專利名稱：一種藍(lán)相液晶顯示器裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型設(shè)計(jì)的是一種液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域的裝置，具體是一種增大藍(lán)相液晶(BPLC)顯示器透過率的裝置。
背景技術(shù)：
藍(lán)相液晶顯示器具有毫秒以下的響應(yīng)時(shí)間、視角寬和對(duì)比度高的特點(diǎn)，并且在制作過程中不需要取向?qū)?，也不需要?duì)液晶層厚度做很嚴(yán)格的限制，制作成本低，制造工藝更簡(jiǎn)單，從而被認(rèn)為最有潛力成為下一代液晶顯示器。傳統(tǒng)藍(lán)相液晶顯示器是以共面轉(zhuǎn)換液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)電極形式來進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的，需要制作存儲(chǔ)電容來獲得高的電壓保持率，由于在電極和制作存儲(chǔ)電容的區(qū)域只有少量的光透過，并且驅(qū)動(dòng)電壓也比較高。采用帶有細(xì)縫的像素電極和在像素電極下方設(shè)置公共電極，形成電極上方的透光和像素電極下的存儲(chǔ)電容，增大了透光區(qū)域，提高了透光率，但是驅(qū)動(dòng)電壓，相比傳統(tǒng)共面轉(zhuǎn)換的驅(qū)動(dòng)電極結(jié)構(gòu)增大了。為了降低驅(qū)動(dòng)電壓，人們?cè)岢霾捎猛蛊鹞锖屯蛊鸬碾姌O結(jié)構(gòu)來降低驅(qū)動(dòng)電壓，并通過優(yōu)化凸起物形狀，獲得了較高的透過率和較低的驅(qū)動(dòng)電壓，但是由于整個(gè)像素還是需要制作額外的存儲(chǔ)電容來保持電壓，所以整體的透光率不高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)，提供一種簡(jiǎn)單有效的提高光利用率的裝置，同時(shí)驅(qū)動(dòng)電壓與傳統(tǒng)共面轉(zhuǎn)換電極結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電壓差不多。本實(shí)用新型在凸起物上設(shè)置帶細(xì)縫結(jié)構(gòu)的Pixel電極及其下方的Common電極,通過調(diào)整細(xì)縫的寬度和條數(shù)，使其在凸起物上或者凸起物斜邊上產(chǎn)生邊緣場(chǎng)，有效的提高藍(lán)相液晶顯示器的光利用率，因?yàn)镻ixel電極與Common電極構(gòu)成存儲(chǔ)電容，減少單獨(dú)制作存儲(chǔ)電容的部分，增大了液晶顯示器的實(shí)際開口率。本實(shí)用新型的技術(shù)方案為:一種藍(lán)相液晶顯示器裝置，其結(jié)構(gòu)包括:上偏振片、上基板、中間部分、下基板和下偏振片；其位置按照入射光線通過順序由下至上依次為下偏振片、下基板、中間部分、上基板和上偏振片；中間部分的組成為藍(lán)相液晶(BPLC)、第一 Pixel電極、第二 Pixel電極、細(xì)縫，絕緣層、Common電極和凸起物，其中上基板與下基板之間的中間部分為以下兩中分布方式任一:分布方式一:下基板的上表面上均勻間隔分布有凸起物，Common電極覆蓋在凸起物上，絕緣層覆蓋在Common電極和下基板上,第一 Pixel電極與第二 Pixel電極交相覆蓋在均勻間隔的凸起物上面的絕緣層上面，第一 Pixel電極或第二 Pixel電極在凸起物上面的頂端與底端之間存在細(xì)縫；第一Pixel電極與第二Pixel電極加極性相反電勢(shì)，藍(lán)相液晶填充在上基板和下基板之間的空隙；或者，分布方式二:下基板的上表面為等間距排列條形Common電極，下基板的空白部分和Common電極上面覆蓋一層絕緣層,絕緣層進(jìn)行壓平處理，凸起物位于Common電極的正上方，凸起物的截面底部寬度小于Common電極,第一 