專利名稱：液晶顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明的一個或多個方面涉及液晶顯示面板，更具體地說，涉及具有提高的側(cè)面可視性的液晶顯示面板。
背景技術：
一般而言，液晶顯示面板包括陣列基板、面對陣列基板的濾色器基板以及形成在陣列基板與濾色器基板之間的液晶層。陣列基板包括作為實現(xiàn)圖像的基本單元的多個像素。每個像素包括柵極布線、數(shù)據(jù)布線、薄膜晶體管(TFT)和像素電極。柵極布線和數(shù)據(jù)布線分別接收柵極信號和數(shù)據(jù)信號，并且分別電聯(lián)接到TFT的柵電極和源電極。像素電極電聯(lián)接到TFT的漏電極，并且面對形成在濾色器基板上的公共電極，其中液晶層插入公共電極與像素電極之間。與陰極射線管(CRT)顯示設備相比，包括液晶顯示面板的液晶顯示設備可以更薄，但可能具有較窄的視角。為了克服視角較窄的問題，近來已對具有寬視角的液晶顯示設備，例如垂直取向構(gòu)型(PVA)模式的液晶顯示設備、多象限垂直取向構(gòu)型(M-PVA)模式的液晶顯示設備和超級垂直取向構(gòu)型(S-PVA)模式的液晶顯示設備，進行了積極的研究。這些液晶顯示設備通過形成液晶分子以不同的方向與圖案化的透明電極一起布置在其中的液晶象限來進行制造，因此可以具有較寬的視角。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個或多個方面提供了具有提高的側(cè)面可視性的液晶顯示面板。根據(jù)本發(fā)明的一方面，液晶顯示面板包括包括位于像素區(qū)上的像素電極的第一基板，所述像素區(qū)包括第一子像素區(qū)和第二子像素區(qū)；以及聯(lián)接到所述第一基板的第二基板，其中在所述第一基板與所述第二基板之間容納有液晶層，所述第二基板包括在與所述像素區(qū)對應的區(qū)域上形成的公共電極，其中所述像素電極包括位于所述第一子像素區(qū)上的第一子像素電極；位于所述第二子像素區(qū)上的第二子像素電極；以及位于所述第一子像素區(qū)與所述第二子像素區(qū)之間的接觸電極，并且其中所述第一子像素電極與所述接觸電極彼此分隔開預定的距離。所述第一基板可以進一步包括柵電極；通過柵絕緣層與所述柵電極絕緣的半導體層；以及電聯(lián)接到所述半導體層的源電極和漏電極，并且其中所述漏電極延伸到所述第
一子像素區(qū)。所述液晶顯示面板可以進一步包括位于所述像素電極與所述漏電極之間的鈍化層?？梢杂伤龅谝蛔酉袼仉姌O、所述鈍化層以及延伸到所述第一子像素區(qū)的所述漏電極形成聯(lián)接電容器。所述液晶顯示面板可以進一步包括被形成為與所述像素電極重疊的存儲布線?？梢杂伤龃鎯Σ季€、所述柵絕緣層層和所述漏電極形成存儲電容器。所述第一子像素電極可以是浮置電極?？梢栽谒龉搽姌O的至少一部分中形成第一開口，以便與所述第一子像素電極對應。所述第一基板可以進一步包括延伸到所述第一子像素區(qū)的漏電極；以及位于所述像素電極與所述漏電極之間的鈍化層，其中由所述第一子像素電極的形成所述第一開口的區(qū)域、所述鈍化層和所述漏電極形成聯(lián)接電容器。所述液晶顯示面板可以進一步包括用于將所述第二子像素電極與所述接觸電極彼此聯(lián)接的連接電極。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，液晶顯示面板包括開關器件，形成在第一基板上，并且包括源電極、漏電極和柵電極；第一子像素區(qū)，電聯(lián)接到所述開關器件，并且包括第一液晶電容器和聯(lián)接電容器；以及第二子像素區(qū)，電聯(lián)接到所述開關器件，并且包括第二液晶電容器，其中充入所述第一子像素區(qū)的電壓小于充入所述第二子像素區(qū)的電壓。