專利名稱：電光裝置以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電光裝置以及使用該電光裝置的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
電光裝置例如液晶面板構(gòu)成為，一對元件基板與相對基板一邊保持一定的間隙一邊貼合，并且在該間隙封入有液晶。在元件基板中的與相對基板相對的面，像素電極按每個(gè)像素以矩陣狀排列。另一方面，在相對基板中的與元件基板相對的面，共用電極以與全部的像素電極相對的方式設(shè)置。在這樣的液晶面板中，尤其是在顯示區(qū)域?qū)蔷€為1英寸以下的、例如應(yīng)用于投影機(jī)的光閥的液晶面板中，有時(shí)因像素電極的有無而產(chǎn)生的臺階導(dǎo)致液晶取向的紊亂和/ 或光學(xué)上的散射等產(chǎn)生，導(dǎo)致對比度比減低。為了消除該臺階，提出了如下的技術(shù)，即在排列像素電極的顯示區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域，雖然無助于顯示，但仍將與像素電極同一層的導(dǎo)電圖形按與像素電極大致相等的密度設(shè)置，使得在顯示區(qū)域的內(nèi)與外，平坦度難以發(fā)生差異 (參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1 特開2006-267937號公報(bào)(參照圖4)另外，上述導(dǎo)電圖形是將與像素電極相同尺寸的電極在縱向以及橫向相鄰的電極彼此間連接而圖形化所得的。因此，連接部分的面積增加，所以設(shè)置于顯示區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域的導(dǎo)電圖形，未成為與像素電極相同的密度，結(jié)果，存在平坦度產(chǎn)生差異這樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的之一在于提供能夠使顯示區(qū)域與該顯示區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域的平坦度之差更小的技術(shù)。為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電光裝置，其特征在于，具備元件基板；和與所述元件基板相對配置的、在與所述元件基板相對的相對側(cè)具有共用電極的相對基板，所述元件基板包括形成于與所述相對基板相對的相對側(cè)的、按每個(gè)像素以預(yù)定的間距排列的多個(gè)像素電極；俯視時(shí)位于所述多個(gè)像素電極的外側(cè)的驅(qū)動(dòng)所述像素的驅(qū)動(dòng)電路；多個(gè)虛設(shè)像素電極，其設(shè)置為在俯視時(shí)在所述驅(qū)動(dòng)電路與所述多個(gè)像素電極之間包圍所述多個(gè)像素電極，與所述多個(gè)像素電極同一層，以與所述多個(gè)像素電極實(shí)質(zhì)上相等的尺寸以及間距按島狀排列；和布線，其配設(shè)于與所述多個(gè)像素電極不同的層，電連接所述多個(gè)虛設(shè)像素電極中的至少在一個(gè)方向上相鄰的虛設(shè)像素電極彼此。根據(jù)該構(gòu)成，像素電極與虛設(shè)像素電極實(shí)質(zhì)上尺寸以及間距相等，所以與現(xiàn)有技術(shù)相比較能夠使平坦度之差減小。進(jìn)而，也能夠經(jīng)由布線對虛設(shè)像素電極共同施加與像素電極獨(dú)立的電壓。在上述構(gòu)成中，也可以構(gòu)成為，所述元件基板具有多條掃描線；在俯視時(shí)與所述多條掃描線交叉的多條數(shù)據(jù)線；和屏蔽電極，其形成為在剖視時(shí)設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線與所述像素電極之間且在俯視時(shí)覆蓋所述數(shù)據(jù)線，并被施加預(yù)定的電壓，所述像素電極俯視時(shí)分別對應(yīng)于所述多條掃描線與所述多條數(shù)據(jù)線的各交叉而設(shè)置，所述布線與所述屏蔽電極同一層，被施加所述預(yù)定的電壓。根據(jù)該構(gòu)成，作為布線，能夠使用與抑制像素電極與數(shù)據(jù)線的電容耦合的屏蔽電極為同一層的布線。此外，在該構(gòu)成中，優(yōu)選，對所述共用電極施加預(yù)定的共用電壓，將所述預(yù)定的電壓設(shè)為所述共用電壓。這樣一來，在通過虛設(shè)像素電極以及共用電極夾持例如液晶這樣的電光物質(zhì)的情況下，能夠使向該電光物質(zhì)施加的施加電壓為零。在上述構(gòu)成中，也可以構(gòu)成為，所述元件基板具有多條掃描線和俯視時(shí)與所述多條掃描線交叉的多條數(shù)據(jù)線，所述像素電極俯視時(shí)與所述多條掃描線與所述多條數(shù)據(jù)線的各交叉處相對應(yīng)地分別設(shè)置，所述驅(qū)動(dòng)電路具有從所述多條掃描線的兩端側(cè)分別驅(qū)動(dòng)所述多條掃描線的各條的2個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路；和從所述多條數(shù)據(jù)線的一端側(cè)驅(qū)動(dòng)所述多條數(shù)據(jù)線的各條的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路。在該構(gòu)成中，優(yōu)選構(gòu)成為，所述布線為包括與所述數(shù)據(jù)線不同的電極層的第一布線，所述多個(gè)虛設(shè)像素電極中的位于所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路與所述多個(gè)像素電極之間的虛設(shè)像素電極，經(jīng)由所述第一布線相互連接。根據(jù)該構(gòu)成，能夠使用包括與數(shù)據(jù)線不同的電極層的第一布線將虛設(shè)像素電極相互連接。作為這樣的布線，能夠使用對于用于連接于半導(dǎo)體層的源、漏區(qū)域的中繼電極層和/或與掃描線同一層的柵電極層等進(jìn)行圖形化所得的布線。此外，也優(yōu)選構(gòu)成為，所述布線為包括與所述數(shù)據(jù)線同一層的電極層的第二布線，所述多個(gè)虛設(shè)像素電極中的位于所述掃描線驅(qū)動(dòng)電路與所述多個(gè)像素電極之間的虛設(shè)像素電極，經(jīng)由所述第二布線相互連接。根據(jù)該構(gòu)成，能夠使用包括與數(shù)據(jù)線同一層的層的第二布線將虛設(shè)像素電極相互連接。這樣一來，如果作為布線使用已有的導(dǎo)電層，則能夠防止制造工序的復(fù)雜化。在上述構(gòu)成中，也可以構(gòu)成為，對所述虛設(shè)像素電極，按預(yù)定的周期交替施加與所述共用電壓相比按預(yù)定值高的高位的電壓和按所述預(yù)定值低的低位的電壓。根據(jù)這樣的構(gòu)成，在虛設(shè)像素電極以及共用電極夾持液晶的情況下，能夠使施加于該液晶的電壓為零，而且即便在施加于液晶的電壓實(shí)效值為零時(shí)反射率或者透射率未變?yōu)樽钚〉那闆r下，也能夠使虛設(shè)顯示區(qū)域中的反射率或者透射率變?yōu)樽钚　．?dāng)然，也可以不是使反射率或者透射率變?yōu)樽钚〉碾妷?。例如也可以施加所述共用電壓。根?jù)這樣的構(gòu)成，例如能夠使施加于由虛設(shè)像素電極以及共用電極所夾持的液晶的電壓為零。在上述構(gòu)成中，也可以構(gòu)成為，俯視時(shí)在所述像素電極的間隙以及所述虛設(shè)像素電極的間隙中分別埋入有絕緣件。