專利名稱：更新驅(qū)動方案電壓的系統(tǒng)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及驅(qū)動方案電壓的動態(tài)選擇。
背景技術(shù)：
機電系統(tǒng)包括具有電及機械元件、激活器、換能器、傳感器、光學(xué)組件(例如，鏡)及電子器件的裝置?？砂窗?但不限于)微尺度及納米尺度的多種尺度來制造機電系統(tǒng)。舉例來說，微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置可包括具有范圍從約一微米到數(shù)百微米或更大的大小的結(jié)構(gòu)。納米機電系統(tǒng)(NEMS)裝置可包括具有小于一微米的大小(包括(例如)小于數(shù)百納米的大小)的結(jié)構(gòu)。可使用沉積、蝕刻、光刻及/或蝕刻掉襯底及/或沉積材料層的部分或者添加層以形成電及機電裝置的其它微機械加工工藝來形成機電元件。
一種類型的機電系統(tǒng)裝置被稱為干涉調(diào)制器(IMOD)。如在本文中所使用，術(shù)語“干涉調(diào)制器”或“干涉光調(diào)制器”指使用光干涉的原理選擇性地吸收及/或反射光的裝置。在一些實施方案中，干涉調(diào)制器可包括一對傳導(dǎo)板，所述對傳導(dǎo)板中的一者或兩者可為整體或部分透明及/或反射性的，且能夠在施加適當(dāng)電信號時相對運動。在一實施方案中，一個板可包括沉積于襯底上的固定層，且另一板可包括與所述固定層分開一氣隙的反射膜。一個板相對于另一板的位置可改變?nèi)肷溆诟缮嬲{(diào)制器上的光的光干涉。干涉調(diào)制器裝置具有廣泛范圍的應(yīng)用，且預(yù)期可用于改良現(xiàn)有產(chǎn)品及形成新產(chǎn)品(尤其是具有顯示能力的產(chǎn)品)°發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的系統(tǒng)、方法及裝置各自具有若干創(chuàng)新方面，其中無單一方面單獨負(fù)責(zé)本文中揭示的理想性質(zhì)。
本發(fā)明中描述的標(biāo)的物的一個創(chuàng)新方面可實施于一種校準(zhǔn)一陣列的方法中。所述方法可包括使用一組選定驅(qū)動方案電壓驅(qū)動一陣列。所述方法還可至少部分基于所述陣列的第一子集的測量來確定所述陣列的第一驅(qū)動響應(yīng)特性、至少部分基于所述確定的響應(yīng)特性來確定用于所述陣列的第一更新的驅(qū)動方案電壓，且可使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述陣列。另外，所述方法可至少部分基于所述陣列的第二子集的測量來確定所述陣列的第二驅(qū)動響應(yīng)特性、至少部分基于所述確定的響應(yīng)特性確定用于所述陣列的第二更新的驅(qū)動方案電壓，且可使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓及所述第二更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述陣列。在一些方面中，所述第一子集及所述第二子集與不同色彩相關(guān)聯(lián)。
在另一方面中，提供一種用于校準(zhǔn)驅(qū)動方案電壓的設(shè)備。所述設(shè)備可包括一陣列的元件、元件狀態(tài)感測電路及驅(qū)動器及處理器電路。所述驅(qū)動器及處理器電路可經(jīng)配置以使用一組選定驅(qū)動方案電壓驅(qū)動一陣列、至少部分基于所述陣列的子集的測量來確定所述陣列的第一驅(qū)動響應(yīng)特性、至少部分基于所述確定的響應(yīng)特性來確定用于所述陣列的第一更新的驅(qū)動方案電壓，且可經(jīng)配置以使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述陣列。此夕卜，所述驅(qū)動器及處理器電路可經(jīng)配置以至少部分基于所述陣列的子集的測量來確定所述陣列的第二驅(qū)動響應(yīng)特性、至少部分基于所述確定的響應(yīng)特性來確定用于所述陣列的第二更新的驅(qū)動方案電壓，且可經(jīng)配置以使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓及所述第二更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述陣列。在一些方面中，所述設(shè)備可包括溫度傳感器及含有使驅(qū)動響應(yīng)特性或驅(qū)動方案電壓與溫度有關(guān)的信息的查找表。
在另一方面中，一種用于校準(zhǔn)顯示器的設(shè)備可包括一陣列的元件、用于感測元件狀態(tài)的裝置、用于至少部分基于所述陣列的第一子集的測量來確定所述陣列的第一驅(qū)動響應(yīng)特性的裝置、用于至少部分基于所述確定的響應(yīng)特性來確定用于所述陣列的第一更新的驅(qū)動方案電壓的裝置及用于使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述陣列的裝置。所述設(shè)備可進(jìn)一步包括用于至少部分基于所述陣列的第二子集的測量來確定所述陣列的第二驅(qū)動響應(yīng)特性的裝置、用于至少部分基于所述確定的響應(yīng)特性來確定用于所述陣列的第二更新的驅(qū)動方案電壓的裝置及用于使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓及所述第二更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述陣列的裝置。在一些方面中，所述設(shè)備可包括用于測量溫度的裝置及用于存儲及檢索使驅(qū)動響應(yīng)特性或驅(qū)動方案電壓與溫度有關(guān)的信息的裝置。
在另一方面中，提供一種非暫時性計算機可讀媒體。所述計算機可讀媒體可具有存儲于其上的使驅(qū)動器電路進(jìn)行以下操作的指令:使用一組選定驅(qū)動方案電壓驅(qū)動陣列、至少部分基于所述陣列的第一子集的測量來確定所述陣列的第一驅(qū)動響應(yīng)特性、至少部分基于所述確定的響應(yīng)特性來確定用于所述陣列的第一更新的驅(qū)動方案電壓，及使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述陣列。所述指令可進(jìn)一步使所述驅(qū)動器電路至少部分基于所述陣列的第二子集的測量來確定所述陣列的第二驅(qū)動響應(yīng)特性、至少部分基于所述確定的響應(yīng)特性來確定用于所述陣列的第二更新的驅(qū)動方案電壓，及使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓及所述第二更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述陣列。
此說明書中描述的標(biāo)的物的一個或一個以上實施方案的細(xì)節(jié)在隨附圖式及以下描述中予以闡明。通過描述、圖式及權(quán)利要求書，其它特征、方面及優(yōu)勢將變得顯而易見。注意，下列圖的相對尺寸可能未按比例繪制。


圖1展示描繪在干涉調(diào)制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個鄰近像素的等角視圖的一實例。
圖2展示說明并入有3X3干涉調(diào)制器顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的一實例。
圖3展示說明用于圖1的干涉調(diào)制器的可移動反射層位置對所施加的電壓的圖的一實例。
圖4展示說明當(dāng)施加各種共用電壓及分段電壓時的干涉調(diào)制器的各種狀態(tài)的表的一實例。
圖5A展示說明在圖2的3X3干涉調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的幀的圖的一實例。
圖5B展示可用以寫入在圖5A中說明的顯示數(shù)據(jù)的幀的共用信號及分段信號的時序圖的一實例。
圖6A展示圖1的干涉調(diào)制器顯示器的部分橫截面的一實例。
圖6B到6E展示干涉調(diào)制器的變化的實施方案的橫截面的實例。
圖7展示說明干涉調(diào)制器的制造過程的流程圖的一實例。
圖8A到SE展示制造干涉調(diào)制器的方法中的各種階段的橫截面示意性說明的實例。
圖9為說明用于驅(qū)動每像素64色顯示器的實施方案的共用驅(qū)動器及分段驅(qū)動器的實例的框圖。
圖10為說明用于同時驅(qū)動64色顯示器的兩個區(qū)段的兩個共用驅(qū)動器及兩個分段驅(qū)動器的實例的框圖。
圖11展示說明用于一陣列的干涉調(diào)制器中的若干成員的可移動反射鏡位置對所施加的電壓的圖的一實例。
圖12為耦合到驅(qū)動器電路及狀態(tài)感測電路的顯示陣列的示意性框圖。
圖13為展示在圖12的陣列中的測試電荷流的示意圖。
圖14為說明在陣列的使用期間校準(zhǔn)驅(qū)動方案電壓的方法的流程圖。
圖15為具有狀態(tài)感測及驅(qū)動方案電壓更新能力的顯示陣列的另一實施方案的示意圖。
圖16為說明校準(zhǔn)顯示陣列中的驅(qū)動方案電壓的另一方法的流程圖。
圖17A及17B展示說明包括多個干涉調(diào)制器的顯示裝置的系統(tǒng)框圖的實例。
在各圖式中的相同參考數(shù)字及標(biāo)識指示相同元件。
具體實施方式
以下詳細(xì)描述是針對某些實施方案以用于描述創(chuàng)新方面的目的。然而，可以用大量不同方式來應(yīng)用本文中的教示。可在經(jīng)配置以顯示圖像(無論是運動圖像(例如，視頻)還是固定圖像(例如，靜態(tài)圖像)，且無論是文字圖像、圖形圖像還是圖片圖像)的任何裝置中實施所描述的實施方案。更明確來說，預(yù)期所述實施方案可在多種電子裝置中實施或與多種電子裝置相關(guān)聯(lián)，所述電子裝置例如(但不限于)是移動電話、具備多媒體因特網(wǎng)功能的蜂窩式電話、移動電視接收器、無線裝置、智能電話、藍(lán)牙裝置、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、無線電子郵件接收器、手持型或便攜型計算機、上網(wǎng)本、筆記型計算機、智能本(smartbook)、平板計算機、打印機、復(fù)印機、掃描儀、傳真裝置、GPS接收器/導(dǎo)航器、相機、MP3播放器、攝錄像機、游戲控制臺、腕表、時鐘、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、電子閱讀裝置(例如，電子閱讀器)、計算機監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、座艙控制器及/或顯示器、相機視景顯示器(例如，在車輛中的后視相機的顯示器)、電子照片、電子廣告牌或標(biāo)牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、微波、冰箱、立體聲系統(tǒng)、卡式記錄器或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、收音機、便攜型存儲器芯片、洗衣機、干燥器、洗衣機/干燥器、停車定時器、封裝(例如，機電系統(tǒng)(EMS)、MEMS及非MEMS)、美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如，關(guān)于一件珠寶的圖像的顯示)及多種機電系統(tǒng)裝置。本文中的教示也可用于非顯示器應(yīng)用中，例如(但不限于)電子開關(guān)裝置、射頻濾波器、傳感器、加速度計、陀螺儀、運動傳感裝置、磁力計、用于消費型電子器件的慣性組件、消費型電子產(chǎn)品的零件、可變電抗器、液晶裝置、電泳裝置、驅(qū)動方案、制造過程及電子測試設(shè)備。因此，所述教示并不意圖限于僅在圖中描繪的實施方案，而實情為，具有如一般所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于顯而易見的廣泛適用性。
在一些驅(qū)動方案實施方案中，通過跨像素施加足以激活像素、釋放像素或?qū)⑾袼乇３衷谄洚?dāng)前狀態(tài)下的驅(qū)動方案電壓而實現(xiàn)將信息寫入到像素的過程。因為激活及釋放像素的電壓對于不同顯示元件可能不同，所以避免在顯示圖像時的假影的適當(dāng)驅(qū)動方案電壓的確定可能是困難的。
