通過(guò)結(jié)晶濕法蝕刻制備的片上衍射光柵的制作方法
【專(zhuān)利摘要】描述了形成微電子結(jié)構(gòu)的方法。這些方法的實(shí)施例可包括：在(110)硅晶片襯底上形成光掩模，其中該光掩模包括平行四邊形開(kāi)口的周期性陣列，以及隨后在所述（110）硅晶片襯底上進(jìn)行時(shí)控濕法蝕刻以形成蝕刻進(jìn)（110）硅晶片襯底中的衍射光柵結(jié)構(gòu)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】通過(guò)結(jié)晶濕法蝕刻制備的片上衍射光柵
[0001]直量
[0002]衍射光柵(DG)是在需要發(fā)散波長(zhǎng)的應(yīng)用中被廣泛使用的重要光學(xué)器件。在自由空間光學(xué)器件中，通常，通過(guò)在襯底上機(jī)械地拋光溝槽，或通過(guò)對(duì)由兩光束干涉顯影出的全息圖案進(jìn)行反應(yīng)離子束蝕刻，來(lái)制作DG。在波導(dǎo)光學(xué)器件中，已通過(guò)利用標(biāo)準(zhǔn)的光刻和蝕刻技術(shù)來(lái)制作DG。
[0003]附圖簡(jiǎn)沭
[0004]盡管說(shuō)明書(shū)以特別指出和獨(dú)立地要求保護(hù)某些實(shí)施例的權(quán)利要求書(shū)作為結(jié)尾，但各實(shí)施例的優(yōu)勢(shì)可從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中得到更好的理解，在附圖中:
[0005]圖1a-1c示出根據(jù)實(shí)施例形成結(jié)構(gòu)的方法。
[0006]圖2a_2e示出根據(jù)實(shí)施例形成結(jié)構(gòu)的方法。
[0007]圖3示出根據(jù)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。
[0008]圖4示出根據(jù)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。
[0009]圖5示出根據(jù)實(shí)施例的系統(tǒng)。
【具體實(shí)施方式】
[0010]在對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的如下詳細(xì)描述中，對(duì)示出可投入實(shí)踐的特定實(shí)施例的附圖作出參照。充分詳細(xì)地描述這些實(shí)施例，以使本領(lǐng)域技術(shù)人員將這些實(shí)施例投入實(shí)踐。要理解，各實(shí)施例盡管是不同的，但不一定是相互排斥的。例如，這里結(jié)合一個(gè)實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)而不脫離它們的精神和范圍。另外要理解，可修正各公開(kāi)實(shí)施例中的各個(gè)要素的位置或配置而不脫離它們的精神和范圍。因此，下面的詳細(xì)描述不具有限定意義，并且各實(shí)施例的范圍僅由適當(dāng)解釋的所附權(quán)利權(quán)利要求連同這些權(quán)利要求授權(quán)的等效方案的全部范圍來(lái)定義。在附圖中，在若干視圖中，類(lèi)似的附圖標(biāo)記指示相同或相似的功能。
[0011]描述了形成和利用微電子結(jié)構(gòu)(諸如衍射光柵結(jié)構(gòu))的方法和相關(guān)結(jié)構(gòu)。這些方法和結(jié)構(gòu)可包括:在(110)硅晶片襯底上形成光掩模，其中該光掩模包括平行四邊形開(kāi)口的周期性陣列，以及隨后在所述(110)硅晶片襯底上進(jìn)行時(shí)控濕法蝕刻以形成蝕刻進(jìn)(110)硅晶片襯底中的衍射光柵結(jié)構(gòu)。本文所描述的各種實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了包括超高光學(xué)品質(zhì)的平面衍射光柵的制作。
