專利名稱：光纖及包含光纖的光通信系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光纖以及使用上述光纖的光通信系統(tǒng)，其可以在使用拉曼放大的長(zhǎng)中繼距離的波分復(fù)用光通信系統(tǒng)中，改善光信噪比(以下稱為OSNR =Optical Signal-to-Noise Ratio)0
背景技術(shù)：
在光通信系統(tǒng)中，近年，如以數(shù)字相干接收技術(shù)為代表那樣，在接收器中利用數(shù)字信號(hào)處理(DSP)對(duì)由于色散產(chǎn)生的波形失真進(jìn)行補(bǔ)償?shù)募夹g(shù)不斷發(fā)展。與此相伴，與改善光傳輸路徑中的色散值相比，對(duì)OSNR的改善要求快速增多。在通信系統(tǒng)中的中繼器間隔固定的狀態(tài)下，為了使傳輸速度高速化而不使信號(hào)品質(zhì)惡化，必須增加0SNR。例如，為了將傳輸速度高速化為2倍，需要使OSNR增加為2倍(增加3dB)。另外，在維持傳輸速度的狀態(tài)下將中繼距離變長(zhǎng)的情況下，也必須增加0SNR。例如，為了將中繼器間隔增加5km，需要使 OSNR 增加 IdB0對(duì)于增加光通信系統(tǒng)的0SNR，增大傳輸介質(zhì)即光纖的有效截面積Aeff、以及降低該光纖的傳輸損耗是有效的。通過增大有效截面積Aeff，即使在光纖中輸送大功率的信號(hào)光， 也可以充分地抑制非線性光學(xué)現(xiàn)象的發(fā)生。由此，增大了有效截面積Arff的光纖可以容許更大的入射信號(hào)光功率。由于如果入射信號(hào)光功率較大，則相應(yīng)地接收信號(hào)光功率也較大， 所以可以使OSNR增加。另外，如果傳輸損耗較低，則即使入射信號(hào)光功率相同，也可以在接收端接收更大的信號(hào)光功率。在該情況下也可以使OSNR增加。在日本專利第4^3156號(hào)公報(bào)(文獻(xiàn)1)中，公開了一種光纖，其具有大于或等于IlOym2的有效截面積Aeff，傳輸損耗小于或等于0. 180dB/km。該光纖具有凹陷包層 (depressed clad)型折射率曲線，從光軸中心順次由纖芯、內(nèi)側(cè)包層、外側(cè)包層構(gòu)成。纖芯直徑加為11. 5 23. 0 μ m，內(nèi)側(cè)包層相對(duì)于纖芯的直徑比2b/^a為1. 1 7，纖芯相對(duì)于外側(cè)包層的相對(duì)折射率差Δ +為0. 15% 0. 30%，內(nèi)側(cè)包層相對(duì)于外側(cè)包層的相對(duì)折射率差 為-0. 15% -0. 01%。在 M. Bigot-Astruc et al. , "Trench-Assisted Profiles for Large-Effective-Area Single Mode Fibers”，Mo. 4. B. 1，EC0C2008 (文獻(xiàn) 2)中，公開了一種光纖，其有效截面積Aeff為120 μ m2，傳輸損耗為0. 183dB/km。該光纖具有槽型折射率曲線。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明人對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)如下所述課題。即，在實(shí)際的光通信系統(tǒng)中，傳輸用光纖的兩端與中繼器或發(fā)送/接收器等設(shè)備連接。設(shè)備的兩端由通用的單模光纖(以下稱為SMF =Single-Mode Optical Fiber)或者非零色散位移光纖(以下稱為 NZDSF =Non-Zero Dispersion-Shifted Optical Fiber)等光纖構(gòu)成，上述光纖利用熔接或通過連接器連接等與傳輸用光纖連接?；蛘?，有時(shí)傳輸用光纖在傳輸路徑的中途與不同種類的其它傳輸用光纖連接。