專利名稱：具有高透光率的液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種高透過率的液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(Liquid crystal display,LCD)是一種采用液晶進(jìn)行顯示的顯示器。液晶顯示面板是液晶顯示器的主要部件，液晶顯示面板包括相對設(shè)置的上基板和下基板，以及設(shè)置于上基板和下基板之間的液晶層。上基板和下基板的內(nèi)側(cè)設(shè)置有電極，在電極之間的電場作用下，液晶分子會(huì)發(fā)生排列上的變化，從而影響通過其的光線變化，這種光線的變化可以表現(xiàn)出明暗的變化，人們通過對液晶顯示器電場的控制最終控制了光線的明暗變化，從而達(dá)到顯示圖像的目的。液晶顯示器因具有低電壓操作、無輻射線散射、重量輕以及體積小等傳統(tǒng)陰極射線管所制造的顯示器無法達(dá)到的優(yōu)點(diǎn)。因此，液晶顯示器已成為近年來顯示器研究的主要課題。根據(jù)液晶分子的排布方式，常見的液晶顯示面板分為窄視角的TN-1XD、STN-1XD和DSTN-1XD型液晶顯示面板；寬視角的IPS、VA、FFS型液晶顯示面板等。TN型液晶顯示面板是目前市場上最主流的模式，但其在視角方面有天然痼疾，即使使用了補(bǔ)償膜，用于彌補(bǔ)TN液晶顯示面板可視角度的不足，但仍無法滿足廣視角的要求。為此，許多公司都研發(fā)相關(guān)的廣視角技術(shù)，IPS (In Plane Switching,平面內(nèi)偏轉(zhuǎn))就是其中一種。IPS是日立于2001年推出的面板技術(shù)，它也被俗稱為“Super TFT”。從技術(shù)角度看，傳統(tǒng)的TN-LCD顯示器的液晶分子一般都在垂直-平行狀態(tài)間切換，MVA和PVA將之改良為垂直-雙向傾斜的切換方式，而IPS技術(shù)與上述技術(shù)最大的差異就在于，不管在何種狀態(tài)下液晶分子始終都與面板平行，只是在加電和常規(guī)狀態(tài)下分子的旋轉(zhuǎn)方向有所不同，為了配合這種結(jié)構(gòu)，IPS對電極進(jìn)行改良，電極做到了同側(cè)，形成平面電場，因?yàn)槠浔苊饬艘壕г谪Q直方向上的偏轉(zhuǎn)，所以可以達(dá)到較大的視角。如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)的一種IPS型液晶顯示面板的一個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示的IPS型液晶顯示面板包括彩膜基板104、陣列基板106以及設(shè)置于其間的液晶層103，所述陣列基板106上設(shè)置有薄膜晶體管(TFT)108、像素電極109和公共電極110，像素電極109和公共電極110的上層還設(shè)置有絕緣層111，所述像素電極109通過TFT108接受數(shù)據(jù)信號(hào)。通常像素電極109和公共電極110都是平行設(shè)置的條狀電極，液晶分子112在像素電極109和公共電極110的作用下可進(jìn)行面內(nèi)偏轉(zhuǎn)，進(jìn)而控制背光的光線的通過顯示圖像。但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1所示，距離像素電極109和公共電極110較遠(yuǎn)的液晶分子因?yàn)樗艿碾妶隽?huì)比較弱，在電場的作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)的速度也非常慢，造成了液晶顯示面板相應(yīng)時(shí)間較長。而且在靠近彩膜基板104—側(cè)的液晶分子因幾乎不能受到像素電極109和公共電極110的電場的作用，進(jìn)而幾乎不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，也導(dǎo)致IPS模式液晶顯示面板的透過率較低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，包括相對設(shè)置的上基板和下基板，以及設(shè)置于所述上基板和下基板之間的液晶層；所述下基板朝向上基板一側(cè)有多條平行設(shè)置的掃描線以及與所述多條掃描線垂直相交的多條數(shù)據(jù)線，所述多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線限定多個(gè)像素單元，在每個(gè)像素單元內(nèi)有平行設(shè)置的下基板像素電極和下基板公共電極；對應(yīng)各像素單元，在上基板朝向下基板一側(cè)有平行設(shè)置的上基板像素電極和上基板公共電極。