專利名稱：儲存電容架構(gòu)及其制造方法與像素結(jié)構(gòu)的制作方法
儲存電容架構(gòu)及其制造方法與像素結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是涉及一種儲存電容架構(gòu)及其制造方法與包括所述儲存電容架構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管矩陣(Thin-FilmTransistor Array, TFT Array)是液晶顯示器 (Liquid Crystal Display，IXD)不可或缺的重要顯示組件，薄膜晶體管矩陣主要是由多個像素結(jié)構(gòu)(Pixel unit)、多條掃描線(scan line)以及多條數(shù)據(jù)線(data line)所組成。這些像素結(jié)構(gòu)電性連接掃描線與數(shù)據(jù)線，像素結(jié)構(gòu)具有一薄膜晶體管、液晶電容 (liquid-crystal capacitor,CLC) 1 ! ^ (storage capacitor，CS)。i&H，·· 結(jié)構(gòu)所對應(yīng)的液晶電容進行充電，以驅(qū)動液晶層內(nèi)的液晶分子，使液晶顯示器顯示影像；同時，對連接所述數(shù)據(jù)線的這些儲存電容進行充電，所述儲存電容在于使液晶電容兩端的電壓維持在一定值下，亦即在未進行數(shù)據(jù)更新之前，液晶電容的兩端電壓藉由儲存電容維持住。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中金屬層-絕緣層-金屬層結(jié)構(gòu)之儲存電容100的剖視圖?，F(xiàn)有的薄膜晶體管矩陣(TFT)之儲存電容100使用下金屬層102與上金屬層104之結(jié)構(gòu)中間夾一絕緣層106形成所述儲存電容(CS)，保護層108覆蓋于所述上金屬層104，透明電極層110電性連接所述上金屬層104。其中下金屬層102與上金屬層104之儲存電容100用以維持像素結(jié)構(gòu)的電位，下金屬層102或是上金屬層104的材質(zhì)亦可被取代為銦錫氧化物 (Indium Tin Oxide，ΙΤ0)。然而不論是下金屬層102或是上金屬層104的材質(zhì)為金屬與銦錫氧化物(ITO)或是金屬與金屬的夾層結(jié)構(gòu)，只要下金屬層102或是上金屬層104的面積 (正比例于長度L)越大，將會造成像素結(jié)構(gòu)的開口率下降，導(dǎo)致液晶顯示面板的穿透率減小，降低影像顯示質(zhì)量。因此需要發(fā)展一種新式的儲存電容架構(gòu)與像素結(jié)構(gòu)，以解決上述開口率降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種儲存電容架構(gòu)及其制造方法與包括所述儲存電容架構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)，以解決液晶顯示器的開口率降低的問題。為達到上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種儲存電容架構(gòu)，所述儲存電容架構(gòu)包括第一電極、絕緣層以及第二電極。第一電極具有第一凹凸結(jié)構(gòu)；絕緣層覆蓋于所述第一電極的所述第一凹凸結(jié)構(gòu)上；以及第二電極覆蓋于所述絕緣層上，所述第二電極具有第二凹凸結(jié)構(gòu)，所述第一凹凸結(jié)構(gòu)與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)相對應(yīng)形成一叉合空間，且所述絕緣層設(shè)置于所述叉合空間中形成儲存電容架構(gòu)。在一實施例中，所述第一電極包括一共享線。在一實施例中，所述第一電極包括一掃描線。在一實施例中，所述第一凹凸結(jié)構(gòu)與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)是選自立體直線形狀、立
4體斜線形狀、立體同心環(huán)型形狀以及立體交叉形狀所組成的族群。