所述聯(lián)接電容器可以串聯(lián)聯(lián)接在所述漏電極與所述第一液晶電容器之間。所述液晶顯示面板可以進一步包括位于所述第一子像素區(qū)與所述第二子像素區(qū)之間的存儲電容器。所述液晶顯示面板可以進一步包括數(shù)據(jù)布線，電聯(lián)接到所述源電極；柵極布線， 電聯(lián)接到所述柵電極；以及存儲布線，電聯(lián)接到所述存儲電容器的一個端子，并且基本上平行于所述柵極布線延伸的方向而延伸。所述液晶顯示面板可以進一步包括面對所述第一基板的第二基板，其中在所述第二基板上形成有公共電極?？梢栽谒龉搽姌O的形成所述聯(lián)接電容器的區(qū)域中形成第一開口。所述液晶顯示面板可以進一步包括形成在所述第一子像素區(qū)上的第一子像素電極；形成在所述第二子像素區(qū)上的第二子像素電極；以及形成在所述第一子像素區(qū)與所述第二子像素區(qū)之間的接觸電極，其中所述第一子像素電極與所述接觸電極彼此分隔開預定的距離。所述液晶顯示面板可以進一步包括位于所述第一子像素電極與所述漏電極之間的鈍化層，其中所述漏電極延伸到所述第一子像素區(qū)，并且其中由所述第一子像素電極、所述鈍化層以及在所述第一子像素區(qū)中延伸的所述漏電極形成所述聯(lián)接電容器。


通過參照附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施例，本發(fā)明的上述及其它特征和優(yōu)點將變得更加明顯，附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示面板的平面圖；圖2是沿圖1的線A-A'截取的液晶顯示面板的截面圖；以及
圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示面板的單個像素的等效電路圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的示例性實施例。圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示面板的平面圖。圖2是沿圖1的線A-A'截取的液晶顯示面板的截面圖。參見圖1和圖2，根據(jù)本實施例的液晶顯示面板包括第一基板100和聯(lián)接到第一基板100的第二基板200，其中液晶層300容納在第一基板100與第二基板200之間。第一基板100包括第一底基板110，第一底基板110包括被限定為第一底基板110 的一部分的像素區(qū)PA。在這種情況下，像素區(qū)PA包括彼此分離的第一子像素區(qū)PAsi和第二子像素區(qū)PAs2。柵極布線GL以及與柵極布線GL相交的數(shù)據(jù)布線DL形成在第一底基板110上。連接到每條柵極布線GL和每條數(shù)據(jù)布線DL的開關器件TR以及連接到開關器件 TR的像素電極PE形成在像素區(qū)PA上。另外，存儲布線STL形成在像素區(qū)PA上以便與像素電極PE部分重疊。開關器件TR包括柵電極GE、柵絕緣層120(圖2)、半導體層130、源電極SE和漏電極DE。柵電極GE從柵極布線GL突出。柵絕緣層120形成在柵極布線GL和柵電極GE上， 如圖2所示。半導體層130包括摻有雜質(zhì)的有源層以及形成在有源層上的歐姆接觸層。在這種情況下，半導體層130形成在柵絕緣層120上，以便與柵電極GE對應。源電極SE從數(shù)據(jù)布線DL突出，并且形成在半導體層130上。漏電極DE與源電極SE分隔開，并且形成在半導體層130上。接觸部分CT形成在漏電極DE的延伸部分中，并且漏電極DE和以下將描述的像素電極PE的接觸電極CE通過接觸部分CT彼此電連接。