水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種水平電場(chǎng)型液晶顯示器(LCD)裝置及其制造方法。該LCD裝置包括：第一和第二基板，彼此相向且隔開地設(shè)置；第一電極，形成在第一基板的內(nèi)表面上；第二電極，與第一電極相應(yīng)且配置用于產(chǎn)生電場(chǎng)；以及液晶(LC)層，形成在第一和第二基板之間，LC層包括聚合物網(wǎng)絡(luò)以及被聚合物網(wǎng)絡(luò)限制在多疇中的LC分子。
【專利說明】水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示器(LCD)裝置，更具體而言，涉及包括使用反應(yīng)性材料形成的聚合物網(wǎng)絡(luò)的水平電場(chǎng)型LCD裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]—般而言,液晶顯不器(IXD)裝置可基于光學(xué)各向異性和液晶(LC)偏振被驅(qū)動(dòng)。因?yàn)長(zhǎng)C分子薄且長(zhǎng)，所以LC分子可沿特定方向排列，LC分子排列的方向可以通過人工向LC施加電場(chǎng)而受到控制。
[0003]也就是說，當(dāng)使用電場(chǎng)來改變LC分子的排列時(shí)，光可以由于LC的光學(xué)各向異性而在LC分子排列的方向上被折射，從而可以顯示圖像。
[0004]近年來，其中TFT和像素電極布置為矩陣形狀的有源矩陣IXD(AM-1XD)裝置吸引了眾多關(guān)注，因?yàn)樵撗b置具有高分辨率且能夠很好地體現(xiàn)移動(dòng)圖像。
[0005]典型的扭曲向列(TN)模式LCD可包括具有像素電極的陣列基板、具有公共電極的濾色器基板以及插置在陣列基板和濾色器基板之間的LC層。在TN模式的LCD裝置中，LC層可由于通過公共電極和像素電極產(chǎn)生的豎直電場(chǎng)被驅(qū)動(dòng)。此外，TN模式LCD裝置可具有高透射率和高孔徑比。
[0006]然而，其中LC層由于豎直電場(chǎng)被驅(qū)動(dòng)的IXD器件的視角特性會(huì)較差。
[0007]為了克服TN模式LCD裝置的缺點(diǎn)，已經(jīng)提出了具有良好的視角特性的水平電場(chǎng)型IXD裝置，如邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式IXD裝置或平面轉(zhuǎn)換(IPS)模式IXD裝置?，F(xiàn)在將參考圖1描述FFS模式IXD裝置，作為水平電場(chǎng)型IXD裝置的一示例。
[0008]圖1是傳統(tǒng)的FFS模式IXD裝置10的截面圖。
[0009]參考圖1，F(xiàn)FS模式IXD裝置10可包括相向設(shè)置并彼此隔開的第一和第二基板20和30以及插置在第一和第二基板20和30之間的LC層70。
[0010]具有板形狀的第一電極40可形成在第一基板20的內(nèi)表面上，絕緣層42可形成在第一電極40上。
[0011]具有柱形狀的多個(gè)第二電極50可形成在絕緣層42上并彼此間隔開。第一配向?qū)?0可形成在多個(gè)第二電極50上。
[0012]此外，第二配向?qū)?2可形成在第二基板20的內(nèi)表面上。
[0013]LC層70可形成在第一和第二配向?qū)?0和62之間。LC層70的LC分子72的主軸可平行于第一和第二基板20和30水平地布置。
[0014]當(dāng)將不同的電壓施加到第一和第二電極40和50時(shí),可在第一和第二電極40和50之間產(chǎn)生電場(chǎng)。LC層70的LC分子72可由于該電場(chǎng)而在水平面上旋轉(zhuǎn)并且可重排列以顯示圖像。
[0015]在FFS模式IXD裝置10中，因?yàn)長(zhǎng)C層70的LC分子72總在平行于第一和第二基板20和30的平面上重排列，所以視角可基于LCD裝置10的前表面而在豎直和水平方向上
得以改善。[0016]然而，與傳統(tǒng)的豎直電場(chǎng)型LCD裝置不同，在傳統(tǒng)的水平電場(chǎng)型LCD裝置中，強(qiáng)電場(chǎng)可僅產(chǎn)生于與設(shè)置在第一基板內(nèi)表面上的電極相鄰的區(qū)域中，弱電場(chǎng)可產(chǎn)生于與第二基板相鄰的區(qū)域中。因而，與第二基板相鄰的區(qū)域中存在的LC分子會(huì)比與第一基板相鄰的區(qū)域中存在的LC分子更慢地驅(qū)動(dòng)。
