專(zhuān)利名稱(chēng)：帶電路的懸掛基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種帶電路的懸掛基板，詳細(xì)地說(shuō)，涉及一種裝載于采用光輔助法的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器等中的帶電路的懸掛基板。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，作為對(duì)硬盤(pán)等進(jìn)行磁記錄的磁記錄方式，已知光輔助法(光輔助磁記錄方式)，例如，作為采用上述光輔助法的帶電路的懸掛基板，已知在懸掛基板上設(shè)置光波導(dǎo)。作為這種光波導(dǎo)已知有以下光波導(dǎo)在包層(下包層和上包層)內(nèi)埋入芯層(光波導(dǎo))的埋入型光波導(dǎo)，在芯層上層疊(加載)寬度比芯層窄的上包層的加載條形光波導(dǎo)寸。并且，例如提出有以下方案將埋入型光波導(dǎo)形成為直線(xiàn)狀，將加載條形光波導(dǎo)形成為彎曲狀，在基板上對(duì)埋入型光波導(dǎo)與加載條形光波導(dǎo)進(jìn)行連接(例如參照日本特開(kāi)平 7-142699 號(hào)公報(bào))。

發(fā)明內(nèi)容
然而，雖然加載條形光波導(dǎo)能夠高強(qiáng)度地傳輸光，但是另一方面，與埋入型光波導(dǎo)相比，所傳輸?shù)墓獗容^容易漏光。具體地說(shuō)，在加載條形光波導(dǎo)中，在上包層下的芯層中，在從上包層露出的芯層中光比較容易漏光。因此，在根據(jù)基板的形狀而需要將光波導(dǎo)形成彎曲狀的情況下，當(dāng)按照上述形狀來(lái)形成加載條形光波導(dǎo)時(shí)，在從上包層露出的芯層中光更容易漏光。因此，存在光損失增加這種問(wèn)題。本發(fā)明的目的在于提供一種能夠減少通過(guò)光波導(dǎo)傳輸?shù)墓獾膿p失并且能夠與帶電路的懸掛基板的形狀對(duì)應(yīng)地以適當(dāng)?shù)男螤钆渲霉獠▽?dǎo)的帶電路的懸掛基板。本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的特征在于，具備電路基板，其具備金屬支承基板、 形成在上述金屬支承基板上的絕緣層以及形成在上述絕緣層上的導(dǎo)體層；以及光波導(dǎo)，其被設(shè)置于上述電路基板，其中，上述光波導(dǎo)具備第一光波導(dǎo)，其具備彎曲部；以及第二光波導(dǎo)，其具備直線(xiàn)部，上述第一光波導(dǎo)具備第一下包層；第一芯層，其形成在上述第一下包層上，在向上述第一下包層的厚度方向投影時(shí)，被包含于上述第一下包層；以及第一上包層，其形成在上述第一下包層上，覆蓋上述第一芯層，上述第二光波導(dǎo)具備第二下包層； 第二芯層，其形成在上述第二下包層上；以及第二上包層，其形成在上述第二芯層上，在向上述第二芯層的厚度方向投影時(shí)，被包含于上述第二芯層。另外，在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中，優(yōu)選至少上述第一光波導(dǎo)含有撓性材料， 并且，優(yōu)選上述第二光波導(dǎo)含有撓性材料。另外，在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中，優(yōu)選上述光波導(dǎo)在長(zhǎng)度方向上延伸，上述彎曲部在與上述長(zhǎng)度方向和上述厚度方向正交的方向上彎曲，其曲率半徑為IOOmm以下。另外，在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中，優(yōu)選上述第一芯層的上述第二光波導(dǎo)側(cè)端緣的上述正交方向長(zhǎng)度為5μπι以下，上述第二上包層的上述第一光波導(dǎo)側(cè)端緣的上述正交方向長(zhǎng)度為25 μ m以上。另外，在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中，優(yōu)選上述第一光波導(dǎo)與上述第二光波導(dǎo)在上述長(zhǎng)度方向上相互相鄰配置，由此在長(zhǎng)度方向上光學(xué)連接，上述第一芯層的第二光波導(dǎo)側(cè)端部形成為在向上述厚度方向投影時(shí)隨著接近上述第二光波導(dǎo)而上述寬度方向的長(zhǎng)度變小，上述第二上包層的第一光波導(dǎo)側(cè)端部形成為在向上述厚度方向投影時(shí)隨著接近上述第一光波導(dǎo)而上述寬度方向的長(zhǎng)度變大。根據(jù)本發(fā)明的帶電路的懸掛基板，在具備彎曲部的第一光波導(dǎo)中，第一芯層被包含于第一下包層，被第一上包層覆蓋。即，具備彎曲部的第一光波導(dǎo)由埋入型光波導(dǎo)構(gòu)成， 因此能夠減少第一芯層中的光的損失。另外，在具備直線(xiàn)部的第二光波導(dǎo)中，第二上包層形成于第二芯層上，在向第二芯層的厚度方向投影時(shí)，被包含于第二芯層。即，具備直線(xiàn)部的第二光波導(dǎo)由加載條形光波導(dǎo)構(gòu)成，因此能夠以高強(qiáng)度傳輸光，并且能夠減少第二芯層中的光的損失。因此，能夠與電路基板的形狀對(duì)應(yīng)地進(jìn)行配置、并且能夠高密度地對(duì)硬盤(pán)記錄信息而有效地實(shí)施光輔助法。


圖1是表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的一個(gè)實(shí)施方式的俯視圖。圖2是表示沿著圖1示出的帶電路的懸掛基板的光波導(dǎo)的截面圖。圖3是表示圖1示出的帶電路的懸掛基板的前端部的放大截面圖。圖4是表示圖3示出的帶電路的懸掛基板的第一光波導(dǎo)與第二光波導(dǎo)的連接狀態(tài)的放大俯視圖。圖5是圖4示出的連接狀態(tài)的放大立體圖。圖6是表示圖3示出的帶電路的懸掛基板的第二光波導(dǎo)的前端部的放大立體圖。圖7是說(shuō)明帶電路的懸掛基板的制造方法的截面圖，左側(cè)圖是沿著圖3的A-A線(xiàn)的截面圖，右側(cè)圖是沿著圖3的B-B線(xiàn)的截面圖，(a)示出準(zhǔn)備電路基板的工序，(b)示出形成第一下包層和第二下包層的工序，(c)示出形成第一芯層和第二芯層的工序，(d)示出形成第一上包層和第二上包層的工序，(e)示出形成開(kāi)口部的工序。圖8是說(shuō)明形成圖7的(d)的第一上包層和第二上包層的工序的截面圖，左側(cè)圖是沿著圖3的A-A線(xiàn)的截面圖，右側(cè)圖是沿著圖3的B-B線(xiàn)的截面圖，(a)示出形成感光性覆膜的工序，(b)示出通過(guò)光掩模來(lái)對(duì)覆膜進(jìn)行曝光的工序，(c)示出對(duì)覆膜進(jìn)行顯影而形成第一上包層和第二上包層的工序。圖9示出說(shuō)明相對(duì)于第二光波導(dǎo)定位磁頭滑塊的立體圖。圖10示出對(duì)磁頭滑塊進(jìn)行定位后的帶電路的懸掛基板的截面圖。圖11示出說(shuō)明本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其它實(shí)施方式的制造帶電路的懸掛基板的方法的截面圖，左側(cè)圖是沿著圖1的A-A線(xiàn)的截面圖，右側(cè)圖是沿著圖1的B-B線(xiàn)的截面圖，示出將第一光波導(dǎo)和第二光波導(dǎo)載置到電路基板上的工序。圖12示出說(shuō)明相對(duì)于第二光波導(dǎo)(沒(méi)有形成定位標(biāo)記的方式)定位磁頭滑塊的立體圖。
