專利名稱：傳送方法、傳送裝置、曝光方法和曝光裝置的制作方法
傳送方法、傳送裝置、曝光方法和曝光裝置
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及一種用于傳送例如柔性的、伸長膜狀構(gòu)件的傳送技術(shù)以及使用該傳送技術(shù)的曝光技術(shù)和制造技術(shù)。本發(fā)明還涉及一種使用此曝光技術(shù)和制造技術(shù)的器件制造技術(shù)。要求享有2009年6月5日提交的美國臨時申請第61/213，似4號和2010年4月 29日提交的美國專利申請第12/769，965號的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用并入本申請。在用于制造元件(諸如半導(dǎo)體元件或液晶顯示器元件)的曝光裝置中，典型的曝光對象傳統(tǒng)上是具有高剛度的平板狀對象，諸如涂覆有光致抗蝕劑的半導(dǎo)體晶片或玻璃基底。近來，為了有效率地制造具有大面積的器件，已經(jīng)使用柔性的且可通過卷繞成輥形而存儲的伸長膜狀構(gòu)件作為曝光對象。注意，在本說明書中，對于曝光而言，除了經(jīng)由掩模圖案和投影光學(xué)系統(tǒng)通過曝光的光使對象曝光的技術(shù)之外，也可以使用通過帶電粒子束(諸如電子束)將預(yù)定圖案繪制到對象上的技術(shù)。為了使預(yù)定圖案曝光到此伸長膜狀構(gòu)件上，傳統(tǒng)上，拉伸兩個固定輥之間的膜狀構(gòu)件，并且在保持膜狀構(gòu)件的張力恒定的情況下，相對于輥之間的曝光區(qū)域在恒定方向上連續(xù)地移動膜狀構(gòu)件(參見例如日本專利申請公開第2006-098718號或?qū)?yīng)的美國專利公開第 2006/0066715 號)。在使膜狀構(gòu)件曝光的傳統(tǒng)裝置中，因為拉伸膜狀構(gòu)件的兩個輥是固定的并且膜狀構(gòu)件在兩個輥的頂部上滑動的情況下移動，所以存在由于振動等而將會降低膜狀構(gòu)件的位置精度(即，在時間序列上相對于目標(biāo)位置的定位精度)的可能性。由于位置精度的這種降低，存在要曝光的圖案的分辨率將會降低以及套刻(overlay)曝光期間還會降低套刻精度的可能性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的方面是鑒于上述情形而想到的，并且其目的是以高精度水平沿著目標(biāo)路徑傳送例如柔性的、伸長膜狀構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明第一方面的傳送方法是一種用于傳送膜狀構(gòu)件的傳送方法，該方法包括在沿著膜狀構(gòu)件的表面的移動方向上移動膜狀構(gòu)件；通過多個桿狀構(gòu)件來支撐膜狀構(gòu)件的多個表面位置，所述多個桿狀構(gòu)件的縱向方向?qū)?zhǔn)與移動方向相交的方向，并且所述多個桿狀構(gòu)件在移動方向上排齊；以及在移動方向上，同步地移動支撐膜狀構(gòu)件的所述多個桿狀構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明第二方面的曝光方法是一種用于使膜狀構(gòu)件曝光的曝光方法，該方法包括使用根據(jù)本發(fā)明第一方面的傳送方法，在移動方向上移動膜狀構(gòu)件；從膜狀部件之中檢測由桿狀構(gòu)件支撐的要曝光的部分上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記；以及基于對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測結(jié)果來執(zhí)行膜狀構(gòu)件的要曝光的部分與曝光對象的圖案的對準(zhǔn)，以及使由桿狀構(gòu)件支撐的且在移動方向上移動的要曝光的部分曝光。根據(jù)本發(fā)明第三方面的制造方法是一種用于將第一膜狀構(gòu)件和第二膜狀構(gòu)件粘附的制造方法，該方法包括使用根據(jù)本發(fā)明第一方面的傳送方法，傳送第一膜狀構(gòu)件；使用根據(jù)本發(fā)明第一方面的傳送方法，傳送第二膜狀構(gòu)件以使得面對第一膜狀構(gòu)件；從第一和第二膜狀構(gòu)件之中檢測分別由桿狀構(gòu)件支撐的第一部分和第二部分上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記； 以及基于對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測結(jié)果來執(zhí)行第一和第二膜狀構(gòu)件的第一部分和第二部分的對準(zhǔn)， 以及將由桿狀構(gòu)件支撐的且在移動方向上移動的第一部分和第二部分粘附。根據(jù)本發(fā)明第四方面的傳送裝置是一種傳送膜狀構(gòu)件的傳送裝置，該裝置包括 多個桿狀構(gòu)件，其縱向方向?qū)?zhǔn)與沿著膜狀構(gòu)件的表面的移動方向相交的方向，并且所述多個桿狀構(gòu)件在移動方向上排齊以支撐膜狀構(gòu)件；以及驅(qū)動裝置，其在移動方向上同步地移動所述多個桿狀構(gòu)件之中的支撐膜狀構(gòu)件的多個桿狀構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明第五方面的曝光裝置是一種使膜狀構(gòu)件曝光的曝光裝置，該裝置包括根據(jù)本發(fā)明第四方面的傳送裝置，其傳送膜狀構(gòu)件；標(biāo)記檢測系統(tǒng)，其從膜狀構(gòu)件之中檢測由傳送裝置的桿狀構(gòu)件支撐的要曝光的部分上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記；以及曝光部，其基于標(biāo)記檢測系統(tǒng)的檢測結(jié)果來執(zhí)行膜狀構(gòu)件的要曝光的部分與曝光對象的圖案的對準(zhǔn)，并且使由桿狀構(gòu)件支撐的且在移動方向上移動的要曝光的部分曝光。根據(jù)本發(fā)明第六方面的制造裝置是一種將第一膜狀構(gòu)件和第二膜狀構(gòu)件粘附的制造裝置，該裝置包括根據(jù)本發(fā)明第四方面的第一傳送裝置，其傳送第一膜狀構(gòu)件；根據(jù)本發(fā)明第四方面的第二傳送裝置，其傳送第二膜狀構(gòu)件以使得面對第一膜狀構(gòu)件；標(biāo)記檢測系統(tǒng)，其從第一和第二膜狀構(gòu)件之中檢測分別由桿狀構(gòu)件支撐的第一部分和第二部分上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記；以及粘附部，其執(zhí)行第一和第二膜狀構(gòu)件的第一部分和第二部分的對準(zhǔn)， 并將由桿狀構(gòu)件支撐的且在移動方向上移動的第一部分和第二部分粘附。根據(jù)本發(fā)明第七方面的器件制造方法包括使用根據(jù)本發(fā)明第二方面的曝光方法或使用根據(jù)本發(fā)明第五方面的曝光裝置，使膜狀光敏基底曝光；以及在曝光之后處理膜狀光敏基底。此外，根據(jù)本發(fā)明第八方面的器件制造方法包括使用根據(jù)本發(fā)明第三方面的制造方法或使用根據(jù)本發(fā)明第六方面的制造裝置，將第一和第二膜狀構(gòu)件粘附。根據(jù)本發(fā)明的方面，因為在移動方向上移動支撐膜狀構(gòu)件的棒狀構(gòu)件，并且在移動方向上移動膜狀構(gòu)件，因此能夠以高精度水平沿著目標(biāo)路徑傳送例如柔性的、伸長膜狀構(gòu)件。


圖1是示出了根據(jù)第一實施例的曝光裝置的結(jié)構(gòu)的透視圖。圖2A是示出了圖1中的階梯型平臺裝置的透視圖。圖2B是示出了階梯型平臺裝置的前視圖。圖2C是示出了階梯型平臺裝置的部分切割平面視圖。圖3A是示出了圖2A中的階梯型平臺裝置的抽吸機構(gòu)的截面視圖。圖;3B是示出了圖3A中的桿和公用管道(utility pipe)接合到一起的狀態(tài)的透視圖。圖4A是示出了從鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)(roll guide)向桿轉(zhuǎn)移膜狀基底的狀態(tài)的透視圖。
圖4B是示出了圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域的對準(zhǔn)開始的狀態(tài)的透視圖。圖4C是示出了圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域的對準(zhǔn)結(jié)束的狀態(tài)的透視圖。圖5A是示出了圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域的對準(zhǔn)期間的膜狀基底的平面視圖。圖5B是示出了圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域的曝光期間的膜狀基底的平面視圖。圖6A是示出了第一掩模的圖案曝光期間的掩膜臺的平面視圖。圖6B是示出了掩模的步進移動期間的掩模臺的平面視圖。圖6C是示出了第二掩模的圖案曝光期間的掩膜臺的平面視圖。圖7是示出了第一實施例的曝光操作的示例的流程圖。圖8是示出了根據(jù)第一實施例的變型示例的階梯型平臺裝置的平面視圖。圖9是示出了根據(jù)第二實施例的滾動構(gòu)件鑲板裝置的示意結(jié)構(gòu)的前視圖。圖10是示出了圖9所示的階梯型平臺裝置的結(jié)構(gòu)的透視圖。圖11是示出了微型器件制造方法的示例的流程圖。附圖標(biāo)記說明EX:曝光裝置MA、MB:掩模MST 掩模臺PL 投影光學(xué)系統(tǒng)PLA至PLD 部分投影光學(xué)系統(tǒng)P:膜狀基底4 主控制單元6 基底臺控制單元20 供應(yīng)輥26J6A:鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)28 J8A:階梯型平臺裝置30A 至 30L 桿32A、32B 鏈36A、36B:驅(qū)動電機50 卷繞輥52A、52B:對準(zhǔn)系統(tǒng)EP 滾動構(gòu)件鑲板裝置
