液晶顯示器及制造該液晶顯示器的方法相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)主張于2012年4月10日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)10-2012-0037507的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并在本文中。技術(shù)領(lǐng)域本公開涉及液晶顯示器及制造該液晶顯示器的方法。更具體地說(shuō)，本公開涉及一種PLS（面線切換（plane-to-switching））模式液晶顯示器和制造PLS模式液晶顯示器的方法。

背景技術(shù)：
液晶顯示裝置是使用液晶層顯示圖像的平板顯示裝置。根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶層的方法，液晶顯示器可分為面內(nèi)切換（IPS（in-plane-switching））模式液晶顯示器、垂直配向（VA）模式液晶顯示器、和面線切換模式液晶顯示器。PLS模式液晶顯示器使用水平電場(chǎng)和垂直電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶層并顯示圖像。在PLS模式驅(qū)動(dòng)方案中，邊緣電場(chǎng)（fringeelectricfield）使得液晶層的液晶分子在電極上沿基本上與襯底平行的方向轉(zhuǎn)動(dòng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本公開提供了一種可以去除余像（afterimages）和降低信號(hào)干擾的液晶顯示器以及制造該液晶顯示器的方法。本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)實(shí)施方式提供了液晶顯示器，該液晶顯示器包括：第一襯底，其包括多個(gè)像素；第二襯底，面對(duì)第一襯底；以及液晶層，介于第一襯底與第二襯底之間。像素中的至少一個(gè)包括：薄膜晶體管，位于第一絕緣襯底上；第一保護(hù)層，其覆蓋所述薄膜晶體管并且包括碳氧化硅（SiOC）層；第一電極，位于所述第一保護(hù)層上；第二保護(hù)層，其覆蓋所述第一電極；以及第二電極，設(shè)置在所述第二保護(hù)層上。本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)實(shí)施方式提供了一種制造液晶顯示器的方法，所述液晶顯示器包括具有多個(gè)像素的第一襯底、面對(duì)所述第一襯底的第二襯底以及介于所述第一襯底與所述第二襯底之間的液晶層。該方法如下所述。在第一絕緣襯底上形成薄膜晶體管；形成包括SiOC層的第一保護(hù)層以覆蓋所述薄膜晶體管。當(dāng)在所述第一保護(hù)層上形成第一電極時(shí)，形成第二保護(hù)層以覆蓋所述第一電極；以及在所述第二保護(hù)層上形成第二電極。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，提供了一種顯示設(shè)備，其包括：多條數(shù)據(jù)線；SiOC層，位于所述多條數(shù)據(jù)線上；公共電極，位于所述SiOC層上；保護(hù)層，位于所述公共電極上；以及像素電極，位于所述保護(hù)層上。該顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括位于SiOC層與公共電極之間的覆蓋層。該顯示設(shè)備可進(jìn)一步包括位于所述多條數(shù)據(jù)線與SiOC層之間的緩沖層。SiOC層的厚度可以為約2微米至約3微米。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，因?yàn)榈谝槐Ｗo(hù)層包括具有厚度等于或大于2微米的SiOC層，所以可以將公共電極與設(shè)置在公共電極之下的信號(hào)線充分地彼此隔開，從而防止發(fā)生信號(hào)干擾。此外，SiOC層與有機(jī)層相比具有優(yōu)良的耐熱性，因此SiOC層可以通過(guò)高溫處理而形成。因此，可以被防止由余像造成的顯示質(zhì)量的變差。