[0012]圖1a-1c例示了形成諸如衍射光柵結(jié)構(gòu)之類(lèi)的微電子結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，例如，圖1a例示了(110)襯底100的一部分的各個(gè)晶軸。在一個(gè)實(shí)施例中，襯底100的該部分可包括(110)硅襯底100的一部分。在其他實(shí)施例中，(110)襯底100可包括，例如，(110)單晶硅晶片襯底100的一部分。在實(shí)施例中，(110)娃襯底100的[110]方向115可垂直于(110)襯底100的平面，且在實(shí)施例中可相對(duì)于(110)襯底100的平面在向上方向上。(110)襯底100可包括四個(gè)對(duì)稱(chēng)的結(jié)晶面{111}，且可包括(-11-1)面101、(1-1-1)面103、(-111)面105以及(1-11)面107。這些結(jié)晶面可以以70.6度的角度111或109.4度的角度109彼此相交。[0013]在實(shí)施例中，(110)襯底100可被用于制作片上DG，其中DG的溝槽可通過(guò)將溝槽蝕刻到襯底自身中(例如，通過(guò)使用濕蝕刻劑)來(lái)形成。在實(shí)施例中，可將結(jié)晶蝕刻劑施加到(110)襯底100上。例如，諸如但不限于KOH (氫氧化鉀)、EDP (乙烯二胺鄰苯二酚)、TMAH(四甲基氫氧化銨)或NH40H (氫氧化銨)的濕蝕刻劑可被施加到(110)襯底100上。
[0014]將濕蝕刻劑施加到(110)襯底100上之后，由于在〈111〉方向上的高原子密度，
(110)襯底100的{111}面形成蝕刻阻擋層。在實(shí)施例中，濕蝕刻劑可進(jìn)行各向異性蝕刻，該蝕刻在{111}硅襯底100的平面中較慢，且產(chǎn)生垂直側(cè)壁。在實(shí)施例中，通過(guò)利用適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)的光掩模圖案，例如，通過(guò)使用包括平行四邊形的周期性陣列的光掩模，可將帶有完全光滑的垂直側(cè)壁的鋸齒狀光柵結(jié)構(gòu)結(jié)晶性地濕法蝕刻到襯底100中。在實(shí)施例中，可將溝槽狀衍射光柵形成/蝕刻在襯底100中，該襯底100在某些情況下可包括平面DG，例如為階梯光柵結(jié)構(gòu)。
[0015]在實(shí)施例中，通過(guò)蝕刻工藝形成的衍射光柵結(jié)構(gòu)可被分類(lèi)為兩種情況:在臂之間有70.6度角111的一種光柵結(jié)構(gòu)120 (圖lb)，在臂之間有109.4度角109的另一種光柵結(jié)構(gòu)120’。在實(shí)施例中，衍射光柵結(jié)構(gòu)120、120’的閃耀角(blazed angle) 111、109可通過(guò)調(diào)整圖1b-1c中的臂115、115’和117、117’的長(zhǎng)度來(lái)控制。在實(shí)施例中，光柵120、120’的角111和109可分別在臂115、117和115’、117’之間。在實(shí)施例中，衍射光柵結(jié)構(gòu)120、120，的臂115、117和115，、117，可包括鋸齒狀結(jié)構(gòu)。
[0016]在實(shí)施例中，圖1b-1c中所示出的衍射光柵結(jié)構(gòu)120、120’可被用作反射光柵，其中金屬/反射性涂層可形成于衍射光柵結(jié)構(gòu)120、120’的鋸齒狀結(jié)構(gòu)的垂直側(cè)壁上和/或可將大于全內(nèi)反射角的入射角用于該衍射光柵結(jié)構(gòu)120、120’，其中衍射光柵結(jié)構(gòu)120、120’的透射損耗可大為減少。
[0017]光掩模圖案的制備對(duì)于圖1b-1c中所描述的衍射光柵結(jié)構(gòu)120、120’的形成是重要的。例如，圖1a-1b的臂長(zhǎng)度115、115’和117、117’可通過(guò)光掩模的設(shè)計(jì)來(lái)調(diào)整，且因此，衍射光柵結(jié)構(gòu)120、120’的角111和109可被控制。
[0018]在實(shí)施例中，可在(I 10)襯底200 (類(lèi)似于圖1a的襯底100)上形成光掩模202，其中該光掩模202可包括平行四邊形204的周期性陣列(圖2a)。在實(shí)施例中，在光掩模202的平行四邊形陣列204的各個(gè)平行四邊形之間可有間隙206。在實(shí)施例中，可在加光掩模的襯底200上使用濕蝕刻化學(xué)劑(諸如，但不限于，前文所述的濕蝕刻化學(xué)劑之一)來(lái)進(jìn)行時(shí)控蝕刻工藝以形成衍射光柵220 (圖2b)。衍射光柵220可包括臂長(zhǎng)度215、217以及臂215、217之間的角216，其中臂長(zhǎng)度可由光掩模202的設(shè)計(jì)來(lái)定義。