具體實施例方式[第一實施例]將參照圖1至7來描述本發(fā)明的第一實施例。圖1示出了本實施例的曝光裝置(即投影曝光裝置)EX的示意結(jié)構(gòu)。在圖1中， 曝光裝置EX包括曝光光源(未示出)；照射單元IU，其通過來自曝光光源的照射光IL (即曝光的光)來照射第一掩模MA或第二掩模MB的圖案的部分；掩模臺MST，其例如在預(yù)定方向上交替地掃描掩模MA和MB ；以及投影光學(xué)系統(tǒng)PL，其將掩模MA或掩模MB的圖案的部分的圖像投影到膜狀基底P上。注意，為了簡化說明，在圖1中，用雙點劃線來表示膜狀基底P等。掩模臺MST被可移動地安裝在掩模底座(未示出)上，其中用于使照射光IL通過的孔徑(開口)被形成在照射單元IU與投影光學(xué)系統(tǒng)PL之間。此外，曝光裝置EX包括基底移動裝置PDV，其例如在恒定方向上連續(xù)地移動膜狀基底P ；以及主控制單元4，其由計算機構(gòu)成并執(zhí)行曝光裝置EX的操作的集成控制。本實施例的膜狀基底P是柔性的且可通過卷繞成輥形而存儲的、由合成樹脂制成的伸長片狀構(gòu)件(即帶狀構(gòu)件)，并且用于例如制造顯示元件等。在曝光期間將光致抗蝕劑(即光敏材料)涂覆在此膜狀基底P的表面上。膜狀基底P被描述為片形式是指與膜狀基底P的寬度相比，其厚度足夠小(即薄)以使得膜狀基底P是柔性的。在以下描述中，將參考圖1中設(shè)置的CTZ正交坐標(biāo)系來描述構(gòu)件之間的位置關(guān)系。 在該XYZ正交坐標(biāo)系中，X軸和Y軸設(shè)置在水平平面上，而Z軸設(shè)置成豎直方向。在本實施例中，掩模MA和MB的圖案表面平行于XY平面，并且在曝光期間將照射光IL輻射到其上的、 膜狀基底P的曝光表面的部分也平行于XY平面。曝光裝置EX是掃描曝光裝置，并且在掃描曝光期間掩模MA和MB的移動方向(即掃描方向)平行于X軸(即X方向)，并且在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的曝光區(qū)域中膜狀基底P的移動方向(即掃描方向)也是X方向。首先，曝光光源(未示出)包括超高壓汞燈、橢圓鏡和波長選擇元件。照射單元IU 包括包括光導(dǎo)等的光傳輸光學(xué)系統(tǒng)；以及分光光學(xué)系統(tǒng)，其將入射的照射光IL分成多個光通量并且然后經(jīng)由光學(xué)積分器、中繼光學(xué)系統(tǒng)、可變百葉窗(即，可變視場光闌)和聚光透鏡發(fā)出每個光通量。照射光IL是從包括例如g射線(具有436nm的波長)、h射線(具有 405nm的波長)和i射線(具有365nm的波長)的波長區(qū)選擇的光。照射光IL經(jīng)由照射單元IU以均勻照度分布照射掩模MA(或掩模MB)的圖案表面的四個照射區(qū)域18A至18D，其中照射區(qū)域18A至18D分別通過上述可變百葉窗獨立地打開和關(guān)閉。照射區(qū)域18A至18D 具有這樣的形狀在與掃描方向正交(相交)的非掃描方向(即Y方向)上是窄的且伸長的。投影光學(xué)系統(tǒng)PL由四個部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLA至PLD構(gòu)成，四個部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLA至PLD分別在膜狀基底P的曝光區(qū)域18AP至18DP (參見圖5B)上形成四個照射區(qū)域18A至18D內(nèi)的圖案的圖像。部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLA至PLD(由此為投影光學(xué)系統(tǒng)PL)的從掩模MA和MB到膜狀基底P的投影放大率β是擴大放大率(其中，β > 1)。投影放大率β是例如約2倍至5倍。本實施例的部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLA至PLD被支撐在框架結(jié)構(gòu) (未示出)上。此外，部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLA至PLD形成中間圖像，并在膜基底P上形成照射區(qū)域18Α至18D內(nèi)的圖案的正像。部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLA至PLD可以在X方向和/或Y 方向上形成倒像。此外，例如可使用用于部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLA至PLD的折射系統(tǒng)(折光系統(tǒng))或折反射系統(tǒng)。 此外，在四個部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLA至PLD之中，在Y方向上將兩個部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLA和PLC布置成一行，而另兩個部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLB和PLD被布置在從部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLA和PLC在+X方向和+Y方向上對角地偏移的位置處。
圖6A是示出了圖1中的掩模臺MST的平面視圖。在圖6A中，在第一掩模MA的圖案區(qū)域中在Y方向上以預(yù)定間隔形成四行部分圖案區(qū)域MAl至MA4，并且在第二掩模MB的圖案區(qū)域中在Y方向上以預(yù)定間隔形成四行部分圖案區(qū)域MBl至MB4。要轉(zhuǎn)移到膜狀基底 P上的一個圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域的圖案減小至1/β (其中，β是投影放大率)，并且在Y方向上被劃分成四個部分的其部分圖案被分別形成在第一掩模MA的部分圖案區(qū)域MAl至MA4以及第二掩模MB的部分圖案區(qū)域MBl至MB4中。例如，兩個二維對準(zhǔn)標(biāo)記(未示出)分別形成在掩模MA和MB的部分圖案區(qū)域MAl至MA4和MBl至MB4的X方向上的端部附近。掩模MA 和MB的對準(zhǔn)通過使用掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)(未示出)檢測這些對準(zhǔn)標(biāo)記來執(zhí)行。此外，在掩模MA(或MB)的曝光期間，掩模MA(或MB)的部分圖案區(qū)域MAl和 MA3 (或MBl和MB； )的圖案的圖像通過部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLA和PLC形成在膜狀基底P上， 并且掩模MA(或MB)的部分圖案區(qū)域MA2和MA4(或MB2和MB4)的圖案的圖像通過部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLB和PLD形成在膜狀基底P上。在此情況下，兩個部分圖案區(qū)域MAl和MA3 (或 MBl和MB3)以及兩個部分圖案區(qū)域MA2和MA4(或MB2和MB4)的位置在X方向上相互偏移，以使得掩模MA (或MB)的部分圖案區(qū)域MAl至MA4(或MBl至MB4)的圖像被形成在膜狀基底P上的X方向上的相同位置處。此外，為了減小拼接誤差(接合誤差)，優(yōu)選地，在部分圖案區(qū)域MAl至MA4和MBl 至MB4的邊界部分中執(zhí)行兩次曝光。由此，照射區(qū)域18A至18D被形成為其兩端(或一端) 傾斜的梯形形狀。在圖1中，掩模臺MST包括第一臺10A，其保持和移動第一掩模MA;第二臺10B， 其保持和移動第二掩模MB ；矩形框架12，在矩形框架12中臺IOA和IOB可以平行地移動； 一對線性電機14A1和14A2(在圖1中，僅示出了其轉(zhuǎn)子)，其相對于框架12在X方向上驅(qū)動臺IOA ；—對線性電機14B1和14B2(在圖1中，僅示出了其轉(zhuǎn)子)，其相對于框架12在X 方向上驅(qū)動臺IOB ；以及一對線性電機16A和16B (在圖1中，僅示出了其定子)，其相對于掩模底座(未示出)在Y方向上驅(qū)動框架12。在這種情況下，通過控制線性電機14A1和 14A2(或14B1和14B2)的驅(qū)動量，還可以圍繞平行于Z軸的軸在預(yù)定范圍內(nèi)(在下文中，被稱作θ ζ方向)旋轉(zhuǎn)掩模MA(或MB)。此外，至少包括臺IOA和IOB (即掩模MA和iffi)的X方向和Y方向上的位置和θ z 方向上的旋轉(zhuǎn)角的位置信息、以及框架12在Y方向上的位置信息通過兩組用于X軸的兩軸激光干涉儀(未示出)以及通過用于Y軸的三軸激光干涉儀(未示出)而分別測量。測量值被提供給主控制單元4和掩模臺控制單元8。掩模臺控制單元8基于來自主控制單元4 的控制信息和這些測量值來驅(qū)動線性電機16A、16B、14A1、14A2、14B1和14B2，以控制框架 12在Y方向上的位置、以及臺IOA和IOB (即掩模MA和MB)在X方向和Y方向上的位置和速度，還有其在θ ζ方向上的旋轉(zhuǎn)角。此外，基底移動裝置PDV包括供應(yīng)輥20，其將在+X方向上為片形式的膜狀基底P 退卷；輥22，其將膜狀基底P的方向改變?yōu)?Z方向；氣導(dǎo)Μ，其將壓縮空氣吹到膜狀基底P 以無接觸地將膜狀基底P的方向改變?yōu)閷?傾斜)向上方向；鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)26，其例如由金屬制成并形成為軸對稱形狀以使得其在縱向方向(即Y方向)上的兩個端部比中央部分寬，并且其將越過它的膜狀基底P的方向改變?yōu)榛?X方向；階梯型平臺裝置觀，其使用抽吸以保持(抽吸保持)膜狀基底P并在+X方向上連續(xù)地移動它；以及卷繞輥50，將膜狀基底P卷繞到卷繞輥50。在此情況下，供應(yīng)輥20、輥22和鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)沈可旋轉(zhuǎn)地支撐在預(yù)定基底側(cè)框架(未示出)上。氣導(dǎo)M被支撐為使得例如可以調(diào)整其相對于基底側(cè)框架的在Z方向上的位置以保持膜狀基底P的張力基本恒定。此外，卷繞輥50通過驅(qū)動電機(未示出)被驅(qū)動以進行旋轉(zhuǎn)，并且此驅(qū)動電機通過基底臺控制單元6來控制。