附圖說(shuō)明當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，通過(guò)參照下面的詳細(xì)描述，本發(fā)明的實(shí)施方式將變得顯而易見，附圖中：圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的PLS模式液晶顯示器的方框圖；圖2是示出了圖1中所示的像素的視圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器面板的平面圖；圖4是沿圖3中所示的線I-I'截取的橫截面圖；圖5A至圖5D是示出制造第一襯底的過(guò)程的平面圖；圖6A至圖6K是示出制造第一襯底的過(guò)程的橫截面圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器面板的橫截面圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器面板的橫截面圖。具體實(shí)施方式將理解的是，當(dāng)元件或?qū)臃Q為位于另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“耦接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接位于其它元件或?qū)由?，連接或耦接到其它元件或?qū)樱赡艽嬖诮橛谥虚g的元件或?qū)?。相同的?biāo)號(hào)可在整個(gè)說(shuō)明書和附圖中表示相同或相似的元件。本發(fā)明可以以各種不同的方式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于本文所述的示例性實(shí)施方式。如本文所用的，除非上下文清楚地另有說(shuō)明，否則當(dāng)沒有明確說(shuō)明數(shù)量時(shí)，旨在包括單數(shù)和復(fù)數(shù)形式。如由本領(lǐng)域技術(shù)人員將可以理解的，本發(fā)明的實(shí)施方式可實(shí)施為一種系統(tǒng)、方法、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品、或其上具有計(jì)算機(jī)可讀程序編碼的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中實(shí)現(xiàn)的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。計(jì)算機(jī)可讀程序編碼可以提供給通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)、或其它可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以是計(jì)算機(jī)可讀信號(hào)介質(zhì)或計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可以是能夠包含或存儲(chǔ)用于由指令執(zhí)行系統(tǒng)、設(shè)備或裝置使用的或者與指令執(zhí)行系統(tǒng)、設(shè)備或裝置有關(guān)的程序的任何有形介質(zhì)。在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的PLS模式液晶顯示器的框圖，并且圖2是示出了圖1中所示的像素的視圖。參照?qǐng)D1，液晶顯示器1000包括顯示圖像的圖像顯示部300、驅(qū)動(dòng)圖像顯示部300的柵極驅(qū)動(dòng)器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500、以及控制柵極驅(qū)動(dòng)器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500的驅(qū)動(dòng)的定時(shí)控制器600。圖像顯示部300包括多條柵極線G1至Gn、多條數(shù)據(jù)線D1到Dm、以及多個(gè)像素PX。如圖2中所示，圖像顯示部300包括液晶顯示器面板，液晶顯示器面板包括第一襯底100、面對(duì)第一襯底100的第二襯底200、以及介于第一襯底100與第二襯底200之間的液晶層250。柵極線G1至Gn和數(shù)據(jù)線D1至Dm設(shè)置在第一襯底100上。柵極線G1至Gn在行方向上延伸并且在列方向上彼此平行地布置。數(shù)據(jù)線D1至Dm在列方向上延伸并且在行方向上彼此平行地布置。根據(jù)實(shí)施方式中，每個(gè)像素PX連接到第i條（i是等于或大于1的整數(shù)）柵極線Gi和第j條（j是等于或大于1的整數(shù)）數(shù)據(jù)線Dj，并包括薄膜晶體管Tr、液晶電容器Clc、和存儲(chǔ)電容器Cst。