專利名稱：一種液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種液晶顯示裝置技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實用新型涉及顯示裝置領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶顯示裝置。
技術(shù)背景[0002]信息化社會越來越需要輕薄便攜式的顯示設(shè)備，而當前最成熟的產(chǎn)品就是液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display, IXD) 了。IXD通常包括用于顯示畫面的液晶顯示面板和用于向液晶顯示面板提供信號的電路部份。該液晶顯示面板通常包括第一基板和第二基板，它們通過框膠彼此粘接并由間隙隔開，而液晶材料注入到第一基板和第二基板之間的間隙中。[0003]所述第一基板例如為薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)陣列基板，其上面形成有多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，其中多條柵極線相互平行且以固定的間隔彼此分開，并沿著第一方向延伸，而多條數(shù)據(jù)線也相互平行且以固定的間隔彼此分開，并沿著基本上垂直于第一方向的第二方向延伸；所述TFT陣列基板上還包括通過所述柵極線和數(shù)據(jù)線的相互交叉限定出的多個像素區(qū)域，設(shè)置在每個像素區(qū)域中的多個像素電極，以及與像素電極連接的薄膜晶體管(TFT)；所述TFT能夠響應(yīng)提供給相應(yīng)的每條柵極線的信號而將來自相應(yīng)的數(shù)據(jù)線的信號發(fā)送給對應(yīng)的每個像素電極，進而控制液晶分子的轉(zhuǎn)向。[0004]目前較為主流的制造液晶顯示裝置的技術(shù)，其制造過程為[0005]步驟1、提供第一基板1，在所述基板上形成柵極2，所述柵極2是經(jīng)淀積晶體硅層后，經(jīng)過光刻和刻蝕等步驟形成；[0006]步驟2、在所述柵極2上形成硅島層，經(jīng)過光刻和刻蝕等步驟在所述硅島層上形成娃島3 ；[0007]步驟3、在硅島3所在的硅島層上形成第一電極層，經(jīng)過光刻和刻蝕等步驟在第一電極層上形成像素電極4;[0008]步驟4、在硅島3和像素電極4上形成數(shù)據(jù)線層，經(jīng)過光刻和刻蝕等步驟形成數(shù)據(jù)線5;[0009]步驟5、在所述像素電極4和數(shù)據(jù)線5的表面上形成保護層6 ；[0010]步驟6、在保護層6表面上形成第二電極層，經(jīng)過光刻和刻蝕等步驟在所述第二電極層上形成共同電極7，共同電極7與像素電極4以及兩者之間的保護層6構(gòu)成存儲電容；[0011]步驟7、提供第二基板8，所述第二基板包括黑色矩陣9和油墨層10，將洗凈后的第一基板1和第二基板2涂布上配向膜溶液，并摩擦走向，然后注入液晶11，進行裁切斷片后再將第一基板1和第二基板2封合，得到液晶顯示裝置(如圖1所示)。[0012]但是，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，傳統(tǒng)方法生產(chǎn)得到的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)會使顯示裝置出現(xiàn)顯示均勻度和開口率較低以及顯示出現(xiàn)斜紋的情況，最終產(chǎn)品的生產(chǎn)良率較低。實用新型內(nèi)容[0013]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型實施例提供了一種液晶顯示裝置，提高了顯示3均勻度和開口率，避免了斜紋的出現(xiàn)，提高了產(chǎn)品良率。[0014]本實用新型實施例提供了如下技術(shù)方案[0015]一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括[0016]第一基板，所述第一基板上包括保護層；[0017]位于所述保護層表面上的圖形化平坦層。[0018]優(yōu)選的，所述圖形化平坦層的制作材料為有機樹脂。[0019]優(yōu)選的，所述有機樹脂具有高透過率的特性。[0020]優(yōu)選的，所述圖形化平坦層的厚度為1 μ m-2. 5 μ m。[0021]優(yōu)選的，所述第一基板還包括[0022]設(shè)置在第一基板上的柵極和存儲電容區(qū)；[0023]覆蓋在所述柵極和所述存儲電容區(qū)上的硅島層，形成在所述硅島層上形成硅島；[0024]覆蓋在所述硅島上的數(shù)據(jù)線；[0025]覆蓋在所述數(shù)據(jù)線和硅島所在的硅島層上的保護層。