9
階梯型平臺裝置觀包括第一鏈32A，其形成平行于)(Z平面的橢圓(卵形)環(huán)； 第二鏈32B，其形成環(huán)，該環(huán)好像是第一鏈32A在Y方向上平行移動了預(yù)定間隔(距離)而成形的；多個(這里使用12作為示例)柱狀桿30A至30L，其例如由金屬制成并且分別與Y 方向基本平行，并且其在Y方向上鏈接第一鏈32A和第二鏈32B ；驅(qū)動電機36A和36B (參見圖2C)，其在同一方向(即其頂部在+X方向上移動的方向)上、以基本相同的速度同步地驅(qū)動鏈32A和32B ；以及驅(qū)動部38A，其在Y方向上驅(qū)動集體地作為整體的鏈32A和32B在+X 方向上的端部。基底臺控制單元6基于來自主控制單元4的控制信息來控制驅(qū)動電機36A 和36B以及驅(qū)動部38A的操作。在桿30A至30L之中，順序相鄰的兩個桿30A和30B、桿30C和30D、桿30E和30F、 桿30G和30H、桿301和30J、以及桿30K和30L之間的間隔(空間)與膜狀基底P上的一個圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域在X方向上的長度相同。這些兩個桿之間的間隔與膜狀基底P上的兩個相鄰圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域之間的區(qū)域(即空區(qū)域)的長度(這里，例如在圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域在X方向上的長度的大約一半與略小部分之間)相同。此外，在膜狀基底P中，具有對應(yīng)于兩個相鄰圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域以及它們之間的空的空間的、X方向上的長度的部分始終基本上由桿30A至30L 中的任意四個來支撐，并在+X方向上傳送。此外，在與膜狀基底P接觸的桿30A至30L中的每個的接觸部分中，以在Y方向上延伸的行形成用于真空抽吸的多個抽吸孔31。桿30A至30L的抽吸孔31經(jīng)由具有柔性和彈性的管(未示出)以及被安置為橫穿鏈32A和32B的中心的公用管道40而連接到真空泵(未示出)。注意，還可以在Y方向上形成窄的、伸長的抽吸凹槽，來替代多個抽吸孔31。圖2A是示出了圖1所示的階梯型平臺裝置觀的示意結(jié)構(gòu)的透視圖。圖2B是示出了階梯型平臺裝置觀的前視圖，圖2C是示出了階梯型平臺裝置觀的平面視圖。如在圖 2C中所示，在鏈32A中，大量的內(nèi)板32Ab以及與這些內(nèi)板對應(yīng)的大量的外板32Aa通過銷釘32Ac而交替鏈接。鏈32B的結(jié)構(gòu)與鏈32A的結(jié)構(gòu)相同。桿30A至30L被設(shè)置為將例如鏈32A的預(yù)定銷釘32Ac以及在+Y方向上從其面對銷釘32Ac的鏈32B的銷釘接合在一起， 并且還被設(shè)置為不旋轉(zhuǎn)。桿30A至30L的兩個端部的直徑被形成為小于膜狀基底P通過的部分的直徑。注意，還可使用具有半圓形截面等的非軸對稱構(gòu)件(構(gòu)件)來替代桿30A至 30L，并且所述構(gòu)件的圓弧形表面與膜狀基底P接觸。此外，具有彼此完全相同的形狀且能夠圍繞平行于Y軸的軸旋轉(zhuǎn)的鏈輪34A1和 34B1與鏈32A和32B在+X方向上的端部嚙合。此外，具有彼此完全相同的形狀且能夠圍繞平行于Y軸的軸旋轉(zhuǎn)的鏈輪34A2和34B2與鏈32A和32B在-X方向上的端部嚙合。鏈輪 34A1和34B1在+X方向上的旋轉(zhuǎn)軸分別經(jīng)由軸承35而被U形第一底座構(gòu)件33A支撐。此外，鏈輪34A2和34B2在-X方向上的旋轉(zhuǎn)軸分別經(jīng)由軸承35而被U形第二底座構(gòu)件3 支撐。第一底座構(gòu)件33A通過驅(qū)動部38A和偏置部(激勵部)38B被支撐在基底側(cè)框架(未示出)上，以使得其能夠在Y方向上在預(yù)定范圍內(nèi)移動。第二底座構(gòu)件3 和公用管道40 被支撐在基底側(cè)框架上。具有相同形狀的用于驅(qū)動的齒輪37A和37B被固定到鏈輪34A1和34B1在+X方向側(cè)的旋轉(zhuǎn)軸。具有相同形狀的驅(qū)動電機36A和36B的齒輪與齒輪37A和37B嚙合。旋轉(zhuǎn)編碼器37AR和37BR(參見圖3B)安裝在齒輪37A和37B中。基于由旋轉(zhuǎn)編碼器37AR和37BR 檢測到的鏈輪34A1和34B1的旋轉(zhuǎn)角信息，基底臺控制單元6控制驅(qū)動電機36A和36B的旋轉(zhuǎn)角和旋轉(zhuǎn)速度。此外，線性編碼器38AL(參見圖3B)安裝在第一底座構(gòu)件33A中?；谟删€性編碼器38AL檢測到的第一底座構(gòu)件33A在Y方向上的位置信息，基底臺控制單元 6控制驅(qū)動部38A的驅(qū)動量。根據(jù)此配置，作為以相同旋轉(zhuǎn)速度同步地驅(qū)動驅(qū)動電機36A和36B的結(jié)果，鏈輪 34A1和34B1以相同旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，并且抽吸保持膜狀基底P的桿(即桿30A至30L中的一些)以及鏈32A和32B在+方向上以相同的速度移動。此外，通過稍微改變驅(qū)動電機36A和 36B的驅(qū)動量，改變鏈32A和32B在X方向上的相對位置，并且可以控制鏈上的膜狀基底P 在θ ζ方向上的旋轉(zhuǎn)角。此外，作為鏈輪34Α1和34Β1經(jīng)由第一底部構(gòu)件33Α被驅(qū)動部38Α 在Y方向上位移的結(jié)果，可以控制鏈輪34Α1和34Β1之間的膜狀基底P在Y方向上的位置。由旋轉(zhuǎn)編碼器37AR和37BR檢測到的鏈輪34Α1和34Β1的旋轉(zhuǎn)角以及由鏈32Α和 32Β保持的每個桿30Α至30L的位置之間的關(guān)系被存儲在基底臺控制單元6的存儲部之中。此外，如圖2Α所示，在-Y方向上支撐兩個鏈輪34Α1和34Α2之間的鏈32Α的引導(dǎo)構(gòu)件70Α以及在+Y方向上支撐兩個鏈輪34Β1和34Β2之間的鏈32Β的引導(dǎo)構(gòu)件70Β被支撐在基底側(cè)框架(未示出)上。結(jié)果，防止從鏈輪34Α2和34Β2向鏈輪34Α1和34Β1延伸的鏈32Α和32Β的部分(S卩，桿30Α至30L)在-Z方向上下跌，并且由桿30Α至30L支撐的膜狀基底P沿著XY平面在+X方向上移動。圖3Α是示出了設(shè)置在圖2Α所示的桿30Α至30L中的抽吸孔31被接合到公用管道40的狀態(tài)的截面視圖。圖:3Β是示出了圖3Α所示的一個桿30Α被接合到公用管道40的狀態(tài)的透視圖。如圖3Β所示，公用管道40具有圓柱狀，并且氣孔40a形成在公用管道40 在-Y方向上的端部內(nèi)。氣孔40a經(jīng)由管42接合到真空泵43，并且圍繞公用管道40的端部內(nèi)的氣孔40a的部分通過密封機構(gòu)(未示出)被制成氣密的。此外，與氣孔40a連通的大量小的氣孔40b形成在公用管道40在-Y方向上的端部的表面中。此外，可圍繞公用管道40的外表面(外部)旋轉(zhuǎn)的第一旋轉(zhuǎn)構(gòu)件41被定位為覆蓋公用管道40的大量通孔40b。第一旋轉(zhuǎn)構(gòu)件41在Y方向上的兩個端部與公用管道40的外表面之間的部分例如通過磁性流體軸承來密封。公用管道40的外表面上的第一旋轉(zhuǎn)構(gòu)件41在Y方向上的位置通過兩個E環(huán)45被固定。桿30A的表面中的多個抽吸孔31被接合到桿30A內(nèi)的排出孔，并且沿著排出孔部分地設(shè)置開關(guān)閥44V。排出孔經(jīng)由具有柔性和彈性的管44被接合到第一旋轉(zhuǎn)構(gòu)件41的外表面中的氣孔41a。氣孔41a經(jīng)由公用管道40中的氣孔40b和40a以及管42而與真空泵43連通。開關(guān)閥44V在第一狀態(tài)與第二狀態(tài)之間切換，在第一狀態(tài)下，桿30A的抽吸孔31連接到公用管道40的氣孔40b，而在第二狀態(tài)下， 桿30A的抽吸孔31對大氣開放。以相同的方式，圖3A中的其它桿30B至30L的多個抽吸孔31也經(jīng)由具有柔性和彈性且分別設(shè)置開關(guān)閥44V的管44、第一旋轉(zhuǎn)構(gòu)件41的氣孔41a、公用管道40的氣孔40b 和40a以及管42而與真空泵43連通。在圖;3B中，正電極部分46A和負(fù)電極部分46B形成在公用管道40在+Y方向上的端部的外表面上。電極部分46A和46B經(jīng)由公用管道40中的內(nèi)引線連接到外部電源47的正電極和負(fù)電極。