如果這樣構(gòu)成，則能夠使從顯示區(qū)域到虛設(shè)顯示區(qū)域所產(chǎn)生的臺階變得極小。此外，在上述構(gòu)成中，也可以構(gòu)成為，具有與所述虛設(shè)像素電極不連接的導(dǎo)電圖形，其設(shè)置于在俯視時(shí)包圍所述虛設(shè)像素電極的位置，與所述像素電極同一層。如果這樣構(gòu)成，則也能夠使從虛設(shè)顯示區(qū)域到外側(cè)區(qū)域所產(chǎn)生的臺階變小。此外，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電光裝置，其特征在于，具備元件基板； 和與所述元件基板相對配置的、在與所述元件基板相對的相對側(cè)具有共用電極的相對基板，所述元件基板包括形成于與所述相對基板相對的相對側(cè)的、按每個(gè)像素以預(yù)定的間距排列的多個(gè)像素電極；在俯視時(shí)位于所述多個(gè)像素電極的外側(cè)的、驅(qū)動(dòng)所述像素的驅(qū)動(dòng)電路；多個(gè)虛設(shè)電極，其設(shè)置為在俯視時(shí)在所述驅(qū)動(dòng)電路與所述多個(gè)像素電極之間包圍所述多個(gè)像素電極，與所述多個(gè)像素電極同一層，以變?yōu)榕c所述多個(gè)像素電極實(shí)質(zhì)上相等的密度的方式按島狀排列；和布線，其配設(shè)于與所述多個(gè)像素電極不同的層，電連接所述多個(gè)虛
5設(shè)像素電極中的至少在一個(gè)方向上相鄰的虛設(shè)像素電極彼此。根據(jù)該構(gòu)成，像素電極與虛設(shè)像素電極密度相等，因此與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠使平坦度之差變小。進(jìn)而，也能夠經(jīng)由布線對虛設(shè)像素電極共同施加與像素電極獨(dú)立的電壓。另外，本發(fā)明，除電光裝置外也能夠作為包括該電光裝置的電子設(shè)備來定義。作為這樣的電子設(shè)備，可以舉出對經(jīng)由電光裝置調(diào)制后的光調(diào)制圖像進(jìn)行放大投影的投影機(jī)。


圖1是表示第一實(shí)施方式所涉及的液晶面板的構(gòu)成的圖。圖2是表示液晶面板中的電路構(gòu)成的圖。圖3是表示液晶面板中的像素的等效電路的圖。圖4是表示液晶面板中的像素構(gòu)成的俯視圖。圖5是表示液晶面板中的像素構(gòu)成的俯視圖。圖6是表示液晶面板中的像素構(gòu)成的俯視圖。圖7是表示液晶面板中的像素的剖視構(gòu)成的圖。圖8是用于說明液晶面板中的元件基板的各區(qū)域的圖。圖9是表示各區(qū)域的劃分的圖。圖10是表示K區(qū)域中的電極構(gòu)成的圖。圖11是表示虛設(shè)顯示區(qū)域的剖視構(gòu)成的圖。圖12是表示虛設(shè)顯示區(qū)域的剖視構(gòu)成的圖。圖13是表示外側(cè)區(qū)域的剖視構(gòu)成的圖。圖14是表示L區(qū)域中的電極構(gòu)成的圖。圖15是表示第二實(shí)施方式所涉及的液晶面板的電路構(gòu)成的圖。圖16是表示液晶面板的各區(qū)域的劃分的俯視圖。圖17是表示M區(qū)域中的電極構(gòu)成的圖。圖18是表示液晶面板中的虛設(shè)顯示區(qū)域的剖視構(gòu)成的圖。圖19是表示N區(qū)域中的電極構(gòu)成的圖。圖20是表示液晶面板中的虛設(shè)顯示區(qū)域的剖視構(gòu)成的圖。圖21是表示液晶面板中的虛設(shè)顯示區(qū)域的剖視構(gòu)成的圖。
圖22是表示施加于虛設(shè)像素電極的信號Vl的電壓波形的圖。圖23是表示用于說明信號Vl的電壓Vm的電壓-反射率特性的圖。圖M是表示應(yīng)用了液晶面板的投影機(jī)的構(gòu)成的圖。圖25是表示K區(qū)域中的電極構(gòu)成的其他的例子的圖。圖沈是表示K區(qū)域中的電極構(gòu)成的另外的其他的例子的圖。圖27是表示K區(qū)域中的電極構(gòu)成的另外的其他的例子的圖。附圖標(biāo)記說明36 氧化硅膜；63 布線；81 布線；100 液晶面板；101 元件基板；102 相對基板；105液晶；108 共用電極；116 =TFT ；118 像素電極；120 液晶元件；131 虛設(shè)像素電極；135導(dǎo)電圖形；160 數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路；170 掃描線驅(qū)動(dòng)電路；1100 投影機(jī)
具體實(shí)施例方式第一實(shí)施方式下面，對于本發(fā)明的第一實(shí)施方式進(jìn)行說明。第一實(shí)施方式所涉及的反射型的液晶面板，作為后述的投影機(jī)的光閥使用。另外， 第一實(shí)施方式所涉及的液晶面板的特征部分主要在于位于顯示區(qū)域的外側(cè)的虛設(shè)顯示區(qū)域的虛設(shè)像素電極。其中，必須說明虛設(shè)像素電極的構(gòu)成層和/或向該虛設(shè)像素電極的布線等與顯示區(qū)域的導(dǎo)電層存在哪種關(guān)系。因此，首先對于液晶面板100的結(jié)構(gòu)的概略進(jìn)行說明。另外，在下面的圖中，為了使各層、各部件、各區(qū)域等成為能夠識別的大小，有時(shí)會(huì)使比例尺不同。圖1㈧是表示第一實(shí)施方式所涉及的液晶面板100的結(jié)構(gòu)的立體圖，圖1 (B)是在圖KA)中的H-h線處剖切的剖視圖。如這些圖所示，液晶面板100構(gòu)成為，形成有像素電極118的元件基板101與設(shè)置有共用電極108的相對基板102通過含有分隔件(省略圖示)的密封件90保持一定的間隙，并以電極形成面相互相對的方式貼合，在該間隙封入有例如VA(垂直取向)型的液晶 105。就元件基板101以及相對基板102而言，分別使用玻璃和/或石英等具有光透射性的基板。就元件基板101而言，與相對基板102相比在圖I(A)中Y方向的尺寸較長，但因?yàn)檫M(jìn)深側(cè)(h側(cè))對齊，所以元件基板101的跟前側(cè)(H側(cè))的一邊從相對基板102伸出。 在該伸出的區(qū)域沿著X方向設(shè)置有多個(gè)端子107。另外，多個(gè)端子107連接于FPC(柔性印刷電路)基板，從外部上級裝置被供給各種信號和/或各種電壓、圖像信號。另外，在本實(shí)施方式中，也可以在元件基板101使用不具有光透射性的基板例如硅基板，而將液晶面板構(gòu)成為所謂LCOS(硅上液晶)型。在元件基板101形成于與相對基板102相對的面的像素電極118，詳情后述，為對鋁等反射性金屬層進(jìn)行構(gòu)圖而得的電極。在相對基板102設(shè)置于與元件基板101相對的面的共用電極108，為ITO(氧化銦錫)等具有透明性的導(dǎo)電層。另外，密封件90如后所述，沿著相對基板102的內(nèi)緣按框緣狀形成，但是為了封入液晶105，其一部分實(shí)際上開口。因此，在液晶105的封入后，其開口部分由封閉件92封閉。 此外，在元件基板101的相對面以及相對基板102的相對面分別設(shè)置有在無電壓施加狀態(tài)下使液晶分子沿基板面的法線方向取向的取向膜，但是在圖I(B)中省略。這里，對于在圖1⑶所示的元件基板101的區(qū)域a、b、c，參照圖8以及圖9進(jìn)行說明。圖8是表示從相對基板102側(cè)即觀察側(cè)觀察時(shí)的元件基板101的俯視圖，圖9是從圖8中選出區(qū)域a、b、c而表示的圖。另外，在圖8中省略了在圖I(A)所示的密封件90的開口部分以及封閉件92。在圖8或圖9中，a為有助于顯示的像素電極118按矩陣狀排列的顯示區(qū)域。