專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
液晶顯示裝置技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，尤其涉及抑制各像素內(nèi)產(chǎn)生的逆扭轉(zhuǎn)的技術(shù)。
背景技術(shù)：
近年來，液晶顯示裝置的性能正在提高，要求產(chǎn)品在尺寸為3 4英寸的中小型液晶顯示裝置中也可以進行800X480像素的WVGA顯示。但是，在可以進行WVGA顯示的中小型液晶顯示面板中，需要在被限制的顯示區(qū)域內(nèi)形成多個顯示像素(以下記作像素)，因此一個像素寬為30 μ m左右。為此，要求開口率及顯示模式效率進一步提高。作為使顯示模式效率提高的液晶顯示裝置，眾所周知的是如下的液晶顯示裝置，即在位于像素區(qū)域的長邊側(cè)的邊緣部形成成對的電極，并且該電極呈從基板表面向液晶層內(nèi)突出的所謂壁狀的電極形狀。該液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)為向一方的壁狀電極(像素電極)提供影像信號，向另一方的壁狀電極(公共電極)提供成為基準的公共信號，由此，產(chǎn)生與液晶顯示面板的主面平行的電場(即橫電場)，驅(qū)動液晶分子。在由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的液晶顯示裝置中，不能在像素電極和公共電極所夾的區(qū)域內(nèi)形成電極，因此沿著位于像素區(qū)域的短邊側(cè)的邊部形成作為保持電容的電極。另一方面，為了抑制橫電場方式的液晶顯示裝置中伴隨視角變化的顯示變色，例如，如專利文獻I中所示，有使一個像素區(qū)域形成兩個以上不同傾斜角的區(qū)域的液晶顯示裝置。該專利文獻I中記載的液晶顯示裝置中，在形成薄膜晶體管等的第一基板上，線狀像素電極和線狀公共電極隔著絕緣膜交替地配置，并且在像素區(qū)域內(nèi)像素電極和公共電極呈V字型彎曲形成。以該V字型的彎曲部為界，使液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向相反，成為抑制伴隨視角變化的顯示變色的多疇結(jié)構(gòu)。再有，專利文獻I中記載的液晶顯示裝置中，不僅是線狀的像素電極和公共電極的V字型彎曲部呈V字型，線狀的像素電極和公共電極的端部也呈V字型，從而抑制像素端部產(chǎn)生的磁疇。專利文獻I :日本特開第2007-3877號公報

發(fā)明內(nèi)容
專利文獻I中記載的液晶顯示裝置中，在像素區(qū)域內(nèi)配置有多個線狀電極，因此面內(nèi)方向的像素電極和公共電極間隔大約為4μπι左右。與此相對，在使用壁電極的液晶顯示裝置中，電極配置于像素的邊緣部，因此像素電極和公共電極之間的間隔大約為30 μ m左右。因此，在壁電極方式的液晶顯示裝置中，為了防止伴隨在像素端部形成保持電容的液晶分子的逆扭轉(zhuǎn)(以下，在本申請的說明書中簡單地記作“磁疇”)的產(chǎn)生，與專利文獻I相同，像素電極和公共電極的端部形成V字型的傾斜，即使是在這種情況下，也存在不能抑制磁疇的產(chǎn)生的問題。此外，作為壁電極方式的液晶顯示裝置，沿著像素區(qū)域的邊緣部形成環(huán)狀的像素電極，并且在像素的中心部分形成線狀的公共電極，在這種結(jié)構(gòu)中，可以使像素電極和公共電極間隔減小一半程度的IO μ m左右，但是與形成保持電容的第一電極和第二電極的間隔相比的情況下是非常大的距離，因此，有可能成為各像素的顯示部(像素顯示部、開口部)的端部產(chǎn)生磁疇的原因，使透過率下降并使顯示模式效率大幅度下降。本發(fā)明就是鑒于這些問題點而提出的，本發(fā)明的目的是提供一種可以抑制在用于形成保持電容的電極端部產(chǎn)生的磁疇，使顯示模式效率提高的技術(shù)。(I)為解決上述課題，本發(fā)明的液晶顯示裝置是如下的液晶顯示裝置具有隔著液晶層相對配置的第一基板和第二基板，上述第一基板具有在Y方向延伸、在X方向并排設(shè)置的影像信號線，以及在X方向延伸、在Y方向并排設(shè)置的掃描信號線，由上述影像信號線和上述掃描信號線所包圍的像素的區(qū)域呈矩陣狀地形成，該液晶顯示裝置包括壁狀的一對第一電極，其沿著上述像素的相對的長邊的邊緣部形成，并且其至少一部分重疊在從上述第一基板的液晶側(cè)面向上述液晶層側(cè)突出的第一凸狀體上；線狀的第二電極，其形成在上述一對第一電極所夾的像素顯不部上，并沿著上述第一電極的延伸方向而形成；第一電容電極，其形成在上述像素的長邊方向的至少一方的端部上，并與上述第一電極電連接；以及第二電容電極，其與上述第一電容電極隔著絕緣膜重疊配置，并且與上述第二電極電連接，在上述電容電極內(nèi)，在接近上述液晶層的階層形成的第一電容電極的上述像素顯示部側(cè)的邊緣部，與在遠離上述液晶層的階層形成的第二電容電極的上述像素顯示部側(cè)的邊緣部相比后退地形成，從上述液晶層側(cè)俯視觀察，上述第二電容電極從上述第一電容電極的后退區(qū)域露出，并且，該液晶顯示裝置還包括第二凸狀體，該第二凸狀體形成在與上述后退區(qū)域的角部和邊緣部重疊的區(qū)域、或者上述后退區(qū)域的邊緣部與另一電容電極之間的區(qū)域，并在該像素的寬度方向延伸。(2)為解決上述課題，本發(fā)明的液晶顯示裝置是如下的液晶顯示裝置具有隔著液晶層相對配置的第一基板和第二基板，上述第一基板具有在Y方向延伸、在X方向并排設(shè)置的影像信號線，以及在X方向延伸、在Y方向并排設(shè)置的掃描信號線，由上述影像信號線與上述掃描信號線包圍的像素的區(qū)域呈矩陣狀地形成，在該液晶顯示裝置中，上述第一基板包括壁狀的一對第一電極，其沿著上述像素的相對的長邊的邊緣部形成，并且其至少一部分重疊在從上述第一基板的液晶側(cè)面向上述液晶層側(cè)突出的第一凸狀體上；線狀的第二電極，其形成在上述一對第一電極所夾的像素顯示部上，并沿著上述第一電極的延伸方向而形成；第一電容電極，其形成在上述像素的長邊方向的至少一方的端部上，并與上述第一電極電連接；以及第二電容電極，其與上述第一電容電極隔著絕緣膜重疊配置，并且與上述第二電極電連接，上述第二基板包括線狀的第三電極，其形成在隔著上述液晶層與上述第二電極對置的位置上；以及第四電極，其形成在上述像素的長邊方向的至少一方的端部上，與上述第三電極電連接，在上述電容電極內(nèi)，形成在接近上述液晶層的階層的第一電容電極和上述第四電容電極的上述像素顯示部側(cè)的邊緣部，與在遠離上述液晶層的階層形成的第二電容電極的上述像素顯示部側(cè)的邊緣部相比后退地形成，并且，上述第一基板還包括第二凸狀體，該第二凸狀體形成在與上述后退區(qū)域的角部和邊緣部重疊的區(qū)域、或者上述后退區(qū)域的邊緣部與另一電容電極之間的區(qū)域，并在該像素的寬度方向延伸。根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制在用于形成保持電容的電極端部產(chǎn)生的磁疇，因此能夠使顯不t旲式效率提聞。
6CN 102914918 A
說明書3/19頁本發(fā)明的其他效果能夠從說明書全體的記載中變得清楚。


大圖。
圖。
大圖。
放大圖。
放大圖。
圖I是用于說明本發(fā)明實施方式I的液晶顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖2是用于說明本發(fā)明實施方式I的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的第一基板側(cè)的放
圖3是沿圖2所示的III-III線的剖視圖。
圖4是用于說明本發(fā)明實施方式I的液晶顯示裝置中像素端部的詳細結(jié)構(gòu)的放大
圖5是用于說明只具有壁像素電極的液晶顯示裝置中像素端部的詳細結(jié)構(gòu)的圖。圖6是沿圖4所示的VI-VI線的剖視圖。
圖7是沿圖4所示的VII-VII線的剖視圖。
圖8是與圖6對應(yīng)的其他實施方式的圖。
圖9是用于說明本發(fā)明實施方式2的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的第一基板側(cè)的放圖10是用于說明本發(fā)明實施方式2的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的第二基板側(cè)的圖11是沿圖9所示的XI-XI線的剖視圖。
圖12是用于說明本發(fā)明實施方式3的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的第一基板側(cè)的圖13是沿圖12所示的XIII-XIII線的剖視圖。
圖14是用于說明本發(fā)明實施方式3的第一基板中像素端部的詳細結(jié)構(gòu)的放大圖。圖15是用于說明只具有壁像素電極的液晶顯示裝置的第一基板中像素端部的詳
細結(jié)構(gòu)的放大圖。的圖。大圖。
圖16是沿圖14所示的XVI-XVI線的剖視圖。
圖17是用于說明本發(fā)明實施方式3的其他像素結(jié)構(gòu)的放大圖。
圖18是用于說明本發(fā)明實施方式4的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的放大圖。
圖19是用于說明本發(fā)明實施方式4的液晶顯示裝置中第二公共電極的大致結(jié)構(gòu)
圖20是沿圖18所示的XX-XX線的剖視圖。
圖21是用于說明本發(fā)明實施方式5的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的兩個像素的放圖22是沿圖21所示的XXII-XXII線的剖視圖。
圖23是用于說明本發(fā)明實施方式6的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的放大圖。
圖24是沿圖23所示的XXIV-XXIV線的剖視圖。
具體實施例方式下面，使用附圖來說明本發(fā)明所適用的實施方式。其中，在以下的說明中，對相同構(gòu)成要素標注相同標記并省略重復(fù)的說明。此外，X、Y、Z分別表示X軸、Y軸、Z軸。
7