可圍繞公用管道40的外表面旋轉(zhuǎn)的第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件48被安置為覆蓋電極部分46A和46B。公用管道40的外表面上的第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件48在Y方向上的位置也通過兩個E環(huán)45來固定。第一旋轉(zhuǎn)構(gòu)件41和第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件48通過鏈接(連接)構(gòu)件(未示出)而鏈接(連接)到一起，并且圍繞公用管道40彼此聯(lián)合地旋轉(zhuǎn)。此外，平面電極板49A和49B被固定到切入第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件48的中央部分的半圓形圓柱狀缺口部分以在電極部分46A和46B上恒定地滑動，并且接收部56被固定到第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件48的外表面。經(jīng)由電極板49A和49B將電力恒定地(連續(xù)電力)提供給接收部56。 基底臺控制單元6向發(fā)送部39發(fā)布關(guān)于各定時的命令以在由桿30A至30L的抽吸孔31進行的抽吸的開始(即第一狀態(tài))與釋放(即第二狀態(tài))之間切換。據(jù)此，發(fā)送部39經(jīng)由無線電波或紅外線等向接收部56無線地發(fā)送指示切換定時的信號。根據(jù)這些信號，接收部56 在桿30A至30L分別支撐膜狀基底P之前即刻將對應(yīng)的開關(guān)閥44V設(shè)置成第一狀態(tài)(即由抽吸孔31執(zhí)行真空抽吸的狀態(tài))，并且在桿30A至30L分別從膜狀基底P移開(分離)之前即刻將對應(yīng)的開關(guān)閥44V設(shè)置成第二狀態(tài)(即抽吸孔31的內(nèi)部對大氣壓開放的狀態(tài))。通過提供第一旋轉(zhuǎn)構(gòu)件41和第二旋轉(zhuǎn)構(gòu)件48以使得它們能夠以上述方式圍繞公用管道40的外表面旋轉(zhuǎn)，將來自真空泵43的負(fù)壓強提供給始終在恒定方向(這里為順時針方向)上圍繞公用管道40旋轉(zhuǎn)的桿30A至30L，并且還向接收部56提供電力。在圖1中，將光致抗蝕劑涂覆在膜狀基底P上的抗蝕劑涂覆機M被安置在供應(yīng)輥 20與輥22之間的膜狀基底P之上。此外，對準(zhǔn)系統(tǒng)52A和52B位于在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)26之間被支撐在階梯型平臺裝置觀上的膜狀基底P在-X方向上的端部之上。對準(zhǔn)系統(tǒng)52A和52B應(yīng)用例如圖像處理，并在Y方向上以預(yù)定間隔檢測膜狀基底P上的對準(zhǔn)標(biāo)記的位置。將來自對準(zhǔn)系統(tǒng)52A和52B的檢測結(jié)果提供給主控制單元4內(nèi)的對準(zhǔn)控制部。例如可以通過安裝參考構(gòu)件(未示出)以使得它們從對準(zhǔn)系統(tǒng)52A和52B的檢測區(qū)域向投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域延伸，來測量對準(zhǔn)系統(tǒng)52A和52B的中心與由投影光學(xué)系統(tǒng)PL形成的掩模MA和MB上的圖案的圖像的中心之間的位置關(guān)系(即基線)，其中參考構(gòu)件在X方向上是伸長的并且具有例如多個參考標(biāo)記，已知多個參考標(biāo)記的位置關(guān)系。關(guān)于這些位置關(guān)系的信息可被存儲在主控制單元4內(nèi)的對準(zhǔn)控制部中。圖5A是示出了由圖1所示的階梯型平臺裝置觀支撐的膜狀基底P的部分的平面視圖。在圖5A中，在膜狀基底P上，在X方向上以預(yù)定間隔形成大量圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60A、 60B、60C、...。分別以與對準(zhǔn)系統(tǒng)52A和52B在Y方向上的間隔相同的間隔，在圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60A等的每個中的兩個位置中形成對準(zhǔn)標(biāo)記PMA至PMD。在這種情況下，在+X方向上從對準(zhǔn)系統(tǒng)52A和52B的檢測區(qū)域開始延伸了與圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域的長度基本相同的距離(長度)的區(qū)域形成對準(zhǔn)區(qū)域58A。在+X方向上從投影光學(xué)系統(tǒng)PL的曝光區(qū)域開始延伸了與圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域的長度基本相同的距離的區(qū)域形成曝光區(qū)域58E。在對準(zhǔn)區(qū)域58A與曝光區(qū)域58E之間的區(qū)域形成中間區(qū)域58S。在本實施例中，基本通過對準(zhǔn)區(qū)域58A、中間區(qū)域58S 和曝光區(qū)域58E的膜狀基底P的部分由階梯型平臺裝置28的桿30A至30L中的一些借助抽吸來支撐，并且在+X方向上連續(xù)地移動。在下文中，將參照圖7的流程圖來描述當(dāng)使用本實施例的曝光裝置EX使一卷膜狀基底P曝光時執(zhí)行的操作的示例。此曝光操作由主控制單元4控制。此時，假定掩模MA和 MB加載到圖1中的第一掩模臺MST的臺IOA和IOB上，并且其對準(zhǔn)已經(jīng)完成。首先，在圖7中的步驟101，具有片形式的一卷膜狀基底P附接到圖1所示的供應(yīng)輥20。在此階段，光致抗蝕劑未涂覆到膜狀基底P上。注意，對準(zhǔn)標(biāo)記PMA至PMD在執(zhí)行的制造過程中已分別形成在(附著于)膜狀基底P上的圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60A等的序列上。膜狀基底P的遠(yuǎn)端部經(jīng)由輥22、氣導(dǎo)M、鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)沈和階梯型平臺裝置觀的頂表面向卷繞輥50轉(zhuǎn)移。在下一步驟102，開始由卷繞輥50在+X方向上卷繞膜狀基底P，并且開始由階梯型平臺裝置觀在+X方向上移動膜狀基底P。注意，膜狀基底P在+X方向上的移動速度通過階梯型平臺裝置觀來調(diào)節(jié)。卷繞輥50的卷繞速度被設(shè)置為使得階梯型平臺裝置 28與卷繞輥50之間的膜狀基底P的下跌包含在預(yù)定范圍之內(nèi)。在下一步驟103，開始由抗蝕劑涂覆機M將光致抗蝕劑涂覆在膜狀基底P上。以下操作與桿30A至30L之中的每個第四桿有關(guān)，即階梯平臺裝置28的桿30A、 30E和301，還可針對其它桿30B至30D、30F至30H和30J至30L按照順序執(zhí)行相同類型的操作。即，在下一步驟104，如圖4A中的箭頭Al所示，已經(jīng)釋放了由抽吸孔31進行的抽吸的桿30A對角向上提升，當(dāng)它到達(dá)階梯平臺裝置觀的頂表面在-X方向上的端部處的位置 Bl時，膜狀基底P從鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)沈轉(zhuǎn)移到桿30A?；旧吓c此同時地，與桿30A的抽吸孔31連通的管44的開關(guān)閥44V通過圖;3B中的基底臺控制單元6、發(fā)送部39和接收部56 被設(shè)置成第一狀態(tài)，并且開始由桿30A中的抽吸孔31對膜狀基底P的抽吸。此時，如圖4A所示，因為鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)沈的中央部分窄，所以膜狀基底P在其中央位置PC在-Z方向上定位為較低的情形下被轉(zhuǎn)移到桿30A。結(jié)果，由桿30A進行的膜狀基底P的抽吸從中央部分PC開始，并逐漸移向其兩個端部。因此，不存在膜狀基底P的扭曲等，并且由桿30A穩(wěn)定地吸住和保持膜狀基底P，其中桿30A中保持高平坦度。結(jié)果，能夠以高精度水平執(zhí)行后續(xù)對準(zhǔn)和曝光。在下一步驟105，由階梯平臺裝置觀在+X方向上以預(yù)定移動速度(即掃描速度) 移動吸住膜狀基底P的桿30A。接著，在步驟106，如圖4B所示，當(dāng)桿30A通過對準(zhǔn)系統(tǒng)52A 和52B的檢測區(qū)域時，由對準(zhǔn)系統(tǒng)52A和52B檢測圖5A所示的膜狀基底P上的圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60C中的對準(zhǔn)標(biāo)記PMA和PMB的位置。當(dāng)桿30A在+X方向上進一步移動時，下一個桿 30B到達(dá)位置Bl并且桿30B也通過抽吸來支撐膜狀基底P。此后，當(dāng)桿30A和30B到達(dá)圖 4C所示的位置時，由對準(zhǔn)系統(tǒng)52A和52B檢測膜狀基底P上的圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60C中的對準(zhǔn)標(biāo)記PMC和PMD的位置，并且桿30A和桿30B穩(wěn)定地支撐圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60C的兩個端部。