薄膜晶體管Tr包括連接到第i條柵極線Gi的柵極、連接到第j條數(shù)據(jù)線Dj的源極、連接到液晶電容器Clc和存儲(chǔ)電容器Cst的漏極。液晶電容器Clc包括像素電極PE和公共電極CE，該像素電極和公共電極設(shè)置在第一襯底100上，并且液晶層250用作液晶電容器Clc的介電物質(zhì)。像素電極PE電連接至薄膜晶體管Tr的漏極。公共電極CE接收參考電壓Vcom。每個(gè)像素PX均包括濾色器230，濾色器設(shè)置在第二襯底200上且對(duì)應(yīng)于像素電極PE，并且濾色器230中的每個(gè)均顯示包括例如紅色、綠色和藍(lán)色的基色中的一種?？商娲?，與圖2所示的結(jié)構(gòu)不同，濾色器230形成在第一襯底100的像素電極PE之上或之下。返回參照?qǐng)D1，定時(shí)控制器600從外部源接收多個(gè)圖像信號(hào)RGB和多個(gè)控制信號(hào)CS。定時(shí)控制器600將圖像信號(hào)RGB的數(shù)據(jù)格式轉(zhuǎn)換成適合于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500與定時(shí)控制器600之間的接口的數(shù)據(jù)格式，并將轉(zhuǎn)換后的圖像信號(hào)R'G'B'提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500。定時(shí)控制器600根據(jù)該控制信號(hào)CS產(chǎn)生諸如輸出開始信號(hào)或水平開始信號(hào)的數(shù)據(jù)控制信號(hào)D-CS、以及諸如垂直開始信號(hào)、垂直時(shí)鐘信號(hào)、或垂直時(shí)鐘欄信號(hào)（clockbarsignal）的柵極控制信號(hào)G-CS。數(shù)據(jù)控制信號(hào)D-CS施加到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500，并且柵極控制信號(hào)G-CS施加到柵極驅(qū)動(dòng)器400。柵極驅(qū)動(dòng)器400響應(yīng)于來(lái)自定時(shí)控制器600的柵極控制信號(hào)G-CS而順序地輸出柵極信號(hào)。相應(yīng)地，通過(guò)柵極信號(hào)在每行的基礎(chǔ)上順序地掃描像素PX。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500響應(yīng)于來(lái)自定時(shí)控制器600的數(shù)據(jù)控制信號(hào)D-CS將圖像信號(hào)R'G'B'轉(zhuǎn)換成數(shù)據(jù)電壓。數(shù)據(jù)電壓被施加到圖像顯示部300。因此，每個(gè)像素PX響應(yīng)于柵極信號(hào)中的一相應(yīng)柵極信號(hào)而被接通，并且接通后的像素PX從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500接收一個(gè)相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓，從而顯示具有期望灰度等級(jí)的圖像。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器面板的平面圖，并且圖4是沿圖3所示的線I-I'截取的橫截面圖。參照?qǐng)D3和圖4，包括在圖像顯示部300中的液晶顯示器面板包括第一襯底100、面對(duì)第一襯底100的第二襯底200、以及設(shè)置于第一襯底100與第二襯底200之間的液晶層250。第一襯底100包括由透明玻璃或塑料形成的第一絕緣襯底110、設(shè)置在第一絕緣襯底110上的第一柵極線Gi-1、第二柵極線Gi、第一數(shù)據(jù)線Dj-1、和第二數(shù)據(jù)線Dj。第一和第二柵極線Gi-1和Gi在第一方向A1上延伸，并且在基本上垂直于第一方向A1的第二方向A2上彼此隔開。第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj在第二方向A2上延伸，并在第一方向A1上彼此隔開。第一和第二柵極線Gi-1和Gi通過(guò)柵極絕緣層120而與第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj電絕緣。第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj由第一保護(hù)層130覆蓋。