如果傳輸用光纖的有效截面積Arff與設(shè)備兩端的光纖或其它傳輸用光纖相比過大，則連接損耗變大，因此，該光通信系統(tǒng)整體的OSNR惡化。另外，在長(zhǎng)距離光通信系統(tǒng)中經(jīng)常使用分布拉曼放大，但如果傳輸用光纖的有效截面積Arff較大，則拉曼放大效率下降。由此，為了得到期望增益，需要巨大的泵浦光功率。 根據(jù)上述情況，傳輸用光纖的有效截面積Arff并不是越大越好，必須設(shè)定為最優(yōu)值。在上述現(xiàn)有技術(shù)中，沒有報(bào)導(dǎo)將連接損耗也考慮在內(nèi)而以可以改善OSNR的方式使有效截面積Arff 最優(yōu)化的光纖。一般地，光纖中的有效截面積Arff的增大伴隨著彎曲損耗的增加。在上述文獻(xiàn)1 所公開的光纖中，為了抑制彎曲損耗，采用凹陷包層型折射率曲線，但在該曲線中，必須注意以不會(huì)產(chǎn)生基模截止所導(dǎo)致的泄漏損耗的方式設(shè)計(jì)曲線。上述文獻(xiàn)1記載有下述內(nèi)容， 即，“在纖芯相對(duì)于外側(cè)包層的相對(duì)折射率差Δη+以及內(nèi)側(cè)包層相對(duì)于外側(cè)包層的相對(duì)折射率差Δη—各自的絕對(duì)值彼此相等的情況下，在光纖中不傳輸基模光”(參照上述文獻(xiàn)1 的段落序號(hào)“0047”)。但是，這僅是為了在使用波長(zhǎng)下不會(huì)引起基模截止。實(shí)際上，在與基模截止波長(zhǎng)相比較短的波長(zhǎng)下，基模輸送光開始泄漏，傳輸損耗增大。需要在整個(gè)使用波段 (1530nm 1625nm)中，抑制由于基模截止產(chǎn)生的泄漏損耗。本發(fā)明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于提供一種光通信系統(tǒng)及其可以使用的光纖，該光通信系統(tǒng)具有與設(shè)備和其它種類的光纖連接的連接構(gòu)造，并且進(jìn)行拉曼放大。特別地，目標(biāo)光纖為具有用于實(shí)現(xiàn)OSNR改善的構(gòu)造的光纖，具有凹陷包層型折射率曲線，可以在避免由于基模截止產(chǎn)生的泄漏損耗的同時(shí)抑制彎曲損耗。此外，作為該光通信系統(tǒng)整體，使用數(shù)字相干接收技術(shù)等由接收器對(duì)色散導(dǎo)致的波形失真進(jìn)行補(bǔ)償?shù)募夹g(shù)， 從而無需考慮光纖色散值的改善。本發(fā)明所涉及的光纖為石英類光纖，其作為光學(xué)特性而具有在波長(zhǎng)1550nm下小于或等于0. 19dB/km的傳輸損耗、在波長(zhǎng)1550nm下大于或等于IlOym2的有效截面積Aeff、 以及大于或等于1.3μπι而小于或等于1.53μπι的光纖截止波長(zhǎng)λ。。另外，為了實(shí)現(xiàn)凹陷包層型折射率曲線，該光纖具有由純石英構(gòu)成的纖芯，其具有折射率Ii1、直徑加；內(nèi)側(cè)包層，其設(shè)置在纖芯的外周，并且具有折射率η2、直徑2b ；以及外側(cè)包層，其設(shè)置在內(nèi)側(cè)包層的外周，并且具有折射率n3。在本發(fā)明所涉及的光纖中，優(yōu)選折射率n3滿足Ii1 >n3 >n2(條件1)。優(yōu)選內(nèi)側(cè)包層相對(duì)于外側(cè)包層的相對(duì)折射率差Δ_( = 100Χ (η2-η3)/η3)滿足-0.12% ^ Δ" ^-0.06% (條件2)。另外，優(yōu)選內(nèi)側(cè)包層直徑相對(duì)于纖芯直徑之比Ra( = 2b/2a) 滿足2. 5彡彡3. 5 (條件3)。此外，本發(fā)明所涉及的光纖可以應(yīng)用在用于輸送波長(zhǎng)小于或等于1625nm的光的介質(zhì)中。該光纖具有低損耗的純石英纖芯，并且具有彎曲損耗方面優(yōu)秀的凹陷包層型折射率曲線。