤其是，在向各像素裝入了開關(guān)元件的有源矩陣型液晶顯示裝置中，IPS(In-Plane Switching)模式、FFS (Fringe Field Switching)模式等利用了橫電場(還包括邊緣電場)的結(jié)構(gòu)受到關(guān)注。這種橫電場模式的液晶顯示裝置具備形成于陣列基板的像素電極和對(duì)置電極，以與陣列基板的主面大致平行的橫電場使液晶分子開關(guān)。
[0003]另一方面，也提出了在形成于陣列基板的像素電極和形成于對(duì)置基板的對(duì)置電極之間形成橫電場或斜電場而將液晶分子開關(guān)的技術(shù)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-192822號(hào)公報(bào)
[0007]專利文獻(xiàn)2:日本特開平9-160041號(hào)公報(bào)
[0008]專利文獻(xiàn) 3:US6，657，693B1

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]發(fā)明所要解決的課題
[0010]本實(shí)施方式的目的在于，提供一種顯示品質(zhì)良好的液晶顯示裝置。
[0011]根據(jù)本實(shí)施方式，提供一種液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶顯示裝置具備第I基板、第2基板及液晶層，所述第I基板具備:第I輔助電容線及第2輔助電容線，分別沿著第I方向延伸；柵極布線，沿著第I方向延伸，位于所述第I輔助電容線和所述第2輔助電容線之間；第I源極布線及第2源極布線，分別沿著與第I方向交叉的第2方向延伸；帶狀的主像素電極，位于所述第I源極布線和所述第2源極布線之間，沿著第2方向延伸；帶狀的第I副像素電極，與所述主像素電極相連，與所述第I輔助電容線對(duì)置，沿著第I方向延伸；帶狀的第2副像素電極，與所述主像素電極相連，從所述第I副像素電極分離，沿著第I方向延伸；以及第I取向膜，由表現(xiàn)出水平取向性的材料形成，覆蓋所述主像素電極、所述第I副像素電極、以及所述第2副像素電極；所述第2基板具備:第2主共用電極，在夾著所述主像素電極的兩側(cè)分別沿著第2方向延伸；第2副共用電極，與所述第2主共用電極相連，在所述第I副像素電極和所述第2副像素電極之間沿著第I方向延伸；以及第2取向膜，由表現(xiàn)出水平取向性的材料形成，覆蓋所述第2主共用電極及所述第2副共用電極；所述液晶層含有保持于所述第I基板和所述第2基板之間的液晶分子。
[0012]根據(jù)本實(shí)施方式，提供一種液晶顯示裝置，其特征在于，具備第I基板、第2基板及液晶層，所述第I基板具備:第I輔助電容線及第2輔助電容線，分別沿著第I方向延伸；柵極布線，沿著第I方向延伸，位于所述第I輔助電容線和所述第2輔助電容線之間；第I源極布線及第2源極布線，分別沿著與第I方向交叉的第2方向延伸；帶狀的主像素電極，位于所述第I源極布線和所述第2源極布線之間，沿著第2方向延伸；帶狀的第I副像素電極，與所述主像素電極相連，與所述第I輔助電容線對(duì)置，沿著第I方向延伸；帶狀的第2副像素電極，與所述主像素電極相連，從所述第I副像素電極分離，沿著第I方向延伸;第I主共用電極，與所述第I源極布線及所述第2源極布線分別對(duì)置，沿著第2方向延伸；以及第I取向膜，由表現(xiàn)出水平取向性的材料形成，覆蓋所述主像素電極、所述第I副像素電極、所述第2副像素電極、以及所述第I主共用電極；所述第2基板具備:第2副共用電極，在所述第I副像素電極和所述第2副像素電極之間沿著第I方向延伸；以及第2取向膜，由表現(xiàn)出水平取向性的材料形成，覆蓋所述第2副共用電極；所述液晶層含有保持于所述第I基板和所述第2基板之間的液晶分子。
[0013]根據(jù)本實(shí)施方式，提供一種液晶顯示裝置，其特征在于，具備第I基板、第2基板及液晶層，所述第I基板具備:第I輔助電容線及第2輔助電容線，分別沿著第I方向延伸；柵極布線，沿著第I方向延伸，位于所述第I輔助電容線和所述第2輔助電容線之間；第I源極布線及第2源極布線，分別沿著與第I方向交叉的第2方向延伸；帶狀的主像素電極，位于所述第I源極布線和所述第2源極布線之間，沿著第2方向延伸；帶狀的第I副像素電極，與所述主像素電極相連，與所述第I輔助電容線對(duì)置，沿著第I方向延伸；帶狀的第2副像素電極，與所述主像素電極相連，從所述第I副像素電極分離，沿著第I方向延伸；第I副共用電極，與所述柵極布線對(duì)置，沿著第I方向延伸；以及第I取向膜，由表現(xiàn)出水平取向性的材料形成，覆蓋所述主像素電極、所述第I副像素電極、所述第2副像素電極、以及所述第I副共用電極；所述第2基板具備--第2主共用電極，在夾著所述主像素電極的兩側(cè)分別沿著第2方向延伸，該第2主共用電極與所述第I副共用電極的電位相同；以及第2取向膜，由表現(xiàn)出水平取向性的材料形成，覆蓋所述第2主共用電極；所述液晶層含有保持于所述第I基板和所述第2基板之間的液晶分子。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是概略性地表示本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的構(gòu)成的圖。
[0015]圖2是概略性地表示圖1所示的液晶顯示面板的構(gòu)成及等效電路的圖。
[0016]圖3是對(duì)本實(shí)施方式的基本構(gòu)成概略性地表示一像素的最小的單位構(gòu)成體的俯視圖。
[0017]圖4是概略性地表示包括開關(guān)元件的液晶顯示面板的截面的截面圖。
[0018]圖5是概略性地表示本實(shí)施方式的第I構(gòu)成例的液晶顯示面板的對(duì)置基板上的一像素的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0019]圖6是概略性地表示從對(duì)置基板側(cè)觀看本實(shí)施方式的第I構(gòu)成例的液晶顯示面板的一像素時(shí)的陣列基板的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0020]圖7是概略性地表示本實(shí)施方式的第2構(gòu)成例的液晶顯示面板的對(duì)置基板上的一像素的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0021 ] 圖8是概略性地表示從對(duì)置基板側(cè)觀看本實(shí)施方式的第2構(gòu)成例的液晶顯示面板的一像素時(shí)的陣列基板的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0022]圖9是概略性地表示本實(shí)施方式的第3構(gòu)成例的液晶顯示面板的對(duì)置基板上的一像素的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0023]圖10是概略性地表示從對(duì)置基板側(cè)觀看本實(shí)施方式的第3構(gòu)成例的液晶顯示面板的一像素時(shí)的陣列基板的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0024]圖11是概略性地表示從對(duì)置基板側(cè)觀看本實(shí)施方式的第4構(gòu)成例的液晶顯示面板的一像素時(shí)的陣列基板的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0025]圖12是將在第I至第4構(gòu)成例中說明的陣列基板和第I至第3構(gòu)成例中說明的對(duì)置基板的組合匯總的圖。
[0026]圖13是概略性地表示本實(shí)施方式的變形之一的俯視圖。
[0027]圖14是概略性地表示本實(shí)施方式的其他變形的俯視圖。
[0028]圖15是用于說明能夠在本實(shí)施方式中應(yīng)用的像素電極、柵極布線、以及輔助電容線的位置關(guān)系的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面參照附圖詳細(xì)說明本實(shí)施方式。另外，在各圖上，對(duì)發(fā)揮相同或類似的功能的構(gòu)成要素賦予相同的參考符號(hào)，并省略重復(fù)說明。
[0030]圖1是概略性地表示本實(shí)施方式的液晶顯示裝置I的構(gòu)成的圖。
[0031]S卩，液晶顯示裝置I具備有源矩陣型的液晶顯示面板LPN、與液晶顯示面板LPN連接的驅(qū)動(dòng)IC芯片2及撓性布線基板3、對(duì)液晶顯示面板LPN進(jìn)行照明的背光源4等。
[0032]液晶顯示面板LPN構(gòu)成為，具備:作為第I基板的陣列基板AR ;作為第2基板的對(duì)置基板CT，與陣列基板AR相對(duì)配置；以及未圖示的液晶層，保持在陣列基板AR和對(duì)置基板CT之間。這樣的液晶顯示面板LPN具備顯示圖像的有效區(qū)域ACT。該有效區(qū)域ACT由mXn個(gè)配置成矩陣狀的多個(gè)像素PX構(gòu)成(其中，m及η是正整數(shù))。
[0033]在圖示的例子中，背光源4配置于陣列基板AR的背面?zhèn)?。作為這種背光源4，可以應(yīng)用各種方式，另外，作為光源，可以是利用了發(fā)光二極管(LED)的光源或利用了冷陰極管(CCFL)的光源等，省略詳細(xì)結(jié)構(gòu)的說明。
[0034]圖2是概略性地表示圖1所示的液晶顯示面板LPN的構(gòu)成及等效電路的圖。