作為實(shí)例，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，第一保護(hù)層130至少包括碳氧化硅（以下，稱為SiOC）層。如圖3所示，第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj中的每個(gè)在其中心部分處彎曲，以相對(duì)于中心線CL具有對(duì)稱的形狀，中心線CL與位于第一和第二柵極線Gi-1和Gi之間的中心部相交。第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj中的每一個(gè)所彎曲的方向根據(jù)不同的行而變化。例如，當(dāng)?shù)谝缓偷诙?shù)據(jù)線Dj-1和Dj在第一像素行中向左彎曲時(shí)，第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj在第一像素行之后的第二像素行中向右彎曲。第一襯底100進(jìn)一步包括設(shè)置在第一絕緣襯底110上且基本上平行于第一柵極線Gi-1的第一存儲(chǔ)線Si-1以及設(shè)置在第一絕緣襯底110上且基本上平行于第二柵極線Gi的第二存儲(chǔ)線Si。在第一絕緣襯底110上進(jìn)一步設(shè)置有薄膜晶體管Tr、像素電極PE、和公共電極CE。特別地，薄膜晶體管Tr包括從第二柵極線Gi分支出的柵極GE、與第二數(shù)據(jù)線Dj的一部分相對(duì)應(yīng)的源極SE和在柵極GE上方與源極SE隔開的漏極DE。漏極DE電連接到像素電極PE。作為實(shí)例，根據(jù)實(shí)施方式，像素電極PE包括多個(gè)分支電極PE1、用于將分支電極PE1的第一端彼此連接的第一連接部PE2、用于將分支電極PE1的第二端部彼此連接的第二連接部PE3。分支電極PE1在第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj之間的空間中基本沿第二方向A2延伸并且布置在第一方向A1上。分支電極PE1彎曲成關(guān)于中心線CL對(duì)稱。分支電極PE1相對(duì)于中心線CL傾斜一角度，該角度與第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj相對(duì)于中心線CL傾斜的角度相同或基本上相同。公共電極CE設(shè)置在像素電極PE上或之下，并且具有的尺寸對(duì)應(yīng)于由第一和第二柵極線Gi-1和Gi和第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj限定的像素區(qū)域。如圖4所示，公共電極CE布置在像素電極PE下方。然而，公共電極CE的位置不應(yīng)限于像素電極PE的下部。可替換地，公共電極CE布置在像素電極PE上。公共電極CE面對(duì)像素電極PE，其中，第二保護(hù)層140介于公共電極CE和像素電極PE之間。作為實(shí)例，根據(jù)實(shí)施方式，從第一存儲(chǔ)線Si-1延伸的存儲(chǔ)電極TE電連接到公共電極CE。因此，公共電極CE接收施加到第一存儲(chǔ)線Si-1的作為參考電壓Vcom的存儲(chǔ)電壓。第二襯底200包括由透明玻璃或塑料形成的第二絕緣襯底210、設(shè)置在第二絕緣襯底210上的濾色器230、以及設(shè)置在濾色器230之間的黑矩陣220。第二襯底200耦接到第一襯底100，并且面對(duì)第一襯底100。液晶層250介于第一和第二襯底100和200之間。當(dāng)柵極信號(hào)通過(guò)第二柵極線Gi施加到像素PX時(shí)，薄膜晶體管Tr響應(yīng)于該柵極信號(hào)而接通。數(shù)據(jù)電壓通過(guò)第二數(shù)據(jù)線Dj，并且通過(guò)被接通的薄膜晶體管Tr的漏極DE而施加到像素電極PE。施加有數(shù)據(jù)電壓的像素電極PE與施加有參考電壓Vcom的公共電極CE配合而形成電場(chǎng)，從而控制設(shè)置在像素電極PE和公共電極CE上的液晶層250的液晶分子的方向。通過(guò)液晶層250的光根據(jù)液晶分子方向而以不同方式偏光（polarized，偏振）。因?yàn)橄袼仉姌OPE和公共電極CE形成液晶電容器Clc，如圖1所示，液晶電容器采用液晶層250作為液晶電容器Clc的介電物質(zhì)，所以施加到像素電極PE的電壓可在薄膜晶體管Tr被斷開后得以保持。第一存儲(chǔ)線Si-1形成為與像素電極PE和公共電極CE重疊。