專利名稱：一種光刻膠清洗液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種清洗液，尤其涉及一種光刻膠清洗液。
背景技術(shù)：
在通常的LED和半導(dǎo)體制造工藝中，通過在一些材料的表面上形成光刻膠的掩膜，曝光后進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，在得到需要的圖形之后，進(jìn)行下一道工序之前，需要剝?nèi)埩舻墓饪棠z。在這個過程中要求完全除去不需要的光刻膠，同時不能腐蝕任何基材。目前，光刻膠清洗液主要由極性有機溶劑、強堿和/或水等組成，通過將半導(dǎo)體晶片浸入清洗液中或者利用清洗液沖洗半導(dǎo)體晶片，去除半導(dǎo)體晶片上的光刻膠。其中一類是含有水的光刻膠清洗液，其含水量一般大于5% ;如JP1998239865公開了一種含水體系的清洗液，其組成是四甲基氫氧化銨(TMAH)、二甲基亞砜(DMSO)、1，3’-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水。將晶片浸入該清洗液中，于50 100°C下除去金屬和電介質(zhì)基材上的20 μ m以上的光刻膠；其對半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕略高，且不能完全去除半導(dǎo)體晶片上的光刻膠，清洗能力不足；又例如US5529887公開了由氫氧化鉀(KOH)、烷基二醇單烷基醚、水溶性氟化物和水等組成堿性清洗液，將晶片浸入該清洗液中，在40 90°C下除去金屬和電介質(zhì)基材上的光刻膠。其對半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕較高。在這類清洗液中由于含有游離的強堿性基團0H，而且存在水，故其對金屬基材往往會造成一定的腐蝕。而另一類是基本上不含有水的光刻膠清洗液，其含水量一般小于5 %，甚至基本上不含有水。如US5480585公開了一種含非水體系的清洗液，其組成是乙醇胺、環(huán)丁砜或二甲亞砜和鄰苯二酚，能在40 120°C下除去金屬和電介質(zhì)基材上的光刻膠，對金屬基本無腐蝕。又例如US2005119142公開了一種含有烷氧基的聚合物、二丙二醇烷基醚、N-甲基吡洛烷酮和甲基異丁基酮的非水性清洗液。該清洗液可以同時適用于正性光刻膠和負(fù)性光刻膠的清洗。非水性光刻膠清洗液由于不含有水，其對金屬基材基本無腐蝕；但該類清洗液在操作體系中混有少量的水的時候，其金屬的腐蝕速率會顯著上升，從而導(dǎo)致金屬基材的腐蝕。故存在操作窗口較小的問題。由此可見，尋找更為有效抑制金屬腐蝕抑制方法和較大操作窗口的光刻膠清洗液該類光刻膠清洗液努力改進(jìn)的優(yōu)先方向。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題就是針對現(xiàn)有的光刻膠清洗液存在的清洗能力不足或者對晶片圖案和基材腐蝕性較強的缺陷以及操作窗口較小的缺點，而提供一種光刻膠清洗能力強且對半導(dǎo)體晶片圖案和基材腐蝕性較低的光刻膠清洗液，同時提供較大的操作窗□。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種用于光刻膠清洗的清洗液，該清洗液包含醇胺、3-氨基-5-巰基-1，2，4-三氮唑以及助溶劑。其中，醇胺的含量為1_80%，優(yōu)選5-70%，更優(yōu)選10-60% ;3_氨基-5-巰基-1，2，4-三氮唑的含量為O. 001-1%，優(yōu)選O. 01 0.5%，更優(yōu)選O. 05 O. 3% ;助溶劑的含量為19. 999-98. 999% ；上述含量均為質(zhì)量百分比含量。本發(fā)明中所述的醇胺為單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、異丙醇胺、2_( 二乙氨基)乙醇、乙基二乙醇胺和二甘醇胺中的一種或幾種。本發(fā)明的助溶劑可選自亞砜、砜、咪唑烷酮、咪唑啉酮、醇、醚、酰胺中的一種或多種。