如圖2所示，接觸部分CT包括形成在鈍化層140中的接觸孔，鈍化層140形成在數(shù)據(jù)布線DL、源電極SE和漏電極DE上。在這種情況下，源電極SE和漏電極DE可以各自包括諸如金屬材料、氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅 (IZO)之類的導電材料。像素電極PE包括第一子像素電極PEsi、第二子像素電極PEs2、接觸電極CE和連接電極BE。第一子像素電極PEsi形成在第一子像素區(qū)PAsi上，并且第二子像素電極PEs2形成在在第二子像素區(qū)PAs2上。在這種情況下，第一子像素電極PEsi可以是與第二子像素電極 PEs2、接觸電極CE和連接電極BE分隔開預定距離的浮置型電極。接觸電極CE形成在第一子像素電極PEsi與第二子像素電極PEs2之間，并且連接電極BE形成在第二子像素電極P^與接觸電極CE之間。另外，開關器件TR形成為與接觸電極CE相鄰以通過接觸部分CT電聯(lián)接到接觸電極CE。存儲布線STL形成在第一子像素區(qū)PAsi與第二子像素區(qū)PAs2之間的區(qū)域上，即形成在與開關器件TR相鄰的區(qū)域上。存儲布線STL形成為與接觸電極CE重疊，如圖1所示。如圖2所示，第二基板200包括第二底基板210，第二底基板210包括被限定為第二底基板210的一部分并且包括第一子像素區(qū)PAsi和第二子像素區(qū)PAs2的像素區(qū)PA。遮光層(未示出)、濾色器層230、第一上涂覆層(未示出)以及公共電極250形成在第二底基板210上。
遮光層由導電材料形成，并且與柵極布線GL和數(shù)據(jù)布線DL對應以便遮擋光?？商娲兀诠鈱涌梢孕纬蔀榕c柵極布線GL、數(shù)據(jù)布線DL、開關器件TR和存儲布線STL對應。 遮光層具有包括鉻(Cr)層和氧化鉻(CrOx)層的雙層結(jié)構(gòu)。濾色器層230形成在像素區(qū)PA上，并且例如，形成在像素區(qū)PA的由遮光層限定的部分上。公共電極250形成在濾色器層230上。也就是說，公共電極250共同形成在像素區(qū)PA上形成的像素電極PE(即第一子像素電極PEsi和第二子像素電極PEs2)、接觸電極CE 和連接電極BE上，并且公共電壓Vcom被施加給公共電極250。公共電極250共同連接到形成在與像素區(qū)PA相鄰的其它像素區(qū)上的其它公共電極。公共電極250的第一子像素區(qū)PAsi和第二子像素區(qū)PAs2被部分地去除以形成預定的開口。也就是說，與第一子像素區(qū)PAsi對應的第一開口 OAsi以及與第二子像素區(qū)PAs2對應的第二開口 OAs2形成在公共電極250中，如圖2所示。例如，第一開口 OAsi可以形成為與第一像素區(qū)PAsi的中央部分對應，并且第二開口 O^2可以形成為與第二子像素區(qū)PAs2的中央部分對應。在這種情況下，第一液晶電容器Clci(參見圖幻由第一子像素電極PEsi、液晶層 300和公共電極250限定，并且第二液晶電容器Clc2 (參見圖3)由第二子像素電極PEs2、液晶層300和公共電極250限定。存儲電容器Cst由存儲布線STL、柵絕緣層120和漏電極 DE限定。另外，聯(lián)接電容器Ccp由第一子像素電極PEsi、鈍化層140和漏電極DE限定。在這種情況下，漏電極DE中用于形成存儲電容器Cst和聯(lián)接電容器Ccp的區(qū)域可以具有位于 D1-D2平面上的預定區(qū)域。同樣地，通過在公共電極250中作為死區(qū)(dead space)的第一開口 OAsi中形成聯(lián)接電容器Ccp，根據(jù)本實施例的液晶顯示面板可以具有提高的孔徑比和側(cè)面可視性，這將在下文中進行描述。