確定適當(dāng)驅(qū)動方案電壓的任務(wù)可因以下事實而進(jìn)一步復(fù)雜化:激活及釋放像素的電壓可在顯示器的壽命期間改變(例如，隨著磨損或隨著溫度的改變而改變)。通過檢驗整個陣列而準(zhǔn)確地測量這些值以更新驅(qū)動方案電壓可能是耗時的。因此，在一些實施方案中，基于對整個陣列的子集的測量動態(tài)地更新驅(qū)動方案電壓。舉例來說，在一些實施方案中，基于對代表性線或一組線的測量來確定更新的驅(qū)動方案電壓。
本發(fā)明中描述的標(biāo)的物的特定實施方案可經(jīng)實施以實現(xiàn)下列潛在優(yōu)勢中的一者或一者以上。本文中描述的實施方案允許動態(tài)地補償不斷改變的像素激活及釋放電壓，借此減少在顯示一圖像或一系列圖像時的假影(例如，不需要激活時的激活或需要激活時的未激活)的數(shù)目。另外，通過基于整個陣列的子集的測量來更新驅(qū)動方案電壓，可快速且頻繁地執(zhí)行所述過程，因此減少在顯示器的壽命內(nèi)及在變化的環(huán)境條件中的顯示器中的可察覺的假影。
所描述的實施方案可應(yīng)用于的合適的EMS或MEMS裝置的一實例為反射性顯示裝置。反射性顯示裝置可并入有干涉調(diào)制器(IMOD)以使用光干涉的原理選擇性地吸收及/或反射入射于其上的光。MOD可包括吸收器、可相對于吸收器移動的反射器及界定于吸收器與反射器之間的光學(xué)諧振腔?？蓪⒎瓷淦饕苿拥絻蓚€或兩個以上不同位置，此可改變光學(xué)諧振腔的大小，且借此影響干涉調(diào)制器的反射比。MOD的反射光譜可建立相當(dāng)寬的光譜帶，其可跨可見波長移位以產(chǎn)生不同色彩?？赏ㄟ^改變光學(xué)諧振腔的厚度(即，通過改變反射器的位置)來調(diào)整光譜帶的位置。
圖1展示描繪在干涉調(diào)制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個鄰近像素的等角視圖的一實例。MOD顯示裝置包括一個或一個以上干涉MEMS顯示元件。在這些裝置中，MEMS顯示元件的像素可處于亮或暗狀態(tài)。在亮(“松弛”、“斷開”或“開”)狀態(tài)下，顯示元件將大部分入射的可見光反射(例如)給用戶。相反，在暗(“激活”、“閉合”或“關(guān)”)狀態(tài)下時，顯示元件幾乎不反射入射的可見光。在一些實施方案中，可顛倒開與關(guān)狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可經(jīng)配置以主要在特定波長下反射，除了黑及白之外，其也允許彩色顯/Jn ο
IMOD顯示裝置可包括MOD的行/列陣列。每一 MOD可包括一對反射層，即，一可移動反射層及一固定部分反射層，其定位于距彼此可變且可控的距離處以形成氣隙(也稱作光學(xué)間隙或空腔)?？梢苿臃瓷鋵涌稍谥辽賰蓚€位置之間移動。在第一位置(即，松弛位置)中，可移動反射層可定位于距固定部分反射層相對遠(yuǎn)距離處。在第二位置(即，激活位置)中，可移動反射層可更靠近部分反射層而定位。視可移動反射層的位置而定，從兩個層反射的入射光可相長或相消地干涉，從而對于每一像素產(chǎn)生總體反射或非反射狀態(tài)。在一些實施方案中，頂OD在未激活時可處于反射狀態(tài)下，從而反射可見光譜內(nèi)的光，且在未激活時可處于暗狀態(tài)下，從而反射可見范圍外的光(例如，紅外光)。然而，在一些其它實施方案中，IMOD在未激活時可處于暗狀態(tài)下，且在激活時處于反射狀態(tài)下。在一些實施方案中，所施加的電壓的引入可驅(qū)動像素以改變狀態(tài)。在一些其它實施方案中，所施加的電荷可驅(qū)動像素以改變狀態(tài)。
圖1中的像素陣列的所描繪部分包括兩個鄰近干涉調(diào)制器12。在左邊的M0D12中(如所說明)，說明可移動反射層14處于距光學(xué)堆疊16 (其包括部分反射層)預(yù)定距離處的松弛位置中?？缱筮叺腎M0D12施加的電壓Vtl不足以引起可移動反射層14的激活。在右邊的IM0D12中，說明可移動反射層14處于在光學(xué)堆疊16附近或鄰近光學(xué)堆疊16的激活位置中。在右邊的IM0D12上施加的電壓Vbias足以將可移動反射層14維持于激活位置中。
在圖1中，大體用指示入射于像素12上的光的箭頭13及從左邊的像素12反射的光15說明像素12的反射性質(zhì)。雖未詳細(xì)說明，但一般所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，入射于像素12上的大部分光13將朝向光學(xué)堆疊16透射穿過透明襯底20。入射于光學(xué)堆疊16上的光的一部分將透射穿過光學(xué)堆疊16的部分反射層，且將經(jīng)由透明襯底20反射回一部分。透射穿過光學(xué)堆疊16的光13的部分將在可移動反射層14處反射，返回朝向(且穿過)透明襯底20。在從光學(xué)堆疊16的部分反射層反射的光與從可移動反射層14反射的光之間的干涉(相長或相消)將確定從像素12反射的光15的波長。
光學(xué)堆疊16可包括單一層或若干層。所述層可包括電極層、部分反射且部分透射層及透明電介質(zhì)層中的一者或一者以上。在一些實施方案中，光學(xué)堆疊16為導(dǎo)電、部分透明且部分反射性的，且可(例如)通過將以上層中的一者或一者以上沉積到透明襯底20上來加以制造。電極層可由多種材料形成，例如，各種金屬，例如，氧化銦錫(ITO)。部分反射層可由部分反射性的多種材料形成，例如，各種金屬(例如，鉻(Cr))、半導(dǎo)體及電介質(zhì)。部分反射層可由一個或一個以上材料層形成，且所述層中的每一者可由單一材料或材料的組合形成。在一些實施方案中，光學(xué)堆疊16可包括充當(dāng)光學(xué)吸收器及導(dǎo)體兩者的單一半透明厚度的金屬或半導(dǎo)體，而(例如，光學(xué)堆疊16的或IMOD的其它結(jié)構(gòu)的)不同的、傳導(dǎo)性更強的層或部分可用以在MOD像素之間轉(zhuǎn)移信號。光學(xué)堆疊16還可包括覆蓋一個或一個以上傳導(dǎo)層或一傳導(dǎo)/吸收層的一個或一個以上絕緣或電介質(zhì)層。
在一些實施方案中，光學(xué)堆疊16的層可經(jīng)圖案化為平行條帶，并可形成顯示裝置中的行電極(如下進(jìn)一步描述)。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，術(shù)語“經(jīng)圖案化”在本文中用以指掩蔽以及蝕刻工藝。在一些實施方案中，可將例如鋁(Al)的高度傳導(dǎo)性且反射性材料用于可移動反射層14，且這些條帶可形成顯示裝置中的列電極。可移動反射層14可形成為沉積的金屬層的一系列平行條帶(與光學(xué)堆疊16的行電極正交)以形成沉積于柱18的頂部及沉積于柱18之間的介入犧牲材料上的列。當(dāng)蝕刻掉犧牲材料時，界定的間隙19或光學(xué)空腔可形成于可移動反射層14與光學(xué)堆疊16之間。在一些實施方案中，柱18之間的間距可為約Ιμπι到1000 μ m，而間隙19可小于約10，000埃(A)。
在一些實施方案中，頂OD的每一像素(不管在激活還是松弛狀態(tài)下)基本上為由固定及移動反射層形成的電容器。如由在圖1中左邊的像素12所說明，當(dāng)未施加電壓時，可移動反射層14保持處于機械松弛狀態(tài)下，其中間隙19處于可移動反射層14與光學(xué)堆疊16之間。然而，當(dāng)將電位差(例如，電壓)施加到選定行及列中的至少一者時，在對應(yīng)的像素處的行電極與列電極的相交處形成的電容器變得帶電，且靜電力將電極拉到一起。如果施加的電壓超過閾值，則可移動反射層14可變形且移動靠近或抵靠光學(xué)堆疊16。光學(xué)堆疊16內(nèi)的電介質(zhì)層(未圖示)可防止短路，且控制層14與16之間的分離距離，如由在圖1中右邊的經(jīng)激活像素12所說明。與施加的電位差的極性無關(guān)，行為是相同的。雖然陣列中的一系列像素可在一些情況下稱為“行”或“列”，但一般所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于理解，將一個方向稱作“行”且將另一方向稱作“列”是任意的。換一種方式敘述，在一些定向上，可認(rèn)為行是列，且認(rèn)為列是行。此外，顯示元件可均勻地布置成正交的行及列(“陣列”)，或布置成非線性配置，例如，具有相對于彼此的某些位置偏移(“馬賽克”)。術(shù)語“陣列”及“馬賽克”可指任一配置。因此，雖然顯示器被稱作包括“陣列”或“馬賽克”，但元件自身不需要彼此正交地布置，或按均勻分布安置，而在任一情況下可包括具有不對稱形狀及不均勻分布的元件的布置。
圖2展示說明并入有3X3干涉調(diào)制器顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的一實例。所述電子裝置包括處理器21，所述處理器21可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件模塊。除執(zhí)行操作系統(tǒng)外，處理器21還可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件應(yīng)用程序，包括網(wǎng)頁瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或任何其它軟件應(yīng)用程序。
處理器21可經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動器22通信。陣列驅(qū)動器22可包括將信號提供到(例如)顯示陣列或面板30的行驅(qū)動器電路24及列驅(qū)動器電路26。在圖1中說明的IMOD顯示裝置的橫截面由圖2中的線1-1展示。雖然圖2為了清晰起見說明IMOD的3X3陣列，但顯示陣列30可含有非常大量的M0D，且可在行中與在列中具有不同數(shù)目個M0D，且可在列中與在行中具有不同數(shù)目個MOD。
圖3展示說明用于圖1的干涉調(diào)制器的可移動反射層位置對所施加的電壓的圖的一實例。對于MEMS干涉調(diào)制器，行/列(即，共用/分段)寫入程序可利用這些裝置的滯后性質(zhì)，如在圖3中所說明。干涉調(diào)制器可能需要(例如)約10伏特電位差來使可移動反射層或鏡從松弛狀態(tài)改變成激活狀態(tài)。當(dāng)電壓從這個值減小時，隨著電壓降回到低于(例如)10伏特，可移動反射層維持其狀態(tài)，然而，直到電壓降到低于2伏特，可移動反射層才會完全松弛。因此，存在一電壓范圍(如在圖3中所展示，約3伏特到7伏特)，在所述范圍中，存在施加電壓窗，在所述施加電壓窗內(nèi)，裝置穩(wěn)定地處于松弛或激活狀態(tài)下。本文中將其稱為“滯后窗”或“穩(wěn)定窗”。對于具有圖3的滯后特性的顯示陣列30來說，可對行/列寫入程序進(jìn)行設(shè)計以一次尋址一個或一個以上行，使得在給定行的尋址期間，經(jīng)尋址的行中的待激活的像素被暴露于約10伏特的電壓差，且待松弛的像素被暴露于接近零伏特的電壓差。在尋址后，像素被暴露于穩(wěn)定狀態(tài)或約5伏特的偏壓電壓差，使得其保持處于先前選通狀態(tài)下。在此實例中，在經(jīng)尋址后，每一像素經(jīng)歷在約3伏特到7伏特的“穩(wěn)定窗”內(nèi)的電位差。此滯后性質(zhì)特征使像素設(shè)計(例如，在圖1中所說明)能夠在相同施加電壓條件下保持穩(wěn)定地處于激活的或松弛的預(yù)先存在的狀態(tài)下。由于每一 IMOD像素?zé)o論處于激活狀態(tài)還是松弛狀態(tài)下基本上均為由固定及移動反射層形成的電容器，所以可在滯后窗內(nèi)的穩(wěn)定電壓下保持此穩(wěn)定狀態(tài)，實質(zhì)上不消耗或損失電力。此外，如果施加的電壓電位保持實質(zhì)上固定，則實質(zhì)上極少或無電流流入到MOD像素內(nèi)。
在一些實施方案中，可通過根據(jù)給定行中的像素的狀態(tài)的所要改變(如果存在)沿著列電極集合按“分段”電壓的形式施加數(shù)據(jù)信號來建立圖像的幀?？梢来螌ぶ逢嚵械拿恳恍校沟靡淮我恍械貙懭霂?。為了將所要的數(shù)據(jù)寫入到第一行中的像素，可將對應(yīng)于第一行中的像素的所要狀態(tài)的分段電壓施加于列電極上，且可將呈特定“共用”電壓或信號形式的第一行脈沖施加到第一行電極。接著可改變所述組分段電壓以對應(yīng)于第二行中的像素的狀態(tài)的所要改變(如果存在)，且可將第二共用電壓施加到第二行電極。在一些實施方案中，第一行中的像素不受沿著列電極施加的分段電壓的改變影響，且保持處于在第一共用電壓行脈沖期間其被設(shè)定到的狀態(tài)下。對于整個系列的行(或者，列)，可以依序方式重復(fù)此過程以產(chǎn)生圖像幀?？赏ㄟ^在某一每秒所要幀數(shù)下不斷重復(fù)此過程來用新的圖像數(shù)據(jù)刷新及/或更新幀。