b為與顯示區(qū)域a相比位于外側(cè)、且位于該顯示區(qū)域a與設(shè)置有數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路160以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路170的驅(qū)動(dòng)電路的周邊電路區(qū)域之間的虛設(shè)顯示區(qū)域，為包圍顯示區(qū)域a的區(qū)域。關(guān)于c，其為從虛設(shè)顯示區(qū)域b的更靠外側(cè)到元件基板101的邊緣端部為止的外側(cè)區(qū)域，不包括排列有導(dǎo)通點(diǎn)94和/或端子107的部分。換言之，所謂虛設(shè)顯示區(qū)域b為顯示區(qū)域a與外側(cè)區(qū)域c之間的區(qū)域。接著，對于液晶面板100的電構(gòu)成，參照圖2進(jìn)行說明。這里，圖2與圖8以及圖 9相反地，表示在圖I(A)中從下方即背面?zhèn)雀┮晻r(shí)的位置關(guān)系。如上所述，液晶面板100中，元件基板101與相對基板102保持一定間隙地貼合， 并且在該間隙夾持有液晶105。在元件基板101中的與相對基板102相對的相對面，為多行的m行的掃描線112在圖中沿X方向設(shè)置，另一方面，為多列的η列數(shù)據(jù)線114沿Y方向且與各掃描線112相互保持電絕緣地設(shè)置。在顯示區(qū)域a，與m行掃描線112與η列數(shù)據(jù)線114的交叉處的各個(gè)相對應(yīng)地，設(shè)置有作為開關(guān)元件的一例的η溝道型的TFT116和具有反射性的像素電極118的組。TFT116 的柵電極連接于掃描線112，源電極連接于數(shù)據(jù)線114，漏電極連接于像素電極118。因此， 在本實(shí)施方式中，在顯示區(qū)域a，像素電極118以m行η列排列為矩陣狀。另外，在圖2中，從背面?zhèn)人姷脑?01的相對面變?yōu)榧埫孢M(jìn)深側(cè)，因此對于掃描線112、數(shù)據(jù)線114、TFT116和像素電極118等應(yīng)該用虛線表示，但是因?yàn)殡y以辨認(rèn)， 所以分別用實(shí)線表示。此外，在本實(shí)施方式中，為了區(qū)別數(shù)據(jù)線114，所以有時(shí)采用在圖2中
從左按順序稱為第1、2、3.....(n-l)、n列這樣的叫法。同樣地，為了區(qū)別掃描線112，有時(shí)
采用在圖2中從上按順序稱為第1、2、3.....(m-l)、m行這樣的叫法。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路160從數(shù)據(jù)線114的一端側(cè)驅(qū)動(dòng)第1、2、3.....η列的數(shù)據(jù)線114。
詳細(xì)而言，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路160，將經(jīng)由端子107而供給的圖像信號，通過同樣經(jīng)由端子107
而供給的各種控制信號分配并保持于第1、2、3.....η列的數(shù)據(jù)線114，作為數(shù)據(jù)信號XI、
X2、X3.....)(r!進(jìn)行供給。此外，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路160，如圖8所示，設(shè)置于外側(cè)區(qū)域c中的
設(shè)置有多個(gè)端子107的一邊的區(qū)域。2個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路170從一端側(cè)以及另一端側(cè)的雙向驅(qū)動(dòng)第1、2、3.....m行的
掃描線112。詳細(xì)而言，掃描線驅(qū)動(dòng)電路170，通過經(jīng)由端子107而供給的各種控制信號分
別生成掃描信號Y1、Y2、TO.....Ym，并從第1、2、3.....m行的掃描線112的兩側(cè)供給。此
夕卜，掃描線驅(qū)動(dòng)電路170，如圖8所示，分別設(shè)置于外側(cè)區(qū)域c中的與形成有數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路 160的區(qū)域相鄰的兩邊的區(qū)域。另一方面，在相對基板102中的與元件基板101相對的相對面在整面的范圍內(nèi)設(shè)置有具有透明性的共用電極108。在元件基板101中依次經(jīng)由端子107、布線107a以及與相對基板102導(dǎo)通的導(dǎo)通點(diǎn)94對共用電極108施加電壓LCcom。另外，導(dǎo)通點(diǎn)94在俯視時(shí)如圖8所示分別位于形成于基板內(nèi)周緣的密封件90的框外的四角，通過銀糊劑等的導(dǎo)通材料實(shí)現(xiàn)對共用電極108的導(dǎo)通。圖3是表示顯示區(qū)域a中的像素110的等效電路的圖，構(gòu)成為，與掃描線112與數(shù)據(jù)線114的交叉處相對應(yīng)地，排列由像素電極118與共用電極108夾持液晶105而成的液晶元件120。另外，在圖2中進(jìn)行了省略，但實(shí)際上如圖3所示，相對于液晶元件120并聯(lián)地設(shè)置有輔助電容(存儲(chǔ)電容)125。該輔助電容125，其一端連接于像素電極118以及TFT116 的漏電極，另一端共同連接于電容線115。在本實(shí)施方式中，對電容線115施加與共用電極 108相同的電壓LCcom。在這樣的構(gòu)成中，如果掃描線驅(qū)動(dòng)電路170選擇了某一行的掃描線112而使該掃描線112成為H電平，則柵電極連接于該掃描線112的TFT116變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，像素電極118 變?yōu)殡娺B接于數(shù)據(jù)線114的狀態(tài)。因此，如果在掃描線112為H電平時(shí)，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路160 將與灰度相應(yīng)的電壓的數(shù)據(jù)信號供給于數(shù)據(jù)線114，則該數(shù)據(jù)信號經(jīng)由已變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)的 TFTl 16被施加于像素電極118。如果掃描線112變?yōu)長電平，則TFT116變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，但是施加于像素電極118的電壓由液晶元件120的電容性以及輔助電容125保持。掃描線驅(qū)動(dòng)電路170，順序選擇從第1行到第m行的掃描線112，并且數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路160經(jīng)由數(shù)據(jù)線114對位于所選擇的掃描線112的1行的量的像素供給數(shù)據(jù)信號，從而對全部的液晶元件120施加并保持與灰度相應(yīng)的電壓。該工作按每1幀(每1垂直掃描期間)反復(fù)。因此，在本實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路160以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路170作為驅(qū)動(dòng)像素110(液晶元件120)的驅(qū)動(dòng)電路起作用。另一方面，在液晶元件120中，液晶105的分子取向狀態(tài)，相應(yīng)于在像素電極118 以及共用電極108之間所產(chǎn)生的電場的強(qiáng)度而變化。在圖1 (A)或⑶中從相對基板102側(cè)即觀察側(cè)入射的光，在通過了省略圖示的偏振元件、相對基板102、共用電極108、液晶105這樣的路徑后，由像素電極118反射而沿著與至此為止的路徑反向的路徑出射。