其中，所述的亞砜較佳的為二甲基亞砜；所述的砜較佳的為環(huán)丁砜；所述的咪唑烷酮較佳的為I，3- 二甲基-2-咪唑烷酮；所述的咪唑啉酮較佳的為I，3- 二甲基-2-咪唑啉酮(DMI);所述的酰胺較佳的為二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺；所述的醇較佳的丙二醇、二乙二醇；所述的醚較佳的為含有羥基的醚，更佳的為乙二醇醚和丙二醇醚；所述的乙二醇醚較佳的為乙二醇乙醚、乙二醇丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚；所述的丙二醇醚較佳的為丙二醇乙醚、丙二醇丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丁醚。本發(fā)明中的低蝕刻性光刻膠清洗液，可以在室溫至90°C下清洗光刻膠。具體方法如下將含有光刻膠的晶片浸入本發(fā)明中的低蝕刻性的光刻膠清洗液，在室溫至90°C下浸 泡合適的時間后，取出洗滌后用高純氮氣吹干。本發(fā)明的光刻膠清洗液的有益效果是I)光刻膠去除能力強；2)對金屬的腐蝕抑制能力強；3)耐水性強，即體系中混入少量的水時，不會影響其對金屬腐蝕的強力抑制。金屬的腐蝕速率依然較小。


圖I為金屬鋁的腐蝕速率與水在實施例22中添加量的關(guān)系示意圖。
具體實施例方式下面通過具體實施方式
來進(jìn)一步闡述本發(fā)明。表I各實施例中的清洗劑的組分和含量
權(quán)利要求
1.一種光刻膠清洗液，其特征在于，包含醇胺、3-氨基-5-巰基-1，2，4-三氮唑以及助溶劑。
2.如權(quán)利要求I所述的清洗液，其特征在于，所述醇胺的含量為1-80%;所述3-氨基-5-巰基-1，2，4-三氮唑的含量為O. 001-1% ;助溶劑的含量為19. 999-98. 999% ;上述含量均為質(zhì)量百分比含量。
3.如權(quán)利要求2所述的清洗液，其特征在于，所述醇胺的含量為5-70%;所述3-氨基-5-巰基-I，2，4-三氮唑的含量為O. 01 O. 5% ;余量是助溶劑；上述含量均為質(zhì)量百分比含量。
4.如權(quán)利要求3所述的清洗液，其特征在于，所述醇胺的含量為10-60%;所述3-氨基-5-巰基-1，2，4-三氮唑的含量為O. 05 O. 3% ;余量是助溶劑；上述含量均為質(zhì)量百分比含量。
5.如權(quán)利要求I所述的清洗液，其特征在于，所述的醇胺為選自單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、異丙醇胺、2_( 二乙氨基)乙醇、乙基二乙醇胺和二甘醇胺中的一種或幾種。
6.如權(quán)利要求I所述的清洗液，其特征在于，所述的助溶劑選自亞砜、砜、咪唑烷酮、咪唑啉酮、醇、醚、酰胺中的一種或多種。
7.如權(quán)利要求6所述的清洗液，其特征在于，所述的亞砜為二甲基亞砜；所述的砜為環(huán)丁砜；所述的咪唑烷酮為I，3-二甲基-2-咪唑烷酮；所述的咪唑啉酮為I，3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺為二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺；所述的醇為丙二醇、二乙二醇；所述的醚為含有羥基的醚。
8.如權(quán)利要求7所述的清洗液，其特征在于，所述的醚為乙二醇醚或丙二醇醚。
9.如權(quán)利要求8所述的清洗液，其特征在于，所述的乙二醇醚為乙二醇乙醚、乙二醇丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚；所述的丙二醇醚為丙二醇乙醚、丙二醇丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丁醚。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻膠清洗液，該清洗液為非水性的低蝕刻清洗液。其含有醇胺、3-氨基-5-巰基-1，2，4-三氮唑和助溶劑。這種光刻膠清洗液可以用于LED和半導(dǎo)體中光刻膠去除，同時對于基材基本沒有攻擊如金屬鋁等，更為特出的是該體系具有較強的耐水性，拓寬了其操作窗口，在LED和半導(dǎo)體晶片清洗等領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。
文檔編號G03F7/42GK102902168SQ20111021152
公開日2013年1月30日 申請日期2011年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月27日
發(fā)明者劉兵, 彭洪修, 孫廣勝 申請人:安集微電子科技(上海)有限公司