跨每一像素施加的分段信號與共用信號的組合(即，跨每一像素的電位差)確定每一像素的所得狀態(tài)。圖4展示說明當(dāng)施加各種共用電壓及分段電壓時的干涉調(diào)制器的各種狀態(tài)的表的一實例。如一般所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于理解，可將“分段”電壓施加到列電極或行電極，且可將“共用”電壓施加到列電極或行電極中的另一者。
如在圖4中(以及在圖5B中展示的時序圖中)所說明，當(dāng)沿著共用線施加釋放電壓VC.時，沿著共用線的所有干涉調(diào)制器元件將被置于松弛狀態(tài)(或者稱作釋放或未激活狀態(tài))下，而與沿著分段線施加的電壓(即，高分段電壓VSh及低分段電壓VSJ無關(guān)。具體來說，當(dāng)沿著共用線施加釋放電壓VC.時，跨調(diào)制器的電位電壓(或者稱作像素電壓)處于松弛窗(見圖3，也稱作釋放窗)內(nèi)(當(dāng)沿著用于所述像素的對應(yīng)分段線施加高分段電壓VSh及施加低分段電壓VS^時)。
當(dāng)在共用線上施加保持電壓(例如，高保持電壓VCmD H或低保持電壓VCmD J時，干涉調(diào)制器的狀態(tài)將保持恒定。舉例來說，松弛的IMOD將保持處于松弛的位置中，且激活的IMOD將保持處于激活的位置中。 保持電壓可經(jīng)選擇使得像素電壓將保持處于穩(wěn)定窗內(nèi)(當(dāng)沿著對應(yīng)分段線施加高分段電壓VSh及施加低分段電壓V&時)。因此，分段電壓擺動(即，高VSh與低分段電壓VSlj之間的差)小于正或負(fù)穩(wěn)定窗的寬度。
當(dāng)在共用線上施加尋址或激活電壓(例如，高尋址電壓VCadd H或低尋址電壓VCaddL)時，可通過沿著相應(yīng)分段線施加分段電壓而沿著所述線將數(shù)據(jù)選擇性地寫入到調(diào)制器。分段電壓可經(jīng)選擇使得激活視所施加的分段電壓而定。當(dāng)沿著共用線施加尋址電壓時，一個分段電壓的施加將使得像素電壓在穩(wěn)定窗內(nèi)，從而使像素保持未激活。相比之下，其它分段電壓的施加將使得像素電壓在穩(wěn)定窗外，從而引起像素的激活。引起激活的特定分段電壓可視使用哪一尋址電壓而變化。在一些實施方案中，當(dāng)沿著共用線施加高尋址電壓VCaddη時，高分段電壓VSh的施加可使調(diào)制器保持處于其當(dāng)前位置中，而低分段電壓V&的施加可引起調(diào)制器的激活。作為必然結(jié)果，當(dāng)施加低尋址電壓VCADu時，分段電壓的效應(yīng)可相反，其中高分段電壓VSh引起調(diào)制器的激活，且低分段電壓￥&對調(diào)制器的狀態(tài)無影響(即，保持穩(wěn)定)。
在一些實施方案中，可使用始終產(chǎn)生跨調(diào)制器的相同極性電位差的保持電壓、尋址電壓及分段電壓。在一些其它實施方案中，可使用使調(diào)制器的電位差的極性交替的信號。跨調(diào)制器的極性的交替(即，寫入程序的極性的交替)可減少或抑制在單一極性的重復(fù)寫入操作后可能發(fā)生的電荷累積。
圖5A展示說明在圖2的3X3干涉調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的幀的圖的一實例。圖5B展示可用以寫入在圖5A中說明的顯示數(shù)據(jù)的幀的共用信號及分段信號的時序圖的一實例?？蓪⑿盘柺┘拥?例如)圖2的3X3陣列，此將最終產(chǎn)生在圖5A中說明的線時間60e顯示布置。圖5A中的激活的調(diào)制器處于暗狀態(tài)，即，反射的光的實質(zhì)部分處于可見光譜外以便引起(例如)對觀看者的暗外觀的情況。在寫入圖5A中所說明的幀之前，像素可處于任一狀態(tài)下，但在圖5B的時序圖中說明的寫入程序假定每一調(diào)制器已經(jīng)釋放且在第一線時間60a前駐留于未激活狀態(tài)下。
在第一線時間60a期間:將釋放電壓70施加于共用線I上；施加于共用線2上的電壓開始于高保持電壓72，且移動到釋放電壓70 ;且沿著共用線3施加低保持電壓76。因此，沿著共用線I的調(diào)制器(共用1，分段1)、(1，2)及(1，3)在第一線時間60a的持續(xù)時間內(nèi)保持處于松弛或未激活狀態(tài)下，沿著共用線2的調(diào)制器(2，I)、(2,2)及(2，3)將移動到松弛狀態(tài)，且沿著共用線3的調(diào)制器(3，I)、(3,2)及(3，3)將保持處于其先前狀態(tài)下。參看圖4，沿著分段線1、2及3施加的分段電壓將對干涉調(diào)制器的狀態(tài)無影響，這是因為在線時間60a期間(即，VC.-松弛及VCmD f穩(wěn)定)，共用線1、2或3中沒有一者正被暴露于弓I起激活的電壓電平。
在第二線時間60b期間，共用線I上的電壓移動到高保持電壓72，且沿著共用線I的所有調(diào)制器保持處于松弛狀態(tài)下，而與所施加的分段電壓無關(guān)，這是因為沒有尋址或激活電壓施加于共用線I上。歸因于釋放電壓70的施加，沿著共用線2的調(diào)制器保持處于松弛狀態(tài)下，且當(dāng)沿著共用線3的電壓移動到釋放電壓70時，沿著共用線3的調(diào)制器(3，I)、(3，2)及(3，3)將松弛。
在第三線時間60c期間，通過在共用線I上施加高尋址電壓74來尋址共用線I。因為在此尋址電壓的施加期間沿著分段線I及2施加低分段電壓64，所以跨調(diào)制器(1，I)及(1，2)的像素電壓比調(diào)制器的正穩(wěn)定窗的高端大(即，電壓差超過預(yù)定義的閾值)，且調(diào)制器(1，1)及(1，2)被激活。相反，因為沿著分段線3施加高分段電壓62，所以跨調(diào)制器(1,3)的像素電壓小于調(diào)制器(1，1)及(1，2)的像素電壓，且保持處于調(diào)制器的正穩(wěn)定窗內(nèi)；調(diào)制器(1，3)因此保持松弛。又，在線時間60c期間，沿著共用線2的電壓減小到低保持電壓76，且沿著共用線3的電壓保持處于釋放電壓70，從而使沿著共用線2及3的調(diào)制器處于松弛位置中。
在第四線時間60d期間，共用線I上的電壓返回到高保持電壓72，從而使沿著共用線I的調(diào)制器處于其相應(yīng)經(jīng)尋址狀態(tài)下。共用線2上的電壓減小到低尋址電壓78。因為沿著分段線2施加高分段電壓62，所以跨調(diào)制器(2，2)的像素電壓低于調(diào)制器的負(fù)穩(wěn)定窗的下端，從而使調(diào)制器(2，2)激活。相反，因為沿著分段線I及3施加低分段電壓64，所以調(diào)制器(2，I)及(2，3)保持處于松弛位置中。共用線3上的電壓增加到高保持電壓72，從而使沿著共用線3的調(diào)制器處于松弛狀態(tài)下。
最后，在第五線時間60e期間，共用線I上的電壓保持處于高保持電壓72，且共用線2上的電壓保持處于低保持電壓76，從而使沿著共用線I及2的調(diào)制器處于其相應(yīng)經(jīng)尋址狀態(tài)下。共用線3上的電壓增加到高尋址電壓74以尋址沿著共用線3的調(diào)制器。因為將低分段電壓64施加于分段線2及3上，所以調(diào)制器(3，2)及(3，3)激活，而沿著分段線I施加的高分段電壓62使調(diào)制器(3，I)保持處于松弛位置中。因此，在第五線時間60e的末尾，只要沿著共用線施加保持電壓，3X3像素陣列即處于在圖5A中展示的狀態(tài)下，且將保持處于所述狀態(tài)下，而與當(dāng)正尋址沿著其它共用線(未圖示)的調(diào)制器時可能發(fā)生的分段電壓的變化無關(guān)。
在圖5B的時序圖中，給定寫入程序(B卩，線時間60a到60e)可包括高保持及尋址電壓或低保持及尋址電壓的使用。一旦已完成針對給定共用線的寫入程序(且將共用電壓設(shè)定成具有與激活電壓相同極性的保持電壓)，則像素電壓保持處于給定穩(wěn)定窗內(nèi)，且直到將釋放電壓施加于所述共用線上，才會穿過所述松弛窗。此外，因為在尋址調(diào)制器前，作為寫入程序的一部分而釋放每一調(diào)制器，所以調(diào)制器的激活時間(而非釋放時間)可確定必要的線時間。具體來說，在調(diào)制器的釋放時間比激活時間大的實施方案中，可在比單一線時間長的時間內(nèi)施加釋放電壓，如在圖5B中所描繪。在一些其它實施方案中，沿著共用線或分段線施加的電壓可變化以考慮不同調(diào)制器(例如，不同色彩的調(diào)制器)的激活及釋放電壓的變化。
根據(jù)以上闡明的原理操作的干涉調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)可廣泛地變化。舉例來說，圖6A到6E展示干涉調(diào)制器(包括可移動反射層14及其支撐結(jié)構(gòu))的變化的實施方案的橫截面的實例。圖6A展示圖1的干涉調(diào)制器顯示器的部分橫截面的一實例，其中金屬材料的條帶(即，可移動反射層14)沉積于與襯底20正交延伸的支撐件18上。在圖6B中，每一 IMOD的可移動反射層14在形狀上為大體正方形或矩形，且在系栓32上的角落處或附近附接到支撐件。在圖6C中，可移動反射層14在形狀上為大體正方形或矩形，且從可包括柔性金屬的可變形層34懸置。可變形層34可在可移動反射層14的周邊周圍直接或間接地連接到襯底20。這些連接在本文中稱作支撐柱。圖6C中展示的實施方案具有從使可移動反射層14的光學(xué)功能與其機械功能(其由可變形層34實現(xiàn))去耦導(dǎo)出的額外益處。此去耦允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計及材料及用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計及材料獨立于彼此加以最佳化。
圖6D展不IMOD的另一實例,其中可移動反射層14包括一反射性子層14a?？梢苿臃瓷鋵?4擱置在支撐結(jié)構(gòu)(例如，支撐柱18)上。支撐柱18提供可移動反射層14與下部固定電極(即，在所說明的IMOD中的光學(xué)堆疊16的一部分)的分離，使得間隙19形成于可移動反射層14與光學(xué)堆疊16之間(例如，當(dāng)可移動反射層14處于松弛位置中時)?？梢苿臃瓷鋵?4還可包括傳導(dǎo)層14c (其可經(jīng)配置以充當(dāng)電極)及支撐層14b。在此實例中，傳導(dǎo)層14c安置于支撐層14b的遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)上，且反射性子層14a安置于支撐層14b的接近襯底20的一側(cè)上。在一些實施方案中，反射性子層14a可為傳導(dǎo)性的，且可安置于支撐層14b與光學(xué)堆疊16之間。支撐層14b可包括一個或一個以上電介質(zhì)材料(例如，氮氧化硅(SiON)或二氧化硅(SiO2))層。在一些實施方案中，支撐層14b可為層的堆疊，例如，Si02/Si0N/Si02三層堆疊。反射性子層14a及傳導(dǎo)層14c中的任一者或兩者可包括(例如)具有約0.5%銅(Cu)的鋁(Al)合金或另一反射性金屬材料。在電介質(zhì)支撐層14b上方及下方使用傳導(dǎo)層14a、14c可平衡應(yīng)力，且提供增強的傳導(dǎo)。在一些實施方案中，針對多種設(shè)計目的，例如，實現(xiàn)在可移動反射層14內(nèi)的特定應(yīng)力分布，反射性子層14a及傳導(dǎo)層14c可由不同材料形成。