[0017]此外，因?yàn)長(zhǎng)C層的LC分子的旋轉(zhuǎn)粘性隨著環(huán)境溫度下降而增加，隨著環(huán)境溫度降低，傳統(tǒng)的水平電場(chǎng)型LCD裝置的LC響應(yīng)時(shí)間會(huì)增加，并且其響應(yīng)速度會(huì)減小。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0018]本發(fā)明涉及水平電場(chǎng)型液晶顯示器(LCD)裝置及其制造方法，其實(shí)質(zhì)上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而引起的一個(gè)或多個(gè)問題。
[0019]本發(fā)明的一方提供一種水平電場(chǎng)型IXD裝置及其制造方法，在該IXD裝置中聚合物網(wǎng)絡(luò)通過固化反應(yīng)性材料形成在LC層中使得在室溫和低溫下的響應(yīng)時(shí)間和響應(yīng)速度可以得到改善。
[0020]本發(fā)明的額外特征和優(yōu)點(diǎn)將在以下描述中闡述，且部分將通過該描述明顯或者可以通過對(duì)本發(fā)明的實(shí)踐而習(xí)知。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)將通過在文字描述及其權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)和獲得。
[0021]為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并依照本發(fā)明的目的，如在此具體和概括描述的，一種水平電場(chǎng)型LCD裝置包括:彼此相向且隔開地設(shè)置的第一和第二基板；形成在第一基板的內(nèi)表面上的第一電極；與第一電極相應(yīng)且配置用于產(chǎn)生電場(chǎng)的第二電極；以及形成在第一和第二基板之間的液晶(LC)層，LC層包括聚合物網(wǎng)絡(luò)以及被聚合物網(wǎng)絡(luò)限制在多疇中的LC分子。
[0022]聚合物網(wǎng)絡(luò)可以通過固化反應(yīng)性材料形成。
[0023]反應(yīng)性材料可以是反應(yīng)性液晶單元或反應(yīng)性單體。
[0024]在另一方面，一種制造水平電場(chǎng)型IXD裝置的方法包括:在第一基板上形成第一電極和第二電極，第二電極與第一電極相應(yīng)并且配置用于產(chǎn)生電場(chǎng)；使第一和第二基板彼此接合；使用包括LC材料和反應(yīng)性材料的組成在第一和第二基板之間形成液晶層；以及通過固化反應(yīng)性材料而在LC層中形成聚合物網(wǎng)絡(luò)。
[0025]反應(yīng)性材料可以以按重量計(jì)約0.1%或更多的含量被包含。
[0026]反應(yīng)性材料可以是反應(yīng)性液晶單元或反應(yīng)單體。
[0027]反應(yīng)性材料可以具有正A(+A)型或正C(+C)型折射系數(shù)特性。
[0028]聚合物網(wǎng)絡(luò)的形成可以包括將紫外線(UV)光照射到反應(yīng)性材料。
[0029]UV光可具有大約lmW/cm2或更大的功率密度。
[0030]在形成聚合物網(wǎng)絡(luò)期間，可以向第一和第二電極施加相同的電壓，或第一和第二電極可以電浮置。
[0031]可以理解的是，上述概括描述以及以下詳細(xì)描述均是示例及解釋性的，其僅旨在提供對(duì)所主張的發(fā)明的解釋。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]包括附圖以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且并入說明書中且組成該說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方式并與說明書文字一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0033]圖1是傳統(tǒng)的邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式的液晶顯示器(LCD)裝置的截面圖；