此時(shí)，出射的光量相對于入射于液晶元件120的光量的比率、即反射率，隨著被施加并保持于液晶元件120的電壓變高而變大。這樣一來，在液晶面板100中，反射率按每個(gè)液晶元件120而變化，因此液晶元件 120就作為應(yīng)該顯示的圖像的最小單位即像素而起作用。液晶元件120在俯視時(shí)由像素電極118來規(guī)定，所以像素電極118的排列區(qū)域變?yōu)樯鲜龅娘@示區(qū)域a。接著，對于元件基板101中的顯示區(qū)域a的元件結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖4 圖6是表示像素的構(gòu)成的俯視圖，圖7是在圖4 圖6的J-j線處剖切的局部剖視圖。另外，在圖4 圖6中，為了在從相對面俯視元件基板101時(shí)說明結(jié)構(gòu)，省略層間絕緣膜等非導(dǎo)電膜的圖示，并且圖4表示至元件結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)線層為止，圖5表示屏蔽電極層，圖6表示像素電極層。首先，如圖7所示，在元件基板101的基材即基板11，設(shè)置有基底絕緣膜40，進(jìn)而在基底絕緣膜40設(shè)置有含有多晶硅的半導(dǎo)體層30。半導(dǎo)體層30的表面被通過熱氧化而得的絕緣膜32覆蓋。關(guān)于半導(dǎo)體層30的俯視形狀，形成為較長的邊在圖4中在縱向上、即在之后所形成的數(shù)據(jù)線114所延伸的方向上延伸的矩形。掃描線112配設(shè)為，在圖4中在橫向上延伸并且在形成為矩形的半導(dǎo)體層30的中央部處直行。其結(jié)果，如圖4以及圖7所示，半導(dǎo)體層30中的與掃描線112重疊的部分變?yōu)闇系绤^(qū)域30a。在半導(dǎo)體層30中，相對于溝道區(qū)域30a在圖7中左側(cè)(在圖4中為下側(cè))為源區(qū)域30s，在圖7中右側(cè)(在圖4中為上側(cè))為漏區(qū)域30d。其中，源區(qū)域30s經(jīng)由分別開孔于絕緣膜32以及第一層間絕緣膜41的接觸孔51而連接于中繼電極61。漏區(qū)域30d也同樣地，經(jīng)由分別開孔于絕緣膜32以及第一層間絕緣膜41的接觸孔52而連接于中繼電極62。中繼電極61、62為分別對成膜于第一層間絕緣膜41上的導(dǎo)電性的多晶硅膜(電極層20)進(jìn)行構(gòu)圖而成的電極。關(guān)于中繼電極61的俯視形狀，為與接觸孔51相比大一圈的程度，被來自位于上層的數(shù)據(jù)線114的分支部分遮蔽，所以在圖4中省略。另一方面，關(guān)于中繼電極62，為大致T形狀，包括以覆蓋半導(dǎo)體層30的方式在圖4中在縱向上延伸的部分和以覆蓋掃描線112的方式在橫向上延伸的部分。在圖7中，以覆蓋第一層間絕緣膜41或中繼電極61、62的方式成膜電介質(zhì)層34。 另外，電介質(zhì)層34例如是氧化硅膜。數(shù)據(jù)線114以及電容電極11 為對以覆蓋電介質(zhì)層34的方式所形成的導(dǎo)電性的二層膜進(jìn)行構(gòu)圖而成的部件。詳細(xì)而言，數(shù)據(jù)線114以及電容電極11 ，是對作為下層而成膜的導(dǎo)電性的多晶硅膜和作為上層而成膜的鋁膜的二層膜(數(shù)據(jù)線層21)構(gòu)圖而成的。這里，所謂“下層(上層)”為指在制造工序中先(后)形成的層或者距離相對面遠(yuǎn)(近)的層的概念。關(guān)于數(shù)據(jù)線114，形成為，在圖4中在半導(dǎo)體層30的左鄰處在與掃描線112正交的縱向上延伸，并且朝向半導(dǎo)體層30中的源區(qū)域30s (中繼電極61)分支，經(jīng)由開孔于電介質(zhì)層；34的接觸孔50而連接于中繼電極61。因此，數(shù)據(jù)線114經(jīng)由中繼電極61而連接于源區(qū)域 30s。關(guān)于電容電極115b，以覆蓋中繼電極62的方式形成為大致T形狀，但是為了避開連接于漏區(qū)域30d的接觸孔53，而成為一部分被切除了的形狀。在圖7中，以覆蓋數(shù)據(jù)線114、電容電極11 或者電介質(zhì)層34的方式形成有第二層間絕緣膜42。中繼電極71以及屏蔽電極72為對以覆蓋第二層間絕緣膜42的方式所形成的導(dǎo)電性的二層膜進(jìn)行構(gòu)圖而成的。詳細(xì)而言，中繼電極71以及屏蔽電極72，為對作為下層所成膜的鋁膜和作為上層而成膜的氮化鈦膜的二層膜(屏蔽電極層22)進(jìn)行構(gòu)圖而成的。中繼電極71，經(jīng)由分別開孔于第二層間絕緣膜42以及電介質(zhì)層34的接觸孔53而連接于中繼電極62。此外，關(guān)于屏蔽電極72，經(jīng)由開孔于第二層間絕緣膜42的接觸孔M 而連接于電容電極11恥。
關(guān)于屏蔽電極72的俯視形狀，形成為，在俯視時(shí)如圖5所示，以覆蓋數(shù)據(jù)線114以及半導(dǎo)體層30的方式在縱向上延伸，且在掃描線112的上方朝橫向右側(cè)方向突出。另一方面，關(guān)于中繼電極71的俯視形狀，形成為，同樣如圖5所示，在掃描線112 的上方，按每個(gè)像素以島狀形成為與屏蔽電極72的橫向右側(cè)的突出部分相鄰的矩形。在圖7中，以覆蓋中繼電極71、屏蔽電極72或者第二層間絕緣膜42的方式形成有第三層間絕緣膜43。像素電極118是對以覆蓋第三層間絕緣膜43的方式所形成的鋁膜 (像素電極層2 進(jìn)行構(gòu)圖而成的電極，經(jīng)由開孔于第三層間絕緣膜43的接觸孔55而連接于中繼電極71。因此，使得像素電極118依次經(jīng)由中繼電極71以及中繼電極62連接于漏區(qū)域30d。關(guān)于像素電極118的俯視形狀，如圖6所示，為大致正方形，關(guān)于其配置，在圖5中如虛線所示，俯視時(shí)正方形的各邊處于包含于掃描線112以及數(shù)據(jù)線114之內(nèi)的位置關(guān)系。以覆蓋該像素電極118或者第三層間絕緣膜43的方式，通過以TEOS(原硅酸四乙酯)為原料的化學(xué)氣相生長形成氧化硅膜。此時(shí)，氧化硅膜雖然也形成于像素電極118的表面，但是通過CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)處理而被削去，所以結(jié)果是作為絕緣件的氧化硅膜36， 如圖7所示，僅殘存于相鄰的像素電極118彼此的間隙部分。通過該處理，在元件基板101 的顯示區(qū)域a，相對面被平坦化。
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接著，在該平坦化了的表面，形成含有無機(jī)材料的取向膜38。該取向膜38，詳細(xì)情況省略圖示，其是通過例如硅氧化物的斜向蒸鍍使多個(gè)微小的柱狀結(jié)構(gòu)體以向同一方向傾斜的狀態(tài)氣相生長而成的。在圖5中在縱向上按每列延伸的屏蔽電極72，沒有特別進(jìn)行圖示，被引出直至外側(cè)區(qū)域c為止而共同連接，并且例如在圖2中經(jīng)由端子107以及連接點(diǎn)107b被施加與共用電極108相同的電壓LCcom。因此，在顯示區(qū)域a中，即便數(shù)據(jù)線114因數(shù)據(jù)信號的供給而導(dǎo)致電壓變動(dòng)，在像素電極118尤其是在截止?fàn)顟B(tài)的TFT116所涉及的像素電極118中，電容耦合所導(dǎo)致的電位變動(dòng)被抑制。進(jìn)而，來自觀察側(cè)即來自相對基板102的入射光，在俯視時(shí)相鄰的像素電極118的間隙部分未被像素電極118反射而進(jìn)入，但由于半導(dǎo)體層30由屏蔽電極72覆蓋，所以不會(huì)因來自相對面?zhèn)鹊倪M(jìn)入光而損傷TFT116的截止泄漏特性。