Pixel電極3與第二 Pixel電極4位于絕緣層6和凸起物10上方,第一 Pixel電極3或第二 Pixel電極4在凸起物的頂端和低端之間存在細(xì)縫5，第一 Pixel電極3與第二 Pixel電極4加極性相反電勢(shì)，藍(lán)相液晶填充在上基板和下基板之間的空隙；所述凸起物橫向截面形狀為三角形或梯形，縱向投影形狀為矩形或成“之”字狀，高度為液晶層厚的一半，范圍為:2-10 μ m ；所述的細(xì)縫是通過刻蝕ITO電極得到，細(xì)縫和細(xì)電極的寬度范圍可根據(jù)Pixel電極大小與工藝進(jìn)行調(diào)整，細(xì)縫的寬度通常在2-5 μ m，每條細(xì)電極的寬度為1-5 μ m。所述的Pixel電極和Common電極的電極厚度范圍是:20nm-250nm。所述凸起物間距的范圍是:5-20 μ m。所述的液晶層厚度范圍:5-20 μ m。與現(xiàn)有技術(shù)對(duì)比，本實(shí)用新型的有益效果是:通過引入細(xì)縫結(jié)構(gòu)和底面Common電極，通過Pixel電極與Common電極形成的邊緣場(chǎng),有效地增加電極上方的光透過率,從而有效的增加了藍(lán)相液晶顯示器的光利用率。同時(shí)，可以將Pixel電極與其下方的Common電極作為存儲(chǔ)電容使用，減少單獨(dú)存儲(chǔ)電容的制作，提高了藍(lán)相液晶顯示器的實(shí)際開口率(透光面積)。通過以下參考附圖的詳細(xì)說明，本實(shí)用新型的其他方面和特征變得明顯。但是應(yīng)該知道，該附圖僅僅是為了解釋的目的設(shè)計(jì)，而不是作為本實(shí)用新型涉及范圍的設(shè)定。

下面將結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)的說明，其中:圖1是實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖，Ca)為下基板表面的俯視圖，(b)為剖面圖；圖2是實(shí)施例1的V-T曲線圖，方塊線為現(xiàn)有的IPS結(jié)構(gòu)，點(diǎn)線為凸起形電極，三角線為本實(shí)施例結(jié)構(gòu)。圖3是實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖，Ca)為俯視圖，(b)為剖面圖；圖4是實(shí)施例2的V-T曲線圖，方塊線為現(xiàn)有的IPS結(jié)構(gòu)，點(diǎn)線為凸起形電極，三角線為本實(shí)施例結(jié)構(gòu)。圖5是實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)示意圖，Ca)為俯視圖，(b)為剖面圖；圖6是實(shí)施例3的V-T曲線圖，方塊線為現(xiàn)有的IPS結(jié)構(gòu)，點(diǎn)線為凸起形電極，三角線為本實(shí)施例結(jié)構(gòu)。圖7是實(shí)施例4的結(jié)構(gòu)示意圖，Ca)為俯視圖，(b)為剖面圖；圖8是實(shí)施例4的V-T曲線圖，方塊線為現(xiàn)有的IPS結(jié)構(gòu)，點(diǎn)線為凸起形電極，三角線為本實(shí)施例結(jié)構(gòu)。圖9是傳統(tǒng)IPS結(jié)構(gòu)和本實(shí)施例結(jié)構(gòu)中的透光區(qū)域圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施進(jìn)一步描述:本實(shí)施例在以本實(shí)用新型技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過程，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不限于下屬的實(shí)施例。