圖13是本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其它實(shí)施方式的第一光波導(dǎo)(第二彎曲部與第二直線(xiàn)部中的第一芯層的寬度向前側(cè)逐漸縮小的方式)的放大俯視圖，示出第二彎曲部的后部。圖14是本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其它實(shí)施方式的第一光波導(dǎo)(第二彎曲部與第二直線(xiàn)部中的第一芯層的寬度向前側(cè)逐漸縮小的方式)的放大俯視圖，示出第二彎曲部的前部。圖15是本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其它實(shí)施方式的第一光波導(dǎo)與第二光波導(dǎo)的連接狀態(tài)(第一芯層的前后方向的中間的寬度大于第二上包層的前后方向的中間的寬度的方式)的放大俯視圖。
具體實(shí)施例方式圖1是表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的一個(gè)實(shí)施方式的俯視圖，圖2是表示沿著圖1示出的帶電路的懸掛基板的光波導(dǎo)的截面圖，圖3是表示圖1示出的帶電路的懸掛基板的前端部的放大截面圖，圖4是表示圖3示出的帶電路的懸掛基板的第一光波導(dǎo)與第二光波導(dǎo)的連接狀態(tài)的放大俯視圖，圖5是圖4示出的連接狀態(tài)的放大立體圖，圖6是表示圖3示出的帶電路的懸掛基板的第二光波導(dǎo)的前端部的放大立體圖，圖7是說(shuō)明帶電路的懸掛基板的制造方法的截面圖，左側(cè)圖是沿著圖3的A-A線(xiàn)的截面圖，右側(cè)圖是沿著圖3的 B-B線(xiàn)的截面圖，圖8是說(shuō)明形成圖7的(d)的第一上包層和第二上包層的工序的截面圖， 左側(cè)圖是沿著圖3的A-A線(xiàn)的截面圖，右側(cè)圖是沿著圖3的B-B線(xiàn)的截面圖，圖9示出說(shuō)明相對(duì)于第二光波導(dǎo)定位磁頭滑塊的立體圖，圖10示出對(duì)磁頭滑塊進(jìn)行定位后的帶電路的懸掛基板的截面圖。此外，在圖1以及圖3中，省略后述的基底絕緣層12和覆蓋絕緣層14，以明確示出后述的導(dǎo)體層13和光波導(dǎo)7的相對(duì)配置。在圖1中，該帶電路的懸掛基板1具備電路基板2和設(shè)置于電路基板2上的光輔助部3。在電路基板2中，在金屬支承基板11上一體地形成有導(dǎo)體層13，該金屬支承基板11用于安裝硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中的磁頭44(參照?qǐng)D10)，支承該磁頭44并抵抗磁頭44與硬盤(pán) 26(參照?qǐng)D10)相對(duì)移動(dòng)時(shí)的空氣流以保持該磁頭44與硬盤(pán)沈之間微小的間隔，該導(dǎo)體層 13用于連接外部電路基板(例如，讀/寫(xiě)基板等，參照?qǐng)D2的虛線(xiàn))25與磁頭44。電路基板2形成為與帶電路的懸掛基板1的外形形狀對(duì)應(yīng)，形成為在長(zhǎng)度方向上延伸的平帶狀，一體地具備中繼部4、滑塊安裝部5以及外部安裝部6，該滑塊安裝部5被配置在中繼部4的長(zhǎng)度方向的一側(cè)(下面稱(chēng)為前側(cè))，該外部安裝部6被配置在中繼部4的長(zhǎng)度方向的另一側(cè)(下面稱(chēng)為后側(cè))。中繼部4在前后方向上被配置于滑塊安裝部5與外部安裝部6之間，形成為在前后方向上延伸的俯視觀察為大致矩形的形狀。滑塊安裝部5從中繼部4的前端起以向前方延伸的方式連續(xù)形成，形成為相對(duì)于中繼部4向?qū)挾确较?與前后方向正交的方向、左右方向)的一側(cè)(左側(cè))鼓出的平帶狀。具體地說(shuō)，如圖1以及圖3所示，滑塊安裝部5的后部和前部分別形成為俯視觀察為大致矩形的形狀，滑塊安裝部5的前后方向的中間形成為寬度向前側(cè)逐漸變窄的錐形形狀。詳細(xì)地說(shuō)，關(guān)于滑塊安裝部5的右端緣，其后部從中繼部4的前端起向前側(cè)直線(xiàn)狀地延伸，在前后方向的中間向左前側(cè)彎曲，接著向前側(cè)彎曲，之后前部向前側(cè)直線(xiàn)狀地延伸。另外，滑塊安裝部5具備裝載部36和端子形成部37。裝載部36作為用于裝載磁頭滑塊27 (參照?qǐng)D10)的區(qū)域(圖3的虛線(xiàn)區(qū)域)，在滑塊安裝部5的前部的右側(cè)被劃分出俯視觀察為大致矩形的形狀。另外，裝載部36具備底座40。為了支承磁頭滑塊27(參照?qǐng)D10)而設(shè)置了底座40，在寬度方向上隔開(kāi)設(shè)置后述的第二光波導(dǎo)9的間隔地設(shè)置多個(gè)(兩個(gè))底座40。各底座40形成為在長(zhǎng)度方向上延伸的俯視觀察為大致矩形的形狀。并且，在裝載部36上形成有開(kāi)口部10。開(kāi)口部10形成為在厚度方向上貫通金屬支承基板11的俯視觀察為大致矩形的形狀，形成于裝載部36中的寬度方向中央。端子形成部37是形成后述的磁頭側(cè)端子17的、呈沿著寬度方向延伸的俯視觀察為大致矩形形狀的區(qū)域，被配置在裝載部36的前側(cè)。如圖1所示，導(dǎo)體層13 —體地連續(xù)地具備磁頭側(cè)端子17、外部側(cè)端子16以及用于連接磁頭側(cè)端子17和外部側(cè)端子16的布線(xiàn)15。布線(xiàn)15沿著電路基板2的前后方向被設(shè)置多條，在寬度方向上相互隔開(kāi)間隔地并列配置布線(xiàn)15。具體地說(shuō)，如圖1以及圖3所示，布線(xiàn)15被配置成在中繼部4中沿著前后方向延伸，在滑塊安裝部5中向左側(cè)彎曲，沿著滑塊安裝部5的后端向左側(cè)延伸，接著向前側(cè)彎曲， 然后沿著滑塊安裝部5的左側(cè)端緣向前方延伸，之后在滑塊安裝部5的前端折回到后側(cè)而到達(dá)端子形成部37的磁頭側(cè)端子17。另外，布線(xiàn)15的后端被配置成在外部安裝部6中向右側(cè)彎曲而到達(dá)外部側(cè)端子16。