[0019]在實(shí)施例中，衍射光柵結(jié)構(gòu)220可包括第一側(cè)221和第二側(cè)222。在實(shí)施例中，經(jīng)蝕刻衍射光柵結(jié)構(gòu)220的第二側(cè)222可被移除，例如，使用干法蝕刻工藝來(lái)進(jìn)行移除，不過(guò)在其他情況中可使用濕法蝕刻(圖2c)。在另一實(shí)施例中,可將第一側(cè)221從衍射光柵結(jié)構(gòu)220移除。對(duì)于光源可能是從環(huán)境大氣入射而來(lái)的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，例如，當(dāng)衍射光柵結(jié)構(gòu)220可被用于自由空間光學(xué)系統(tǒng)時(shí)，可期望將衍射光柵結(jié)構(gòu)220的第一或第二側(cè)221、222移除。
[0020]衍射光柵結(jié)構(gòu)220可包括兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)。第一，衍射光柵結(jié)構(gòu)220的側(cè)壁223可為大致上精確的90°筆直，可包括在實(shí)施例中大約90度的側(cè)壁角221，且由于結(jié)晶濕法蝕亥IJ，其表面粗糙度可忽略(圖2d)。這一優(yōu)勢(shì)對(duì)于產(chǎn)生大活動(dòng)區(qū)域(例如當(dāng)需要非常深的蝕刻深度時(shí))是尤為重要的。第二，即便是當(dāng)光掩模上的鋸齒狀結(jié)構(gòu)(鄰近的臂，其間成角度)的銳度不能被精確定義的情況下，所得的經(jīng)蝕刻拐角仍將極為銳利。當(dāng)使用高溝槽密度時(shí)，例如當(dāng)拐角特征尺寸和光刻分辨率相當(dāng)或更小時(shí)，這樣的優(yōu)勢(shì)是尤為重要的。
[0021]圖2e描述實(shí)施例的流程圖。在步驟230，可在(110)硅襯底上形成光掩模，其中該光掩模包括平行四邊形的周期性陣列。在步驟240，可將濕蝕刻劑施加到(110)硅襯底上，其中{ 111}面作為濕蝕刻劑的蝕刻阻擋層。在步驟250，可用濕蝕刻劑進(jìn)行時(shí)控蝕刻，以將衍射光柵結(jié)構(gòu)直接形成于(110)硅襯底中。
[0022]常規(guī)地，例如，通過(guò)在襯底上機(jī)械地拋光溝槽，或通過(guò)對(duì)由兩光束干涉顯影出的全息圖案進(jìn)行反應(yīng)離子束蝕刻，來(lái)制作現(xiàn)有技術(shù)的大面積DG。衍射光柵，諸如階梯光柵，當(dāng)其同基于波導(dǎo)的光電設(shè)備集成時(shí)，通常通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)光刻以及干法蝕刻來(lái)使用和制作。這樣的現(xiàn)有技術(shù)方法會(huì)導(dǎo)致不期望的性質(zhì)，例如粗糙的表面、傾斜的側(cè)壁、和鈍的拐角，這會(huì)嚴(yán)重降低衍射光柵設(shè)備的光學(xué)品質(zhì)。因?yàn)楝F(xiàn)有技術(shù)的衍射光柵/波導(dǎo)的溝槽是通過(guò)干法蝕刻技術(shù)來(lái)制備的，其中經(jīng)常出現(xiàn)粗糙的表面、傾斜的側(cè)壁、和鈍的拐角，這樣的現(xiàn)有技術(shù)波導(dǎo)通常表現(xiàn)出高于預(yù)期的插入損耗，對(duì)于10微米到30微米的大芯波導(dǎo)尤甚。
[0023]衍射光柵結(jié)構(gòu)220的益處包括:允許形成片上平面DG，其中(110)硅晶片的結(jié)晶濕法蝕刻可定義具有極高光學(xué)品質(zhì)的平面DG。(110)硅襯底的濕法蝕刻允許為本文各實(shí)施例的平面DG制作90°筆直的側(cè)壁。因此，允許形成帶有筆直且光滑側(cè)壁的平面DG。例如，根據(jù)本文所包括的各實(shí)施例，可形成用于粗波分復(fù)用(CWDM)的階梯光柵。因?yàn)闇喜凼峭ㄟ^(guò)濕法蝕刻技術(shù)來(lái)制備的，各實(shí)施例的DG表現(xiàn)出更低的插入損耗，對(duì)于10微米到30微米的大芯波導(dǎo)尤為如此，因此實(shí)現(xiàn)了理想階梯光柵的制作。這樣的光柵結(jié)構(gòu)將大為增加總鏈路預(yù)算，因?yàn)楣韫庾訉W(xué)鏈路的主要損失來(lái)自于多路復(fù)用器和多路分離器組件。