為達到上述發(fā)明目的，本發(fā)明另提供一種包括所述儲存電容架構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)，其包括薄膜晶體管、第一電極、絕緣層、第二電極、保護層以及透明電極。第一電極具有第一凹凸結(jié)構(gòu)；絕緣層覆蓋于所述第一電極的所述第一凹凸結(jié)構(gòu)上；第二電極覆蓋于所述絕緣層上，所述第二電極具有第二凹凸結(jié)構(gòu)，所述第一凹凸結(jié)構(gòu)與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)相對應(yīng)形成一叉合空間，且所述絕緣層設(shè)置于所述叉合空間形成儲存電容架構(gòu)中；保護層形成于所述第二電極與所述絕緣層上，并且曝露一部分的第二電極；以及透明電極，形成于所述保護層上，以電性連接所述曝露的第二電極與所述薄膜晶體管。
在一實施例中，所述第一電極包括一共享線。在一實施例中，所述第一電極包括一掃描線。在一實施例中，所述第一凹凸結(jié)構(gòu)與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)是選自立體直線形狀、立體斜線形狀、立體同心環(huán)型形狀以及立體交叉形狀所組成的族群。為達到上述發(fā)明目的，本發(fā)明另提供一種儲存電容架構(gòu)的制造方法，包括下列步驟(a)形成一第一導(dǎo)電層于一基材上；(b)圖案化所述第一導(dǎo)電層，以形成一第一電極，所述第一電極包括第一凹凸結(jié)構(gòu)；(c)形成一絕緣層于所述基材以及所述第一電極上；(d)形成一第二導(dǎo)電層于所述絕緣層上；(e)圖案化所述第二導(dǎo)電層，以形成一第二電極，所述第二電極包括第二凹凸結(jié)構(gòu)，其中所述第一凹凸結(jié)構(gòu)與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)相對應(yīng)形成一叉合空間，且所述絕緣層設(shè)置于所述叉合空間中形成儲存電容架構(gòu)；(f)形成一保護層于所述第二電極層與所述絕緣層上，并且曝露一部分的第二電極；以及(g)形成一透明電極于所述保護層與所述部分第二電極上，使所述透明電極與所述第二電極電性接觸。在一實施例中，所述第一電極的材質(zhì)為金屬。在一實施例中，所述第二電極的材質(zhì)為金屬或是銦錫氧化物。在一實施例中，在步驟(b)中，使用灰階光罩或是半灰階光罩形成所述第一電極的所述第一凹凸結(jié)構(gòu)。在一實施例中，所述第一電極包括一共享線。在一實施例中，所述第一電極包括一掃描線。在一實施例中，所述第一凹凸結(jié)構(gòu)與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)是選自立體直線形狀、立體斜線形狀、立體同心環(huán)型形狀以及立體交叉形狀所組成的族群。本發(fā)明利用第一電極的第一凹凸結(jié)構(gòu)與第二電極的第二凹凸結(jié)構(gòu)提高平均長度， 藉以增加第一電極與第二電極的面積，故可增加所述儲存電容架構(gòu)之電容值，此時像素結(jié)構(gòu)的開口率維持不變。另一方面，相較于現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)之儲存電容架構(gòu)，在相同的電容值情況，本發(fā)明可調(diào)整平均長度產(chǎn)生所述相同的電容值，但是卻可縮減第一電極與第二電極的面積，達到提高像素結(jié)構(gòu)的開口率之目的。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中金屬層-絕緣層-金屬層結(jié)構(gòu)之儲存電容的剖視圖。圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例中具有儲存電容架構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)之上視圖。圖3為根據(jù)本發(fā)明之圖2中沿著A-A’線段的儲存電容架構(gòu)之剖視圖。圖4A-4D為根據(jù)本發(fā)明實施例中儲存電容架構(gòu)的凹凸結(jié)構(gòu)之立體圖。圖5A-5E為根據(jù)本發(fā)明實施例中儲存電容架構(gòu)的制造方法之步驟流程圖。
具體實施方式