磁頭側(cè)端子17被配置在滑塊安裝部5的端子形成部37中，設(shè)置有多個(gè)磁頭側(cè)端子17以與各布線(xiàn)15的前端部分別連接。更具體地說(shuō)，在寬度方向上相互隔開(kāi)間隔地配置磁頭側(cè)端子17。該磁頭側(cè)端子17與磁頭44(參照?qǐng)D10)的端子相連接。外部側(cè)端子16被配置在外部安裝部6的后端部，設(shè)置多個(gè)外部側(cè)端子16以與各布線(xiàn)15的后端部分別連接。另外，在前后方向上隔開(kāi)間隔地配置該外部側(cè)端子16。該外部側(cè)端子16與外部電路基板25(圖2的虛線(xiàn))的端子連接。外部安裝部6從中繼部4的后端起以向后方延伸的方式連續(xù)形成，形成為相對(duì)于中繼部4向?qū)挾确较虻牧硪粋?cè)(右側(cè))鼓出的平帶狀。并且，如圖7的(e)所示，該電路基板2具備金屬支承基板11 ；基底絕緣層12，其作為絕緣層形成在金屬支承基板11上；導(dǎo)體層13，其作為導(dǎo)體層形成于基底絕緣層12上； 以及覆蓋絕緣層14，其形成于基底絕緣層12上以覆蓋導(dǎo)體層13。如圖1 圖3所示，金屬支承基板11形成為與電路基板2的外形形狀對(duì)應(yīng)?；捉^緣層12在金屬支承基板11的上表面形成為與中繼部4、滑塊安裝部5以及外部安裝部6中的形成導(dǎo)體層13的位置對(duì)應(yīng)。另外，基底絕緣層12在金屬支承基板11的上表面被配置成確保形成光輔助部3的區(qū)域。將導(dǎo)體層13配置成貫通中繼部4、滑塊安裝部5以及外部安裝部6，在向厚度方向投影時(shí)被包含于基底絕緣層12中。另外，導(dǎo)體層13在基底絕緣層12的上表面形成為一體且連續(xù)地具備外部側(cè)端子16、磁頭側(cè)端子17以及布線(xiàn)15的布線(xiàn)電路圖案。貫通中繼部4、滑塊安裝部5以及外部安裝部6地配置覆蓋絕緣層14，覆蓋絕緣層 14被配置成在基底絕緣層12的上表面與形成布線(xiàn)15的位置對(duì)應(yīng)。另外，覆蓋絕緣層14形成為使外部側(cè)端子16和磁頭側(cè)端子17露出而覆蓋布線(xiàn)15。光輔助部3具備光波導(dǎo)7和發(fā)光元件45。將光波導(dǎo)7設(shè)于電路基板2，配置成貫通中繼部4、滑塊安裝部5以及外部安裝部 6。另外，如圖7的(e)所示，在布線(xiàn)15的右側(cè)隔開(kāi)間隔地配置光波導(dǎo)7，具體地說(shuō)，形成于金屬支承基板11的上表面。另外，如圖1以及圖3所示，光波導(dǎo)7 —體地具備第一光波導(dǎo)8和第二光波導(dǎo)9。第一光波導(dǎo)8被配置于光波導(dǎo)7的后側(cè)，具備第一彎曲部59、第一直線(xiàn)部57、第二彎曲部60以及第二直線(xiàn)部66。在圖1中，第一彎曲部59形成為從發(fā)光元件45起向左前側(cè)彎曲。詳細(xì)地說(shuō)，第一彎曲部59形成為中心Cl位于光波導(dǎo)7的右側(cè)的圓弧的一部分。第一直線(xiàn)部57形成為在中繼部4中從第一彎曲部59的前端起向前側(cè)直線(xiàn)狀地延伸。第二彎曲部60形成為在滑塊安裝部5中從第一直線(xiàn)部57的前端起向左前側(cè)彎曲，其后部62形成為中心C3位于光波導(dǎo)7的左側(cè)的圓弧的一部分，另一方面，其前部61形成為中心C2位于光波導(dǎo)7的右側(cè)的圓弧的一部分。另外，第二直線(xiàn)部66形成為在滑塊安裝部5中從第二彎曲部60的前端起向前側(cè)直線(xiàn)狀地延伸。與第一光波導(dǎo)8的前側(cè)連續(xù)地配置第二光波導(dǎo)9，第二光波導(dǎo)9具備第三直線(xiàn)部 58。第三直線(xiàn)部58形成為在滑塊安裝部5中從第一光波導(dǎo)8的第二直線(xiàn)部66的前端起向前側(cè)直線(xiàn)狀地延伸。另外，第一彎曲部59的曲率半徑R1、第二彎曲部60的后部62的曲率半徑R3以及第二彎曲部60的前部61的曲率半徑R2例如為IOOmm以下，優(yōu)選為50mm以下，更優(yōu)選為 15mm以下，一般例如為5mm以上，優(yōu)選為IOmm以上。在上述的曲率半徑超過(guò)上述范圍的情況下，有時(shí)光波導(dǎo)7的配置自由度降低。另外，在曲率半徑Rl不滿(mǎn)足上述范圍的情況下，有時(shí)無(wú)法減少光的損失。另外，光波導(dǎo)7被配置成第三直線(xiàn)部58的前端面46面對(duì)開(kāi)口部10。并且，如圖5以及圖7的(e)所示，第一光波導(dǎo)8構(gòu)成為芯層(第一芯層23)被埋入到包層(第一下包層22和第一上包層內(nèi)的埋入型光波導(dǎo)。具體地說(shuō)，如圖5以及圖7的(e)的左圖所示，第一光波導(dǎo)8具備第一下包層22 ； 第一芯層23，其形成于第一下包層22上，在向第一下包層22的厚度方向投影時(shí)包含于第一下包層22 ；以及第一上包層對(duì)，其在第一下包層22上形成為覆蓋第一芯層23。第一下包層22形成為在金屬支承基板11的上表面與第一光波導(dǎo)8的外形形狀對(duì)應(yīng)，形成為在長(zhǎng)度方向上延伸的平帶狀。第一芯層23在第一下包層22的上表面被配置在第一下包層22的寬度方向中央， 形成為使第一下包層22的寬度方向兩端部露出。
第一上包層M形成在第一芯層23的表面(上表面和兩側(cè)面)以及從第一芯層23 露出的第一下包層22的上表面。另一方面，第二光波導(dǎo)9構(gòu)成為在芯層(第二芯層53)上層疊(加載)寬度比芯層(第二芯層5 窄的上包層(第二上包層的加載條形光波導(dǎo)。具體地說(shuō)，第二光波導(dǎo)9具備第二下包層52 ；第二芯層53，其形成在第二下包層52上；以及第二上包層M，其形成在第二芯層53上，在向第二芯層53的厚度方向投影時(shí)包含于第二芯層53。第二下包層52形成為與上述第一下包層22相同的層，也就是說(shuō)，形成為在金屬支承基板11的上表面與第二光波導(dǎo)9的外形形狀對(duì)應(yīng)，形成為在長(zhǎng)度方向上延伸的平帶狀。 另外，第二下包層52形成為寬度與第一下包層22相同。第二芯層53形成為與上述第一芯層23相同的層，也就是說(shuō)，在第一下包層52的整個(gè)上表面形成第二芯層53，第二芯層53的寬度方向兩端緣形成為俯視觀察時(shí)與第二下包層52的寬度方向兩端緣位置相同。第二芯層53形成為寬度與第一下包層22相同。第二上包層M形成為與上述第一上包層M相同的層，也就是說(shuō)，沿著長(zhǎng)度方向延伸，形成為在第二芯層53的上表面上寬度比第二芯層53窄。更具體地說(shuō)，第二上包層討被配置在第二芯層53的寬度方向中央，形成為使第二芯層53的寬度方向兩端部露出。第二上包層M(除了后端部56以外)形成為寬度與第一芯層23(除了前端部55以外)相同。