此外，輔助電容125包括中繼電極62、電介質(zhì)層34和電容電極11 的層疊結(jié)構(gòu)。 電容電極11 按每個(gè)像素形成為獨(dú)立的島狀，經(jīng)由接觸孔討連接于屏蔽電極72，所以在各像素的范圍內(nèi)被共同施加電壓LCcom。因此，如果從等效電路來看，如圖3所示。接著，對各區(qū)域中的電極的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖10是局部放大了圖9中的K區(qū)域即顯示區(qū)域a、虛設(shè)顯示區(qū)域b以及外側(cè)區(qū)域c沿Y方向排列的區(qū)域所得的俯視圖，示出了俯視元件基板101的相對面時(shí)的像素電極層23的構(gòu)圖形狀。如該圖所示，也如上所述地，在顯示區(qū)域a，像素電極118排列為矩陣狀。這里，將像素電極118的X方向的尺寸設(shè)為ffx、將Y方向的尺寸設(shè)為Wy。另外，在本發(fā)明中，將像素電極118設(shè)為正方形，所以Wx等于Wy。此外，在例如以對角線的中心取像素電極118的排列間距，將X方向的間距設(shè)為 PxJ Y方向的間距設(shè)為Py時(shí)，間距Px等于數(shù)據(jù)線114的排列間隔，間距Py等于掃描線 112的排列間隔。由于將像素電極118設(shè)為正方形，所以I^x等于Py。另外，在實(shí)施方式中，將像素電極118設(shè)為正方形，但是在應(yīng)用于光閥以外的其他的用途例如數(shù)碼相機(jī)的EVF (Electronic View Finder 電子取景器)等的情況下，構(gòu)成為 1個(gè)點(diǎn)分割為例如R(紅)、G (綠)、B (藍(lán))的3個(gè)像素并且1個(gè)點(diǎn)成為正方形，所以與各色對應(yīng)的像素電極118的形狀為長方形。因此，像素電極118的尺寸，不一定必須是Wx等于 Wy,關(guān)于間距，也不一定必須是I3X等于Py。在虛設(shè)顯示區(qū)域b，設(shè)置有對像素電極層23進(jìn)行構(gòu)圖而成的虛設(shè)像素電極131。該虛設(shè)像素電極131按X方向的尺寸為ffx、Y方向的尺寸為Wy來形成，即按與像素電極118 相同的尺寸、間距來形成，與像素電極118的排列一致而使其矩陣狀排列。此外，虛設(shè)像素電極131，如接著所說明的那樣，經(jīng)由接觸孔56連接于下層的屏蔽電極72，俯視時(shí)，相對于虛設(shè)像素電極131的形狀來說設(shè)置接觸孔56的相對位置，與相對于像素電極118的接觸孔55的位置相同。因此，外觀上(即當(dāng)從上側(cè)的面觀察像素電極層時(shí))，虛設(shè)像素電極131與像素電極118難以區(qū)別。另外，在該例中，在虛設(shè)顯示區(qū)域b中，在K區(qū)域在3行的范圍內(nèi)設(shè)置有虛設(shè)像素電極131。圖11是表示在圖10的P-p線(X方向)以包括虛設(shè)像素電極131的方式剖切時(shí)
11的元件基板101的結(jié)構(gòu)的局部剖視圖，圖12是表示在W-W線(Y方向)以包括虛設(shè)像素電極131的方式剖切時(shí)的元件基板101的結(jié)構(gòu)的局部剖視圖。如這些圖所示，屏蔽電極72以覆蓋數(shù)據(jù)線114的方式在Y方向上延伸設(shè)置，并且如圖11所示引出延伸直至接觸孔56。虛設(shè)像素電極131經(jīng)由開孔于第三層間絕緣膜43的接觸孔56連接于屏蔽電極 72。在Y方向延伸設(shè)置的屏蔽電極連接在Y方向上相鄰的虛設(shè)像素電極131彼此，并且如上所述被引出至外側(cè)區(qū)域c而共同連接，被施加電壓LCcom。因此，分別對虛設(shè)像素電極131 的各個(gè)施加與共用電極108相同的電壓LCcom。此外，俯視時(shí)在虛設(shè)像素電極131的間隙部分，如圖11或圖12所示，氧化硅膜36 通過顯示區(qū)域a中的CMP處理而被埋入。在虛設(shè)顯示區(qū)域b，由虛設(shè)像素電極131與共用電極108夾持液晶105，所以構(gòu)成一種液晶元件，但是不用于顯示，因此這里將其表現(xiàn)為無效液晶元件。另外，圖11是在沿著X方向的P-p線處剖切K區(qū)域，所以未顯現(xiàn)掃描線112。另夕卜，圖12是在沿著Y方向的Wi線處剖切K區(qū)域，所以未顯現(xiàn)數(shù)據(jù)線114。將說明回到圖10，在外側(cè)區(qū)域c，設(shè)置對像素電極層23進(jìn)行構(gòu)圖而成的導(dǎo)電圖形 135。該導(dǎo)電圖形135，是使與像素電極118(虛設(shè)像素電極131)相同尺寸的電極按像素電極118的排列的原狀矩陣狀排列，并且通過各邊中央附近的連接部136將縱向以及橫向相鄰的導(dǎo)電圖形彼此相互連接而圖形化所成的導(dǎo)電圖形。導(dǎo)電圖形135，未經(jīng)由像素電極層23直接連接于虛設(shè)像素電極131中的任一個(gè)。 但是，在本實(shí)施方式中構(gòu)成為，經(jīng)由圖2所示的端子107和連接點(diǎn)107c將電壓LCcom施加于導(dǎo)電圖形135。因此，導(dǎo)電圖形135也可以構(gòu)成為，經(jīng)由其他的導(dǎo)電層而間接地連接。另外，導(dǎo)電圖形135也可以構(gòu)成為，相對于包括虛設(shè)像素電極131在內(nèi)的其他的電極電浮置。圖13是表示在圖10的Q-q線處剖切時(shí)的元件基板101的結(jié)構(gòu)的局部剖視圖。另夕卜，圖13示出在外側(cè)區(qū)域c中的直至虛設(shè)顯示區(qū)域b的外側(cè)且設(shè)置有數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路160 的區(qū)域?yàn)橹沟摹⒚芊饧?0的框內(nèi)的區(qū)域。如該圖所示，導(dǎo)電圖形135不連接于屏蔽電極72和/或數(shù)據(jù)線114等的下層的布線的任一個(gè)。此外，俯視時(shí)，在導(dǎo)電圖形135的間隙部分，如圖13所示，通過顯示區(qū)域a中的CMP處理而埋入氧化硅膜36。圖14是局部放大了圖9中的L區(qū)域即顯示區(qū)域a、虛設(shè)顯示區(qū)域b以及外側(cè)區(qū)域 c沿X方向排列的區(qū)域的俯視圖，示出了俯視元件基板101的相對面時(shí)的像素電極層23的構(gòu)圖形狀。如該圖所示，在與排列像素電極118的顯示區(qū)域a相鄰的虛設(shè)顯示區(qū)域b中，虛設(shè)像素電極131按3列排列，進(jìn)而以與虛設(shè)顯示區(qū)域b相鄰的方式設(shè)置有導(dǎo)電圖形135。根據(jù)實(shí)施方式所涉及的液晶面板100，虛設(shè)顯示區(qū)域b中的虛設(shè)像素電極131，在俯視時(shí)，以包圍排列像素電極118的顯示區(qū)域a的方式，按與像素電極118實(shí)質(zhì)上相等的布線密度(例如相等的尺寸以及間距)形成。進(jìn)而，在液晶面板100中，在像素電極118的間隙與虛設(shè)像素電極131的間隙分別通過CMP處理而埋入有氧化硅膜36，由此被平坦化。因此，在液晶面板100中構(gòu)成為，從顯示區(qū)域a到虛設(shè)顯示區(qū)域b，平坦度難以產(chǎn)生差異。另夕卜，這里所說的“實(shí)質(zhì)上相等”是指像素電極118的尺寸以及間距相對于虛設(shè)像素電極131 的差異控制于士3%的范圍內(nèi)。這是因?yàn)椋绻谠摲秶鷥?nèi)，則即便考慮到制造誤差，也能夠忽略平坦度的差異所造成的影響。此外，俯視時(shí)，將虛設(shè)像素電極131連接于屏蔽電極72的接觸孔56，設(shè)置于與將像素電極118連接于中繼電極71的接觸孔55相同的位置。