對(duì)于該光纖，通過將基模截止波長(zhǎng)設(shè)定為大于或等于MOOnm，從而實(shí)現(xiàn)泄漏損耗降低。本發(fā)明所涉及的光纖也可以在具有上述光學(xué)特性以及凹陷包層型折射率曲線的同時(shí)，滿足除了上述條件1以及條件3以外的以下2個(gè)條件。即，在將使用波長(zhǎng)上限下的基模開始泄漏時(shí)的基模截止波長(zhǎng)設(shè)為Xrcup時(shí)，將基模截止波長(zhǎng)λ 設(shè)定為大于Xrcup的波長(zhǎng)(條件4)。另外，對(duì)于內(nèi)側(cè)包層相對(duì)于外側(cè)包層的相對(duì)折射率差Δ_( = 100Χ (η2-η3)/η3)， 在將使用波長(zhǎng)下的彎曲損耗成為最小的設(shè)為Δ min時(shí)，將Δ-設(shè)計(jì)為大于或等于A_min 而小于或等于A_min+0.006% (條件5)。此外，在本發(fā)明所涉及的光纖中，也可以使波長(zhǎng)1550nm下的有效截面積Aeff小于或等于150 μ m2，以作為上限波長(zhǎng)可以進(jìn)行直至1625nm為止的傳輸。在使用該光纖的光通信系統(tǒng)的中繼跨距中，設(shè)想在至少大于或等于2個(gè)部位處進(jìn)行連接，且設(shè)想在該中繼跨距中進(jìn)行拉曼放大，在該光通信系統(tǒng)整體中確保大于或等于IdB的OSNR改善。另外，為了確保更好的0SNR，也可以使波長(zhǎng)1550nm下的有效截面積Aeff大于或等于120 μ m2而小于或等于 140 μ m2。本發(fā)明所涉及的光通信系統(tǒng)具有形成上述構(gòu)造的光纖(本發(fā)明所涉及的光纖)。 另外，該光通信系統(tǒng)在該光纖內(nèi)對(duì)輸送光進(jìn)行拉曼放大。在該情況下，作為使拉曼放大用的激勵(lì)光進(jìn)行單模傳輸?shù)臈l件，優(yōu)選光纖具有小于或等于1. 45 μ m的光纖截止波長(zhǎng)。本發(fā)明所涉及的光通信系統(tǒng)，利用多個(gè)第1光纖和多個(gè)第2光纖，構(gòu)成具有大于或等于80km的中繼跨距(長(zhǎng)中繼跨距)的光通信系統(tǒng)。在該情況下，多個(gè)第1光纖架設(shè)在大于或等于80km的中繼跨距中的大于或等于2個(gè)位置處。多個(gè)第2光纖在中繼跨距中的大于或等于4個(gè)位置處與第1光纖連接。另外，多個(gè)第2光纖各自具有在波長(zhǎng)1550nm下小于或等于85 μ m2的有效截面積Aeff。多個(gè)第2光纖中的至少任意一個(gè)架設(shè)在中繼跨距的兩端、或者架設(shè)在中繼跨距中的一個(gè)位置處。即，在該光通信系統(tǒng)中，設(shè)想第1光纖在大于或等于4 個(gè)位置處與具有小于或等于85 μ m2的較小有效截面積Arff的第2光纖連接，由于該第1光纖具有IlOym2 150μπι2的較大的有效截面積Aeff，所以可以進(jìn)行更高功率的拉曼放大用激勵(lì)光的輸入，另一方面，由于第1光纖在波長(zhǎng)1550nm下具有小于或等于0. 19dB/km的低傳輸損耗，從而可以進(jìn)行長(zhǎng)中繼跨距的光傳輸。其結(jié)果，在該光通信系統(tǒng)整體中，可以實(shí)現(xiàn)大于或等于IdB的OSNR改善。優(yōu)選第1光纖各自具有在波長(zhǎng)1550nm下小于或等于0. 19dB/km的傳輸損耗、在波長(zhǎng)1550nm下大于或等于110 μ m2而小于或等于150 μ m2的有效截面積Aeff、以及大于或等于 1. 3 μ m而小于或等于1. 45 μ m的光纖截止波長(zhǎng)λ co在該情況下，該光通信系統(tǒng)在各個(gè)第1 光纖中對(duì)傳輸光進(jìn)行拉曼放大。