另外，如圖3 圖5所示，第一光波導(dǎo)8與第二光波導(dǎo)9在長(zhǎng)度方向上光學(xué)地進(jìn)行連接。S卩，第一光波導(dǎo)8與第二光波導(dǎo)9在長(zhǎng)度方向上相互相鄰地配置，具體地說(shuō)，第一光波導(dǎo)8的前端與第二光波導(dǎo)9的后端連續(xù)地形成。另外，第一光波導(dǎo)8與第二光波導(dǎo)9形成為俯視觀察時(shí)第一芯層23的軸線(xiàn)與第二上包層M的軸線(xiàn)一致。此外，第一下包層22和第一上包層M的前端緣與第二下包層52和第二芯層53 的后端緣形成為寬度相互相同。另外，第一芯層23中的第二直線(xiàn)部66的前端部(第二光波導(dǎo)側(cè)端部)55形成為在向厚度方向投影時(shí)隨著接近第二光波導(dǎo)9而寬度(寬度方向長(zhǎng)度)變窄。即，第一芯層 23的前端部55形成俯視觀察時(shí)為寬度向前側(cè)逐漸變窄的大致梯形形狀(大致漏斗狀、錐狀)。并且，第二上包層M的第三直線(xiàn)部58的后端部(第一光波導(dǎo)側(cè)端部)56形成為在向厚度方向投影時(shí)隨著接近第一光波導(dǎo)8而寬度(寬度方向長(zhǎng)度)變寬。即，第二上包層M的后端部56形成為寬度向前側(cè)逐漸變窄的大致梯形形狀(大致漏斗狀)。并且，在第一光波導(dǎo)8中形成第一路徑48，在對(duì)第一芯層23照射光時(shí)，該第一路徑 48將該光沿著第一芯層23傳輸。另一方面，在第二光波導(dǎo)9中，在第二芯層53中與第二上包層M的下側(cè)相對(duì)的部分形成第二路徑49，在對(duì)該部分照射光時(shí)，該第二路徑49將該光沿著第二上包層M傳輸。另外，如圖6以及圖9所示，第二光波導(dǎo)9的前端部形成為被傾斜狀切除的形狀， 具體地說(shuō)，如圖10所示，前端面46例如形成為以規(guī)定角度(傾斜角度)α與第二光波導(dǎo)9 的長(zhǎng)度方向交叉。由此，第二光波導(dǎo)9的前端面46形成為具有傾斜角度α的鏡面，因此利用前端面46將由第二光波導(dǎo)9的第二路徑49傳輸?shù)墓庖砸?guī)定角度進(jìn)行光路變換，光路變換后的光向上方、具體地說(shuō)向后述的滑塊側(cè)光波導(dǎo)路34的入口照射。上述傾斜角度α例如為35 55°，優(yōu)選為40 50°，更具體地說(shuō)為45°。另外，如圖1以及圖7所示，第二光波導(dǎo)9的與開(kāi)口部10相面對(duì)的部分(包括端面46的部分)從金屬支承基板11的開(kāi)口部10露出。并且，在第二光波導(dǎo)9上設(shè)置有作為定位部的定位標(biāo)記50。如圖3、圖6以及圖7的(e)所示，定位標(biāo)記50是用于對(duì)第二光波導(dǎo)9的前端面 46和滑塊側(cè)光波導(dǎo)(第二光波導(dǎo))34的入口進(jìn)行定位的基準(zhǔn)標(biāo)記，在第二光波導(dǎo)9的前端部的第二上包層M的寬度方向兩外側(cè)設(shè)置多個(gè)(兩個(gè))定位標(biāo)記50。各定位標(biāo)記50作為與上述第二上包層M相同的層而形成，也就是說(shuō)，形成在第二芯層53的上表面。各定位標(biāo)記50形成為俯視觀察為大致矩形的形狀，相對(duì)于第二上包層 54隔開(kāi)間隔地配置在寬度方向兩外側(cè)。如圖1以及圖2所示，發(fā)光元件45是用于對(duì)光波導(dǎo)7照射光的光源，例如，將電能變換為光能，將高能量的光照射到光波導(dǎo)7。該發(fā)光元件45被配置于外部安裝部6，更具體地說(shuō)，被配置于外部安裝部6的右側(cè)端部，與外部側(cè)端子16的前側(cè)隔開(kāi)間隔地配置。另外， 發(fā)光元件45與第一光波導(dǎo)8的后端部相連接以使光入射到第一光波導(dǎo)8的第一芯層23的第一路徑48。另外，該發(fā)光元件45通過(guò)用于供給電能的供給布線(xiàn)(未圖示)與外部基板25相連接。在該光輔助部3中，發(fā)光元件45將從外部基板25通過(guò)供給布線(xiàn)提供的電能變換為光能，將該光照射到第一光波導(dǎo)8。所照射的光在第二光波導(dǎo)9中傳輸，在第二光波導(dǎo)9 的前端面46被反射而照射到磁頭滑塊27的滑塊側(cè)光波導(dǎo)34 (參照?qǐng)D10)。接著，參照?qǐng)D7以及圖8來(lái)說(shuō)明該帶電路的懸掛基板1的制造方法。首先，在該方法中，如圖7的(a)所示，準(zhǔn)備電路基板2，該電路基板2是在金屬支承基板11上依次層疊基底絕緣層12、導(dǎo)體層13以及覆蓋絕緣層14而得到的。在準(zhǔn)備電路基板2時(shí)，首先準(zhǔn)備金屬支承基板11。金屬支承基板11由不銹鋼、42合金、鋁、銅鈹、磷青銅等金屬材料形成。金屬支承基板11的厚度例如為15 30 μ m，優(yōu)選為20 25 μ m。接著，在金屬支承基板11上形成基底絕緣層12。作為形成基底絕緣層12的絕緣材料，例如使用聚酰亞胺樹(shù)脂、聚酰胺亞胺樹(shù)脂、 丙烯酸樹(shù)脂、聚醚腈樹(shù)脂、聚醚砜樹(shù)脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹(shù)脂、聚苯二甲酸乙二醇酯、 聚氯乙烯樹(shù)脂等合成樹(shù)脂等。優(yōu)選使用聚酰亞胺樹(shù)脂。在形成基底絕緣層12時(shí)，例如在金屬支承基板11的上表面涂覆感光性的上述絕緣材料的清漆，在使其干燥之后通過(guò)光掩模進(jìn)行曝光、顯影，之后根據(jù)需要使其固化。由此形成的基底絕緣層12的厚度例如為1 35 μ m，優(yōu)選為8 15 μ m。接著，在基底絕緣層12上形成導(dǎo)體層13。作為形成導(dǎo)體層13的導(dǎo)體材料，例如使用銅、鎳、金、焊錫或者它們的合金等導(dǎo)體材料。例如使用添加法、減去法等公知的圖案形成法來(lái)形成導(dǎo)體層13。由此形成的導(dǎo)體層13的厚度例如為3 50 μ m，優(yōu)選為5 20 μ m。另外，各布線(xiàn)15的寬度例如為10 200 μ m，優(yōu)選為20 100 μ m，各布線(xiàn)15之間的間隔例如為10 1000 μ m，優(yōu)選為20 100 μ m。另外，各外部側(cè)端子16和各磁頭側(cè)端子17的寬度例如為 20 1000 μ m，優(yōu)選為30 800 μ m，各外部側(cè)端子16之間的間隔以及各磁頭側(cè)端子17之間的間隔例如為20 1000 μ m，優(yōu)選為30 800 μ m。覆蓋絕緣層14由與上述基底絕緣層12相同的絕緣材料形成。在形成覆蓋絕緣層14時(shí)，例如在包含導(dǎo)體層13和基底絕緣層12的金屬支承基板 11的上表面涂覆感光性的上述絕緣材料的清漆，在使其干燥之后通過(guò)光掩模進(jìn)行曝光、顯影，之后根據(jù)需要使其固化。