因此，能夠使由于接觸孔的存在所產(chǎn)生的臺階的影響，在顯示區(qū)域a與虛設(shè)顯示區(qū)域b中大致相等。經(jīng)由屏蔽電極72對虛設(shè)像素電極131施加電壓LCcom，所以在無效液晶元件即用虛設(shè)像素電極131以及共用電極108夾持液晶105而成的液晶元件中，施加于該液晶105 的電壓變?yōu)榱?。因此，無效液晶元件變?yōu)槌：谀Ｊ降暮陲@示，所以虛設(shè)顯示區(qū)域b作為包圍顯示區(qū)域a的分隔件(框緣)而起作用。進(jìn)而，在包圍虛設(shè)顯示區(qū)域b的外側(cè)區(qū)域c，設(shè)置導(dǎo)電圖形135，并且通過CMP處理在其間隙部分埋入氧化硅膜36以使其平坦化。因此，在液晶面板100中構(gòu)成為，從虛設(shè)顯示區(qū)域b到外側(cè)區(qū)域c，平坦度也難以產(chǎn)生差異。第二實(shí)施方式接著對于本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。在第一實(shí)施方式中，構(gòu)成為將虛設(shè)像素電極131連接于屏蔽電極72以施加電壓LCcom，但是該第二實(shí)施方式構(gòu)成為，不連接于屏蔽電極72 (對屏蔽電極層22進(jìn)行構(gòu)圖所得的布線)而連接于對電極層20或者數(shù)據(jù)線層 21進(jìn)行構(gòu)圖所得的布線，以施加電壓LCcom以外的電壓。圖15是表示第二實(shí)施方式所涉及的液晶面板的電構(gòu)成的圖。在第二實(shí)施方式中構(gòu)成為，對虛設(shè)像素電極131施加電壓LCcom以外的電壓，因此信號Vl經(jīng)由端子107以及連接點(diǎn)107d被供給。另外，關(guān)于信號Vl的電壓將后述。圖16是用于說明第二實(shí)施方式中的元件基板101的各區(qū)域的圖。圖16與圖1所示的區(qū)域不同之處在于，虛設(shè)顯示區(qū)域被分成第一虛設(shè)顯示區(qū)域bx與第二虛設(shè)顯示區(qū)域 by。其中，第一虛設(shè)顯示區(qū)域bx為位于顯示區(qū)域a與設(shè)置數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路160的區(qū)域 160b之間的區(qū)域、以及位于與區(qū)域160b相反的一側(cè)的區(qū)域。第二虛設(shè)顯示區(qū)域by為位于顯示區(qū)域a與設(shè)置掃描線驅(qū)動(dòng)電路170的區(qū)域170b之間的兩個(gè)區(qū)域。數(shù)據(jù)線114，從數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路160到顯示區(qū)域a在Y方向上延伸設(shè)置，所以在第一虛設(shè)顯示區(qū)域bx中的與區(qū)域160b相同的一側(cè)的區(qū)域(即在圖16中為下側(cè)的區(qū)域)，難以使用對數(shù)據(jù)線層21進(jìn)行構(gòu)圖所得的布線在X方向上將虛設(shè)像素電極131彼此相互連接。 另一方面，在第一虛設(shè)顯示區(qū)域bx中的與區(qū)域160b相反側(cè)的區(qū)域(即在圖16中為上側(cè)的區(qū)域)，有時(shí)未設(shè)置數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路160，而設(shè)置數(shù)據(jù)線114的檢查電路等。在該情況下，難以使用對數(shù)據(jù)線層21進(jìn)行構(gòu)圖所得的布線將虛設(shè)像素電極131彼此連接。因此，在第二實(shí)施方式中，在第一虛設(shè)顯示區(qū)域bx中，設(shè)為使用對電極層20進(jìn)行構(gòu)圖所得的布線將虛設(shè)像素電極131彼此連接。另外，這樣對于虛設(shè)顯示區(qū)域中的沿著Y方向的區(qū)域by，雖然在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路 160的有無方面存在不同，但是情況相同，所以在第二實(shí)施方式中不進(jìn)行區(qū)別。圖17是局部放大了圖16中的M區(qū)域即顯示區(qū)域a、虛設(shè)顯示區(qū)域bx以及外側(cè)區(qū)域c沿Y方向排列的區(qū)域的俯視圖，示出了俯視時(shí)的像素電極層23的構(gòu)圖形狀。
如在該圖中所示，關(guān)于對像素電極層23進(jìn)行構(gòu)圖所得的像素電極118、虛設(shè)像素電極131以及導(dǎo)電圖形135，與圖10所示的第一實(shí)施方式同樣。圖18是表示圖17中所示的M區(qū)域中、以包括虛設(shè)像素電極131的方式在R_r線處剖切后的結(jié)構(gòu)的局部剖視圖。如圖18所示，虛設(shè)顯示區(qū)域bx中的虛設(shè)像素電極131經(jīng)由開孔于第三層間絕緣膜43的接觸孔56而連接于中繼電極73。中繼電極73為按每個(gè)虛設(shè)像素電極131按島狀對屏蔽電極層22進(jìn)行構(gòu)圖所得的電極。因此，中繼電極73，與顯示區(qū)域a中的中繼電極71 和屏蔽電極72中的任一個(gè)都不干涉。進(jìn)而，中繼電極73經(jīng)由開孔于第二層間絕緣膜42以及電介質(zhì)層34的接觸孔57 而連接于布線63。布線63，是對圖7所示的構(gòu)成中繼電極61、62的電極層20，以使其在圖 18中在紙面垂直方向(在圖17中為X方向)上延伸設(shè)置的方式按每行進(jìn)行構(gòu)圖所得的布線，是第一布線的一例。在X方向上延伸設(shè)置的布線63，連接在X方向上相鄰的虛設(shè)像素電極131彼此，并且雖然沒有特別地進(jìn)行圖示，但是被引出至外側(cè)區(qū)域c而共同連接，經(jīng)由圖15中的連接點(diǎn) 107d以及端子107，被供給信號VI。因此，在虛設(shè)顯示區(qū)域bx中，對虛設(shè)像素電極131的各個(gè)共同施加信號VI。圖19是局部地放大圖16中的N區(qū)域即顯示區(qū)域a、第二虛設(shè)顯示區(qū)域by以及外側(cè)區(qū)域c沿著X方向排列的區(qū)域的俯視圖，示出了俯視時(shí)的像素電極層23的構(gòu)圖形狀。如在該圖中所示，關(guān)于對像素電極層23進(jìn)行構(gòu)圖所得的像素電極118、虛設(shè)像素電極131以及導(dǎo)電圖形135，與圖14所示的第一實(shí)施方式相同。圖20是表示N區(qū)域中的、以包括虛設(shè)像素電極131的方式在沿著X方向的S_s線處剖切后的結(jié)構(gòu)的局部剖視圖。如在該圖中所示地，第二虛設(shè)顯示區(qū)域by中的虛設(shè)像素電極131，經(jīng)由接觸孔56 連接于中繼電極74。中繼電極74與中繼電極73同樣地，是按每個(gè)虛設(shè)像素電極131按島狀對屏蔽電極層22進(jìn)行構(gòu)圖所得的電極。中繼電極74，經(jīng)由開孔于第二層間絕緣膜42的接觸孔58而連接于布線81。布線81是對圖7所示的構(gòu)成數(shù)據(jù)線114和/或電容電極11 的數(shù)據(jù)線層21以使其在圖20中在紙面垂直方向上(在圖19中為Y方向)延伸設(shè)置的方式，按每列進(jìn)行構(gòu)圖所得的布線，是第二布線的一例。在Y方向上延伸設(shè)置的布線81，連接在Y方向上相鄰的虛設(shè)像素電極131彼此，并且雖然沒有特別地進(jìn)行圖示，但是被引出至外側(cè)區(qū)域c而共同連接，經(jīng)由圖15中的連接點(diǎn) 107d以及端子107被供給信號VI。