專利名稱：一種陣列基板及其制作方法和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器的制造領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法和顯示
>J-U裝直。
背景技術(shù)：
有機(jī)薄膜晶體管(Organic Thin Film Transistor,以下簡(jiǎn)稱為0TFT)具有適合大面積加工、適用于柔性基板等優(yōu)點(diǎn)，在平板顯示領(lǐng)域顯現(xiàn)出應(yīng)用前景。因此，OTFT陣列基板的研究與開(kāi)發(fā)受到廣泛關(guān)注。通常在OTFT陣列基板的制作中需要多次構(gòu)圖工藝，以形成圖案化的層結(jié)構(gòu)。目前出現(xiàn)一種噴墨打印工藝，用以制備OTFT的源漏極。其中，噴墨打印工藝是，將制作圖案所用材料熔漿(即墨滴)打印在需要制作圖案的區(qū)域，以形成所需圖案的工藝。由于這種工藝是一種直接圖案化的方法，故可簡(jiǎn)化工藝，降低成本和提高生產(chǎn)效率。在實(shí)現(xiàn)上述利用噴墨打印工藝形成OTFT的源漏極的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題在打印過(guò)程中，由于墨滴的表面張力等原因，難以精確控制墨滴的尺寸，這就導(dǎo)致利用噴墨打印工藝所形成的OTFT源漏極的形狀難以精確控制，從而影響到OTFT的質(zhì)量，進(jìn)而會(huì)影響到OTFT液晶顯示器的質(zhì)量。當(dāng)然，其他類型的陣列基板(指非OTFT陣列基板)，在利用打印工藝制作源漏電極時(shí)，也會(huì)出現(xiàn)上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法和顯示裝置，用以實(shí)現(xiàn)精確控制利用噴墨打印工藝所形成的TFT源漏極的形狀的目的。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案—方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括在所述基板上形成的像素結(jié)構(gòu)；所述像素結(jié)構(gòu)包括柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和像素電極；所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極、漏極，其中，所述柵極與所述柵線電連接，所述源極與所述數(shù)據(jù)線電連接，所述漏極與所述像素電極電連接；其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包括有機(jī)絕緣層，所述有機(jī)絕緣層位于所述柵絕緣層上方，且在所述薄膜晶體管的位置處為“山”字形結(jié)構(gòu)；所述薄膜晶體管的源極和漏極分別位于所述“山”字形結(jié)構(gòu)的兩個(gè)低凹處，且所述薄膜晶體管的有源層覆蓋所述薄膜晶體管的源極和漏極。其中，所述有源層為有機(jī)半導(dǎo)體，或氧化物半導(dǎo)體，或普通硅半導(dǎo)體。 進(jìn)一步地，所述“山”字形結(jié)構(gòu)為中間低、兩邊高的“山”字形結(jié)構(gòu)，且所述薄膜晶體管的有源層設(shè)置在所述“山”字形結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)。進(jìn)一步地，所述像素結(jié)構(gòu)還包括鈍化層；所述鈍化層覆蓋所述有源層，且所述像素電極形成在所述鈍化層上；所述漏極與所述像素電極電連接具體為，所述漏極與所述像素電極通過(guò)鈍化層、有源層在同一位置處的 過(guò)孔電連接。進(jìn)一步地，所述像素結(jié)構(gòu)還包括公共電極；所述公共電極位于柵絕緣層的下方，并與所述柵極同層設(shè)置。進(jìn)一步地，所述像素電極為條狀，所述公共電極為板狀；或者，所述像素電極為條狀，所述公共電極也為條狀。進(jìn)一步地，所述有機(jī)絕緣層的材料為有機(jī)光敏材料。另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。再一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板的制作方法，包括在基板上制作柵金屬薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵金屬層；其中，所述柵金屬層包括柵線、薄膜晶體管的柵極； 在所述基板上形成柵絕緣層以覆蓋所述柵金屬層；在形成所述柵絕緣層的基板上沉積有機(jī)材料薄膜，并利用一次構(gòu)圖工藝在薄膜晶體管區(qū)域?qū)⑺鲇袡C(jī)材料薄膜制成“山”字形結(jié)構(gòu)，形成有機(jī)絕緣層；利用噴墨打印工藝分別在所述“山”字形結(jié)構(gòu)的兩個(gè)低凹處打印墨滴，以形成薄膜晶體管的源極和漏極；利用一次構(gòu)圖工藝制作薄膜晶體管的有源層；所述有源層覆蓋所述薄膜晶體管的源極和漏極；在形成所述有源層的基板上制作鈍化層，并在所述薄膜晶體管的漏極上方的有源層、鈍化層的同一位置處形成過(guò)孔；在所述鈍化層上沉積第二透明導(dǎo)電薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素電極；所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔和薄膜晶體管的漏極電連接。