本發(fā)明提供的液晶顯示面板可以使整個(gè)液晶層的液晶分子都發(fā)明偏轉(zhuǎn)，大大提高了現(xiàn)有的IPS型液晶顯示裝置的光線的透光過率，并且具有較快的響應(yīng)速度。可選地，所述上基板像素電極和下基板像素電極位置相對應(yīng)，所述上基板公共電極和下基板公共電極位置相對應(yīng)?？蛇x地，所述上基板像素電極和下基板像素電極形狀及大小相同，所述上基板公共電極和下基板公共電極形狀及大小相同。 可選地，所述上基板公共電極和下基板公共電極電位相同?？蛇x地，所述上基板公共電極和下基板公共電極電連接?？蛇x地，所述上基板公共電極和下基板公共電通過液晶顯示面板外圍區(qū)域設(shè)置的導(dǎo)通點(diǎn)電連接。可選地，所述上基板像素電極和下基板像素電極電位相同。可選地，所述上基板像素電極和下基板像素電極電連接?？蛇x地，在像素單元內(nèi)還設(shè)置有光間隙物。可選地，所述光間隙物為導(dǎo)電材料，并且所述光間隙物電連接上基板像素電極和下基板像素電極?？蛇x地，所述光間隙物上設(shè)置有導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層電連接上基板像素電極和下基板像素電極?？蛇x地，所述導(dǎo)電層和下基板像素電極為同一層，并且連接在一起。可選地，所述上基板為彩膜基板。 可選地，所述上基板公共電極、下基板公共電極、上基板像素電極和下基板像素電極由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成?？蛇x地，所述透明導(dǎo)電材料為氧化銦錫?？蛇x地，所述上基板像素電極、上基板公共電極和下基板像素電極、下基板公共電極的對位偏差在I U m以內(nèi)。可選地，所述液晶顯示面板的盒厚在4. 5 m至5 m之間。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的IPS型液晶顯示面板的一個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)示意 圖2是本發(fā)明實(shí)施例液晶顯示面板的陣列基板的一個(gè)像素單元示意 圖3是本發(fā)明液晶顯示面板的彩膜基板上的一個(gè)像素單元的示意 圖4是本發(fā)明液晶顯示面板沿BB’截面的示意 圖5是一種現(xiàn)有技術(shù)的IPS型液晶顯示面板的電場模擬 圖6是本發(fā)明提供的液晶顯示面板的電場模擬圖； 圖1是本發(fā)明提供的液晶顯示面板的CC’截面的示意 圖8是本發(fā)明液晶顯不面板的另一實(shí)施例的不意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
予以說明。本發(fā)明提供的液晶顯示面板包括相對設(shè)置的上基板和下基板以及設(shè)置于所述上基板和下基板之間的液晶層，在本實(shí)施例中所述上基板為彩膜基板，下基板為陣列基板。在陣列基板上包括多條平行設(shè)置的掃描線以及與所述多條掃描線垂直相交的多條數(shù)據(jù)線，所述多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線限定多個(gè)像素單元。請參考圖2，為本發(fā)明實(shí)施例液晶顯示面板的陣列基板上的一個(gè)像素單元的示意圖。如圖所示，所述像素單元的TFT203的柵極和掃描線201連接，TFT203的源極和數(shù)據(jù)線202連接，TFT203的漏極通過過孔204和下基板像素電極206電連接，所述像素單元還包括下基板公共電極207。在本發(fā)明提供的液晶顯示面板中還包括上基板，在本實(shí)施例中所述上基板為彩膜基板。相對于所述像素單元，在彩膜基板朝向陣列基板的一側(cè)還設(shè)置的有上基板像素電極和上基板公共電極。圖3是本發(fā)明液晶顯示面板的彩膜基板上的一個(gè)像素單元的示意圖。圖4是本發(fā)明液晶顯示面板沿BB’截面的示意圖。