專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及顯示裝置。更具體地，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及能夠防止其故障的顯示裝置。
背景技術(shù)：
通常，顯示裝置可包括顯示面板、柵驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。顯示面板可包括第一基板、面對(duì)第一基板的第二基板、以及介于第一基板與第二基板之間的液晶層。第一基板可包括柵線、數(shù)據(jù)線、開(kāi)關(guān)元件和像素電極。第二基板可包括黑矩陣和公共電極。柵驅(qū)動(dòng)器可將柵信號(hào)輸出至柵線，而數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器可將數(shù)據(jù)信號(hào)輸出至數(shù)據(jù)線。柵驅(qū)動(dòng)器直接形成在顯示面板上的無(wú)柵IC (gate IC-less)結(jié)構(gòu)可以減小顯示裝置的尺寸并提高其效率。在無(wú)柵IC結(jié)構(gòu)中，在柵驅(qū)動(dòng)器與公共電極之間可能存在寄生電容，這會(huì)導(dǎo)致柵驅(qū)動(dòng)器故障。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施方式提供了一種能夠防止其故障的顯示裝置。本發(fā)明的示例性實(shí)施方式還提供了一種可減小寄生電容、以防止顯示裝置故障的顯示裝置。在下面的描述中將闡述本發(fā)明的其他特征，并且這些特征將從該描述中部分地顯而易見(jiàn)，或者可通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而獲知。本發(fā)明的示例性實(shí)施方式披露了一種包括第一基板的顯示裝置。第一基板包括 顯示區(qū)域，其包括顯示圖像的多個(gè)像素；以及外圍區(qū)域，其包括驅(qū)動(dòng)像素的驅(qū)動(dòng)電路。該顯示裝置還包括面對(duì)第一基板的第二基板；液晶層，介于第一基板與第二基板之間；第一間隔件，對(duì)應(yīng)于外圍區(qū)域而布置以保持第一基板與第二基板之間的距離；以及第二間隔件，對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)域而布置以保持第一基板與第二基板之間的距離。驅(qū)動(dòng)電路包括第一信號(hào)線； 第二信號(hào)線，其與第一信號(hào)線絕緣；第一保護(hù)層，布置在第一信號(hào)線和第二信號(hào)線上，并且包括第一接觸孔以露出每條第一信號(hào)線和第二信號(hào)線的一部分；以及橋接電極，布置在第一保護(hù)層上，以通過(guò)第一接觸孔連接第一信號(hào)線和第二信號(hào)線。外圍區(qū)域進(jìn)一步包括接觸區(qū)域和非接觸區(qū)域，接觸區(qū)域?qū)?yīng)于布置有第一接觸孔的區(qū)域，非接觸區(qū)域?qū)?yīng)于布置有第一間隔件的區(qū)域。本發(fā)明的示例性實(shí)施方式還披露了一種顯示裝置，該顯示裝置包括第一基板，第
4一基板包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域，顯示區(qū)域包括多個(gè)像素，外圍區(qū)域包括驅(qū)動(dòng)電路以驅(qū)動(dòng)像素。該顯示裝置還包括其面對(duì)第一基板的第二基板；布置在第二基板上的公共電極；布置在第一基板與第二基板之間的液晶層；布置在第一基板上的保護(hù)層；第一間隔件，其設(shè)置在外圍區(qū)域中以保持第一基板與第二基板之間的距離；以及第二間隔件，其設(shè)置在顯示區(qū)域中以保持第一基板與第二基板之間的距離。外圍區(qū)域進(jìn)一步包括接觸區(qū)域以及對(duì)應(yīng)于第一間隔件的非接觸區(qū)域，第一間隔件的高度小于第二間隔件的高度。從保護(hù)層到對(duì)應(yīng)于接觸區(qū)域的公共電極的距離大于從保護(hù)層到對(duì)應(yīng)于非接觸區(qū)域的公共電極的距離?？梢岳斫猓陨系目傮w描述和以下的詳細(xì)描述都是示例性和說(shuō)明性的，旨在提供對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明的深入說(shuō)明。


附圖被包括進(jìn)來(lái)以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且附圖結(jié)合在說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方式并與描述部分一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的顯示裝置的平面圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的圖1中的柵驅(qū)動(dòng)器的框圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的圖2中的一級(jí)的電路圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的圖1中的部分“AA”的放大平面圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的沿圖1顯示裝置的線Ι-Γ截取的剖面圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的沿圖1顯示裝置的線Ι-Γ截取的剖面圖。