實(shí)施例1如圖1所示(其中(a)為下基板表面的俯視圖，(b)為剖面圖)，本實(shí)施例的藍(lán)相液晶顯示器裝置的結(jié)構(gòu)包括:上偏振片1、上基板2、藍(lán)相液晶(BPLC)、第一 Pixel電極3、第二Pixel電極4、細(xì)縫5,絕緣層6、Common電極7、下基板8、下偏振片9和三角形凸起物10,其中:上部中上偏振片I的下表面與上基板2的上表面相連，下部中下偏振片9的上表面與下基板8的下表面相連，其它組成在上基板2與下基板8之間，其中下基板8的上表面上均勻間隔分布有凸起物10，Common電極7覆蓋在凸起物10上，絕緣層6覆蓋在Common電極7和下基板上，第一 Pixel電極3與第二 Pixel電極4交相覆蓋在均勻間隔的凸起物10上面的絕緣層6上面，第一 Pixel電極3或第二 Pixel電極4在凸起物上面的頂端與底端之間存在細(xì)縫5 ;第一 Pixel電極3與第二 Pixel電極4加極性相反電勢(shì)，藍(lán)相液晶填充在上基板和下基板之間的空隙；所述上基板2與下基板8的間距為12 μ m。凸起物為透明的氮化硅或者二氧化硅材料，其橫向剖面形狀為寬8 μ m，高4μπι的三角形，縱向俯視形狀為矩形，長(zhǎng)度等于像素電極的長(zhǎng)度，每列凸起物的間距為15 μ m。所述細(xì)縫5是通過光刻工藝實(shí)現(xiàn)的，其俯視圖為矩形，每個(gè)Pixel電極上分別刻蝕兩條細(xì)縫5，外圈的電極整體寬度為10 μ m，外圈電極條寬度為I μ m，中間的電極條為3 μ m，狹縫的寬度為2.5μηι。所述的第一 Pixel電極3、第二 Pixel電極4和Common電極7的電極為透明導(dǎo)電電極，材料為氧化銦錫材料或者其它透明導(dǎo)電材料，厚度為100nm，帶有狹縫的第一 Pixel電極3與第二 Pixel電極4寬度和長(zhǎng)度為10 μ m和40 μ m,第一 Pixel電極3與第二 Pixel電極4間距為15 μ m。所述的絕緣層材料為氮化硅或者二氧化硅材料，厚度為100nm。所述的基板為薄膜晶體管液晶顯示器所使用的玻璃基板。所述的偏振片為薄膜晶體管液晶顯示器所使用的偏振片，型號(hào)為G1220DU，其方位角度為正負(fù)45度(與電極長(zhǎng)邊之間的夾角)。所述的藍(lán)相液晶的科爾常數(shù)K=12.68nmV_2，光波長(zhǎng)λ =550nm。所述的第一 Pixel電極3、第二 Pixel電極4與Common電極7構(gòu)成存儲(chǔ)電容。本實(shí)施例與現(xiàn)有的IPS電極和凸起電極的V-T曲線(透過率隨電壓變化的變化曲線)如圖2所示，本實(shí)施例形狀電極透過率為0.237，三角形凸起形狀電極透過率為0.203，普通IPS電極透過率為0.179。本實(shí)施例電極相比三角形凸起形狀電極和普通IPS電極，透過率分別增加了 16.7%和32.4%。本實(shí)施例的開態(tài)電壓比普通IPS電極的開態(tài)電壓大2.5V,通過改變電極間隙，很容易將驅(qū)動(dòng)電壓降下來。本實(shí)用新型的制作方法內(nèi)容為公知技術(shù)，具體可以參照由科學(xué)出版社、田民波葉峰著的《TFT LCD面板設(shè)計(jì)與構(gòu)裝技術(shù)》。實(shí)施例2如圖3所示(其中(a)為下基板表面的俯視圖，(b)為剖面圖)，本實(shí)施例的藍(lán)相液晶顯示器裝置的結(jié)構(gòu)包括:上偏振片1、上基板2、藍(lán)相液晶(BPLC)、第一 Pixel電極3、第二Pixel電極4、細(xì)縫5,絕緣層6、Common電極7、下基板8、下偏振片9和三角形凸起物10,其中:上部中上偏振片I的下表面與上基板2的上表面相連，下部中下偏振片9的上表面與下基板8的下表面相連，其它組成在上基板2與下基板8之間，其中下基板8的上表面制作條形Common電極7，等間距排列，上面覆蓋一層絕緣層6，絕緣層6進(jìn)行壓平處理，凸起物10位于Common電極7的正上方,第一 Pixel電極3與第二 Pixel電極4位于絕緣層6和凸起物10上方，第一 Pixel電極3或第二 Pixel電極4在凸起物的頂端和低端之間存在細(xì)縫5，第一 Pixel電極3與第二 Pixel電極4加極性相反電勢(shì)，藍(lán)相液晶填充在上基板和下基板之間的空隙；所述上基板2與下基板8的間距為12 μ m。