專利名稱：修復(fù)像素亮點的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶面板(TFT-LCD)的修復(fù)技術(shù)，尤其涉及一種應(yīng)用于液晶面板中的修復(fù)像素亮點的方法。
背景技術(shù)：
在液晶面板制造期間，包括灰塵、有機物、金屬等異物會被吸附到液晶面板中。當(dāng)異物被吸附到靠近某些彩色濾光片的區(qū)域時，相應(yīng)于這些彩色濾光片的像素會發(fā)射出比其余正常像素的亮度亮得多的光，這稱為像素亮點?，F(xiàn)有的修復(fù)異物引起像素亮點的技術(shù)主要包括BM覆蓋法和CF碳化法，其中BM(黑矩陣)覆蓋法，主要是利用激光在具有像素亮點的彩色濾光片處或在該彩色濾光片和玻璃基板之間形成一個間隙，并且使用激光分解與該彩色濾光片相鄰的黑色基質(zhì)。CF(彩色濾光片)碳化法，是能夠選擇性地使用一定波長范圍的激光——該波長范圍的激光具有高吸收光譜，進(jìn)行修復(fù)像素亮點。然而，上述的BM覆蓋法和CF碳化法對像素亮點進(jìn)行修復(fù)時，實際生產(chǎn)時需要分步加工，造成加工時間較長，從而引起對像素亮點的修復(fù)效率降低。

發(fā)明內(nèi)容
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的目的是提供一種修復(fù)像素亮點的方法，可有效提高像素亮點的修復(fù)效率。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種修復(fù)像素亮點的方法，包括將像素亮點處的透明電極切割斷，阻斷像素電極側(cè)的透明電極與彩色濾光片側(cè)的透明電極的連接。優(yōu)選的，還包括在薄膜場效應(yīng)晶體管和彩色濾光片之間施加電壓，以確定所述像素亮點所在的位置。優(yōu)選的，所述將所述像素亮點處的透明電極切割斷的步驟具體包括根據(jù)引起所述像素亮點的異物的輪廓，確定激光的移動路線；根據(jù)所述移動路線來移動激光，激光在移動的過程中切割所述像素亮點處的透明電極，將所述像素亮點處的透明電切割斷。優(yōu)選的，所述將所述像素亮點處的透明電極切割斷的步驟具體包括根據(jù)引起所述像素亮點的異物的輪廓，調(diào)整激光的發(fā)射形狀；利用得到的所需形狀的激光對所述像素亮點進(jìn)行修復(fù)，將所述像素亮點處的透明電切割斷。優(yōu)選的，所述激光的發(fā)射形狀包括三角形或矩形。優(yōu)選的，所述方法還包括將激光的發(fā)射方式調(diào)整為雙次發(fā)射，或多次發(fā)射。
優(yōu)選的，所述透明電極的材料為氧化銦錫。由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明的實施例具有如下有益效果首先，通過激光將像素亮點處的透明電極切割斷，阻斷像素電極側(cè)的透明電極與彩色濾光片側(cè)的透明電極的連接，此種像素亮點的修復(fù)方法簡單，且所需的修復(fù)設(shè)備成本低，修復(fù)速度快，可有效提高像素亮點的修復(fù)效率；其次，在本實施例中采用激光進(jìn)行像素亮點修復(fù)時，由于是利用激光進(jìn)行切割，使得對激光的性能要求較低，允許所采用的激光的能量有小幅度的波動。


圖I為本發(fā)明的實施例中修復(fù)像素亮點的方法流程圖；
圖2為本發(fā)明的實施例中在薄膜場效應(yīng)晶體管和彩色濾光片之間施加電壓的示意圖；圖3為本發(fā)明的一實施例中移動激光的修復(fù)方式示意圖；圖4為本發(fā)明的另一實施例中修復(fù)方式的示意圖。
具體實施例方式為了使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，下面結(jié)合實施例和附圖，對本發(fā)明實施例做進(jìn)一步詳細(xì)地說明。在此，本發(fā)明的示意性實施例及說明用于解釋本發(fā)明，但并不作為對本發(fā)明的限定。如圖I所示，為本發(fā)明的實施例中修復(fù)像素亮點的方法流程圖，具體步驟如下步驟101、在薄膜場效應(yīng)晶體管和彩色濾光片之間施加電壓，以確定像素亮點所在的位置；如圖2所示，通過在薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT)和彩色濾光片(CF)之間施加電壓(AC Voltage)，使得液晶面板里的液晶分子都正常偏轉(zhuǎn)，以得到預(yù)期的灰度，假如存在像素亮點32，則在像素亮點32處的灰度與其他區(qū)域的灰度會不同，便于快速確定像素亮點32的位置。