[實施方式I]圖I是用于說明本發(fā)明實施方式I的液晶顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的俯視圖，下面，根據(jù)圖I來說明實施方式I的液晶顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)。此外，在本申請說明書中，將除去濾色器CF和偏振板POLl，P0L2等的吸收的影響和開口率的影響的透過率作為顯示模式效率。因此，從背光單兀側(cè)的偏振板POLl射出的直線偏振光的振動方向射入顯不面?zhèn)鹊钠?板P0L2時，旋轉(zhuǎn)90度的情況下的顯示模式效率為100%。如圖I所示,實施方式I的液晶顯示裝置具有液晶顯示面板PNL,該液晶顯示面板PNL包括形成有像素電極PX和薄膜晶體管TFT等的第一基板SUBl ;與第一基板相對配置且形成有濾色器等的第二基板SUB2 ；以及被第一基板SUBl和第二基板SUB2夾持的液晶層。此外，將液晶顯示面板PNL與作為光源的未圖示的背光單元(背光裝置)組合，由此構(gòu)成液晶顯示裝置。對于第一基板SUBl和第二基板SUB2的固定及液晶的密封，由沿第二基板SUB2的周邊部環(huán)狀地涂敷的密封材料SL固定，且將液晶也密封。其中，在實施方式I的液晶顯示裝置中，在封入液晶的區(qū)域內(nèi)形成有顯示像素(以下，簡記為像素)的區(qū)域成為顯示區(qū)域AR。因此，在封入液晶的區(qū)域內(nèi)，沒有形成像素的與顯示無關(guān)的區(qū)域也不能成為顯示區(qū)域AR。此外，第二基板SUB2比第一基板SUBl的面積小，使第一基板SUBl的圖中下側(cè)的邊部露出。在該第一基板SUBl的邊部，搭載有由半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的驅(qū)動電路DR。該驅(qū)動電路DR驅(qū)動配置于顯示區(qū)域AR內(nèi)的各像素。此外，以下的說明中，在液晶顯示面板PNL的說明中也記作液晶顯示裝置。而且，作為第一基板SUBl和第二基板SUB2，一般使用例如公知的玻璃基板作為基材，但也可以使用樹脂性的透明絕緣基板。在實施方式I的液晶顯示裝置中，在第一基板SUBl的液晶側(cè)的一面的顯示區(qū)域AR內(nèi)，形成有在圖I中X方向上延伸在Y方向上并排設(shè)置，且提供來自驅(qū)動電路DR的掃描信號的掃描信號線(柵極線)GL。而且，形成有在圖I中Y方向上延伸在X方向上并排設(shè)置，且提供來自驅(qū)動電路DR的影像信號(灰階信號)的影像信號線(漏極線)DL。鄰接的兩條漏極線DL和鄰接的兩條柵極線GL包圍的區(qū)域構(gòu)成像素，多個像素沿著漏極線DL和柵極線GL，在顯示區(qū)域AR內(nèi)呈矩陣狀地配置。如圖I所示，各像素例如具備根據(jù)來自柵極線GL的掃描信號而進行導(dǎo)通/關(guān)斷驅(qū)動的薄膜晶體管TFT、通過此被導(dǎo)通的薄膜晶體管TFT被提供來自漏極線DL的影像信號的像素電極PX、以及通過公共線CL被提供具有相對于影像信號的電位成為基準電位的公共信號的公共電極CT。在圖I中，像素電極PX和公共電極CT示意地記為線狀，對于實施方式I的像素電極PX和公共電極CT的結(jié)構(gòu)，將在后面詳述。此外，實施方式I的薄膜晶體管TFT，通過施加偏壓，漏極電極和源電極交替地驅(qū)動，但在本說明書中，為了方便，將與漏極線DL連接的一側(cè)記作漏極電極，將與像素電極PX連接的一側(cè)記作源電極。在像素電極PX和公共電極CT之間，生成具有與第一基板SUBl的主面平行的組成部分的電場，通過此電場驅(qū)動液晶分子。這樣的液晶顯示裝置作為可以實現(xiàn)所謂的廣視場角顯示的裝置而被熟知，由于向液晶施加的電場的特異性而被稱為橫電場方式。此外，在實施方式I的液晶顯示裝置中，在不向液晶施加電場的情況下光透過率最小(黑顯示)，通過施加電場使光透過率提高的常黑模式顯示方式進行顯示。在各漏極線DL及各柵極線GL中，其端部越過密封材料SL分別延伸，與驅(qū)動電路DR連接，其中該驅(qū)動電路DR根據(jù)通過來自外部系統(tǒng)的柔性印刷基板FPC輸入的輸入信號，生成影像信號和掃描信號等驅(qū)動信號。其中，實施方式I的液晶顯示裝置是將由半導(dǎo)體芯片形成的驅(qū)動電路DR搭載于第一基板SUBl的結(jié)構(gòu)，但也可以是以下結(jié)構(gòu)將輸出影像信號的影像信號驅(qū)動電路和輸出掃描信號的掃描信號驅(qū)動電路中的任一方或這兩個驅(qū)動電路以帶載方式或COF (Chip On Film)方式搭載于柔性印刷基板FPC上，且與第一基板SUBl連接。〈像素的詳細構(gòu)成〉圖2是用于說明本發(fā)明的實施方式I的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的第一基板側(cè)的放大圖，圖3是沿圖2所示的III-III線的剖視圖，下面，根據(jù)圖2及圖3來說明實施方式I的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)。其中，為了使說明簡單，省略關(guān)于薄膜晶體管等的說明。而且，圖2所示的像素PXL的放大圖是在X方向鄰接的兩個像素的放大圖。如圖2所示，在實施方式I的液晶顯示裝置中，沿著各像素PXL的四個邊部的所有邊部、即像素區(qū)域的周邊部形成像素電極PX及保持電容SC的透明導(dǎo)電膜呈圓環(huán)狀。通過這種結(jié)構(gòu)，即使是在像素電極PX的一個部位斷線的情況下，斷線部分的兩側(cè)也可以與成為影像信號提供源的薄膜晶體管的源電極連接，因此，可以得到穩(wěn)定地提供影像信號的效果。此外，在各像素的周邊部(周緣部)分別形成有呈在圖中用虛線表示的凸狀體形狀，且用于在各像素PXL的邊部形成層差的絕緣膜(以下，簡記為凸狀體)WL。實施方式I的液晶顯示裝置中，采用使此凸狀體WL的一部分與透明導(dǎo)電膜的一部分重疊，形成成為第一電極的壁狀的像素電極PX (壁像素電極PXA、PXB)的結(jié)構(gòu)。特別的，隔著像素顯示部平面地相對配置的一對像素電極內(nèi)，在像素區(qū)域PXL的長度方向(Y方向)延伸，隔著像素顯示部在寬度方向相對配置的一對像素電極PX的壁像素電極PXA，與在X方向鄰接的鄰接像素的壁像素電極PXA接近形成。另一方面，在像素區(qū)域PXL的寬度方向(X方向)延伸，隔著像素顯示部在長度方向相對配置的一對像素電極PX的壁像素電極PXB，從形成于各像素的圖中左側(cè)(例如，連接于該像素的薄膜晶體管的漏極線DL的一側(cè))的壁像素電極PXA的端部開始在寬度方向(X方向)延伸，形成與圖中左側(cè)的壁像素電極PXA—體的結(jié)構(gòu)。此時，在實施方式I的壁像素電極PXB，圖中右側(cè)的端部、SP不是從壁像素電極PXA開始連續(xù)形成的一側(cè)，延伸至公共電極CT的形成位置。為了形成這樣的壁像素電極PXA、PXB，在實施方式I的液晶顯示裝置中，跨越X方向鄰接的像素區(qū)域形成呈C字形狀的凸狀體WL。該C字形狀的凸狀體WL，由沿著像素區(qū)域PXL的長度方向形成的凸狀體(第一凸狀體)WLl和沿著像素PXL的寬度方向形成的凸狀體(第二凸狀體)WL2 —體地形成。沿著此凸狀體WL形成有成為壁像素電極PXA、PXB的環(huán)狀的透明導(dǎo)電膜，因此，具有以下結(jié)構(gòu)即使是在貼合第一基板SUBl和第二基板SUB2的工序中，以及在貼合后使用時等，液晶也可以在圖中的上下鄰接的像素之間移動。此外，實施方式I的像素中，是壁像素電極PXA、PXB使用圓環(huán)狀的透明導(dǎo)電膜而形成的結(jié)構(gòu)，但是并不限定于此，也可以是以下結(jié)構(gòu)由在透明導(dǎo)電膜的一部分處形成有切口等，不能成為圓環(huán)狀的例如C字狀的導(dǎo)電膜形成壁像素電極PXA、PXB。此外，在實施方式I的像素PXL中，采用以下的結(jié)構(gòu)在沿著在長度方向延伸的一對邊部形成的壁像素電極PXA之間的區(qū)域內(nèi)，形成與該壁像素電極PXA大致平行地延伸的線狀的公共電極(第二電極)CT。即，公共電極CT是以將一對的壁像素電極PXA之間的區(qū)域、即像素顯示部在寬度方向(X方向)分成兩個區(qū)域的方式形成的。此公共電極CT也是由透明導(dǎo)電膜形成的。其中，形成壁像素電極PXA、PXB及公共電極CT的透明導(dǎo)電膜能夠使用例如透明導(dǎo)電膜材料的IT0(Indium Tin Oxide)以及氧化鋅類的AZO(Aluminum dopedZinc Oxide)或 GZO(Gallium doped Zinc Oxide)等。此外，實施方式I的像素PXL中，采用以下的構(gòu)成在像素區(qū)域的圖2中的上端側(cè) 及下端側(cè)，形成有形成公共電極CT的透明導(dǎo)電膜，并且此上端及下端的透明電極與鄰接像素的上端及下端的透明導(dǎo)電膜一體地形成，兼作公共線CL。再有，即使是在公共電極CT的一個部位斷線的情況下，發(fā)生斷線的部分的兩端也可以與公共信號的提供源連接，因此還能夠得到穩(wěn)定地提供公共信號的效果。此外，采用以下結(jié)構(gòu)在像素區(qū)域的上端側(cè)及下端側(cè)的區(qū)域內(nèi)，在絕緣膜之間也形成有形成壁像素電極PXA、PXB的透明導(dǎo)電膜，在形成公共電極CT的平板狀的透明導(dǎo)電膜之間形成保持電容SC。其中，對于保持電容SC的詳細結(jié)構(gòu)將在后面詳述。再有，實施方式I的像素PXL采用以下結(jié)構(gòu)在長度方向(Y方向)的圖2中的上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域中，對稱地向相對于Y方向不同的方向傾斜，通過像素的中央部分將上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域連接。在該結(jié)構(gòu)中，液晶分子的取向方向為，例如在上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域中都是Y方向的初始取向。即，使各像素PXL的中央彎曲，且以液晶分子的取向方向作為Y方向(圖2中的縱向)。由此，在連接上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域的彎曲部的上下，施加電壓時的液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向是相反的，在彎曲部的上側(cè)區(qū)域液晶分子逆時針方向旋轉(zhuǎn)，在彎曲部的下側(cè)區(qū)域順時針方向旋轉(zhuǎn)。這樣，在一個像素區(qū)域內(nèi)形成了旋轉(zhuǎn)方向相反的區(qū)域，由此，視角方向的著色抵消，成為所謂的多疇結(jié)構(gòu)。