[0035]液晶顯示面板LPN在有效區(qū)域ACT中具備η條柵極布線G (Gl?Gn)、n條輔助電容線C (Cl?Cn)、m條源極布線S (SI?Sm)等。柵極布線G以及輔助電容線C沿著例如第I方向X以大致直線狀延伸。這些柵極布線G以及輔助電容線C沿著與第I方向X交叉的第2方向Y隔著間隔相鄰且交替地并列配置。在此，第I方向X和第2方向Y彼此正交。源極布線S與柵極布線G及輔助電容線C交叉。源極布線S沿著第2方向Y以大致直線狀延伸。另外，柵極布線G、輔助電容線C、以及源極布線S并不是必須以大致直線狀延伸，它們的一部分也可以彎折。
[0036]各柵極布線G被引出到有效區(qū)域ACT的外側(cè)，與柵極驅(qū)動(dòng)器GD連接。各源極布線S被引出到有效區(qū)域ACT的外側(cè)，與源極驅(qū)動(dòng)器SD連接。這些柵極驅(qū)動(dòng)器GD及源極驅(qū)動(dòng)器SD的至少一部分形成在例如陣列基板AR上，與內(nèi)置有控制器的驅(qū)動(dòng)IC芯片2連接。
[0037]各像素PX具備開關(guān)元件SW、像素電極PE、共用電極CE等。保持電容Cs形成在例如輔助電容線C和像素電極PE之間。輔助電容線C與被施加了輔助電容電壓的電壓施加部VCS電連接。[0038]另外，在本實(shí)施方式中，液晶顯示面板LPN構(gòu)成為，像素電極PE形成在陣列基板AR上而共用電極CE的至少一部分形成在對(duì)置基板CT上，主要利用形成在像素電極PE和共用電極CE之間的電場對(duì)液晶層LQ的液晶分子進(jìn)行開關(guān)。形成在像素電極PE和共用電極CE之間的電場是相對(duì)于由第I方向X和第2方向Y規(guī)定的X-Y平面、或陣列基板AR的基板主面、或?qū)χ没錍T的基板主面稍微傾斜的斜電場(或者與基板主面大致平行的橫電場)。
[0039]開關(guān)元件SW由例如η溝道薄膜晶體管(TFT)構(gòu)成。該開關(guān)元件SW與柵極布線G及源極布線S電連接。在有效區(qū)域ACT上形成有mXn個(gè)開關(guān)元件SW。
[0040]像素電極PE配置在各像素PX上，與開關(guān)元件SW電連接。在有效區(qū)域ACT中形成有mXn個(gè)像素電極PE。共用電極CE例如是共用電位，經(jīng)由液晶層LQ對(duì)于多個(gè)像素PX的像素電極PE共用地配置。
[0041]陣列基板AR具備用于對(duì)共用電極CE施加電壓的供電部VS。該供電部VS形成于例如有效區(qū)域ACT的外側(cè)。共用電極CE之中的、形成在對(duì)置基板CT上的共用電極CE的至少一部分被引出到有效區(qū)域ACT的外側(cè)，經(jīng)由未圖示的導(dǎo)電部件與形成在陣列基板AR上的供電部VS電連接。另外，在共用電極CE的一部分形成于陣列基板AR的情況下，形成在陣列基板AR上的共用電極CE的一部分在例如有效區(qū)域ACT的外側(cè)與供電部VS電連接。
[0042]下面說明本實(shí)施方式的基本構(gòu)成。
[0043]圖3是概略性地表示一像素PX上的最小單位構(gòu)成體的俯視圖。
[0044]像素電極PE具有主像素電極PA、第I副像素電極PB、以及第2副像素電極PC。這些主像素電極PA、第I副像素電極PB、以及第2副像素電極PC相互電連接。在本實(shí)施方式中，主像素電極PA、第I副像素電極PB、以及第2副像素電極PC均被設(shè)置于陣列基板AR。主像素電極PA沿著第2方向Y延伸。第I副像素電極PB及第2副像素電極PC沿著與第2方向Y不同的第I方向X延伸。第2副像素電極PC從第I副像素電極PB分離。
[0045]在圖示的例子中，像素電極PE形成為大致I字狀。更具體地講，主像素電極PA形成為，在大致像素中央部沿著第2方向Y以直線狀延伸的帶狀。第I副像素電極PB及第2副像素電極PC形成為，在各個(gè)像素PX的上側(cè)端部及下側(cè)端部沿著第I方向X直線狀地延伸的帶狀。
[0046]另外，第I副像素電極PB及第2副像素電極PC也可以分別配置在與該像素PX上下相鄰的像素之間。即，第I副像素電極PB也可以跨過圖示的該像素PX和其下側(cè)的像素(未圖示)的邊界而配置，第2副像素電極PC也可以跨過圖示的該像素PX和其上側(cè)的像素(未圖示)的邊界而配置。
[0047]第I副像素電極PB例如與主像素電極PA的一個(gè)端部結(jié)合，從主像素電極PA朝向其兩側(cè)延伸。第2副像素電極PC例如與主像素電極PA的另一個(gè)端部結(jié)合，從主像素電極PA朝向其兩側(cè)延伸。這些第I副像素電極PB及第2副像素電極PC與主像素電極PA大致正交。另外，第I副像素電極PB也可以結(jié)合到比主像素電極PA的一個(gè)端部稍微靠另一個(gè)端部的位置，同樣地，第2副像素電極PC也可以結(jié)合到比主像素電極PA的另一個(gè)端部稍微靠一個(gè)端部的位置。像素電極PE與例如在第2副像素電極PC中省略了圖示的開關(guān)元件電連接。
[0048]共用電極CE具有主共用電極CA及副共用電極CB。這些主共用電極CA及副共用電極CB相互電連接。這種共用電極CE與像素電極PE電絕緣。在本實(shí)施方式中，在共用電極CE上，主共用電極CA及副共用電極CB的至少一部分被設(shè)置于對(duì)置基板CT。
[0049]主共用電極CA沿著第2方向Y延伸。該主共用電極CA夾著主像素電極PA而配置于兩側(cè)。此時(shí)，在X-Y平面內(nèi)，主共用電極CA均不與主像素電極PA重合，在各個(gè)主共用電極CA與主像素電極PA之間形成大致相等的間隔。即，主像素電極PA位于相鄰的主共用電極CA的大致中間。
[0050]副共用電極CB沿著第I方向X延伸。副共用電極CB配置于第I副像素電極I3B和第2副像素電極PC之間。此時(shí)，在X-Y平面內(nèi)，副共用電極CB均不與第I副像素電極PB及第2副像素電極PC重合，在第I副像素電極PB與副共用電極CB之間、以及第2副像素電極PC與副共用電極CB之間形成有大致相等的間隔。即，副共用電極CB位于第I副像素電極PB和第2副像素電極PC的大致中間。
[0051]在圖示的例子中，主共用電極CA形成為沿著第2方向Y以直線狀延伸的帶狀。畐Ij共用電極CB形成為沿著第I方向X以直線狀延伸的帶狀。另外，主共用電極CA沿著第I方向X隔著間隔平行排列2條，在下文中為了進(jìn)行區(qū)分，將圖中的左側(cè)的主共用電極稱為CAL，將圖中的右側(cè)的主共用電極稱為CAR。主共用電極CAL及主共用電極CAR的電位與副共用電極CB相同。在圖示的例子中，主共用電極CAL及主共用電極CAR分別與副共用電極CB相連。
[0052]主共用電極CAL及主共用電極CAR分別配置于與該像素PX左右相鄰的像素之間。即，主共用電極CAL跨過圖示的該像素PX和其左側(cè)的像素(未圖示)的邊界配置，主共用電極CAR跨過圖示的該像素PX和其右側(cè)的像素(未圖示)的邊界配置。
[0053]副共用電極CB橫穿該像素PX的大致中央。
[0054]在相鄰的主共用電極CAL及主共用電極CAR之間具有I條主像素電極PA。因此，主共用電極CAL、主像素電極PA、以及主共用電極CAR沿著第I方向X按照該順序配置。即，主像素電極PA和主共用電極CA沿著第I方向X交替地配置。這些主像素電極PA與主共用電極CAL及主共用電極CAR相互大致平行地配置。另外，主共用電極CAL和主像素電極PA的沿著第I方向X的距離與主共用電極CAR和主像素電極PA的沿著第I方向X的距離大致同等。
[0055]在相鄰的第I副像素電極PB及第2副像素電極PC之間存在I條副共用電極CB。因此，第I副像素電極PB、副共用電極CB、以及第2副像素電極PC沿著第2方向Y按該順序配置。即，第I副像素電極PB及第2副像素電極PC和副共用電極CB沿著第2方向Y交替配置。這些第I副像素電極PB、副共用電極CB、以及第2副像素電極PC相互大致平行地配置。另外，第I副像素電極PB和副共用電極CB的沿著第2方向Y的距離與第2副像素電極PC和副共用電極CB的沿著第2方向Y的距離大致相同。
[0056]即，在圖示的例子中，在一像素PX中，由像素電極PE和共用電極CE劃分的4個(gè)區(qū)域主要作為對(duì)顯示有貢獻(xiàn)的開口部或透過部形成。
[0057]在此表示的例子中，液晶分子LM的初始取向方向是例如與第2方向Y大致平行的方向。
[0058]另外，在此雖未詳細(xì)說明，主共用電極CA的至少I個(gè)也可以與源極布線S對(duì)置，該源極布線S與主共用電極CA大致平行地(或沿著第2方向Y)延伸。另外，第I副像素電極PB、第2副像素電極PC、以及副共用電極CB的任意一個(gè)與大致平行于它們(或沿著第I方向X)延伸的柵極布線G或輔助電容線C對(duì)置。
[0059]另外，后面詳細(xì)說明，主共用電極CA可以包括設(shè)置于陣列基板AR的第I主共用電極CAl和設(shè)置于對(duì)置基板CT的第2主共用電極CA2的至少一方。另外，副共用電極CB也可以包括設(shè)置于陣列基板AR的第I副共用電極CBl和設(shè)置于對(duì)置基板CT的第2副共用電極CB2的至少一方。第I主共用電極CA1、第2主共用電極CA2、第I副共用電極CB1、以及第2副共用電極CB2均為同電位。
[0060]圖4是概略性地表示包括開關(guān)元件SW的液晶顯示面板LPN的截面的截面圖。另夕卜，在此省略共用電極的圖示，只圖示說明所需的位置。
[0061]在構(gòu)成液晶顯示面板LPN的陣列基板AR的背面?zhèn)扰渲糜斜彻庠?。
[0062]陣列基板AR使用例如玻璃基板、塑料基板等具有透光性的第I絕緣基板10來形成。該陣列基板AR在第I絕緣基板10的與對(duì)置基板CT對(duì)置的一側(cè)具備開關(guān)元件SW、像素電極PE、第I取向膜ALl等。
[0063]在圖示的例子中，開關(guān)元件SW是頂柵型薄膜晶體管，但可以是底柵型薄膜晶體管。另外，開關(guān)元件SW的半導(dǎo)體層SC例如由多晶硅形成，然而也可以由非晶態(tài)硅形成。