進(jìn)一步地，在基板上制作柵金屬薄膜之前還包括在基板上沉積第一透明導(dǎo)電薄膜，以便形成公共電極；其中，形成所述柵金屬層和所述公共電極的構(gòu)圖工藝為同一次半色調(diào)曝光構(gòu)圖工藝。進(jìn)一步地，所述制成“山”字形結(jié)構(gòu)所采用的構(gòu)圖工藝為半色調(diào)曝光構(gòu)圖工藝。進(jìn)一步地，所述“山”字形結(jié)構(gòu)具體為中間低、兩邊高的“山”字形結(jié)構(gòu)；所述有源層為有機(jī)半導(dǎo)體，所述利用一次構(gòu)圖工藝制作薄膜晶體管的有源層具體為，利用噴墨打印工藝在所述“山”字形結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)打印墨滴，以形成薄膜晶體管的有源層。本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法和顯示裝置，通過(guò)在柵絕緣層上形成有機(jī)光敏絕緣層，且該有機(jī)絕緣層在薄膜晶體管的位置處為“山”字形結(jié)構(gòu)；薄膜晶體管的源極和漏極分別位于所述“山”字形結(jié)構(gòu)的兩個(gè)低凹處；顯然，“山”字形結(jié)構(gòu)的低凹處可以防止在噴墨打印工藝的墨滴的流動(dòng)，從而精確控制墨滴的尺寸，即精確控制利用噴墨打印工藝所形成的TFT源漏極的形狀。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作過(guò)程示意圖一；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作過(guò)程示意圖二 ；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作過(guò)程示意圖三；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作過(guò)程示意圖四；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作過(guò)程示意圖五；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作過(guò)程示意圖六；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作過(guò)程示意圖七；圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作過(guò)程示意圖八；圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作過(guò)程示意圖九；圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作過(guò)程示意圖十；圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作過(guò)程示意圖十一；圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作完成的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記I-基板，2-第一透明導(dǎo)電薄膜，2a_公共電極，3-柵金屬薄膜，3a_柵極，4-柵絕緣層，5-有機(jī)絕緣層，6-源極，7-漏極，8-光刻膠，9-有源層，10-鈍化層，11-第二透明導(dǎo)電薄膜，Ila-像素電極。
具體實(shí)施方式
.下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖12所示，包括基板1，在基板I上形成的像素結(jié)構(gòu)；像素結(jié)構(gòu)包括柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和像素電極Ua ;薄膜晶體管包括柵極3a、柵絕緣層4、有源層9、源極6、漏極7，其中，柵極3a與所述柵線電連接，所述源極6與所述數(shù)據(jù)線電連接，漏極7與所述像素電極Ila電連接；像素結(jié)構(gòu)還包括有機(jī)絕緣層5，所述有機(jī)絕緣層5位于所述柵絕緣層4上方，且在所述薄膜晶體管的位置處為“山”字形結(jié)構(gòu)；所述薄膜晶體管的源極6和漏極7分別位于所述“山”字形結(jié)構(gòu)的兩個(gè)低凹處，且所述薄膜晶體管的有源層9覆蓋所述薄膜晶體管的源極6和漏極7。