專利名稱：一種tft液晶顯示器返修制程中的光刻膠剝離方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及TFT液晶顯示器制作技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說是涉及一種TFT液晶顯示器返修制程中的光刻膠剝離方法。
背景技術(shù)：
在TFTCThin Film Transistor，薄膜場效應(yīng)晶體管)液晶顯示器的制作過程中，光刻是很重要的工藝環(huán)節(jié)，通過光刻工藝可以將掩膜版上的圖形復(fù)制到基板上，用以形成液晶顯示器的陣列基板。光刻工藝通常包括清洗烘干、涂底、涂覆光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工藝制程。TFT液晶顯示器的實(shí)際生產(chǎn)過程中，光刻工藝中通常會(huì)由于線寬超標(biāo)、顯影過度、 對位不準(zhǔn)確等原因而使得產(chǎn)品出現(xiàn)異常，因此需要進(jìn)行返修，在返修制程中需要將光刻膠剝離，然后再重新進(jìn)行光刻?，F(xiàn)有的TFT液晶顯示器返修制程中的光刻膠剝離方法通常采用的是濕法去膠的方式。但是隨著TFT液晶顯示器的發(fā)展，人們對其顯示效果的要求越來越高，特別是對于一些高端產(chǎn)品，如高PPI (Pixels Per Inch，每英寸像素?cái)?shù)目)的TFT液晶顯示器、寬視角TFT液晶顯示器等，即便在返修制程中，輕微的光刻膠殘留也會(huì)對后續(xù)工藝造成影響，從而最終影響產(chǎn)品的功能，而濕法去膠方式通常不能將光刻膠，特別是在光刻過程中進(jìn)行硬烘時(shí)被過烘的光刻膠，完全剝離干凈。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種TFT液晶顯示器返修制程中的光刻膠剝離方法，用以解決不能有效剝離光刻膠，而導(dǎo)致對后續(xù)工藝產(chǎn)生影響的技術(shù)問題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案—種TFT液晶顯示器返修制程中的光刻膠剝離方法，包括按照預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)，進(jìn)行干法去膠，剝離光刻膠表層部分；進(jìn)行濕法去膠，將剩余的光刻膠剝離。優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)包括刻蝕時(shí)間、氣體成分、氣體流量、真空度和射頻功率。優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)是根據(jù)干法刻蝕速率、光刻膠厚度以及底層膜材料設(shè)置的。優(yōu)選地，所述干法去膠具體為采用等離子化學(xué)反應(yīng)干法刻蝕法去膠。優(yōu)選地，所述干法去膠具體為采用等離子干法刻蝕法去膠。優(yōu)選地，所述光刻膠表層部分包括光刻膠過烘部分，所述光刻膠過烘部分包括光刻膠圖形邊緣區(qū)域的光刻膠和光刻膠圖形過孔區(qū)域的光刻膠。優(yōu)選地，所述進(jìn)行濕法去膠，將剩余光刻膠剝離具體為采用化學(xué)藥液濕法刻蝕，將剩余光刻膠剝離。
優(yōu)選地，所述化學(xué)藥液包括水系脫膜液或者溶劑系脫膜液。優(yōu)選地，所述將剩余光刻膠剝離后還包括清洗并重新涂覆光刻膠層，進(jìn)行曝光顯影。經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種TFT液晶顯示器返修制程中的光刻膠剝離方法，首先按照預(yù)設(shè)的干法去膠參數(shù)，剝離掉光刻膠的表層部分； 然后再進(jìn)行濕法去膠，剝離掉剩余的光刻膠。由于過烘的光刻膠都是位于表層，因此采用干法去膠將表層的光刻膠剝離即可以實(shí)現(xiàn)將過烘的光刻膠剝離干凈，剩余的光刻膠可以采用濕法去膠的方式去除。本發(fā)明能夠?qū)⒎敌拗瞥痰墓饪棠z剝離干凈，對底層膜材料損傷小，從而提高了產(chǎn)品的良品率。