而且，實施方式I的像素采用使上側(cè)區(qū)域相對于Y方向逆時針方向傾斜，下側(cè)區(qū)域相對于Y方向為順時針方向傾斜的結(jié)構(gòu)，也可以采用使它們分別向其反方向傾斜的結(jié)構(gòu)。如圖3所示，具備由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的壁像素電極PXA、PXB及公共電極CT的實施方式I的液晶顯示裝置中，在第一基板SUBl的上表面(液晶面?zhèn)?，未圖示的柵極線在X方向上延伸在Y方向上并排設(shè)置地形成，且覆蓋該柵極線，在第一基板SUBl的整個面形成絕緣膜PAS1。在該絕緣膜PASl的上表面，在與柵極線重疊的區(qū)域內(nèi)形成未圖示的公知的半導(dǎo)體層，在柵極線與半導(dǎo)體層重疊的區(qū)域內(nèi)絕緣膜PASl成為柵極絕緣膜。而且，在絕緣膜PASl或半導(dǎo)體層的上層，形成例如由金屬薄膜構(gòu)成的漏極線DL及從該漏極線延伸出來的延伸部，此延伸部與半導(dǎo)體層的一端電連接而形成漏極電極。而且，在該工序中，在半導(dǎo)體層的另一端形成由金屬薄膜構(gòu)成的源電極，在以后的工序中源電極和壁像素電極PXA、PXB電連接。在漏極線DL的上層，形成與該漏極線DL重疊的凸狀體WLl，該凸狀體WLl由絕緣膜構(gòu)成，該絕緣膜用于形成沿像素區(qū)域的邊緣部的層差。此時，實施方式I的凸狀體WLl以跨越相對于X方向鄰接的像素區(qū)域的方式形成。在凸狀體WLl的側(cè)壁面(層差的側(cè)壁面)形成由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的壁狀電極PXV。而且，在壁狀電極PXV的圖3中的下端側(cè)即壁狀電極PXV的第一基板SUBl側(cè)的端部，形成從該端部開始連續(xù)地沿第一基板SUBl的主面形成的平面電極PXH，通過壁狀電極PXV和平面電極PXH形成壁像素電極PXA、PXB。通過該結(jié)構(gòu)，形成向著配置第二基板SUB2的一側(cè)，相對于第一基板SUBl的主面豎立設(shè)置的壁像素電極PXA。
此外，在像素的短邊側(cè)的邊部形成的壁像素電極PXB中，也形成在凸狀體WL2的側(cè)壁面形成的壁狀電極PXV和沿第一基板SUBl的主面的平面電極PXH。此時，如后面所述，成為以下結(jié)構(gòu)形成保持電容SC的電極(電容電極)從壁狀電極PXV的上端側(cè)開始延伸，該保持電容SC配置于像素區(qū)域的上端部及下端部。因此，在形成有壁像素電極PXB的凸狀體WL2的頭頂面，從壁狀電極PXV開始延伸的導(dǎo)電性薄膜覆蓋該頭頂面形成。
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在壁像素電極PXA、PXB的上層，覆蓋該壁像素電極PXA、PXB,在第一基板SUBl的整個面形成絕緣膜PAS2，在其上層形成線狀的公共電極CT。在該公共電極CT的上層，覆蓋該公共電極CT，在第一基板SUBl的整個面形成取向膜ORI，控制液晶分子的初始取向。此外，在實施方式I的液晶顯示面板PNL的背面?zhèn)取⒓磁c第一基板SUBl的液晶面?zhèn)认鄬Φ囊粋?cè)的面上，配置未圖示的背光單元。從該背光單元照射的未圖示的背光光線，從貼附于第一基板SUBl的背光單兀側(cè)的偏振板POLl的一側(cè),通過偏振板POLl射入液晶顯不面板PNL。該入射光經(jīng)過液晶顯示面板PNL調(diào)制后,通過貼附于液晶顯示面板PNL的顯示面?zhèn)?、即與第二基板SUB2的液晶面?zhèn)认鄬Φ囊粋?cè)的偏振板P0L2，作為顯示光射出。這樣，在實施方式I的液晶顯示裝置中，被提供影像信號的漏極線DL、薄膜晶體管的漏極電極及源電極、以及像素電極PXA、PXB在絕緣膜PASl的上表面即同一層形成。借助該結(jié)構(gòu)，不通過絕緣膜而采用漏極線DL等在薄膜晶體管的半導(dǎo)體層上電連接的方式形成。因此，即使是在漏極線DL或壁像素電極PXA、PXB與薄膜晶體管的半導(dǎo)體層電連接的情況下，也不需要形成公知的貫通孔(通孔)，因此可以減少工序，且不需要用于形成貫通孔的區(qū)域，所以可以提高開口率。此外，即使是在形成有漏極線DL等的信號布線的薄膜層與形成有壁像素電極PXA、PXB的薄膜層是不同的層，即通過絕緣膜形成的情況下，也是在比公共電極CT更接近薄膜晶體管或形成有漏極線DL等的信號布線的薄膜層的層上形成壁像素電極PXA、PXB，通過這種結(jié)構(gòu)，能夠減少形成貫通孔的絕緣膜的層數(shù)，提高開口率。此外，在實施方式I的液晶顯示面板PNL中采用以下結(jié)構(gòu)薄膜晶體管TFT形成于漏極線DL與柵極線交差的附近，為像素的上部側(cè)或下部側(cè)的區(qū)域，且為壁像素電極PXA的延長的位置等。由此，可以在利用黑色矩陣(遮光膜)BM遮光的區(qū)域內(nèi)形成薄膜晶體管TFT，從而能夠使像素的開口率提高。但是薄膜晶體管TFT的形成位置并不限定于此，也可以是其他位置。另一方面，隔著液晶層LC與第一基板SUBl相對配置的第二基板SUB2的表面內(nèi)，在液晶層LC 一側(cè)、即相對面?zhèn)?液晶側(cè)面)，形成作為遮光膜的黑色矩陣BM。該黑色矩陣BM與以往相同，形成于鄰接像素之間的區(qū)域，沿著各像素PXL的周緣部在X方向及Y方向形成。但是，黑色矩陣BM也可以只在漏極線DL的延伸方向、即Y方向等形成。此外，在第二基板SUB2的液晶面?zhèn)?，在每個像素PXL上都形成有紅(R)、綠(G)、藍(B)其中之一的濾色器CF，由與該RGB的各色相對應(yīng)的三個像素PXL形成彩色顯示用的單位像素。而且，在濾色器CF的上層即液晶面?zhèn)?，覆蓋黑色矩陣BM及濾色器CF形成公知的取向膜ORI。<保持電容區(qū)域的詳細結(jié)構(gòu)>圖4是用于說明本發(fā)明實施方式I的液晶顯示裝置中像素端部的詳細結(jié)構(gòu)的放大圖，圖5是用于說明只具有壁像素電極的液晶顯示裝置中像素端部的詳細結(jié)構(gòu)的圖，也表示在壁像素電極PXA、PXB和公共電極CT之間施加影像顯示用的電壓的情況下液晶分子LCM的動作。另外，圖6是沿圖4所示的VI-VI線的剖視圖，圖7表示沿圖4所示的VII-VII線的剖視圖。再有，圖8是與圖6對應(yīng)的其他實施方式的液晶顯示裝置中的剖視圖，也是用于說明形成保持電容SC的一方的電容電極的形成位置的圖。 其中，在壁像素電極PXA、PXB及公共電極CT的傾斜方向相對于液晶的取向方向(初始取向方向)為順時針傾斜的上側(cè)區(qū)域和逆時針傾斜的下側(cè)區(qū)域中，除去未圖示的薄膜晶體管的有無的其他結(jié)構(gòu)是一樣的結(jié)構(gòu)。因此，在以下的說明中，詳細說明用于形成保持電容SC的平板狀的電極結(jié)構(gòu)，其中該保持電容SC形成于壁像素電極PXA、PXB及公共電極CT的傾斜方向為順時針傾斜的上側(cè)區(qū)域中的第一基板SUBl上。此外，在以下的說明中，為使說明簡單，說明向壁像素電極PXA、PXB提供比公共電極CT高的電壓的影像信號的情況，但是在壁像素電極PXA、PXB和公共電極CT之間施加的是交變電壓，其中該交變電壓的極性為，施加于液晶分子的電場方向以如每幀等的規(guī)定周期交替地反轉(zhuǎn)。此外，在壁像素電極PXA和公共電極CT夾著的像素顯示區(qū)域內(nèi)，將圖中左側(cè)的區(qū)域即呈V字型彎曲的公共電極CT的優(yōu)角側(cè)的區(qū)域作為第一區(qū)域AP1，將圖中右側(cè)的區(qū)域即呈V字型彎曲的公共電極CT的劣角側(cè)的區(qū)域作為第二區(qū)域AP2進行說明。再有，在保持電容SC的形成區(qū)域中的電極內(nèi)，將由從壁像素電極PXB延伸的透明導(dǎo)電膜形成的電極作為電容電極(第一電容電極)PXS，將由從公共電極CT延伸的透明導(dǎo)電膜形成的電極作為電容電極(第一電容電極)CTS。如圖4所示，形成有壁像素電極PXB—側(cè)的區(qū)域、即第一區(qū)域APl —側(cè)中保持電容SC的形成區(qū)域，與未形成壁像素電極PXB —側(cè)的區(qū)域、即第二區(qū)域AP2 —側(cè)中保持電容SC的形成區(qū)域中，電容電極CTS的像素顯示部側(cè)的邊緣部具有不同的形狀。而且，第二區(qū)域AP2 一側(cè)的電容電極PXS和電容電極CTS在像素顯示部側(cè)的端面整齊地形成。與此相對，在第一區(qū)域APl —側(cè)中保持電容SC的形成區(qū)域中，電容電極CTS的邊緣部比電容電極PXS的邊緣部更加遠離像素顯示部，從顯示面?zhèn)?液晶面?zhèn)?觀察，下層的電容電極CTS露出地形成。即電容電極CTS的像素顯示部側(cè)的邊部形成從像素的像素顯示部開始連續(xù)地在X方向(第一基板SUBl的面內(nèi)方向)后退的凹狀區(qū)域(后退區(qū)域RT)的結(jié)構(gòu)。另一方面，第一區(qū)域APl —側(cè)的電容電極PXS的邊緣部和第二區(qū)域AP2 —側(cè)的電容電極PXS的邊緣部對齊，該邊緣部在X方向呈直線狀地形成。通過形成上述結(jié)構(gòu)，在像素顯示部的邊部內(nèi)，壁像素電極PXA和公共電極CT的端部即保持電容SC的形成區(qū)域的像素顯示部側(cè)的邊部處，在第二區(qū)域AP2中，從液晶層LC觀察，形成與公共電極CT電位相同的電容電極CTS的邊緣部。因此，如圖4所示，在像素顯示部的邊部也是順扭轉(zhuǎn)方向，液晶分子LCM也以用-Θ表示的順扭轉(zhuǎn)方向在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。此外，在第一區(qū)域APl—側(cè)的像素顯示部的邊部，電容電極CTS形成比下層的電容電極PXS后退的后退區(qū)域RT，從液晶面?zhèn)扔^察，電容電極PXS露出。S卩，在像素顯示部的邊部，配置電容電極PXS的邊緣部，因此施加于該邊緣部附近的液晶分子LCM的電場方向也是順扭轉(zhuǎn)方向，液晶分子LCM也以順扭轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)。另一方面，如后面詳述，在后退區(qū)域RT的邊緣部即電容電極CTS的邊緣部，生成從電容電極PXS指向電容電極CTS的邊緣部的電力線。