為了實(shí)現(xiàn)凹陷包層型折射率曲線，各個(gè)第1光纖也可以具有由純石英組成的纖芯，其具有折射率H1、直徑加；內(nèi)側(cè)包層，其設(shè)置在所述纖芯的外周，并且具有折射率n2、直徑2b ；以及外側(cè)包層，其設(shè)置在所述內(nèi)側(cè)包層的外周，并且具有折射率n3。另外，優(yōu)選折射率叫滿足上述條件1。優(yōu)選內(nèi)側(cè)包層直徑相對(duì)于纖芯直徑之比Ra滿足上述條件3。并且， 優(yōu)選各個(gè)第1光纖同時(shí)滿足上述條件4以及條件5。并且，對(duì)于在本發(fā)明所涉及的光通信系統(tǒng)中使用的各個(gè)第1光纖，優(yōu)選其是用于輸送波長(zhǎng)小于或等于1625nm的光的介質(zhì)，具有上述凹陷包層型折射率曲線，滿足上述條件 1、條件2以及條件3。在該情況下，優(yōu)選第1光纖各自的有效截面積Aeff大于或等于120 μ m2 而小于或等于140 μ m2。


圖1是表示有效截面積Aeff和OSNR改善量的關(guān)系的圖。
圖2A以及2B是表示本發(fā)明所涉及的光纖的一個(gè)實(shí)施方式的剖面構(gòu)造的圖及其折射率曲線。圖3是表示開始產(chǎn)生泄漏損耗的波長(zhǎng)和基模截止波長(zhǎng)之間的關(guān)系的曲線圖。圖4是表示直徑20mm下的彎曲損耗和基模截止波長(zhǎng)之間的關(guān)系的曲線圖。圖5是將本實(shí)施方式所涉及的光纖(實(shí)施例1 15)和對(duì)比例所涉及的光纖的構(gòu)造參數(shù)以及光學(xué)特性進(jìn)行匯總而得到的表。圖6是對(duì)于本實(shí)施方式所涉及的光纖的多個(gè)樣品，將包覆樹脂的楊氏模量以及有效截面積Arff變化時(shí)的微彎損耗進(jìn)行匯總而得到的表。圖7A 7C是利用有效截面積Arff和傳輸損耗的關(guān)系，表示由中繼跨距中的連接狀態(tài)的差異所導(dǎo)致的相對(duì)于單模光纖(SMF)的OSNR改善量的圖。圖8是用于說明本實(shí)施方式所涉及的光纖的構(gòu)造確定動(dòng)作的流程圖。圖9A以及9B是表示本發(fā)明所涉及的光通信系統(tǒng)的各實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的圖。
具體實(shí)施例方式下面，利用圖1、2A 2B、3 6、7A 7C、8以及9A 9B，詳細(xì)說明本發(fā)明所涉及的光纖以及光通信系統(tǒng)的各實(shí)施方式。此外，在附圖的說明中，對(duì)于相同要素標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)，省略重復(fù)說明。首先，說明可以應(yīng)用于光通信系統(tǒng)的傳輸用光纖的、本實(shí)施方式所涉及的光纖的有效截面積Arff的最優(yōu)值。即，從光纖的特性的角度出發(fā)，OSNR可以近似地由以下公式⑴ 表不。OSNR (dB) IOlog AeffX α (1/km)) - α sp (dB) X N-α (dB/km) X L (km) (1)在這里，Arff為信號(hào)光波長(zhǎng)下的光纖的有效截面積，α為信號(hào)光波長(zhǎng)下的傳輸損耗，α sp為連接損耗，N為每1個(gè)中繼跨距的連接位置數(shù)量，L為每1個(gè)中繼跨距的光纖長(zhǎng)度。上述公式(1)的第一項(xiàng)，與使得在光纖中產(chǎn)生的非線性光學(xué)現(xiàn)象之一即自相位調(diào)制(SPMJelf-Phase Modulation)所產(chǎn)生的非線性相位偏移量固定時(shí)的容許入射光功率相對(duì)應(yīng)。非線性相位偏移量根據(jù)以下公式(2)得到。ΦSPM = 2f ？ · Leff . Pin ^