由此形成的覆蓋絕緣層14的厚度例如為1 40 μ m，優(yōu)選為1 7 μ m。由此，準(zhǔn)備在金屬支承基板11上依次層疊了基底絕緣層12、導(dǎo)體層13以及覆蓋絕緣層14的電路基板2。此外，在形成上述基底絕緣層12、導(dǎo)體層13和/或覆蓋絕緣層14的同時(shí)，以與它們相同的材料形成底座40。接著，在該方法中，如圖7的(b) 圖7的(e)所示，在電路基板2上設(shè)置光波導(dǎo) 7。具體地說(shuō)，在金屬支承基板11上依次層疊第一下包層22和第二下包層52、第一芯層23和第二芯層53以及第一上包層M和第二上包層M。S卩，如圖7的(b)所示，在金屬支承基板11的上表面同時(shí)形成第一下包層22和第二下包層52。作為形成第一下包層22和第二下包層52的材料，例如使用撓性材料，具體地說(shuō)， 例如使用聚酰亞胺樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂(脂環(huán)式環(huán)氧樹(shù)脂等)、丙烯酸樹(shù)脂、芴衍生物樹(shù)脂以及芴衍生物樹(shù)脂與脂環(huán)式環(huán)氧樹(shù)脂的混合樹(shù)脂、這些樹(shù)脂與脂環(huán)式醚化合物(例如，環(huán)氧丙烷化合物等)的混合樹(shù)脂等樹(shù)脂材料。從耐熱性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用聚酰亞胺樹(shù)脂，從分辨性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用環(huán)氧樹(shù)脂，從堿顯影的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用丙烯酸樹(shù)脂。這些樹(shù)脂材料優(yōu)選混合感光劑而作為感光性樹(shù)脂來(lái)使用。優(yōu)選使用感光性芴衍生物樹(shù)脂(以感光性芴類(lèi)環(huán)氧樹(shù)脂為原料)與脂環(huán)式環(huán)氧樹(shù)脂的混合樹(shù)脂。另外，作為感光劑例如使用公知的鐺鹽等。在以上述圖案形成第一下包層22和第二下包層52時(shí)，例如使用公知的稀釋劑來(lái)制備上述感光性樹(shù)脂清漆(樹(shù)脂溶液)，在將該清漆涂覆到包含覆蓋絕緣層14和基底絕緣層12的金屬支承基板11的整個(gè)上表面之后，使其干燥而形成感光性覆膜。之后，通過(guò)光掩模來(lái)對(duì)覆膜進(jìn)行曝光，通過(guò)利用公知的有機(jī)溶劑等溶解未曝光部分來(lái)進(jìn)行顯影，之后根據(jù)需要使其固化。這樣形成的第一下包層22和第二下包層52的折射率相同例如為1. 600以上且不足1. 615。另外，第一下包層22和第二下包層52的厚度例如為1 25 μ m，優(yōu)選為1 5 μ m。 另外，第一下包層22和第二下包層52的寬度例如為20 200 μ m,優(yōu)選為30 100 μ m。接著，如圖7的(c)所示，在第一下包層22和第二下包層52的上表面分別形成第一芯層23和第二芯層53。作為形成第一芯層23和第二芯層53的材料，例如使用折射率比第一下包層22和第二下包層52的樹(shù)脂材料的折射率高的樹(shù)脂材料。作為這種樹(shù)脂材料，例如使用與上述相同的樹(shù)脂，優(yōu)選使用感光性芴衍生物樹(shù)脂(以感光性芴類(lèi)環(huán)氧樹(shù)脂為原料)與環(huán)氧丙烷化合物的混合樹(shù)脂。此外，在第一芯層23和第二芯層53的樹(shù)脂材料中，為了使其折射率高于第一下包層22和第二下包層52的折射率，能夠?qū)氡交确枷阕逍曰鶊F(tuán)，或者還能夠?qū)爰谆⒁一戎辨湢钪咀逍曰鶊F(tuán)和/或者降冰片烯基等環(huán)狀脂肪族性基團(tuán)等。在以上述圖案形成第一芯層23和第二芯層53時(shí)，例如使用公知的稀釋劑來(lái)制備上述感光性樹(shù)脂清漆(樹(shù)脂溶液)，在將該清漆涂覆到包含第一下包層22和第二下包層52 的金屬支承基板11的上表面之后，使其干燥而形成感光性覆膜。之后，通過(guò)光掩模來(lái)對(duì)覆膜進(jìn)行曝光，通過(guò)利用公知的有機(jī)溶劑等溶解未曝光部分來(lái)進(jìn)行顯影，之后根據(jù)需要使其固化。這樣形成的第一芯層23和第二芯層53的折射率相同，設(shè)定為高于第一下包層22 和第二下包層52的折射率，具體地說(shuō)，從使第一芯層23的第一路徑48以及第二芯層53的第二路徑49構(gòu)成為單模分布的觀點(diǎn)出發(fā)，將第一芯層23和第二芯層53的折射率設(shè)定為比下包層22的折射率例如高0. 001 0. 2。第一芯層23和第二芯層53的折射率例如為超過(guò) 1. 600而在1. 65以下。另外，第一芯層23和第二芯層53的厚度例如為1 20 μ m，優(yōu)選為 1 10 μ m。另外，在第一芯層23中，前端緣(第二直線(xiàn)部66的前端緣、第二光波導(dǎo)9側(cè)端緣) 的寬度Wl例如為10 μ m以下，優(yōu)選為5 μ m以下，一般為1 μ m以上，優(yōu)選為2 μ m以上，第一芯層23中的前端緣以外(第一彎曲部59、第一直線(xiàn)部57、第二彎曲部60以及第二直線(xiàn)部 66的后端緣以及前后方向的中間)的寬度W2例如為20 μ m以下，優(yōu)選為IOym以下，一般例如為2μπι以上，優(yōu)選為4μπι以上。如果第一芯層23的前端緣以外的寬度W2在上述范圍內(nèi)，則能夠以單模分布構(gòu)成
第一路徑48。另外，如果第一芯層23的前端緣的寬度Wl在上述范圍內(nèi)，則能夠?qū)⒏邚?qiáng)度的光從第一芯層23傳輸?shù)降诙緦?3。另外，第二芯層53的寬度與第二下包層52的寬度相同。接著，如圖7的(d)所示，在第一下包層22和第二芯層53的上表面分別形成第一上包層M和第二上包層M。與此同時(shí)，在第二芯層53的上表面以上述圖案形成定位標(biāo)記 50。作為形成第一上包層對(duì)、第二上包層M以及定位標(biāo)記50的材料，使用與上述第一下包層22和第二下包層52相同的樹(shù)脂材料。在以上述圖案形成第一上包層對(duì)、第二上包層M以及定位標(biāo)記50時(shí)，首先，例如圖8的(a)所示，使用公知的稀釋劑來(lái)制備上述樹(shù)脂清漆(樹(shù)脂溶液)，在將該清漆涂覆到包含第一芯層23、第一下包層22以及第二芯層53的金屬支承基板11的上表面之后使其干燥，由此在第一芯層23和第二芯層53上、覆蓋絕緣層14上以及從第一芯層23和第二芯層 53、覆蓋絕緣層14露出的金屬支承基板11上形成感光性覆膜39。接著，如圖8的(b)所示，通過(guò)一個(gè)光掩模38對(duì)覆膜39進(jìn)行曝光。光掩模38具備包括遮光部分41和光透過(guò)部分42的掩模圖案。