將對準(zhǔn)標(biāo)記PMA至PMD的位置的檢測結(jié)果提供給主控制單元4內(nèi)的對準(zhǔn)控制部。對準(zhǔn)控制部根據(jù)這些檢測結(jié)果來確定圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60C的目標(biāo)位置的在X方向和Y方向上的位置偏移量(AXC，AYC)以及θ ζ方向上的旋轉(zhuǎn)角偏移量Δ θ zc，并將位置偏移量和旋轉(zhuǎn)角偏移量提供給主控制單元4內(nèi)的臺控制部?；谖恢闷屏?A)(C，AYC)和旋轉(zhuǎn)角偏移量Δ θ zc,臺控制部經(jīng)由掩模臺控制單元8和基底臺控制單元6來驅(qū)動掩模臺MST和階梯型平臺裝置觀，使得掩模MA的圖案圖像準(zhǔn)確地套刻和曝光到膜狀基底P的圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60C上。S卩，在下一步驟107，如圖6A 所示，與圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60的四個部分區(qū)域的移動操作同步地執(zhí)行部分圖案區(qū)域MAl至MA4 的移動操作，使得掩模MA的圖案圖像被掃描曝光到圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60C上。在部分圖案區(qū)域 MAl至MA4的移動操作中，關(guān)于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLA至PLD的照射區(qū)域18A至18D，在由箭頭A6所示的+X方向上以速度VM移動掩模MA的部分圖案區(qū)域MAl至 MA4。在圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60的四個部分區(qū)域的移動操作中，如圖5B所示，關(guān)于部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLA至PLD的曝光區(qū)域18AP至18DP，在+X方向上以速度VM· β (其中β是投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影放大率)移動膜狀基底P的圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60的四個部分區(qū)域。此時，例如，由于移動掩模MA以使得補償上述位置偏移量(A)(C，AYC)和旋轉(zhuǎn)角偏移量Δ θ zc，因而掩模MA的位置和旋轉(zhuǎn)角被校正。注意，還可通過階梯型平臺裝置28移動桿30Α至30L的移動速度、通過控制鏈32Α 和32Β的移動速度的平衡、以及通過驅(qū)動部38Α來校正膜狀基底P的圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60C側(cè)的這些位置偏移量和旋轉(zhuǎn)角偏移量。此外，在圖6Α中，當(dāng)掩模MA經(jīng)由第一臺IOA在+X方向上移動時，如由箭頭Α7所示掩模MB在-X方向上在第二臺IOB側(cè)上移動。在此掃描曝光期間，當(dāng)桿30Α的位置到達(dá)曝光區(qū)域58Ε在+X方向上的端部的位置 Β2時，在步驟108，與桿30Α的抽吸孔31連通的管44的開關(guān)閥44V被設(shè)置成第二狀態(tài)，并且釋放由桿30Α的抽吸孔31對膜狀基底P的抽吸。然后由階梯型平臺裝置觀將桿30Α對角向下地從膜狀基底P移開。當(dāng)下一個桿30Β隨后到達(dá)位置Β2時，到圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60C的掃描曝光結(jié)束。此時，如圖6Β所示，在掩模臺MST側(cè)，整個框架12在箭頭Α8所示的-Y方向上移動，并且第二臺IOB上的掩模MB移動到投影光學(xué)系統(tǒng)PL的照射區(qū)域的掃描開始位置。接著，如圖6C所示，在到膜狀基底P的下一圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60D的掃描曝光期間，通過在由箭頭 Α9所示的+X方向上向投影光學(xué)系統(tǒng)PL的照射區(qū)域18Α至18D移動部分圖案區(qū)域MBl至 ΜΒ4，掩模MB的圖案圖像曝光到圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60D。此時，因為掩模MA在由箭頭AlO所示的-X方向上移動，通過在由箭頭All所示的+Y方向上移動框架12，隨后可將掩模MA上的圖案圖像曝光到下一圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域。以這種方式，通過將掩模MA和MB的圖案圖像交替地曝光到膜狀基底P上的相鄰圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域，可有效率地執(zhí)行到膜狀基底P的曝光，同時在相同方向(即+X方向)上連續(xù)地移動膜狀基底P并且還縮短相鄰圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域之間的空區(qū)域。此外，在圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60C的掃描曝光期間，執(zhí)行由圖5B所示的桿30C和30D支撐的膜狀基底P上的下一圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60D的對準(zhǔn)。在下一步驟109，關(guān)于膜狀基底P的曝光是否結(jié)束來執(zhí)行確定。如果曝光尚未結(jié)束，針對桿30E、30I和30A等順序地重復(fù)步驟104至108的操作，并且針對膜狀基底P的下一圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60E等重復(fù)對準(zhǔn)和掃描曝光。如果在步驟109確定膜狀基底P的曝光已結(jié)束，則操作移至步驟110，并且由主控制單元4停止抗蝕劑涂覆機M和階梯型平臺裝置觀的操作，并將膜狀基底P卷繞到卷繞輥50。將卷繞的膜狀基底P例如傳送到顯影裝置(未示出)并使其顯影。以這種方式，根據(jù)本實施例的曝光裝置EX，可有效率地涂覆光致抗蝕劑以及將掩模圖案的圖像曝光到一卷膜狀基底P上。以下為本實施例的操作和效果。(1)在本實施例中，傳送膜狀基底P的基底移動裝置PDV包括用于支撐膜狀基底P 的階梯型平臺裝置28。此外，階梯型平臺裝置28包括多個桿30A至30L、以及驅(qū)動機構(gòu)，該驅(qū)動機構(gòu)在+X方向上同步地移動桿30A至30L之中的支撐膜狀基底P的多個桿。多個桿 30A至30L被布置為使得其縱向方向在與+X方向(其中+X方向是沿著膜狀基底P的表面的移動方向)正交(相交)的Y方向上延伸，并且使得它們在移動方向上平行地排齊。此外，用于由基底移動裝置PDV傳送膜狀基底P的方法包括步驟102，其中使膜狀基底P在+X方向上移動；步驟104，其中由多個桿30A至30L之中的多個桿支撐膜狀基底P的多個表面位置；以及步驟105和106，其中在+X方向上同步地移動支撐膜狀基底P的此多個桿。根據(jù)本實施例，通過在移動方向上移動桿30A至30L之中的支撐膜狀基底P的多個桿來移動膜狀基底P。因此，由于在膜狀基底P與支撐它的構(gòu)件之間基本無相對移動，所以能夠沿著目標(biāo)傳送路徑以高精度水平傳送柔性的、伸長膜狀基底P。(2)此外，基底移動裝置PDV包括在+X方向上移動膜狀基底P的卷繞輥50。此外， 階梯型平臺裝置28包括一對鏈32A和32B、以及驅(qū)動電機36A和36B。這對鏈32A和32B 沿著包括位置Bl和位置B2的環(huán)形軌跡將桿30A至30L接合到一起，其中，在位置Bl處，桿 30A至30L支撐膜狀基底P，位置B2位于位置Bl的下游并且是桿30A至30L從膜狀基底P 移開(分離)的位置。驅(qū)動電機36A和36B通過使驅(qū)動鏈32A和32B的鏈輪34A1和34A2 旋轉(zhuǎn)，經(jīng)由鏈32A和32B沿著環(huán)形軌跡移動桿30A至30L。通過使用該階梯型平臺裝置觀，可借助于沿該閉環(huán)在恒定方向上移動桿30A至 30L的簡單結(jié)構(gòu)而在移動方向上穩(wěn)定地移動膜狀基底P。因此，即使膜狀基底P是柔性的、伸長片狀光敏對象(即帶狀構(gòu)件)，也可以有效率地執(zhí)行到膜狀基底P上的一系列圖案形成區(qū)域的曝光，同時在恒定方向上連續(xù)地移動膜狀