具體實(shí)施例方式下面參照附圖更全面地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施方式。但是本發(fā)明可以以很多不同的方式實(shí)現(xiàn)，不應(yīng)將本發(fā)明理解為僅限于這里所描述的實(shí)施方式。相反， 提供這些實(shí)施方式的目的在于使本公開(kāi)更充分并將本發(fā)明的范圍完全傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。附圖中，為了清楚起見(jiàn)，可能放大了層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。附圖中的相同參考標(biāo)號(hào)表示相同元件。應(yīng)理解的是，當(dāng)提到一元件或?qū)犹幱诹硪辉驅(qū)印吧稀薄⒒颉斑B接至”或“耦接至” 另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌芍苯游挥诹硪辉驅(qū)由?、或直接“連接至”或“耦接至”另一元件或?qū)?，也可存在中間的元件或?qū)?。相反，?dāng)提到一元件“直接位于...上”、“直接連接至”或“直接耦接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，則不存在中間的元件或?qū)印Ｏ嗤瑯?biāo)號(hào)始終表示相同元件。這里所使用的術(shù)語(yǔ)“和/或”包括所列出的相關(guān)項(xiàng)目中的一個(gè)以及一個(gè)或多個(gè)相關(guān)項(xiàng)目的所有組合。應(yīng)理解的是，雖然本文中可以使用術(shù)語(yǔ)第一、第二等來(lái)描述各種元件、部件、區(qū)域、 層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語(yǔ)的限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用來(lái)將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一區(qū)域、層或部分區(qū)別開(kāi)。這樣，在不脫離本發(fā)明宗旨的前提下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分也可以稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分。本文中可用到諸如“在…之下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之上”、“上面的”等的空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)，以方便描述附圖中示出的一個(gè)元件或特征相對(duì)于另一個(gè)元件或特征的關(guān)系?？梢岳斫猓藞D中示出的方位以外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意欲包含裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果將圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件或特征“下面”或“之下”(“below”或“beneath”)的元件將定位為在其它元件或特征“之上”(“above”)。這樣，示例性術(shù)語(yǔ)“在…下面”可以包含在上方和在下方兩種方位。裝置可被定位在其它方位 (旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位)，文中使用的空間關(guān)系描述語(yǔ)則可做相應(yīng)的解釋。這里使用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述具體實(shí)施方式
的目的，并不意欲限制本發(fā)明。除了文中另有明確規(guī)定以外，文中使用的單數(shù)形式“一(a)”、“一個(gè)(an)”和“該(the) ”同樣包括復(fù)數(shù)形式。還可進(jìn)一步理解，說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)“包括”(“includes”)和/或“包含”(“including”)表示存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但不排除存在或附加有一個(gè)或多個(gè)其它的特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合。除非另有規(guī)定，文中使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))的含義與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員的一般理解相同。還可進(jìn)一步理解，術(shù)語(yǔ)(如在普通詞典中定義的那些)應(yīng)該解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)技術(shù)環(huán)境中一致的含義，且除了在此明確限定以外， 不應(yīng)解釋為具有理想化的或過(guò)于正式的含義。在下文中，將參照附圖詳細(xì)解釋本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的顯示裝置的平面圖。參照?qǐng)D1，顯示裝置100包括第一基板101、面對(duì)第一基板101的第二基板201、以及介于第一基板101與第二基板201之間的液晶層(未示出)。第一基板101包括多個(gè)像素PX。第一基板101包括顯示圖像的顯示區(qū)域DA和不顯示圖像的外圍區(qū)域PA。像素PX布置在顯示區(qū)域DA中以顯示圖像。