凸起物為透明的氮化硅或者二氧化硅材料，其剖面形狀為寬8 μ m，高4 μ m的三角形，俯視形狀為矩形，長(zhǎng)度等于像素電極的長(zhǎng)度，每列凸起物的間距為17 μ m。所述細(xì)縫5是通過光刻工藝實(shí)現(xiàn)的，其俯視圖為矩形，每個(gè)Pixel電極上分別刻蝕兩條細(xì)縫5，外圈的電極整體寬度為10 μ m，外圈的電極條寬度為I μ m，中間的電極條為3 μ m,細(xì)縫寬度為2.5 μ m。所述的第一 Pixel電極3、第二 Pixel電極4和Common電極7的電極為透明導(dǎo)電電極，材料為氧化銦錫材料或者其它透明導(dǎo)電材料，厚度都是100nm，電極寬度和長(zhǎng)度為10 μ m和40 μ m,第一 Pixel電極3與第二 Pixel電極4間距為15 μ m。所述的絕緣層材料為氮化硅或者二氧化硅材料，厚度為100_200nm。所述的基板為薄膜晶體管液晶顯示器所使用的玻璃基板。所述的偏振片為薄膜晶體管液晶顯示器所使用的偏振片，型號(hào)為G1220DU，其方位角度為正負(fù)45度(與電極長(zhǎng)邊之間的夾角)。所述的藍(lán)相液晶的科爾常數(shù)K=12.68nmAT2，光波長(zhǎng)λ =550nm。所述的第一 Pixel電極、第二 Pixel電極與Common電極構(gòu)成存儲(chǔ)電容。本實(shí)施例與現(xiàn)有的IPS電極和凸起電極的V-T曲線(透過率隨電壓變化的變化曲線)如圖4所示，本實(shí)施例形狀電極透過率為0.223，三角形凸起形狀電極透過率為0.203，普通IPS電極透過率為0.179。本實(shí)施例電極相比三角形凸起形狀電極和普通IPS電極，透過率分別增加了 9.9%和24.6%。本實(shí)施例的開態(tài)電壓比普通IPS電極的開態(tài)電壓減小了
0.5V。本實(shí)用新型的制作方法內(nèi)容為公知技術(shù)，具體可以參照由科學(xué)出版社、田民波葉峰著的《TFT LCD面板設(shè)計(jì)與構(gòu)裝技術(shù)》。實(shí)施例3如圖5所示(其中(a)為下基板表面的俯視圖，(b)為剖面圖)，本實(shí)施例的藍(lán)相液晶顯示器裝置的結(jié)構(gòu)包括:上偏振片1、上基板2、藍(lán)相液晶(BPLC)、第一 Pixel電極3、第二Pixel電極4、細(xì)縫5,絕緣層6、Common電極7、下基板8、下偏振片9和梯形凸起物10,其中:上部中上偏振片I的下表面與上基板2的上表面相連，下部中下偏振片9的上表面與下基板8的下表面相連，其它組成在上基板2與下基板8之間，其中下基板8的上表面制作條形Common電極7，等間距排列，上面覆蓋一層絕緣層6，絕緣層6進(jìn)行壓平處理，凸起物10位于Common電極7的正上方,第一 Pixel電極3與第二 Pixel電極4位于絕緣層6和凸起物10上方，第一 Pixel電極3或第二 Pixel電極4在凸起物的頂端和低端之間存在細(xì)縫5，第一 Pixel電極3與第二 Pixel電極4加極性相反電勢(shì)，藍(lán)相液晶填充在上基板和下基板之間的空隙；所述上基板2與下基板8的間距為12 μ m。凸起物的為透明的氮化硅或者二氧化硅材料，其剖面形狀為下寬8 μ m，上寬為3 μ m，高4μπι的梯形，俯視形狀為矩形，長(zhǎng)度等于像素電極的長(zhǎng)度，每列凸起物的間距為
15μ m0所述細(xì)縫5是通過光刻工藝實(shí)現(xiàn)的，其俯視圖為矩形，每個(gè)Pixel電極上分別刻蝕兩條細(xì)縫5，外圈的電極整體寬度為10 μ m，外圈電極條寬度為I μ m，中間的電極條為3 μ m，細(xì)縫寬度為2.5μπι。所述的第一 Pixel電極3、第二 Pixel電極4和Common電極7的電極為透明導(dǎo)電電極，材料為氧化銦錫材料或者其它透明導(dǎo)電材料，厚度都是lOOnm，電極寬度和長(zhǎng)度為10 μ m和40 μ m,第一 Pixel電極3與第二 Pixel電極4間距為15 μ m。所述的絕緣層材料為氮化硅或者二氧化硅材料，厚度為100nm。