[0064]半導(dǎo)體層SC在夾著溝道區(qū)域SCC的兩側(cè)分別具有源極區(qū)域SCS及漏極區(qū)域S⑶。另外，也可以在第I絕緣基板10和半導(dǎo)體層SC之間存在作為絕緣膜的底涂層層。半導(dǎo)體層SC被柵極絕緣膜11覆蓋。另外，柵極絕緣膜11在第I絕緣基板10之上也配置。
[0065]開關(guān)元件SW的柵電極WG形成于柵極絕緣膜11之上，位于半導(dǎo)體層SC的溝道區(qū)域SCC的上方。另外，柵極布線G及輔助電容線C也形成于柵極絕緣膜11之上。這些柵電極WG、柵極布線G、以及輔助電容線C能夠使用相同的材料通過相同的工序來形成。柵電極WG與柵極布線G電連接。
[0066]柵電極WG、柵極布線G、以及輔助電容線C被第I層間絕緣膜12覆蓋。另外，該第I層間絕緣膜12也配置于柵極絕緣膜11之上。這些柵極絕緣膜11及第I層間絕緣膜12由例如氧化硅及氮化硅等無機(jī)類材料形成。
[0067]開關(guān)元件SW的源電極WS及漏電極WD形成于第I層間絕緣膜12之上。另外，源極布線S也形成于第I層間絕緣膜12之上。這些源電極WS、漏電極WD、以及源極布線S能夠使用相同的材料通過相同的工序來形成。源電極WS與源極布線S電連接。
[0068]源電極WS通過將柵極絕緣膜11及第I層間絕緣膜12貫通的接觸孔，與半導(dǎo)體層SC的源極區(qū)域SCS接觸。漏電極WD通過將柵極絕緣膜11及第I層間絕緣膜12貫通的接觸孔，與半導(dǎo)體層SC的漏極區(qū)域S⑶接觸。這些柵電極WG、柵極布線G、輔助電容線C、源電極WS、漏電極WD、以及源極布線S由例如鑰、鋁、鎢、鈦等導(dǎo)電材料形成。
[0069]這樣構(gòu)成的開關(guān)元件SW被第2層間絕緣膜13覆蓋。S卩，源電極WS、漏電極WD、以及源極布線S被第2層間絕緣膜13覆蓋。另外，該第2層間絕緣膜13還配置于第I層間絕緣膜12之上。該第2層間絕緣膜13由例如紫外線固化型樹脂或熱固化型樹脂等各種有機(jī)材料形成。
[0070]像素電極PE形成于第2層間絕緣膜13之上。雖不詳細(xì)說明，構(gòu)成像素電極PE的主像素電極PA、第I副像素電極PB、以及第2副像素電極PC形成于第2層間絕緣膜13之上。該像素電極PE經(jīng)由將第2層間絕緣膜13貫通的接觸孔與漏電極WD連接。這種像素電極PE由例如氧化銦錫(ITO)或摻銦氧化鋅(IZO)等具有透光性的導(dǎo)電材料形成，然而也可以由鋁等其他金屬材料形成。
[0071]第I取向膜ALl配置于陣列基板AR的與對(duì)置基板CT對(duì)置的面，遍及有效區(qū)域ACT的大致整體延伸。該第I取向膜ALl覆蓋像素電極PE，還配置于第2層間絕緣膜13之上。這種第I取向膜ALl由表現(xiàn)出水平取向性的材料形成。
[0072]另外，陣列基板AR有時(shí)還具備作為共用電極的一部分的第I主共用電極及第I副共用電極。
[0073]另一方面，對(duì)置基板CT使用例如玻璃基板、塑料基板等具有透光性的第2絕緣基板20形成。該對(duì)置基板CT在第2絕緣基板20的與陣列基板AR對(duì)置的一側(cè)具備省略了圖示的共用電極之中的第2主共用電極及第2副共用電極的至少一方、以及第2取向膜AL2等。另外，雖省略圖示，該對(duì)置基板CT上也可以配置劃分各像素PX的(或者與源極布線S、柵極布線G、輔助電容線C、開關(guān)元件SW等布線部對(duì)置地配置的)黑矩陣、與各像素PX對(duì)應(yīng)地配置的濾色層、將黑矩陣以及濾色層的表面的凹凸的影響緩和的保護(hù)層等。
[0074]共用電極由例如ΙΤ0、IZO等具有透光性的導(dǎo)電材料形成。
[0075]第2取向膜AL2配置于對(duì)置基板CT的與陣列基板AR對(duì)置的面，遍及有效區(qū)域ACT的大致整體延伸。該第2取向膜AL2覆蓋共用電極等。這種第2取向膜AL2由表現(xiàn)出水平取向性的材料形成。
[0076]對(duì)這些第I取向膜ALl及第2取向膜AL2實(shí)施用于使液晶分子LM初始取向的取向處理(例如摩擦處理或光取向處理)。第I取向膜ALl使液晶分子LM初始取向的第I取向處理方向PD I與第2取向膜AL2使液晶分子LM初始取向的第2取向處理方向PD2平行。在圖3的(A)中示出的例子中，第I取向處理方向PDl和第2取向處理方向PD2相互大致平行，均朝向相同的方向。在圖3的(B)中示出的例子中，第I取向處理方向PDl和第2取向處理方向PD2相互大致平行,相互朝向相反方向。
[0077]如上所述的陣列基板AR和對(duì)置基板CT配置成各自的第I取向膜ALl及第2取向膜AL2對(duì)置。此時(shí)，在陣列基板AR的第I取向膜ALl和對(duì)置基板CT的第2取向膜AL2之間配置有例如由樹脂材料一體形成在一方的基板上的柱狀襯墊，由此，形成預(yù)定的單元間隙(cell gap)、例如2?7μπι的單元間隙。陣列基板AR和對(duì)置基板CT以形成了預(yù)定的單元間隙的狀態(tài)通過有效區(qū)域ACT的外側(cè)的密封部件貼合。
[0078]液晶層LQ保持在形成于陣列基板AR和對(duì)置基板CT之間的單元間隙中，配置于第I取向膜ALl和第2取向膜AL2之間。液晶層LQ含有液晶分子LM。這種液晶層LQ由例如介電常數(shù)異方性為正(陽型)的液晶材料構(gòu)成。
[0079]在陣列基板AR的外表面、即構(gòu)成陣列基板AR的第I絕緣基板10的外表面上，通過粘合劑等粘貼有第I光學(xué)元件ODl。該第I光學(xué)元件ODl位于液晶顯示面板LPN的與背光源4對(duì)置的一側(cè)，控制從背光源4入射到液晶顯示面板LPN的入射光的偏振狀態(tài)。該第I光學(xué)兀件ODl包括具有第I偏振軸AXl的第I偏振板PLl。另外,在第I偏振板PLl和第I絕緣基板10之間也可以配置有相位差板等其他光學(xué)元件。
[0080]在對(duì)置基板CT的外表面、即構(gòu)成對(duì)置基板CT的第2絕緣基板20的外表面上，通過粘合劑等粘貼有第2光學(xué)元件0D2。該第2光學(xué)元件0D2位于液晶顯示面板LPN的顯示面?zhèn)?，控制從液晶顯示面板LPN射出的射出光的偏振狀態(tài)。該第2光學(xué)元件0D2包括具有第2偏振軸ΑΧ2的第2偏振板PL2。另外,在第2偏振板PL2和第2絕緣基板20之間也可以配置相位差板等其他光學(xué)元件。
[0081]第I偏振板PLl的第I偏振軸AXl和第2偏振板PL2的第2偏振軸AX2處于正交尼科耳的位置關(guān)系。此時(shí)，一方的偏振板配置成，例如其偏振軸與液晶分子LM的初始取向方向、即第I取向處理方向PDl或第2取向處理方向PD2平行或正交。在初始取向方向與第2方向Y平行的情況下，一方的偏振板的偏振軸與第2方向Y平行或與第I方向X平行。
[0082]在圖3的(a)不出的例子中，第I偏振板PLl配置成,其第I偏振軸AXl與液晶分子LM的初始取向方向、即第2方向Y正交，另外，第2偏振板PL2配置成，其第2偏振軸AX2與液晶分子LM的初始取向方向平行。另外，在圖3的(b)示出的例子中，第2偏振板PL2配置成，其第2偏振軸AX2與液晶分子LM的初始取向方向、即第2方向Y正交，另外，第I偏振板PLl配置成，其第I偏振軸AXl與液晶分子LM的初始取向方向平行。
[0083]由此，實(shí)現(xiàn)常黑模式。
[0084]接著，說明上述構(gòu)成的液晶顯示面板LPN的動(dòng)作。
[0085]即，在沒有對(duì)液晶層LQ施加電壓的狀態(tài)、即像素電極PE與共用電極CE之間沒有形成電場的無電場時(shí)(截止時(shí)(OFF時(shí)))，如圖3中虛線所示，液晶層LQ的液晶分子LM以其長軸朝向第I取向膜ALl的第I取向處理方向PDl及第2取向膜AL2的第2取向處理方向PD2的方式取向。這種截止時(shí)相當(dāng)于初始取向狀態(tài)，截止時(shí)的液晶分子LM的取向方向相當(dāng)于初始取向方向。
[0086]另外，嚴(yán)格來說，液晶分子LM不限于與X-Y平面平行地進(jìn)行取向，多數(shù)情況下預(yù)傾(pretilt)。因此，液晶分子LM的嚴(yán)格的初始取向方向是指，將截止時(shí)的液晶分子LM的取向方向朝向X-Y平面正投影的方向。然而，為了省略說明，下文中設(shè)液晶分子LM與X-Y平面平行地進(jìn)行取向，在與X-Y平面平行的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。
[0087]在此，第I取向處理方向PDl及第2取向處理方向PD2均是與第2方向Y大致平行的方向。在截止時(shí)，如圖3中虛線所示，液晶分子LM以其長軸朝向與第2方向Y大致平行的方向的方式初始取向。即，液晶分子LM的初始取向方向與第2方向Y平行(或者相對(duì)于第2方向Y成為0° )。
[0088]如圖示的例子所示，在I取向處理方向PDl及第2取向處理方向PD2平行且方向相同的情況下，在液晶層LQ的截面上，液晶分子LM在液晶層LQ的中間部附近大致水平(預(yù)傾角大致為零)取向，將此處作為邊界，在第I取向膜ALl的附近及第2取向膜AL2的附近具備對(duì)稱的預(yù)傾角而取向(發(fā)散取向)。像這樣，在液晶分子LM進(jìn)行發(fā)散取向的狀態(tài)下，即使在從基板的法線方向傾斜的方向上，也能夠通過第I取向膜ALl的附近的液晶分子LM和第2取向膜AL2的附近的液晶分子LM進(jìn)行光學(xué)補(bǔ)償。因此，在第I取向處理方向PDl以及第2取向處理方向PD2相互平行且方向相同時(shí)，在黑顯示的情況下，漏光少且能夠?qū)崿F(xiàn)高對(duì)比度，能夠提聞顯不品質(zhì)。
[0089]另外，在第I取向處理方向PDl及第2取向處理方向PD2相互平行且方向相反的情況下，在液晶層LQ的截面上，液晶分子LM在第I取向膜ALl的附近、第2取向膜AL2的附近、以及液晶層LQ的中間部具有大致均勻的預(yù)傾角進(jìn)行取向(homogeneous alignment:均一取向)。