此處，上述有源層可以為有機(jī)半導(dǎo)體，或氧化物半導(dǎo)體，或普通的硅半導(dǎo)體。當(dāng)有源層為有機(jī)半導(dǎo)體時(shí)，陣列基板為有機(jī)薄膜晶體管陣列基板(即OTFT陣列基板)?！吧健弊中谓Y(jié)構(gòu)可以是中間高、兩邊低的結(jié)構(gòu)，也可以是中間低、兩邊高的結(jié)構(gòu)；還可以是中間與兩 邊聞度相等的結(jié)構(gòu)，還可以是左邊聞?dòng)谟疫?，右邊聞?dòng)谥虚g的結(jié)構(gòu)等?！吧健弊中谓Y(jié)構(gòu)并不以上述列舉為限，還可以為其他可能的組合。當(dāng)“山”字形結(jié)構(gòu)為左邊高于右邊，右邊高于中間的結(jié)構(gòu)時(shí)，左邊的高出部分可以作為隔墊物使用；本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，可以通過(guò)其他方式合理設(shè)置“山”字形結(jié)構(gòu)的形狀，實(shí)現(xiàn)其額外作為隔墊物的功能；即該“山”字形結(jié)構(gòu)可以同時(shí)作為隔墊物。可選的，有機(jī)絕緣層5的材料可以為有機(jī)光敏材料，也可以為普通有機(jī)材料。上述陣列基板上具有“山”字形結(jié)構(gòu)的有機(jī)絕緣層5，其低凹處可以防止在噴墨打印工藝時(shí)墨滴的流動(dòng)，從而精確控制墨滴的尺寸，即精確控制利用噴墨打印工藝所形成的源漏極的形狀。優(yōu)選的，在本實(shí)施例中所述“山”字形結(jié)構(gòu)為中間低、兩邊高的“山”字形結(jié)構(gòu)，且所述薄膜晶體管的有源層9設(shè)置在所述“山”字形結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)。該有源層9具體可以是由有機(jī)半導(dǎo)體材料制作而成。這種中間低、兩邊高的所述“山”字形結(jié)構(gòu)使得可以利用噴墨打印工藝制作該有源層9，且“山”字形結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)用來(lái)防止有機(jī)半導(dǎo)體材料的流動(dòng)。顯然，噴墨打印工藝較傳統(tǒng)的光刻構(gòu)圖工藝而言更為簡(jiǎn)單。更優(yōu)選地，“山”字形結(jié)構(gòu)為中間低、兩邊聞，并且左邊聞?dòng)谟疫?，右邊聞?dòng)谥虚g的結(jié)構(gòu)，此時(shí)，左邊的聞出部分可以作為隔塾物使用。進(jìn)一步的，像素結(jié)構(gòu)還包括公共電極2a ;所述公共電極2a位于柵絕緣層4的下方，并與所述柵極3a同層設(shè)置。其中，同層設(shè)置，指公共電極2a與柵極3a處于陣列基板的同一層，并不限定二者厚度相同；并且，二者可以由相同的材料形成，也可以由不同的材料形成。優(yōu)選地，所述公共電極2a和所述柵極3a、所述柵線利用一次構(gòu)圖工藝制作完成。所述一次構(gòu)圖工藝是指使用一個(gè)掩膜板完成構(gòu)圖的工藝。具體的，可以在透明基板基板I上先沉積透明導(dǎo)電材料(制作公共電極的材料)形成第一透明導(dǎo)電薄膜2，再沉積鑰、銅等金屬材料中的一種(制作柵線、柵極的材料)，形成柵金屬薄膜3 ;然后，利用一次半色調(diào)曝光構(gòu)圖工藝將上述兩薄膜形成公共電極2a、柵極3a和柵線。如圖12所示，由于第一透明導(dǎo)電薄膜2在柵金屬薄膜3的下方，且使用的是一次構(gòu)圖工藝，故最終形成的柵極3a和柵線下方仍會(huì)保留第一透明導(dǎo)電薄膜2的與其圖案一致的部分。本實(shí)施例中，陣列基板也可以不設(shè)置像素電極2a ;此種情況下的陣列基板一般用于TN型液晶顯示器或OLED顯示面板或電子紙顯示面板等。進(jìn)一步的，所述像素結(jié)構(gòu)還包括鈍化層10 ;所述鈍化層10覆蓋所述有源層9，且所述像素電極形成在所述鈍化層10上；所述漏極7與所述像素電極Ila電連接具體為，所述漏極7與所述像素電極Ila通過(guò)鈍化層10、有源層9在同一位置處的過(guò)孔電連接。在本實(shí)施例中，可以是像素電極為條狀、公共電極為板狀；或者，像素電極為條狀、公共電極也為條狀。也可以不設(shè)置公共電極，像素電極設(shè)置為板狀或者條狀。其中，像素電極(或公共電極)為條狀，指一個(gè)像素單元內(nèi)的像素電極(或公共電極)由多個(gè)條狀電極構(gòu)成。