如在相關技術的描述中所描述的那樣，已對具有極好頂視角、底視角、左視角和右視角的多象限垂直取向構(gòu)型(M-PVA)模式的液晶顯示面板進行了積極研究。然而，在這種 M-PVA模式的液晶顯示面板中，由于過度的伽馬變化，在液晶顯示面板的側(cè)面部分周圍會出現(xiàn)灰度失真，導致色偏問題，從而降低側(cè)面可視性。為了防止色偏問題，已對將單個像素分成兩個或多個子像素并且將不同灰度電壓施加給各子像素以在單個像素中混合雙灰度級的方法進行了研究。然而，在使用這些方法時，孔徑比可能會減小，并且制造成本可能會增加。從這個觀點出發(fā)，在根據(jù)本實施例的液晶顯示面板中，電容器形成在像素電極的開口中，從而在不減小孔徑比的情況下提高了側(cè)面可視性。也就是說，如圖1和圖2所示，液晶顯示面板被配置為使得兩個子像素區(qū)PAsi和 PAs2可以布置在單個像素區(qū)PA內(nèi)。另外，用于形成象限的第一開口 OAsi和第二開口 OAs2分別形成在第一子像素區(qū)PAsi和第二子像素區(qū)PAs2中。在這種情況下，在根據(jù)本實施例的液晶顯示面板中，像素電極PE包括第一子像素電極PEsi、第二子像素電極PEs2、接觸電極CE和連接電極BE，并且第一子像素電極PEsi和接觸電極CE彼此分離。因此，用于允許給各子像素施加不同電壓的聯(lián)接電容器Ccp可以形成在與第一子像素區(qū)PAsi的第一開口 OAsi對應的區(qū)域中。也就是說，用于形成存儲電容器Cst的漏電極DE延伸到第一子像素區(qū)PAsi的第一開口 OAsi以用作數(shù)據(jù)橋。在聯(lián)接電容器Ccp由漏電極DE和第一子像素電極PEsi形成時，鈍化層140插入漏電極DE和第一子像素電極PEsi之間。減少的量與施加給聯(lián)接電容器Ccp 的電壓一樣多的液晶電壓，經(jīng)由第一子像素電極PEsi被施加給第一子像素區(qū)PAS1。另一方面，與一般結(jié)構(gòu)類似，由氧化銦錫(ITO)形成的連接電極BE在第二子像素區(qū)PAs2中用作數(shù)據(jù)橋，并且存儲電容器Cst和第二子像素電極PEs2彼此連接。在這種情況下，不考慮第一子像素區(qū)PAsi和第二子像素區(qū)PAs2,公共電極250形成在像素區(qū)PA的整個表面上，但是像素電極PE被分開以便與第一子像素區(qū)PAsi和第二子像素區(qū)PAs2對應。在這種情況下，聯(lián)接電容器Ccp的電容可以由鈍化層140的厚度和用作數(shù)據(jù)橋的漏電極DE的面積控制。通過在作為死區(qū)的第一開口 OAsi中形成串聯(lián)到像素電壓的聯(lián)接電容器Ccp，在根據(jù)本實施例的液晶顯示面板中，可以最小化孔徑比的損失，并且補償側(cè)面可視性。圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示面板的單個像素的等效電路圖。參見圖3，液晶顯示面板的單個像素包括數(shù)據(jù)布線DL、柵極布線GL、存儲布線STL、 開關器件TR、第一子像素區(qū)PAsi、聯(lián)接電容器Ccp以及第二子像素區(qū)PAS2。開關器件TR的柵電極電連接到柵極布線GL，開關器件TR的源電極電連接到數(shù)據(jù)布線DL，并且開關器件TR的漏電極電連接到第一子像素區(qū)PAS1。第一子像素區(qū)PAsi包括第一液晶電容器Clci和聯(lián)接電容器Ccp。聯(lián)接電容器Ccp 布置在開關器件TR的漏電極與第一液晶電容器Cla之間。第一液晶電容器Cla的一個端子電聯(lián)接到聯(lián)接電容器Ccp，并且另一端子電聯(lián)接到施加公共電壓Vcom的公共電極250(參見圖2)。