并且，將光掩模38 配置到覆膜39的上側(cè)，使要形成第一上包層24、第二上包層M以及定位標(biāo)記50的部分與光透過(guò)部分42相對(duì)配置，使其余的部分與遮光部分41相對(duì)配置。之后，從上方通過(guò)光掩模38對(duì)覆膜39進(jìn)行曝光。之后，如圖8的(c)所示，利用公知的有機(jī)溶劑或者堿水溶液等來(lái)使與遮光部分41 相對(duì)的部分、即未曝光部分溶解，由此進(jìn)行顯影，之后根據(jù)需要使其固化。由此，以上述圖案同時(shí)形成第一上包層對(duì)、第二上包層M以及定位標(biāo)記50。 這樣形成的第一上包層對(duì)、第二上包層M以及定位標(biāo)記50的折射率相互相同，設(shè)定為低于第一芯層23和第二芯層53的折射率，例如設(shè)定為與第一下包層22和第二下包層 52的折射率相同。另外，第一上包層對(duì)、第二上包層M以及定位標(biāo)記50的厚度例如為1 20 μ m， 優(yōu)選為1 10 μ m。另外，如圖4所示，在第二上包層M中，后端緣(第三直線(xiàn)部58的后端緣、第一光波導(dǎo)8側(cè)端緣)的寬度W3例如為25 μ m以上，優(yōu)選為30 μ m以上，一般例如為70 μ m以下， 優(yōu)選為50μπι以下，后端緣以外(第三直線(xiàn)部58的前后方向的中間和前端緣)的寬度W4 與上述第一芯層23中的前端緣以外的寬度W2大致相同。如果第二上包層M的后端緣以外的寬度W4在上述范圍內(nèi)，則能夠以單模分布構(gòu)成第二路徑49。另外，如果第二上包層M的后端緣的寬度W3在上述范圍內(nèi)，則能夠?qū)⒐鈴牡谝还獠▽?dǎo)8有效地傳輸?shù)降诙獠▽?dǎo)9。另外，定位標(biāo)記50的寬度和長(zhǎng)度(長(zhǎng)度方向長(zhǎng)度)例如為10 100 μ m，優(yōu)選為 20 40μπιο這樣，在金屬支承基板11上設(shè)置光波導(dǎo)7，該光波導(dǎo)7設(shè)置有定位標(biāo)記50。接著，在該方法中，如圖7的(e)所示，在端子形成部37中的金屬支承基板11上形成開(kāi)口部10。在形成開(kāi)口部10時(shí)，例如通過(guò)鉆頭等穿孔、例如干蝕刻、濕蝕刻等蝕刻等來(lái)形成開(kāi)口部10。優(yōu)選通過(guò)蝕刻來(lái)形成開(kāi)口部10。該開(kāi)口部10形成為在厚度方向與第二光波導(dǎo)9的前端部重疊。這樣形成的開(kāi)口部10的寬度和長(zhǎng)度例如為50 500 μ m，優(yōu)選為100 200 μ m。此外，在該方法中，如圖10所示，通過(guò)激光加工，從開(kāi)口部10側(cè)將第二光波導(dǎo)9的前端部切削成使第二光波導(dǎo)9的前端面46與長(zhǎng)度方向交叉的傾斜狀。在激光加工中，使通過(guò)開(kāi)口部10的激光以規(guī)定角度與長(zhǎng)度方向交叉地從下側(cè)斜后方照射第二光波導(dǎo)9，由此切削第二光波導(dǎo)9 一次。之后，如圖2的虛線(xiàn)所示，在外部安裝部6中，將光學(xué)元件45設(shè)置于金屬支承基板 11的上表面，設(shè)置成與第一光波導(dǎo)8的后端光學(xué)地連接，通過(guò)供給布線(xiàn)(未圖示)與外部基板25電連接。由此，得到帶電路的懸掛基板1。另外，在該外部基板25中安裝有用于對(duì)磁頭44 (圖10)和發(fā)光元件45進(jìn)行控制的IC 32，該IC 32與外部側(cè)端子16電連接。接著，參照?qǐng)D9以及圖10來(lái)說(shuō)明使用定位標(biāo)記50來(lái)相對(duì)于帶電路的懸掛基板1 的光波導(dǎo)7定位磁頭滑塊27的方法。在圖9中，將磁頭滑塊27隔開(kāi)間隔地配置到第二光波導(dǎo)9和底座40的上側(cè)，并且在第二光波導(dǎo)9的前端部上側(cè)以隔著磁頭滑塊27的方式配置照相機(jī)43。
如圖10所示，磁頭滑塊27—體地具備滑塊主體四、設(shè)置于其前端部的滑塊側(cè)光波導(dǎo)34、近場(chǎng)光產(chǎn)生部35以及磁頭44。為了使從第二光波導(dǎo)9的第二路徑49的前端面46照射的光入射到近場(chǎng)光產(chǎn)生部 35而設(shè)置了滑塊側(cè)光波導(dǎo)34。沿著帶電路的懸掛基板1的厚度方向形成滑塊側(cè)光波導(dǎo)34， 滑塊側(cè)光波導(dǎo)34的下端(入口)與第二光波導(dǎo)9的第二路徑49的前端面46在厚度方向上隔開(kāi)間隔地相對(duì)配置，上端(出口)與接下來(lái)說(shuō)明的近場(chǎng)光產(chǎn)生部35相連接。為了使從滑塊側(cè)光波導(dǎo)34的上端射出的光(傳輸光)產(chǎn)生近場(chǎng)光并將該近場(chǎng)光照射到硬盤(pán)26的表面來(lái)對(duì)硬盤(pán)沈表面的微小區(qū)域進(jìn)行加熱而設(shè)置了近場(chǎng)光產(chǎn)生部35。 此外，以相對(duì)于滑塊側(cè)光波導(dǎo)34的上端固定的方式將近場(chǎng)光產(chǎn)生部35設(shè)置在滑塊主體 29上。這種近場(chǎng)光產(chǎn)生部35包括金屬散射體、開(kāi)口等，例如使用日本特開(kāi)2007180572 號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)2007-052918號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)2007-207349號(hào)公報(bào)以及日本特開(kāi) 2008-130106號(hào)公報(bào)等所記載的公知的近場(chǎng)光產(chǎn)生裝置。安裝磁頭44以將信息記錄到由近場(chǎng)光產(chǎn)生部35加熱的硬盤(pán)沈表面的微小區(qū)域， 將磁頭44設(shè)置在近場(chǎng)光產(chǎn)生部35附近。另外，在滑塊主體四的前端部，以與定位標(biāo)記50對(duì)應(yīng)的方式設(shè)置有多個(gè)(兩個(gè)) 在寬度方向上相互隔開(kāi)間隔配置的滑塊標(biāo)記51。各滑塊標(biāo)記51形成為貫通滑塊主體四的厚度方向的開(kāi)口部，被視作磁頭滑塊27 和光波導(dǎo)7的定位基準(zhǔn)。詳細(xì)地說(shuō)，在滑塊標(biāo)記51與定位標(biāo)記50被位置對(duì)準(zhǔn)時(shí)，磁頭滑塊 27的近場(chǎng)光產(chǎn)生部35以及滑塊側(cè)光波導(dǎo)34與第二光波導(dǎo)9的前端部的第二路徑49的前端面46在厚度方向上被相對(duì)配置。