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明一種光刻膠剝離方法實(shí)施例1的流程圖；圖2為最簡單的“直線圖形”光刻膠未剝離前的剖面示意圖；圖3為最簡單的“直線圖形”光刻膠進(jìn)行干法去膠后的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。正如背景技術(shù)中所述，在TFT (Thin Film Transistor，薄膜場效應(yīng)晶體管)液晶顯示器返修制程中進(jìn)行光刻膠剝離時(shí)，采用濕法去膠的方式容易存在光刻膠殘留的現(xiàn)象，因而在重新進(jìn)行第二次光刻時(shí)，如果第一次曝光和第二次曝光的對位存在稍微偏差，這些殘留光刻膠的地方就變成了需要被刻蝕掉的地方，但是卻被殘留的光刻膠保護(hù)起來，從而造成了底層膜層的殘留，進(jìn)而造成最終形成的產(chǎn)品的功能缺陷。此外，殘留的光刻膠本身也會(huì)影響產(chǎn)品的質(zhì)量。發(fā)明人在研究中發(fā)現(xiàn)，采用濕法去膠方式導(dǎo)致光刻膠殘留的原因，主要是由于在光刻制程的硬烘過程中，光刻膠較薄的區(qū)域容易被過烘，而過烘的光刻膠在脫膜液中的溶解速率很慢甚至不溶解，從而導(dǎo)致光刻膠剝離不干凈。因此，發(fā)明人基于該原因，轉(zhuǎn)變思想，首先采用預(yù)設(shè)的干法去膠參數(shù)，去除掉光刻膠的表層部分，然后再進(jìn)行濕法去膠，剝離掉剩余的光刻膠。由于過烘的光刻膠都是分布在光刻膠的表層，因此采用合適的干法去膠參數(shù)，先將表層的光刻膠去除，對于剩余的光刻膠直接采用濕法去膠方式去除。本發(fā)明的實(shí)施方案，能夠?qū)⒎敌拗瞥讨械墓饪棠z去除干凈，避免了殘留的光刻膠對后續(xù)工藝造成的影響，同時(shí)也減少了對底層膜材料的損傷。參見圖1，示出了本發(fā)明一種TFT液晶顯示器返修制程中的光刻膠剝離方法實(shí)施例1的流程圖，所述方法可以包括
步驟101 按照預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)，進(jìn)行干法去膠，剝離光刻膠表層部分。所述預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)可以包括刻蝕時(shí)間、氣體成分、氣體流量、真空度和射頻功率等參數(shù)。由于干法刻蝕的刻蝕效果決定于刻蝕設(shè)備、刻蝕材料以及底層膜材料。為了避免干法刻蝕對底層膜材料的損傷，需要盡量保證干法刻蝕中，對底層膜材料的刻蝕速率足夠慢。所述的預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)是根據(jù)干法刻蝕速率、光刻膠厚度和底層膜材料等來具體設(shè)置的。所述底層膜即是指被光刻膠層所覆蓋的那一層。待刻蝕設(shè)備選定，且確定刻蝕材料為光刻膠后，即可設(shè)定預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)。根據(jù)光刻膠的厚度以及干法刻蝕速率，可以設(shè)定具體的刻蝕時(shí)間，使得能夠在該刻蝕時(shí)間內(nèi)可以將光刻膠表層去除。由于過烘的光刻膠均分布在光刻膠的表層，剝離該光刻膠的表層部分也即能夠?qū)⑦^烘的光刻膠去除。所述光刻膠的表層部分包括光刻膠圖形邊緣區(qū)域和光刻膠圖形過孔區(qū)域等光刻膠較薄的區(qū)域的光刻膠，由于光刻膠比較薄，在光刻制程的硬烘過程中，這些區(qū)域的光刻膠容易被過烘，從而使得直接采用濕法去膠的方式不容易將過烘的光刻膠剝離掉。 因此本實(shí)施例首先按照預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)進(jìn)行干法去膠，以保證將過烘部分的光刻膠去除干凈。對應(yīng)不同的底層膜材料，可以選擇不同的氣體成分以及各氣體含量之間的比例關(guān)系。根據(jù)希望達(dá)到的干法刻蝕速率可設(shè)定氣體流量、真空度以及刻蝕設(shè)備的射頻功率，其中真空度是指刻蝕設(shè)備的腔室壓強(qiáng)。所述預(yù)設(shè)參數(shù)的設(shè)置，需要滿足能夠?qū)⑦^烘區(qū)域的光刻膠正好剝離而不至于損壞底層膜材料。