本發(fā)明說明書提供不同的實施例來說明本發(fā)明不同實施方式的技術(shù)特征。實施例中的各組件的配置是為了清楚說明本發(fā)明揭示的內(nèi)容，并非用以限制本發(fā)明。在不同的圖式中，相同的組件符號表示相同或相似的組件。參考圖2及圖3，圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例中具有儲存電容架構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)之上視圖，圖3為根據(jù)本發(fā)明之圖2中沿著A-A’線段的儲存電容架構(gòu)300之剖視圖。在圖2中， 像素結(jié)構(gòu)200電性連接掃描線202與數(shù)據(jù)線204，像素結(jié)構(gòu)200具有一薄膜晶體管206、液 1(liquid-crystal capacitor,CLC) ( τ^ /^ ) URii^^^· (storage capacitor, CS) 208。具體來說，像素結(jié)構(gòu)200所對應(yīng)的液晶電容進行充電，以驅(qū)動液晶層內(nèi)的液晶分子，使液晶顯示器顯示影像；同時，對連接所述數(shù)據(jù)線204的這些儲存電容208進行充電， 所述儲存電容208在于使液晶電容兩端的電壓維持在一定值下，亦即在未進行數(shù)據(jù)更新之前，液晶電容的兩端電壓藉由儲存電容維持住。在圖3中，儲存電容架構(gòu)300包括基材302、第一電極304、絕緣層306以及第二電極308。所述絕緣層306介于第一電極304與第二電極308之間，所述第二電極308上依序形成保護層312與透明電極314。所述第一電極304設(shè)置于基材302上且具有第一凹凸結(jié)構(gòu)310a。所述絕緣層306覆蓋于所述第一電極304的所述第一凹凸結(jié)構(gòu)310a上。所述第二電極308覆蓋于所述絕緣層306上，所述第二電極308具有第二凹凸結(jié)構(gòu)310b，所述第一凹凸結(jié)構(gòu)310a與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)310b相對應(yīng)形成一叉合空間316，且所述絕緣層306 設(shè)置于所述叉合空間316中形成儲存電容架構(gòu)300。換言之，第一電極304的第一凹凸結(jié)構(gòu) 310a穿插于第二電極308的第二凹凸結(jié)構(gòu)310b之間，且第一凹凸結(jié)構(gòu)310a與第二凹凸結(jié)構(gòu)310b形成厚度d的叉合空間316，其中所述絕緣層306填滿所述叉合空間316，藉以產(chǎn)生儲存電容架構(gòu)300之電容值Cst。具體來說，所述儲存電容架構(gòu)300之電容值Cst定義如下Cst = ε * (A/d)其中，ε是絕緣層306的介電常數(shù)(dielectric constant) ；A為第一電極304與第二電極308相對應(yīng)的面積，且所述面積A與平均長度L’成正比例，其中L’是沿著絕緣層 306所在的叉合空間316之橫向彎曲長度，亦即由第一電極304與第二電極308之右側(cè)至左側(cè)的橫向彎曲長度，且所述面積A等于平均長度L’與寬度W(標示于圖4A至圖4D)的乘積，故只要增加平均長度L’，即可提高面積A ；d為第一電極304與第二電極308之間的絕緣層306之厚度，此處平均長度L’例如是位于厚度d —半之位置。如圖3所示，當絕緣層306的介電常數(shù)ε且絕緣層306之厚度d被選定時，若是第一電極304與第二電極308的面積A越大時，則表示電容值Cst越大，亦即第一電極304 與第二電極308的平均長度L’ (大于現(xiàn)有技術(shù)之長度L)越大時，所述電容值Cst也越大； 換言之，第一電極304的第一凹凸結(jié)構(gòu)310a與第二電極308的第二凹凸結(jié)構(gòu)310b可延長平板電容之絕緣層306的長度，以增加面積A。因此本發(fā)明利用第一電極304的第一凹凸結(jié)構(gòu)310a與第二電極308的第二凹凸結(jié)構(gòu)310b提高平均長度L’，藉以增加第一電極304與第二電極308的面積A，故可增加所述儲存電容架構(gòu)300之電容值Cst，此時像素結(jié)構(gòu)200的開口率維持不變。另一方面，相較于現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)之儲存電容架構(gòu)，在相同的電容值Cst 情況，本發(fā)明可調(diào)整平均長度L’產(chǎn)生所述相同的電容值Cst，但是卻可縮減第一電極304與第二電極308的面積A，達到提高像素結(jié)構(gòu)200的開口率之目的。如圖2和圖3所示，在本發(fā)明的實施例中，所述第一電極304包括一共享線205。 在本發(fā)明的其他實施例中，所述第一電極304包括一掃描線202。如圖4A-4D所示，并參考圖3，圖4A-4D為根據(jù)本發(fā)明實施例中儲存電容架構(gòu)300 的凹凸結(jié)構(gòu)之立體圖。