基底Po(3)此外，基底移動裝置PDV包括可旋轉(zhuǎn)鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)沈，其縱向方向在Y方向上延伸并且其兩個端部被形成為比其中央部分更寬的桿形狀，并且可旋轉(zhuǎn)鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)沈被用于使膜狀基底P的傳送路徑彎曲以及將膜狀基底P轉(zhuǎn)移到桿30A至30L中的位于位置 Bl處的桿。即，鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)沈被布置為使得其縱向方向平行于桿30A至30L。此外，在步驟104，膜狀基底P經(jīng)由鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)沈轉(zhuǎn)移到桿30A至30L中的位于位置Bl處的桿。因此，由于初始在桿的中央部分處以及隨后逐漸向外朝向桿的兩個端部， 將膜狀基底P支撐在桿上，所以當(dāng)轉(zhuǎn)移膜狀基底P時膜狀基底P中不存在扭曲。(4)當(dāng)由例如多個桿30A至30L之中的至少兩個桿30A和30B來支撐膜狀基底P 時，可以設(shè)置間隔調(diào)整機構(gòu)，其調(diào)整支撐膜狀基底P的兩個桿30A和30B之間的X方向上的間隔。例如，在圖2C中，該間隔調(diào)整機構(gòu)被設(shè)置在支撐桿30A的鏈32A和32B的部分中， 并且可以由在士X方向上移動桿30A的驅(qū)動元件(即壓電元件等)構(gòu)成。存在如下情況 通過使用該間隔調(diào)整機構(gòu)展寬桿30A和30B之間的間隔，可防止由桿30A和30B通過抽吸而保持的膜狀基底P的部分向下下跌。此外，階梯型平臺裝置28始終使用例如桿30A至30L之中的四個桿來支撐膜狀基底P。然而，也可使用更多數(shù)目的桿支撐膜狀基底P。此外，也可以僅使用桿30A至30L之中的兩個桿支撐膜狀基底P。注意，階梯型平臺裝置28的桿30A至30L的數(shù)目是可選的。例如，也可僅提供在環(huán)形軌跡中移動的三個桿，以及使用這些桿中的兩個來支撐膜狀基底P并在+X方向上傳送膜狀基底P。(5)此外，階梯型平臺裝置28包括具有抽吸孔31的抽吸機構(gòu)、配備有開關(guān)閥44V 的管44、公用管道40、以及真空泵43，以便在桿30A至30L支撐膜狀基底P的時段內(nèi)將膜狀基底P真空抽吸到桿30A至30L中的每個上。因此，膜狀基底P可以由桿30A至30L穩(wěn)定地支撐。注意，也可以使用例如靜電抽吸將膜狀基底P吸到桿30A至30L上。(6)本實施例的曝光裝置EX是一種使膜狀基底P曝光的曝光裝置，并包括基底移動裝置PDV，其用于傳送膜狀基底P ；對準(zhǔn)系統(tǒng)52A和52B，其檢測由桿30A至30L支撐的膜狀基底P的圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記PMA至PMD ；以及包括投影光學(xué)系統(tǒng)PL的曝光部，投影光學(xué)系統(tǒng)PL基于來自對準(zhǔn)系統(tǒng)52A和52B的檢測結(jié)果，將膜狀基底P的圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域的位置與掩模MA(或MB)的圖案圖像的位置對準(zhǔn)，并使由桿30A至30L支撐的且在 +X方向上移動的圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域曝光。此外，由曝光裝置EX執(zhí)行的曝光方法包括步驟105，其中使用由基底移動裝置 PDV執(zhí)行的傳送方法，在+X方向上移動膜狀基底P ；步驟106，其中檢測由桿30A至30L支撐的膜狀基底P的圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記PMA至PMD ；以及步驟107，其中基于對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測結(jié)果，將圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域和掩模MA(或MB)的圖案圖像的位置對準(zhǔn)，并且使由桿 30A至30L支撐的且在+X方向上移動的圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域曝光。根據(jù)曝光裝置EX或其曝光方法，由于能夠沿著目標(biāo)路徑以高精度水平移動膜狀基底P，所以能夠以高精度水平以及高套刻精度水平將掩模MA和MB的圖案圖像曝光到膜狀基底P上的每個圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域上。注意，在本實施例中以下變型是可能的。(1)如圖5A所示，在上述實施例中，窄中間區(qū)域58S被設(shè)置在對準(zhǔn)區(qū)域58A與曝光區(qū)域58E之間。與之相比，如通過圖8所示的包括桿30A等的階梯型平臺裝置28B所示出的，也可以在對準(zhǔn)區(qū)域58A (其端部對應(yīng)于對準(zhǔn)系統(tǒng)52A和52B的檢測區(qū)域)與曝光區(qū)域58A (其端部對應(yīng)于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的曝光區(qū)域)之間設(shè)置具有與曝光區(qū)域58E基本相同的長度的備用區(qū)域58W。在這種情況下，支撐膜狀基底P的階梯型平臺裝置^B的部分的長度比階梯型平臺裝置觀長。然而，可以在膜狀基底P的要曝光的圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60B和60C等通過備用區(qū)域58W的同時校正位置偏移等。因此，可以使膜狀基底P上的各個圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60B 和60C等之間的間隔變窄。(2)接著，投影光學(xué)系統(tǒng)PL由四個部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLA至PLD構(gòu)成。然而，部分投影光學(xué)系統(tǒng)PLA至PLD的數(shù)目和放置是可選的。此外，投影光學(xué)系統(tǒng)PL還可以由單個投影光學(xué)系統(tǒng)構(gòu)成。投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影放大率也可以是等同放大率或縮小放大率。此外，投影光學(xué)系統(tǒng)PL將掩模MA和MB的圖案的圖像投影到膜狀基底P。然而，替代掩模MA和MB，還可以由投影光學(xué)系統(tǒng)PL將液晶板或數(shù)字鏡器件(DMD)等上形成的可變圖案的圖像形成在膜狀基底P上。在這種情況下，膜狀基底P上的兩個相鄰圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域之間的間隔可以減小到最小可能。 此外，替代投影光學(xué)系統(tǒng)PL，還可以使用電子束繪制裝置在膜狀基底P上繪制圖案。(3)此外，在上述實施例中，在+X方向上連續(xù)地移動膜狀基底P。然而，也可以斷續(xù)地移動膜狀基底P。在這種情況下，例如當(dāng)由對準(zhǔn)系統(tǒng)52A和52B檢測膜狀基底P上的對準(zhǔn)標(biāo)記的位置時，停止膜狀基底P，而在其它時間處，在+X方向上連續(xù)地移動膜狀基底P。(4)此外，膜狀基底P的移動速度不是絕對必須為恒定速度，并且例如曝光期間的膜狀基底P的移動速度還可以與其它時間處的移動速度不同。階梯型平臺裝置觀借助鏈32A和32B將桿30A至30L接合到一起。然而，例如， 也可以通過諸如工程機械等中使用的履帶型機構(gòu)來支撐桿30A至30L并在恒定方向上移動桿 30A 至 30L。此外，在上述實施例中，由桿30A至30L支撐膜狀基底P上的各圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域60A 等在X方向上的兩個端部。然而，還可以通過在X方向上以相等間隔安置的大量桿來支撐包括一個或多個圖案轉(zhuǎn)移區(qū)域的膜狀基底P的部分并且在X方向上移動它。(6)在圖1所示的基底移動裝置PDV中，替代鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)沈，還可以使用可旋轉(zhuǎn)圓柱狀輥。此外，在這種情況下，還可以提供使桿30A等的中央部分變形(即彎曲)并朝向膜狀基底P向外突出的機構(gòu)，其中桿30A等是到達(dá)位置Bl的桿(參見圖4A)，位置Bl是將膜狀基底P轉(zhuǎn)移到階梯型平臺裝置觀的轉(zhuǎn)移位置。由此，以與使用鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)26時相同的方式，初始從桿30A的中央部分、以及隨后逐漸向外朝向兩個端部將膜狀基底P吸到桿 30A上，使得膜狀基底P在沒有任何扭曲等的情況下轉(zhuǎn)移到桿30A。(7)此外，還可以在圖1所示的階梯型平臺裝置觀與卷繞輥50之間安置顯影裝置，并且在將膜狀基底P卷繞到卷繞輥50之前使膜狀基底P上的光致抗蝕劑顯影。[第二實施例]接著，將參照圖9和10來描述本發(fā)明的第二實施例。在本實施例中，將本發(fā)明應(yīng)用于滾動構(gòu)件鑲板裝置EP，滾動構(gòu)件鑲板裝置EP將片狀(帶狀)柔性濾色器CF和作為片狀柔性TFT(薄膜晶體管)基底的TFT基底TP連續(xù)地粘附。在圖9和10中，對于與圖1至 3B中的部分對應(yīng)的部分使用相同或相似的標(biāo)記，并省略其詳細(xì)描述。圖9示出了本實施例的滾動構(gòu)件鑲板裝置EP，而圖10示出了圖9所示的階梯型平臺裝置觀和28k的結(jié)構(gòu)。注意，圖10所示的Z方向上的階梯型平臺裝置觀和28A之間的間隙(間隔)比實際間隙大。此外，在圖9中，Z方向上的階梯型平臺裝置觀和28々之間的間隙被設(shè)置為這樣的間隙通過該間隙位于階梯型平臺裝置觀和28A之間的濾色器CF 和TFT基底TP幾乎相互接觸。