[0034]圖2是顯示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的水平電場(chǎng)型LCD裝置的結(jié)構(gòu)的圖示；
[0035]圖3A至圖3C是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的水平電場(chǎng)型LCD裝置的制造方法的圖示；
[0036]圖4是顯示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的水平電場(chǎng)型LCD裝置的響應(yīng)時(shí)間的曲線圖；
[0037]圖5A至圖是曲線圖，顯示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的水平電場(chǎng)型IXD裝置中，在大約20°C (室溫)、大約10°C、(TC和-10°C的環(huán)境溫度的，關(guān)于含量(wt%)的響應(yīng)時(shí)間(ms)，其中在該水平電場(chǎng)型LCD裝置中，聚合物網(wǎng)絡(luò)使用正C(+C)型反應(yīng)性材料形成；
[0038]圖6A至圖6D是曲線圖，顯示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的水平電場(chǎng)型IXD裝置中，在大約20°C (室溫)、大約10°C、0°C、和-10°C的環(huán)境溫度的，關(guān)于含量(wt%)的響應(yīng)時(shí)間(ms)，其中在該水平電場(chǎng)型LCD裝置中，聚合物網(wǎng)絡(luò)使用正A(+A)型反應(yīng)性材料形成；以及
[0039]圖7A至圖7D是曲線圖，顯示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的水平電場(chǎng)型IXD裝置中，在大約20V (室溫)、大約10°C、(TC、和-10°c的環(huán)境溫度，關(guān)于UV光的能量密度的響應(yīng)時(shí)間(ms)，其中在該水平電場(chǎng)型IXD裝置中，聚合物網(wǎng)絡(luò)由按重量計(jì)的約0.5%的正A(+A)型反應(yīng)性材料形成。
【具體實(shí)施方式】
[0040]現(xiàn)在將詳細(xì)提及示例性實(shí)施方式，其示例在附圖中示出。
[0041]現(xiàn)在將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的水平電場(chǎng)型液晶顯示器(LCD)裝置及其制造方法，在附圖中顯示出本發(fā)明的實(shí)施方式。在下文中，將描述邊緣場(chǎng)開關(guān)(FFS)模式的LCD裝置作為示例。
[0042]圖2是顯示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的水平電場(chǎng)型LCD裝置110的結(jié)構(gòu)的圖示。
[0043]參考圖2，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的IXD裝置110可包括彼此相向且隔開設(shè)置的第一和第二基板120和130以及插置在第一和第二基板120和130之間的液晶(LC)層170。
[0044]具有板形狀的第一電極140可形成在設(shè)置于第一基板120內(nèi)表面上的像素區(qū)中。絕緣層142可形成在第一電極140上。
[0045]具有柱形狀的多個(gè)第二電極150可形成在絕緣層142上且彼此間隔開，第一配向?qū)?60可形成在多個(gè)第二電極150上。
[0046]第一基板120可包括多個(gè)像素區(qū)(未示出)。柵線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)可形成在第一基板120的內(nèi)表面上并且彼此交叉以限定多個(gè)像素區(qū)。薄膜晶體管(TFT)可連接到柵線和數(shù)據(jù)線。
[0047]每個(gè)TFT可包括形成在第一基板120上且連接到柵線的柵電極、形成在柵電極上的柵絕緣層、形成在柵絕緣層上的半導(dǎo)體層、形成在半導(dǎo)體層上且連接到數(shù)據(jù)線的源電極、以及形成在半導(dǎo)體層上并且與源電極相反地且隔開地形成的漏電極。