[0090]來自背光源4的背光的一部分透過第I偏振板PL1，入射到液晶顯示面板LPN。入射到液晶顯示面板LPN的光是與第I偏振板PLl的第I偏振軸AXl正交的直線偏振光。這種直線偏振光的偏振狀態(tài)在通過截止時(shí)的液晶顯示面板LPN時(shí)幾乎不變化。因此，透過了液晶顯示面板LPN的直線偏振光被相對(duì)于第I偏振板PLl處于正交尼科耳的位置關(guān)系的第2偏振板PL2吸收(黑顯示)。
[0091]另一方面，在對(duì)液晶層LQ施加了電壓的狀態(tài)、即在像素電極PE和共用電極CE之間形成了電位差的狀態(tài)(導(dǎo)通時(shí)(0N時(shí)))下，在像素電極PE和共用電極CE之間形成與基板大致平行的橫電場(或斜電場)。液晶分子LM受到電場的影響，其長軸如圖中的實(shí)線所示在與X-Y平面大致平行的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。
[0092]在圖3示出的例子中，在像素電極PE和主共用電極CAL之間的區(qū)域之中，上側(cè)一半的區(qū)域內(nèi)的液晶分子LM相對(duì)于第2方向Y按順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)而朝向圖中的左下進(jìn)行取向，另外，下側(cè)一半的區(qū)域內(nèi)的液晶分子LM相對(duì)于第2方向Y按逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)而朝向圖中的左上進(jìn)行取向。在像素電極PE和主共用電極CAR之間的區(qū)域之中，上側(cè)一半的區(qū)域內(nèi)的液晶分子LM相對(duì)于第2方向Y按逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)而朝向圖中的右下進(jìn)行取向，下側(cè)一半的區(qū)域內(nèi)的液晶分子LM相對(duì)于第2方向Y按順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)而朝向圖中的右上進(jìn)行取向。
[0093]像這樣，在各像素PX中，在像素電極PE和共用電極CE之間形成了電場的狀態(tài)下，液晶分子LM的取向方向以與像素電極PE重合的位置為邊界朝向多個(gè)方向散開，在各個(gè)取向方向上形成疇(domain)。S卩，在一像素PX上形成多個(gè)疇。
[0094]在這種導(dǎo)通時(shí),與第I偏振板PLl的第I偏振軸AXl正交的直線偏振光入射到液晶顯示面板LPN，其偏振狀態(tài)在光通過液晶層LQ時(shí)根據(jù)液晶分子LM的取向狀態(tài)而改變。在這種導(dǎo)通時(shí)，通過了液晶層LQ的至少一部分的光透過第2偏振板PL2 (白顯示)。
[0095]根據(jù)這樣的本實(shí)施方式，由于能夠在一像素內(nèi)形成4個(gè)疇，所以能夠?qū)?個(gè)方向處的視場角進(jìn)行光學(xué)補(bǔ)償，能夠?qū)崿F(xiàn)廣視場角化。因此，能夠在沒有灰度反轉(zhuǎn)的情況下，實(shí)現(xiàn)高透過率的顯示，能夠提供顯示品質(zhì)良好的液晶顯示裝置。
[0096]另外，在一像素內(nèi)，針對(duì)由像素電極PE和共用電極CE劃分出的4個(gè)區(qū)域，將各個(gè)開口部的面積設(shè)定為大致相同，從而各區(qū)域的透過率大致相同，透過了各個(gè)開口部的光相互光學(xué)補(bǔ)償，能夠在廣視場角范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)均勻的顯示。
[0097]另外，確認(rèn)到，與液晶分子的初始取向狀態(tài)垂直于基板的垂直取向型的液晶顯示裝置相比，本實(shí)施方式即使在中間灰度時(shí)，也視場角寬且亮度明亮。
[0098]另外，當(dāng)導(dǎo)通時(shí)，在像素電極PE的主像素電極PA附近、第I副像素電極PB附近、以及第2副像素電極PC附近、或者共用電極CE的主共用電極CA附近及副共用電極CB附近，幾乎不形成橫電場(或者未形成足以驅(qū)動(dòng)液晶分子LM的電場)，所以液晶分子LM與截止時(shí)同樣，幾乎不從初始取向方向變化。因此，如上所述，即使由透光性的導(dǎo)電材料形成像素電極PE及共用電極CE，在這些區(qū)域中，背光幾乎不透過，在導(dǎo)通時(shí)，幾乎對(duì)顯示幾乎沒有貢獻(xiàn)。因此，像素電極PE及共用電極CE不必一定由透明的導(dǎo)電材料形成，也可以使用鋁、銀等導(dǎo)電材料形成。
[0099]另外，在陣列基板AR和對(duì)置基板CT之間產(chǎn)生了對(duì)準(zhǔn)偏差時(shí)，在與夾著像素電極PE的兩側(cè)的共用電極CE的距離上產(chǎn)生差。然而，這種對(duì)準(zhǔn)偏差在全部的像素PX上共同產(chǎn)生，所以在像素PX間的電場分布上沒有差異，給圖像的顯示帶來的影響非常小。
[0100]另外，上述的一像素PX的最小的單位構(gòu)成體不限于正方形，在第2方向Y或第I方向X上的伸縮沒有限制，可以形成為矩形。即，通過單位構(gòu)成體自身或?qū)挝粯?gòu)成體組合，能夠設(shè)計(jì)所需的像素尺寸。像這樣，即使自由設(shè)計(jì)單位構(gòu)成體的尺寸，由于液晶分子LM通過在電極間產(chǎn)生的電場而在基板上水平地取向，所以給相對(duì)于基板的法線方向的光程差帶來的影響小。因此，像素尺寸的變更幾乎不會(huì)給亮度及視場角帶來影響。
[0101]另一方面，在初始取向狀態(tài)相對(duì)于基板垂直地取向、且通過施加電壓而水平地取向的垂直取向型液晶顯示裝置的情況下，在電極間產(chǎn)生的電場強(qiáng)度在像素內(nèi)不同時(shí)，液晶分子相對(duì)于基板的傾斜程度也不同，所以給相對(duì)于基板的法線方向的光程差帶來的影響大。因此，像素尺寸的變更給亮度及視場角帶來的影響大。由此，假設(shè)在該單位構(gòu)成體中應(yīng)用了垂直取向型液晶分子的情況下，為了使像素內(nèi)的電場強(qiáng)度及電場分布均勻，單位構(gòu)成體需要形成為正方形。
[0102]接著，說明本實(shí)施方式的一構(gòu)成例。
[0103]《第I構(gòu)成例》
[0104]首先，說明本實(shí)施方式的第I構(gòu)成例。
[0105]圖5是概略性地表示本實(shí)施方式的第I構(gòu)成例的液晶顯示面板LPN的對(duì)置基板CTl上的一像素PX的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0106]在該第I構(gòu)成例中，共用電極CE作為主共用電極而具有設(shè)置于對(duì)置基板CTl的第2主共用電極CA2、以及作為副共用電極而具有設(shè)置于對(duì)置基板CTl的第2副共用電極CB2。這些第2主共用電極CA2及第2副共用電極CB2被第2取向膜AL2覆蓋。
[0107]S卩，圖示的對(duì)置基板CTl具備沿著第2方向Y以直線狀延伸的帶狀的第2主共用電極CA2和沿著第I方向X以直線狀延伸的帶狀的第2副共用電極CB2。這些第2主共用電極CA2及第2副共用電極CB2電連接。在圖示的例子中，第2主共用電極CA2及第2副共用電極CB2形成為一體(或連續(xù))。即，在對(duì)置基板CTl上，共用電極CE形成為柵格狀。
[0108]另外，圖示的第2主共用電極CA2沿著第I方向X隔著間隔平行排列2條，以下為了將它們區(qū)分，將圖中的左側(cè)的第2主共用電極稱為CAL2，將圖中的右側(cè)的第2主共用電極稱為CAR2。第2主共用電極CAL2及第2主共用電極CAR2分別與第2副共用電極CB2相連。
[0109]雖未詳細(xì)說明，這樣構(gòu)成的共用電極CE被引出到有效區(qū)域的外側(cè)，經(jīng)由導(dǎo)電部件，與形成在陣列基板上的供電部電連接，被供給共用電位。
[0110]接著，說明適于與圖5所示的對(duì)置基板CTl的組合的陣列基板AR1。
[0111]圖6是概略性地表示從對(duì)置基板CTl側(cè)觀看本實(shí)施方式的第I構(gòu)成例的液晶顯示面板LPN的一像素PX時(shí)的陣列基板ARl的結(jié)構(gòu)的俯視圖。另外，為了說明像素電極PE和共用電極CE的位置關(guān)系，用虛線圖示共用電極CE。另外，只圖示說明一像素PX所需的構(gòu)成，省略開關(guān)元件等的圖示。
[0112]陣列基板ARl具備:沿著第I方向X延伸的輔助電容線Cl及輔助電容線C2 ;沿著第I方向X延伸的柵極布線Gl ；沿著第2方向Y延伸的源極布線SI及源極布線S2 ；以及像素電極PE。輔助電容線Cl、輔助電容線C2、以及柵極布線Gl形成在柵極絕緣膜11之上，被第I層間絕緣膜12覆蓋。源極布線SI及源極布線S2形成在第I層間絕緣膜12之上，被第2層間絕緣膜13覆蓋。像素電極PE形成在第2層間絕緣膜13之上。
[0113]在圖示的例子中，像素PX相當(dāng)于圖中的用虛線表示的區(qū)域，是沿著第2方向Y的長度比沿著第I方向X的長度大的長方形狀。另外，在圖示的例子中，在像素PX中，源極布線SI配置于左側(cè)端部，源極布線S2配置于右側(cè)端部。嚴(yán)格地說，源極布線SI跨過該像素PX和在其左側(cè)相鄰的像素的邊界而配置，源極布線S2跨過該像素PX和在其右側(cè)相鄰的像素的邊界而配置。另外，在像素PX上，輔助電容線Cl配置于上側(cè)端部，輔助電容線C2配置于下側(cè)端部，柵極布線Gl配置于大致像素中央部。即，柵極布線Gl與輔助電容線Cl的沿著第2方向Y的間隔和柵極布線Gl與輔助電容線C2的沿著第2方向Y的間隔大致相同。另外，輔助電容線Cl也可以跨過該像素PX和其上側(cè)的像素的邊界而配置。同樣地，輔助電容線C2也可以跨過該像素PX和其下側(cè)的像素的邊界而配置。