[0024]在實(shí)施例中，片上準(zhǔn)直器可與各個(gè)實(shí)施例的DG相結(jié)合以在基于平面DG的多路復(fù)用器/多路分離器設(shè)備中進(jìn)行波長(zhǎng)選擇。例如，可采取Czerny-Turner配置(兩個(gè)準(zhǔn)直器)或Fastie-Ebert配置(一個(gè)準(zhǔn)直器)，如圖3所示，該圖示出了光線軌跡304。圖3描述了Czerny-Turner配置301，其包括根據(jù)本文的實(shí)施例制作的DG302和兩個(gè)準(zhǔn)直器303。描述了 Fastie-Ebert配置301’，其包括根據(jù)本文的實(shí)施例制作的DG302，帶有單個(gè)準(zhǔn)直器303’。描述了 Fastie-Ebert配置，其包括根據(jù)本文的實(shí)施例制作的DG302，帶有采取Littrow配置301”的單個(gè)準(zhǔn)直器303’。
[0025]在實(shí)施例中，本文所述各實(shí)施例的DG結(jié)構(gòu)可形成于圖4a所示的硅晶片400上，且可包括在管芯402上的各個(gè)集成電路的部分。硅晶片400可被切割以將各個(gè)管芯402彼此分離，如現(xiàn)有技術(shù)已知的那樣。包括DG結(jié)構(gòu)(諸如圖lb、lc和2c的DG結(jié)構(gòu))的單獨(dú)管芯402，例如，可然后變?yōu)槲㈦娮臃庋b組件408的部分(圖4b)。在某些實(shí)施例中，封裝組件408可包括采用焊料球404置于封裝襯底406上的管芯402，但可根據(jù)具體應(yīng)用而包括任何類(lèi)型的封裝。
[0026]圖5描述根據(jù)實(shí)施例的系統(tǒng)。系統(tǒng)500包括光源510,例如為激光器,其可引導(dǎo)輸入光束到光學(xué)衍射光柵結(jié)構(gòu)520中,光學(xué)衍射光柵結(jié)構(gòu)520例如為圖lb、Ic和2c的衍射光柵結(jié)構(gòu)。光柵結(jié)構(gòu)520可通信地耦合于接收器530，接收器530可包括光學(xué)接收器530。接收器530可稱(chēng)合于處理器550,處理器550可稱(chēng)合于存儲(chǔ)器設(shè)備540、輸入和輸出(I/O)控制器560，在一些實(shí)施例中，所有前述元件均可通過(guò)總線570通信地彼此耦合。處理器550可以是通用處理器或?qū)Ｓ眉呻娐?ASIC)。I/O控制器560可包括用于有線或無(wú)線通信的通信模塊。存儲(chǔ)器設(shè)備540可以是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)器件、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)器件、閃存器件或這些存儲(chǔ)器器件的組合。因此，在一些實(shí)施例中，系統(tǒng)500中的存儲(chǔ)器器件540不一定包括DRAM器件。
[0027]系統(tǒng)500中所示的一個(gè)或多個(gè)部件可包括本文中包含的各實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)衍射光柵。例如，處理器550或存儲(chǔ)器器件540或I/O控制器560的至少一部分或這些部件的組合可包括在集成電路封裝中，該集成電路封裝包括本文所述結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)實(shí)施例。
[0028]這些部件執(zhí)行它們業(yè)內(nèi)公知的傳統(tǒng)功能。尤其，存儲(chǔ)器設(shè)備540在某些情形下可用于提供對(duì)在由處理器550執(zhí)行期間形成根據(jù)一些實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的方法的可執(zhí)行指令的長(zhǎng)期存儲(chǔ)，而在其它實(shí)施例中可用來(lái)短期地存儲(chǔ)用于在由處理器550執(zhí)行期間形成根據(jù)這些實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的方法的可執(zhí)行指令。另外，指令可被存儲(chǔ)或以其它方式關(guān)聯(lián)于與系統(tǒng)可通信耦合的機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)，機(jī)器可訪問(wèn)介質(zhì)例如是緊湊盤(pán)只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)、數(shù)字多功能盤(pán)(DVD)、軟盤(pán)、載波和/或其它傳播的信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器設(shè)備540可向處理器550提供可執(zhí)行的指令以供執(zhí)行。