此時，在后退區(qū)域RT的角部內(nèi)公共電極CT的附近且距離像素邊界近的一側(cè)的角部，即在電容電極CTS上形成的X方向的凹部區(qū)域的底邊端部內(nèi)公共電極側(cè)的角部處，如圖5所示，向電場方向液晶分子LCM施加的電場方向也是逆扭轉(zhuǎn)方向，在該區(qū)域(圖5中用逆扭轉(zhuǎn)區(qū)域RA表示的區(qū)域)內(nèi)液晶分子LCM以用Θ表示的逆扭轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)。與此相對，采用以下結(jié)構(gòu)實施方式I的凸狀體WL2在第一區(qū)域APl —側(cè)形成，特別的，在實施方式I中，沿著凸狀體WL2的頭頂部形成電容電極CTS的像素顯示部側(cè)的邊 緣部。即，在向電場方向液晶分子LCM施加的電場方向為逆扭轉(zhuǎn)方向的區(qū)域內(nèi)形成凸狀體WL2，在與第二基板SUB2之間形成排除液晶的區(qū)域(圖4中用液晶排除區(qū)域EA表示的區(qū)域)的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，如從圖6所知那樣，在實施方式I的像素結(jié)構(gòu)中，在形成保持電容SC的一對電容電極PXS、CTS內(nèi)，未形成壁像素電極PXB的一側(cè)的電極、即電容電極CTS為如下結(jié)構(gòu)，即超過凸狀體WL2且未在像素顯示部側(cè)延伸的結(jié)構(gòu)。但是，凸狀體WL2為延伸至包含產(chǎn)生逆扭轉(zhuǎn)的區(qū)域、即后退區(qū)域RT的角部的區(qū)域的結(jié)構(gòu)。再有，在實施方式I的液晶顯示裝置中采用以下結(jié)構(gòu)如圖6所示，形成壁像素電極PXB的凸狀體WL2的像素顯示部側(cè)的側(cè)壁面及頭頂面、以及距離像素顯示部遠的一側(cè)(形成保持電容的上端側(cè))的所有的面，被形成壁像素電極PXB的透明導(dǎo)電膜所覆蓋。此時，在實施方式I的像素結(jié)構(gòu)中，覆蓋壁像素電極PXB及從該壁像素電極PXB開始延伸而形成電容電極的電容電極PXS，形成絕緣膜PAS2。再有，在絕緣膜PAS2的上層(液晶側(cè)面)內(nèi)，相對于Y方向，從凸狀體WL2的頭頂面開始通過側(cè)壁面到保持電容SC的形成區(qū)域的范圍、即到Y(jié)方向的像素端部的范圍內(nèi)形成電容電極CTS。在該電容電極CTS的上層形成取向II0RL·如圖7所示，在該凸狀體WL2形成的區(qū)域內(nèi)，凸狀體WLl在Y方向延伸且沿著漏極線DL的延伸方向形成壁像素電極PXA，其中該漏極線DL被提供與圖中的中央部分表示的像素相對應(yīng)的影像信號，該凸狀體WLl與形成壁像素電極PXB且在X方向延伸的凸狀體WL2一體地形成。此時的結(jié)構(gòu)為凸狀體WL2只在第一區(qū)域APl —側(cè)形成，因此壁像素電極PXB也只在第一區(qū)域APl—側(cè)形成。其中，從壁像素電極PXB開始延伸的透明導(dǎo)電膜，覆蓋從凸狀體WL1、WL2的頭頂面開始通過側(cè)壁面到第二區(qū)域AP2 —側(cè)的凸狀體WLl的側(cè)壁面的區(qū)域形成，其中該凸狀體WL1，WL2作為用于形成保持電容SC的電容電極PXS在X方向延伸。而且，形成保持電容SC的另一方的電極、即電容電極CTS，覆蓋從形成壁像素電極PXB的凸狀體WL2的側(cè)壁面開始到第二區(qū)域AP2 —側(cè)的凸狀體WLl的側(cè)壁面的區(qū)域形成。如圖6及圖7所示，通過設(shè)置該凸狀體WL2，在凸狀體WL2與第二基板SUB2之間的區(qū)域，液晶層LC非常薄地形成，或是在第二基板SUB2的液晶面?zhèn)刃纬傻娜∠蚰RI與在凸狀體WL的頭頂部形成的取向膜ORI抵接，構(gòu)成液晶排除區(qū)域EA。此外，在實施方式I的第一區(qū)域APl —側(cè)，是超過凸狀體WL2的頭頂面且未在像素顯示部側(cè)形成電容電極CTS的結(jié)構(gòu)。因此，在形成有壁像素電極PXB的部分，在比凸狀體WL2更接近像素顯示部的一側(cè)形成壁像素電極PXB的壁狀電極PXV和平面電極PXH。再有，沿著凸狀體WL2的頭頂面形成電容電極CTS，因此在凸狀體WL2的端面部分、即距離電容電極CTS的像素顯示部遠的一側(cè)的凸狀體WL2的邊緣部也就是液晶排除區(qū)域EA內(nèi)，產(chǎn)生逆扭轉(zhuǎn)方向的電場。在該液晶排除區(qū)域EA中產(chǎn)生液晶分子LCM的逆扭轉(zhuǎn)的情況下，也會使附近的液晶分子LCM的取向產(chǎn)生逆扭轉(zhuǎn)，因此會使順扭轉(zhuǎn)和逆扭轉(zhuǎn)對抗的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生磁疇。但是，在實施方式I的像素結(jié)構(gòu)中通過凸狀體WL2形成有液晶排除區(qū)域EA，因此可以抑制由于逆扭轉(zhuǎn)方向的電場產(chǎn)生的液晶分子LCM的逆扭轉(zhuǎn)。因此，可以抑制(消除)伴隨液晶分子LCM的逆扭轉(zhuǎn)產(chǎn)生的磁疇，使顯示模式效率提高。對于由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的實施方式I的液晶顯示裝置，在具備壁像素電極PXA的液晶顯示裝置中，在適用專利文獻I中記載的技術(shù)的情況下，如圖5所示，只在在X方向鄰接的像素區(qū)域部分形成凸狀體WL。S卩，只在與實施方式I的壁像素電極PXA相對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)形成凸狀體WL。在該結(jié)構(gòu)中，在使第一區(qū)域APl側(cè)的電容電極CTS的像素顯示部側(cè)的邊緣部向比電容電極PXS的邊緣部更加遠離像素顯示部的一側(cè)后退的情況下，在除去形成有凸狀體WLl的區(qū)域以外的區(qū)域內(nèi)，液晶層LC以與像素顯示部具有相同液晶層厚的方式形成。因此，在圖5所示的液晶顯示裝置中，沿著電容電極CTS的邊緣部形成逆扭轉(zhuǎn)區(qū)域RA，在該逆扭轉(zhuǎn)區(qū)域RA中產(chǎn)生的液晶分子LCM的逆扭轉(zhuǎn)，對只形成電容電極PXS的區(qū)域內(nèi)的液晶分子LCM的取向產(chǎn)生影響，也使像素顯示部的液晶分子LCM的取向受到逆扭轉(zhuǎn)的影響，使顯示模式效率降低。此外，在實施方式I的液晶顯示裝置中，結(jié)構(gòu)為在凸狀體WL2的頭頂部形成電容電極CTS的邊緣部，但是并不限于此。例如，如圖8所示，也可以是以下結(jié)構(gòu)在凸狀體WL2的側(cè)壁面內(nèi)距離像素顯示部遠的一側(cè)的側(cè)壁面，更進一步，在比凸狀體WL2距離像素顯示部更遠的一側(cè)形成電容電極CTS的邊緣部。即使是該結(jié)構(gòu)，也是在凸狀體WL2的邊緣部或電容電極CTS的邊緣部內(nèi)，在距離像素顯示部遠的一側(cè)產(chǎn)生液晶分子LCM的逆扭轉(zhuǎn)，但通過凸狀體WL2形成液晶排除區(qū)域EA的結(jié)構(gòu)，因此，可以防止液晶分子LCM的逆扭轉(zhuǎn)對像素顯示部的液晶分子LCM產(chǎn)生影響。如上所述，在實施方式I的液晶顯示裝置中，其結(jié)構(gòu)為，信號布線的漏極線DL與壁像素電極PXA、PXB同層地形成，即壁像素電極PXA、PXB在比公共電極CT距離形成漏極線DL和未圖示的柵極線等的信號布線的層(薄膜層)更近的層上形成。因此，在形成保持電容SC的像素的端部處形成的形成保持電容SC的電容電極PXS，CTS內(nèi)，形成后退區(qū)域RT，該后退區(qū)域RT是使電容電極CTS的像素顯示部側(cè)的邊部比電容電極PXS的邊部后退而形成的，其中，電容電極CTS形成于距離信號布線遠的薄膜層即距離液晶層LC近的一側(cè)的薄膜層上。此時，在被公共電極CT分割為兩部分的像素顯示部內(nèi)，只在液晶分子LCM的順扭轉(zhuǎn)方向側(cè)的像素顯示部、即第一區(qū)域APl的一側(cè)形成后退區(qū)域RT。再有，在形成有壁像素電極PXB的凸狀體WL2的頭頂面形成后退區(qū)域RT的邊部，通過這種結(jié)構(gòu)形成液晶排除區(qū)域EA,因此可以排除液晶分子LCM的逆扭轉(zhuǎn)，該逆扭轉(zhuǎn)是由在電容電極CTS的端部和電容電極PXS之間產(chǎn)生的逆扭轉(zhuǎn)方向的電場導(dǎo)致的。其結(jié)果是，能夠防止透過率降低，其中透過率降低的起因是伴隨壁像素電極PXA、PXB及公共電極CT的端部即像素顯示部的端部處液晶分子LCM的逆扭轉(zhuǎn)產(chǎn)生的磁疇，由此，能夠使顯示模式效率提高。再有，壁像素電極PXA、PXB分別由在凸狀體WL的側(cè)壁面形成的側(cè)壁電極PXV和從該側(cè)壁電極PXV的端部開始在基板的面內(nèi)方向延伸的平面電極PXH構(gòu)成。因此，能夠減少從側(cè)壁電極PXV指向公共電極CT的電力線內(nèi)，指向第一基板的背面?zhèn)鹊碾娏€，因此能夠
使顯不I旲式效率進一步提聞。此外，在實施方式I的液晶顯示裝置中，說明了在與凸狀體WL的延伸方向垂直的平面內(nèi)，剖面形狀為底邊側(cè)比頭頂側(cè)大的臺形形狀的情況，但是并不限定于此。例如，也可以是頭頂側(cè)比底邊側(cè)大的梯形形狀或矩形形狀、以及側(cè)壁面和/或頭頂面為曲面的形狀。