另外，第一基板101包括多條柵線GLl GLru多條數(shù)據(jù)線DLl DLm、多個(gè)薄膜晶體管TR、以及多個(gè)像素電極PE。在本示例性實(shí)施方式中，“η”和“m”是大于1的自然數(shù)。 每個(gè)像素PX包括柵線GLl GLn中相應(yīng)的一條柵線、數(shù)據(jù)線DLl DLm中相應(yīng)的一條數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管TR中相應(yīng)的一個(gè)薄膜晶體管、以及像素電極PE中相應(yīng)的一個(gè)像素電極。另夕卜，由于像素PX具有相同的結(jié)構(gòu)和功能，所以為了方便解釋，在圖1中僅示出了一個(gè)像素作為代表實(shí)例。柵線GLl GLru數(shù)據(jù)線DLl DLm、薄膜晶體管TR以及像素電極PE通過(guò)薄膜工藝而形成在第一基底上的顯示區(qū)域DA中。柵線GLl GLn與數(shù)據(jù)線DLl DLm絕緣并且與數(shù)據(jù)線DLl DLm交叉。薄膜晶體管TR包括連接至柵線GLl GLn中的相應(yīng)一條柵線的柵電極、連接至數(shù)據(jù)線DLl DLm中相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線的源電極、以及連接至像素電極PE的漏電極。像素電極 PE面對(duì)布置在第二基板上的公共電極CE，并且液晶層設(shè)置在像素電極PE與公共電極CE之間以形成液晶電容器Clc。在一些示例性實(shí)施方式中，公共電極CE可以布置在第一基板101 上。另外，第一基板101包括布置在其上的柵驅(qū)動(dòng)器110，以將柵信號(hào)順序地提供給柵線GLl GLn。柵驅(qū)動(dòng)器110可通過(guò)薄膜工藝而形成在第一基底上的位于顯示區(qū)域DA左側(cè)的外圍區(qū)域PA中。在圖1中，柵驅(qū)動(dòng)器110位于顯示區(qū)域DA的左側(cè)，但是柵驅(qū)動(dòng)器110的位置不限于此。即，柵驅(qū)動(dòng)器110可位于顯示區(qū)域DA的右側(cè)或位于顯示區(qū)域DA的兩側(cè)。另外，包含數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120的芯片可安裝在第一基底上，對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)域DA上部的外圍區(qū)域PA。該芯片電連接至數(shù)據(jù)線DLl DLm，以將數(shù)據(jù)信號(hào)提供給數(shù)據(jù)線DLl DLm。 在一些示例性實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120可位于第一基板101和第二基板201的外部。雖然在圖1中沒(méi)有示出，但是一定時(shí)控制器(未示出)可位于第一基板101和第二基板201的外部，該定時(shí)控制器可將外部信號(hào)源(未示出)提供的圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)格式轉(zhuǎn)換成適于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120與定時(shí)控制器之間的接口的數(shù)據(jù)格式，并且可將轉(zhuǎn)換后的圖像信號(hào)輸出至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120。另外，定時(shí)控制器可將數(shù)據(jù)控制信號(hào)施加于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120， 并且可將柵控制信號(hào)施加于柵驅(qū)動(dòng)器110。柵驅(qū)動(dòng)器110響應(yīng)于柵控制信號(hào)將柵信號(hào)順序地施加至柵線GLl GLn，以順序地掃描柵線GLl GLn。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120利用伽瑪電壓產(chǎn)生器(未示出)提供的伽瑪電壓而產(chǎn)生多個(gè)灰度電壓。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120響應(yīng)于定時(shí)控制器提供的數(shù)據(jù)控制信號(hào)而選擇對(duì)應(yīng)于圖像信號(hào)的灰度電壓，并將所選擇的灰度電壓作為數(shù)據(jù)信號(hào)分別施加至數(shù)據(jù)線DLl DLm。圖2是示出了圖1中的柵驅(qū)動(dòng)器的框圖。參照?qǐng)D2，柵驅(qū)動(dòng)器110包括電路部CP以及鄰接電路部CP定位的線路部LP。電路部CP包括一個(gè)接一個(gè)彼此連接的第一級(jí)至第(n+1)級(jí)SRCl SRCn+Ι，并且第一級(jí)至第(n+1)級(jí)SRCl SRCn+Ι順序地將第一 第η柵信號(hào)分別輸出至OUTl OUTn。第一級(jí)至第(n+l)級(jí)中的每一級(jí)包括第一時(shí)鐘端子CK1、第二時(shí)鐘端子CK2、第一輸入端子IN1、第二輸入端子IN2、截止電壓端子VI、重置(reset)端子RE、進(jìn)位(carry)端子CR以及輸出端子OUT。第一級(jí)至第(n+1)級(jí)SRCl SRCn+1中的奇數(shù)級(jí)SRCl，SRC3，· · ·，SRCn+1通過(guò)第一時(shí)鐘端子CKl接收第一時(shí)鐘信號(hào)CKV，并且第一級(jí)至第(n+1)級(jí)SRCl SRCn+Ι中的偶數(shù)級(jí)SRC2，... , SRCn通過(guò)第一時(shí)鐘端子CKl接收第二時(shí)鐘信號(hào)CKVB。