在圖9中，滾動構(gòu)件鑲板裝置EP包括第一移動裝置，其在+X方向上連續(xù)地移動濾色器CF ；第二移動裝置，其在+X方向上連續(xù)地移動TFT基底TP，使得它面對濾色器CF ； 粘附劑涂敷裝置64，其將例如熱固性粘附劑LQ涂敷到濾色器CF ；對準(zhǔn)系統(tǒng)52A和52B，其檢測濾色器CF的各器件區(qū)域中形成的對準(zhǔn)標(biāo)記(未示出)的位置；對準(zhǔn)系統(tǒng)52C和52D， 其檢測TFT基底TP的各器件區(qū)域中形成的對準(zhǔn)標(biāo)記(未示出)的位置；加熱裝置71，其發(fā)出紅外線等以固化粘附劑LQ;以及切割裝置68和支撐底座66，其切割(切掉)對應(yīng)于相互粘附的濾色器CF和TFT基底TP的一個器件區(qū)域的部分。該第一移動裝置包括供應(yīng)輥20，其供應(yīng)濾色器CF ；輥22，其改變?yōu)V色器CF的方向；氣導(dǎo)M，其控制濾色器CF的張力；階梯型平臺裝置觀，其通過抽吸來保持濾色器CF并在+X方向上移動它；以及鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)26，其將濾色器CF從氣導(dǎo)M轉(zhuǎn)移到階梯型平臺裝置觀。如圖10所示，階梯型平臺裝置觀的結(jié)構(gòu)與第一實施例(圖1)中的相同，并且其操作由第一臺控制單元6A來控制。第二移動裝置包括供應(yīng)輥20A，其供應(yīng)TFT基底TP ；輥22A，其改變TFT基底TP 的方向；階梯型平臺裝置^A，其通過抽吸來保持TFT基底TP并在+X方向上移動它；以及鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)26A，其將TFT基底TP從輥22A轉(zhuǎn)移到階梯型平臺基底^A。鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi) 26A的形狀與鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)沈的形狀相同。注意，存在TFT基底TP在-Z方向上向下下跌的趨勢。然而，因為它由濾色器CF支撐，所以其中的松弛度是極小的。為了更進一步地減小此松弛度，還可以例如在輥22k與鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)26A之間安置用于張力調(diào)整的氣導(dǎo)等。如圖10所示，以與階梯型平臺裝置觀相同的方式，在階梯型平臺裝置^A中，多個(這里為12個)桿62A至62L(在桿62A至62L的每個中形成抽吸孔31A)被接合在兩個鏈32C與32D之間，并且通過驅(qū)動電機36C和36D (未示出36D)使鏈32C和32D旋轉(zhuǎn)，在 +X方向上移動桿62A至62L之中的、通過從其頂表面?zhèn)瘸槲鼇肀３諸FT基底TP的多個桿。 然而，由于用于Y方向上的位置調(diào)整的驅(qū)動部38A被設(shè)置在階梯型平臺裝置觀側(cè)，因此不需要在階梯型平臺裝置28A側(cè)設(shè)置用于Y方向的位置調(diào)整機構(gòu)。階梯型平臺裝置28k的操作由第二臺控制單元6B控制，并且臺控制單元6A和6B由主控制單元4A控制。在圖9中，例如，粘附劑涂敷裝置64位于鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)沈與階梯型平臺裝置觀之間的部分之上。對準(zhǔn)系統(tǒng)52A和52B以及對準(zhǔn)系統(tǒng)52C和52D分別位于鏈32A和32B以及鏈32C和32D內(nèi)。加熱裝置71位于鏈32C和32D內(nèi)，并且切割裝置68位于緊接在階梯型平臺裝置28和28A在+X方向上的端部之后。在這種情況下，在+X方向上從對準(zhǔn)系統(tǒng)52A 和52B以及對準(zhǔn)系統(tǒng)52C和52D開始延伸了基本上一個器件區(qū)域的長度的區(qū)域形成對準(zhǔn)區(qū)域58A，并且在X方向上延伸了基本上一個器件區(qū)域的長度的區(qū)域形成粘附區(qū)域58L，粘附區(qū)域58L包括由加熱裝置71向其輻射紅外線的區(qū)域。在本實施例的滾動構(gòu)件鑲板裝置EP中，在圖10中，從供應(yīng)輥20和20A供應(yīng)的濾色器CF和TFT基底TP分別經(jīng)由鼓狀滾動導(dǎo)衛(wèi)沈和2隊,從其中央部分開始被轉(zhuǎn)移到階梯型平臺裝置觀和2名k的在由箭頭A91示出的方向上移動的桿30A至30L以及在由箭頭A92 示出的方向上移動的桿62A至62L。因此，在濾色器CF和TFT基底TP中沒有生成扭曲等。 此外，由粘附劑涂敷裝置64將粘附劑LQ涂敷到已經(jīng)轉(zhuǎn)移到階梯型平臺裝置觀的濾色器CF 的頂表面上的預(yù)定深度。之后，由對準(zhǔn)系統(tǒng)52A和52B測量濾色器CF的位置和旋轉(zhuǎn)角，與之并行地，由對準(zhǔn)系統(tǒng)52C和52D測量TFT基底TP的位置和旋轉(zhuǎn)角?；谶@些檢測的結(jié)果，圖10所示的主控制單元4內(nèi)的對準(zhǔn)控制部計算濾色器CF的器件區(qū)域與TFT基底TP的器件區(qū)域之間的位置偏移量和旋轉(zhuǎn)角偏移量。此外，主控制單元4內(nèi)的臺控制部校正例如階梯型平臺裝置觀側(cè)的濾色器CF在X方向和Y方向上的位置以及在θ ζ方向上的旋轉(zhuǎn)角，使得其位置偏移量和旋轉(zhuǎn)角偏移量被校正。之后，通過將來自加熱裝置71的紅外線輻射到已經(jīng)從對準(zhǔn)區(qū)域58Α進入粘附區(qū)域 58L的濾色器CF和TFT基底TP的器件區(qū)域，將這些器件區(qū)域中的濾色器CF和TFT基底TP 粘附到一起。之后，通過使用切割裝置68切割已經(jīng)由階梯型平臺裝置觀和28Α傳送出的濾色器CF和TFT基底TP的一個器件部分，可以制造顯示元件的一個器件部分。根據(jù)本實施例，因為使用階梯型平臺裝置觀和28Α傳送片狀濾色器CF和TFT基底TP以使得它們相互面對，所以能夠以高精度水平沿著目標(biāo)路徑傳送濾色器CF和TFT基底TP。因此，能夠以高精度水平制造顯示元件。此外，通過使用上述實施例的曝光裝置EX在膜狀基底上形成預(yù)定圖案(即電路圖案、電極圖案等)，可以獲得大量液晶顯示元件作為微器件。在下文中，將參照圖11所示的流程圖來描述此制造方法的示例。在圖11中的步驟S401(圖案形成處理)，執(zhí)行以下處理首先是涂覆處理，其中通過將光致抗蝕劑涂覆到要曝光的膜狀基底(曝光對象)來準(zhǔn)備光敏基底；曝光處理，其中使用上述曝光裝置，通過曝光將用于液晶顯示元件的掩模的圖案轉(zhuǎn)移到該光敏基底上的大量圖案形成區(qū)域；以及顯影處理，其中使該光敏基底顯影。通過執(zhí)行包括這些涂覆、曝光和顯影處理的光刻處理，在膜狀基底上形成預(yù)定抗蝕圖案。在該光刻處理之后，執(zhí)行使用這些抗蝕圖案作為掩模的蝕刻處理、以及抗蝕磨砂處理等。結(jié)果，在膜狀基底上形成包含大量電極等的預(yù)定圖案?？梢愿鶕?jù)膜狀基底上的層數(shù)多次執(zhí)行該光刻處理等。在下一步驟S401(濾色器形成處理)，通過布置與矩陣圖案中的紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)對應(yīng)的三個微濾色器的大量組，或者通過布置由在水平掃描線方向上的三個紅R、綠 G和藍(lán)B條構(gòu)成的多個濾色器組，來形成濾色器。在下一步驟S403 (單元組裝處理)，例如在具有從步驟S401獲得的預(yù)定圖案的膜狀基底與從步驟S402獲得的濾色器之間注入液晶， 從而制造成液晶板(即液晶顯示單元)。在下一步驟S404(模塊組裝處理)，諸如用于執(zhí)行顯示操作的電路和背光等的構(gòu)件被安裝在以這種方式組裝的大量液晶板(即液晶顯示單元)上，并且完成了液晶顯示元件。液晶顯示元件的上述制造方法包括使用上述實施例的曝光裝置使掩模的圖案曝光到光敏基底的處理，以及通過進行顯影等來處理通過該處理被曝光的光敏基底的處理。因此，由于能夠以高精度水平和高效率執(zhí)行曝光，因而改進了器件制造處理的生產(chǎn)量。此外，在上述實施例中，柔性的、伸長片狀構(gòu)件被用作要曝光的膜狀構(gòu)件。然而，作為膜狀構(gòu)件，還可以使用用于制造液晶顯示元件等的具有較高剛度的矩形板狀玻璃板、用于制造薄膜磁頭的陶瓷基底、或用于制造半導(dǎo)體元件的圓形半導(dǎo)體晶片等。注意，在上述實施例中，放電燈被用于曝光光源，并且選擇所需的g射線光、h射線光或i射線光。然而，本發(fā)明不限于此，并且本發(fā)明仍可應(yīng)用于以下情況來自紫外線LED 的光、來自KrF受激準(zhǔn)分子激光器Q48nm)或ArF受激準(zhǔn)分子激光器(193nm)的激光光、或固態(tài)激光器(諸如半導(dǎo)體激光器等)的高次諧波(例如，YAG激光器(具有355nm的波長) 的三倍高次諧波)被用于曝光的光。以這種方式，本發(fā)明不限于上述實施例，并且能夠獲得各種結(jié)構(gòu)，只要它們不背離本發(fā)明的精神或范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于傳送膜狀構(gòu)件的傳送方法，包括在沿著所述膜狀構(gòu)件的表面的移動方向上移動所述膜狀構(gòu)件； 通過多個桿狀構(gòu)件來支撐所述膜狀構(gòu)件的多個表面位置，所述多個桿狀構(gòu)件的縱向方向?qū)?zhǔn)與所述移動方向相交的方向，并且所述多個桿狀構(gòu)件在所述移動方向上排齊；以及在所述移動方向上，同步地移動支撐所述膜狀構(gòu)件的所述多個桿狀構(gòu)件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳送方法，其中，支撐所述膜狀構(gòu)件的所述多個表面位置包括向所述膜狀構(gòu)件的傳送路徑上的第一位置順序地移動所述多個桿狀構(gòu)件之中的第一和第二桿狀構(gòu)件；以及分別通過所述第一和第二桿狀構(gòu)件來支撐所述多個表面位置之中的向所述第一位置順序地傳送的第一和第二表面位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳送方法，包括分別從所述第一和第二表面位置順序地移開向第二位置順序地移動的所述第一和第二桿狀構(gòu)件，所述第二位置位于所述傳送路徑上的所述第一位置的下游。