所述第一電極304的第一凹凸結(jié)構(gòu)310a與所述第二電極308的第二凹凸結(jié)構(gòu)310b是選自立體直線形狀(如圖4A所示)、立體斜線形狀(如圖4B所示)、立體同心環(huán)型形狀(如圖4C所示)以及立體交叉形狀(如圖4D所示)所組成的族群，其中第二凹凸結(jié)構(gòu)310b是相對應(yīng)于第一凹凸結(jié)構(gòu)310a，以形成叉合空間。圖4A-4D是以第一電極304的第一凹凸結(jié)構(gòu)310a為例，所述第二電極308的第二凹凸結(jié)構(gòu)310b類似于第一凹凸結(jié)構(gòu)310a。在圖4A之立體直線形狀中，第一電極304的第一凹凸結(jié)構(gòu)310a之間的間距可相等或是不相等，亦即可調(diào)整平均長度L’，以調(diào)整面積A的大小，達到增加電容值或是提升開口率的目的。在圖4B之立體斜線形狀中，第一電極304的第一凹凸結(jié)構(gòu)310a之間的間距可相等或是不相等，且立體斜線形狀的第一凹凸結(jié)構(gòu)310a與X方向呈夾角θ，所述夾角 θ介于0度至90度之間。在圖4C之立體同心環(huán)型形狀中，第一電極304的第一凹凸結(jié)構(gòu) 310a之間的間距在X方向與Y方向可相等或是不相等，且立體同心環(huán)型形狀的第一凹凸結(jié)構(gòu)310a與X方向呈夾角θ，所述夾角θ介于0度至90度之間。在圖4D之立體交叉形狀中，第一電極304的第一凹凸結(jié)構(gòu)310a之間的間距在X方向與Y方向可相等或是不相等， 且立體交叉形狀的第一凹凸結(jié)構(gòu)310a與X方向呈夾角θ，所述夾角θ介于0度至90度之間。繼續(xù)參考圖2以及圖3，包括所述儲存電容架構(gòu)300的像素結(jié)構(gòu)200包括薄膜晶體管206、第一電極304、絕緣層306、第二電極308、保護層312以及透明電極314。第一電極304具有第一凹凸結(jié)構(gòu)310a。絕緣層306覆蓋于所述第一電極304的所述第一凹凸結(jié)構(gòu)310a上。第二電極308覆蓋于所述絕緣層306上，所述第二電極308具有第二凹凸結(jié)構(gòu) 310b，所述第一凹凸結(jié)構(gòu)310a與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)310b相對應(yīng)形成一叉合空間316，且所述絕緣層306設(shè)置于所述叉合空間316中形成儲存電容架構(gòu)300。保護層312形成于所述第二電極308與所述絕緣層306上，并且曝露一部分的第二電極308。透明電極314形成于所述保護層312上，以電性連接所述曝露的第二電極308與所述薄膜晶體管206。如圖2和圖3所示，在本發(fā)明的實施例中，所述第一電極304包括一共享線205。 在本發(fā)明的其他實施例中，所述第一電極304包括一掃描線202。如圖4A-4D所示，并參考圖3，圖4A-4D為根據(jù)本發(fā)明實施例中儲存電容架構(gòu)300的凹凸結(jié)構(gòu)之立體圖。所述第一電極304的第一凹凸結(jié)構(gòu)310a與所述第二電極308的第二凹凸結(jié)構(gòu)310b是選自立體直線形狀(如圖4A所示)、立體斜線形狀(如圖4B所示)、立體同心環(huán)型形狀(如圖4C所示)以及立體交叉形狀(如圖4D所示)所組成的族群。參考圖5A-5E，圖5A-4E為根據(jù)本發(fā)明實施例中儲存電容架構(gòu)的制造方法之步驟流程圖，所述制造方法的流程包括下列步驟在圖5A中，形成第一導(dǎo)電層500于一基材302上，例如沉積一金屬層于一硅基材上。在圖5B中，圖案化所述第一導(dǎo)電層500，以形成一第一電極304，所述第一電極304 包括第一凹凸結(jié)構(gòu)310a。在一實施例中，以微影技術(shù)以及蝕刻方式形成所述第一電極304 及第一凹凸結(jié)構(gòu)310a，例如使用灰階光罩(gray tone mask)或是半灰階光罩(half tone mask) 318形成所述第一電極304的所述第一凹凸結(jié)構(gòu)310a。例如區(qū)域Rl為完全曝光顯影之后，蝕刻區(qū)域Rl的部分第一導(dǎo)電層500至曝露出基材302 ；區(qū)域R2為半曝光顯影之后，蝕刻區(qū)域Rl的部分第一導(dǎo)電層500至一半高度；以及區(qū)域R3為未曝光顯影區(qū)，遮蔽區(qū)域Rl 的部分第一導(dǎo)電層500。在圖5C中，形成一絕緣層306于所述基材302以及所述第一電極304上。例如沉積氧化硅層或氮化硅層于基材302以及所述第一電極304上。