在實(shí)際應(yīng)用中，按照設(shè)定的預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)，進(jìn)行干法去膠后，還可以根據(jù)剝離后的光刻膠是否有殘留或者是否對底層膜造成損傷，對所述預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)進(jìn)行調(diào)整， 以使得光刻膠剝離更準(zhǔn)確。進(jìn)行干法去膠時(shí)，根據(jù)預(yù)設(shè)的干法去膠參數(shù)可以去除容易被過烘的區(qū)域的光刻膠，同時(shí)其他區(qū)域的光刻膠表面也將被去除掉一定厚度。所述干法去膠具體可以采用等離子體化學(xué)反應(yīng)干法刻蝕法進(jìn)行去膠，等離子體化學(xué)反應(yīng)干法刻蝕法是在等離子體狀態(tài)下，氧離子、氧原子與光刻膠通過化學(xué)反應(yīng)以及物理轟擊的共同作用下，將光刻膠去除的一種方法。其去膠的過程如下將氧氣及其它輔助氣體通入設(shè)備反應(yīng)腔室，氣體在射頻電場的作用下形成等離子體態(tài)，在等離子體當(dāng)中有離子、電子、帶電粒子、以及具有高化學(xué)活性的中性原子及自由基。 通過帶電粒子的物理轟擊，氧離子及高化學(xué)活性的中性氧原子與光刻膠反應(yīng)生成一氧化碳 CO、二氧化碳C02、水H20等，生成的副產(chǎn)物通過真空泵排出真空腔室。所述干法去膠還可以采用等離子干法刻蝕法進(jìn)行去膠，所述等離子干法刻蝕法去膠采用的是分子量較大的氣體，以物理轟擊的方式去膠，通過正性離子或者中性基團(tuán)對光刻膠進(jìn)行轟擊，從而將光刻膠剝離掉。下面結(jié)合圖示來描述該干法去膠的過程，參見圖2，示出了最簡單的“直線圖形”光刻膠未剝離前的剖面示意圖，其中光刻膠202位于底層膜201上。由圖2可以看出，圖形邊緣區(qū)域的光刻膠比較薄，因此在硬烘過程中容易被過烘。需要說明的是，圖2只示出了邊緣區(qū)域較薄的光刻膠。此外，在實(shí)際應(yīng)用中，過孔區(qū)域的光刻膠由于地勢比較低洼，過孔區(qū)域往往不容易被顯影干凈，因此也容易殘留一層較薄的光刻膠，因此在硬烘過程中也容易被過烘。這些過烘的光刻膠直接采用濕法去膠的方式不容易去除干凈，因此本發(fā)明實(shí)施例首先通過干法刻蝕去除一部分光刻膠，以能夠?qū)⑦^烘的光刻膠剝離掉。具體參見圖3，示出了最簡單的“直線圖形”光刻膠進(jìn)行干法去膠后的剖面示意圖。 由圖3可以看出，進(jìn)行干法去膠后，光刻膠被剝離了一定厚度，如圖3中的被剝離的光刻膠 2021，該被剝離的光刻膠2021為光刻膠的表層部分，而由于邊緣區(qū)域過烘的光刻膠包含在該表層部分，因此去除光刻膠的表層部分即能夠?qū)⑦^烘的光刻膠剝離掉。由于按照預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)，進(jìn)行干法去膠后，只是剝離掉部分光刻膠，即光刻膠表層部分，并未將光刻膠全部剝離，還剩余一定厚度的光刻膠，如圖中的剩余光刻膠2022， 因此采用本實(shí)施例的方案還減少了干法去膠對底層膜201的損傷。步驟102 進(jìn)行濕法去膠，將剩余的光刻膠剝離。由步驟101中按照預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)進(jìn)行干法去膠，去除光刻膠表層部分，光刻膠被剝離一定厚度，過烘部分的光刻膠可以被剝離掉，因此對于剩余的光刻膠，可以直接采用濕法去膠的方式進(jìn)行剝離。所述濕法去膠即是利用化學(xué)藥液進(jìn)行濕法剝離，所述化學(xué)藥液可以是水系脫膜液或者溶劑系脫膜液，利用脫膜液與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，將光刻膠溶解，剩余光刻膠即可被剝離干凈。需要說明的是，進(jìn)行濕法去膠后還可以對剝離掉光刻膠后的基板進(jìn)行清洗，并重新涂覆光刻膠層，進(jìn)行曝光顯影，重新制作光刻膠圖形。