^ Aeff在這里，λ為信號(hào)光波長(zhǎng)，η2為光纖的非線性折射率，Leff為光纖的有效長(zhǎng)度，Pin 為入射光功率。只要光纖長(zhǎng)度充分長(zhǎng)，例如大于或等于50km，則有效長(zhǎng)度Leff可以近似為 LeffNl / α (1/km)。根據(jù)上述公式O)，在使非線性折射率n2固定、非線性相位偏移量Ospm固定時(shí)的容許入射功率，與Aeff (μ m2) X α (1/km)成正比地增加。上述公式(1)的第二項(xiàng)與光纖的連接損耗相對(duì)應(yīng)，如果僅考慮相連接的兩種光纖之間的模場(chǎng)直徑(以下稱為MFD=Mode Field Diameter)的不匹配，則連接損耗(dB)可以根據(jù)以下公式⑶估算。
權(quán)利要求
1.一種光纖，其為石英類光纖，具有在波長(zhǎng)1550nm下小于或等于0. 19dB/km的傳輸損耗、在波長(zhǎng)1550nm下大于或等于110 μ m2的有效截面積Aeff、以及大于或等于1. 3 μ m而小于或等于1. 53 μ m的光纖截止波長(zhǎng)入c，其特征在于，具有由純石英構(gòu)成的纖芯，其具有折射率H1、直徑加；內(nèi)側(cè)包層，其設(shè)置在所述纖芯的外周，并且具有折射率n2、直徑2b ；以及外側(cè)包層，其設(shè)置在所述內(nèi)側(cè)包層的外周，并且具有折射率n3，所述折射率n3小于所述折射率Ii1而大于所述折射率n2，所述內(nèi)側(cè)包層的直徑相對(duì)于所述纖芯的直徑之比Ra大于或等于2. 5而小于或等于 3. 5，其中，Ra = 2b/2a,在將使用波長(zhǎng)上限下的基模開始泄漏時(shí)的基模截止波長(zhǎng)設(shè)為λρωρ時(shí)，將基模截止波長(zhǎng)Xrc設(shè)定為大于Xrcup的波長(zhǎng)，對(duì)于所述內(nèi)側(cè)包層相對(duì)于所述外側(cè)包層的相對(duì)折射率差Δ-，在將所述使用波長(zhǎng)下的彎曲損耗為最小的設(shè)定為時(shí)，將所述設(shè)計(jì)為大于或等于而小于或等于 A_min+0. 06%，其中，Δ— = 100X (n2-n3)/n3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，所述Δ-大于或等于-0. 12%而小于或等于-0.06%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光纖，其特征在于， 波長(zhǎng)1550nm下的有效截面積Aeff小于或等于150 μ m2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光纖，其特征在于，在波長(zhǎng)1550nm下的有效截面積Aeff大于或等于120 μ m2而小于或等于140 μ m2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光纖，其特征在于， 基模截止波長(zhǎng)λ FC大于MOOnm。
6.一種光通信系統(tǒng)，其特征在于， 具有權(quán)利要求1或2所述的光纖。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光通信系統(tǒng)，其特征在于， 在所述光纖內(nèi)，對(duì)輸送光進(jìn)行拉曼放大。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光通信系統(tǒng)，其特征在于， 所述光纖具有小于或等于1. 45 μ m的光纖截止波長(zhǎng)。