[0048]第一和第二電極140和150的其中之一可用作連接到TFT的漏電極且配置用于接收數(shù)據(jù)電壓的像素電極，第一和第二電極140和150的另一個(gè)可用作配置用于接收公共電壓的公共電極。[0049]此外，第二配向?qū)?62可形成在第二基板120的內(nèi)表面上。
[0050]LC層170可形成在第一和第二配向?qū)?60和162之間。LC層170可包括LC分子172和聚合物網(wǎng)絡(luò)174。
[0051]LC分子172可水平地布置，使得LC分子172的主軸平行于第一和第二基板120和130。
[0052]聚合物網(wǎng)絡(luò)174可通過固化反應(yīng)性材料形成。LC分子172可通過具有網(wǎng)形狀的聚合物網(wǎng)絡(luò)174被分成多疇。
[0053]現(xiàn)在將參考圖3A至圖3C描述制造水平電場(chǎng)型IXD裝置的方法。
[0054]圖3A至圖3C是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的水平電場(chǎng)型LCD裝置的制造方法的圖
/Jn ο
[0055]參考圖3A，可在具有多個(gè)像素區(qū)的第一基板120上形成柵線、數(shù)據(jù)線、TFT、第一電極140、絕緣層142、多個(gè)第二電極150及第一配向?qū)?60，可在第二基板130上形成第二配向?qū)?62,第一和第二基板120和130可彼此接合使得第一和第二配向?qū)?60和162相向且彼此隔開地設(shè)置。
[0056]此外，可使用注射工藝或滴注工藝在第一和第二基板120和130之間形成LC層170。
[0057]LC層170可使用包含LC材料和反應(yīng)性材料174a的組分形成。反應(yīng)性材料174a可以以基于所述組分的總重量，按重量計(jì)的約0.1%或更多(例如，按重量計(jì)的大約0.1至10%)的含量被包含。
[0058]此外，反應(yīng)性材料174a可以是光反應(yīng)性材料，該光反應(yīng)性材料可在其分子的至少一端上具有光反應(yīng)官能團(tuán)并且可以通過光(如，紫外線(UV)光)被固化。例如，反應(yīng)性材料174a可以是反應(yīng)性液晶元(RM)或反應(yīng)性單體。
[0059]反應(yīng)性材料174a可具有正A (+A)型或正C (+C)型折射率特性。
[0060]例如,假設(shè)反應(yīng)性材料174a存在于xyz坐標(biāo)系的xy面上,x軸和y軸指的是反應(yīng)性材料174a的面方向，z軸指的是其厚度方向，反應(yīng)性材料174a可具有分別沿x軸、y軸和z軸的nx、ny和nz折射率。
[0061]此外，在反應(yīng)性材料174a的面方向(x軸方向或y軸方向)上獲得的相位差可以通過Rin (這里，“in”指的是面內(nèi))表示并且定義為(nx-ny)，在反應(yīng)性材料174a的厚度方向(z軸方向)上獲得的相位差可以通過Rth(這里，“th”指的是厚度)表示并且定義為(nz-nx)或(nz-ny)。
[0062]這里，+A型和-A型可分別滿足關(guān)系:(nx>ny=nz)和(nx〈ny=nz), +C型和-C型可分別滿足關(guān)系:(nz>nx=ny)和(nz〈nx=ny)。
[0063]因此，+A型反應(yīng)性材料174a可具有(nx>ny=nz)的折射率特性，+C型反應(yīng)性材料174a可具有(nz>nx=ny)的折射率特性。
[0064]在上述LC層170中，LC分子172和反應(yīng)性材料174a可以任意地混合和分散。
[0065]如圖3B所示，UV光可以從接合的第一和第二基板120和130的第二基板130的外表面照射到LC層170以固化LC層170的反應(yīng)性材料174a。
[0066]在利用UV照射的固化工藝期間，可以不向LC層170施加豎直電場(chǎng)或水平電場(chǎng)，可以不向第一和第二電極140和150施加不同的電壓。[0067]例如，在UV照射期間，可以被向第一和第二電極140和150施加相同的電壓，或第一和第二電極140和150可以電浮置。