第二子像素區(qū)PAs2包括第二液晶電容器Clc2和存儲電容器Cst。第二液晶電容器 Clc2的一個端子電聯(lián)接到開關器件TR的漏電極，并且另一端子電聯(lián)接到施加公共電壓Vcom 的公共電極250(參見圖2)。存儲電容器Cst并聯(lián)聯(lián)接到第二液晶電容器Cl。2。存儲電容器Cst的一個端子電連接到第二液晶電容器Cl。2的端子，并且另一端子電聯(lián)接到存儲布線 STL。在向柵極布線GL施加柵極電壓時，開關器件TR接通，并且施加給數(shù)據(jù)布線DL的數(shù)據(jù)電壓被施加給漏電極。施加給開關器件TR的漏電極的數(shù)據(jù)電壓充入第一子像素區(qū)PAsi 和第二子像素區(qū)域PAS2。在這種情況下，通過聯(lián)接電容器Ccp充入第一子像素區(qū)PAsi的電壓小于充入第二子像素區(qū)PAs2的電壓。也就是說，減小的量與施加給聯(lián)接電容器Ccp的電壓一樣多的液晶電壓被施加給第一子像素區(qū)PAsi。由于施加給第一子像素區(qū)PAsi和第二子像素區(qū)PAs2的電壓之差，形成在第一子像素區(qū)PAsi與公共電極250(參見圖2、之間的液晶分子平放的程度小于形成在第二子像素區(qū)P^2與公共電極250(參見圖幻之間的液晶分子平放的程度。因此，透過第一子像素區(qū) PAsi的光量和透過第二子像素區(qū)PAs2的光量被組合，從而提高了側(cè)面視角，同時維持液晶顯示面板的前部的亮度。在像素區(qū)的孔徑比不損失的情況下，根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示面板的側(cè)面可視性可以得到提高。盡管已參照本發(fā)明的示例性實施例具體示出并描述了本發(fā)明，但本領域普通技術人員應當理解，在不背離由所附權利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在這里對形式和細節(jié)做出各種改變。
權利要求
1.一種液晶顯示面板，包括包括位于像素區(qū)上的像素電極的第一基板，所述像素區(qū)包括第一子像素區(qū)和第二子像素區(qū)；以及聯(lián)接到所述第一基板的第二基板，其中在所述第一基板與所述第二基板之間容納有液晶層，所述第二基板包括在與所述像素區(qū)對應的區(qū)域上形成的公共電極， 其中所述像素電極包括 位于所述第一子像素區(qū)上的第一子像素電極； 位于所述第二子像素區(qū)上的第二子像素電極；以及位于所述第一子像素區(qū)與所述第二子像素區(qū)之間的接觸電極，并且其中所述第一子像素電極與所述接觸電極彼此分隔開預定的距離。
2.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示面板，其中所述第一基板進一步包括柵電極； 通過柵絕緣層與所述柵電極絕緣的半導體層；以及電聯(lián)接到所述半導體層的源電極和漏電極，并且其中所述漏電極延伸到所述第一子像素區(qū)。
3.根據(jù)權利要求2所述的液晶顯示面板，進一步包括位于所述像素電極與所述漏電極之間的鈍化層。
4.根據(jù)權利要求3所述的液晶顯示面板，進一步包括由所述第一子像素電極、所述鈍化層以及延伸到所述第一子像素區(qū)的所述漏電極形成的聯(lián)接電容器。
5.根據(jù)權利要求3所述的液晶顯示面板，進一步包括與所述像素電極重疊的存儲布線。
6.根據(jù)權利要求5所述的液晶顯示面板，進一步包括由所述存儲布線、所述柵絕緣層和所述漏電極形成的存儲電容器。
7.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示面板，其中所述第一子像素電極是浮置電極。