因此，第一存儲(chǔ)線Si-1與像素電極PE和公共電極CE一起形成存儲(chǔ)電容器Cst，如圖1所示，存儲(chǔ)電容器使用柵極絕緣層120以及第一和第二保護(hù)層130和140作為存儲(chǔ)電容器Cst的介電物質(zhì)，由此增加了液晶電容器Clc的電壓保持能力。圖5A與圖5D是示出了第一襯底的制造過(guò)程的平面圖，而圖6A至圖6K是示出了第一襯底的制造過(guò)程的橫截面圖。參照?qǐng)D5A和圖6A中，在第一絕緣襯底110上形成第一金屬層和并且將第一金屬層圖案化，從而形成第一和第二柵極線Gi-1和Gi以及第一和第二存儲(chǔ)線Si-1和Si。根據(jù)實(shí)施方式，第一金屬層包括諸如鋁（Al）或鋁合金的基于鋁的金屬、諸如銀（Ag）或銀合金的基于銀的金屬、諸如銅（Cu）或銅合金的基于銅的屬、諸如鉬（Mo）或鉬合金的基于鉬的金屬、鉻（Cr）、鉭（Ta）、或鈦（Ti）。根據(jù)實(shí)施方式，第一金屬層包括具有彼此不同的特性的兩個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。第一和第二柵極線Gi-1和Gi中的每一個(gè)的一部分延伸并且形成柵極GE，并且第一和第二存儲(chǔ)線Si-1和Si中的每一個(gè)的一部分延伸并且形成存儲(chǔ)電極TE。如圖6B所示，由柵極絕緣層120覆蓋第一和第二柵極線Gi-1和Gi以及第一和第二存儲(chǔ)線Si-1和Si。根據(jù)實(shí)施方式，柵極絕緣層120由氮化硅（SiNx）或氧化硅（SiOx）形成。在柵極絕緣層120上，由氫化無(wú)定形硅或多晶硅形成半導(dǎo)體層125。將半導(dǎo)體層125設(shè)置在柵極GE上方。在半導(dǎo)體層125上形成第一和第二歐姆接觸層126和127。由摻雜有高濃度的例如磷或硅化物的n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅形成第一和第二歐姆接觸層126和127。將第一和第二歐姆接觸層126和127設(shè)置在半導(dǎo)體層125上并彼此隔開。參照?qǐng)D5B和圖6C，在柵極絕緣層120和第一和第二歐姆接觸層126和127上形成第二金屬層并將第二金屬層圖案化，從而形成第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj。第二金屬層包括耐火金屬，諸如，鉬、鉻、鉭、鈦、或其合金。第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj的面對(duì)柵極GE的一部分被限定為源極SE并且接觸第一歐姆接觸層126。漏極DE設(shè)置在柵極GE上方，以與源極SE隔開并且接觸第二歐姆接觸層127。如圖6D所示，由第一保護(hù)層130覆蓋第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj以及源極SE和漏極DE。第一保護(hù)層130包括順序地疊置的緩沖層131和SiOC層132。根據(jù)實(shí)施方式，由諸如氮化硅SiNx或氧化硅SiOx的無(wú)機(jī)絕緣材料形成緩沖層131。將SiOC層132設(shè)置在緩沖層131上。通過(guò)化學(xué)汽相沉積工藝沉積緩沖層131和SiOC層132。在化學(xué)氣相沉積過(guò)程中，SiOC層132可以承受約370度的溫度。例如，SiOC層132的加工溫度高于有機(jī)絕緣材料的加工溫度。有機(jī)絕緣材料的加工溫度為約220°或更低。作為實(shí)例，根據(jù)實(shí)施方式，用于形成SiOC層132的化學(xué)氣相沉積工藝在從約270度至約370度的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。當(dāng)與有機(jī)層相比較時(shí)，SiOC層132具有優(yōu)異的耐熱性，從而可以防止由余像造成的顯示質(zhì)量的變差。SiOC層132的沉積速度比無(wú)機(jī)絕緣材料的沉積速度快。無(wú)機(jī)絕緣材料的沉積速度是每分鐘約1000埃。例如，當(dāng)緩沖層131由氮化硅形成時(shí)，在化學(xué)氣相沉積中，所執(zhí)行的緩沖層131的沉積過(guò)程的速率是在約2分鐘或約3分鐘內(nèi)沉積約2000埃至約5000埃。在化學(xué)氣相過(guò)程中，所執(zhí)行的SiOC層132沉積是，在約2分鐘或約3分鐘內(nèi)沉積約2微米或約3微米。因此，在形成厚度為約2微米或約3微米的第一保護(hù)層130的過(guò)程中，使得處理時(shí)間更快，以使用SiOC層132（而不是使用氮化硅或氧化硅）形成第一保護(hù)層130。