另外，奇數(shù)級(jí)SRC1， SRC3，. . .，SRCn+1通過(guò)第二時(shí)鐘端子CK2接收第二時(shí)鐘信號(hào)CKVB，偶數(shù)級(jí)SRC2，. . .，SRCn 通過(guò)第二時(shí)鐘端子CK2接收第一時(shí)鐘信號(hào)CKV。第一級(jí)至第(n+1)級(jí)SRCl SRCn+Ι中的每一級(jí)通過(guò)第一輸入端子1附接收起始信號(hào)STV或前一級(jí)的柵信號(hào)。具體來(lái)說(shuō)，第一級(jí)SRCi通過(guò)其第一輸入端子mi接收起始信號(hào)STV，以開(kāi)始電路部CP的操作，并且，第二級(jí)至第(n+1)級(jí)SRC2 SRCn+Ι中的每一級(jí)接收來(lái)自前一級(jí)的輸出端子OUT的柵信號(hào)。同時(shí)，第一級(jí)至第(n+1)級(jí)SRCl SRCn+1中的每一級(jí)(通過(guò)其第二輸入端子IN2) 接收來(lái)自下一級(jí)(即，后續(xù)級(jí))的進(jìn)位信號(hào)。第(n+1)級(jí)SRCn+1是虛設(shè)級(jí)，以將進(jìn)位信號(hào)施加至第η級(jí)SRCn的第二輸入端子ΙΝ2。由于在第(n+1)級(jí)SRCn+Ι之后不存在級(jí)，因此， 將起始信號(hào)STV(而不是進(jìn)位信號(hào))施加于第(n+1)級(jí)SRCn+Ι的第二輸入端子IN2。另外，截止電壓VSS被施加至第一級(jí)至第(n+1)級(jí)SRCl SRCn+1的截止電壓端子 VI，并且從第(n+1)級(jí)SRCn+1輸出的第(n+1)柵信號(hào)被施加至第一級(jí)至第(n+1)級(jí)SRCl SRCn+Ι的重置端子RE。奇數(shù)級(jí)SRC1，SRC3，... , SRCn+Ι輸出第一時(shí)鐘信號(hào)CKV，作為經(jīng)由進(jìn)位端子CR的進(jìn)位信號(hào)和作為經(jīng)由輸出端子OUT的柵信號(hào)，并且偶數(shù)級(jí)SRC2，SRCn輸出第二時(shí)鐘信號(hào)CKVB，作為經(jīng)由進(jìn)位端子CR的進(jìn)位信號(hào)和作為經(jīng)由輸出端子OUT的柵信號(hào)。從第二級(jí)至第(n+1)級(jí)SRC2 SRCn+1輸出的進(jìn)位信號(hào)被施加至前一級(jí)的第二輸入端子IN2。另外，分別從第一級(jí)至第η級(jí)SRCl SRCn輸出的第一至第η柵信號(hào)OUTl OUTn中的每個(gè)被施加至下一級(jí)的第一輸入端子INl。同時(shí)，線路部LP包括第一、第二、第三、第四和第五總線信號(hào)線SLl、SL2、SL3、SL4 和 SL5。第一總線信號(hào)線SLl從外部源接收截止電壓VSS。第二總線信號(hào)線SL2從外部源接收第一時(shí)鐘信號(hào)CKV，并且第三總線信號(hào)線SL3從外部源接收第二時(shí)鐘信號(hào)CKVB。第四總線信號(hào)線SL4將來(lái)自外部源的起始信號(hào)STV施加至第一級(jí)SRCl的第一輸入端子mi和第(n+1)級(jí)SRCn+Ι的第二輸入端子IN2。第五總線信號(hào)線SL5將從第(n+1)級(jí)SRCn+Ι輸出的第(n+1)柵信號(hào)施加至第一級(jí)至第(n+1)級(jí)SRCl SRCn+Ι的重置端子RE。第一至第五總線信號(hào)線SLl至SL5可以以第五總線信號(hào)線SL5、第四總線信號(hào)線 SL4、第三總線信號(hào)線SL3、第二總線信號(hào)線SL2和第一總線信號(hào)線SLl的順序而鄰近電路部CP布置。而且，第一總線信號(hào)線SLl可設(shè)置在第一基底101上的第二至第五總線信號(hào)線 SL2至SL5之外的部分處?？傮w而言，第一至第五總線信號(hào)線SLl至SL5可以以任何適當(dāng)?shù)姆绞胶晚樞虿贾?。線路部LP可進(jìn)一步包括第一連接線CL1、第二連接線CL2和第三連接線CL3。第一連接線CLl將第一總線信號(hào)線SLl連接至電路部CP的第一級(jí)至第(n+1)級(jí) SRCl SRCn+Ι的截止電壓端子VI。第二連接線CL2將第二總線信號(hào)線SL2連接至電路部 CP的奇數(shù)級(jí)SRCLSRC3, · · ·，SRCn+Ι的第一時(shí)鐘端子CKl和電路部CP的偶數(shù)級(jí)SRC2，· · ·， SRCn的第二時(shí)鐘端子CK2。第三連接線CL3將第三總線信號(hào)線SL3連接至電路部CP的偶數(shù)級(jí)SRC2，· · ·，SRCn的第一時(shí)鐘端子CKl和電路部CP的奇數(shù)級(jí)SRCl，SRC3，· · ·，SRCn+1 的第二時(shí)鐘端子CK2。圖3是示出了圖2中的一級(jí)的電路圖。參照?qǐng)D3，每一級(jí)包括上拉驅(qū)動(dòng)部411、下拉驅(qū)動(dòng)部412、進(jìn)位部413、波動(dòng)防止部 414和幀重置部415。上拉驅(qū)動(dòng)部411包括第一晶體管TRl和第四晶體管TR4。第一晶體管TRl包括與相應(yīng)柵線GL電連接的源電極、與第四晶體管TR4的源電極電連接的柵電極、以及漏電極，從第一時(shí)鐘端子CKl輸入的信號(hào)被施加至該漏電極。第四晶體管TR4包括漏電極和柵電極，該柵電極電連接至該漏電極以用作二極管。起始信號(hào)STV或前一級(jí)的柵信號(hào)被施加至第四晶體管TR4的漏電極和柵電極。下拉驅(qū)動(dòng)部412包括第二晶體管TR2、第九晶體管TR9和第14晶體管TR14。第二晶體管TR2通過(guò)其柵電極接收下一級(jí)的進(jìn)位信號(hào)，并通過(guò)其源電極接收截止電壓VSS。第二晶體管TR2包括電連接至柵線GL的漏電極。