因此，在虛設(shè)顯示區(qū)域by中，對虛設(shè)像素電極131的各個(gè)也共同施加信號VI。另外，第二虛設(shè)顯示區(qū)域by位于掃描線驅(qū)動(dòng)電路170與顯示區(qū)域a 之間，所以在圖20中不存在數(shù)據(jù)線114。圖22是在第二實(shí)施方式中供給于虛設(shè)像素電極131的信號Vl的電壓波形圖。如該圖中所示，信號VI，按每ι幀以相對于施加于共用電極108的電壓LCcom高電壓Vm量的高位的電壓(LCcom+Vm)和低電壓Vm量的低位的電壓(LCcom-Vm)交替變換地被供給。包括無效液晶元件的液晶元件120的電壓-反射率特性，如果是常黑模式則一般如圖23(A)所示，電壓為零則反射率變?yōu)?%，隨著電壓升高而反射率增加，最終飽和為 100%。另外，圖23(A)以向液晶元件120的施加電壓(像素電極118或者虛設(shè)像素電極131與共用電極108的電位差)為橫軸，以將最小反射率設(shè)為0%、將最大反射率設(shè)為100% 而歸一化的相對反射率進(jìn)行表示。此外，由于液晶105的特性和/或因取向膜38所產(chǎn)生的預(yù)傾角等各種各樣的要因，如圖23⑶所示，有時(shí)電壓不為零而為電壓Vm時(shí)反射率變?yōu)樽钚〉?%。這樣的情況下，即使對虛設(shè)像素電極131施加電壓LCcom、使得向無效液晶元件的施加電壓為零，也有可能不能使虛設(shè)顯示區(qū)域b進(jìn)行充分的黑顯示。相對于此，在第二實(shí)施方式中，即使在液晶元件具有圖23(B)所示那樣的特性的情況下，由于對虛設(shè)像素電極131施加使其進(jìn)行黑顯示的電壓，所以能夠使虛設(shè)顯示區(qū)域b 具有作為包圍顯示區(qū)域a的分隔件(框緣)的功能。此外，對虛設(shè)像素電極131按每1幀以電壓(LCcom+Vm)和電壓(LCcom-Vm)交替變換，所以在以2幀為基準(zhǔn)單位來看時(shí)不會(huì)對無效液晶元件施加直流分量。因此，由虛設(shè)像素電極131和共用電極108所夾持的液晶105 也不會(huì)因直流分量的施加而劣化。另外，在第二實(shí)施方式中，在第一虛設(shè)顯示區(qū)域bx中，構(gòu)成為，順次經(jīng)由(端子 107、連接部107d)布線63以及中繼電極73對虛設(shè)像素電極131供給信號VI，或者使用對電極層20進(jìn)行構(gòu)圖所得的布線63來供給，但是不限于這些，也可以構(gòu)成為，例如如圖21所示那樣使用布線113進(jìn)行供給。布線113是對構(gòu)成掃描線112的多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖所得的布線，為第一布線的另一例。另外，在圖21中，中繼電極73經(jīng)由開孔于第一層間絕緣膜41 的接觸孔59連接于布線113。此時(shí)，關(guān)于布線63，既可以按每個(gè)虛設(shè)像素電極131形成為島狀來使其作為中繼電極發(fā)揮作用，也可以如在圖18中所說明的那樣使其在Y方向上延伸設(shè)置來作為布線形成、并且通過將其相對于布線113并聯(lián)連接而用于使布線電阻降低。此外，在第二實(shí)施方式中，構(gòu)成為，在將液晶元件120的反射率變?yōu)樽钚r(shí)的電壓實(shí)效值設(shè)為Vm時(shí)，以(LCcom+Vm)以及(LCcom-Vm)交替地變換施加于虛設(shè)像素電極131的信號Vl的電壓，但是關(guān)于電壓Vm不限于液晶元件120的反射率變?yōu)樽钚r(shí)的電壓，也可以使用例如使反射率為50%時(shí)的電壓(灰色電壓)。此外，電壓的變換周期也可以不是1幀。在第二實(shí)施方式中，如果液晶元件具有在圖23(A)中所示的那樣的特性，則也可以構(gòu)成為，經(jīng)由布線63或者布線81對虛設(shè)像素電極131施加電壓LCcom。而且，在第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中，構(gòu)成為在虛設(shè)顯示區(qū)域b(bx、by)中虛設(shè)像素電極131按3行或3列排列，但是既可以是1行或者1列，也可以是2行或者2列， 還可以是4行以上或者4列以上。此外，關(guān)于液晶面板100，不限于反射型，也可以是透射型。變形例圖25是表示K區(qū)域中的電極構(gòu)成的另外的例子的圖。K區(qū)域中的電極構(gòu)成不限定于圖10中所例示的構(gòu)成。圖25示出了電極被交錯(cuò)配置(三角狀配置)的例子。奇數(shù)行的像素118的基準(zhǔn)點(diǎn)(例如左下頂點(diǎn))的χ坐標(biāo)相對于偶數(shù)行的像素118的基準(zhǔn)點(diǎn)按確定的長度(例如1^/2)錯(cuò)開。關(guān)于虛設(shè)像素電極131也同樣。圖沈是表示K區(qū)域中的電極構(gòu)成的其他的另外的例子的圖。圖沈中，顯示區(qū)域a 中的像素電極118與虛設(shè)顯示區(qū)域b中的虛設(shè)像素電極131，x坐標(biāo)錯(cuò)開地配置。如果僅看顯示區(qū)域a中的像素電極118，則χ坐標(biāo)一致，如果僅看虛設(shè)顯示區(qū)域b中的像素電極131，則X坐標(biāo)一致。但是，虛設(shè)像素電極131的基準(zhǔn)點(diǎn)(例如左下頂點(diǎn))的X坐標(biāo)相對于像素電極118的基準(zhǔn)點(diǎn)(例如左下頂點(diǎn))按確定的長度(例如Px/2)錯(cuò)開。圖27是表示K區(qū)域中的電極構(gòu)成的又一個(gè)的另外的例子的圖。在圖10的例子中， 像素電極118與虛設(shè)像素電極131具有相同的形狀以及尺寸。但是，在圖27的例子中，像素電極118與虛設(shè)像素電極131，尺寸以及間距不同。具體而言，虛設(shè)像素電極131與像素電極118相比間距較大。但是，在圖27的例子中，虛設(shè)像素電極131具有縫隙1311?？p隙 1311被設(shè)計(jì)為，使布線密度在顯示區(qū)域a與虛設(shè)顯示區(qū)域b中變得相等那樣的形狀。例如， 在顯示區(qū)域a中在像素電極118之間存在10%的開口的情況下，在虛設(shè)像素區(qū)域b，通過電極間的開口以及縫隙1311而形成合計(jì)10%的開口。在圖10以及圖25 27的例子中，都是以使布線密度在顯示區(qū)域a與虛設(shè)顯示區(qū)域b中變得相等的方式，來構(gòu)成像素電極118 以及虛設(shè)電極131。電子設(shè)備接著，對于應(yīng)用了上述實(shí)施方式所涉及的反射型的液晶面板100的電子設(shè)備進(jìn)行說明。圖M是表示將液晶面板100作為光閥使用的投影機(jī)1100的構(gòu)成的俯視圖。如在該圖中所示，投影機(jī)1100是使實(shí)施方式所涉及的反射型的液晶面板100與 R(紅)、G(綠)、B(藍(lán))的各色相對應(yīng)的3板式。在投影機(jī)1100的內(nèi)部，沿著系統(tǒng)光軸PL 配置有偏振照明裝置1110。在該偏振照明裝置1110中，來自燈1112的出射光由于反射器1114的反射而變?yōu)榇笾缕叫械墓馐?，入射于第一積分透鏡1120。通過該第一積分透鏡 1120，來自燈1112的出射光被分割為多個(gè)中間光束。該分割出的中間光束，通過在光入射側(cè)具有第二積分透鏡的偏振變換元件1130，被變換為偏振方向大致一致的一種偏振光束 (s偏振光束)，從偏振照明裝置1110出射。此外，從偏振照明裝置1110出射的s偏振光束，通過偏振分束器1140的s偏振光束反射面1141而被反射。該反射光束中的藍(lán)色光(B)的光束通過分色鏡1151的藍(lán)色光反射層反射，由液晶面板100B調(diào)制。