[0114]像素電極PE配置在源極布線SI和源極布線S2之間，與省略了圖示的開關(guān)元件電連接。這種像素電極PE具有沿著第2方向Y以直線狀延伸的帶狀的主像素電極PA、沿著第I方向X以直線狀延伸的帶狀的第I副像素電極PB及第2副像素電極PC。這些主像素電極PA、第I副像素電極PB、以及第2副像素電極PC電連接。在圖示的例子中，主像素電極PA、第I副像素電極PB、以及第2副像素電極PC形成為一體(或連續(xù))。S卩，在陣列基板ARl上，像素電極PE形成為I字狀。另外，主像素電極PA、第I副像素電極PB、以及第2副像素電極PC均被第I取向膜ALl覆蓋。
[0115]主像素電極PA位于比相鄰的源極布線SI以及源極布線S2的各自正上方的位置更靠像素PX的內(nèi)側(cè)，配置于源極布線SI和源極布線S2的大致中間。這種主像素電極PA從像素PX的上側(cè)端部附近延伸到下側(cè)端部附近。
[0116]第I副像素電極PB配置于像素PX的下側(cè)端部，與主像素電極PA的一個(gè)端部相連。這種第I副像素電極PB從主像素電極PA分別朝向其兩側(cè)、即主像素電極PA的左側(cè)的源極布線SI以及主像素電極PA的右側(cè)的源極布線S2直線狀地延伸。
[0117]第2副像素電極PC配置于像素PX的上側(cè)端部，與主像素電極PA的另一個(gè)端部相連。這種第2副像素電極PC從主像素電極PA分別朝向其兩側(cè)、即源極布線SI及源極布線S2直線狀地延伸。在該第I構(gòu)成例中，第2副像素電極PC與輔助電容線Cl對(duì)置。在圖示的例子中，第2副像素電極PC配置于輔助電容線Cl的上方。在第2副像素電極PC和輔助電容線Cl之間，作為絕緣膜存在第I層間絕緣膜12及第2層間絕緣膜13。
[0118]這些第I副像素電極PB及第2副像素電極PC各自的沿著第I方向X的長度可以大致相同，也可以不同。在第2副像素電極PC覆蓋輔助電容線Cl的情況下，第2副像素電極PC的沿著第I方向X的長度大于等于位于源極布線SI和源極布線S2之間的輔助電容線Cl的沿著第I方向X的長度。
[0119]另外，第I副像素電極PB及第2副像素電極PC各自的沿著第2方向Y的寬度可以大致相同，也可以不同。第2副像素電極PC在輔助電容線Cl上與未圖示的開關(guān)元件電連接的構(gòu)成的情況下，第2副像素電極PC的寬度可以比第I副像素電極PB的寬度大。在第2副像素電極PC覆蓋輔助電容線Cl的情況下，第2副像素電極PC的寬度大于等于輔助電容線Cl的寬度。
[0120]如上所述，在輔助電容線Cl配置于像素的上側(cè)端部、柵極布線Gl配置于大致像素中央部的結(jié)構(gòu)中，第2副像素電極PC能夠配置成將位于源極布線SI和源極布線S2之間的輔助電容線Cl覆蓋。另外，在輔助電容線C2配置于像素的下側(cè)端部的構(gòu)成中，第I副像素電極PB能夠配置成將位于源極布線SI和源極布線S2之間的輔助電容線C2覆蓋。
[0121]另外，在I條輔助電容線上，可以配置有在第2方向Y上相鄰的2個(gè)像素電極的第I副像素電極PB及第2副像素電極PC。例如，在輔助電容線Cl上，可以配置所圖示的該像素PX的像素電極PE的第2副像素電極PC、以及配置于該像素PX的上側(cè)的像素上的像素電極的第I副像素電極。在這種情況下，該像素PX的像素電極PE的第I副像素電極PB配置于輔助電容線C2之上。
[0122]另外，也可以使柵極布線Gl配置于像素PX的上側(cè)端部或者下側(cè)端部，輔助電容線Cl配置于大致像素中央部。在該情況下，第I副像素電極PB或者第2副像素電極PC也可以與柵極布線Gl對(duì)置(或者，第I副像素電極PB或第2副像素電極PC也可以配置于柵極布線Gl的上方)。
[0123]另一方面，在共用電極CE上，第2主共用電極CAL2及第2主共用電極CAR2夾著主像素電極PA的正上方的位置而配置于兩側(cè)，并且第2副共用電極CB2配置于第I副像素電極PB的正上方的位置和第2副像素電極PC的正上方的位置之間。換言之，主像素電極PA配置于第2主共用電極CAL2和第2主共用電極CAR2之間，第I副像素電極PB及第2副像素電極PC夾著第2副共用電極CB2而配置于兩側(cè)。
[0124]在圖示的例子中，第2主共用電極CAL2配置于像素PX的左側(cè)端部，與源極布線SI對(duì)置(或者，第2主共用電極CAL2配置于源極布線SI的上方)。另外，第2主共用電極CAR2配置于像素PX的右側(cè)端部，與源極布線S2對(duì)置(或者，第2主共用電極CAR2配置于源極布線S2的上方)。另外，第2副共用電極CB2配置于大致像素中央部，與柵極布線Gl對(duì)置(或者，第2副共用電極CB2配置于柵極布線Gl的上方)。
[0125]根據(jù)這種第I構(gòu)成例，如上所述，能夠在一像素內(nèi)形成4個(gè)疇，所以能夠?qū)?個(gè)方向處的視場角進(jìn)行光學(xué)補(bǔ)償，能夠?qū)崿F(xiàn)廣視場角化。
[0126]另外，第2主共用電極CAL2及第2主共用電極CAR2分別與源極布線SI及源極布線S2對(duì)置。尤其是，在第2主共用電極CAL2及第2主共用電極CAR2分別配置于源極布線SI及源極布線S2的上方的情況下，與第2主共用電極CAL2及第2主共用電極CAR2配置于比源極布線SI及源極布線S2更靠主像素電極PA側(cè)的位置的情況相比，能夠擴(kuò)大對(duì)顯示有貢獻(xiàn)的開口部，能夠提高像素PX的透過率。
[0127]另外，通過將第2主共用電極CAL2及第2主共用電極CAR2分別配置于源極布線SI及源極布線S2的上方，能夠擴(kuò)大主像素電極PA與第2主共用電極CAL2及第2主共用電極CAR2之間的距離，能夠形成更加接近水平的橫電場。因此，能夠維持現(xiàn)有構(gòu)成的IPS模式等的優(yōu)點(diǎn)、即廣視場角。
[0128]此外，像素電極PE的第I副像素電極PB或第2副像素電極PC配置成與輔助電容線、柵極布線對(duì)置，所以能夠遮蔽來自輔助電容線、柵極布線的不希望的電場。因此，能夠抑制從輔助電容線和/或柵極布線對(duì)液晶層LQ施加不希望的偏壓，能夠抑制燒毀(burn-1n)等顯示不良的產(chǎn)生。因此，能夠提供顯示品質(zhì)更加良好的液晶顯示裝置。
[0129]《第2構(gòu)成例》
[0130]接著，說明本實(shí)施方式的第2構(gòu)成例。另外，對(duì)與第I構(gòu)成例相同的結(jié)構(gòu)，賦予相同的參考符號(hào)，并省略詳細(xì)說明。
[0131]圖7是概略性地表示本實(shí)施方式的第2構(gòu)成例的液晶顯示面板LPN的對(duì)置基板CT2上的一像素PX的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0132]在該第2構(gòu)成例中，共用電極CE作為主共用電極而具備設(shè)置于后述的陣列基板的第I主共用電極CAl、以及作為副共用電極而具備設(shè)置于對(duì)置基板CT2的第2副共用電極CB2。該第2副共用電極CB2被第2取向膜AL2覆蓋。
[0133]S卩，圖示的對(duì)置基板CT2具備沿著第I方向X呈直線狀延伸的帶狀的第2副共用電極CB2，不具備主共用電極。即，在對(duì)置基板CT2上，共用電極CE形成為在第I方向X上延伸的條紋狀。
[0134]雖然沒有詳細(xì)說明，這種共用電極CE的第2副共用電極CB2被引出到有效區(qū)域的外側(cè)，經(jīng)由導(dǎo)電部件與形成于陣列基板的供電部電連接，被供給共用電位。
[0135]接著，說明適于與圖7所示的對(duì)置基板CT2組合的陣列基板AR2。
[0136]圖8是概略性地表示從對(duì)置基板CT2側(cè)觀看本實(shí)施方式的第2構(gòu)成例的晶顯示面板LPN的一像素PX時(shí)的陣列基板AR2的結(jié)構(gòu)的俯視圖。另外，為了說明像素電極PE和共用電極CE的位置關(guān)系，用虛線圖示共用電極CE。另外，只圖示說明一像素P所需的構(gòu)成，省略開關(guān)元件等的圖示。
[0137]與陣列基板ARl同樣地，陣列基板AR2具備:沿著第I方向X延伸的輔助電容線Cl及輔助電容線C2 ;沿著第I方向X延伸的柵極布線Gl ;沿著第2方向Y延伸的源極布線SI及源極布線S2;以及像素電極PE。像素電極PE被第I取向膜ALl覆蓋。此外，陣列基板AR2具備共用電極CE的一部分、即沿著第2方向Y以直線狀延伸的帶狀的第I主共用電極CAl。該第I主共用電極CAl與第2副共用電極CB2為同電位。
[0138]另外，圖示的第I主共用電極CAl沿著第I方向X隔著間隔平行地排列2條，以下為了將它們區(qū)分，將圖中的左側(cè)的第I主共用電極稱為CAL1，將圖中的右側(cè)的第I主共用電極稱為CARl。這些第I主共用電極CALl及第I主共用電極CARl例如與像素電極PE同樣地形成于第2層間絕緣膜13之上，被第I取向膜ALl覆蓋。在這種情況下，第I主共用電極CALl及第I主共用電極CARl能夠使用與像素電極PE相同的材料(例如ITO等)以相同的工序形成。
[0139]在圖示的例子中，第I主共用電極CALl配置于像素PX的左側(cè)端部，與源極布線SI對(duì)置(或者，第I主共用電極CALl配置于源極布線SI的上方)。另外，第I主共用電極CARl配置于像素PX的右側(cè)端部，與源極布線S2對(duì)置(或者，第I主共用電極CARl配置于源極布線S2的上方)。在第I主共用電極CALl及第I主共用電極CARl與源極布線SI及源極布線S2之間，作為絕緣膜存在第2層間絕緣膜13。