第九晶體管TR9通過(guò)其柵電極接收下一級(jí)的進(jìn)位信號(hào)，并通過(guò)其源電極接收截止電壓VSS。第九晶體管TR9包括與第一晶體管TRl的柵電極電連接的漏電極。第14晶體管TR14包括被施加以截止電壓VSS的源電極以及電連接至柵電極GL 的漏電極。第一晶體管TRl和第二晶體管TR2連接至柵線GL的第一端，并且第14晶體管 TR14連接至柵線GL的第二端。第14晶體管TR14包括被施加以下一級(jí)的進(jìn)位信號(hào)的柵電極。進(jìn)位部413包括第15晶體管TR15。第15晶體管TR15包括分別與第一晶體管TRl 的柵電極和漏電極連接的柵電極和漏電極。從第15晶體管TR15的源電極輸出的進(jìn)位信號(hào)與從第一晶體管TRl的源電極輸出的柵信號(hào)一樣。第15晶體管TR15包括與下一級(jí)的第四晶體管的柵電極和漏電極電連接的源電極，因此，進(jìn)位信號(hào)被施加至下一級(jí)的第四晶體管的柵電極和漏電極。波動(dòng)防止部414包括第三晶體管TR3、第五晶體管TR5、第七晶體管TR7、第八晶體管TR8、第10晶體管TR10、第11晶體管TR11、第12晶體管TR12和第13晶體管TR13。第三晶體管TR3包括分別與第二晶體管TR2的漏電極和源電極連接的源電極和漏電極。另外，第三晶體管TR3包括與第八晶體管TR8的漏電極電連接的柵電極。第五晶體管TR5包括被施加以輸入至第二時(shí)鐘端子CK2的信號(hào)的柵電極、被施加以截止電壓VSS的源電極、以及與第15晶體管TR15的源電極電連接的漏電極。第七晶體管TR7包括被施加以輸入至第一時(shí)鐘端子CKl的信號(hào)的柵電極和漏電極以及與第八晶體管TR8的漏電極電連接的源電極。第八晶體管TR8包括與第七晶體管TR7的源電極和第三晶體管TR3的柵電極電連接的漏電極。另外，第八晶體管TR8包括被施加以截止電壓VSS的源電極以及與第13晶體管TR13的柵電極、第15晶體管TR15的源電極和第五晶體管TR5的漏電極電連接的柵電極。第10晶體管TRlO包括被施加以輸入至第一時(shí)鐘端子CKl的信號(hào)的柵電極以及與第五晶體管TR5的漏電極、第八晶體管TR8的柵電極、第13晶體管TR13的柵電極和第15 晶體管TR15的源電極電連接的漏電極。第10晶體管TRlO包括與第11晶體管TRll的源電極、第六晶體管TR6的漏電極、第九晶體管TR9的漏電極、第四晶體管TR4的源電極、第一晶體管TRl的柵電極和第15晶體管TR15的柵電極電連接的源電極。第11晶體管TRll包括被施加以輸入至第二時(shí)鐘端子CK2的信號(hào)的柵電極。第11 晶體管TRll的源電極電連接至第10晶體管TRlO的源電極、第六晶體管TR6的漏電極、第九晶體管TR9的漏電極、第一晶體管TRl的柵電極和第15晶體管TR15的柵電極。另外，第 11晶體管TRll包括被施加以起始信號(hào)STV或前一級(jí)的柵信號(hào)的漏電極。第12晶體管TR12包括被施加以輸入至第一時(shí)鐘端子CKl的信號(hào)的柵電極和源電極以及與第13晶體管TR13的源電極、第七晶體管TR7的源電極和第八晶體管TR8的漏電極電連接的漏電極。第13晶體管TR13包括被施加以截止電壓的漏電極、與第12晶體管TR12的漏電極和第七晶體管TR7的源電極和第八晶體管TR8的漏電極電連接的源電極、以及與第八晶體管TR8的柵電極和第15晶體管TR15的源電極電連接的柵電極。幀重置部415包括第六晶體管TR6。第六晶體管TR6包括被施加以最后一級(jí)的柵信號(hào)的柵電極、與第四晶體管TR4的源電極和第一晶體管TRl的柵電極電連接的漏電極、以及被施加以截止電壓VSS的源電極。當(dāng)最后一級(jí)的柵信號(hào)被施加至第六晶體管TR6時(shí)，第六晶體管TR6導(dǎo)通，并且截止電壓VSS被施加至第一晶體管TRl的柵電極，從而重置所有的級(jí)。圖4是示出了圖1中的部分“AA”的放大平面圖。在圖4中，為了方便解釋，示出了每一級(jí)中的接觸孔和間隔件，但是省略了每一級(jí)中的晶體管和連接晶體管的信號(hào)線。
參照?qǐng)D4，柵驅(qū)動(dòng)器110包括電路部CP和線路部LP。線路部LP包括多條信號(hào)線，并且設(shè)置有第一接觸孔CHl以將信號(hào)線彼此連接。如圖4所示，線路部LP的一部分可以被密封劑301覆蓋。電路部CP包括多個(gè)級(jí)SRCi-2 SRCi+4，并且所述多個(gè)級(jí)SRCi_2 SRCi+4分別布置在級(jí)區(qū)域SRAi-2 SRAi+4中，如圖4所示。雖然圖4中沒(méi)有示出，但是所述多個(gè)級(jí) SRCi-2 SRCi+4中的每一級(jí)包括第一至第15晶體管TRl TR15。詳細(xì)地，第四晶體管TR4可布置在第一晶體管區(qū)域Al中，并且第五晶體管TR5可布置在第二晶體管區(qū)域A2中。第六晶體管TR6可布置在第三晶體管區(qū)域A3中，并且第15 晶體管TR15可布置在第四晶體管區(qū)域A4中。第11晶體管TRll可布置在第五晶體管區(qū)域 A5中，并且第九晶體管TR9和第10晶體管TRlO可布置在第六晶體管區(qū)域A6中。第12晶體管TR12和第13晶體管TR13可布置在第七晶體管區(qū)域A7中，并且第七晶體管TR7和第八晶體管TR8可布置在第八晶體管區(qū)域A8中。第一至第三晶體管TRl、TR2和TR3可布置在第九晶體管區(qū)域A9中。雖然圖4中沒(méi)有示出，但是多條信號(hào)線布置在電路部CP中，以連接第一至第13晶體管TRl TR13以及第15晶體管TR15。另外，電路部CP設(shè)置有第一接觸孔CHl以將信號(hào)線彼此連接。另外，第14晶體管TR14可布置在顯示區(qū)域DA右側(cè)的外圍區(qū)域中。第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、第10、第11、第12、第13、第 14 和第 15 晶體管 TRl、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6、TR7、TR8、TR9、TRIO、TRl 1、TR12、TR13、TR14 和TR15的布置可以與上文所述的位置構(gòu)造不同。