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板通過(guò)在柵絕緣層上形成有機(jī)絕緣層，且該有機(jī)絕緣層在薄膜晶體管的位置處為“山”字形結(jié)構(gòu)；薄膜晶體管的源極和漏極分別位于所述“山”字形結(jié)構(gòu)的兩個(gè)低凹處；顯然，“山”字形結(jié)構(gòu)的低凹處可以防止在噴墨打印工藝的墨滴的流動(dòng)，從而精確控制墨滴的尺寸，即精確控制利用噴墨打印工藝所形成的TFT源漏極的形狀；進(jìn)一步的，有機(jī)絕緣層在薄膜晶體管的位置處為中間低、兩邊高的所述“山”字形結(jié)構(gòu)，薄膜晶體管的有源層設(shè)置在所述“山”字形結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)，顯然，“山”字形結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)可以防止有機(jī)半導(dǎo)體材料的流動(dòng)，噴墨打印工藝較傳統(tǒng)的光刻構(gòu)圖工藝而言更為簡(jiǎn)單；此外，柵金屬層和公共電極在一次構(gòu)圖工藝中完成，這樣可以簡(jiǎn)化制作工藝，降低制作成本、提高生產(chǎn)率。
本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述實(shí)施例中的任一陣列基板。所述顯示裝置，可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置，包括上述陣列基板，同樣可以精確控制利用噴墨打印工藝所形成的TFT源漏極的形狀，進(jìn)一步利用噴墨打印工藝形成有源層的形狀；并且，在形成柵極和公共電極時(shí)還可以使用一次構(gòu)圖工藝完成。本發(fā)明實(shí)施例提供了上述陣列基板的制作方法，包括Al、在基板上制作柵金屬薄膜3，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵金屬層；其中，所述柵金屬層包括柵線、薄膜晶體管的柵極3a ；進(jìn)一步的，為簡(jiǎn)化制作工藝，在此步驟中制作柵金屬薄膜之前還包括在基板上沉積第一透明導(dǎo)電薄膜2，以便形成公共電極2a ;其中，形成所述柵金屬層和所述公共電極2a 的構(gòu)圖工藝為同一次半色調(diào)曝光構(gòu)圖工藝。下面針對(duì)依次沉積第一透明導(dǎo)電薄膜2、柵金屬薄膜3，并利用一次構(gòu)圖工藝對(duì)兩薄膜形成公共電極2a、柵金屬層(包括柵極3a和柵線)的過(guò)程進(jìn)行詳述。如圖I所示，在基板I上依次沉積第一透明導(dǎo)電薄膜2和柵金屬薄膜3，并在柵金屬薄膜3上涂布光刻膠8。如圖2所示，區(qū)域A為光刻膠完全去除區(qū)，區(qū)域B為光刻膠完全保留區(qū)，區(qū)域C為光刻膠部分保留區(qū)，利用半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠8進(jìn)行曝光，之后進(jìn)行顯影、刻蝕工藝，去除掉第一透明導(dǎo)電薄膜2和柵金屬薄膜3處于光刻膠完全去除區(qū)A內(nèi)的部分，得到柵極3a、柵線的圖案。如圖3所示，對(duì)刻蝕后圖2的陣列基板進(jìn)行灰化處理，去掉光刻膠部分保留區(qū)C的光刻膠；之后，利用刻蝕工藝，刻蝕掉部分保留區(qū)C的柵金屬薄膜3，得到OTFT陣列基板的公共電極2a ;進(jìn)一步，還需要?jiǎng)冸x掉柵極3a和柵線上的光刻膠。A2、如圖4所示，在所述基板I上形成柵絕緣層4以覆蓋所述柵金屬層；示例性的，此步驟可以利用化學(xué)汽相沉積法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition, PECVD)在柵線、柵極上沉積厚度為1000人至6000人的氮化娃、氧化娃和氮氧化硅等材料中的至少一種，以形成柵絕緣層4。A3、如圖5所示，在形成所述柵絕緣層4的基板I上沉積有機(jī)光敏材料薄膜5，并利用一次構(gòu)圖工藝在薄膜晶體管區(qū)域?qū)⑺鲇袡C(jī)光敏材料薄膜制成“山”字形結(jié)構(gòu)，形成有機(jī)絕緣層5 ；具體的，此步驟中的所采用的構(gòu)圖工藝為半色調(diào)曝光構(gòu)圖工藝。并且，這里的“山”字形結(jié)構(gòu)可以是中間高、兩邊低的結(jié)構(gòu)，也可以是中間低、兩邊高的結(jié)構(gòu)等。但需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，參考圖5，該“山”字形結(jié)構(gòu)優(yōu)選為中間低、兩邊高的結(jié)構(gòu)。另，本步驟也可以采用如下方式在形成所述柵絕緣層4的基板I上沉積有機(jī)材料薄膜5，涂布光刻膠，并利用半色調(diào)掩模板通過(guò)一次構(gòu)圖工藝(包括曝光、顯影、刻蝕、灰化、刻蝕等步驟)在薄膜晶體管區(qū)域?qū)⑺鲇袡C(jī)材料薄膜制成“山”字形結(jié)構(gòu)，形成有機(jī)絕緣層5。