請參考圖2和圖4，在陣列基板210上，像素單元包括柵絕緣層211、鈍化層212，所述像素單元還包括設(shè)置于鈍化層212上的下基板像素電極206和下基板公共電極207，所述下基板像素電極206和下基板公共電極207分別為梳狀電極，即所述下基板像素電極206和下基板公共電極207分別具有多條相互平行設(shè)置的長條形部分，并且所述長條形部分通過連接部電連接在一起。所述下基板像素電極206和下基板公共電極207的梳狀電極的各長條狀部分相互平行間隔設(shè)置，并且所述下基板像素電極206和下基板公共電極207施加不同的電壓形成面內(nèi)電場，所述下基板像素電極206和下基板公共電極207為透明導(dǎo)電材料，在本實(shí)施例中，所述下基板像素電極206和下基板公共電極207為氧化銦錫。請參考圖3和圖4，在彩膜基板213朝向陣列基板210的一側(cè)設(shè)置有上基板像素電極2131和上基板公共電極2132，所述上基板像素電極2131和上基板公共電極2132呈長條狀并且相互平行間隔設(shè)置，并且在上基板像素電極2131和上基板公共電極2132施加不同的電壓形成面內(nèi)電場，所述上基板像素電極2131和上基板公共電極2132為透明導(dǎo)電材料，在本實(shí)施例中，所述上基板像素電極2131和上基板公共電極2132為氧化銦錫。以下具體介紹本發(fā)明提供的液晶顯示面板的工作原理，請參考圖2、圖3和圖4，數(shù)據(jù)線202的數(shù)據(jù)電壓通過TFT203的源極和漏極以及過孔204被傳輸至下基板像素電極206 ;下基板公共電壓加載在下基板公共電極207上，從而下基板公共電極207和下基板像素電極206之間產(chǎn)生一個(gè)平面內(nèi)電場，液晶分子在呈平行且間隔設(shè)置的下基板公共電極207和下基板像素電極206之間發(fā)生偏轉(zhuǎn)，可以控制光線通過液晶分子層。同時(shí)，對上基板像素電極2132輸入上基板像素電壓，對上基板公共電極2131輸入上基板公共電壓。所述上基板像素電壓等于所述數(shù)據(jù)線202輸入至下基板像素電極206的數(shù)據(jù)電壓，所述上基板公共電壓等于下基板公共電壓。此時(shí)，靠近陣列基板210 —側(cè)的液晶分子主要受到下基板公共電極207和下基板像素電極206形成的平面內(nèi)電場的作用發(fā)生偏轉(zhuǎn)，靠近彩膜基板213一側(cè)的液晶分子主要受到上基板像素電極2132和上基板公共電極2131形成的平面內(nèi)電場的作用發(fā)生偏轉(zhuǎn)，整個(gè)液晶層的液晶分子幾乎都能可以在電場的作用下進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，大大提高了光線的透光過率；同時(shí)因整個(gè)液晶層的液晶分子都能受到均勻的電場力的作用，因而都可以以較快的速度偏轉(zhuǎn)，具有較快的響應(yīng)速度。作為優(yōu)先實(shí)施例，在本實(shí)施例中，上基板像素電極2131和下基板像素電極207的形狀大小完全一致并且對應(yīng)設(shè)置，同時(shí)下基板公共電極206和上基板公共電極2132的形狀大小完全一致并且對應(yīng)設(shè)置，所述上基板像素電極2131、上基板公共電極2132和下基板像素電極207、下基板公共電極206的對位偏差保證在I y m以內(nèi)。如果彩膜基板213和陣列基板210存在較大的對位偏差，會(huì)使得上基板像素電極2131、上基板公共電極2132和下基板像素電極207、下基板公共電極206之間也存在較大的對位偏差，而不能上下完全對應(yīng)，則因?yàn)樯匣逑袼仉姌O2131和下基板公共電極206的電位不同，在它們之間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)斜向的電場，同樣如果存在較大的對位偏差，上基板公共電極2132和下基板像素電極207之間也會(huì)產(chǎn)生一個(gè)斜向的電場。上述的兩個(gè)斜向電場會(huì)削弱平面內(nèi)電場的強(qiáng)度，并且使液晶層的液晶分子的排列發(fā)生紊亂，影響顯示效果。在本實(shí)施例中，通過保證上基板像素電極2131和下基板像素電極207的形狀大小一致并且對位偏差在I U m以內(nèi)，同時(shí)上基板公共電極2132和下基板公共電極206的形狀大小一致，對位偏差也在I U m以內(nèi)。即從垂直方向上看上基板公共電極2132和下基板公共電極206是完全重合的，上基板像素電極2131和下基板像素電極2132也是完全重合的，從而保證液晶層的液晶分子只受到平面內(nèi)電場的作用，提高顯示質(zhì)量。