并且，在該方法中，在上述配置中使用照相機(jī)43來(lái)對(duì)滑塊標(biāo)記51與定位標(biāo)記50 進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)。即，以能夠從照相機(jī)43通過(guò)滑塊標(biāo)記51視覺(jué)識(shí)別定位標(biāo)記50的方式，相對(duì)于第二光波導(dǎo)9定位磁頭滑塊27。在定位之后，根據(jù)需要使用粘接劑等將磁頭滑塊27固定到帶電路的懸掛基板1的底座40的上表面。之后，電連接磁頭44的端子與磁頭側(cè)端子17。在裝載有這種安裝了磁頭滑塊27的帶電路的懸掛基板1的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中采用光輔助法。如圖10所示，在該硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中，例如使硬盤(pán)沈與近場(chǎng)光產(chǎn)生部35和磁頭44相對(duì)移動(dòng)。并且，從發(fā)光元件45射出的光入射到第一光波導(dǎo)8的第一路徑48的后端部，該光在第一路徑48中向前側(cè)傳輸，接著在第二光波導(dǎo)9的第二路徑49中傳輸，光路在第二路徑 49的前端面46被變換為向上方，從第二路徑49的前端面46向上方射出。之后，從第二路徑49射出的光入射到滑塊側(cè)光波導(dǎo)34的下端部，在滑塊側(cè)光波導(dǎo)34中向上方傳輸，從滑塊側(cè)光波導(dǎo)34的上端部射出而入射到近場(chǎng)光產(chǎn)生部35。之后，在近場(chǎng)光產(chǎn)生部35中根據(jù)光的照射而產(chǎn)生近場(chǎng)光，該近場(chǎng)光向硬盤(pán)26的表面照射。并且，通過(guò)從近場(chǎng)光產(chǎn)生部35照射近場(chǎng)光來(lái)加熱硬盤(pán)沈的表面并且通過(guò)從磁頭 44照射磁場(chǎng)來(lái)對(duì)硬盤(pán)沈的表面記錄信息。詳細(xì)地說(shuō)，通過(guò)利用從近場(chǎng)光產(chǎn)生部35照射近場(chǎng)光來(lái)加熱，硬盤(pán)26表面的矯頑力降低，對(duì)于這種硬盤(pán)沈的表面，通過(guò)從磁頭44照射較小的磁場(chǎng)就能高密度地記錄信息。并且，在該帶電路的懸掛基板1中，第一芯層23被包含于第一下包層22，被第一上包層M覆蓋。即，具備第一彎曲部59和第二彎曲部60的第一光波導(dǎo)8由埋入型光波導(dǎo)構(gòu)成，因此能夠減少第一芯層23中的光的損失。另外，在具備第三直線(xiàn)部58的第二光波導(dǎo)9中，第二上包層M形成在第二芯層53 上，在向第二芯層53的厚度方向投影時(shí)，被包含于第二芯層53。即，具備第三直線(xiàn)部的第二光波導(dǎo)9由加載條形光波構(gòu)成，因此能夠以高強(qiáng)度傳輸光，并且能夠減少第二芯層53中的光的損失。因此，能夠與電路基板2的形狀對(duì)應(yīng)地進(jìn)行配置，并且能夠?qū)⑿畔⒏呙芏鹊赜涗浀接脖P(pán)沈而有效地實(shí)施光輔助法。另外，根據(jù)該帶電路的懸掛基板1，利用定位標(biāo)記50，能夠相對(duì)于第二光波導(dǎo)9高精度地定位近場(chǎng)光產(chǎn)生部35和滑塊側(cè)光波導(dǎo)34。因此，能夠?qū)⒃诘诙獠▽?dǎo)9中傳輸?shù)墓馔ㄟ^(guò)滑塊側(cè)光波導(dǎo)34可靠地照射到近場(chǎng)光產(chǎn)生部35，能夠充分加熱硬盤(pán)26。其結(jié)果是能夠?qū)⑿畔⒏呙芏鹊赜涗浀接脖P(pán)沈，更可靠地實(shí)施光輔助法。并且，在上述光波導(dǎo)7中，第一芯層23和第二上包層M以特定范圍的寬度形成， 因此能夠使在第一光波導(dǎo)8和第二光波導(dǎo)9中傳輸?shù)墓獬蔀閱文５墓?，?lái)可靠且有效地照射到近場(chǎng)光產(chǎn)生部35，能夠可靠且有效地對(duì)硬盤(pán)沈進(jìn)行加熱。圖11示出說(shuō)明本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其它實(shí)施方式的制造帶電路的懸掛基板的方法的截面圖，圖12示出說(shuō)明相對(duì)于第二光波導(dǎo)(沒(méi)有形成定位標(biāo)記的方式)定位磁頭滑塊的立體圖，圖13以及圖14是本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其它實(shí)施方式的第一光波導(dǎo)(第二彎曲部與第二直線(xiàn)部中的第一芯層的寬度向前側(cè)逐漸縮小的方式)的放大俯視圖，圖15是本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其它實(shí)施方式的第一光波導(dǎo)與第二光波導(dǎo)的連接狀態(tài)(第一芯層的前后方向的中間的寬度大于第二上包層的前后方向的中間的寬度的方式)的放大俯視圖。此外，在以后的各附圖中，對(duì)與上述各部對(duì)應(yīng)的構(gòu)件附加相同的附圖標(biāo)記，省略其詳細(xì)說(shuō)明。在上述說(shuō)明中，在電路基板2上以圖案的方式形成光波導(dǎo)7，但是，例如圖11所示， 也能夠?qū)㈩A(yù)先形成為圖案的光波導(dǎo)7載置在電路基板2上。在這種情況下，在未圖示的支承板下以上述圖案形成光波導(dǎo)7，接著，根據(jù)需要利用粘接劑等將光波導(dǎo)7固定在電路基板2上。之后，去除支承板。另外，在上述說(shuō)明中，將該定位標(biāo)記50使用于對(duì)光波導(dǎo)19的定位，但是，例如圖12 所示，也可以不使用定位標(biāo)記50而將第二上包層M的前端部本身使用于相對(duì)光波導(dǎo)19來(lái)定位近場(chǎng)光產(chǎn)生部35和滑塊側(cè)光波導(dǎo)34。在圖12中，以與第二上包層M的前端部對(duì)應(yīng)的方式設(shè)置一個(gè)滑塊標(biāo)記51。第二上包層M具有上述折射率，詳細(xì)地說(shuō)具有高于空氣的折射率，并且形成為俯視觀察時(shí)被包含在第二芯層53中，因此能夠從上方可靠地進(jìn)行視覺(jué)識(shí)別。因此，在進(jìn)行第二光波導(dǎo)9的前端部和滑塊標(biāo)記51的位置對(duì)準(zhǔn)時(shí)，也能夠使用照相機(jī)43通過(guò)滑塊標(biāo)記51來(lái)視覺(jué)識(shí)別第二上包層M的前端部。因此，能夠可靠地實(shí)施相對(duì)于第二光波導(dǎo)9定位磁頭滑塊27。