[實施方式2]圖9是用于說明本發(fā)明實施方式2的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的第一基板側(cè)的放大圖，圖10是用于說明本發(fā)明實施方式2的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的第二基板側(cè)的放大圖，圖11是沿圖9所示的XI-XI線的剖視圖。其中，圖9是與實施方式I的圖2相對應(yīng)的圖，圖11是與實施方式I的圖3相對應(yīng)的圖。而且，實施方式2的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)為除去在Y方向線狀地延伸的第一公共電極CTl及第二公共電極CT2的結(jié)構(gòu)以外的其他結(jié)構(gòu)與實施方式I的液晶顯示裝置相同。因此，在以下的說明中，詳細說明第一公共電極CTl和第二公共電極CT2的結(jié)構(gòu)。如圖9所示，在實施方式2的像素結(jié)構(gòu)中，配置有C字形狀的凸狀體WL，其中該凸狀體WL對于X方向跨越鄰接像素的邊界形成，對于Y方向在像素顯示部和形成于其端部的保持電容SC的區(qū)域之間形成，凸狀體WL2形成未圖示的液晶排除區(qū)域EA。再有，在凸狀體WL的側(cè)壁面形成壁狀電極PXV，并且在該壁狀電極PXV的第一基板SUBl —側(cè)形成平面電極PXH，形成壁像素電極PXA、PXB。此時，在實施方式2中，沿著平面地呈C字形狀的凸狀體WL的內(nèi)側(cè)的側(cè)壁面?zhèn)刃纬傻谋谙袼仉姌OPXA、PXB、以及沿著在C字形狀的像素顯示部側(cè)形成的凸狀體WL的外壁面形成的壁像素電極PXA包圍的區(qū)域成為像素顯示部。而且，在各像素的像素顯示部形成有在Y方向延伸的線狀的第一公共電極CTl，與實施方式I相同，壁像素電極PXB為從像素的圖中左側(cè)邊緣部開始延伸至第一公共電極CTl的形成位置的結(jié)構(gòu)。再有，在實施方式2中，采用以下結(jié)構(gòu)形成壁像素電極PXA、PXB的透明導(dǎo)電膜和形成第一公共電極CTl的透明導(dǎo)電膜在像素區(qū)域的長度方向的端部形成保持電容SC。因此，能夠得到與實施方式I相同的效果。此外，如圖10所示，在實施方式2的液晶顯示裝置中，在第二基板SUB2的液晶面?zhèn)纫残纬捎芯€狀的公共電極、即第二公共電極(第三電極)CT2。該第二公共電極CT2由與第一公共電極CTl相同的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成，第二公共電極CT2的線寬比第一公共電極CTl的線寬要大。再有，如后面詳述，在第一基板SUBl和第二基板SUB2貼合的狀態(tài)下，采用以下結(jié)構(gòu)在形成于第一基板SUBl的第一公共電極CTl上，在隔著液晶層對置的位置形成第二公共電極CT2。即，第一公共電極CTl和第二公共電極CT2形成在俯視觀察時形成在重疊的位置的結(jié)構(gòu)。此外，第二公共電極CT2中的結(jié)構(gòu)為與第一公共電極CTl相同，在像素的長度方向的端部，分別形成由形成該第二公共電極CT2的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的電極(平板電極CT2S、第四電極)。該平板電極CT2S與在X方向及Y方向鄰接的像素的平板電極CT2S —體地形成，并進行電連接。通過該結(jié)構(gòu)，形成以下結(jié)構(gòu)將平板電極CT2S作為向第二公共電極CT2提供公共信號的公共線使用，并且在第二公共電極CT2部分產(chǎn)生斷線的情況下，也會向斷線部分的兩端的第二公共電極CT2提供公共信號。再有，如圖10所示，采用以下結(jié)構(gòu)在平板電極CT2S的第一區(qū)域APl—側(cè)，在與形成于電容電極CTS的后退區(qū)域RT相對應(yīng)(對置)的位置形成后退區(qū)域RT2。通過形成該后退區(qū)域RT2，可以抑制第二基板SUB2附近的液晶分子LCM的逆扭轉(zhuǎn)，其中該逆扭轉(zhuǎn)的起因是在壁像素電極PXA、PXB或電容電極PXS與平板電極CT2S之間產(chǎn)生的電場。因此，可以抑制(消除)在像素顯示部的邊緣部即電容電極PXS的邊部產(chǎn)生的磁疇，能夠使顯示模式效率提高。但是，也可以是未在平板電極CT2S上形成后退區(qū)域RT2的結(jié)構(gòu)。
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此外，由于平板電極CT2S在第二基板SUB2上形成，因此該平板電極CT2S與電容電極PXS為隔著液晶層LC對置的結(jié)構(gòu)。因此，可以認為該平板電極CT2S作為保持電容SC的貢獻很小，因此也可以是，圖10中所示的第二區(qū)域AP2內(nèi)的平板電極CT2S的像素顯示部側(cè)的邊緣部、與第一區(qū)域APl內(nèi)的平板電極CT2S的邊緣部之間的距離Yl即后退區(qū)域RT2的Y方向長度Y1，與形成于電容電極CTS的后退區(qū)域RT2的Y方向長度相比，向遠離鄰接像素的方向形成。特別的，平板電極CT2S的距離(后退區(qū)域RT2的Y方向長度)Yl與電容電極CTS的后退區(qū)域RT2的Y方向長度相同或比它大，通過這種結(jié)構(gòu)，可以使后退區(qū)域RT2的邊部(平板電極CT2S的邊緣部)和像素顯示部的邊部之間的距離擴大，因此能夠得到抑制液晶分子LCM的逆扭轉(zhuǎn)的產(chǎn)生、同時進一步提高顯示模式效率的顯著效果。如圖11所示，在由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的實施方式2的液晶顯示裝置中，在第一基板SUBl的液晶側(cè)按順序形成有絕緣膜PAS1、漏極線DL、凸狀體WL、壁像素電極PXA、PXB、絕緣膜PAS2、第一公共電極CTl、以及取向膜ORI。而且，在第二基板SUB2的液晶面?zhèn)刃纬珊谏仃嘊M，與由該黑色矩陣BM分割的區(qū)域相對應(yīng)，形成RGB中任一個的濾色器CF。在該濾色器CF的液晶面?zhèn)龋诟糁壕覮C與第一公共電極CTl對置的位置形成第二公共電極CT2，覆蓋該第二公共電極CT2，在第二基板SUB2的至少顯示區(qū)域內(nèi)形成有取向膜0RI。此時，在實施方式2的液晶顯示裝置中，采用以下結(jié)構(gòu)第一公共電極CTl和第二公共電極CT2，例如在液晶顯示面板PNL的端部電連接，被提供相同的公共信號。這種情況下，與壁像素電極PXA、PXB以及第一、第二公共電極CT2在X方向的距離相比，第一公共電極CTl和第二公共電極CT2在Z方向的距離非常小，因此第一公共電極CTl和第二公共電極CT2在從俯視觀察時為重疊的區(qū)域的液晶層LC處，形成成為等電位的區(qū)域(等電位區(qū)域)。在壁像素電極PXA、PXB的突出方向(Z方向)也形成該等電位區(qū)域，作為疑似的壁電極(疑似壁公共電極)發(fā)揮作用，因此在壁像素電極PXA、PXB和疑似壁公共電極之間產(chǎn)生的電力線，與實施方式I的液晶顯示裝置相比，與第一基板SUBl的面內(nèi)方向平行地形成。其結(jié)果是，能夠使液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向進一步與第一基板SUBl的面內(nèi)方向平行地旋轉(zhuǎn)，因此在實施方式I的效果的基礎(chǔ)上，還能夠得到可使液晶顯示裝置的透過率提高，使顯示模式效率進一步提高的顯著的效果。再有，在第一公共電極CTl和第二公共電極CT2之間的區(qū)域形成的疑似壁公共電極中，等電位面的X方向的寬度比第一公共電極CTl更細地形成。其結(jié)果是，能夠使形成第一公共電極CTI或第二公共電極CT2的區(qū)域內(nèi)也產(chǎn)生面內(nèi)方向(橫電場)，也可以驅(qū)動該區(qū)域的液晶分子，因此可以得到能夠使各像素的開口率提高的顯著效果。此外，在實施方式2的液晶顯示裝置中，說明了形成壁像素電極PXA的凸狀體WLl和形成壁像素電極PXB的凸狀體WL2 —體地形成的情況，但是并不限定于此。例如，也可以是通過如下這樣的不同工序形成的結(jié)構(gòu)在形成以跨越像素的邊界的方式形成(形成壁像素電極PXA)的凸狀體WLl之后，由其他的厚膜材料形成凸狀體WL2，其中該凸狀體WL2上形成壁像素電極PXB。但是，形成壁像素電極PXA的凸狀體WLl和形成壁像素電極PXB的凸狀體WL2 —體地形成，由此可以減少伴隨凸狀體WL的形成的工序數(shù)。[實施方式3]圖12是用于說明本發(fā)明實施方式3的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的第一基板側(cè)的放大圖，圖13是沿圖12所示的XIII-XIII線的剖視圖，下面，根據(jù)圖12及圖13來說明實施CN 102914918 A
書
明
說
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方式3的液晶顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)。其中，為了使說明簡單，省略薄膜晶體管等的說明。而且，圖12中所示的像素PXL的放大圖表示在X方向鄰接的兩個像素的放大圖。再有，在實施方式3的像素結(jié)構(gòu)中，也與實施方式I相同，在像素的長度方向延伸的壁像素電極PXA及公共電極CT對于Y方向順時針傾斜的區(qū)域和逆時針傾斜的區(qū)域通過長度方向的中央部 連接，并且用于形成保持電容SC的電容電極PXS、CTS分別在像素的長度方向的端部(圖中的上側(cè)端部及下側(cè)端部)形成。如從圖13的剖視圖所知那樣，實施方式3的液晶顯示裝置中，在第一基板SUBl的液晶面?zhèn)刃纬晌磮D示的柵極線，覆蓋該柵極線在第一基板SUBl的整個面形成絕緣膜PAS1。在絕緣膜PASl的上表面(液晶側(cè)面)形成有漏極線DL及公共電極CT，覆蓋該漏極線DL及公共電極CT，在第一基板SUBl的整個面形成絕緣膜PAS2。在該絕緣膜PAS2的上表面形成凸狀體WL，其中該凸狀體WL包括跨越鄰接像素的邊界在Y方向延伸的凸狀體WLl、和從凸狀體WLl的端部開始沿著像素顯示部的邊緣部在X方向延伸的凸狀體WL2。由在該凸狀體WLl的側(cè)壁面形成的壁狀電極PXV、以及從該壁狀電極PXV的下端側(cè)邊部開始只以規(guī)定量在面內(nèi)方向延伸地形成于第一基板SUBl上的平面電極PXH來形成壁像素電極PXA。而且，在包含壁像素電極PXA的表面的第一基板SUBl的整個面形成取向膜ORI。但是，實施方式3的液晶顯示裝置取為只具有沿漏極線DL的延伸方向的壁像素電極PXA的結(jié)構(gòu)。另一方面，第二基板SUB2 —側(cè)的結(jié)構(gòu)與實施方式I的液晶顯示裝置為相同的結(jié)構(gòu)，在第二基板SUB2的液晶面?zhèn)?，分別層積黑色矩陣BM、濾色器CF、及取向膜0RI。此外，在實施方式3的結(jié)構(gòu)中，漏極線DL為在Y方向延伸的結(jié)構(gòu)，公共電極CT為與在像素的長度方向的端部形成保持電容SC的平板狀的電極即電容電極CTS —體地形成，且該電容電極CTS在X方向延伸的結(jié)構(gòu)。因此，在像素的角部處漏極線DL和電容電極CTS交差。因此，在實施方式3的液晶顯示裝置中，為使漏極線DL和電容電極CTS在該交差區(qū)域不會短路，形成未圖示的絕緣膜。但是，也可以是以下結(jié)構(gòu)從公共電極CT開始延伸形成的電容電極CTS也在每個像素上形成，例如，與未圖示的柵極線同層地在X方向延伸在Y方向并排設(shè)置，形成提供公共信號的公共線CL，在各像素的區(qū)域內(nèi)電連接公共線CL和電容電極 CTS。