在圖5D中，形成一第二導(dǎo)電層(未圖示)于所述絕緣層306上，例如沉積一金屬層于所述絕緣層306上。繼續(xù)參考圖5D，圖案化所述第二導(dǎo)電層，以形成第二電極308，所述第二電極308 包括第二凹凸結(jié)構(gòu)310b，其中所述第一凹凸結(jié)構(gòu)310a與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)310b相對應(yīng)形成一叉合空間316，且所述絕緣層306設(shè)置于所述叉合空間中316。在一實施例中，所述第二電極308的材質(zhì)為金屬(metal)或是銦錫氧化物(ITO)。在圖5E中，形成保護層312于所述第二電極層308與所述絕緣層306上，并且曝露一部分的第二電極308。例如沉積氧化硅層或氮化硅層于所述第二電極層308與所述絕緣層306上，并且以微影技術(shù)以及蝕刻方式形成所述保護層312，以曝露第二電極308，形成接觸窗320。繼續(xù)參考圖5E，形成一透明電極314于所述保護層312與所述部分第二電極308 上，使所述透明電極314與所述第二電極308電性接觸。例如沉積銦錫氧化物(ITO)于所述保護層312與所述部分第二電極308上，使所述透明電極314與所述第二電極308經(jīng)由接觸窗320電性接觸。在一實施例中，所述第一電極304包括一共享線205或是一掃描線202，如圖2所示，所述第二電極308設(shè)置于共享線205上。另外，如圖4A-4D所示，所述第一凹凸結(jié)構(gòu)310a 與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)310b是選自立體直線形狀、立體斜線形狀、立體同心環(huán)型形狀以及立體交叉形狀所組成的族群。為解決液晶顯示器的開口率降低的問題，本發(fā)明利用第一電極的第一凹凸結(jié)構(gòu)與第二電極的第二凹凸結(jié)構(gòu)提高平均長度，藉以增加第一電極與第二電極的面積，故可增加所述儲存電容架構(gòu)之電容值，此時像素結(jié)構(gòu)的開口率維持不變。另一方面，相較于現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)之儲存電容架構(gòu)，在相同的電容值情況，本發(fā)明可調(diào)整平均長度產(chǎn)生所述相同的電容值，但是卻可縮減第一電極與第二電極的面積，達到提高像素結(jié)構(gòu)的開口率之目的。
雖然本發(fā)明已用較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的權(quán)利要求范圍所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種儲存電容架構(gòu)，其特征在于，所述儲存電容架構(gòu)包括一第一電極，具有一第一凹凸結(jié)構(gòu)；一絕緣層，覆蓋于所述第一電極的所述第一凹凸結(jié)構(gòu)上；以及一第二電極，覆蓋于所述絕緣層上，所述第二電極具有一第二凹凸結(jié)構(gòu)，所述第一凹凸結(jié)構(gòu)與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)相對應(yīng)形成一叉合空間，且所述絕緣層設(shè)置于所述叉合空間中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儲存電容架構(gòu)，其特征在于，所述第一電極包括一共享線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儲存電容架構(gòu)，其特征在于，所述第一電極包括一掃描線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的儲存電容架構(gòu)，其特征在于，所述第一凹凸結(jié)構(gòu)與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)是選自立體直線形狀、立體斜線形狀、立體同心環(huán)型形狀以及立體交叉形狀所組成的族群。