如圖6D中所說明，一些實施方案還可包括黑掩模結(jié)構(gòu)23。黑掩模結(jié)構(gòu)23可形成于光學(xué)非活性區(qū)域中(例如，在像素之間或在柱18下面)以吸收環(huán)境或雜散光。黑掩模結(jié)構(gòu)23還可通過抑制光從顯示器的非活性部分反射或透射穿過顯示器的非活性部分來改良顯示裝置的光學(xué)性質(zhì)，借此增加對比率。另外，黑掩模結(jié)構(gòu)23可為傳導(dǎo)性的，且經(jīng)配置以充當(dāng)電轉(zhuǎn)移層。在一些實施方案中，行電極可連接到黑掩模結(jié)構(gòu)23以減小連接的行電極的電阻?？墒褂枚喾N方法(包括沉積及圖案化技術(shù))形成黑掩模結(jié)構(gòu)23。黑掩模結(jié)構(gòu)23可包括一個或一個以上層。舉例來說，在一些實施方案中，黑掩模結(jié)構(gòu)23包括充當(dāng)光學(xué)吸收器的鑰鉻(MoCr)層、一層及充當(dāng)反射器及轉(zhuǎn)移層的鋁合金，其中厚度分別處于約30 A到80 A、500 A到1000 A及500 A到6000 A的范圍中。所述一個或一個以上層可使用多種技術(shù)來圖案化，包括光刻及干式蝕刻，包括(例如)用于MoCr及SiO2層的四氟甲烷(CF4)及/或氧(O2)及用于鋁合金層的氯(Cl2)及/或三氯化硼(BCl3)。在一些實施方案中，黑掩模23可為標(biāo)準(zhǔn)具或干涉堆疊結(jié)構(gòu)。在這些干涉堆疊黑掩模結(jié)構(gòu)23中，可使用傳導(dǎo)性吸收器在每一行或列的光學(xué)堆疊16中的下部固定電極之間傳輸或轉(zhuǎn)移信號。在一些實施方案中，間隔器層35可用以將吸收器層16a與黑掩模23中的傳導(dǎo)層大體電隔離。
圖6E展示MOD的另一實例，其中可移動反射層14為自支撐的。與圖6D相比，圖6E的實施方案不包括支撐柱18。實情為，可移動反射層14在多個位置處接觸下伏光學(xué)堆疊16，且可移動反射層14的曲率提供當(dāng)跨干涉調(diào)制器的電壓不足以引起激活時使可移動反射層14返回到圖6E的未激活位置的足夠支撐。此處為了清晰起見，展示可含有多個若干不同層的光學(xué)堆疊16包括光學(xué)吸收器16a及電介質(zhì)16b。在一些實施方案中，光學(xué)吸收器16a可充當(dāng)固定電極且充當(dāng)部分反射層。
在例如圖6A到6E中展示的實施方案的實施方案中，MOD充當(dāng)直觀式裝置，其中從透明襯底20的前側(cè)(即，與其上布置有調(diào)制器的側(cè)相對的側(cè))觀看圖像。在這些實施方案中，裝置的后部部分(即，顯示裝置的在可移動反射層14后的任何部分，包括(例如)在圖6C中說明的可變形層34)可經(jīng)配置及操作，而不影響或負(fù)面影響顯示裝置的圖像質(zhì)量，這是因為反射層14光學(xué)屏蔽裝置的這些部分。舉例來說，在一些實施方案中，在可移動反射層14后可包括總線結(jié)構(gòu)(未說明)，其提供將調(diào)制器的光學(xué)性質(zhì)與調(diào)制器的機電性質(zhì)(例如，電壓尋址與由此尋址產(chǎn)生的移動)分開的能力。另外，圖6A到6E的實施方案可簡化例如圖案化的處理。
圖7展示說明干涉調(diào)制器的制造過程80的流程圖的一實例，且圖8A到SE展示此制造過程80的對應(yīng)階段的橫截面示意性說明的實例。在一些實施方案中，除了圖7中未展示的其它框之外，制造過程80還可經(jīng)實施以制造(例如)圖1及圖6中說明的通常類型的干涉調(diào)制器。參看圖1、6及7，過程80開始于框82，其中在襯底20上形成光學(xué)堆疊16。圖8A說明形成于襯底20上的此光學(xué)堆疊16。襯底20可為例如玻璃或塑料的透明襯底，其可為柔性或相對硬且不彎曲，且可能已經(jīng)受先前準(zhǔn)備工藝(例如，清潔)，以促進(jìn)光學(xué)堆疊16的有效率的形成。如上所論述，光學(xué)堆疊16可為導(dǎo)電性的、部分透明且部分反射性的，且可(例如)通過將具有所要性質(zhì)的一個或一個以上層沉積到透明襯底20上來制造。在圖8A中，光學(xué)堆疊16包括具有子層16a及16b的多層結(jié)構(gòu)，但在一些其它實施方案中可包括更多或更少的子層。在一些實施方案中，子層16a、16b中的一者可配置有光學(xué)吸收性質(zhì)及傳導(dǎo)性質(zhì)兩者，例如，組合的導(dǎo)體/吸收器子層16a。另外，子層16a、16b中的一者或一者以上可經(jīng)圖案化為平行條帶，且可形成顯示裝置中的行電極。可通過掩蔽及蝕刻工藝或此項技術(shù)中已知的另一合適工藝來執(zhí)行此圖案化。在一些實施方案中，子層16a、16b中的一者可為絕緣或電介質(zhì)層，例如，沉積于一個或一個以上金屬層(例如，一個或一個以上反射及/或傳導(dǎo)層)上的子層16b。此外，光學(xué)堆疊16可經(jīng)圖案化為形成顯示器的行的個別及平行條帶。
過程80在框84處繼續(xù)，其中在光學(xué)堆疊16上形成犧牲層25。稍后移除犧牲層25 (例如，在框90處)以形成空腔19，且因此在圖1中說明的所得干涉調(diào)制器12中未展示犧牲層25。圖SB說明包括形成于光學(xué)堆疊16上的犧牲層25的部分制造的裝置。犧牲層25在光學(xué)堆疊16上的形成可包括按選定厚度沉積二氟化氙(XeF2)可蝕刻材料(例如，鑰(Mo)或非晶硅(a-Si))以在隨后移除后提供具有所要設(shè)計大小的空隙或空腔19 (也見圖1及8E)?？墒褂美缥锢須庀喑练e(PVD，例如，濺鍍)、等離子增強型化學(xué)氣相沉積(PECVD)、熱化學(xué)氣相沉積(熱CVD)或旋涂的沉積技術(shù)來進(jìn)行犧牲材料的沉積。
過程80在框86處繼續(xù)，其中形成支撐結(jié)構(gòu)，例如，如在圖1、6及8C中說明的柱18。柱18的形成可包括圖案化犧牲層25以形成支撐結(jié)構(gòu)孔隙，接著使用例如PVD、PECVD、熱CVD或旋涂的沉積方法將一材料(例如，聚合物或無機材料，例如，氧化硅)沉積到所述孔隙內(nèi)以形成柱18。在一些實施方案中，形成于犧牲層中的支撐結(jié)構(gòu)孔隙可延伸穿過犧牲層25及光學(xué)堆疊16兩者到下伏襯底20，使得柱18的下端接觸襯底20，如在圖6A中所說明?；蛘?，如在圖8C中所描繪，形成于犧牲層25中的孔隙可延伸穿過犧牲層25，但不穿過光學(xué)堆疊16。舉例來說，圖SE說明與光學(xué)堆疊16的上表面接觸的支撐柱18的下端。可通過在犧牲層25上沉積支撐結(jié)構(gòu)材料層且圖案化支撐結(jié)構(gòu)材料的位置遠(yuǎn)離犧牲層25中的孔隙的部分來形成柱18或其它支撐結(jié)構(gòu)。支撐結(jié)構(gòu)可位于孔隙內(nèi)，如在圖SC中所說明，但也可至少部分地在犧牲層25的一部分上延伸。如上文所指出，犧牲層25及/或支撐柱18的圖案化可通過圖案化及蝕刻工藝來執(zhí)行，但也可通過替代蝕刻方法來執(zhí)行。
過程80在框88處繼續(xù)，其中形成可移動反射層或膜，例如，在圖1、6及8D中說明的可移動反射層14。可移動反射層14可通過使用一個或一個以上沉積步驟(例如，反射層(例如，鋁、鋁合金)沉積)連同一個或一個以上圖案化、掩蔽及/或蝕刻步驟而形成。可移動反射層14可導(dǎo)電,且被稱作導(dǎo)電層。在一些實施方案中，可移動反射層14可包括多個子層14a、14b、14c，如圖8D中所展示。在一些實施方案中，所述子層中的一者或一者以上(例如，子層14a、14c)可包括針對其光學(xué)性質(zhì)而選擇的高反射性子層，且另一子層14b可包括針對其機械性質(zhì)而選擇的機械子層。由于犧牲層25仍存在于在框88處形成的部分制造的干涉調(diào)制器中，因此可移動反射層14在此階段通常不可移動。含有犧牲層25的部分制造的MOD在本文中也可被稱作“未釋放” MOD。如上文結(jié)合圖1所描述，可移動反射層14可經(jīng)圖案化為形成顯示器的列的個別及平行條帶。
過程80在框90處繼續(xù)，其中形成空腔，例如，如在圖1、6及8E中說明的空腔19?？赏ㄟ^將犧牲材料25(在框84處沉積)暴露于蝕刻劑來形成空腔19。舉例來說，可通過干式化學(xué)蝕刻來移除例如Mo或非晶Si的可蝕刻犧牲材料，例如，通過在對移除所要量的材料有效的時間段內(nèi)將犧牲層25暴露于氣態(tài)或蒸氣狀蝕刻劑(例如，從固態(tài)XeF2得來的蒸氣)，通常相對于包圍空腔19的結(jié)構(gòu)選擇性地移除。也可使用其它蝕刻方法，例如，濕式蝕刻及/或等離子蝕刻。由于在框90期間移除犧牲層25，因此可移動反射層14在此階段后通?？梢苿印Ｔ谝瞥隣奚牧?5后，所得完全或部分制造的IMOD在本文中可被稱作“釋放的” MOD。
圖9為說明用于驅(qū)動每像素64色顯示器的實施方案的共用驅(qū)動器904及分段驅(qū)動器902的實例的框圖。所述陣列可包括一組機電顯示元件102，所述組機電顯示元件102在一些實施方案中可包括干涉調(diào)制器。可使用一組分段電極或分段線122a到122d、124a到124d、126a到126d及一組共用電極或共用線112a到112d、114a到114d、116a到116d來尋址顯示元件102，這是因為每一顯示元件102將與一分段電極及一共用電極電連通。分段驅(qū)動器902經(jīng)配置以跨分段電極中的每一者施加電壓波形，且共用驅(qū)動器904經(jīng)配置以跨共用電極中的每一者施加電壓波形。在一些實施方案中，電極中的一些可相互電連通(例如，分段電極122a與124a)，使得可將相同電壓波形同時施加于分段電極中的每一者上。因為其耦合到兩個分段電極，所以連接到兩個分段電極的分段驅(qū)動器輸出端可在本文中稱作“最高有效位”(MSB)分段輸出端，這是因為此分段輸出端的狀態(tài)控制每一行中的兩個鄰近顯示元件的狀態(tài)。耦合到個別分段電極的分段驅(qū)動器輸出端(例如，在126a處)可在本文中稱作“最低有效位”(LSB)電極，這是因為其控制每一行中的單一顯示元件的狀態(tài)。
仍參看圖9，在顯示器包括彩色顯示器或單色灰度顯示器的實施方案中，個別機電元件102可包括較大像素的子像素。像素中的每一者可包括某一數(shù)目個子像素。在陣列包括具有一組干涉調(diào)制器的彩色顯示器的一實施方案中，可沿著共用線對準(zhǔn)各種色彩，使得沿著給定共用線的實質(zhì)上所有顯示元件包括經(jīng)配置以顯示相同色彩的顯示元件。彩色顯示器的一些實施方案包括交替的紅、綠及藍(lán)子像素線。舉例來說，線112a到112d可對應(yīng)于紅干涉調(diào)制器的線，線114a到114d可對應(yīng)于綠干涉調(diào)制器的線，且線116a到116d可對應(yīng)于藍(lán)干涉調(diào)制器的線。在一個實施方案中，干涉調(diào)制器102的每一 3X3陣列形成一像素，例如，像素130a到130d。在分段電極中的兩者短接到彼此的所說明實施方案中，此3X3像素將能夠顯現(xiàn)64個不同色彩(例如，6位色彩深度)，這是因為在每一像素中的三個共用色彩子像素的每一集合可置于四個不同狀態(tài)(對應(yīng)于無、一個、兩個或三個激活的干涉調(diào)制器)下。當(dāng)在單色灰度模式下使用此布置時，使每一色彩的三像素集合的狀態(tài)相同，在所述情況下，每一像素可呈現(xiàn)四個不同灰階強度。應(yīng)了解，此僅為一個實例，且可使用較大群的干涉調(diào)制器以按不同總體像素計數(shù)或分辨率形成具有較大色彩范圍的像素。
如上文所詳細(xì)描述，為了寫入顯示數(shù)據(jù)的線，分段驅(qū)動器902可將電壓施加到分段電極或連接到其的總線。其后，共用驅(qū)動器904可對連接到其的選定共用線加脈沖以使沿著所述選定線的顯示元件顯示數(shù)據(jù)，例如，通過根據(jù)施加到相應(yīng)分段輸出端的電壓來激活沿著所述線的選定顯示元件。
在將顯示數(shù)據(jù)寫入到選定線后，分段驅(qū)動器902可將另一組電壓施加到連接到其的總線，且共用驅(qū)動器904可對連接到其的另一線加脈沖以將顯示數(shù)據(jù)寫入到另一線。通過重復(fù)此過程，可將顯示數(shù)據(jù)依序?qū)懭氲斤@示陣列中的任何數(shù)目個線。
使用此過程將顯示數(shù)據(jù)寫入到顯示陣列的時間(又名，寫入時間)通常與正寫入的顯示數(shù)據(jù)的線的數(shù)目成比例。然而，在許多應(yīng)用中，減少寫入時間可能為有利的，例如，以增加顯示器的幀速率或減少任何可察覺的閃爍。
為了減少顯示陣列的寫入時間，可將顯示陣列分成可并行驅(qū)動的兩個部分。圖10為說明用于同時驅(qū)動64色顯示器的兩個區(qū)段的兩個共用驅(qū)動器及兩個分段驅(qū)動器的實例的框圖。圖10中說明的顯示陣列包括區(qū)段1002及1004。另外，可提供兩個分段驅(qū)動器902a及902b以分別驅(qū)動區(qū)段1002及1004中的每一者。