所述的基板為薄膜晶體管液晶顯示器所使用的玻璃基板。所述的偏振片為薄膜晶體管液晶顯示器所使用的偏振片，型號(hào)為G1220DU，其方位角度為正負(fù)45度(與電極長(zhǎng)邊之間的夾角)。所述的藍(lán)相液晶的科爾常數(shù)K=12.68nmAT2，光波長(zhǎng)λ =550nm。所述的第一 Pixel電極、第二 Pixel電極與Common電極構(gòu)成存儲(chǔ)電容。本實(shí)施例與現(xiàn)有的IPS電極和凸起電極的V-T曲線(透過率隨電壓變化的變化曲線)如圖6所示，本實(shí)施例形狀電極透過率為0.219，梯形凸起形狀電極透過率為0.207，普通IPS電極透過率為0.179。本實(shí)施例電極相比梯形凸起形狀電極和普通IPS電極，透過率分別增加了 5.8%和22.3%。本實(shí)施例的開態(tài)電壓比普通IPS電極的開態(tài)電壓減小了 1.0V。本實(shí)用新型的制作方法內(nèi)容為公知技術(shù)，具體可以參照由科學(xué)出版社、田民波葉峰著的《TFT LCD面板設(shè)計(jì)與構(gòu)裝技術(shù)》。實(shí)施例4如圖7所示(其中(a)為下基板表面的俯視圖，(b)為剖面圖)，本實(shí)施例包括:上偏振片1、上基板2、藍(lán)相液晶(BPLC)、第一 Pixel電極3、第二 Pixel電極4、細(xì)縫5，絕緣層6>Common電極7、下基板8、下偏振片9和三角形凸起物10，其中:上偏振片I的下表面與上基板2的上表面相連，下偏振片9的上表面與下基板8的下表面相連，Common電極7位于下基板上表面，等間距排列，上面覆蓋一層絕緣層6，絕緣層6進(jìn)行壓平處理。凸起物10位于Common電極上，Pixel電極位于最上層，像素電極形成“之”字狀。所述上基板2與下基板8的間距為12 μ m。所述細(xì)縫5是通過光刻工藝實(shí)現(xiàn)的，其俯視圖為矩形，每個(gè)Pixel電極上分別刻蝕兩條細(xì)縫5，外圈的電極整體寬度為10 μ m，電極條寬度為I μ m，中間的電極條為3 μ m，細(xì)縫寬度為2.5 μ m。所述的第一 Pixel電極3、第二 Pixel電極4和Common電極7的電極為透明導(dǎo)電電極，材料為氧化銦錫材料或者其它透明導(dǎo)電材料，厚度都是lOOnm，電極寬度和長(zhǎng)度為10 μ m和40 μ m,第一 Pixel電極3與第二 Pixel電極4間距為15 μ m。所述的絕緣層材料為氮化硅或者二氧化硅材料，厚度為lOOnm。所述的基板為薄膜晶體管液晶顯示器所使用的玻璃基板。所述的偏振片為薄膜晶體管液晶顯示器所使用的偏振片，型號(hào)為G1220DU，其方位角度為正負(fù)45度(與電極長(zhǎng)邊之間的夾角)。所述的藍(lán)相液晶的科爾常數(shù)K=12.68nmV_2，光波長(zhǎng)λ =550nm。所述的第一 Pixel電極、第二 Pixel電極與Common電極構(gòu)成存儲(chǔ)電容。所述的Pixel電極、Common電極與凸起物設(shè)計(jì)成之字狀。凸起物的為透明的氮化硅或者二氧化硅材料，其剖面形狀為寬8 μ m，高4μπι的三角形，俯視形狀為與像素電極圖形相符的之字形，長(zhǎng)度等于像素電極的長(zhǎng)度，每列凸起物的間距為17 μ m。本實(shí)施例與現(xiàn)有的IPS電極和凸起電極的V-T曲線(透過率隨電壓變化的變化曲線)如圖8所示，本實(shí)施例之字狀三角形凸起帶狹縫的電極透過率為0.146，之字狀三角形凸起形狀電極透過率為0.133，之字狀普通IPS電極透過率為0.12。之字狀三角形凸起帶狹縫的電極相比之字狀三角形電極和之字狀普通IPS電極，透過率分別增加了 9.8%和21.7%。本實(shí)施例的開態(tài)電壓比普通IPS電極的開態(tài)電壓減小了 1.0V。本實(shí)用新型的制作方法內(nèi)容為公知技術(shù)，具體可以參照由科學(xué)出版社、田民波葉峰著的《TFT LCD面板設(shè)計(jì)與構(gòu)裝技術(shù)》。以上各實(shí)施例計(jì)算中均未考慮存儲(chǔ)電容面積對(duì)透過率的影響，考慮到存儲(chǔ)電容面積，本實(shí)用新型的各實(shí)施例的透過率將更大，存儲(chǔ)電容面積對(duì)比如圖9所示，(a)為傳統(tǒng)IPS結(jié)構(gòu)，(b)為本實(shí)施例,像素透光范圍為矩形包圍面積。