如圖12所示，由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的實施方式3的液晶顯示裝置具有凸狀體WL，其中該凸狀體WL具有C字狀(或M字狀)的外形，由跨越鄰接像素的邊界形成的凸狀體WLl和從該凸狀體WLl的端部開始在圖中左側(cè)分別延伸的凸狀體WL2構(gòu)成。此時，實施方式3的結(jié)構(gòu)為在凸狀體WL的側(cè)壁面內(nèi)只在沿像素的長度方向的側(cè)壁面形成壁像素電極PXA。實施方式3的壁像素電極PXA和公共電極CT為以下結(jié)構(gòu)與形成沿著像素區(qū)域的邊緣部形成的壁像素電極PXA的透明導(dǎo)電膜相比，形成公共電極CT的透明導(dǎo)電膜形成于更接近漏極線DL等的信號布線的層上。即，在實施方式3的結(jié)構(gòu)中，形成壁像素電極PXA的透明導(dǎo)電膜在比形成公共電極CT的透明導(dǎo)電膜更接近液晶層LC的層上形成。因此，實施方式3的液晶顯示裝置為在電容電極PXS處形成后退區(qū)域RT的結(jié)構(gòu)，后退區(qū)域RT的形成位置為被公共電極CT分割的圖中右側(cè)的第二區(qū)域AP2。即，成為以下結(jié)構(gòu)電容電極PXS的像素顯示部側(cè)的端部比電容電極CTS的像素顯示部側(cè)的端部后退，從液晶層LC 一側(cè)看，從該后退的區(qū)域(后退區(qū)域RT)露出在下層形成的電容電極CTS。但是，實施方式3的像素結(jié)構(gòu)中，也與漏極線DL同層地形成未圖示的薄膜晶體管的源電極。因此，形成壁像素電極PXA
17及電容電極PXS的透明導(dǎo)電膜和源電極，通過在配置于電容電極PXS的下層的絕緣膜PAS2上形成的通孔TH電連接。再有，在實施方式3的液晶顯示裝置中，采用以下結(jié)構(gòu)該后退的電容電極PXS的端部即后退區(qū)域RT的距離像素顯示部遠的一側(cè)的邊緣部，在凸狀體WL2的頭頂面形成。通過采用上述結(jié)構(gòu)，與上述的實施方式I的液晶顯示裝置相同，凸狀體WL2的頭頂部與第二基板SUB2之間的間隔非常狹窄，形成液晶排除區(qū)域EA，因此在電容電極PXS的邊部或后退區(qū)域RT的角部，可以防止液晶分子LCM的逆扭轉(zhuǎn)的產(chǎn)生。其結(jié)果是，與實施方式I相同，可以排除與沿逆扭轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)的液晶分子LCM、和沿順扭轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)的液晶分子LCM在像素顯示部的邊部處對抗所帶來的磁疇的產(chǎn)生，因此可以提高顯示模式效率。<保持電容區(qū)域的詳細結(jié)構(gòu)>接著，圖14表示用于說明本發(fā)明實施方式3的第一基板中像素端部的詳細結(jié)構(gòu)的放大圖，圖15表示用于說明只具有壁像素電極的液晶顯示裝置的第一基板中像素端部的詳細結(jié)構(gòu)的放大圖，圖16表示沿圖14的XVI-XVI線的剖視圖，圖17表示用于說明圖14中實施方式3的凸狀體的形成區(qū)域的圖，下面，根據(jù)圖14 圖17來說明實施方式3的液晶顯示裝置中液晶分子的逆扭轉(zhuǎn)的抑制效果。其中，與實施方式I相同，在各像素的上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域，施加于液晶分子LCM的電場的方向不同，只有液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向不同的結(jié)構(gòu)是不同的，基本的像素結(jié)構(gòu)是相同的結(jié)構(gòu)，因此，在以下的說明中，詳細說明像素的上側(cè)區(qū)域的像素結(jié)構(gòu)及液晶分子LCM的旋轉(zhuǎn)動作。如圖14所示，在形成保持電容SC的電容電極PXS和電容電極CTS內(nèi)，從壁像素電極PXA開始延伸的透明導(dǎo)電膜在比電容電極CTS更接近液晶層LC的一側(cè)形成的情況下，以液晶分子LCM的逆扭轉(zhuǎn)為起因的磁疇的產(chǎn)生發(fā)生在第二區(qū)域AP2。此時，在產(chǎn)生逆扭轉(zhuǎn)的第二區(qū)域AP2 —側(cè)的電容電極PXS上形成后退區(qū)域RT，由此可以使逆扭轉(zhuǎn)區(qū)域RA向后退區(qū)域RT的角部移動。因此，在實施方式3的液晶顯示裝置中，成為從壁像素電極PXA開始延伸的電容電極PXS的端部比從公共電極CT開始延伸的電容電極CTS的端部后退的形狀。S卩，在像素區(qū)域的上側(cè)端部形成保持電容SC的一對電容電極PXS、CTS內(nèi)，在電容電極PXS上形成后退區(qū)域RT的結(jié)構(gòu)，其中該電容電極PXS在比漏極線DL等的信號布線遠的層上形成。通過該后退區(qū)域RT的形成，電容電極PXS的像素顯示部的邊緣部比電容電極CTS的像素顯示部的邊緣部后退地形成。此外，在實施方式3的液晶顯示裝置中，在像素區(qū)域的圖中右側(cè)邊部具備從沿Y方向形成的凸狀體WLl的端部開始沿X方向形成的凸狀體WL2。該凸狀體WL2至少以在公共電極CT的形成區(qū)域以下的X方向長度形成，形成液晶排除區(qū)域EA。而且，凸狀體WL2的X方向長度在后面詳述的包含逆扭轉(zhuǎn)區(qū)域RA的區(qū)域形成。此外，在實施方式3的液晶顯示裝置中，采用以下結(jié)構(gòu)后退區(qū)域RT的像素顯示側(cè)的端部即在X方向延伸的邊緣部，比凸狀體WL2的頭頂部或凸狀體WL2更靠近像素邊界側(cè)形成。由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的實施方式3的液晶顯示裝置中，在像素顯示部的邊部內(nèi)，在壁像素電極PXA或公共電極CT的端部即保持電容SC的形成區(qū)域的像素顯示部側(cè)的邊部，第一區(qū)域APl中與壁像素電極PXA同電位的電容電極PXS的邊緣部在上層形成。因此，如圖14所示，在像素顯示部的邊部也是順扭轉(zhuǎn)方向，液晶分子LCM也以用-Θ表示的順扭轉(zhuǎn)方向
18在平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。此外，在第二區(qū)域AP2 —側(cè)的像素顯示部的邊部，電容電極PXS形成比下層的電容電極CTS后退的后退區(qū)域RT，電容電極PXS在液晶層LC 一側(cè)露出。即，在像素顯示部的邊部，配置電容電極CTS的邊緣部，因此對該邊緣部附近的液晶分子LCM施加的電場方向也是順扭轉(zhuǎn)方向，液晶分子LCM也以順扭轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)。另一方面，在后退區(qū)域RT的邊緣部即電容電極PXS的邊緣部，生成從電容電極PXS指向電容電極CTS的邊緣部的電力線。此時，如圖15所示，在后退區(qū)域RT的角部內(nèi)，靠近壁像素電極PXA的一側(cè)且靠近像素邊界的一側(cè)的角部，即在電容電極PXS上形成的X方向的凹部區(qū)域的底邊端部內(nèi)壁像素電極PXA側(cè)的角部處，施加于電場方向液晶分子LCM的電場方向也是逆扭轉(zhuǎn)方向，該區(qū)域(圖15中用逆扭轉(zhuǎn)區(qū)域RA表示的區(qū)域)中液晶分子LCM也以用Θ表示的逆扭轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)。此時，在實施方式3的液晶顯示裝置中，采用以下結(jié)構(gòu)在液晶分子LCM中產(chǎn)生逆扭轉(zhuǎn)的后退區(qū)域RT的角部配置凸狀體WL2，形成液晶排除區(qū)域EA。此外，如圖16所示，在凸狀體WL2的頭頂部形成電容電極PXS的端部。因此，與上述的實施方式I相同，可以實現(xiàn)通過液晶排除區(qū)域EA排除液晶分子LCM的逆扭轉(zhuǎn)的產(chǎn)生，可以得到與實施方式I相同的效
果O對于上述的實施方式3的液晶顯示裝置,在不具有圖15所示的凸狀體WL2的液晶顯示裝置中，形成壁像素電極PXA在Y方向延伸的透明導(dǎo)電膜的像素顯示部側(cè)的端部，與后退區(qū)域RT的邊部內(nèi)在X方向延伸的端部交差的區(qū)域RA中，液晶分子LCM中產(chǎn)生逆扭轉(zhuǎn)。該逆扭轉(zhuǎn)對像素顯示部的液晶分子LCM的順扭轉(zhuǎn)有影響，因此在像素顯示部的端部產(chǎn)生磁疇，顯示模式效率降低。此外，如圖17所示，在將各像素的像素顯示部的寬度方向的寬記作W0，將凸狀體WL2的寬記作Wl的情況下，可以是Wl =WOX 10%，也可以是Wl =WOX50%。即，優(yōu)選是凸狀體WL2的寬Wl為WOX 10%蘭Wl ^ W0X50%。通過在該區(qū)域形成規(guī)定的凸狀體WL2，作為磁疇產(chǎn)生原因的逆扭轉(zhuǎn)方向的液晶被排除，可以抑制磁疇。其結(jié)果是，能夠抑制像素整體中的磁疇，使顯示模式效率提高。另外，對于凸狀體WL2的寬度，在后述的實施方式4、5中同樣可以適用。[實施方式4]圖18是用于說明本發(fā)明實施方式4的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的放大圖，圖19是用于說明本發(fā)明實施方式4的液晶顯示裝置中第二公共電極的大致結(jié)構(gòu)的圖，圖20是沿圖18所示的XX-XX線的剖視圖。其中，實施方式4的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)為，除去在第二基板SUB2的一側(cè)形成的第二公共電極CT2的公共電極CT的結(jié)構(gòu)，其他的結(jié)構(gòu)與實施方式3的液晶顯示裝置相同。因此，在以下的說明中，詳細說明由第一公共電極CTl和第二公共電極CT2構(gòu)成的公共電極CT。如從圖20所知那樣，在實施方式4的液晶顯示裝置中，采用以下結(jié)構(gòu)在第一基板SUBl 一側(cè)，具有未圖示的柵極線、覆蓋該柵極線在第一基板SUBl的整個面形成的絕緣膜PAS1、以及在該絕緣膜PASl的上表面(液晶側(cè)面)同層地形成的漏極線DL和第一公共電極CT1。