[0068]用于固化反應(yīng)性材料174a的UV光可具有大約lmW/cm2或更大的功率密度，例如，大約lmW/cm2至45000mW/cm2?？梢钥刂芔V光照射的時(shí)間，使得照射到反應(yīng)性材料174a的UV光具有大約3J/cm2或更大的能量密度。
[0069]如圖3C所示，相鄰的反應(yīng)性材料174a的光反應(yīng)官能團(tuán)可以由于UV光而彼此接合且被聚合以形成具有網(wǎng)形狀的聚合物網(wǎng)絡(luò)174。
[0070]因而，LC分子172可以被限制和布置在由聚合物網(wǎng)絡(luò)174限定的多疇D中。
[0071]在水平電場(chǎng)型IXD裝置110中，當(dāng)向第一和第二電極140和150施加不同的電壓時(shí)，可以在第一和第二電極140和150之間產(chǎn)生電場(chǎng)，LC層170的LC分子172可以由于該電場(chǎng)而在平行于第一和第二基板120和130的水平面上旋轉(zhuǎn)并且可以重排列以顯示圖像。
[0072]這里，因?yàn)長(zhǎng)C層170的LC分子172總在平行于第一和第二基板120和130的水平面上旋轉(zhuǎn)和布置，所以可以基于水平電場(chǎng)型LCD裝置110的前表面而改善在豎直和水平方向上的視角。
[0073]此外，因?yàn)長(zhǎng)C層170的LC分子172通過聚合物網(wǎng)絡(luò)174被限制在多疇D中且在多疇D中重排列，所以與LC分子172在整個(gè)LC層170上重排列的情形相比，可以顯著減小單元間隙。結(jié)果，可以改善在室溫和低溫下的LC層170的響應(yīng)時(shí)間和響應(yīng)速度。
[0074]現(xiàn)在將描述在LC層170的響應(yīng)時(shí)間方面的改善。
[0075]圖4是曲線圖，顯示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的水平電場(chǎng)型LCD裝置的響應(yīng)時(shí)間。
[0076]參考圖4，當(dāng)將不同的電壓施加到水平電場(chǎng)型IXD裝置的第一和第二電極(在圖2中指的是140和150)并被取消時(shí)，水平電場(chǎng)型LCD裝置的透射率從O增加到1，然后減小到O0
[0077]在該情形下，在關(guān)于電壓施加時(shí)間點(diǎn)(Oms)的預(yù)定上升延遲時(shí)間內(nèi)，透射率從O變到I ;在關(guān)于電壓去除時(shí)間點(diǎn)(IOOms)的下降延遲時(shí)間內(nèi)，透射率從I變到O。透射率從0.1 (最大值的10%)變到0.9 (最大值的90%)消耗的時(shí)間以及透射率從0.9變到0.1消耗的時(shí)間可以分別被定義為開響應(yīng)時(shí)間(Ton)和關(guān)響應(yīng)時(shí)間(Toff)。
[0078]圖5A至是曲線圖，顯示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的水平電場(chǎng)型IXD裝置中，在大約20°C (室溫)、大約10°C、0°C、和-10°C的環(huán)境溫度下，關(guān)于含量(wt%)的響應(yīng)時(shí)間(ms)，其中在該水平電場(chǎng)型LCD裝置中聚合物網(wǎng)絡(luò)使用正C(+C)型反應(yīng)性材料形成。
[0079]在圖5A至圖中，含量是按重量計(jì)為0%的情形表示關(guān)于沒有添加反應(yīng)性材料的傳統(tǒng)水平電場(chǎng)型LCD裝置的數(shù)據(jù)。用于固化反應(yīng)性材料的UV光具有大約lOmW/cm2的功率密度并且被照射大約10分鐘。
[0080]此外，將用于汽車的具有寬溫度范圍的液晶用作LC材料，將P1-PAA混合型PI用作第一和第二配向?qū)拥拿恳粋€(gè)。
[0081 ] 如圖5A至圖所示，與傳統(tǒng)的水平電場(chǎng)型IXD裝置相比，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的使用+C型反應(yīng)性材料的水平電場(chǎng)型LCD裝置中，可以看出，在大約20°C、大約10°C、0°C和-10的每個(gè)環(huán)境溫度下，開和關(guān)響應(yīng)時(shí)間得以改善。