[0026]優(yōu)選的，還包括位于所述所述圖形化平坦層表面上的像素電極和共同電極。[0027]優(yōu)選的，所述共同電極和像素電極的制作材料相同。[0028]優(yōu)選的，所述共同電極和像素電極的制作材料為氧化銦錫。[0029]優(yōu)選的，所述共同電極和像素電極是在同一光刻步驟中形成的。[0030]優(yōu)選的，此液晶顯示裝置還包括[0031]第二基板，所述第二基板包括油墨層和黑色矩陣；[0032]位于所述第一基板和第二基板之間的液晶層。[0033]與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點[0034]本實用新型實施例所提供的技術(shù)方案，在原有第一基板上增加了圖形化平坦層， 使得第一基板表面更加平整，后續(xù)形成的配向膜也會更加平整，繼而在摩擦走向的時候可以得到較好的配向凹槽，即配向凹槽的深度會更趨于一致、表面態(tài)也會更加相同，如此，第一基板和第二基板之間的液晶所處的環(huán)境便會一樣，其初始形態(tài)也會盡可能的保持一致。 由此方法生產(chǎn)出來的液晶顯示裝置避免了斜紋的出現(xiàn)，而且顯示均勻度與開口率也有所提高，最終生產(chǎn)良率也會有所提高。


[0035]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。[0036]圖1為現(xiàn)有的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0037]圖2為本實用新型液晶顯示裝置實施例一的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0038]圖3為本實用新型液晶顯示裝置實施例二的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
具體實施方式
[0039]正如背景技術(shù)部分所述，現(xiàn)有技術(shù)下，實際生產(chǎn)的液晶顯示裝置會出現(xiàn)顯示均勻度和開口率較低以及顯示斜紋的情況，最終產(chǎn)品的良率較低。[0040]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于第一基板表面不夠平整，使得之后在第一基板上形成的配向膜表面也不夠平整，在摩擦走向時形成的配向凹槽深度不一致、表面態(tài)也不相同。配向凹槽深度不一致、表面態(tài)不相同又會使處于配向凹槽內(nèi)的液晶初始狀態(tài)不一致，而液晶初始狀態(tài)不一致又會導致顯示裝置的顯示出現(xiàn)斜紋、顯示均勻度和開口率較低的情況出現(xiàn)，最終會造成產(chǎn)品的良率較低。[0041]基于上述研究的基礎(chǔ)上，本實用新型實施例提供了一種液晶顯示裝置，該裝置包括[0042]第一基板，所述第一基板上包括保護層；[0043]位于所述保護層表面上的圖形化平坦層。[0044]以上是本申請的核心思想，下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。[0045]在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本實用新型，但是本實用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本實用新型不受下面公開的具體實施例的限制。[0046]其次，本實用新型結(jié)合示意圖進行詳細描述，在詳述本實用新型實施例時，為便于說明，表示裝置件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本實用新型保護的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。[0047]實施例一[0048]本實用新型實施例提供了一種液晶顯示裝置，剖面圖如圖2所示，包括[0049]第一基板101，所述第一基板101可以為玻璃基板或其它材料的基板；[0050]第一基板101上包括保護層106 ；[0051]位于所述保護層106表面上的圖形化平坦層107，所述圖形化平坦層107的厚度為 1 μ m-2. 5 μ m，本實施例優(yōu)選為2 μ m，制作材料為具有高透過率特性的有機樹脂。