總體而言，可以采用不同的構(gòu)造和布置來(lái)設(shè)置晶體管和信號(hào)線。如圖4所示，第一柱狀間隔件CSl對(duì)應(yīng)于外圍區(qū)域PA而布置在第一基板101與第二基板201之間，以保持第一基板101與第二基板201之間的距離。當(dāng)在平面圖上觀察時(shí)， 第一柱狀間隔件CSl布置在形成有第一接觸孔CHl的區(qū)域之外的區(qū)域中。具體地，第一柱狀間隔件CSl可以在形成有第一接觸孔CHl的區(qū)域之外的區(qū)域中布置在第一至第15晶體管TRl TR15和第一至第五總線信號(hào)線SLl SL5上。第一柱狀間隔件CSl可以在布置于它們的位置上的同時(shí)彼此一體形成，并且每個(gè)第一柱狀間隔件CSl可以在布置于它們的位置上的同時(shí)分成多個(gè)。另外，第一柱狀間隔件CSl的布置可以與圖4所示的構(gòu)造不同。例如，布置在兩個(gè)相鄰級(jí)中的柱狀間隔件可以彼此連接。將參照?qǐng)D5和圖6來(lái)進(jìn)行第一柱狀間隔件CSl的詳細(xì)描述。圖5是示出了顯示裝置的示例性實(shí)施方式的沿圖1中的線I-I'截取的剖面圖。 為了方便解釋，圖5示出了顯示面板的一部分。參照?qǐng)D5，第一基板101包括第一基底111、布置在第一基底111上的柵電極GE、以及第一信號(hào)線SLA。柵電極GE連接至第一信號(hào)線SLA。柵絕緣層112布置在第一基底111上以覆蓋柵電極GE和第一信號(hào)線SLA。源電極 SE、漏電極DE和第二信號(hào)線SLB布置在柵絕緣層112上。第二信號(hào)線SLB可通過(guò)與源電極 SE和漏電極DE相同的工藝而形成，并且可包含與源電極SE和漏電極DE相同的材料。第一至第四總線信號(hào)線SL1、SL2、SL3和SL4可以是第一信號(hào)線SLA或第二信號(hào)線SLB之一。在源電極SE與柵電極GE之間以及在漏電極DE與柵電極GE之間可進(jìn)一步布置有
10半導(dǎo)體層SL。在源電極SE、漏電極DE和第二信號(hào)線SLB上可進(jìn)一步布置有保護(hù)層113。保護(hù)層 113可由有機(jī)或無(wú)機(jī)材料形成。第二信號(hào)線SLB由保護(hù)層113覆蓋，并且第一信號(hào)線SLA由柵絕緣層112和保護(hù)
層113覆蓋。保護(hù)層113可設(shè)置有穿過(guò)其中形成的接觸孔，以露出源電極SE和漏電極DE的一部分。在本示例性實(shí)施方式中，在外圍區(qū)域PA中與第一和第二信號(hào)線SLA和SLB的一部分連接的接觸孔被稱作第一接觸孔CH1，而在顯示區(qū)域DA中與漏電極DE的一部分連接的接觸孔被稱作第二接觸孔CH2。如圖5所示，橋接電極BE對(duì)應(yīng)于第一和第二信號(hào)線SLA和SLB而布置在第一接觸孔CHl上，以連接第一和第二信號(hào)線SLA和SLB。另外，像素電極PE布置在保護(hù)層113上， 并且像素電極PE通過(guò)露出漏電極DE —部分的第二接觸孔CH2連接至漏電極DE。因此，像素電極PE可以接收從漏電極DE輸出的信號(hào)?？梢岳门c像素電極PE相同或相似的工藝形成橋接電極BE，并且橋接電極BE可以包含與像素電極PE相同的材料。第一基板101包括布置在外圍區(qū)域PA中的第一薄膜晶體管TRA以及布置在顯示區(qū)域DA中的第二薄膜晶體管TRB。第一薄膜晶體管TRA可以是柵驅(qū)動(dòng)器110中所包括的級(jí)的多個(gè)晶體管中的一個(gè)。 第二薄膜晶體管TRB包括連接至相應(yīng)柵線的柵電極GE、連接至相應(yīng)數(shù)據(jù)線以接收源信號(hào)的源電極SE、以及連接至相應(yīng)數(shù)據(jù)線以接收數(shù)據(jù)信號(hào)的漏電極DE。因此，第二薄膜晶體管TRB 可通過(guò)其漏電極在預(yù)定時(shí)間輸出數(shù)據(jù)電壓。第一薄膜晶體管TRA中所包括的半導(dǎo)體層SL可包含與第二薄膜晶體管TRB相同的材料。第二基板201包括第二基底211和黑矩陣212。第二基底211可以是透明玻璃材料的。黑矩陣212可由阻光材料形成并且布置在外圍區(qū)域PA中。另外，黑矩陣212可進(jìn)一步形成在例如其中不存在像素電極PE的非有效區(qū)域中。黑矩陣212可包含諸如鉻(Cr)的金屬材料。如圖5所示，第二基板210可進(jìn)一步包括公共電極CE，該公共電極布置在第二基底 211和黑矩陣212上并且由透明導(dǎo)電材料形成。同時(shí)，密封劑301布置在第一基板101和第二基板201之間，并且第一基板101和第二基板201利用熱壓工藝通過(guò)密封劑301彼此結(jié)合。具體地，密封劑301可形成在柵驅(qū)動(dòng)器110的一部分上以覆蓋柵驅(qū)動(dòng)器110的一部分。這樣，當(dāng)在第一基板101和第二基板201之間注入液晶材料時(shí)，在第一基板101和第二基板201之間形成了液晶層300。另外，密封劑301可減小柵驅(qū)動(dòng)器110與公共電極 CE之間產(chǎn)生的寄生電容。顯示裝置100進(jìn)一步包括布置在外圍區(qū)域PA中的第一柱狀間隔件CSl以及布置在顯示區(qū)域DA中的第二柱狀間隔件CS2，以保持第一基板101和第二基板201之間的距離。第一柱狀間隔件CSl布置在不存在第一接觸孔CHl的非接觸區(qū)域CA2中。這是因?yàn)椋?dāng)?shù)谝恢鶢铋g隔件CSl形成于存在第一接觸孔CHl的接觸孔區(qū)域CAl中時(shí)，圍繞接觸孔區(qū)域CAl的一部分可能被腐蝕，這可能導(dǎo)致顯示裝置100的故障。同時(shí)，第二柱狀間隔件CS2布置在顯示區(qū)域DA的非有效區(qū)域中。