進(jìn)一步地，SiOC層132在約15MPa的應(yīng)力下形成，該應(yīng)力相比于形成有機(jī)絕緣層的應(yīng)力而相對(duì)較低。因此，可以防止沉積的SiOC層132從其它層剝離，并且可以防止SiOC層132與其他層之間的粘合力降低。通過(guò)沉積過(guò)程形成的SiOC層132的厚度均勻性為約6.2%以上，這比有機(jī)絕緣層的例如約3%的厚度均勻性相對(duì)較高。通過(guò)以下方式獲得厚度均勻性：將待沉沉積的層的最大厚度減去該層的最小厚度所得到的值除以將該最大厚度與最小厚度相加所得到的值。相比于有機(jī)絕緣層，SiOC層132使得處理時(shí)間更短、層的應(yīng)力更低、厚度均勻性更大。在比無(wú)機(jī)絕緣材料所用的處理時(shí)間更短的處理時(shí)間中，SiOC層132沉積為具有對(duì)應(yīng)于有機(jī)絕緣層的厚度。SiOC層132的介電常數(shù)為約2.8至約3.0。保護(hù)層130包括SiOC層132，從而可實(shí)現(xiàn)的效果與當(dāng)有機(jī)層用作第一保護(hù)層130時(shí)所獲得的效果相同或基本上相同。因?yàn)镾iOC層132處于相對(duì)較低的應(yīng)力下并且具有相對(duì)較高的加工溫度和高的厚度均勻性，所以可以防止由余像造成的顯示質(zhì)量的變差。參照?qǐng)D6E，在第一保護(hù)層130上形成感光樹脂135。通過(guò)光刻工藝圖案化感光樹脂135，并且利用圖案化的感光樹脂135對(duì)第一保護(hù)層130進(jìn)行蝕刻。作為實(shí)例，根據(jù)實(shí)施方式，感光樹脂135包括正型感光樹脂。例如，在感光樹脂135上設(shè)置第一曝光掩模136。第一曝光掩模136包括第一和第二開口136a和136b，第一和第二開口136a和136b分別對(duì)應(yīng)于第一保護(hù)層130的待被去除的部分。當(dāng)在設(shè)置了第一曝光掩模136之后對(duì)感光樹脂135曝光和顯影時(shí)，感光樹脂圖案形成并且露出第一保護(hù)層130的所述部分。當(dāng)使用感光樹脂圖案作為蝕刻掩模來(lái)對(duì)第一保護(hù)層130進(jìn)行蝕刻時(shí)，第一和第二接觸孔130a和130b形成為穿過(guò)第一保護(hù)層130，如圖6F所示。更具體地，通過(guò)去除緩沖層131和SiOC層132的一些部分而形成第一接觸孔130a，以露出薄膜晶體管Tr的漏極DE。通過(guò)去除柵極絕緣層120、緩沖層131、和SiOC層132的一些部分而形成第二接觸孔130b，以露出存儲(chǔ)電極TE。在圖6E中，將正型感光樹脂135描述為實(shí)例，但可替換地，感光樹脂135包括負(fù)型感光樹脂135。與使用負(fù)型感光樹脂對(duì)SiOC層132進(jìn)行圖案化相比較，當(dāng)使用正型感光樹脂對(duì)SiOC層132進(jìn)行圖案化時(shí)，可以減小第一和第二接觸孔130a和130b的直徑。換句話說(shuō)，當(dāng)使用正型感光樹脂進(jìn)行SiOC層132的圖案化時(shí)，可以控制第一和第二接觸孔130a和130b的尺寸。當(dāng)?shù)谝缓偷诙佑|孔130a和130b的尺寸減小時(shí)，像素PX的孔徑比（apertureratio）增加，從而可增加液晶顯示器1000的透射率。參照?qǐng)D5C和圖6G，在第一保護(hù)層130上形成第一透明導(dǎo)電層。第一透明導(dǎo)電層由諸如氧化銦錫的透明導(dǎo)電材料形成。第一透明導(dǎo)電層被圖案化，從而形成公共電極CE。公共電極CE通過(guò)第二接觸孔130b電連接至存儲(chǔ)電極TE。因此，公共電極CE通過(guò)存儲(chǔ)電極TE接收存儲(chǔ)電壓作為參考電壓Vcom（如圖2中所示）。參照?qǐng)D6H，由第二保護(hù)層140覆蓋公共電極CE。第二保護(hù)層140由諸如氮化硅或氧化硅、或SiOC材料的無(wú)機(jī)絕緣材料形成。參照?qǐng)D6I，在第二保護(hù)層140上形成感光樹脂143。通過(guò)光刻工藝對(duì)感光樹脂143圖案化，并且利用圖案化后的感光樹脂對(duì)第二保護(hù)層140進(jìn)行蝕刻。具體地，在感光樹脂143上設(shè)置第二曝光掩模145。第二曝光掩模145包括第三開口145a，第三開口對(duì)應(yīng)于第二保護(hù)層140的待被去除的部分。