為了將顯示數(shù)據(jù)的線并行地寫入到圖10的顯示陣列，分段驅(qū)動器902a及902b可各自將電壓施加到連接到其的相應(yīng)總線。舉例來說，分段驅(qū)動器902a可在分段輸出端122a到122d、124a到124d及126a到126d中的每一者上輸出意圖用于沿著線112a的顯示元件的數(shù)據(jù)，且分段驅(qū)動器902b可同時在分段輸出端128a到128d、130a到130d及132a到132d中的每一者上輸出意圖用于沿著線112c的顯示元件的分段數(shù)據(jù)。其后，共用驅(qū)動器904a可將寫入脈沖施加到線112a，且共用驅(qū)動器904b可同時將寫入脈沖施加到線112c，因此同時寫入兩個線。針對陣列部分中的每一線重復(fù)此過程，通常將一幀的寫入時間實質(zhì)上切成兩半。
圖11展示說明對于干涉調(diào)制器陣列中的若干成員的可移動反射鏡位置對所施加電壓的圖的一實例。圖11類似于圖3，但說明陣列中的不同調(diào)制器之間的滯后曲線的變化。雖然每一干涉調(diào)制器通常展現(xiàn)滯后，但對于陣列中的所有調(diào)制器，滯后窗的邊緣并不處于相同電壓下。因此，對于一陣列中的不同干涉調(diào)制器，激活電壓及釋放電壓可能不同。此外，激活電壓及釋放電壓可隨著顯示器在其壽命內(nèi)的溫度的變化、老化及使用模式而改變。此可使得難以確定待在驅(qū)動方案(例如，以上關(guān)于圖4描述的驅(qū)動方案)中使用的電壓。此還可使得以在顯示陣列的使用期間及壽命內(nèi)追蹤這些改變的方式來變化在驅(qū)動方案中使用的電壓對于最佳顯示操作是有用的。
現(xiàn)在返回到圖11，在高于中心電壓(圖1i中表示Svcent)的正激活電壓下及低于中心電壓的負(fù)激活電壓下，每一干涉調(diào)制器從釋放狀態(tài)改變成激活狀態(tài)。中心電壓為正滯后窗與負(fù)滯后窗之間的中點。可按多種方式來定義中心電壓，例如，外邊緣之間的中途、內(nèi)邊緣之間的中途或兩個窗的中點之間的中途。對于調(diào)制器陣列，中心電壓可定義為用于所述陣列的不同調(diào)制器的平均中心電壓，或可定義為所有調(diào)制器的滯后窗的極值之間的中途。舉例來說，參看圖11，可將中心電壓定義為高激活電壓與低激活電壓之間的中途。事實上，如何確定此值并不特別重要，這是因為干涉調(diào)制器的中心電壓通常接近于零，且甚至當(dāng)情況并非如此時，計算滯后窗之間的中點的各種方法將實質(zhì)上得出同一值。在中心電壓可從零偏移的那些實施方案中，此偏差可被稱作電壓偏移。
如上所述，對于不同干涉調(diào)制器，這些值不同?？梢员碚饔糜谒鲫嚵械慕浦兄嫡柏?fù)激活電壓，在圖11中分別標(biāo)明為VA50+及VA50-。電壓VA50+可表征為將使一陣列的約50%的調(diào)制器激活的正極性電壓。電壓VA50-可特性化為將使一陣列的約50%的調(diào)制器激活的負(fù)極性電壓。使用此術(shù)語，可將中心電壓Vcent定義為(VA50++VA50-)/2。
類似地，在高于中心電壓的正極性釋放電壓下及在低于中心電壓的負(fù)極性釋放電壓下，干涉調(diào)制器從激活狀態(tài)改變成釋放狀態(tài)。至于正及負(fù)激活電壓，可表征用于所述陣列的近似中間或平均正及負(fù)釋放電壓，在圖11中分別標(biāo)明為VR50+及VR50-。
用于所述陣列的這些平均或代表性值可用以導(dǎo)出用于所述陣列的驅(qū)動方案電壓。在一些實施方案中，可導(dǎo)出正保持電壓(在圖5B中標(biāo)明為72)作為VA50+與VR50+的平均值?？蓪?dǎo)出負(fù)保持電壓(在圖5B中標(biāo)明為76)作為VA50-與VR50-的平均值。此使正及負(fù)保持電壓大致在所述陣列的典型或平均滯后窗的中心。可導(dǎo)出正及負(fù)分段電壓(在圖5B中標(biāo)明為62及64，且在本文中被稱作VS+及VS-)作為分別定義為(VA50+-VR50+)及(VA50-VR50-)的兩個窗寬度的平均值除以四。此將分段電壓量值設(shè)定在陣列的典型或平均滯后窗的寬度的大致1/4，其中實際分段電壓VS+及VS-為此量值的正及負(fù)極性。在一些實施方案中，導(dǎo)出施加到共用線的激活電壓(在圖5B中標(biāo)明為74)作為保持電壓加兩倍的分段電壓。在一些實施方案中，將額外經(jīng)驗確定值Vadj加到正保持電壓，且從上述負(fù)保持電壓計算減去額外經(jīng)驗確定值vadj。雖非始終必要，但此可幫助避免當(dāng)在圖像數(shù)據(jù)寫入(在一些情況下，其可尤其對用戶可見)期間需要激活時使顯示器的一些部分不能激活。此額外參數(shù)Vatu基本上將保持電壓移動得稍更接近于滯后曲線的外激活邊緣，此幫助確保所有顯示元件的激活。然而，如果Vatu過大，則可能發(fā)生過多的假激活。在一些實施方案中，用于VA50+及VA50-的值可處于10伏特到15伏特范圍中。用于VR50+及VR50-的值可處于3伏特到5伏特范圍中。舉例來說，如果測量指示12V的VA50+、-12V的VA50_、4V的VR50+及-4V的VR50-，則以上計算將分別將正及負(fù)保持電壓設(shè)定為+8及-8伏特(如果Vadj為零)，且分段電壓將為+2V及-2V。在寫入脈沖期間正被激活的干涉調(diào)制器將具有施加于其上的8+3X2V的電壓，其為14V，其可可靠地激活陣列的基本上任一顯示元件(如果中值激活電壓為12V)。一般所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，在不同實施方案中，以上電壓可變化。
當(dāng)所述陣列為具有不同色彩的不同共用線的色彩陣列(如上參看圖9所描述)時，將不同保持電壓用于顯示元件的不同色彩線可能是有用的。因為不同色彩干涉調(diào)制器具有不同機械構(gòu)造，所以對于不同色彩的干涉調(diào)制器，可能存在滯后曲線特性的廣泛變化。然而，在所述陣列的具有一個色彩的調(diào)制器群內(nèi)，可存在較一致的滯后性質(zhì)。對于彩色顯示器，可針對陣列的顯示元件的每一色彩測量VA50+、VA50-、VR50+及VR50-的不同值。對于三色顯示器，此為十二個不同顯示響應(yīng)特性。在這些實施方案中，可使用針對每一色彩測量的VA50+、VA50-、VR50+及VR50-的四個值來如上所述單獨地導(dǎo)出用于所述色彩的正及負(fù)保持電壓。因為沿著所有行施加分段電壓，所以可導(dǎo)出用于所有色彩的單一分段電壓?？深愃朴谝陨喜僮鞫鴮?dǎo)出此單一分段電壓，其中計算在兩個極性及所有色彩上的平均滯后窗寬度，且接著除以四。用于分段電壓的替代計算可包括如上所述單獨地計算用于一個或一個以上色彩的分段電壓，且接著選擇這些分段電壓(例如，最小量值、中間量值、來自具有視覺顯著性的特定色彩的分段電壓等)中的一者作為用于整個陣列的分段電壓。
如上文所提及，用于VA50+、VA50-、VR50+及VR50-的值可能在不同陣列之間變化(歸因于制造公差)，且也可能在單一陣列中隨溫度、隨時間推移、視用途及其類似者而變化。為了最初設(shè)定且稍后調(diào)整這些電壓以生產(chǎn)在其壽命內(nèi)良好發(fā)揮功能的顯示器，可以將測試及狀態(tài)感測電路并入到顯示設(shè)備內(nèi)。此在圖12及13中予以說明。
圖12為耦合到驅(qū)動器電路及狀態(tài)感測電路的顯示陣列的示意性框圖。在此設(shè)備中，分段驅(qū)動器電路640及共用驅(qū)動器電路630耦合到顯示陣列610。將顯示元件說明為連接于相應(yīng)共用線與分段線之間的電容器。對于干涉調(diào)制器，裝置的電容在將兩個電極拉到一起時的激活狀態(tài)下可比其在將兩個電極分開時的釋放狀態(tài)下高3到10倍?？蓹z測此電容差以確定一個或一個以上顯示元件的所述狀態(tài)。
在圖12的實施方案中，通過積分器650進(jìn)行檢測。進(jìn)一步參看圖13描述積分器的功能，圖13為展示圖12的陣列中的測試電荷流的示意圖?，F(xiàn)在參看圖12及圖13，圖12的共用驅(qū)動器電路630包括將測試輸出驅(qū)動器631連接到一個或一個以上共用線的一側(cè)的開關(guān)632a到632e。另一組開關(guān)642a到642e將一個或一個以上共用線的另一端連接到積分器電路650。
作為一種實例測試協(xié)議，每一分段驅(qū)動器輸出端可設(shè)定成(例如)電壓VS+。最初閉合積分器的開關(guān)648及646。舉例來說，為了測試線620，開關(guān)632a及開關(guān)642a閉合，且將測試電壓施加到共用線620，從而對電容性顯示元件及隔離電容器644充電。接著，開關(guān)632a、648及646斷開，且從分段驅(qū)動器輸出的電壓改變量AV。顯示元件在電容器上形成的電荷改變量等于約△ V乘所有顯示元件的總電容。將來自顯示元件的此電荷流轉(zhuǎn)換成由具有積分電容器652的積分器650輸出的電壓,使得積分器的電壓輸出為沿著共用線620的顯示元件的總電容的測量。
此可用以確定用于正測試的顯示元件的線的參數(shù)VA50+、VA50-、VR50+及VR50-。為了實現(xiàn)此確定，施加已知釋放所述線中的所有顯示元件的第一測試電壓。舉例來說，此電壓可為O伏特。在此情況下，跨顯示元件的總電壓為VS+，其為(例如)2V，其處于所有顯示元件的釋放窗內(nèi)。記錄當(dāng)按調(diào)制分段電壓時的電容器的輸出電壓。此積分器輸出可被稱作用于所述線的Vmin，其對應(yīng)于所述線的最低線電容Cmin。用已知激活線中的所有顯示元件的共用線測試電壓(例如，20V)來重復(fù)此操作。此積分器輸出可被稱作用于所述線的Vmax，其對應(yīng)于所述線的最高線電容Cmax。
為了確定VA50+(正極性此處定義為處于比分段線高的電位下的共用線)，首先通過共用線上的低電壓(例如，0V)釋放所述線的顯示元件。接著，施加在OV與20V之間的測試電壓。如果測試電壓與分段電壓之間的差處于VA50+，則積分器的輸出將為(Vmax+Vmin)/2。
由于先前可能不知曉VA50+的正確值，因此在一些實施方案中，可通過二元搜索正確測試電壓來有效率地發(fā)現(xiàn)所述正確值。舉例來說，如果VA50+恰好為12V，則適當(dāng)測試電壓將為14V，如在以上實例中所論述，當(dāng)分段電壓為2V時，其將跨顯示元件產(chǎn)生12V。為了執(zhí)行二元搜索，第一測試電壓可為OV與20V的低電壓與高電壓之間的中點，其為IOV。當(dāng)施加IOV測試電壓且調(diào)制分段電壓時，積分器輸出將小于(Vmax+Vmin)/2，其指示IOV過低。在二元搜索中，每下一個“猜測”為已知為過低的最后值與已知為過高的最后值之間的中途。因此，下一個電壓嘗試將為IOV與20V之間的中途，其為15V。當(dāng)施加15V測試電壓且調(diào)制分段電壓時，積分器輸出將大于(Vmax+Vmin)/2，其指示15V過高。重復(fù)二元搜索算法，下一個測試電壓將為12.5V。此將產(chǎn)生過低的積分器輸出，且下一個測試電壓將為13.75V。此過程可繼續(xù)，直到積分器輸出及測試電壓理想地接近于(Vmax+Vmin)/2及14V的實際值。在一些實施方案中，八次迭代幾乎始終足以將VA50+確定為最后施加的測試電壓減去所施加的分段電壓。如果積分器輸 出足夠接近于(Vmax+Vmin)/2(例如，在所要的(Vmax+Vmin)/2目標(biāo)值的約10%內(nèi)或約1%內(nèi))，則可在八次迭代前終止搜索。為了確定VA50-，通過施加到共用線的負(fù)測試電壓重復(fù)所述過程?？砂搭愃品绞酱_定VR50+及VR50-，但在每一測試前首先激活(而非釋放)顯示元件。
在所述陣列的制造期間，可對所述陣列的每一線執(zhí)行此過程，以確定用于每一線的參數(shù)VA50+、VA50-、VR50+及VR50-。對于單色陣列，用于所述陣列的VA50+、VA50_、VR50+及VR50-的值可為用于每一線的確定值的平均值，且可導(dǎo)出用于所述陣列的驅(qū)動方案電壓(如上所述)。對于一色彩陣列，可按色彩將所述值分群，且也可如上所述導(dǎo)出所述陣列的驅(qū)動方案電壓。
在此陣列的使用期間，將可以針對每一線重復(fù)上述過程，且導(dǎo)出適合于所述陣列的當(dāng)前條件、溫度等的新驅(qū)動方案電壓。然而，此可能不合需要，這是因為此程序可花費大量時間且可為用戶可見。為了改良速度且減少對由用戶對顯示器的觀看的干擾，可將所述陣列分割成子集，且可測試及表征所述陣列的僅一個或一個以上子集。這些子集可充分地表示整個陣列，使得從這些子集測量導(dǎo)出的驅(qū)動方案電壓適合于整個陣列。此減少執(zhí)行所述測量所需的時間，且可允許在陣列的使用期間在給用戶帶來較少不方便的情況下來執(zhí)行所述過程。返回參看圖12，舉例來說，圖12的單一線622可經(jīng)選擇作為用于在顯示器使用期間的測試及表征的陣列的代表性子集。在陣列的使用期間周期性地使用開關(guān)632d及642d來測試線622的VA50+、VA50-、VR50+及VR50-，且使用結(jié)果來導(dǎo)出更新的驅(qū)動方案電壓。在一些實施方案中，先前可能已基于在制造期間進(jìn)行的每一線的測量將線622確定為代表性線(如上所述)。通常，此代表性線將具有用于VA50+、VA50-、VR50+及VR50-的一個或一個以上值，其接近于用于所述陣列的所有線的VA50+、VA50-、VR50+及VR50-的平均值。在一些實施方案中，可將若干個線用作所述陣列的代表性子集，且通過控制開關(guān)632a到632e及642a到642e同時或依序地測試若干個線。