在一些情況下，第一柱狀間隔件CSl的高度可以小于第二柱狀間隔件CS2的高度。 通過(guò)控制用于形成第一柱狀間隔件CSl和第二柱狀間隔件CS2的掩模的開(kāi)口區(qū)域尺寸，可以調(diào)整第一柱狀間隔件CSl與第二柱狀間隔件CS2之間的高度差?？傮w而言，第一柱狀間隔件CSl和第二柱狀間隔件CS2可以具有任何適當(dāng)?shù)母叨?。另外，第一柱狀間隔件CSl可以與保護(hù)層113隔開(kāi)，使得第一柱狀間隔件CSl與保護(hù)層113不接觸，但是，其他示例性實(shí)施方式可以不限于此。即，在一些情況下，第一柱狀間隔件CSl可以接觸保護(hù)層113。參照?qǐng)D4，第一柱狀間隔件CSl可以沿相鄰級(jí)的非接觸區(qū)域延伸，從而第一柱狀間隔件CSl可具有帶狀。圖6是示出了顯示裝置的另一示例性實(shí)施方式的沿圖1中的線Ι-Γ截取的剖面圖。在圖6中，相同參考標(biāo)號(hào)表示與圖5中部件相同的部件，從而可以不再重復(fù)相同部件的描述。參照?qǐng)D6，布置在外圍區(qū)域PA中的黑矩陣212根據(jù)其位置而具有不同的厚度。具體而言，布置在接觸區(qū)域CAl中的黑矩陣212的厚度小于非接觸區(qū)域CA2中的黑矩陣212的厚度。更具體地，布置在接觸區(qū)域CAl中的黑矩陣212的厚度與布置在非接觸區(qū)域CA2中的黑矩陣212的厚度的比值可以是0. 8或更小。布置在接觸區(qū)域CAl中的黑矩陣212的厚度與布置在非接觸區(qū)域CA2中的黑矩陣212的厚度的比值不限于此，而是可以設(shè)置成任何期望的比值。通過(guò)第一柱狀間隔件CSl的位置，可以調(diào)整布置在外圍區(qū)域PA中的黑矩陣212的厚度。詳細(xì)地，布置于不存在第一柱狀間隔件CSl的區(qū)域中的黑矩陣212的厚度可以小于布置于存在第一柱狀間隔件CSl的區(qū)域中的黑矩陣212的厚度。另外，通過(guò)使用用于形成黑矩陣212的半色調(diào)掩模(half-tone mask)或切口掩模，可以調(diào)整黑矩陣212的厚度。由于橋接電極BE布置在接觸區(qū)域CAl中，所以橋接電極BE與公共電極CE之間的寄生電容可能增加。因此，當(dāng)布置在接觸區(qū)域CAl中的黑矩陣212的厚度減小時(shí)，由于公共電極CE與橋接電極BE之間的距離增大，所以可以減小寄生電容。這樣，可以調(diào)整黑矩陣 212的厚度，從而防止顯示裝置100發(fā)生故障。下面描述與圖6所示的顯示裝置有關(guān)的實(shí)例。顯示裝置可以具有大約3. 2 μ m的單元間隙，即第一基底111與第二基底211之間的距離，并且公共電極CE和橋接電極BE之間的距離可以是0. 4 μ m。同時(shí)，黑矩陣212在非接觸區(qū)域CA2中可以具有大約1. 4μπι的厚度，并且接觸區(qū)域CAl中的黑矩陣可以具有大約1. 0 μ m的厚度。因此，在接觸區(qū)域CAl中，公共電極CE與橋接電極BE之間的距離是大約0. 8 μ m。由于電容與公共電極CE和橋接電極BE之間的距離成反比，所以當(dāng)公共電極CE 和橋接電極BE之間的距離大約翻倍時(shí)，寄生電容可以減小大約一半。在圖5和圖6中，作為用于保持第一基板101和第二基板201之間的距離的間隔件，示出的是柱狀間隔件CSl和CS2，但是間隔件不限于柱狀間隔件。即，可以使用珠子間隔件代替柱狀間隔件。 本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不偏離本發(fā)明精神或范圍的前提下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變化。因此，如果這些修改和變化落在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，本發(fā)明應(yīng)該覆蓋本發(fā)明的這些修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括第一基板，所述第一基板包括顯示區(qū)域，包括顯示圖像的多個(gè)像素；以及外圍區(qū)域，包括驅(qū)動(dòng)所述像素的驅(qū)動(dòng)電路；第二基板，面對(duì)所述第一基板；液晶層，介于所述第一基板與所述第二基板之間；第一間隔件，布置在所述外圍區(qū)域中，以保持所述第一基板與所述第二基板之間的距離；以及第二間隔件，布置在所述顯示區(qū)域中，以保持所述第一基板與所述第二基板之間的距1 ，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路包括第一信號(hào)線；第二信號(hào)線，與所述第一信號(hào)線絕緣；第一保護(hù)層，布置在所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線上，所述第一保護(hù)層包括第一接觸孔，以露出所述第一信號(hào)線的一部分和所述第二信號(hào)線的一部分；以及橋接電極，布置在所述第一保護(hù)層上，以通過(guò)所述第一接觸孔連接所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線；并且其中，所述外圍區(qū)域進(jìn)一步包括接觸區(qū)域，布置在對(duì)應(yīng)于所述第一接觸孔的區(qū)域中；以及非接觸區(qū)域，布置在對(duì)應(yīng)于所述第一間隔件的區(qū)域中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第二基板包括 基板；以及黑矩陣，布置在所述基板上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述黑矩陣包括 第一區(qū)域，對(duì)應(yīng)于所述接觸區(qū)域；以及第二區(qū)域，對(duì)應(yīng)于所述非接觸區(qū)域，其中，所述黑矩陣在所述第一區(qū)域中的厚度小于所述黑矩陣在所述第二區(qū)域中的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述黑矩陣在所述第一區(qū)域中的厚度與所述黑矩陣在所述第二區(qū)域中的厚度的比值小于或等于0. 