在本實施例中，可根據(jù)想要得到的預(yù)期的灰度，來設(shè)置施加在薄膜場效應(yīng)晶體管和彩色濾光片之間的電壓值。在本實施例中，可采用現(xiàn)有的定位技術(shù)，在液晶面板上確定像素亮點所在的位置，在此不再敷述。例如，通過一定倍率的放大鏡，在液晶面板上確定像素亮點的大致位置。步驟102、將像素亮點處的透明電極切割斷，阻斷像素電極側(cè)的透明電極與彩色濾光片側(cè)的透明電極連接；也就是，根據(jù)引起像素亮點的異物的輪廓，在液晶面板上確定出切割區(qū)域(如圖2中的矩形框)，然后沿該切割區(qū)域?qū)⑾袼亓咙c處透明電極切割斷。該切割區(qū)域的范圍可以根據(jù)實際異物的形狀確定。切割完成后，切割區(qū)域被設(shè)置為常黑模式，而其余區(qū)域都和正常像素?zé)o異，由于切割區(qū)域所占的面積較小，有效減少人眼對不良區(qū)域的感知范圍。在本實施例中，該透明電極的材料可以為ITO(氧化銦錫)，當(dāng)然可以理解的是在本實施例中并不限定透明電極的材料。
同樣，可以理解的是，采用本實施例中的修復(fù)方法可修復(fù)多個像素亮點，重復(fù)執(zhí)行上述步驟即可，在此不再敷述。在本實施例中，可通過如下兩種方式實現(xiàn)將像素亮點處的透明電極切割斷< 方式一 > 通過移動激光來切割像素亮點處的IT0，阻斷像素電極側(cè)的ITO與彩色濾光片側(cè)的ITO的連接。避免切割區(qū)域內(nèi)的電學(xué)導(dǎo)通，使切割區(qū)域內(nèi)的液晶分子不能正常偏轉(zhuǎn)。也就是，在進(jìn)行像素亮點修復(fù)時，根據(jù)引起像素亮點的異物的輪廓，確定激光的移動路線，按照移動路線來移動激光，在移動的過程中完成像素亮點處的ITO的切割。該預(yù)定路線可根據(jù)引起像素亮點的異物的輪廓進(jìn)行調(diào)整。例如根據(jù)引起像素亮點的異物的輪廓，確定需要切割的長度為20um時，首先在激光的源頭處設(shè)置遮擋物(Slit)，通過遮擋物來調(diào)整激光的形狀，可以通過遮擋物將激光調(diào)整為IXlum的激光，然后通過馬達(dá)控制發(fā)射激光設(shè)備按照確定的方向移動20um，從而達(dá)到維修20um的切割范圍。如圖3所示，為本發(fā)明的一實施例中移動激光的修復(fù)方式示意圖。在確定像素亮點32位置后，根據(jù)引起像素亮點32的異物的輪廓，再確定激光31的移動路線(圖3中帶箭頭的虛線)，然后在TFT上方，按照圖3中的帶箭頭的虛線移動激光31，通過激光31來切割像素亮點32處的IT033，從而阻斷像素電極側(cè)的ITO與彩色濾光片側(cè)的ITO的連接。在本實施例中，可采用波長為1064um的激光，當(dāng)然也可采用其他波長的激光，例如波長為1053um的激光。當(dāng)然可以理解的是，在本實施例中并不限定所選激光的功率、規(guī)格、激光的照射時間等參數(shù)，這些參數(shù)可根據(jù)具體情況進(jìn)行調(diào)整。繼續(xù)參見圖3，切割區(qū)域為矩形區(qū)域，當(dāng)然在本實施例中并不限定激光31切割區(qū)域的形狀。該切割區(qū)域的形狀可以是任意形狀，例如三角形、圓形、多邊形等，可根據(jù)引起像素亮點的異物的輪廓自由選取。< 方式二 >與方式一不同的是，在方式二中的修復(fù)亮點像素的過程中，不需要移動激光，而直接根據(jù)引起像素亮點的異物的輪廓，調(diào)整激光的發(fā)射形狀，然后將激光的發(fā)射方式調(diào)整為雙次發(fā)射，或多次發(fā)射，以實現(xiàn)對像素亮點處ITO的切割。具體方式如下首先，根據(jù)引起像素亮點的異物的輪廓，設(shè)置激光的形狀參數(shù)(在激光的源頭處設(shè)置遮擋物)，得到所需形狀的激光。然后利用得到的激光進(jìn)行像素亮點修復(fù)，達(dá)到阻斷像素電極側(cè)的ITO與彩色濾光片側(cè)的ITO連接的效果。例如根據(jù)引起像素亮點的異物的輪廓，確定需要切割的長度為20um時，首先在激光的源頭設(shè)置遮擋物(Slit)，利用遮擋物來調(diào)整激光的發(fā)射形狀(例如三角形、矩形等)，可以通過遮擋物將激光調(diào)整為I X 20um的激光，然后可通過雙次發(fā)射，或多次發(fā)射的方式，實現(xiàn)對像素亮點處ITO的切割，從而達(dá)到維修20um的切割范圍，此時不需要馬達(dá)控制激光發(fā)射設(shè)備的運動。