圖14為說明在陣列的使用期間校準(zhǔn)驅(qū)動方案電壓的方法的流程圖。所述方法開始于框710，在框710，選擇用于陣列的驅(qū)動方案電壓。這些電壓可為在以上描述的制造過程中選擇的電壓，或可為稍后在顯示器的壽命內(nèi)使用的當(dāng)前驅(qū)動方案電壓。在框720，驅(qū)動陣列以通過選定驅(qū)動方案電壓顯示圖像。在框730，使用所述陣列的一子集確定所述陣列的驅(qū)動響應(yīng)特性。此可為以上描述的VA50+、VA50-、VR50+及VR50-中的一者或一者以上。在框740，至少部分基于確定的驅(qū)動響應(yīng)特性來確定至少一個更新的驅(qū)動方案電壓。在框750，驅(qū)動陣列以通過至少一個更新的驅(qū)動方案電壓顯示圖像。所述方法可接著環(huán)回到框730，在框730，再次測量驅(qū)動響應(yīng)特性。
在一些實施方案中，在框730及740的不同循環(huán)期間，可使用所述陣列的不同子集。又，可測量陣列的不同驅(qū)動響應(yīng)特性。舉例來說，在一個循環(huán)期間，可確定一條線(或一群線)的VA50+，且在第二循環(huán)期間，可確定一條不同線(或一群不同線)的VR50-。通過每一循環(huán)，可用新信息更新驅(qū)動方案電壓。此可使在顯示器圖像更新之間的每一循環(huán)內(nèi)的測量過程加速，從而減少所述過程對用戶的可見性。此可進(jìn)一步允許將不同子集用于不同驅(qū)動響應(yīng)特性，這是因為對于某些驅(qū)動響應(yīng)特性，不同子集可能更能代表整個陣列。
圖15為具有狀態(tài)感測及驅(qū)動方案電壓更新能力的顯示陣列的另一實施方案的示意圖。在此實施方案中，包括另外特征以使更新過程更快、更不可見且更準(zhǔn)確。在圖15中，將顯示陣列展示為兩個單獨陣列一上部陣列810及下部陣列812，其類似于以上關(guān)于圖10描述的情況。分別通過兩個分段驅(qū)動器814及816來驅(qū)動兩個陣列的分段線。通過共用驅(qū)動器電路818驅(qū)動共用線。處理器/控制器820控制驅(qū)動器電路以及如上所述發(fā)揮功能的一系列開關(guān)842及積分器850。處理器/控制器820能夠存取查找表824 (其可處于在處理器/控制器820的集成電路內(nèi)部或外部的存儲器中)。因為溫度的改變?yōu)轵?qū)動響應(yīng)特性(及因此合適的驅(qū)動方案電壓)的改變中的重要因素，所以查找表824存儲使驅(qū)動響應(yīng)特性或驅(qū)動方案電壓與溫度有關(guān)的信息。最初可從制造期間對顯示陣列的測試及/或驅(qū)動響應(yīng)特性與溫度之間的已知關(guān)系獲得此信息。此實施方案還包括位于顯示陣列上或附近的溫度傳感器822。查找表824可含有用于每一彩色顯不器兀件的針對一系列溫度或溫度范圍的VA50+、VA50-、VR50+及VR50-的值。在一些實施方案中，處理器/控制器820從溫度傳感器822取得溫度值、從查找表824檢索VA50+、VA50-、VR50+及VR50-的適當(dāng)值(例如，用于三色RGB顯示器的值中的12個)、從以上值計算用于每一色彩的保持電壓及分段電壓，及控制共用驅(qū)動器電路818及分段驅(qū)動器814及816在將圖像數(shù)據(jù)寫入到顯示器時使用所計算的驅(qū)動方案電壓。隨著溫度改變，處理器/控制器820可根據(jù)查找表824中的數(shù)據(jù)選擇不同驅(qū)動方案電壓，甚至無需在使用期間對顯示陣列進(jìn)行額外測試。
雖然此可幫助將驅(qū)動方案電壓維持得較接近于其所要值，但查找表824中的數(shù)據(jù)可能含有一些不準(zhǔn)確的值，且此外，隨溫度而變的用于顯示陣列的VA50+、VA50-、VR50+及VR50-的實際值可能隨時間推移而改變。為了考慮此情形，圖15的系統(tǒng)可經(jīng)配置以使用在陣列的使用期間獲得的VA50+、VA50-、VR50+及VR50-的測量值來周期性地更新查找表中的數(shù)據(jù)。用于進(jìn)行此操作的一種方法展示于圖16中。
圖16為說明校準(zhǔn)顯示陣列中的驅(qū)動方案電壓的另一方法的流程圖。當(dāng)使用此方法時，最初選擇一組顯示元件共用線來代表顯示陣列。呈任何布置的任何數(shù)目個線為可能的，但通常將選擇每一色彩的一個或一個以上線。作為一個實例，可選擇上部陣列810中的一個紅線、一個藍(lán)線及一個綠線及下部陣列812中的一個紅線、一個藍(lán)線及一個綠線。也可選擇每一顯示陣列中的紅線、綠線及藍(lán)線中的一者以上(例如，兩者、三者等)。在一個實施方案中，選擇四個紅線、四個綠線及四個藍(lán)線，其中每一選定線具有用于所述色彩的四個參數(shù)VA50+、VA50-、VR50+及VR50-中的一者的中值。最初可在顯示器制造期間將這些選定線標(biāo)明為表示整個顯示陣列的特性的一組線。此外，最初可確定用于線中的每一者的對應(yīng)于Cmin及Cmax的Vmin及Vmax,使得在50 %激活的顯示元件處的積分器輸出(Vmin+Vmax) /2為已知的。
現(xiàn)在參看圖16，所述方法開始于在框910進(jìn)入維護模式。圖16的此維護模式為可在顯示器的壽命內(nèi)周期性執(zhí)行的測試及更新例程。因為其可能基本上不對用戶可見，所以可頻繁地執(zhí)行維護模式例程，例如，每隔數(shù)分鐘或甚至每隔數(shù)秒。在一些實施方案中，執(zhí)行維護模式的頻率可視溫度的改變而定，其中如果溫度正迅速改變，則可較頻繁地執(zhí)行維護模式例程。
在框912處，將圖像數(shù)據(jù)的幀寫入到顯示陣列。在框914，選擇所述組代表性線中的一者。又，選擇響應(yīng)特性中的一者用于評估。舉例來說，可選擇一代表性紅線，且可選擇用于紅的VR50+進(jìn)行測 量。檢索在當(dāng)前溫度下的查找表中的用于此參數(shù)(在此情況下，用于紅的VR50+)的當(dāng)前值，且選擇一測試電壓，所述測試電壓將會將此電壓置于選定線的顯示元件上。將此測試電壓施加(由于正測量VR參數(shù),所以在激活所有元件后)到選定線。在框916處，如上所述調(diào)制片段，且測量積分器輸出作為在所述施加的電壓下的線的電容的測量。如果來自查找表的用于紅的選定參數(shù)VR50+準(zhǔn)確，則對于所述線，積分器輸出將處于或非常接近于已知(Vmin+Vmax)/2。可定義一合適的閾值以決定積分器輸出是否足夠接近于已知(Vmin+Vmax)/2以認(rèn)為當(dāng)前值準(zhǔn)確，例如，在所要的(Vmax+Vmin)/2目標(biāo)值的約10%內(nèi)或約1%內(nèi)。在決策框920，確定積分器輸出是否在所要范圍內(nèi)。如果是，則方法可進(jìn)行到框922，在框922，選擇下一個線及響應(yīng)特性用于在下一個維護模式例程中使用。從框922，所述方法可在框924處退出維護模式。
如果在決策框920處確定積分器輸出過度地遠(yuǎn)高于或低于(Vniil^Vniax)A的已知值，則在框926處，可視積分器測量而將待緊靠選定線施加的測試電壓增加或減少某一量(例如，50mV到100mV)。接著，在框928，再次將圖像數(shù)據(jù)寫入到顯示陣列。接著通過新測試電壓在框930、932、934及936處基本上重復(fù)框914、916、918及920，且再次將積分器輸出與已知(Vmin+Vmax)/2比較。如果積分器輸出仍不在所要范圍內(nèi)，則所述方法環(huán)回到框926，在框926，進(jìn)行另一測試電壓調(diào)整且進(jìn)行測試。在此循環(huán)的一些重復(fù)后，獲得產(chǎn)生接近于(Vfflin+Vfflax) /2的積分器輸出的正確測試電壓，且所述方法進(jìn)行到框938，在框938，從測試電壓得出新的VR50+，且用新值更新查找表。
在此情況下，因為所述方法已確定所檢查的第一值錯誤，所以所述方法將接著檢查所有響應(yīng)特性，且在決策框940處將確定，在此階段，并非用于所有色彩的所有參數(shù)VA50+、VA50-、VR50+及VR50-均在范圍內(nèi)。所述方法將接著進(jìn)行到框942，且選擇新線及新響應(yīng)特性進(jìn)行檢查(例如，所述方法現(xiàn)在可選擇綠線)，且測試用于VA50+的當(dāng)前查找表值的準(zhǔn)確性。所述方法接著環(huán)回到框928，寫入圖像數(shù)據(jù)的另一幀，且針對新線及新響應(yīng)特性執(zhí)行所說明的測試協(xié)議。將重復(fù)此操作，直到用于所有色彩的所有響應(yīng)特性均已經(jīng)測量且在必要時更新。對于具有三個色彩及四個響應(yīng)特性VA50+、VA50-、VR50+及VR50-的顯示器，將存在選擇用于測試的線及響應(yīng)特性的總共十二次迭代。
此方法具有若干優(yōu)勢。對于寫入的圖像數(shù)據(jù)的每一幀，僅執(zhí)行一次測試，因此其非?？?通常，小于2ms)，且不對用戶可見。當(dāng)用戶正使用顯示器且其正按(例如)每秒15個幀更新時，可與每一幀更新一起執(zhí)行用于一條線的一個響應(yīng)特性的測試，而不影響顯示器的使用或外觀。此外，因為查找表最初填充有至少近似準(zhǔn)確值且正用新值連續(xù)更新，所以通常僅需要與維護模式例程的每一執(zhí)行一起進(jìn)行小的校正。此加速所述過程，且消除與每一測試一起執(zhí)行對正確值的二元搜索的需要。
圖16的過程可按多種方式修改。舉例來說，可在每一測試之間寫入若干圖像。所述方法還可與維護模式例程的每一執(zhí)行一起檢查所有色彩的所有響應(yīng)特性，而非如果第一值檢查為準(zhǔn)確則退出例程。所述方法還可與維護模式例程的一些執(zhí)行一起檢查色彩及響應(yīng)特性的一半或任何其它部分，且在維護模式例程的其它執(zhí)行中檢查其它部分。作為另一修改，查找表可隨溫度變化存儲驅(qū)動方案電壓自身，且系統(tǒng)可基于測試信息重新計算這些值以用于更新查找表。
圖17A及17B展示說明包括多個干涉調(diào)制器的顯示裝置40的系統(tǒng)框圖的實例。顯示裝置40可為(例如)蜂窩式電話或移動電話。然而，顯示裝置40的相同組件或其輕微變化還說明各種類型的顯示裝置，例如，電視、電子閱讀器及便攜型媒體播放器。
顯示裝置40包括外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入裝置48及麥克風(fēng)46?？捎啥喾N制造過程(包括射出模制及真空成型)中的任一者形成外殼41。此外，外殼41可由多種材料中的任一材料制成，包括(但不限于):塑料、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷，或其組合。外殼41可包括可與不同色彩或含有不同標(biāo)志、圖片或符號的其它可移除部分互換的可移除部分(未圖示)。
顯示器30可為多種顯示器中的任一者，包括如本文中所描述的雙穩(wěn)態(tài)或模擬顯示器。顯示器30還可經(jīng)配置以包括平板顯示器，例如，等離子、EL、OLED, STN IXD或TFTIXD，或非平板顯示器，例如，CRT或其它管式裝置。此外，顯示器30可包括如本文中描述的干涉調(diào)制器顯示器。
顯示裝置40的組件示意性說明于圖17B中。顯示裝置40包括外殼41，且可包括至少部分圍封于其中的額外組件。舉例來說，顯示裝置40包括網(wǎng)絡(luò)接口 27，所述網(wǎng)絡(luò)接口27包括耦合到收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接到處理器21，處理器21連接到調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號(例如，對信號進(jìn)行濾波)。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚聲器45及麥克風(fēng)46。處理器21還連接到輸入裝置48及驅(qū)動器控制器29。驅(qū)動器控制器29耦合到幀緩沖器28且耦合到陣列驅(qū)動器22，陣列驅(qū)動器22又耦合到顯示陣列30。電力供應(yīng)器50可按特定顯示裝置40設(shè)計的要求將電力提供到所有組件。