請參考圖5，為一種現(xiàn)有技術(shù)的IPS型液晶顯示面板的電場模擬圖；另提供一個(gè)電極尺寸、液晶盒厚、以及所使用的材料等都與上述現(xiàn)有技術(shù)的IPS型液晶顯示面板一樣的按照本發(fā)明所提供的結(jié)構(gòu)設(shè)置的液晶顯示裝置，圖6是上述本發(fā)明提供的液晶顯示面板的電場模擬圖。以上模擬所用軟件都為DMOS仿真軟件。從圖5和圖6中可以看出，本發(fā)明提供的液晶顯示面板的電場分布比現(xiàn)有技術(shù)的IPS型液晶顯示面板的電場分布更為均勻，現(xiàn)有的IPS型液晶顯示面板在靠近上基板一側(cè)的電場線已經(jīng)是分散分布并且很不均勻了，但是本發(fā)明提供的液晶顯示裝置在整個(gè)液晶層內(nèi)都能形成均勻的電場。根據(jù)軟件模擬結(jié)果的顯示，現(xiàn)有技術(shù)的IPS型液晶顯示面板的光的透過率僅為17. 85%，這是因?yàn)榭拷匣逡粋?cè)的液晶分子因受不到電場的作用而不發(fā)生偏轉(zhuǎn)進(jìn)而阻擋了光線的通過，而本發(fā)明提供的液晶顯示面板的光的透過率高達(dá)27. 14%，和現(xiàn)有技術(shù)相比光線的透過率提高了近50%，本發(fā)明提供的液晶顯示面板在具有廣視角的基礎(chǔ)上，解決了現(xiàn)有技術(shù)中一直存在的IPS型液晶顯示裝置中光的透過率低的問題。更進(jìn)一步地，作為優(yōu)先實(shí)施例，在本實(shí)施中所述液晶顯示面板的液晶盒厚在4. 5 ii m 至 5 ii m 之間。在現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1所示，遠(yuǎn)離像素電極109和公共電極110的液晶分子受到電場的作用非常小而幾乎不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，為了盡量減小這種影響，現(xiàn)有技術(shù)中盡量將液晶盒的厚度做的比較小來保證整個(gè)液晶層的液晶分子都能受到電場力的作用。所述液晶盒是上基板104和下基板103形成的一個(gè)密閉的用來容納液晶層103的空間，液晶盒的厚度也即液晶層103的厚度。現(xiàn)有技術(shù)中所述液晶盒的厚度一般在3. 5 y m到4. 5 y m之間，這樣可以盡量使液晶層103的液晶分子都能受到電場的驅(qū)動(dòng)，但是比較小的液晶盒也給制程工藝上帶來了很大的難度。在現(xiàn)有技術(shù)中，液晶盒的制程一般使用ODF (one drop flowing)技術(shù)，即將液晶滴在下基板上，一般使用步進(jìn)馬達(dá)控制注射器的方式控制滴下的每滴液晶的量，邊框膠涂布在上基板上，然后翻轉(zhuǎn)上基板使涂布了邊框膠的一側(cè)朝下和下基板貼合以形成液晶盒。按照設(shè)置的液晶盒厚，液晶量需要精確的控制，如果液晶量過多會(huì)造成顏色異常、影響邊框膠粘合強(qiáng)度和液晶泄露等不良，液晶量不足會(huì)造成盒內(nèi)氣泡等不良，都會(huì)對液晶顯示面板的顯示造成嚴(yán)重影響甚至使其直接報(bào)廢。需要控制3. 5 y m到4. 5 y m這樣的較小的液晶盒厚度就需要更精準(zhǔn)的控制液晶的滴下量，對現(xiàn)有工藝來說無疑增加了難度，也提高了不良率。本發(fā)明提供的液晶顯示面板，因?yàn)樵陉嚵谢迳显O(shè)置了下基板像素電極和下基板公共電極用于形成一個(gè)面內(nèi)水平電場，還在彩膜基板上設(shè)置了上基板像素電極和上基板公共電極也用于形成一個(gè)面內(nèi)水平電場，在兩個(gè)電場的作用下整個(gè)液晶盒內(nèi)液晶分子都能很好的進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，進(jìn)而本發(fā)明液晶顯示面板可以將液晶盒厚設(shè)置在4. 5 y m至5 y m，對顯示效果全完沒有影響，但是較大的液晶盒厚大大降低液晶顯示面板制程工藝的難度，提高了良率。進(jìn)一步的，作為優(yōu)選實(shí)施例，本實(shí)施例中所述上基板公共電極2132和下基板公共電極206電連接，上基板像素電極2131和下基板像素電極207電連接，從而使得上基板公共電極2132和下基板公共電極206的電位一致，上基板像素電極2131和下基板像素電極207的電位一致。