[0029]系統(tǒng)500可包括計(jì)算機(jī)(例如臺(tái)式機(jī)、膝上計(jì)算機(jī)、手持計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、Web設(shè)備、路由器等)、無(wú)線通信設(shè)備(例如蜂窩電話、無(wú)繩電話、尋呼機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理等)、計(jì)算機(jī)關(guān)聯(lián)的外圍設(shè)備(例如打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器等)、娛樂(lè)設(shè)備(例如電視機(jī)、收音機(jī)、立體聲、磁帶和緊致盤(pán)播放器、視頻卡帶錄像機(jī)、便攜式攝像機(jī)、數(shù)字照相機(jī)、MP3 (運(yùn)動(dòng)圖象專(zhuān)家組，音頻層3)播放機(jī)、視頻游戲、手表等)，諸如此類(lèi)。
[0030]盡管前面的說(shuō)明書(shū)具有可用于實(shí)施例中的某些特定步驟和材料，然而本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員將理解，可作出許多修正和替代。因此，所有這些修正、改變、替代和添加都應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為是落在實(shí)施例由所附權(quán)利要求書(shū)定義的精神和范圍內(nèi)。本文提供的附圖僅示出與實(shí)踐實(shí)施例相關(guān)的示例性微電子結(jié)構(gòu)的部分。因此，實(shí)施例不限于本文描述的結(jié)構(gòu)。
【權(quán)利要求】
1.一種方法，包括: 將濕蝕刻劑施加到(110)娃襯底,其中所述(110)娃襯底包括光掩模,所述光掩模包括平行四邊形的周期性陣列；以及 將衍射光柵結(jié)構(gòu)形成于所述(110)硅襯底中，其中所述(110)硅襯底的{111}面在所述(110)硅襯底的蝕刻期間形成蝕刻阻擋層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括:其中所述衍射光柵結(jié)構(gòu)包括光滑的、垂直的側(cè)壁，其中所述側(cè)壁為大致90度的側(cè)壁。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括:其中形成所述衍射光柵結(jié)構(gòu)還包括形成所述衍射光柵結(jié)構(gòu)的臂之間的角。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，還包括:其中所述衍射光柵結(jié)構(gòu)的臂之間的所述角包括約70.6度角和約109.4度角中的一個(gè)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括:其中所述衍射光柵結(jié)構(gòu)包括階梯衍射光柵結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括:其中所述衍射光柵結(jié)構(gòu)包括粗波分復(fù)用(CWDM)光學(xué)系統(tǒng)的一部分。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括:其中所述衍射光柵包括10到30微米的大芯波導(dǎo)。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括:其中所述CWDM光學(xué)系統(tǒng)還包括片上準(zhǔn)直器。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括:其中所述濕蝕刻劑包括KOH、TMAH和NH40H的其中之一。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括:其中所述濕蝕刻劑在所述(110)硅襯底上執(zhí)行結(jié)晶各向異性蝕刻。