網(wǎng)絡(luò)接口 27包括天線43及收發(fā)器47，使得顯示裝置40可在網(wǎng)絡(luò)上與一個或一個以上裝置通信。網(wǎng)絡(luò)接口 27還可具有減輕(例如)處理器21的數(shù)據(jù)處理要求的一些處理能力。天線43可發(fā)射及接收信號。在一些實施方案中，天線43根據(jù)IEEE16.11標(biāo)準(zhǔn)(包括IEEE16.11(a)、(b)或(g))或 IEEE802.11 標(biāo)準(zhǔn)(包括 IEEE802.lla、b、g 或 η)發(fā)射及接收RF信號。在一些其它實施方案中，天線43根據(jù)藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射及接收RF信號。在蜂窩式電話的情況下，天線43經(jīng)設(shè)計以接收碼分多址(CDMA)、頻分多址(FDMA)、時分多址(TDMA)、全球移動通信系統(tǒng)(GSM)、GSM/通用分組無線電服務(wù)(GPRS)、增強型數(shù)據(jù)GSM環(huán)境(EDGE)、陸地干線無線電(TETRA)、寬帶CDMA(W-CDMA)、演進(jìn)數(shù)據(jù)最佳化(EV-D0)、IxEV-DO、EV_D0 RevA,EV-DO Rev B、高速分組接入(HSPA)、高速下行鏈路分組接入(HSDPA)、高速上行鏈路分組接入(HSUPA)、演進(jìn)型高速分組接入(HSPA+)、長期演進(jìn)(LTE)、AMPS或用以在無線網(wǎng)絡(luò)(例如，利用3G或4G技術(shù)的系統(tǒng))內(nèi)傳達(dá)的其它已知信號。收發(fā)器47可預(yù)處理從天線43接收的信號，使得所述信號可由處理器21接收且由處理器21進(jìn)一步操縱。收發(fā)器47還可處理從處理器21接收的信號，使得可將所述信號經(jīng)由天線43從顯示裝置40發(fā)射。
在一些實施方案中，收發(fā)器47可由接收器取代。此外，網(wǎng)絡(luò)接口 27可由可存儲或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)的圖像源取代。處理器21可控制顯示裝置40的總體操作。處理器21接收數(shù)據(jù)(例如，來自網(wǎng)絡(luò)接口 27或圖像源的經(jīng)壓縮的圖像數(shù)據(jù))，且將數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成易于處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21可將經(jīng)處理的數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動器控制器29或發(fā)送到幀緩沖器28以供存儲。原始數(shù)據(jù)通常指識別一圖像內(nèi)每一位置處的圖像特性的信息。舉例來說，這些圖像特性可包括色彩、飽和度及灰度階。
處理器21可包括微控制器、CPU或邏輯單元來控制顯示裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬件52可包括用于將信號發(fā)射到揚聲器45及用于從麥克風(fēng)46接收信號的放大器及濾波器。調(diào)節(jié)硬件52可為在顯示裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入于處理器21或其它組件內(nèi)。
驅(qū)動器控制器29可直接從處理器21或從幀緩沖器28取得由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，且可適當(dāng)?shù)刂匦赂袷交鲈紙D像數(shù)據(jù)以用于高速發(fā)射到陣列驅(qū)動器22。在一些實施方案中，驅(qū)動器控制器29可將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化為具有光柵狀格式的數(shù)據(jù)流，使得其具有適合于在顯示陣列30上掃描的時間次序。接著，驅(qū)動器控制器29將經(jīng)格式化的信息發(fā)送到陣列驅(qū)動器22。雖然例如LCD控制器的驅(qū)動器控制器29常作為獨立集成電路(IC)與系統(tǒng)處理器21相關(guān)聯(lián)，但可以用許多方式實施這些控制器。舉例來說，控制器可作為硬件嵌入處理器21中、作為軟件嵌入處理器21中，或以硬件與陣列驅(qū)動器22完全集成。
陣列驅(qū)動器22可從驅(qū)動器控制器29接收經(jīng)格式化的信息，并可將視頻數(shù)據(jù)重新格式化為一組平行的波形，所述組波形被每秒許多次地施加到來自顯示器的χ-y像素矩陣的數(shù)百且有時數(shù)千個(或更多)引線。
在一些實施方案中，驅(qū)動器控制器29、陣列驅(qū)動器22及顯示陣列30對于本文所描述的任何類型顯示器均為適當(dāng)?shù)?。舉例來說，驅(qū)動器控制器29可為常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如，IMOD控制器)。另外，陣列驅(qū)動器22可為常規(guī)驅(qū)動器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅(qū)動器(例如，IMOD顯示器驅(qū)動器)。此外，顯示陣列30可為常規(guī)顯示陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示陣列(例如，包括IMOD的陣列的顯示器)。在一些實施方案中，驅(qū)動器控制器29可與陣列驅(qū)動器22集成。此實施方案在例如蜂窩式電話、腕表及其它小面積顯示器的高度集成系統(tǒng)中是常見的。
在一些實施方案中，輸入裝置48可經(jīng)配置以允許(例如)用戶控制顯示裝置40的操作。輸入裝置48可包括小鍵盤(例如，QWERTY鍵盤或電話小鍵盤)、按鈕、開關(guān)、游戲桿、觸敏式屏幕或壓敏或熱敏膜。麥克風(fēng)46可配置為用于顯示裝置40的輸入裝置。在一些實施方案中，經(jīng)由麥克風(fēng)46的語音命令可用于控制顯示裝置40的操作。
電力供應(yīng)器50可包括如此項技術(shù)中眾所周知的多種能量存儲裝置。舉例來說，電力供應(yīng)器50可為可再充電電池，例如，鎳鎘電池或鋰離子電池。電力供應(yīng)器50也可為再生能源、電容器或太陽能電池(包括塑料太陽能電池或太陽能電池漆)。電力供應(yīng)器50還可經(jīng)配置以從壁式插座接收電力。
在一些實施方案中，控制可編程性駐留于可位于電子顯示系統(tǒng)中的若干處的驅(qū)動器控制器29中。在一些其它實施方案中，控制可編程性駐留于陣列驅(qū)動器22中?？稍谌魏螖?shù)目個硬件及/或軟件組件中且可以各種配置實施上述最佳化。
可將結(jié)合本文中所揭示的實施方案而描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊、電路及算法步驟實施為電子硬件、計算機軟件或兩者的組合。硬件與軟件的可互換性已經(jīng)大體按功能性描述，且說明于上述各種說明性組件、塊、模塊、電路及步驟中。將此功能性實施于硬件還是軟件中視特定應(yīng)用及外加于整個系統(tǒng)上的設(shè)計約束而定。
用以實施結(jié)合本文中所揭示的方面而描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊及電路的硬件及數(shù)據(jù)處理設(shè)備可通過通用單芯片或多芯片處理器、數(shù)字信號處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或經(jīng)設(shè)計以執(zhí)行本文中所描述的功能的其它可編程邏輯裝置、離散門或晶體管邏輯、離散硬件組件或其任何組合來實施或執(zhí)行。通用處理器可為微處理器，或任何常規(guī)處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機。處理器也可實施為計算裝置的組合，例如，一 DSP與一微處理器的組合、多個微處理器、結(jié)合一 DSP核心的一個或一個以上微處理器或任何其它此配置。在一些實施方案中，特定步驟及方法可由專門用于給定功能的電路執(zhí)行。
在一個或一個以上方面中，所描述的功能可實施于硬件、數(shù)字電子電路、計算機軟件、固件(包括在此說明書中揭示的結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)等效物)或其任何組合中。此說明書中描述的標(biāo)的物的實施方案也可實施為在計算機存儲媒體上編碼的一個或一個以上計算機程序(即，計算機程序指令的一個或一個以上模塊)以用于由數(shù)據(jù)處理設(shè)備執(zhí)行或控制數(shù)據(jù)處理設(shè)備的操作。
如果實施于軟件中，則可將所述功能作為一個或一個以上指令或代碼而存儲于計算機可讀媒體上或經(jīng)由計算機可讀媒體來傳輸。本文中揭示的方法或算法的步驟可實施于可駐留于計算機可讀媒體上的處理器可執(zhí)行軟件模塊中。計算機可讀媒體包括計算機存儲媒體及通信媒體(包括可經(jīng)啟用以將計算機程序從一位置傳送到另一位置的任何媒體)兩者。存儲媒體可為可由計算機存取的任何可用媒體。作為實例而非限制，這些計算機可讀媒體可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盤存儲裝置、磁盤存儲裝置或其它磁性存儲裝置或可用于以指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的形式存儲所要程序代碼且可由計算機存取的任何其它媒體。又，可將任何連接適當(dāng)?shù)胤Q為計算機可讀媒體。如本文中所使用，磁盤及光盤包括壓縮光盤(CD)、激光光盤、光盤、數(shù)字多功能光盤(DVD)、軟性磁盤及藍(lán)光光盤，其中磁盤通常以磁性方式再現(xiàn)數(shù)據(jù)，而光盤通過激光以光學(xué)方式再現(xiàn)數(shù)據(jù)。以上各者的組合也應(yīng)包括于計算機可讀媒體的范疇內(nèi)。另外，方法或算法的操作可作為代碼及指令的一個或任何組合或集合而駐留于機器可讀媒體及計算機可讀媒體上，可將機器可讀媒體及計算機可讀媒體并入到計算機程序產(chǎn)品中。
本發(fā)明中描述的實施方案的各種修改對所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可易于顯而易見，且本文中界定的一般原理可在不脫離本發(fā)明的精神或范疇的情況下應(yīng)用于其它實施方案。因此，權(quán)利要求書并不意圖限于本文中所展示的實施方案，而應(yīng)被賦予與本文中揭示的本發(fā)明、原理及新穎特征相一致的最廣泛范疇。詞“示范性”在本文中專用以意謂“充當(dāng)實例、例子或說明”。本文中描述為“示范性”的任何實施方案未必應(yīng)看作比其它實施方案優(yōu)選或有利。另外，一般所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于了解，術(shù)語“上部”及“下部”有時為了易于描述圖而使用，且指示對應(yīng)于在適當(dāng)定向的頁上的圖的定向的相對位置，且可能不反映如所實施的IMOD的適當(dāng)定向。
在此說明書中在單獨實施方案的上下文中所述的某些特征也可在單一實施方案中以組合實施。相反，在單一實施方案的上下文中描述的各種特征也可單獨地在多個實施方案中或以任何合適的子組合而實施。此外，盡管可在上文將特征描述為以某些組合起作用且即使最初主張如此，但來自所主張組合的一個或一個以上特征在一些情況下可從組合刪除，且所主張的組合可能是針對子組合或子組合的變化形式。