[0082]特別地，與傳統(tǒng)的水平電場(chǎng)型IXD裝置相比，當(dāng)+C型反應(yīng)性材料以按重量計(jì)為約0.5%的含量被包含時(shí)，開和關(guān)響應(yīng)時(shí)間在大約20°C的環(huán)境溫度分別減少多達(dá)約10%和大約19%，在大約10°C的環(huán)境溫度分別減少多達(dá)約9%和12%，在大約0°C的環(huán)境溫度分別減少多達(dá)約5%和15%，以及在大約-10°C的環(huán)境溫度分別減少多達(dá)約16%和17%。
[0083]圖6A至圖6D是曲線圖，顯示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的水平電場(chǎng)型LCD裝置中在大約20°C (室溫)、10°C、0°C和-10°C的環(huán)境溫度下關(guān)于含量(wt%)的響應(yīng)時(shí)間(ms)，在該水平電場(chǎng)型LCD裝置中聚合物網(wǎng)絡(luò)使用正A(+A)型反應(yīng)性材料形成。
[0084]在圖6A至圖6D中，含量是按重量計(jì)為0%的情形表示關(guān)于沒有添加反應(yīng)性材料的傳統(tǒng)水平電場(chǎng)型LCD裝置的數(shù)據(jù)。用于固化反應(yīng)性材料的UV光具有大約50mW/cm2的功率密度并且被照射大約2分鐘。
[0085]此外，將用于汽車的具有寬溫度范圍的液晶用作LC材料，將P1-PAA混合型PI用作第一和第二配向?qū)拥拿恳粋€(gè)。
[0086]如圖6A至圖6D所示，與傳統(tǒng)的水平電場(chǎng)型IXD裝置相比，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的使用+A型反應(yīng)性材料的水平電場(chǎng)型LCD裝置中，可以看出開和關(guān)響應(yīng)時(shí)間在大約20°C、10°C、(TC和-10°C的每個(gè)環(huán)境溫度下得到改善。
[0087]特別地，與傳統(tǒng)的水平電場(chǎng)型IXD裝置相比，當(dāng)+A型反應(yīng)性材料以按重量計(jì)約0.5%的含量被包含時(shí)，開和關(guān)響應(yīng)時(shí)間在大約20°C的環(huán)境溫度下分別減少多達(dá)約28%和約32%，在大約10°C的環(huán)境溫度下分別減少多達(dá)約27%和26%，在大約(TC的環(huán)境溫度下分別減少多達(dá)約30%和27%，以及在大約-10°C的環(huán)境溫度下分別減少多達(dá)約44%和47%。
[0088]圖7A至圖7D是曲線圖，顯示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的水平電場(chǎng)型IXD裝置中，分別在大約20V (室溫)、10°C、(TC和-10°c的環(huán)境溫度下，與UV光的功率密度相關(guān)的響應(yīng)時(shí)間(ms)，在該水平電場(chǎng)型IXD裝置中聚合物網(wǎng)絡(luò)由按重量計(jì)約0.5%的正A(+A)型反應(yīng)性材料形成。UV光具有大約Omw/cm2的功率密度的情形表示關(guān)于其中沒有照射UV光的傳統(tǒng)水平電場(chǎng)型LCD裝置的數(shù)據(jù)。
[0089]此外，將用于汽車的具有寬溫度范圍的液晶用作LC材料，將P1-PAA混合型PI用作第一和第二配向?qū)拥拿恳粋€(gè)。
[0090]如圖7A至圖7D所示，與傳統(tǒng)的水平電場(chǎng)型IXD裝置相比，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的使用按重量計(jì)大約0.5%的+A型反應(yīng)性材料的水平電場(chǎng)型LCD裝置中，可以看出開和關(guān)響應(yīng)時(shí)間在大約20°C、10°C、0°C和-1o°c的每個(gè)環(huán)境溫度下得到改善。
[0091]特別地，與傳統(tǒng)的水平電場(chǎng)型IXD裝置相比，當(dāng)UV光具有大約50mW/cm2的功率密度并且被照射大約2分鐘時(shí)，開和關(guān)響應(yīng)時(shí)間在大約20°C的環(huán)境溫度下分別減少多達(dá)約28%和約32%，在大約10°C的環(huán)境溫度下分別減少多達(dá)約27%和26%，在大約(TC的環(huán)境溫度下分別減少多達(dá)約30%和27%，以及在大約-10°C的環(huán)境溫度下分別減少多達(dá)約44%和47%。