在本實施例中，采用雙次或多次發(fā)射激光可以更加有效保證像素亮點處ITO的切斷，提高修復(fù)成功率，其中雙次或多次發(fā)射是指在預(yù)定時間內(nèi)，發(fā)射激光兩次或多次。在方式二中，由于不需要移動激光，因此采用方式二所需的修復(fù)時間較方式一修復(fù)所需的修復(fù)時間短。如圖4所示，為本發(fā)明的另一實施例中修復(fù)方式的示意圖。在修復(fù)過程中，根據(jù)引起像素亮點的異物的輪廓，來設(shè)置激光的發(fā)射形狀，例如采用設(shè)置在激光源頭的遮擋物(Slit)，來獲取所需的激光311和激光312，然后通過雙次發(fā)射，或多次發(fā)射的方式，利用激光311、激光312312來切割像素亮點32處的IT033，以阻斷像素電極側(cè)的ITO與彩色濾光片側(cè)的ITO的連接。在方式一和方式二中，切割范圍可以根據(jù)引起像素亮點的異物的輪廓來確定，例如在切割時沿著異物的邊緣進(jìn)行，從而可減少不良區(qū)域的范圍。由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明的實施例具有如下有益效果首先，通過激光將像素亮點處的透明電極切割斷，阻斷像素電極側(cè)的透明電極與 彩色濾光片側(cè)的透明電極的連接，此種像素亮點的修復(fù)方法簡單，且所需的修復(fù)設(shè)備成本低，修復(fù)速度快，可有效提高像素亮點的修復(fù)效率；其次，在本實施例中采用激光進(jìn)行像素亮點修復(fù)時，由于是利用激光進(jìn)行切割，使得對激光的性能要求較低，允許所采用的激光的能量有小幅度的波動。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種修復(fù)像素亮點的方法，其特征在于，包括 將像素亮點處的透明電極切割斷，阻斷像素電極側(cè)的透明電極與彩色濾光片側(cè)的透明電極的連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，還包括在薄膜場效應(yīng)晶體管和彩色濾光片之間施加電壓，以確定所述像素亮點所在的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述將所述像素亮點處的透明電極切割斷的步驟具體包括 根據(jù)引起所述像素亮點的異物的輪廓，確定激光的移動路線； 根據(jù)所述移動路線來移動激光，激光在移動的過程中切割所述像素亮點處的透明電極，將所述像素亮點處的透明電切割斷。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述將所述像素亮點處的透明電極切割斷的步驟具體包括 根據(jù)引起所述像素亮點的異物的輪廓，調(diào)整激光的發(fā)射形狀； 利用得到的所需形狀的激光對所述像素亮點進(jìn)行修復(fù)，將所述像素亮點處的透明電切割斷。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述激光的發(fā)射形狀包括三角形或矩形。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括 將激光的發(fā)射方式調(diào)整為雙次發(fā)射，或多次發(fā)射。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述透明電極的材料為氧化銦錫。
全文摘要
本發(fā)明提供一種修復(fù)像素亮點的方法，該方法包括將像素亮點處的透明電極切割斷，阻斷像素電極側(cè)的透明電極與彩色濾光片側(cè)的透明電極的連接。此種像素亮點的修復(fù)方法簡單，可有效提高像素亮點的修復(fù)效率。
文檔編號G02F1/1362GK102707463SQ201110236629
公開日2012年10月3日 申請日期2011年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月17日
發(fā)明者吳濤, 張鐘石, 范朋 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司