[0052]第一基板101上還包括[0053]設(shè)置在第一基板101上的柵極102和存儲電容區(qū)103 ；[0054]覆蓋在所述柵極102和所述存儲電容區(qū)103上的硅島層，在硅島層上有硅島104 ；[0055]覆蓋在所述硅島104上的數(shù)據(jù)線105 ；[0056]覆蓋在所述數(shù)據(jù)線105和硅島104所在的硅島層上的保護層106 ；[0057]圖形化平坦層107覆蓋在保護層106表面上，圖形化平坦層107的存在可以使得第一基板101的表面更加平整。[0058]下面將結(jié)合上述裝置對其制作方法加以說明[0059]首先，提供第一基板101，再在第一基板101上形成柵極102和存儲電容區(qū)103。[0060]所述柵極102和存儲電容區(qū)103的形成方式與現(xiàn)有技術(shù)類似，采用化學氣相淀積方式形成柵極層，即將第一基板放入反應(yīng)腔中，氣體先驅(qū)物傳輸?shù)降谝换灞砻孢M行吸附作用和反應(yīng)，然后將反應(yīng)的副產(chǎn)物移除，得到柵極層。但是柵極層的形成并不僅限于化學氣相淀積方式，還可以利用物理氣相淀積等方式形成，在此不做詳細描述。[0061]然后在所述柵極層上旋涂光刻膠，形成光刻膠層，利用具有柵極圖形和存儲電容區(qū)圖形的掩模版進行光刻，顯影后，在光刻膠層表面上形成柵極圖案和存儲電容區(qū)圖案，采用刻蝕工藝去除柵極圖案和存儲電容區(qū)圖案區(qū)域內(nèi)的光刻膠，在光刻膠層上形成柵極圖形和存儲電容區(qū)圖形，以具有柵極圖形和存儲電容區(qū)圖形的光刻膠層為掩膜，經(jīng)干法刻蝕或濕法腐蝕等刻蝕工藝在柵極層上形成柵極102和存儲電容區(qū)103。[0062]本實施例中所述“柵極圖案”為在光刻膠層表面上的二維的柵極區(qū)圖案，圖案區(qū)域只限于光刻膠層表面而不向表面下延伸，不具有立體形狀；所述“柵極圖形”為具有立體形狀的三維圖形，該圖形的厚度為光刻膠層的厚度。[0063]在柵極102和存儲電容區(qū)103表面上形成硅島104，形成硅島104的方式有多種， 具體過程為采用低壓化學氣相淀積工藝形成硅島層，或采用物理氣相淀積等方式形成硅島層，本實施例中選擇前者，即采用低壓化學氣相淀積的方式形成硅島層，再經(jīng)光刻和刻蝕等步驟形成硅島104。[0064]在所述硅島104表面上形成數(shù)據(jù)線105，所述數(shù)據(jù)線105的形成具體過程為在硅島104上淀積數(shù)據(jù)線層，所述數(shù)據(jù)線層的制作材料為鉬，然后通過光刻和刻蝕等工藝形成數(shù)據(jù)線105。[0065]形成保護層106，所述保護層106覆蓋在數(shù)據(jù)線105和硅島104所在的硅島層上。[0066]在保護層106上形成圖形化平坦層107，形成圖形化平坦層107的過程具體包括 采用旋涂工藝在保護層106表面上涂布有機樹脂，形成有機樹脂層，再利用光刻和刻蝕工藝在所述有機樹脂層上形成過孔，得到圖形化平坦層107。此外，還可以利用刮涂工藝形成有機樹脂層，可是旋涂工藝得到的有機樹脂層表面更加平整，所以本實施例中為了取得更好的效果，采用旋涂工藝形成有機樹脂層，進而得到圖形化平坦層107。[0067]圖形化平坦層107的存在可以使得第一基板的表面更加平整，后續(xù)形成的配向膜也會更加平整，繼而形成較好的配向凹槽，即深度會更趨于一致、表面態(tài)也會更加相同，如此，液晶的初始形態(tài)可以盡可能的保持一致。由此方法生產(chǎn)出來的液晶顯示裝置避免了斜紋的出現(xiàn)，而且顯示均勻度與開口率也有所提高，最終提高了生產(chǎn)良率。[0068]實施例二 [0069]如圖3所示，本實施例在實施例一的基礎(chǔ)上，在圖形化平坦層107表面上還設(shè)置有像素電極108和共同電極109，像素電極和共同電極的制作材料相同，優(yōu)選為氧化銦錫，；[0070]與第一基板101相對設(shè)置的第二基板110，所述第二基板包括黑色矩陣111和油墨層112，第二基板110與第一基板101通過框膠粘接在一起，由間隙隔開；[0071]填充在第一基板101和第二基板110的間隙中的液晶層113，本實施例選用的液晶層的液晶為扭曲向列(Twisted Nematic, TN)型液晶。[0072]下面將結(jié)合上述裝置對其制作方法加以說明[0073]在圖形化平坦層107表面上形成像素電極108和共同電極109，具體為在圖形化平坦層107表面上形成電極層，采用一張具有像素電極圖形和共同電極圖形的掩模版，經(jīng)過一道光刻工藝，在電極層上進行刻蝕，形成像素電極108和共同電極109。由于增加了存儲電容區(qū)103，所以像素電極108與存儲電容區(qū)103以及二者之間的保護層106和硅島104 所在的硅島層構(gòu)成存儲電容，像素電極108與存儲電容區(qū)103為所述存儲電容的兩個極板，保護層106和硅島104所在的硅島層為存儲電容兩極板間的介質(zhì)，所以像素電極108和共同電極109可以都設(shè)置在圖形化平坦處107表面上，并且存儲電容區(qū)103是和柵極102在一次光刻過程中同時形成的，不會增加額外的光刻過程，而本實施例中像素電極108和共同電極109經(jīng)過一道光刻工藝同時形成，所以本實施例形成像素電極108和共同電極109 步驟較傳統(tǒng)工藝要節(jié)省了一次光刻過程和一塊掩模版。