[0092]在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的水平電場(chǎng)型LCD裝置中，可以通過聚合物網(wǎng)絡(luò)形成多疇，該聚合物網(wǎng)絡(luò)通過固化反應(yīng)性材料形成，LC分子可以被限制在多疇中并且重排列。因而，當(dāng)在與LC分子被驅(qū)動(dòng)的空間相應(yīng)的單元間隙減小時(shí)，可以產(chǎn)生相同的效應(yīng)。結(jié)果，可以改善響應(yīng)時(shí)間和響應(yīng)速度。
[0093]開響應(yīng)時(shí)間和關(guān)響應(yīng)時(shí)間可以分別由方程式⑴和(2)表示。因?yàn)閱卧g隙d減小，所以開響應(yīng)時(shí)間和關(guān)響應(yīng)時(shí)間可以減短而改善響應(yīng)時(shí)間。
【權(quán)利要求】
1.一種水平電場(chǎng)型液晶顯示器裝置，包括: 第一和第二基板，彼此相向且隔開地設(shè)置； 第一電極，形成在所述第一基板的內(nèi)表面上； 第二電極，與所述第一電極相應(yīng)且配置用于產(chǎn)生電場(chǎng)；以及 液晶層，形成在所述第一和第二基板之間，所述液晶層包括聚合物網(wǎng)絡(luò)以及被所述聚合物網(wǎng)絡(luò)限制在多疇中的液晶分子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器裝置，其中所述聚合物網(wǎng)絡(luò)是通過固化反應(yīng)性材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器裝置，其中所述反應(yīng)性材料是反應(yīng)性液晶單元或反應(yīng)性單體。
4.一種制造水平電場(chǎng)型液晶顯示器裝置的方法，所述方法包括: 在第一基板上形成第一電極和第二電極，所述第二電極與所述第一電極相應(yīng)并且配置用于產(chǎn)生電場(chǎng)； 使所述第一和第二基板彼此接合； 使用包括液晶材料和反應(yīng)性材料的組分在所述第一和第二基板之間形成液晶層；以及 通過固化所述反應(yīng)性材料而在所述液晶層中形成聚合物網(wǎng)絡(luò)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中以按重量計(jì)約0.1%或更多的含量包含所述反應(yīng)性材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述反應(yīng)性材料是反應(yīng)性液晶單元或反應(yīng)性單體。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述反應(yīng)性材料具有正A型或正C型折射率特性。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述形成所述聚合物網(wǎng)絡(luò)包括將紫外線光照射到所述反應(yīng)性材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述紫外線光具有大約lmW/cm2或更大的功率密度。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中在形成所述聚合物網(wǎng)絡(luò)期間，向所述第一和第二電極施加相同的電壓，或所述第一和第二電極電浮置。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK103631060SQ201210567863
【公開日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月20日
【發(fā)明者】樸星一, 姜成求, 沈有厘, 李先容, 尹臺(tái)焄, 樸秉旭, 兪炳勛, 宋東翰, 崔善旭 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司, 釜山國(guó)立大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)