8.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示面板，其中在所述公共電極的至少一部分中形成有第一開口，以與所述第一子像素電極對應。
9.根據(jù)權利要求8所述的液晶顯示面板，其中所述第一基板進一步包括 延伸到所述第一子像素區(qū)的漏電極；以及插入在所述像素電極與所述漏電極之間的鈍化層，其中由所述第一子像素電極的形成所述第一開口的區(qū)域、所述鈍化層和所述漏電極形成聯(lián)接電容器。
10.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示面板，進一步包括用于將所述第二子像素電極與所述接觸電極彼此電聯(lián)接的連接電極。
11.一種液晶顯示面板，包括開關器件，形成在第一基板上，并且包括源電極、漏電極和柵電極； 第一子像素區(qū)，電聯(lián)接到所述開關器件，并且包括第一液晶電容器和聯(lián)接電容器；以及第二子像素區(qū)，電聯(lián)接到所述開關器件，并且包括第二液晶電容器， 其中充入所述第一子像素區(qū)的電壓小于充入所述第二子像素區(qū)的電壓。
12.根據(jù)權利要求11所述的液晶顯示面板，其中所述聯(lián)接電容器串聯(lián)聯(lián)接在所述漏電極與所述第一液晶電容器之間。
13.根據(jù)權利要求11所述的液晶顯示面板，進一步包括位于所述第一子像素區(qū)與所述第二子像素區(qū)之間的存儲電容器。
14.根據(jù)權利要求13所述的液晶顯示面板，進一步包括數(shù)據(jù)布線，電聯(lián)接到所述源電極；柵極布線，電聯(lián)接到所述柵電極；以及存儲布線，電聯(lián)接到所述存儲電容器的一個端子，并且平行于所述柵極布線延伸的方向而延伸。
15.根據(jù)權利要求11所述的液晶顯示面板，進一步包括面對所述第一基板的第二基板；以及位于所述第二基板上的公共電極。
16.根據(jù)權利要求15所述的液晶顯示面板，其中在所述公共電極的形成所述聯(lián)接電容器的區(qū)域中形成第一開口。
17.根據(jù)權利要求11所述的液晶顯示面板，進一步包括位于所述第一子像素區(qū)上的第一子像素電極；位于所述第二子像素區(qū)上的第二子像素電極；以及位于所述第一子像素區(qū)與所述第二子像素區(qū)之間的接觸電極，其中所述第一子像素電極與所述接觸電極彼此分隔開預定的距離。
18.根據(jù)權利要求17所述的液晶顯示面板，進一步包括位于所述第一子像素電極與所述漏電極之間的鈍化層，其中所述漏電極延伸到所述第一子像素區(qū)，并且其中由所述第一子像素電極、所述鈍化層以及在所述第一子像素區(qū)中延伸的所述漏電極形成所述聯(lián)接電容器。
全文摘要
一種液晶顯示面板，具有提高的側(cè)面可視性。所述液晶顯示面板包括包括形成在像素區(qū)上的像素電極的第一基板，所述像素區(qū)包括第一子像素區(qū)和第二子像素區(qū)；以及聯(lián)接到所述第一基板的第二基板，其中在所述第一基板與所述第二基板之間容納有液晶層，所述第二基板包括在與所述像素區(qū)對應的區(qū)域上形成的公共電極，其中所述像素電極包括形成在所述第一子像素區(qū)上的第一子像素電極；形成在所述第二子像素區(qū)上的第二子像素電極；以及形成在所述第一子像素區(qū)與所述第二子像素區(qū)之間的接觸電極，并且其中所述第一子像素電極與所述接觸電極彼此分隔開預定的距離。
文檔編號G02F1/133GK102375276SQ20111022832
公開日2012年3月14日 申請日期2011年8月10日 優(yōu)先權日2010年8月10日
發(fā)明者安亨哲 申請人:三星移動顯示器株式會社