此外，透射了分色鏡1151的藍(lán)色光反射層的光束中的紅色光(R)的光束通過分色鏡1152的紅色光反射層反射，由液晶面板100R調(diào)制。另一方面， 透射了分色鏡1151的藍(lán)色光反射層的光束中的綠色光(G)的光束，透射分色鏡1152的紅色光反射層，由液晶面板100G調(diào)制。這里，液晶面板100RU00G以及100B，與上述的實(shí)施方式中的液晶面板100同樣， 由所供給的與R、G、B的各色相對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號分別驅(qū)動(dòng)。S卩，在該投影機(jī)1100中，液晶面板100構(gòu)成為，與R、G、B的各色相對應(yīng)地設(shè)置有3組，相應(yīng)于與R、G、B的各色相對應(yīng)的圖像信號分別被驅(qū)動(dòng)。分別由液晶面板100R、100G、100B調(diào)制后的紅色、綠色、藍(lán)色的光，通過分色鏡 1152、1151、偏振分束器1140被依次合成后，通過投影光學(xué)系統(tǒng)1160被投影于屏幕1170。 另外，與R、G、B的各原色相對應(yīng)的光束通過分色鏡1151、1152而入射于液晶面板100R、100G 以及100B，所以不需要濾色器。另外，作為電子設(shè)備，除參照圖M說明了的投影機(jī)外，還可以舉出上述的EVFJ^ 面投影型的電視機(jī)、頭置式顯示器等。
1權(quán)利要求
1.一種電光裝置，其特征在于， 具備元件基板；和與所述元件基板相對配置的、在與所述元件基板相對的相對側(cè)具有共用電極的相對基板，所述元件基板包括形成于與所述相對基板相對的相對側(cè)的、按每個(gè)像素以預(yù)定的間距排列的多個(gè)像素電極；俯視時(shí)位于所述多個(gè)像素電極的外側(cè)的、驅(qū)動(dòng)所述像素的驅(qū)動(dòng)電路； 多個(gè)虛設(shè)像素電極，其設(shè)置為俯視時(shí)在所述驅(qū)動(dòng)電路與所述多個(gè)像素電極之間包圍所述多個(gè)像素電極，與所述多個(gè)像素電極同一層，以與所述多個(gè)像素電極實(shí)質(zhì)上相等的尺寸以及間距按島狀排列；和布線，其配設(shè)于與所述多個(gè)像素電極不同的層，電連接所述多個(gè)虛設(shè)像素電極中的至少在一個(gè)方向上相鄰的虛設(shè)像素電極彼此。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于， 所述元件基板具有多條掃描線；俯視時(shí)與所述多條掃描線交叉的多條數(shù)據(jù)線；和屏蔽電極，其形成為，剖視時(shí)設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線與所述像素電極之間且俯視時(shí)覆蓋所述數(shù)據(jù)線，被施加預(yù)定的電壓，所述像素電極，俯視時(shí)與所述多條掃描線與所述多條數(shù)據(jù)線的各交叉處對應(yīng)地分別設(shè)置，所述布線與所述屏蔽電極同一層，被施加所述預(yù)定的電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光裝置，其特征在于， 對所述共用電極施加預(yù)定的共用電壓，所述預(yù)定的電壓為所述共用電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于， 所述元件基板具有多條掃描線；和俯視時(shí)與所述多條掃描線交叉的多條數(shù)據(jù)線，所述像素電極俯視時(shí)與所述多條掃描線與所述多條數(shù)據(jù)線的各交叉處相對應(yīng)地分別設(shè)置，所述驅(qū)動(dòng)電路具有從所述多條掃描線的兩端側(cè)分別驅(qū)動(dòng)所述多條掃描線的各條的2 個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路；和從所述多條數(shù)據(jù)線的一端側(cè)驅(qū)動(dòng)所述多條數(shù)據(jù)線的各條的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電光裝置，其特征在于， 所述布線為包括與所述數(shù)據(jù)線不同的電極層的第一布線，所述多個(gè)虛設(shè)像素電極中的、位于所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路與所述多個(gè)像素電極之間的虛設(shè)像素電極，經(jīng)由所述第一布線相互連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電光裝置，其特征在于，所述布線為包括與所述數(shù)據(jù)線同一層的電極層的第二布線，所述多個(gè)虛設(shè)像素電極中的、位于所述掃描線驅(qū)動(dòng)電路與所述多個(gè)像素電極之間的虛設(shè)像素電極，經(jīng)由所述第二布線相互連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電光裝置，其特征在于，對所述虛設(shè)像素電極，按預(yù)定的周期交替施加與所述共用電壓相比按預(yù)定值高的高位的電壓和按所述預(yù)定值低的低位的電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，俯視時(shí)，在所述像素電極的間隙以及所述虛設(shè)像素電極的間隙中分別埋入有絕緣件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，具有導(dǎo)電圖形，該導(dǎo)電圖形設(shè)置于俯視時(shí)包圍所述虛設(shè)像素電極的位置，與所述像素電極同一層，與所述虛設(shè)像素電極不連接。
10.一種電子設(shè)備，其特征在于，具有權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的電光裝置。
11.一種電光裝置，其特征在于， 具備元件基板；和與所述元件基板相對配置的、在與所述元件基板相對的相對側(cè)具有共用電極的相對基板，所述元件基板包括形成于與所述相對基板相對的相對側(cè)的、按每個(gè)像素以預(yù)定的間距排列的多個(gè)像素電極；俯視時(shí)位于所述多個(gè)像素電極的外側(cè)的、驅(qū)動(dòng)所述像素的驅(qū)動(dòng)電路； 多個(gè)虛設(shè)像素電極，其設(shè)置為俯視時(shí)在所述驅(qū)動(dòng)電路與所述多個(gè)像素電極之間包圍所述多個(gè)像素電極，與所述多個(gè)像素電極同一層，以成為與所述多個(gè)像素電極實(shí)質(zhì)上相等的密度的方式按島狀排列；和布線，其配設(shè)于與所述多個(gè)像素電極不同的層，電連接所述多個(gè)虛設(shè)像素電極中的至少在一個(gè)方向上相鄰的虛設(shè)像素電極彼此。
全文摘要
本發(fā)明提供電光裝置以及電子設(shè)備。在顯示區(qū)域(a)中像素電極(118)按預(yù)定的間距排列成矩陣狀。在包圍顯示區(qū)域(a)的虛設(shè)顯示區(qū)域(b)中設(shè)置的虛設(shè)像素電極(131)，與像素電極(118)同一層，而且按與像素電極(118)相等的尺寸以及間距排列成島狀。虛設(shè)像素電極(131)經(jīng)由與像素電極(118)相比靠下層的布線相互連接。
文檔編號G02F1/133GK102456333SQ20111032820
公開日2012年5月16日 申請日期2011年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月25日
發(fā)明者原弘幸, 橫田智己 申請人:精工愛普生株式會(huì)社