A4、參考圖6，利用噴墨打印工藝分別在所述“山”字形結(jié)構(gòu)的兩個(gè)低凹處打印墨滴，以形成薄膜晶體管的源極6和漏極7 ；A5、參考圖7，利用一次構(gòu)圖工藝制作薄膜晶體管的有源層9;所述有源層9覆蓋所述薄膜晶體管的源極6和漏極7 ；在有機(jī)絕緣層5為中間低、兩邊高的“山”字形結(jié)構(gòu)的情況下，此步驟具體可以為，利用噴墨打印工藝在所述“山”字形結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)打印墨滴(有機(jī)半導(dǎo)體材料)，以形成薄膜晶體管的有源層9，此種情況下有源層為有機(jī)半導(dǎo)體。當(dāng)然，如果有機(jī)絕緣層為中間高、兩邊低的“山”字形結(jié)構(gòu)，則可以采用傳統(tǒng)光刻工藝形成有源層9。當(dāng)然，也可以通過(guò)沉積、濺射、涂覆等其他方式形成有源層薄膜，再通過(guò)構(gòu)圖工藝形成有源層的圖案；此時(shí)的有源層可以為普通的硅半導(dǎo)體材料、也可以為氧化物半導(dǎo)體材料、還可以為有機(jī)半導(dǎo)體材料。A6、參考圖8和圖9，在形成所述有源層9的基板I上制作鈍化層10，并在所述薄膜晶體管的漏極上方的有源層9、鈍化層10，這兩層的同一位置處形成過(guò)孔；如圖8所示，在圖7所示的OTFT陣列基板上利用有機(jī)光敏材料(可以為普通有機(jī) 材料，也可以為有機(jī)光敏材料)制作鈍化層10，并通過(guò)構(gòu)圖工藝薄膜晶體管漏極7上方形成過(guò)孔；當(dāng)然，還可以直接通過(guò)噴墨打印工藝形成帶有過(guò)孔的鈍化層10;之后，如圖9所示，刻蝕掉圖8中過(guò)孔下方的有源層9。從而使得薄膜晶體管的漏極7暴露出來(lái)以便和像素電極Ila電連接。A7、參考圖10、圖11、圖12，在鈍化層10上沉積第二透明導(dǎo)電薄膜11，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素電極Ila ;所述像素電極Ila通過(guò)所述過(guò)孔和薄膜晶體管的漏極7電連接。如圖10所示，在形成鈍化層10的陣列基板上，可以濺射制作第二透明導(dǎo)電薄膜11 ;如圖11所示，在第二透明導(dǎo)電薄膜11上涂布一層光刻膠8，并采用光刻工藝對(duì)光刻膠8進(jìn)行曝光顯影；如圖11所示，剝離掉光刻膠完全去除區(qū)域的第二透明導(dǎo)電薄膜11，形成像素電極11a。本實(shí)施例中的半色調(diào)構(gòu)圖工藝，可以通過(guò)HTM (Half Tone Mask)或GTM (GrayTone Mask)實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，通過(guò)在柵絕緣層上形成有機(jī)光敏材料薄膜，并利用半色調(diào)曝光構(gòu)圖工藝將薄膜晶體管區(qū)域內(nèi)的有機(jī)光敏材料薄膜制成“山”字形結(jié)構(gòu)的有機(jī)絕緣層，使得可以利用噴墨打印工藝在“山”字形結(jié)構(gòu)兩個(gè)低凹處打印墨滴來(lái)精確以控制源漏極的尺寸；另外，本實(shí)施例中，有源層(為有機(jī)半導(dǎo)體材料)生長(zhǎng)在有機(jī)絕緣層內(nèi)側(cè)，相較于現(xiàn)有技術(shù)，這樣更有利于有源層的制作；此外，柵金屬層和公共電極在一次構(gòu)圖工藝中完成，這樣可以簡(jiǎn)化制作工藝，降低制作成本、提高生產(chǎn)率。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括在所述基板上形成的像素結(jié)構(gòu)；所述像素結(jié)構(gòu)包括柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和像素電極；所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極、漏極，其中，所述柵極與所述柵線電連接，所述源極與所述數(shù)據(jù)線電連接，所述漏極與所述像素電極電連接；其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包括有機(jī)絕緣層，所述有機(jī)絕緣層位于所述柵絕緣層上方，且在所述薄膜晶體管的位置處為“山”字形結(jié)構(gòu)； 所述薄膜晶體管的源極和漏極分別位于所述“山”字形結(jié)構(gòu)的兩個(gè)低凹處，且所述薄膜晶體管的有源層覆蓋所述薄膜晶體管的源極和漏扱。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層為有機(jī)半導(dǎo)體，或氧化物半導(dǎo)體，或普通的硅半導(dǎo)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述“山”字形結(jié)構(gòu)為中間低、兩邊高的“山”字形結(jié)構(gòu)，且所述薄膜晶體管的有源層設(shè)置在所述“山”字形結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包括鈍化層；所述鈍化層覆蓋所述有源層，且所述像素電極形成在所述鈍化層上； 所述漏極與所述像素電極電連接具體為，所述漏極與所述像素電極通過(guò)鈍化層、有源層在同一位置處的過(guò)孔電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包括公共電極； 所述公共電極位于柵絕緣層的下方，并與所述柵極同層設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極為條狀，所述公共電極為板狀；或者，所述像素電極為條狀，所述公共電極也為條狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)絕緣層的材料為有機(jī)光敏材料。