8。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述黑矩陣包括 第一區(qū)域，其中布置有所述第一間隔件；以及第二區(qū)域，其中未布置所述第一間隔件；其中，所述黑矩陣在所述第二區(qū)域中的厚度小于所述黑矩陣在所述第一區(qū)域中的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述像素包括 柵線，沿第一方向設(shè)置；數(shù)據(jù)線，沿與所述第一方向不同的第二方向設(shè)置并且與所述柵線交叉，所述數(shù)據(jù)線與所述柵線絕緣；第一開(kāi)光元件，連接至所述柵線和所述數(shù)據(jù)線，并且包括第一半導(dǎo)體層；第二保護(hù)層，布置在所述第一開(kāi)關(guān)元件上，并且包括第二接觸孔以露出所述第一開(kāi)關(guān)元件的一部分；以及像素電極，布置在所述第二保護(hù)層上，并且通過(guò)所述第二接觸孔連接至所述第一開(kāi)關(guān)元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括柵驅(qū)動(dòng)器以將柵信號(hào)施加至所述柵線，并且所述柵驅(qū)動(dòng)器通過(guò)用于布置像素的薄膜工藝而布置在所述第一基板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述柵驅(qū)動(dòng)器包括連接至所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線的第二開(kāi)關(guān)元件，并且所述第一間隔件布置在所述第二開(kāi)關(guān)元件上且位于與彼此鄰近的兩個(gè)第一接觸孔之間的非接觸區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域中。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括連接至所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線的第二開(kāi)關(guān)元件，所述第二開(kāi)關(guān)元件包括第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層包含與所述第一半導(dǎo)體層相同的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，所述橋接電極包括與所述像素電極相同的材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，所述第一信號(hào)線包含與所述柵線相同的材料，并且所述第二信號(hào)線包含與所述數(shù)據(jù)線相同的材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括布置在所述第一基板與所述第二基板之間的部件，以將所述第一基板與所述第二基板結(jié)合，其中，所述部件覆蓋所述驅(qū)動(dòng)電路的至少一部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一間隔件和所述第二間隔件中的每個(gè)是柱狀間隔件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述第一間隔件的高度小于所述第二間隔件的高度。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括柵驅(qū)動(dòng)器，所述柵驅(qū)動(dòng)器包括多個(gè)級(jí)，并且所述第一間隔件對(duì)應(yīng)于彼此鄰近的兩個(gè)第一接觸孔之間的非接觸區(qū)域而布置。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中，所述多個(gè)級(jí)中的至少一個(gè)級(jí)包括連接至所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線的開(kāi)關(guān)元件，并且所述第一間隔件布置在所述第一開(kāi)關(guān)元件上。
全文摘要
一種顯示裝置，包括第一基板、第二基板、布置在第一基板與第二基板之間的液晶層、第一間隔件和第二間隔件。第一基板包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域。第一間隔件布置在外圍區(qū)域中以保持第一基板與第二基板之間的距離，并且第二間隔件布置在顯示區(qū)域中。驅(qū)動(dòng)電路包括第一信號(hào)線、與第一信號(hào)線絕緣的第二信號(hào)線、保護(hù)層和橋接電極。保護(hù)層具有露出第一信號(hào)線和第二信號(hào)線的一部分的第一接觸孔。外圍區(qū)域包括對(duì)應(yīng)于第一接觸孔的接觸區(qū)域以及接近接觸區(qū)域的非接觸區(qū)域。第一間隔件布置在非接觸區(qū)域中。
文檔編號(hào)G02F1/1335GK102455534SQ201110196228
公開(kāi)日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2011年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月22日
發(fā)明者朱宣奎, 金善美 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社