具體地，請參考圖7，為本發(fā)明提供的液晶顯示面板的CC’截面的示意圖，請參考圖2以及圖7，本發(fā)明所提供的液晶顯示面板進(jìn)一步的還包括光間隙物205，所述光間隙物205設(shè)置于陣列基板210上，具體地，所述光間隙物205設(shè)置于下基板像素電極206的連接部之上。所述下基板像素電極206在光間隙物205處凸起和上基板像素電極2131電接觸，從而在各像素單元內(nèi)，上基板像素電極2131和下基板像素電極206可以形成電連接而等電位。當(dāng)數(shù)據(jù)線202上的數(shù)據(jù)電壓通過TFT203的源極、漏極和過孔204傳輸至下基板像素電極206時(shí)，上基板像素電極2131也具有同樣的電位。作為其他實(shí)施例，所述光間隙物205也可以設(shè)置于彩膜基板213朝向陣列基板210的一側(cè)。上基板像素電極在光間隙物205處向下凸起和下基板像素電極電接觸，可達(dá)到同樣的效果。在本發(fā)明提供的液晶顯示面板中，各像素單元的下基板公共電極207是連接在一起的，具體地，所述各像素單元的下基板公共電極207可以連接在一起，整個(gè)液晶顯示面板的下基板公共電極207具有相同的電位。在彩膜基板213上，同樣，所述各上基板公共電極2132也是連接在一起的并具有統(tǒng)一的電位的。在液晶顯示面板的外圍可以設(shè)置導(dǎo)通點(diǎn)(圖上為示出)，電連接上基板公共電極2132和下基板公共電極207。通過以上技術(shù)方案，在各像素單元內(nèi)部，上基板像素電極和下基板像素電極電連接擁有數(shù)據(jù)電壓，在液晶顯示面板的外圍，上基板公共電極和下基板公共電極通過導(dǎo)通點(diǎn)電連接擁有相同的電壓，從而不需要單獨(dú)為上基板像素電極和上基板公共電極提供驅(qū)動(dòng)電壓，降低了液晶顯示面板的驅(qū)動(dòng)難度，簡化了液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)。
請參考圖8,為本發(fā)明液晶顯不面板的另一實(shí)施例的不意圖，和圖7所不結(jié)構(gòu)不同之處在于，本實(shí)施例中光間隙物305由導(dǎo)電材料構(gòu)成，如金屬等。所述光間隙物305設(shè)置于陣列基板210上，具體地設(shè)置于下基板像素電極306的上層，并且和下基板像素電極306相接觸。所述光間隙物305的上側(cè)還和上基板像素電極2131相接觸，從而上基板像素電極2131和下基板像素電極306通過光間隙物305電連接。和圖7所示結(jié)構(gòu)相同之處在此就不再詳細(xì)描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員通過實(shí)施例的具體介紹和現(xiàn)有技術(shù)可理解。在本發(fā)明另一實(shí)施例提供的液晶顯示面板中，上基板像素電極和下基板像素電極通過導(dǎo)電材料制成的光間隙物電連接，避免如圖7所示的下基板像素電極需要跨越光間隙設(shè)置的結(jié)構(gòu)，減小了下基板像素電極斷裂的風(fēng)險(xiǎn)，提高了液晶顯示面板的的工藝良率和顯示的穩(wěn)定性。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示面板,包括 相對設(shè)置的上基板和下基板，以及設(shè)置于所述上基板和下基板之間的液晶層； 所述下基板朝向上基板一側(cè)有多條平行設(shè)置的掃描線以及與所述多條掃描線垂直相交的多條數(shù)據(jù)線，所述多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線限定多個(gè)像素單元，在每個(gè)像素單元內(nèi)有平行設(shè)置的下基板像素電極和下基板公共電極； 對應(yīng)各像素單元，在上基板朝向下基板一側(cè)有平行設(shè)置的上基板像素電極和上基板公共電極。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述上基板像素電極和下基板像素電極位置相對應(yīng)，所述上基板公共電極和下基板公共電極位置相對應(yīng)。
3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述上基板像素電極和下基板像素電極形狀及大小相同，所述上基板公共電極和下基板公共電極形狀及大小相同。