5.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的儲存電容架構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)包括一薄膜晶體管；一第一電極，具有一第一凹凸結(jié)構(gòu)；一絕緣層，覆蓋于所述第一電極的所述第一凹凸結(jié)構(gòu)上；一第二電極，覆蓋于所述絕緣層上，所述第二電極具有一第二凹凸結(jié)構(gòu)，所述第一凹凸結(jié)構(gòu)與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)相對應(yīng)形成一叉合空間，且所述絕緣層設(shè)置于所述叉合空間中； 一保護層，形成于所述第二電極與所述絕緣層上，并且曝露一部分的第二電極；以及一透明電極，形成于所述保護層上，以電性連接所述曝露的第二電極與所述薄膜晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極包括一共享線。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極包括一掃描線。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一凹凸結(jié)構(gòu)與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)是選自立體直線形狀、立體斜線形狀、立體同心環(huán)型形狀以及立體交叉形狀所組成的族群。
9.一種儲存電容架構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括下列步驟(a)形成一第一導(dǎo)電層于一基材上；(b)圖案化所述第一導(dǎo)電層，以形成一第一電極，所述第一電極包括一第一凹凸結(jié)構(gòu)；(c)形成一絕緣層于所述基材以及所述第一電極上；(d)形成一第二導(dǎo)電層于所述絕緣層上；(e)圖案化所述第二導(dǎo)電層，以形成一第二電極，所述第二電極包括一第二凹凸結(jié)構(gòu)， 其中所述第一凹凸結(jié)構(gòu)與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)相對應(yīng)形成一叉合空間，且所述絕緣層設(shè)置于所述叉合空間中；(f)形成一保護層于所述第二電極層與所述絕緣層上，并且曝露一部分的第二電極；以及(g)形成一透明電極于所述保護層與所述部分第二電極上，使所述透明電極與所述第二電極電性接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第一電極的材質(zhì)為金屬。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第二電極的材質(zhì)為金屬或是銦錫氧化物。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，在步驟(b)中，使用灰階光罩或是半灰階光罩形成所述第一電極的所述第一凹凸結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第一電極包括一共享線。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第一電極包括一掃描線。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第一凹凸結(jié)構(gòu)與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)是選自立體直線形狀、立體斜線形狀、立體同心環(huán)型形狀以及立體交叉形狀所組成的族群。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種儲存電容架構(gòu)及其制造方法與包括所述儲存電容架構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)，所述儲存電容架構(gòu)包括第一電極、絕緣層以及第二電極。第一電極具有第一凹凸結(jié)構(gòu)；絕緣層覆蓋于所述第一電極的所述第一凹凸結(jié)構(gòu)上；以及第二電極覆蓋于所述絕緣層上，所述第二電極具有第二凹凸結(jié)構(gòu)，所述第一凹凸結(jié)構(gòu)與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)相對應(yīng)形成一叉合空間，且所述絕緣層設(shè)置于所述叉合空間中，以解決液晶顯示器的開口率降低的問題。
文檔編號G02F1/1368GK102290398SQ201110210350
公開日2011年12月21日 申請日期2011年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月26日
發(fā)明者康志聰 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司