此外，具有覆蓋漏極線DL及第一公共電極CTl在第一基板SUBl的整個面形成的絕緣膜PAS2、以及由在該絕緣膜PAS2的上表面跨越鄰接像素的邊界在Y方向延伸形成的凸狀體WLl和從該凸狀體WLl的端部開始沿著像素顯示部的邊緣部在X方向延伸的凸狀體WL2構(gòu)成的凸狀體WL。另外，還具有由在該凸狀體WLl的側(cè)壁面形成的壁狀電極PXV和從該壁狀電極PXV的下端側(cè)邊部開始只以規(guī)定量在第一基板SUBl的面內(nèi)方向延伸形成的平面電極PXH構(gòu)成的壁像素電極PXA、以及在包含該壁像素電極PXA的表面的第一基板SUBl的整個面形成的取向膜ORI。 另一方面，在實施方式4的第二基板SUB2上，與實施方式2的第二基板SUB2相同，采用以下結(jié)構(gòu)在液晶面?zhèn)染哂泻谏仃嘊M、與形成該黑色矩陣BM的RGB的各色相對應(yīng)的濾色器CF、在該濾色器CF的上層形成的第二公共電極CT2、以及覆蓋該第二公共電極CT2在第二基板SUB2的整個面形成的取向膜ORI。在由該結(jié)構(gòu)構(gòu)成的實施方式4的像素結(jié)構(gòu)中，如圖18所示，圖中左側(cè)開放的C字狀的凸狀體WL以跨越鄰接像素的邊界的方式配置。此時，在隔著液晶層LC與在第一基板SUBl上形成的第一公共電極CTl對置的位置，形成圖19所示的比第一公共電極CTl的布線寬度寬的第二公共電極CT2。在該第二公共電極CT2上，與實施方式2相同，具有提供與第一公共電極CTl相同的公共信號的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果是，第一公共電極CTl和第二公共電極CT2在俯視觀察時重疊的區(qū)域中，隔著液晶層LC而電位變得相同，形成虛擬的壁狀公共電極CT。此時，在實施方式4的像素結(jié)構(gòu)中，形成于第一基板SUBl的第一公共電極CTl在距離漏極線DL等的信號布線近的層上形成。因此，在形成后退區(qū)域RT的保持電容SC的像素的端部，在與形成壁像素電極PXA的透明導(dǎo)電膜的第二區(qū)域AP2對應(yīng)的部分形成后退區(qū)域RT。即，在實施方式4的液晶顯示裝置中，具有電容電極PXS在比電容電極CTS靠近液晶層LC的一側(cè)形成的結(jié)構(gòu)，因此成為在第二區(qū)域AP2 —側(cè)形成后退區(qū)域RT的結(jié)構(gòu)。再有，在實施方式4的像素結(jié)構(gòu)中，與實施方式3的像素結(jié)構(gòu)相同，形成壁像素電極PXA的透明導(dǎo)電膜的后退區(qū)域RT的端部配置于凸狀體WL2的頭頂部即液晶排除區(qū)域EA，因此可以得到與實施方式4相同的效果。此外，實施方式4的第二公共電極CT2也以與實施方式2的第二公共電極CT2相同的形狀形成，因此可以得到能夠進一步提高顯示模式效率的顯著的效果。再有，使平板電極CT2S的距離(后退區(qū)域RT2的Y方向長度)Yl具有與電容電極CTS的后退區(qū)域RT2的Y方向長度相同或比它大的結(jié)構(gòu)，由此可以使后退區(qū)域RT2的邊部(平板電極CT2S的邊緣部)和像素顯示部的邊部之間的距離擴大，因此可以抑制液晶分子LCM的逆扭轉(zhuǎn)的產(chǎn)生，得到能夠進一步提高顯示模式效率的顯著的效果。[實施方式5]圖21是用于說明本發(fā)明的實施方式5的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的兩個像素的放大圖，圖22是沿圖21所示的XXII-XXII線的剖視圖。其中，實施方式5的液晶顯示裝置中，除去形成于凸狀體WLl的側(cè)壁面的壁狀的公共電極(以下，記作壁公共電極)CTA和形成于一對的壁公共電極CTA之間區(qū)域的線狀的像素電極PX的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)與實施方式3的液晶顯示裝置相同。因此，在以下的說明中，詳細說明壁公共電極CTA和像素電極PX的結(jié)構(gòu)。如圖22所示，在實施方式5的液晶顯示裝置中，在第一基板SUBl的液晶面?zhèn)?，形成未圖示的柵極線，覆蓋該柵極線在第一基板SUBl的整個面形成絕緣膜PASl。在該絕緣膜PASl的上表面，分別形成在Y方向延伸的漏極線DL和由在Y方向延伸的線狀的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的像素電極PX，覆蓋漏極線DL及像素電極PX，在第一基板SUBl的整個面形成絕緣膜PAS2。在該絕緣膜PAS的上表面跨越像素邊界形成C字狀(M字狀)的凸狀體WL，覆蓋該凸狀體WL內(nèi)的凸狀體WLl，形成壁公共電極CTA，其中該壁公共電極CTA包括形成于該凸狀體WL的側(cè)壁面的壁狀電極CTV、以及以從該壁狀電極CTV的下端側(cè)邊部開始只以規(guī)定量在第一基板SUBl上在面內(nèi)方向延伸的方式形成的平面電極CTH。而且，在壁公共電極CTA的上表面覆蓋該壁公共電極CTA，在第一基板SUBl的整個面形成取向膜ORI。 從上述結(jié)構(gòu)可知，在實施方式5的液晶顯示裝置中，做成為由壁狀的電極、即壁公共電極CTA形成提供公共信號的公共電極CT 一側(cè)的結(jié)構(gòu)。再有，公共信號是向各像素提供公共的信號即向各像素提供相同的信號，因此在實施方式5的像素結(jié)構(gòu)中也是向壁公共電極CTA共同提供相同信號的結(jié)構(gòu)。因此，采用以下結(jié)構(gòu)在用于形成壁狀的電極的第一基板SUBl的液晶面?zhèn)?，在用于形成層差的凸狀體WLl的側(cè)壁面和頭頂面形成透明導(dǎo)電膜，其中該透明導(dǎo)電膜形成公共電極CT，將鄰接像素的壁公共電極CTA電連接。此外，在實施方式5的壁公共電極CTA中，與實施方式3的壁像素電極PXA相同，各壁公共電極CTA由形成于凸狀體WL的側(cè)壁面的壁狀電極CT1、以及從該壁狀電極CTl開始連續(xù)地沿著第一基板SUBl的主面以長度W形成的平面電極CT2。通過該結(jié)構(gòu)，形成壁狀電極CT1，該壁狀電極CTl相對于第一基板SUBl的主面豎立設(shè)置(傾斜)，即向著配置第二基板SUB2的一側(cè)，相對于該第一基板SUBl的主面被豎立設(shè)置，壁公共電極CTA沿著像素PXL的邊緣部在該像素PXL的長度方向的邊緣部相對配置。此外，在實施方式5中，壁公共電極CTA在鄰接的像素PXL的邊界部分形成，因此并不限于具有透光性的導(dǎo)電膜材料，也可以是由以鋁或鉻為代表的金屬薄膜等不具有透光性的導(dǎo)電膜材料形成的結(jié)構(gòu)。此外，在第二基板SUB2的液晶面?zhèn)?，與實施方式3相同，具有黑色矩陣BM、濾色器CF、及取向膜ORI按順序形成的結(jié)構(gòu)。由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的實施方式5的液晶顯示裝置中，如圖21所示，形成壁公共電極CTA的透明導(dǎo)電膜，在除去第一基板SUBl的液晶面?zhèn)葍?nèi)的各像素的像素顯示部的區(qū)域(包含成為第一電容電極的電容電極CTS的區(qū)域)內(nèi)呈環(huán)狀地形成。與此相對，形成線狀的像素電極PX的透明導(dǎo)電膜，具有成為第二電容電極的電容電極PXS，其中該電容電極PXS在各像素區(qū)域的上側(cè)端部及下側(cè)端部形成保持電容SC。此時，在實施方式5的液晶顯示裝置中，在像素的長度方向(Y方向)的端部處形成保持電容SC的電容電極PXS和電容電極CTS內(nèi)，在距離漏極線DL或柵極線等的信號布線近的層的一側(cè)，形成電容電極PXS。因此，在實施方式5的像素結(jié)構(gòu)中，在距離信號布線遠的層、即距離液晶層LC近的一側(cè)的層上形成的電容電極CTS上形成有后退區(qū)域RT。此時，采用向壁狀的電極提供公共信號、且向線狀的電極提供影像信號的結(jié)構(gòu)，因此在電容電極CTS的第二區(qū)域AP2側(cè)形成后退區(qū)域RT。再有，后退區(qū)域RT的端部即電容電極CTS的端部，在凸狀體WL2的頭頂面形成且后退區(qū)域RT的角部也在凸狀體WL1，WL2的頭頂面形成，即在通過凸狀體WL2形成的液晶排除區(qū)域EA處形成，因此可以得到與實施方式3相同的效果。〈實施方式6>圖23是用于說明本發(fā)明實施方式6的液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的放大圖，圖24是沿圖23所示的XXIV-XXIV線的剖視圖。其中，實施方式6的液晶顯示裝置中除去線狀的像素電極PX的結(jié)構(gòu)，其他的結(jié)構(gòu)與實施方式I的液晶顯示裝置相同，其中該像素電極PX在形成于凸狀體WL的側(cè)壁面處的壁狀的公共電極(壁公共電極CTA，CTB)和隔著像素顯示部對向配置的壁公共電極CTA之間的區(qū)域形成。因此，在以下的說明中，詳細說明壁公共電極CTA, CTB和像素電極PX的結(jié)構(gòu)。如圖24所示，在第一基板SUBl的液晶面?zhèn)?，形成在X方向延伸的未圖示的柵極線，覆蓋該柵極線在第一基板SUBl的整個面形成絕緣膜PASl。在絕緣膜PASl的上層形成在Y方向延伸的漏極線DL，且至少覆蓋與像素顯示部相對應(yīng)的區(qū)域的漏極線DL，跨越鄰接像素的邊界形成凸狀體WL。這里，在實施方式6的像素結(jié)構(gòu)中，形成公共電極CT的透明導(dǎo)電膜在由凸狀體WLl和凸狀體WL2構(gòu)成的凸狀體WL的側(cè)壁面及頭頂面上形成，形成壁公共電極CTA、CTB0在壁公共電極CTA、CTB的上層，覆蓋第一基板SUBl的整個面形成絕緣膜PAS2，在該絕緣膜PAS2的上表面形成線狀的像素電極PX。在該像素電極PX的上層形成取向膜ORI。此外，在實施方式6的壁公共電極PXA、PXB中，也形成有壁公共電極CTA、CTB，其中壁公共電極CTA、CTB包括形成于凸狀體WL1、WL2的側(cè)壁面的壁狀電極CTV，以及從該壁狀電極CTV開始連續(xù)地沿著第一基板SUBl的主面形成的平面電極CTH。此外，在第二基板SUB2的液晶面?zhèn)?，與實施方式I相同，具有按順序形成黑色矩陣BM、濾色器CF、及取向膜ORI的結(jié)構(gòu)。如圖23所示，在由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的實施方式6的液晶顯示裝置中，具有由沿著像素的長度方向(Y方向)的邊部形成的凸狀體WLl和從該凸狀體WLl的端部開始沿著像素的寬度方向形成的凸狀體WL2構(gòu)成的C字狀的凸狀體WL。