4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述上基板公共電極和下基板公共電極電位相同。
5.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述上基板公共電極和下基板公共電極電連接。
6.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述上基板公共電極和下基板公共電通過液晶顯示面板外圍區(qū)域設(shè)置的導(dǎo)通點(diǎn)電連接。
7.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述上基板像素電極和下基板像素電極電位相同。
8.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述上基板像素電極和下基板像素電極電連接。
9.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板，其特征在于，在像素單元內(nèi)還設(shè)置有光間隙物。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述光間隙物為導(dǎo)電材料，并且所述光間隙物電連接上基板像素電極和下基板像素電極。
11.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述光間隙物上設(shè)置有導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層電連接上基板像素電極和下基板像素電極。
12.如權(quán)利要求11所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述導(dǎo)電層和下基板像素電極為同一層，并且連接在一起。
13.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述上基板為彩膜基板。
14.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述上基板公共電極、下基板公共電極、上基板像素電極和下基板像素電極由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。
15.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為氧化銦錫。
16.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述上基板像素電極、上基板公共電極和下基板像素電極、下基板公共電極的對位偏差在Ium以內(nèi)。
17.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述液晶顯示面板的盒厚在.4. 5 y m至5 y m之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括相對設(shè)置的上基板和下基板，以及設(shè)置于所述上基板和下基板之間的液晶層；所述下基板朝向上基板一側(cè)有多條平行設(shè)置的掃描線以及與所述多條掃描線垂直相交的多條數(shù)據(jù)線，所述多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線限定多個(gè)像素單元，在每個(gè)像素單元內(nèi)有平行設(shè)置的下基板像素電極和下基板公共電極；對應(yīng)各像素單元，在上基板朝向下基板一側(cè)有平行設(shè)置的上基板像素電極和上基板公共電極。本發(fā)明提供的液晶顯示面板形成平面內(nèi)電場驅(qū)動(dòng)液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)進(jìn)行顯示，本發(fā)明提供的液晶顯示面板具有很高的透光率和較快的響應(yīng)速度。
文檔編號(hào)G02F1/1339GK103064219SQ20111031499
公開日2013年4月24日 申請日期2011年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月18日
發(fā)明者霍思濤, 任嬌燕 申請人:上海天馬微電子有限公司