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求I 7任一項(xiàng)所述的陣列基板。
9.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括 在基板上制作柵金屬薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖エ藝形成柵金屬層；其中，所述柵金屬層包括柵線、薄膜晶體管的柵極； 在所述基板上形成柵絕緣層以覆蓋所述柵金屬層； 在形成所述柵絕緣層的基板上沉積有機(jī)材料薄膜，并利用一次構(gòu)圖エ藝在薄膜晶體管區(qū)域?qū)⑺鲇袡C(jī)材料薄膜制成“山”字形結(jié)構(gòu)，形成有機(jī)絕緣層； 利用噴墨打印エ藝分別在所述“山”字形結(jié)構(gòu)的兩個(gè)低凹處打印墨滴，以形成薄膜晶體管的源極和漏極； 利用一次構(gòu)圖エ藝制作薄膜晶體管的有源層；所述有源層覆蓋所述薄膜晶體管的源極和漏極； 在形成所述有源層的基板上制作鈍化層，并在所述薄膜晶體管的漏極上方的有源層、鈍化層的同一位置處形成過(guò)孔； 在所述鈍化層上沉積第二透明導(dǎo)電薄膜，并通過(guò)構(gòu)圖エ藝形成像素電極；所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔和薄膜晶體管的漏極電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，在基板上制作柵金屬薄膜之前還包括在基板上沉積第一透明導(dǎo)電薄膜，以便形成公共電極； 其中，形成所述柵金屬層和所述公共電極的構(gòu)圖エ藝為同一次半色調(diào)曝光構(gòu)圖エ藝。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述制成“山”字形結(jié)構(gòu)所采用的構(gòu)圖エ藝為半色調(diào)曝光構(gòu)圖エ藝。
12.根據(jù)權(quán)利要9 11任一項(xiàng)權(quán)利要求所述制作方法，其特征在于，所述“山”字形結(jié)構(gòu)具體為中間低、兩邊高的“山”字形結(jié)構(gòu)； 所述有源層為有機(jī)半導(dǎo)體，所述利用一次構(gòu)圖エ藝制作薄膜晶體管的有源層具體為， 利用噴墨打印エ藝在所述“山”字形結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)打印墨滴，以形成薄膜晶體管的有源層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板及制作方法和顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，用以實(shí)現(xiàn)精確控制TFT源漏極的形狀。所述陣列基板，包括在基板上形成的像素結(jié)構(gòu)；所述像素結(jié)構(gòu)包括柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和像素電極；所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極、漏極，其中，柵極與柵線電連接，源極與數(shù)據(jù)線電連接，漏極與像素電極電連接；所述像素結(jié)構(gòu)還包括有機(jī)絕緣層，所述有機(jī)絕緣層位于所述柵絕緣層上方，且在所述薄膜晶體管的位置處為“山”字形結(jié)構(gòu)；所述薄膜晶體管的源極和漏極分別位于所述“山”字形結(jié)構(gòu)的兩個(gè)低凹處。本發(fā)明的方案適用于液晶顯示面板及液晶顯示器的生產(chǎn)制造。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK102629664SQ201210001320
公開(kāi)日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2012年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月4日
發(fā)明者張學(xué)輝 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司