類似地，雖然按特定次序在圖式中描繪了操作，但不應(yīng)將此理解為需要按展示的特定次序或按依序次序執(zhí)行這些操作或執(zhí)行所有所說明的操作來實現(xiàn)理想結(jié)果。另外，圖式可按流程圖的形式示意性地描繪一個或一個以上實例過程。然而，未描繪的其它操作可并入于示意性說明的實例過程中。舉例來說，可在所說明的操作中的任一者前、后、同時或之間執(zhí)行一個或一個以上額外操作。在某些情況下，多任務(wù)及并行處理可為有利的。此外，不應(yīng)將在上述實施方案中的各種系統(tǒng)組件的分開理解為在所有實施方案中均需要此分開，且應(yīng)理解，所描述的程序組件及系統(tǒng)可通常在單一軟件產(chǎn)品中集成在一起或被封裝到多個軟件產(chǎn)品內(nèi)。另外，其它實施方案處于所附權(quán)利要求書的范疇內(nèi)。在一些情況下，權(quán)利要求書中引述的動作可以用不同次序執(zhí)行且仍實現(xiàn)理想結(jié)果。
權(quán)利要求
1.一種校準(zhǔn)機電元件陣列的方法，所述方法包含: 使用一組選定驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述元件陣列； 至少部分基于所述陣列的第一子集的測量來確定第一驅(qū)動響應(yīng)特性； 至少部分基于所述確定的第一驅(qū)動響應(yīng)特性來確定用于所述陣列的第一更新的驅(qū)動方案電壓； 使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述元件陣列； 至少部分基于所述陣列的第二子集的測量來確定第二驅(qū)動響應(yīng)特性； 至少部分基于所述確定的第二驅(qū)動響應(yīng)特性來確定用于所述陣列的第二更新的驅(qū)動方案電壓；及 使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓及所述第二更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述元件陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一子集及所述第二子集與不同色彩相關(guān)聯(lián)，且其中所述第一驅(qū)動響應(yīng)特性與所述第二驅(qū)動響應(yīng)特性相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述組選定驅(qū)動方案電壓包括保持電壓及分段電壓，且其中驅(qū)動所述陣列包括將所述保持電壓及所述分段電壓兩者同時施加到所述陣列中的至少一個元件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述確定的第一驅(qū)動響應(yīng)特性為激活所述陣列的所述第一子集中的所述元件中的約百分之五十(50)時的電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括確定所述陣列的一個或一個以上代表性線，其中所述陣列的所述第一子集或所述第二子集包含所述一個或一個以上代表性線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述確定所述陣列的第一驅(qū)動響應(yīng)特性及第二驅(qū)動響應(yīng)特性、確定用于所述陣列的第一更新的驅(qū)動方案電壓及第二更新的驅(qū)動方案電壓及使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓及所述第二更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述陣列是在顯示器的壽命內(nèi)周期性地執(zhí)行。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括: (a)使用第一測試電壓確定所述陣列的一條線的驅(qū)動響應(yīng)特性； (b)至少部分基于所述線的所述驅(qū)動響應(yīng)特性，確定所述第一測試電壓是否適合于導(dǎo)出驅(qū)動電壓； (C)如果所述第一測試電壓不適合于導(dǎo)出驅(qū)動電壓，則將所述第一測試電壓更新第一量; (d)使用所述更新的第一測 試電壓確定所述陣列的所述線的第二驅(qū)動響應(yīng)特性； (e)至少部分基于所述驅(qū)動響應(yīng)特性，確定所述更新的第一測試電壓是否適合于導(dǎo)出驅(qū)動電壓； (f)如果所述更新的第一測試電壓不適合于導(dǎo)出驅(qū)動電壓，則再次將所述第一測試電壓更新第二量 '及 (g)重復(fù)步驟(d)、(e)及(f)，直到在步驟(e)處，所述更新的第一測試電壓適合為止。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其包含: (h)在所述更新的第一測試電壓于步驟(e)處適合后，選擇第二測試電壓； (i)使用所述第二測試電壓確定所述陣列的一條線的第三驅(qū)動響應(yīng)特性；(j)至少部分基于所述第三驅(qū)動響應(yīng)特性確定所述第二測試電壓是否適合； (k)如果所述第二測試電壓不適合，則將所述第二測試電壓更新第三量； (I)使用所述更新的第二測試電壓確定所述陣列的所述線的第四驅(qū)動響應(yīng)特性； (m)至少部分基于所述第四驅(qū)動響應(yīng)特性確定所述更新的第二測試電壓是否適合； (η)如果所述更新的第二測試電壓不適合，則再次將所述第二測試電壓更新第四量；及 (ο)重復(fù)步驟(l)、(m)及(η)，直到在步驟(m)處，所述更新的第二測試電壓適合為止。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述陣列為顯示元件陣列，且在步驟(a)及(d)前將圖像數(shù)據(jù)寫入到所述陣列。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述陣列為顯示元件陣列，且在步驟(a)、(d)、(i)及(1)前將圖像數(shù)據(jù)寫入到所述陣列。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其包括針對第三測試電壓到第十二測試電壓重復(fù)步驟(h)到(O)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其包括更新含有使驅(qū)動響應(yīng)特性或驅(qū)動方案電壓與溫度有關(guān)的信息的查找表。
13.一種用于校準(zhǔn)驅(qū)動方案電壓的設(shè)備，所述系統(tǒng)包含: 元件陣列； 元件狀態(tài)感測電路；及 驅(qū)動器及處理器電路，其經(jīng)配置以: 使用一組選定驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述陣列； 至少部分基于所述陣列的子集的測量來確定所述陣列的第一驅(qū)動響應(yīng)特性； 至少部分基于所述確定的第一驅(qū)動響應(yīng)特性來確定用于所述陣列的第一更新的驅(qū)動方案電壓； 使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述陣列； 至少部分基于所述陣列的子集的測量來確定所述陣列的第二驅(qū)動響應(yīng)特性； 至少部分基于所述確定的第二驅(qū)動響應(yīng)特性來確定用于所述陣列的第二更新的驅(qū)動方案電壓；及 使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓及所述第二更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述陣列。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其包括溫度傳感器。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其包括查找表，所述查找表含有使驅(qū)動響應(yīng)特性或驅(qū)動方案電壓與溫度有關(guān)的信息。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含: 顯示器，其由所述元件陣列形成； 處理器，其經(jīng)配置以與所述顯示器通信，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；及 存儲器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器通信。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含: 驅(qū)動器電路，其經(jīng)配置以將至少一個信號發(fā)送到所述顯示器；及 控制器，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述驅(qū)動器電路。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含:圖像源模塊，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中所述圖像源模塊包括接收器、收發(fā)器及發(fā)射器中的至少一者。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含: 輸入裝置，其經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)且將所述輸入數(shù)據(jù)傳達(dá)到所述處理器。
21.一種用于校準(zhǔn)顯示器的設(shè)備，所述設(shè)備包含: 一元件陣列； 用于感測元件狀態(tài)的裝置； 用于至少部分基于所述陣列的第一子集的測量來確定所述陣列的第一驅(qū)動響應(yīng)特性的裝置； 用于至少部分基于所述確定的第一驅(qū)動響應(yīng)特性來確定用于所述陣列的第一更新的驅(qū)動方案電壓的裝置； 用于使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述陣列的裝置； 用于至少部分基于所述陣列的第二子集的測量來確定所述陣列的第二驅(qū)動響應(yīng)特性的裝置； 用于至少部分基于所述確定的第二驅(qū)動響應(yīng)特性來確定用于所述陣列的第二更新的驅(qū)動方案電壓的裝置；及 用于使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓及所述第二更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述陣列的裝置。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其包括用于測量溫度的裝置。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的設(shè)備，其包括用于存儲及檢索使驅(qū)動響應(yīng)特性或驅(qū)動方案電壓與溫度有關(guān)的信息的裝置。
24.一種非暫時性有形計算機可讀媒體，其具有存儲于其上的使驅(qū)動器電路執(zhí)行校準(zhǔn)一陣列的方法的指令，所述方法包括: 使用一組選定驅(qū)動 方案電壓驅(qū)動所述陣列； 至少部分基于所述陣列的第一子集的測量來確定所述陣列的第一驅(qū)動響應(yīng)特性； 至少部分基于所述確定的第一驅(qū)動響應(yīng)特性來確定用于所述陣列的第一更新的驅(qū)動方案電壓； 使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述陣列； 至少部分基于所述陣列的第二子集的測量來確定所述陣列的第二驅(qū)動響應(yīng)特性； 至少部分基于所述確定的第二驅(qū)動響應(yīng)特性來確定用于所述陣列的第二更新的驅(qū)動方案電壓；及 使用所述第一更新的驅(qū)動方案電壓及所述第二更新的驅(qū)動方案電壓驅(qū)動所述陣列。
全文摘要
本發(fā)明提供用于校準(zhǔn)顯示陣列的包括在計算機存儲媒體上編碼的計算機程序的系統(tǒng)、方法及設(shè)備。在一個方面中，一種校準(zhǔn)顯示陣列的方法包括確定特定驅(qū)動響應(yīng)特性及在所述顯示陣列上的圖像數(shù)據(jù)的更新之間更新特定驅(qū)動方案電壓。
文檔編號G02B26/00GK103140886SQ201180047755
公開日2013年6月5日 申請日期2011年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月3日
發(fā)明者威廉默斯·約翰內(nèi)斯·羅伯特斯·范利爾, 艾倫·劉易斯, 庫羅什·阿弗拉托尼, 巴莫德·瓦爾馬, 拉梅什·庫馬爾·戈埃爾, 菅原奈央 申請人:高通Mems科技公司