[0074]提供第二基板110，所述第二基板包括黑色矩陣111和油墨層112。[0075]將洗凈后的第一基板101和第二基板109涂布上配向膜溶液，形成配向膜，并在配向膜上摩擦走向，形成配向凹槽，然后在第一基板101四周涂上封框膠，并散布間隔物于其上作支撐點，再將第一基板101和第二基板109組合，以封框膠封合形成空的盒，將此空的盒基板裁切斷、裂片、取得最終顯示裝置產(chǎn)品所需的尺寸，檢查后，以真空方式注入液晶材料并加以封合，液晶材料以所述配向凹槽為基準確定初始狀態(tài)；此外，還可以先注入液晶， 進行裁切斷片后再封合。[0076]本實施例需要增加一次光刻過程在有機樹脂層上做出過孔，形成圖形化平坦層 107，然而在形成像素電極108和共同電極109的時候又比傳統(tǒng)工藝節(jié)省一次光刻過程，所以本實施例可以改善液晶顯示裝置的顯示性能和生產(chǎn)良率別且不會增加光刻次數(shù)，可以保持生產(chǎn)速度。[0077]本說明書中各個部分采用遞進的方式描述，每個部分重點說明的都是與其他部分的不同之處，各個部分之間相同相似部分互相參見即可。[0078]對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。權(quán)利要求1.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括 第一基板，所述第一基板上包括保護層； 位于所述保護層表面上的圖形化平坦層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述液晶顯示裝置，其特征在于，所述圖形化平坦層的制作材料為有機樹脂。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述液晶顯示裝置，其特征在于，所述有機樹脂具有高透過率的特性。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述液晶顯示裝置，其特征在于，所述圖形化平坦層的厚度為 1 μ m-2. 5 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一基板還包括 設(shè)置在第一基板上的柵極和存儲電容區(qū)；覆蓋在所述柵極和所述存儲電容區(qū)上的硅島層，形成在所述硅島層上形成硅島；覆蓋在所述硅島上的數(shù)據(jù)線；覆蓋在所述數(shù)據(jù)線和硅島所在的硅島層上的保護層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述液晶顯示裝置，其特征在于，還包括位于所述所述圖形化平坦層表面上的像素電極和共同電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述液晶顯示裝置，其特征在于，所述共同電極和像素電極的制作材料相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述液晶顯示裝置，其特征在于，所述共同電極和像素電極的制作材料為氧化銦錫。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述液晶顯示裝置，其特征在于，所述共同電極和像素電極是在同一光刻步驟中形成的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述液晶顯示裝置，其特征在于，還包括 第二基板，所述第二基板包括油墨層和黑色矩陣；位于所述第一基板和第二基板之間的液晶層。
專利摘要本實用新型實施例公開了一種液晶顯示裝置，包括第一基板，所述第一基板上包括保護層；位于所述保護層表面上的圖形化平坦層。本實用新型實施例所提供的技術(shù)方案，在原有液晶顯示裝置第一基板上增加了圖形化平坦層，這種具有圖形化平坦層的液晶顯示裝置避免了顯示時斜紋的出現(xiàn)，而且顯示均勻度與開口率也有所提高，最終此液晶顯示裝置的生產(chǎn)良率也有所提高。
文檔編號G02F1/1337GK202256955SQ201120286388
公開日2012年5月30日 申請日期2011年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月8日
發(fā)明者李建華, 李林, 洪勝寶, 王雨寧, 胡君文, 謝凡 申請人:信利半導體有限公司