當(dāng)在感光樹脂143上設(shè)置第二曝光掩模145之后對(duì)感光樹脂143進(jìn)行曝光和顯影時(shí)，形成感光樹脂圖案，從而露出第二保護(hù)層140的所述部分。當(dāng)利用感光樹脂圖案作為蝕刻掩模對(duì)第二保護(hù)層140進(jìn)行蝕刻時(shí)，第三接觸孔140a形成為穿過(guò)第二保護(hù)層140，如圖6J所示。具體地，通過(guò)去除第二保護(hù)層140的一部分而形成第三接觸孔140a，并且第三接觸孔對(duì)應(yīng)于露出了薄膜晶體管Tr的漏極DE的第一接觸孔130a。參照?qǐng)D5D和圖6K，在第二保護(hù)層140上形成第二透明導(dǎo)電層。第二透明導(dǎo)電層由諸如氧化銦錫的透明導(dǎo)電材料形成。第二透明導(dǎo)電層被圖案化，從而形成像素電極PE。像素電極PE通過(guò)第一和第三接觸孔130a和140a電連接至漏極DE。因此，像素電極PE通過(guò)漏極DE接收數(shù)據(jù)電壓。如圖6K所示，像素電極PE包括分支電極PE1、用于將分支電極PE1的第一端部彼此連接的第一連接部PE2、以及用于將分支電極PE1的第二端部彼此連接的第二連接部PE3。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器面板的橫截面圖。除了第一保護(hù)層的結(jié)構(gòu)之外，圖7中所示的液晶顯示器面板具有與結(jié)合圖4所描述的液晶顯示器面板相同或基本相同的結(jié)構(gòu)和功能。參照?qǐng)D7，液晶顯示器面板300包括第一保護(hù)層130，第一保護(hù)層設(shè)置在柵極絕緣層120上并且覆蓋第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj以及源極SE和漏極DE。第一保護(hù)層130包括順序地疊置的SiOC層132和覆蓋層133（cappinglayer）。SiOC層132具有約2微米或約3微米的厚度，并且覆蓋層133設(shè)置在SiOC層132上。覆蓋層133的厚度比SiOC層132的厚度小。作為實(shí)例，根據(jù)實(shí)施方式，覆蓋層133包括氮化硅或氧化硅。公共電極CE設(shè)置在第一保護(hù)層130上。第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj通過(guò)第一保護(hù)層130的SiOC層132和覆蓋層133與公共電極CE隔開，使得公共電極CE與第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj之間的信號(hào)干擾可降低。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示器面板的橫截面圖。除了第一保護(hù)層的結(jié)構(gòu)之外，圖8所示的液晶顯示器面板具有與結(jié)合圖4所描述的液晶顯示器面板相同或基本相同的結(jié)構(gòu)和功能。參照?qǐng)D8，液晶顯示器面板300包括第一保護(hù)層130，第一保護(hù)層設(shè)置在柵極絕緣層120上并且覆蓋第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj以及源極SE和漏極DE。第一保護(hù)層130包括順序地疊置的緩沖層131、SiOC層132和覆蓋層133。SiOC層132具有約2微米或約3微米的厚度，并且緩沖層131和覆蓋層133的厚度比SiOC層132的厚度小。作為實(shí)例，根據(jù)實(shí)施方式，緩沖層和覆蓋層133包括氮化硅或氧化硅。公共電極CE設(shè)置在第一保護(hù)層130上。第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj通過(guò)第一保護(hù)層130的緩沖層131、SiOC層132和覆蓋層133與公共電極CE隔開，使得公共電極CE與第一和第二數(shù)據(jù)線Dj-1和Dj之間的信號(hào)干擾可降低。雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，但可理解的是，本發(fā)明不應(yīng)限于這些示例性實(shí)施方式，而是可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員在所要求保護(hù)的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)進(jìn)行各種變化和修改。