11.一種形成衍射光柵的方法，包括: 在(110)硅晶片襯底上形成光掩模，其中所述光掩模包括平行四邊形開(kāi)口的周期性陣列； 在所述(110)硅晶片襯底上執(zhí)行時(shí)控濕法蝕刻，以形成被蝕刻到所述(110)硅晶片襯底中的衍射光柵結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括:其中相鄰平行四邊形開(kāi)口的拐角不是鄰接的。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括:其中所述衍射光柵結(jié)構(gòu)的一側(cè)被移除，其中光源可從環(huán)境大氣入射施加于所述衍射光柵結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括:其中所述衍射光柵的側(cè)壁包括反射性涂層。
15.一種結(jié)構(gòu)，包括: 被蝕刻到(110)硅襯底中的衍射光柵結(jié)構(gòu)，其中所述衍射光柵結(jié)構(gòu)的相鄰臂之間的角包括70.6度角和109.4度角的其中之一。
16.如權(quán)利要求15所述的結(jié)構(gòu)，其中所述衍射光柵結(jié)構(gòu)包括光滑的、大致垂直的側(cè)壁。
17.如權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu)，其中所述側(cè)壁為大致90度的側(cè)壁。
18.如權(quán)利要求15所述的結(jié)構(gòu)，其中所述衍射光柵結(jié)構(gòu)包括階梯衍射光柵結(jié)構(gòu)。
19.如權(quán)利要求15所述的結(jié)構(gòu)，其中光源可從環(huán)境大氣入射施加到所述衍射光柵結(jié)構(gòu)。
20.—種結(jié)構(gòu),包括:管芯的部分，其包括(110)硅襯底；以及 被蝕刻進(jìn)所述(110)硅襯底的衍射光柵結(jié)構(gòu)。
21.如權(quán)利要求20所述的結(jié)構(gòu)，其中所述衍射光柵結(jié)構(gòu)包括:在所述衍射光柵結(jié)構(gòu)的相鄰臂之間的角，所述角為70.6度角和109.4度角的其中之一。
22.如權(quán)利要求20所述的結(jié)構(gòu)，其中所述衍射光柵結(jié)構(gòu)包括大致光滑的側(cè)壁。
23.如權(quán)利要求20所述的結(jié)構(gòu)，其中所述衍射光柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁角包括大約90度角。
24.一種設(shè)備，包括: 管芯的部分，其包括(110)硅襯底；以及 被蝕刻進(jìn)所述(110)硅襯底的衍射光柵結(jié)構(gòu)；以及 封裝襯底，其中所述管芯的所述部分被置于所述封裝襯底上。
25.如權(quán)利要求24所述的設(shè)備，其中所述衍射光柵結(jié)構(gòu)的臂之間的角包括約70.6度和約109.4度的其中之一。
26.如權(quán)利要求24所述的設(shè)備，其中所述衍射光柵結(jié)構(gòu)包括階梯衍射光柵結(jié)構(gòu)。
27.如權(quán)利要求24所述的設(shè)備，其中所述衍射光柵結(jié)構(gòu)包括粗波分復(fù)用(CWDM)光學(xué)系統(tǒng)的部分。
28.如權(quán)利要求24所述的設(shè)備，還包括:其中所述衍射光柵包括10到30微米的大芯波導(dǎo)。
29.如權(quán)利要求27所述的設(shè)備，其中所述CWDM光學(xué)系統(tǒng)還包括片上準(zhǔn)直器。
30.如權(quán)利要求24所述的設(shè)備，還包括系統(tǒng)，其中所述設(shè)備耦合于光學(xué)接收器。
【文檔編號(hào)】G02B5/18GK103477254SQ201280016352
【公開(kāi)日】2013年12月25日 申請(qǐng)日期:2012年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月30日
【發(fā)明者】那允中, J·赫克, 榮海生 申請(qǐng)人:英特爾公司