9.一種光通信系統(tǒng)，其具有多個(gè)第1光纖，其架設(shè)在大于或等于80km的中繼跨距中的大于或等于2個(gè)位置處，分別具有與權(quán)利要求1或2的光纖相同的構(gòu)造；以及多個(gè)第2光纖，其在所述中繼跨距及其兩端中的大于或等于4個(gè)位置處與所述第1光纖連接，分別具有在波長(zhǎng)1550nm下小于或等于85 μ m2的有效截面積Aeff，并且所述多個(gè)第2 光纖的至少其中一個(gè)架設(shè)在所述中繼跨距的兩端，或者架設(shè)在所述中繼跨距中的1個(gè)位置處，該光通信系統(tǒng)的特征在于，所述第1光纖分別具有在波長(zhǎng)1550nm下小于或等于0. 19dB/km的傳輸損耗、在波長(zhǎng) 1550nm下大于或等于110 μ m2而小于或等于150 μ m2的有效截面積Aeff、以及大于或等于 1. 3 μ m而小于或等于1. 45 μ m的光纖截止波長(zhǎng)λ c,在各個(gè)所述第1光纖中，對(duì)輸送光進(jìn)行拉曼放大。
10.一種光纖，其為石英類光纖，作為用于輸送波長(zhǎng)小于或等于1625nm的光的介質(zhì)， 具有在波長(zhǎng)1550nm下小于或等于0. 19dB/km的傳輸損耗、在波長(zhǎng)1550nm下大于或等于 IlOym2的有效截面積Aeff、以及大于或等于1. 3 μ m而小于或等于1. 53 μ m的光纖截止波長(zhǎng) λ c,其特征在于，具有由純石英構(gòu)成的纖芯，其具有折射率H1、直徑加；內(nèi)側(cè)包層，其設(shè)置在所述纖芯的外周，并且具有折射率n2、直徑2b ；以及外側(cè)包層，其設(shè)置在所述內(nèi)側(cè)包層的外周，并且具有折射率n3，所述折射率n3小于所述折射率Ii1而大于所述折射率n2，所述內(nèi)側(cè)包層相對(duì)于所述外側(cè)包層的相對(duì)折射率差大于或等于-0. 12%而小于或等于-0.06%，其中，Δ—= 100X (n2-n3)/n3，所述內(nèi)側(cè)包層的直徑相對(duì)于所述纖芯的直徑之比Ra大于或等于2. 5而小于或等于 3. 5，其中，Ra = 2b/2a。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光纖，其特征在于，波長(zhǎng)1550nm下的有效截面積Aeff小于或等于150 μ m2。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光纖，其特征在于，波長(zhǎng)1550nm下的有效截面積Aeff大于或等于120 μ m2而小于或等于140 μ m2。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光纖，其特征在于，基模截止波長(zhǎng)λ FC大于MOOnm。
14.一種光通信系統(tǒng)，其特征在于，具有權(quán)利要求10所述的光纖。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光通信系統(tǒng)，其特征在于，在所述光纖內(nèi)，對(duì)輸送光進(jìn)行拉曼放大。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光通信系統(tǒng)，其特征在于，所述光纖具有小于或等于1. 45 μ m的光纖截止波長(zhǎng)。
17.—種光通信系統(tǒng)，其具有多個(gè)第1光纖，其架設(shè)在大于或等于80km的中繼跨距中的大于或等于2個(gè)位置處；以及多個(gè)第2光纖，其在所述中繼跨距及其兩端中的大于或等于4個(gè)位置處與所述第1光纖連接，分別具有在波長(zhǎng)1550nm下小于或等于85 μ m2的有效截面積Aeff，并且所述多個(gè)第2 光纖的至少其中一個(gè)架設(shè)在所述中繼跨距的兩端，或者架設(shè)在所述中繼跨距中的1個(gè)位置處，該光通信系統(tǒng)的特征在于，所述第1光纖分別具有在波長(zhǎng)1550nm下小于或等于0. 19dB/km的傳輸損耗、在波長(zhǎng) 1550nm下大于或等于110 μ m2而小于或等于150 μ m2的有效截面積Aeff、以及大于或等于 1. 3 μ m而小于或等于1. 