[0140]這些第I主共用電極CALl及第I主共用電極CARl分別在有效區(qū)域內(nèi)直線狀地延伸，引出到有效區(qū)域的外側(cè)，與形成于陣列基板AR2的供電部電連接，被供給共用電位。另夕卜，在第I主共用電極CALl及第I主共用電極CARl各自在有效區(qū)域內(nèi)覆蓋源極布線SI及源極布線S2的情況下，第I主共用電極CALl及第I主共用電極CARl的沿著第I方向X的寬度大于等于源極布線SI及源極布線S2的沿著第I方向X的寬度。
[0141]與第I構(gòu)成例同樣地，像素電極PE配置于源極布線SI和源極布線S2之間、即第I主共用電極CALl和第I主共用電極CARl之間。該像素電極PE具有主像素電極PA、第I副像素電極PB、以及第2副像素電極PC。
[0142]主像素電極PA配置于第I主共用電極CALl和第I主共用電極CARl的大致中間的位置。第I副像素電極PB及第2副像素電極PC分別朝向第I主共用電極CALl及第I主共用電極CARl延伸。然而，在像素電極PE與第I主共用電極CALl及第I主共用電極CARl一起形成于第2層間絕緣膜13上的情況下，第I副像素電極PB及第2副像素電極PC分別配置成不與第I主共用電極CALl及第I主共用電極CARl接觸(或者，第I副像素電極PB及第2副像素電極PC分別配置成從第I主共用電極CALl及第I主共用電極CARl分離)。
[0143]第2副像素電極PC與輔助電容線Cl對(duì)置(或者，第2副像素電極PC配置于輔助電容線Cl的上方)。
[0144]另外，也可以是，柵極布線Gl配置于像素PX的上側(cè)端部或者下側(cè)端部，輔助電容線Cl配置于大致像素中央部。在該情況下，第I副像素電極PB或第2副像素電極PC也可以與柵極布線Gl對(duì)置(或者，第I副像素電極PB或第2副像素電極PC也可以配置于柵極布線Gl的上方)。
[0145]另一方面，在共用電極CE上，第2副共用電極CB2配置于第I副像素電極PB的正上方的位置和第2副像素電極PC的正上方的位置之間。換言之，主像素電極PA配置于第I主共用電極CALl和第I主共用電極CARl之間，第I副像素電極PB及第2副像素電極PC夾著第2副共用電極CB2而配置于兩側(cè)。
[0146]在圖示的例子中，第2副共用電極CB2配置于大致像素中央部，與柵極布線Gl對(duì)置(或者，第2副共用電極CB2配置于柵極布線Gl的上方)。
[0147]根據(jù)這種第2構(gòu)成例，如上所述，能夠在一像素內(nèi)形成4個(gè)疇，所以能夠?qū)?個(gè)方向處的視場角進(jìn)行光學(xué)補(bǔ)償，能夠?qū)崿F(xiàn)廣視場角化。另外，除了在第I構(gòu)成例中說明的效果之外，共用電極CE的第I主共用電極CAl的至少I個(gè)配置成與源極布線對(duì)置，所以能夠?qū)碜栽礃O布線的不希望的電場遮蔽。因此，能夠抑制從源極布線對(duì)液晶層LQ施加不希望的偏壓，能夠抑制串?dāng)_(例如下述現(xiàn)象:在該像素PX被設(shè)定為顯示黑色的像素電位的狀態(tài)下，向與該像素PX連接的源極布線供給顯示白色的像素電位時(shí)，從該像素PX的一部分產(chǎn)生漏光而導(dǎo)致亮度上升)等顯示不良的發(fā)生。因此，能夠提供一種顯示品質(zhì)更加良好的液晶顯示
裝直。
[0148]另外，該第2構(gòu)成例中說明的陣列基板AR2也可以與在第I構(gòu)成例中說明的對(duì)置基板CTl組合。在這種情況下，共用電極CE構(gòu)成如下:作為主共用電極，具有設(shè)置于陣列基板AR2的第I主共用電極CAl及設(shè)置于對(duì)置基板CTl的第2主共用電極CA2。在這種第I主共用電極CAl和第2主共用電極CA2夾著液晶層對(duì)置的區(qū)域中，能夠抑制產(chǎn)生不希望的縱電場(即沿著基板主面的法線方向的電場)。
[0149]《第3構(gòu)成例》
[0150]接著，說明本實(shí)施方式的第3構(gòu)成例。另外，對(duì)與第I構(gòu)成例相同的結(jié)構(gòu)，賦予相同的參考符號(hào)，并省略詳細(xì)說明。
[0151]圖9是概略性地表示本實(shí)施方式的第3構(gòu)成例的液晶顯示面板LPN的對(duì)置基板CT3上的一像素PX的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0152]在該第3構(gòu)成例中，共用電極CE作為主共用電極而具備設(shè)置于對(duì)置基板CT3的第2主共用電極CA2、作為副共用電極而具備設(shè)置于后述的陣列基板的第I副共用電極CB1。該第2主共用電極CA2被第2取向膜AL2覆蓋。
[0153]即，圖示的對(duì)置基板CT3具備沿著第2方向Y以直線狀延伸的帶狀的第2主共用電極CA2，不具備副共用電極。即，在對(duì)置基板CT3上，共用電極CE形成為在第2方向Y上延伸的條紋狀。另外，圖示的第2主共用電極CA2沿著第I方向X隔著間隔平行地排列2條，為了將它們區(qū)分，將圖中的左側(cè)的第2主共用電極稱為CAL2，將圖中的右側(cè)的第2主共用電極稱為CAR2。
[0154]雖然沒有詳細(xì)說明，這種共用電極CE的第2主共用電極CA2被引出到有效區(qū)域的外側(cè)，經(jīng)由導(dǎo)電部件與形成于陣列基板的供電部電連接，被供給共用電位。
[0155]接著，說明適于與圖9所示的對(duì)置基板CT3組合的陣列基板AR3。
[0156]圖10是概略性地表示從對(duì)置基板CT3側(cè)觀看本實(shí)施方式的第3構(gòu)成例的液晶顯示面板LPN的一像素PX時(shí)的陣列基板AR3的結(jié)構(gòu)的俯視圖。另外，為了說明像素電極PE和共用電極CE的位置關(guān)系，用虛線圖示共用電極CE。另外，只圖示說明一像素PX所需的構(gòu)成，省略開關(guān)元件等的圖示。
[0157]與陣列基板ARl同樣地，陣列基板AR3具備:沿著第I方向X延伸的輔助電容線Cl及輔助電容線C2 ;沿著第I方向X延伸的柵極布線Gl ;沿著第2方向Y延伸的源極布線SI及源極布線S2;以及像素電極PE。像素電極PE被第I取向膜ALl覆蓋。此外，陣列基板AR3具備共用電極CE的一部分、即沿著第I方向X以直線狀延伸的帶狀的第I副共用電極CBl。該第I副共用電極CBl與第2主共用電極CA2為同電位。
[0158]該第I副共用電極CBl與像素電極PE交叉，所以不能夠與像素電極PE形成在同一層。因此，在像素電極PE和第I副共用電極CBl之間存在層間絕緣膜。另外，第I取向膜ALl也可以位于像素電極PE及第I副共用電極CBl的任意一方的上方。
[0159]該第I副共用電極CBl配置于第I副像素電極PB和第2副像素電極PC之間。在圖示的例子中，第I副共用電極CBl配置于大致像素中央部，與柵極布線Gl對(duì)置(或者，第I副共用電極CBl配置于柵極布線Gl的上方)。在第I副共用電極CBl和柵極布線Gl之間，作為絕緣膜，至少設(shè)置有第I層間絕緣膜12及第2層間絕緣膜13。
[0160]該第I副共用電極CBl在有效區(qū)域內(nèi)直線狀地延伸，被引出到有效區(qū)域的外側(cè)，與形成于陣列基板AR3的供電部電連接，被供給共用電位。另外，第I副共用電極CBl在有效區(qū)域內(nèi)覆蓋柵極布線Gl的情況下，第I副共用電極CBl的沿著第2方向Y的寬度大于等于柵極布線Gl的沿著第2方向Y的寬度。
[0161]與第I構(gòu)成例同樣地，像素電極PE配置于源極布線SI和源極布線S2之間。該像素電極PE具有主像素電極PA、第I副像素電極PB以及第2副像素電極PC。
[0162]主像素電極PA配置于源極布線SI和源極布線S2的大致中間的位置。第I副像素電極PB及第2副像素電極PC夾著第I副共用電極CBl而配置于兩側(cè)。第2副像素電極PC與輔助電容線Cl對(duì)置(或者，第2副像素電極PC配置于輔助電容線Cl的上方)。
[0163]另外，柵極布線Gl配置于像素PX的上側(cè)端部或者下側(cè)端部，輔助電容線Cl配置于大致像素中央部。在這種情況下，第I副像素電極PB或第2副像素電極PC也可以與柵極布線Gl對(duì)置(或者，第I副像素電極PB或第2副像素電極PC也可以配置于柵極布線Gl的上方)，第I副共用電極CBl也可以與輔助電容線Cl對(duì)置(或者，第I副共用電極CBl也可以配置于輔助電容線Cl的上方)。
[0164]另一方面，在共用電極CE上，第2主共用電極CAL2及第2主共用電極CAR2夾著主像素電極PA的正上方的位置而配置于兩側(cè)。換言之，主像素電極PA配置于第2主共用電極CAL2和第2主共用電極CAR2之間。
[0165]在圖示的例子中，第2主共用電極CAL2配置于像素PX的左側(cè)端部，與源極布線SI對(duì)置(或者，第2主共用電極CAL2配置于源極布線SI的上方)。另外，第2主共用電極CAR2配置于像素PX的右側(cè)端部，與源極布線S2對(duì)置(或者，第2主共用電極CAR2配置于源極布線S2的上方)。
[0166]根據(jù)這種第3構(gòu)成例，如上所述，能夠在一像素內(nèi)形成4個(gè)疇，所以能夠?qū)?個(gè)方向處的視場角進(jìn)行光學(xué)補(bǔ)償，能夠?qū)崿F(xiàn)廣視場角化。另外，除了在第I構(gòu)成例中說明的效果之外，由于共用電極CE的第I副共用電極CBl配置成與柵極布線對(duì)置，所以能夠遮蔽來自柵極布線的不希望的電場。因此，能夠抑制從柵極布線對(duì)液晶層LQ施加不希望的偏壓，能夠抑制燒毀等顯示不良的產(chǎn)生。因此，能夠提供一種顯示品質(zhì)更加良好的液晶顯示裝置。
[0167]另外，如上所述在像素電極PE和第I副共用電極CBl之間存在層間絕緣膜的結(jié)構(gòu)，與其他構(gòu)成例相比，制造工序數(shù)量增加。但是，該構(gòu)成例的整體的制造工序數(shù)量與現(xiàn)有的FFS模式的液晶顯示裝置的制造工序數(shù)量相同。在現(xiàn)有的FFS模式的液晶顯示裝置中，作為在一像素內(nèi)形成多疇的構(gòu)成之一，具有將像素電極的形狀形成為“ < ”字狀的構(gòu)成。該<字狀的像素電極的中央附近，容易產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)位移，由此會(huì)導(dǎo)致像素整體的亮度下降。另一方面，在本實(shí)施方式中，不會(huì)像FFS模式的液晶顯示裝置那樣產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)位移，所以亮度提高。