權(quán)利要求1.一種藍(lán)相液晶顯示器裝置，其特征為該裝置包括:上偏振片、上基板、中間部分、下基板和下偏振片； 其位置按照入射光線通過順序由下至上依次為下偏振片、下基板、中間部分、上基板和上偏振片；中間部分的組成為藍(lán)相液晶(BPLC)、第一 Pixel電極、第二 Pixel電極、細(xì)縫，絕緣層、Common電極和凸起物。
2.如權(quán)利要求1所述的藍(lán)相液晶顯示器裝置，其特征為其中上基板與下基板之間的中間部分為以下兩中分布方式任一: 分布方式一:下基板的上表面上均勻間隔分布有凸起物，Common電極覆蓋在凸起物上，絕緣層覆蓋在Common電極和下基板上,第一 Pixel電極與第二 Pixel電極交相覆蓋在均勻間隔的凸起物上面的絕緣層上面，第一 Pixel電極或第二 Pixel電極在凸起物上面的頂端與底端之間存在細(xì)縫；第一Pixel電極與第二Pixel電極加極性相反電勢(shì)，藍(lán)相液晶填充在上基板和下基板之間的空隙； 或者，分布方式二:下基板的上表面為等間距排列條形Common電極，下基板的空白部分和Common電極上面覆蓋一層絕緣層,絕緣層進(jìn)行壓平處理，凸起物位于Common電極的正上方，凸起物的截面底部寬度小于Common電極,第一 Pixel電極與第二 Pixel電極位于絕緣層和凸起物上方，第一 Pixel電極或第二 Pixel電極在凸起物的頂端和低端之間存在細(xì)縫，第一 Pixel電極與第二 Pixel電極加極性相反電勢(shì)，藍(lán)相液晶填充在上基板和下基板之間的空隙。
3.如權(quán)利要求1所述的藍(lán)相液晶顯示器裝置，其特征為所述凸起物橫向截面形狀為三角形或梯形，縱向投影形狀為矩形或成“之”字狀，高度為液晶層厚的一半，范圍為:2—10u m ；
4.如權(quán)利要求1所述的藍(lán)相液晶顯示器裝置，其特征為所述的細(xì)縫是通過刻蝕ITO電極得到，細(xì)縫的寬度在2-5 μ m，每條細(xì)電極的寬度為1-5 μ m。
5.如權(quán)利要求1所述的藍(lán)相液晶顯示器裝置，其特征為所述的Pixel電極和Common電極的電極厚度范圍是:20nm-250nm。
6.如權(quán)利要求1所述的藍(lán)相液晶顯示器裝置，其特征為所述凸起物間距的范圍:5-20 μ mD
7.如權(quán)利要求1所述的藍(lán)相液晶顯示器裝置，其特征為所述的液晶層厚度范圍:5-20 μ mD
專利摘要本實(shí)用新型為一種藍(lán)相液晶顯示器裝置，其結(jié)構(gòu)包括上偏振片、上基板、中間部分、下基板和下偏振片；其位置按照入射光線通過順序由下至上依次為下偏振片、下基板、中間部分、上基板和上偏振片；中間部分的組成為藍(lán)相液晶(BPLC)、第一Pixel電極、第二Pixel電極、細(xì)縫，絕緣層、Common電極和凸起物。本實(shí)用新型通過引入細(xì)縫結(jié)構(gòu)和底面Common電極，通過Pixel電極與Common電極形成的邊緣場(chǎng)，有效地增加電極上方的光透過率，從而有效的增加了藍(lán)相液晶顯示器的光利用率。同時(shí)，可以將Pixel電極與其下方的Common電極作為存儲(chǔ)電容使用，減少單獨(dú)存儲(chǔ)電容的制作，提高了藍(lán)相液晶顯示器的實(shí)際開口率(透光面積)。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK202939395SQ20122069044
公開日2013年5月15日 申請(qǐng)日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者孫玉寶, 栗鵬 申請(qǐng)人:河北工業(yè)大學(xué)