45 μ m的光纖截止波長(zhǎng)λ c,在各個(gè)所述第1光纖中，對(duì)輸送光進(jìn)行拉曼放大。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光通信系統(tǒng)，其特征在于，所述第1光纖分別具有由純石英構(gòu)成的纖芯，其具有折射率Ii1、直徑加；內(nèi)側(cè)包層，其設(shè)置在所述纖芯的外周，并且具有折射率n2、直徑2b ；以及外側(cè)包層，其設(shè)置在所述內(nèi)側(cè)包層的外周，并且具有折射率n3，所述折射率n3小于所述折射率Ii1而大于所述折射率n2，所述內(nèi)側(cè)包層的直徑相對(duì)于所述纖芯的直徑之比Ra大于或等于2. 5而小于或等于3. 5，在將使用波長(zhǎng)上限下的基模開始泄漏時(shí)的基模截止波長(zhǎng)設(shè)為λρωρ時(shí)，將基模截止波長(zhǎng)Xrc設(shè)定為大于Xrcup的波長(zhǎng)，對(duì)于所述內(nèi)側(cè)包層相對(duì)于所述外側(cè)包層的相對(duì)折射率差Δ-，在將所述使用波長(zhǎng)下的彎曲損耗為最小的設(shè)定為時(shí)，將所述設(shè)計(jì)為大于或等于而小于或等于 A_min+0. 06%，其中，Δ— = 100X (n2-n3)/n3。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光通信系統(tǒng)，其特征在于，所述第1光纖分別為用于輸送波長(zhǎng)小于或等于1625nm的光的介質(zhì)，具有由純石英構(gòu)成的纖芯，其具有折射率H1、直徑加；內(nèi)側(cè)包層，其設(shè)置在所述纖芯的外周，并且具有折射率 Ii2、直徑2b ；以及外側(cè)包層，其設(shè)置在所述內(nèi)側(cè)包層的外周，并且具有折射率n3， 所述折射率n3小于所述折射率Ii1而大于所述折射率n2，所述內(nèi)側(cè)包層相對(duì)于所述外側(cè)包層的相對(duì)折射率差大于或等于-0. 12%而小于或等于-0.06%，其中，Δ—= 100X (n2-n3)/n3，所述內(nèi)側(cè)包層的直徑相對(duì)于所述纖芯的直徑之比Ra大于或等于2. 5而小于或等于3 · 5 ο
20.根據(jù)權(quán)利要求17至19中任一項(xiàng)所述的光通信系統(tǒng)，其特征在于， 所述有效截面積Arff大于或等于120 μ m2而小于或等于140 μ m2。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光纖等，其可以應(yīng)用于進(jìn)行拉曼放大的光通信系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)改善OSNR和抑制彎曲損耗的兼顧。該光纖為石英類光纖，具有至少由纖芯、低折射率的內(nèi)側(cè)包層、外側(cè)包層構(gòu)成的凹陷型折射率曲線，具有在波長(zhǎng)1550nm下大于或等于110μm2的有效截面積Aeff、以及大于或等于1.3μm而小于或等于1.53μm的光纖截止波長(zhǎng)λC。凹陷型折射率曲線設(shè)計(jì)為，內(nèi)側(cè)包層直徑相對(duì)于纖芯直徑之比Ra(＝2b/2a)大于或等于2.5而小于或等于3.5，并且內(nèi)側(cè)包層相對(duì)于外側(cè)包層的相對(duì)折射率差Δ-大于或等于使用波長(zhǎng)下的彎曲損耗為最小的相對(duì)折射率差Δ-min而小于或等于Δ-min+0.06％。
文檔編號(hào)G02B6/036GK102193140SQ201110048739
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月26日
發(fā)明者山本義典, 平野正晃 申請(qǐng)人:住友電氣工業(yè)株式會(huì)社