另外，在上述圖5以及圖7的(e)的右圖的說(shuō)明中，由第二上包層M暴露于空氣中的帶狀加載條形光波導(dǎo)形成第二光波導(dǎo)9，但是，例如圖7的(e)的右圖的虛線(xiàn)所示，還能夠利用保護(hù)層觀來(lái)覆蓋第二上包層M。保護(hù)層28形成在第二芯層53上，覆蓋第二上包層M和定位標(biāo)記50。另外，保護(hù)層觀形成為俯視觀察時(shí)其寬度方向兩端緣的位置與第二芯層53的寬度方向兩端緣的位置相同。作為形成保護(hù)層觀的材料，例如使用透明材料，具體地說(shuō)，可舉出有機(jī)透明材料、 無(wú)機(jī)透明材料等。有機(jī)透明材料是透明樹(shù)脂，例如使用與上述第二下包層52相同的樹(shù)脂材料。另外，作為透明樹(shù)脂，除了使用上述樹(shù)脂材料以外還使用例如二醋酸纖維素、三醋酸纖維素等纖維素樹(shù)脂、例如聚苯乙烯、丙烯腈·苯乙烯共聚物(AS樹(shù)脂)等苯乙烯樹(shù)脂、例如聚碳酸酯樹(shù)脂、例如聚乙烯、聚丙烯、具有環(huán)結(jié)構(gòu)和降冰片烯結(jié)構(gòu)的聚烯烴樹(shù)脂以及它們的共聚物樹(shù)脂、聚醚腈樹(shù)脂、聚醚醚酮樹(shù)脂、聚醚砜樹(shù)脂、聚苯硫醚樹(shù)脂、乙烯醇樹(shù)脂、聚氯乙烯樹(shù)脂、 偏二氯乙烯樹(shù)脂、乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂、芳脂樹(shù)脂、聚甲醛樹(shù)脂等。無(wú)機(jī)透明材料是無(wú)機(jī)玻璃，例如使用石英玻璃、多組份玻璃等。能夠單獨(dú)使用或者并用兩種以上透明材料。上述保護(hù)層觀含有透明材料，因此能夠確保從上方視覺(jué)識(shí)別定位標(biāo)記50的良好的視覺(jué)識(shí)別性，利用照相機(jī)43通過(guò)保護(hù)層觀能夠容易且可靠地視覺(jué)識(shí)別定位標(biāo)記50。因此，能夠容易且可靠地識(shí)別第二路徑49相對(duì)于定位標(biāo)記50的相對(duì)位置。其結(jié)果是能夠相對(duì)于路徑49高精度地定位近場(chǎng)光產(chǎn)生部35和滑塊側(cè)光波導(dǎo)34。此外，在上述圖4的說(shuō)明中，在第二直線(xiàn)部66的前端將第一芯層23形成錐狀，但是，例如圖13以及圖14所示，第一芯層23還能夠形成為在整個(gè)第二彎曲部60和第二直線(xiàn)部66中寬度逐漸變窄的錐狀。另外，在上述圖4的說(shuō)明中，第一芯層23中的第一彎曲部59、第一直線(xiàn)部57、第二彎曲部60以及第二直線(xiàn)部66的后端緣以及前后方向的中間的寬度W2與第二上包層討中的第三直線(xiàn)部58的前后方向的中間以及前端緣的寬度W4形成為大致相同，但是，例如圖15 所示，還能夠?qū)⑸鲜鰧挾萕2形成為大于上述寬度W4。在這種情況下，第一芯層23中的第一彎曲部59、第一直線(xiàn)部57、第二彎曲部60以及第二直線(xiàn)部66的后端緣以及前后方向的中間的寬度W2例如為1 100 μ m，優(yōu)選為5 50 μ m0此外，作為本發(fā)明的例示的實(shí)施方式而提供了上述說(shuō)明，但是這些僅是例示，并不是限定性地進(jìn)行解釋。本領(lǐng)域技術(shù)人員可知的本發(fā)明的變形例被包含在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種帶電路的懸掛基板，其特征在于，具備電路基板，其具備金屬支承基板、形成在上述金屬支承基板上的絕緣層以及形成在上述絕緣層上的導(dǎo)體層；以及光波導(dǎo)，其被設(shè)置于上述電路基板， 其中，上述光波導(dǎo)具備 第一光波導(dǎo)，其具備彎曲部；以及第二光波導(dǎo)，其具備直線(xiàn)部， 上述第一光波導(dǎo)具備 第一下包層；第一芯層，其形成在上述第一下包層上，在向上述第一下包層的厚度方向投影時(shí)，被包含于上述第一下包層；以及第一上包層，其形成在上述第一下包層上，覆蓋上述第一芯層， 上述第二光波導(dǎo)具備 第二下包層；第二芯層，其形成在上述第二下包層上；以及第二上包層，其形成在上述第二芯層上，在向上述第二芯層的厚度方向投影時(shí)，被包含于上述第二芯層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于， 至少上述第一光波導(dǎo)含有撓性材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于， 上述第二光波導(dǎo)含有撓性材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于， 上述光波導(dǎo)在長(zhǎng)度方向上延伸，上述彎曲部在與上述長(zhǎng)度方向和上述厚度方向正交的方向上彎曲，其曲率半徑為 IOOmm以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于，上述第一芯層的上述第二光波導(dǎo)側(cè)端緣的上述正交的方向的長(zhǎng)度為5 μ m以下， 上述第二上包層的上述第一光波導(dǎo)側(cè)端緣的上述正交的方向的長(zhǎng)度為25 μ m以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于，上述第一光波導(dǎo)與上述第二光波導(dǎo)在上述長(zhǎng)度方向上相互相鄰配置，由此在長(zhǎng)度方向上光學(xué)連接，上述第一芯層的第二光波導(dǎo)側(cè)端部形成為在向上述厚度方向投影時(shí)隨著接近上述第二光波導(dǎo)而上述寬度方向的長(zhǎng)度變小，上述第二上包層的第一光波導(dǎo)側(cè)端部形成為在向上述厚度方向投影時(shí)隨著接近上述第一光波導(dǎo)而上述寬度方向的長(zhǎng)度變大。
全文摘要
本發(fā)明提供一種帶電路的懸掛基板，該帶電路的懸掛基板具備被設(shè)置于電路基板的光波導(dǎo)。光波導(dǎo)具備第一光波導(dǎo)和第二光波導(dǎo)，該第一光波導(dǎo)具備彎曲部，該第二光波導(dǎo)具備直線(xiàn)部。第一光波導(dǎo)具備第一下包層；第一芯層，其形成在第一下包層上，厚度方向投影時(shí)，被包含于第一下包層；以及第一上包層，其形成在第一下包層上，覆蓋第一芯層。第二光波導(dǎo)具備第二下包層；第二芯層，其形成在第二下包層上；以及第二上包層，其形成在第二芯層上，向厚度方向投影時(shí)，被包含于第二芯層。
文檔編號(hào)G02B6/10GK102194469SQ20111003463
公開(kāi)日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月5日
發(fā)明者十二紀(jì)行, 西尾創(chuàng) 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社