此時，與實施方式I相同，凸狀體WL2從凸狀體WLl的端部延伸至線狀的電極即像素電極PX的形成位置。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在實施方式6的像素結(jié)構(gòu)中，成為凸狀體WL的側(cè)壁面及頭頂面具有分別被形成壁公共電極CTA，CTB的透明導(dǎo)電膜覆蓋的結(jié)構(gòu)。再有，在實施方式6的像素結(jié)構(gòu)中，漏極線DL和壁公共電極CTA，CTB同層地形成，隔著在其上層形成的絕緣膜PAS2形成像素電極PX，即壁公共電極CTA、CTB在比像素電極PX更接近信號布線的層上形成。因此，在形成保持電容SC的電容電極CTS和電容電極PXS中，電容電極CTS在距離信號布線近的一例、即電容電極PXS在距離液晶層LC近的一側(cè)形成。此時，采用向壁狀的電極提供公共信號，且向線狀的電極提供影像信號的結(jié)構(gòu)，因此在電容電極PXS的第一區(qū)域APl側(cè)形成后退區(qū)域RT。再有，后退區(qū)域RT的端部即電容電極PXS的端部在凸狀體WL2的頭頂面形成，即位于通過凸狀體WL2形成的液晶排除區(qū)域EA處，因此可以得到與實施方式I相同的效果。以上，根據(jù)上述發(fā)明的實施方式來具體說明了由本申請的發(fā)明人完成的發(fā)明，但是，本發(fā)明不限于上述發(fā)明的實施方式，在不脫離發(fā)明主旨的范圍內(nèi)可進行各種變更。符號說明PNL......液晶顯示面板、SUBl......第一基板、SUB2......第二基板AR......顯示區(qū)域、SL......密封材料、DR......驅(qū)動電路CL......公共線、FPC......柔性印刷基板、GL......柵極線DL......漏極線、TFT......薄膜晶體管、PX......像素電極CT......公共電極、PXA、PXB......壁像素電極、SC......保持電容PXL......像素、LC......液晶層、PAS1，PAS2......絕緣膜
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ORI..... 取向膜、PXV......壁狀電極、PXH......平面電極
CF......濾色器、POLl，P0L2. · · ..偏振板、BM......黑色矩陣
LCM..... 液晶分子、CTS，PXS......電容電極、APl......第一區(qū)域
AP2..... 第一區(qū)域、CTl......第一公共電極、CT2.......第一公共電極
TH......通孔、WL，WLl，WL2. · · ·..凸狀體、RT…….后退區(qū)域
CTA，CTB.……壁公共電極、PXV，CTV......壁狀電極
PXH, CTH.……平面電極、CT2S......平板電極
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，具有隔著液晶層相對配置的第一基板和第二基板，上述第一基板具有在Y方向延伸、在X方向并排設(shè)置的影像信號線，以及在X方向延伸、在Y方向并排設(shè)置的掃描信號線，由上述影像信號線和上述掃描信號線所包圍的像素的區(qū)域呈矩陣狀地形成，該液晶顯示裝置包括壁狀的一對第一電極，其沿著上述像素的相對的長邊的邊緣部形成，并且其至少一部分重疊在從上述第一基板的液晶側(cè)面向上述液晶層側(cè)突出的第一凸狀體上；線狀的第二電極，其形成在上述一對第一電極所夾的像素顯示部上，并沿著上述第一電極的延伸方向而形成；第一電容電極，其形成在上述像素的長邊方向的至少一方的端部上，并與上述第一電極電連接；以及第二電容電極，其與上述第一電容電極隔著絕緣膜重疊配置，并且與上述第二電極電連接，在上述電容電極內(nèi)，在接近上述液晶層的階層形成的第一電容電極的上述像素顯示部側(cè)的邊緣部，與在遠離上述液晶層的階層形成的第二電容電極的上述像素顯示部側(cè)的邊緣部相比后退地形成，從上述液晶層側(cè)俯視觀察，上述第二電容電極從上述第一電容電極的后退區(qū)域露出，并且，該液晶顯示裝置還包括第二凸狀體，該第二凸狀體形成在與上述后退區(qū)域的角部和邊緣部重疊的區(qū)域、或者上述后退區(qū)域的邊緣部與另一電容電極之間的區(qū)域，并在該像素的寬度方向延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述第一電極是通過薄膜晶體管提供上述影像信號的像素電極，上述第二電極是提供成為上述影像信號的基準的公共信號的公共電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述像素顯不部包括位于上述一對第一電極內(nèi)的一個第一電極與上述第二電極之間的第一區(qū)域、以及位于上述一對第一電極內(nèi)的另一個第一電極與上述第二電極之間的第二區(qū)域，上述后退區(qū)域形成在上述第二區(qū)域的端部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述后退區(qū)域包括沿該像素的長度方向形成的第一邊部、和沿寬度方向形成的第二邊部，在由上述第一邊部和上述第二邊部形成的角部內(nèi)，至少接近上述第一電極的一側(cè)的角部形成在上述第二凸狀體的頭頂面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述第二基板具有線狀的第三電極，該第三電極形成在隔著上述液晶層與上述第二電極對置的位置上。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述第一電極是提供成為上述影像信號的基準的公共信號的公共電極，上述第二電極是通過薄膜晶體管提供上述影像信號的像素電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述像素顯不部包括位于上述一對第一電極內(nèi)的一個第一電極與上述第二電極之間的第一區(qū)域、以及位于上述一對第一電極內(nèi)的另一個第一電極與上述第二電極之間的第二區(qū)域，上述后退區(qū)域形成在上述第一區(qū)域的端部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述后退區(qū)域包括沿該像素的長度方向形成的第一邊部、和沿寬度方向形成的第二邊部，在由上述第一邊部和第二邊部形成的角部內(nèi)，至少接近上述第二電極的一側(cè)的角部形成在上述第二凸狀體的頭頂面。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述第一電極包括側(cè)壁面電極，其形成在跨越與鄰接像素的邊界而形成的上述第一凸狀體的側(cè)壁面上；以及平面電極，其從上述側(cè)壁面電極的上述第一基板側(cè)的端部開始沿第一基板的主面延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述第一凸狀體和上述第二凸狀體由一體地形成的C字狀的凸狀體構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述像素包括相對于上述液晶的初始取向方向按順時針旋轉(zhuǎn)傾斜上述第一電極和上述第二電極而成的區(qū)域、以及相對于上述液晶的初始取向方向按逆時針旋轉(zhuǎn)傾斜上述第一電極和上述第二電極而成的區(qū)域。
12.一種液晶顯示裝置，具有隔著液晶層相對配置的第一基板和第二基板，上述第一基板具有在Y方向延伸、在X方向并排設(shè)置的影像信號線，以及在X方向延伸、在Y方向并排設(shè)置的掃描信號線，由上述影像信號線與上述掃描信號線包圍的像素的區(qū)域呈矩陣狀地形成，在該液晶顯示裝置中，上述第一基板包括壁狀的一對第一電極，其沿著上述像素的相對的長邊的邊緣部形成，并且其至少一部分重疊在從上述第一基板的液晶側(cè)面向上述液晶層側(cè)突出的第一凸狀體上；線狀的第二電極，其形成在上述一對第一電極所夾的像素顯示部上，并沿著上述第一電極的延伸方向而形成；第一電容電極，其形成在上述像素的長邊方向的至少一方的端部上，并與上述第一電極電連接；以及第二電容電極，其與上述第一電容電極隔著絕緣膜重疊配置，并且與上述第二電極電連接，上述第二基板包括線狀的第三電極，其形成在隔著上述液晶層與上述第二電極對置的位置上；以及第四電極，其形成在上述像素的長邊方向的至少一方的端部上，與上述第三電極電連接，在上述電容電極內(nèi)，形成在接近上述液晶層的階層的第一電容電極和上述第四電容電極的上述像素顯示部側(cè)的邊緣部，與在遠離上述液晶層的階層形成的第二電容電極的上述像素顯示部側(cè)的邊緣部相比后退地形成，并且，上述第一基板還包括第二凸狀體，該第二凸狀體形成在與上述后退區(qū)域的角部和邊緣部重疊的區(qū)域、或者上述后退區(qū)域的邊緣部與另一電容電極之間的區(qū)域，并在該像素的寬度方向延伸。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述像素包括相對于上述液晶的初始取向方向按順時針旋轉(zhuǎn)傾斜上述第一電極、上述第二電極以及上述第三電極而成的區(qū)域、以及相對于上述液晶的初始取向方向按逆時針旋轉(zhuǎn)傾斜上述第一電極、上述第二電極以及上述第三電極而成的區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置包括一對壁狀的第一電極，形成為從第一基板的液晶側(cè)面向上述液晶層側(cè)突出；線狀的第二電極，形成在一對第一電極所夾的像素顯示部上，沿著第一電極的延伸方向形成；與第一電極電連接的第一電容電極；以及第二電容電極，隔著絕緣膜與第一電容電極重疊配置且與上述第二電極電連接，在上述電容電極內(nèi)，在接近上述液晶層的階層形成的第一電容電極的像素顯示部側(cè)的邊緣部，與在遠離上述液晶層的階層形成的第二電容電極的像素顯示部側(cè)的邊緣部相比后退地形成，并且還具備在該像素寬度方向延伸的第二凸狀體。利用本發(fā)明，能夠提供一種抑制在用于形成保持電容的電極端部產(chǎn)生的磁疇，使顯示模式效率提高的技術(shù)。
文檔編號G02F1/1343GK102914918SQ20121027954
公開日2013年2月6日 申請日期2012年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月5日
發(fā)明者平塚崇人, 伊東理 申請人:株式會社日本顯示器東