[0168]另外，在該第3構(gòu)成例中說明的陣列基板AR3也可以與在第I構(gòu)成例中說明的對(duì)置基板CTl組合。在這種情況下，共用電極CE的構(gòu)成如下:作為副共用電極，具備設(shè)置于陣列基板AR3的第I副共用電極CBl及設(shè)置于對(duì)置基板CTl的第2副共用電極CB2。在這種第I副共用電極CBl和第2副共用電極CB2夾著液晶層對(duì)置的區(qū)域中，能夠抑制產(chǎn)生不希望的縱電場(即沿著基板主面的法線方向的電場)。
[0169]《第4構(gòu)成例》
[0170]接著，說明本實(shí)施方式的第4構(gòu)成例。另外，對(duì)與第I構(gòu)成例相同的結(jié)構(gòu)，賦予相同的參考符號(hào)，并省略詳細(xì)說明。
[0171]圖11是概略性地表示從對(duì)置基板CT側(cè)觀看本實(shí)施方式的第4構(gòu)成例的液晶顯示面板LPN的一像素PX時(shí)的陣列基板AR4的結(jié)構(gòu)的俯視圖。另外，只圖示說明一像素PX所需的構(gòu)成，省略開關(guān)元件等的圖示。
[0172]在該第4構(gòu)成例中，共用電極CE作為主共用電極而具有設(shè)置于陣列基板AR4的第I主共用電極CA1、作為副共用電極而具有設(shè)置于陣列基板AR4的第I副共用電極CB1。
[0173]與陣列基板ARl同樣地，陣列基板AR4具備:沿著第I方向X延伸的輔助電容線Cl及輔助電容線C2 ;沿著第I方向X延伸的柵極布線Gl ;沿著第2方向Y延伸的源極布線SI及源極布線S2 ；以及像素電極PE。此外，陣列基板AR4具備共用電極CE，共用電極CE具有沿著第2方向Y以直線狀延伸的帶狀的第I主共用電極CAl (CALl及CARl)以及沿著第I方向X以直線狀延伸的帶狀的第I副共用電極CBl。S卩，在陣列基板AR4中，共用電極CE形成為柵格狀。對(duì)于第I主共用電極CAl的構(gòu)成，與陣列基板AR2中的說明相同。對(duì)于第I副共用電極CBl的構(gòu)成，與陣列基板AR3中的說明相同。另外，第I取向膜ALl還位于像素電極PE、第I主共用電極CA1、以及第I副共用電極CBl的任意一方的上方。
[0174]雖然沒有詳細(xì)地說明，這種共用電極CE的第I主共用電極CAl及第I副共用電極CBl被引出到有效區(qū)域的外側(cè)，經(jīng)由導(dǎo)電部件與形成于陣列基板AR4的供電部電連接，被供給共用電位。
[0175]該第4構(gòu)成例中說明的陣列基板AR4與第I構(gòu)成例中說明的對(duì)置基板CT1、第2構(gòu)成例中說明的對(duì)置基板CT2、以及第3構(gòu)成例中說明的對(duì)置基板CT3的任一個(gè)都能夠組合。
[0176]對(duì)于在上述的第I至第4構(gòu)成例中說明的陣列基板AR1、陣列基板AR2、陣列基板AR3、以及陣列基板AR4與上述的第I至第3構(gòu)成例中說明的對(duì)置基板CTl、對(duì)置基板CT2、以及對(duì)置基板CT3的組合，匯總于圖12。圖中的斜線相當(dāng)于不能夠?qū)崿F(xiàn)本實(shí)施方式的基本構(gòu)成的組合，圖中的二重圈(◎)相當(dāng)于各構(gòu)成例中說明的組合，圖中的白圈(〇)相當(dāng)于在各構(gòu)成例中可實(shí)現(xiàn)的組合。
[0177]接著，針對(duì)本實(shí)施方式的另一變形，簡單說明一像素PX的構(gòu)成。
[0178]圖13是概略性地表示本實(shí)施方式的變形之一的俯視圖。
[0179]像素電極PE具有沿著第2方向Y延伸且沿著第I方向X隔著間隔平行排列的2條主像素電極PA、沿著第I方向X延伸的第I副像素電極PB以及第2副像素電極PC。這種像素電極PE設(shè)置于陣列基板。
[0180]共用電極CE具有沿著第2方向Y延伸的主共用電極CA以及沿著第I方向X延伸的副共用電極CB。主共用電極CA配置于2條主像素電極PA的各自的兩側(cè)。即，3條主共用電極CA和2條主像素電極PA交替地配置。副共用電極CB配置于第I副像素電極PB和第2副像素電極PC之間。即，第I副像素電極PB及第2副像素電極PC和I條副共用電極CB交替地配置。對(duì)于這種共用電極CE，主共用電極CA及副共用電極CB的至少一部分被設(shè)置于對(duì)置基板。
[0181]在這種構(gòu)成中，在一像素PX內(nèi)形成有8個(gè)區(qū)域，在導(dǎo)通時(shí)，液晶分子在圖中的箭頭所表示的方向上取向。在這種構(gòu)成中，能夠得到與上述的各構(gòu)成例相同的效果。
`[0182]圖14是概略性地表示本實(shí)施方式的其他變形的俯視圖。
[0183]像素電極PE具有沿著第2方向Y延伸的主像素電極PA、沿著第I方向X延伸的第I副像素電極PB、以及第2副像素電極PC。這些第I副像素電極PB及第2副像素電極PC不是在主像素電極PA的端部，而是在靠近像素中央部的位置與主像素電極PA結(jié)合。這種像素電極PE被設(shè)置于陣列基板。
[0184]共用電極CE具有沿著第2方向Y延伸的主共用電極CA、以及沿著第I方向X延伸的副共用電極CB。主共用電極CA配置于像素電極PE的兩側(cè)。即，2條主共用電極CA和I條主像素電極PA交替地配置。副共用電極CB配置于第I副像素電極PB及第2副像素電極PC各自的兩側(cè)。即，3條副共用電極CB和第I副像素電極PB及第2副像素電極PC交替地配置。對(duì)于這種共用電極CE，主共用電極CA及副共用電極CB的至少一部分被設(shè)置于對(duì)置基板。
[0185]在這種構(gòu)成中，在一像素PX內(nèi)形成有8個(gè)區(qū)域，在導(dǎo)通時(shí)，液晶分子在圖中的箭頭所表示的方向上取向。在這種構(gòu)成中，也能夠得到與上述的各構(gòu)成例相同的效果。
[0186]圖15是用于說明能夠在本實(shí)施方式中應(yīng)用的、像素電極PE的第I副像素電極PB及第2副像素電極PC和柵極布線Gl、輔助電容線Cl及輔助電容線C2的位置關(guān)系的圖。
[0187]圖15的(a)及(b)所示的例子相當(dāng)于柵極布線Gl位于輔助電容線Cl和輔助電容線C2的大致中間的情況。圖15的(c)至(f)所示的例子相當(dāng)于柵極布線Gl比輔助電容線Cl靠近輔助電容線C2側(cè)的情況。另外，在(a)至(f)所示的任一例子中，第2副像素電極PC均位于輔助電容線Cl的上方。
[0188]在圖中的(a)及(f)所示的例子中，第I副像素電極PB位于輔助電容線C2的上方。在這種情況下，與圖示的像素電極PE的上側(cè)相鄰的像素電極的副像素電極也位于輔助電容線Cl的上方，另外，與圖示的像素電極PE的下側(cè)相鄰的像素電極的副像素電極也位于輔助電容線C2的上方。
[0189]在圖中的(b)及(e)中示出的例子中，第I副像素電極PB位于柵極布線Gl和輔助電容線C2之間。在圖中的(c)中示出的例子中，第I副像素電極PB位于柵極布線Gl的上方。在圖中的(d)中示出的例子中，第I副像素電極PB位于柵極布線Gl和輔助電容線Cl之間。
[0190]在任何例子中，均能夠應(yīng)用對(duì)置基板CTl至CT3，能夠應(yīng)用于具備第I主共用電極CAl的陣列基板AR2、具備第I副共用電極CBl的陣列基板AR3、以及具備第I主共用電極CAl及第I副共用電極CBl的陣列基板AR4的任何陣列基板。
[0191]上述的本實(shí)施方式尤其適合于以點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行電容耦合驅(qū)動(dòng)的電容耦合點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)((XDI驅(qū)動(dòng))的構(gòu)成。S卩，在電容耦合驅(qū)動(dòng)(CC驅(qū)動(dòng))中，通過各像素的保持電容Cs，將輔助電容信號(hào)重疊到像素電極PE上，從而達(dá)到預(yù)定的電壓，所以在將保持電容Cs和像素容量設(shè)為大致相等的情況下，能夠?qū)⑿盘?hào)電壓振幅大致減半。在CCDI驅(qū)動(dòng)中，相鄰的像素PX的保持電容Cs與相互不同的輔助電容線C連接，將向相鄰的像素PX的保持電容Cs供給的輔助電容電壓設(shè)為相互不同的極性。例如，在圖6的該像素PX的保持電容Cs與輔助電容線Cl連接的情況下，相鄰的像素PX的保持電容Cs與輔助電容線C2連接。通過像這樣將像素的保持電容和輔助電容線連接，能夠?qū)⑾蛳噜彽南袼豍X的保持電容Cs供給的輔助電容電壓設(shè)為相互不同的電壓(例如高和低)。上述的柵極驅(qū)動(dòng)器GD、源極驅(qū)動(dòng)器SD、內(nèi)置了控制器的驅(qū)動(dòng)IC芯片2等作為用于進(jìn)行這種CCDI驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)發(fā)揮作用，也可以設(shè)置于陣列基板AR。
[0192]根據(jù)應(yīng)用了這種CCDI驅(qū)動(dòng)的構(gòu)成，能夠降低電力消耗，并能夠抑制顯示品質(zhì)的劣化。
[0193]如以上說明，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠提供顯示品質(zhì)良好的液晶顯示裝置。