本發(fā)明實(shí)施例首先按照預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)，進(jìn)行干法去膠，剝離掉表層的光刻膠， 再采用濕法去膠的方式，將剩余的光刻膠剝離，由于干法去膠采用的是物理轟擊或者等離子體化學(xué)反應(yīng)，從而可以將表層光刻膠中過烘的部分剝離掉，而對于剩余的光刻膠，采用濕法去膠的方式去除，從而既保證了光刻膠完全剝離，避免了對后續(xù)制作工藝產(chǎn)生的影響，同時(shí)節(jié)約了成本，減少對底層材料的損耗。本發(fā)明所述的技術(shù)方案特別適用于高PPI (Pixels Per Inch，每英寸像素?cái)?shù)目) 的TFT液晶顯示器，以及廣視角TFT液晶顯示器的返修制程中，對于高PPI、廣視角等高端的TFT液晶顯示器來說，返修制程中光刻膠輕微的殘留都可能導(dǎo)致產(chǎn)品的顯示缺陷。而采用本發(fā)明的技術(shù)方案，首先進(jìn)行干法去膠剝離掉表層光刻膠，然后用濕法去膠的方式將剩余的光刻膠剝離，從而可將光刻膠剝離干凈，之后可重新進(jìn)行光刻制程及后續(xù)制程提高了廣品良品率。當(dāng)然本發(fā)明的技術(shù)方案也可以應(yīng)用于其他需要進(jìn)行光刻膠剝離的工藝制程中，凡是應(yīng)用本發(fā)明技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的光刻膠剝離，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一
6致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種TFT液晶顯示器返修制程中的光刻膠剝離方法，其特征在于，包括 按照預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)，進(jìn)行干法去膠，剝離光刻膠表層部分；進(jìn)行濕法去膠，將剩余的光刻膠剝離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)包括刻蝕時(shí)間、氣體成分、氣體流量、真空度和射頻功率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)是根據(jù)干法刻蝕速率、光刻膠厚度以及底層膜材料設(shè)置的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法去膠具體為采用等離子化學(xué)反應(yīng)干法刻蝕法去膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法去膠具體為采用等離子干法刻蝕法去膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻膠表層部分包括光刻膠過烘部分，所述光刻膠過烘部分包括光刻膠圖形邊緣區(qū)域的光刻膠和光刻膠圖形過孔區(qū)域的光刻膠。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述進(jìn)行濕法去膠，將剩余光刻膠剝離具體為采用化學(xué)藥液濕法刻蝕，將剩余光刻膠剝離。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述化學(xué)藥液包括水系脫膜液或者溶劑系脫膜液。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將剩余光刻膠剝離后還包括 清洗并重新涂覆光刻膠層，進(jìn)行曝光顯影。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種TFT液晶顯示器返修制程中的光刻膠剝離方法，所述方法包括按照預(yù)設(shè)干法去膠參數(shù)，進(jìn)行干法去膠，剝離光刻膠表層部分；進(jìn)行濕法去膠，將剩余光刻膠剝離。通過本發(fā)明實(shí)施例，能夠有效將光刻膠剝離干凈，避免了殘留的光刻膠對后續(xù)工藝造成的影響。
文檔編號G03F7/42GK102436154SQ20111043558
公開日2012年5月2日 申請日期2011年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月21日
發(fā)明者于春崎, 任思雨, 劉興華, 李建華, 胡君文, 謝凡, 陳建榮 申請人:信利半導(dǎo)體有限公司