[0194]另外，以上說明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式，然而這些實(shí)施方式只是作為例子示出的，并不是要限定發(fā)明的范圍。這些新穎的實(shí)施方式可以通過其他各種方式實(shí)施，能夠在不脫離發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種省略、替換、變更。這些實(shí)施方式及其變形均包括在發(fā)明范圍、要旨內(nèi)，并且包含于權(quán)利要求書所記載的發(fā)明及其等價(jià)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于， 該液晶顯示裝置具備第I基板、第2基板及液晶層， 所述第I基板具備--第I輔助電容線及第2輔助電容線，分別沿著第I方向延伸；柵極布線，沿著第I方向延伸，位于所述第I輔助電容線和所述第2輔助電容線之間；第I源極布線及第2源極布線，分別沿著與第I方向交叉的第2方向延伸；帶狀的主像素電極，位于所述第I源極布線和所述第2源極布線之間，沿著第2方向延伸；帶狀的第I副像素電極，與所述主像素電極相連，與所述第I輔助電容線對(duì)置，沿著第I方向延伸；帶狀的第2副像素電極，與所述主像素電極相連，從所述第I副像素電極分離，沿著第I方向延伸；以及第I取向膜，由表現(xiàn)出水平取向性的材料形成，覆蓋所述主像素電極、所述第I副像素電極、以及所述第2副像素電極； 所述第2基板具備--第2主共用電極，在夾著所述主像素電極的兩側(cè)分別沿著第2方向延伸；第2副共用電極，與所述第2主共用電極相連，在所述第I副像素電極和所述第2副像素電極之間沿著第I方向延伸；以及第2取向膜，由表現(xiàn)出水平取向性的材料形成，覆蓋所述第2主共用電極及所述第2副共用電極； 所述液晶層含有保持于所述第I基板和所述第2基板之間的液晶分子。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 在所述主像素電極和所述第2主共用電極之間未形成電場的狀態(tài)下，所述液晶分子的初始取向方向與第2方向大致平行。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，` 所述第I基板還具備第I主共用電極，該第I主共用電極與所述第I源極布線及所述第2源極布線分別對(duì)置，沿著第2方向延伸，被所述第I取向膜覆蓋，該第I主共用電極與所述第2主共用電極的電位相同。
4.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述第I基板還具備第I副共用電極，該第I副共用電極與所述柵極布線對(duì)置，沿著第I方向延伸，被所述第I取向膜覆蓋，該第I副共用電極與所述第2主共用電極的電位相同。
5.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述第I基板還具備: 第I副共用電極，與所述柵極布線對(duì)置，沿著第I方向延伸，被所述第I取向膜覆蓋，該第I副共用電極與所述第2主共用電極的電位相同；以及 第I主共用電極，與所述第I副共用電極相連，與所述第I源極布線及所述第2源極布線分別對(duì)置，沿著第2方向延伸，被所述第I取向膜覆蓋。
6.一種液晶顯示裝置，其特征在于， 具備第I基板、第2基板及液晶層， 所述第I基板具備--第I輔助電容線及第2輔助電容線，分別沿著第I方向延伸；柵極布線，沿著第I方向延伸，位于所述第I輔助電容線和所述第2輔助電容線之間；第I源極布線及第2源極布線，分別沿著與第I方向交叉的第2方向延伸；帶狀的主像素電極，位于所述第I源極布線和所述第2源極布線之間，沿著第2方向延伸；帶狀的第I副像素電極，與所述主像素電極相連，與所述第I輔助電容線對(duì)置，沿著第I方向延伸；帶狀的第2副像素電極，與所述主像素電極相連，從所述第I副像素電極分離，沿著第I方向延伸?’第I主共用電極，與所述第I源極布線及所述第2源極布線分別對(duì)置，沿著第2方向延伸；以及第I取向膜，由表現(xiàn)出水平取向性的材料形成，覆蓋所述主像素電極、所述第I副像素電極、所述第2副像素電極、以及所述第I主共用電極； 所述第2基板具備:第2副共用電極，在所述第I副像素電極和所述第2副像素電極之間沿著第I方向延伸；以及第2取向膜，由表現(xiàn)出水平取向性的材料形成，覆蓋所述第2副共用電極； 所述液晶層含有保持于所述第I基板和所述第2基板之間的液晶分子。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 在所述主像素電極和所述第I主共用電極之間未形成電場的狀態(tài)下，所述液晶分子的初始取向方向與第2方向大致平行。
8.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述第I基板還具備第I副共用電極，該第I副共用電極與所述第I主共用電極相連，與所述柵極布線對(duì)置，沿著第I方向延伸，被所述第I取向膜覆蓋。
9.一種液晶顯示裝置，其特征在于， 具備第I基板、第2基板及液晶層， 所述第I基板具備--第I輔助電容線及第2輔助電容線，分別沿著第I方向延伸；柵極布線，沿著第I方向延伸，位于所述第I輔助電容線和所述第2輔助電容線之間；第I源極布線及第2源極布線，分別沿著與第I方向交叉的第2方向延伸；帶狀的主像素電極，位于所述第I源極布線和所述第 2源極布線之間，沿著第2方向延伸；帶狀的第I副像素電極，與所述主像素電極相連，與所述第I輔助電容線對(duì)置，沿著第I方向延伸；帶狀的第2副像素電極，與所述主像素電極相連，從所述第I副像素電極分離，沿著第I方向延伸;第I副共用電極，與所述柵極布線對(duì)置，沿著第I方向延伸；以及第I取向膜，由表現(xiàn)出水平取向性的材料形成，覆蓋所述主像素電極、所述第I副像素電極、所述第2副像素電極、以及所述第I副共用電極； 所述第2基板具備:第2主共用電極，在夾著所述主像素電極的兩側(cè)分別沿著第2方向延伸，該第2主共用電極與所述第I副共用電極的電位相同；以及第2取向膜，由表現(xiàn)出水平取向性的材料形成，覆蓋所述第2主共用電極； 所述液晶層含有保持于所述第I基板和所述第2基板之間的液晶分子。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 在所述主像素電極和所述第2主共用電極之間未形成電場的狀態(tài)下，所述液晶分子的初始取向方向與第2方向大致平行。
11.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述第I基板還具備第I主共用電極，該第I主共用電極與所述第I副共用電極相連，與所述第I源極布線及所述第2源極布線分別對(duì)置，沿著第2方向延伸，被所述第I取向膜覆蓋。
12.如權(quán)利要求1~11的任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述第2副像素電極位于所述第2輔助電容線和所述柵極布線之間，或者位于所述第I輔助電容線和所述柵極布線之間。
13.如權(quán)利要求1~11的任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第2副像素電極位于所述第2輔助電容線的上方。
14.如權(quán)利要求1~11的任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述第I副像素電極與所述主像素電極的一個(gè)端部相連，所述第2副像素電極與所述主像素電極的另一個(gè)端部相連。
15.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述主像素電極位于所述第I源極布線和所述第2源極布線的大致中間。
16.如權(quán)利要求1~5、9~11的任一項(xiàng)所述的液晶顯不裝置,其特征在于， 所述第2主共用電極分別位于所述第I源極布線及所述第2源極布線的上方。
17.如權(quán)利要求1~8的任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述第2副共用電極位于所述柵極布線的上方。
18.如權(quán)利要求1~11的任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述第I取向膜使所述液晶分子初始取向的第I取向處理方向和所述第2取向膜使所述液晶分子初始取向的第2取向處理方向相互大致平行， 所述液晶分子在所述第I基 板和所述第2基板之間進(jìn)行發(fā)散取向或均一取向。
19.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 還具備第I偏振板和第2偏振板， 所述第I偏振板配置于所述第I基板的外表面，具有第I偏振軸， 所述第2偏振板配置于第2基板的外表面，具有與第I偏振軸處于正交尼科耳的位置關(guān)系的第2偏振軸， 所述第I偏振板的第I偏振軸與所述液晶分子的初始取向方向正交或平行。
20.如權(quán)利要求1~11的任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述第I基板具備用于進(jìn)行電容耦合點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK103534642SQ201280017222
【公開日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2012年2月15日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月8日
【發(fā)明者】廣澤仁 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日本顯示器