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的傳送方法，其中，移動所述膜狀構(gòu)件包括經(jīng)由引導(dǎo)構(gòu)件使所述膜狀構(gòu)件的所述傳送路徑彎曲，所述引導(dǎo)構(gòu)件被形成為桿狀，其中所述引導(dǎo)構(gòu)件的端部比其中央部分寬，并且所述引導(dǎo)構(gòu)件的縱向方向?qū)?zhǔn)與所述移動方向相交的方向；以及經(jīng)由所述引導(dǎo)構(gòu)件，向所述第一位置順序地移動所述膜狀構(gòu)件的所述第一和第二表面位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項所述的傳送方法，其中支撐所述膜狀構(gòu)件的所述多個表面位置包括調(diào)整所述第一和第二桿狀構(gòu)件之間的間隔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的傳送方法，其中支撐所述膜狀構(gòu)件的所述多個表面位置包括將由所述桿狀構(gòu)件支撐的所述表面位置吸到所述桿狀構(gòu)件上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的傳送方法，其中支撐所述膜狀構(gòu)件的所述多個表面位置包括初始從所述桿狀構(gòu)件的中央部分吸住由所述桿狀構(gòu)件支撐的所述表面位置、以及隨后逐漸移向其兩個端部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的傳送方法，其中所述膜狀構(gòu)件具有帶狀配置；以及所述膜狀構(gòu)件的移動在與所述帶狀構(gòu)件的伸長方向平行的所述移動方向上移動所述膜狀構(gòu)件。
9.一種用于使膜狀構(gòu)件曝光的曝光方法，包括使用根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的傳送方法，在移動方向上移動所述膜狀構(gòu)件；從所述膜狀部件之中檢測由所述桿狀構(gòu)件支撐的要曝光的部分上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記；以及基于所述對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測結(jié)果來執(zhí)行所述膜狀構(gòu)件的所述要曝光的部分與曝光對象的圖案的對準(zhǔn)，以及使由所述桿狀構(gòu)件支撐的且在所述移動方向上移動的所述要曝光的部分曝光。
10.一種用于將第一膜狀構(gòu)件和第二膜狀構(gòu)件粘附的制造方法，包括 使用根據(jù)權(quán)利要求ι至8中任一項所述的傳送方法，傳送所述第一膜狀構(gòu)件； 使用根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的傳送方法，傳送所述第二膜狀構(gòu)件以使得面對所述第一膜狀構(gòu)件；從所述第一和第二膜狀構(gòu)件之中檢測分別由所述桿狀構(gòu)件支撐的第一部分和第二部分上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記；以及基于所述對準(zhǔn)標(biāo)記的檢測結(jié)果來執(zhí)行所述第一和第二膜狀構(gòu)件的所述第一部分和所述第二部分的對準(zhǔn)，以及將由所述桿狀構(gòu)件支撐的且在所述移動方向上移動的所述第一部分和所述第二部分粘附。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，還包括在已經(jīng)將所述第一部分和所述第二部分粘附之后，切割包括所述第一和第二膜狀構(gòu)件的所述第一部分和所述第二部分的部分。
12.—種器件制造方法，包括使用根據(jù)權(quán)利要求9所述的曝光方法，使膜狀光敏基底曝光；以及在所述曝光之后處理所述膜狀光敏基底。
13.一種器件制造方法，包括使用根據(jù)權(quán)利要求10或權(quán)利要求11所述的制造方法，將第一和第二膜狀構(gòu)件粘附。
14.一種傳送膜狀構(gòu)件的傳送裝置，包括多個桿狀構(gòu)件，其縱向方向?qū)?zhǔn)與沿著所述膜狀構(gòu)件的表面的移動方向相交的方向， 并且所述多個桿狀構(gòu)件在所述移動方向上排齊以支撐所述膜狀構(gòu)件；以及驅(qū)動裝置，其在所述移動方向上同步地移動所述多個桿狀構(gòu)件之中的支撐所述膜狀構(gòu)件的多個桿狀構(gòu)件。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的傳送裝置，還包括移動裝置，其在所述移動方向上移動所述膜狀構(gòu)件，其中，所述驅(qū)動裝置包括接合機構(gòu)，其沿著包括第一位置和第二位置的環(huán)形軌跡來接合所述多個桿狀構(gòu)件，其中在所述第一位置處，所述多個桿狀構(gòu)件支撐所述膜狀構(gòu)件，并且所述第二位置位于所述第一位置的下游并且是所述多個桿狀構(gòu)件從所述膜狀構(gòu)件移開的位置；以及移動機構(gòu)，其經(jīng)由所述接合機構(gòu)，沿著所述環(huán)形軌跡移動所述多個桿狀構(gòu)件。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的傳送裝置，還包括引導(dǎo)構(gòu)件，其被形成為桿狀，其中所述引導(dǎo)構(gòu)件的縱向方向?qū)?zhǔn)與所述移動方向相交的方向，并且所述引導(dǎo)構(gòu)件的兩個端部比其中央部分寬，并且所述引導(dǎo)構(gòu)件使所述膜狀構(gòu)件的傳送路徑彎曲，并向所述多個桿狀構(gòu)件之中的位于所述第一位置處的所述桿狀構(gòu)件轉(zhuǎn)移所述膜狀構(gòu)件。
17.根據(jù)權(quán)利要求14至16中任一項所述的傳送裝置，其中，所述膜狀構(gòu)件由所述多個桿狀構(gòu)件之中的至少兩個桿狀構(gòu)件來支撐；以及所述傳送裝置包括間隔調(diào)整機構(gòu)，所述間隔調(diào)整機構(gòu)調(diào)整支撐所述膜狀構(gòu)件的所述至少兩個桿狀構(gòu)件之間的間隔。
18.根據(jù)權(quán)利要求14至17中任一項所述的傳送裝置，還包括抽吸機構(gòu)，其在所述桿狀構(gòu)件支撐所述膜狀構(gòu)件的時段內(nèi)將所述膜狀構(gòu)件吸到所述桿狀構(gòu)件上。
19.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的傳送裝置，其中所述膜狀構(gòu)件具有帶狀配置；以及所述移動裝置在與所述帶狀構(gòu)件的伸長方向平行的所述移動方向上移動所述膜狀構(gòu)件。
20.一種使膜狀構(gòu)件曝光的曝光裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求14至19中任一項所述的傳送裝置，其傳送所述膜狀構(gòu)件； 標(biāo)記檢測系統(tǒng)，其從所述膜狀構(gòu)件之中檢測由所述傳送裝置的所述桿狀構(gòu)件支撐的要曝光的部分上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記；以及曝光部，其基于所述標(biāo)記檢測系統(tǒng)的檢測結(jié)果來執(zhí)行所述膜狀構(gòu)件的所述要曝光的部分與曝光對象的圖案的對準(zhǔn)，并且使由所述桿狀構(gòu)件支撐的且在所述移動方向上移動的所述要曝光的部分曝光。
21.一種將第一膜狀構(gòu)件和第二膜狀構(gòu)件粘附的制造裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求14至19中任一項所述的第一傳送裝置，其傳送所述第一膜狀構(gòu)件； 根據(jù)權(quán)利要求14至19中任一項所述的第二傳送裝置，其傳送所述第二膜狀構(gòu)件以使得面對所述第一膜狀構(gòu)件；標(biāo)記檢測系統(tǒng)，其從所述第一和第二膜狀構(gòu)件之中檢測分別由所述桿狀構(gòu)件支撐的第一部分和第二部分上形成的對準(zhǔn)標(biāo)記；以及粘附部，其執(zhí)行所述第一和第二膜狀構(gòu)件的所述第一部分和所述第二部分的對準(zhǔn)，并將由所述桿狀構(gòu)件支撐的且在所述移動方向上移動的所述第一部分和所述第二部分粘附。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的制造裝置，還包括切割機構(gòu)，其切割包括由所述粘附部粘附的所述第一和第二膜狀構(gòu)件的所述第一部分和所述第二部分的部分。
23.一種器件制造方法，包括使用根據(jù)權(quán)利要求20所述的曝光裝置，使膜狀光敏基底曝光；以及在所述曝光之后，處理所述膜狀光敏基底。
24.一種器件制造方法，包括使用根據(jù)權(quán)利要求21或權(quán)利要求22所述的制造裝置，將第一和第二膜狀構(gòu)件粘附。
全文摘要
傳送膜狀基底(P)的階梯型平臺裝置(28)包括多個桿(30A-30L)，其縱向方向?qū)?zhǔn)與膜狀基底的移動方向正交的方向以支撐膜狀基底；鏈(32A、32B)，其沿著閉環(huán)軌跡接合桿；以及驅(qū)動電機(36A、36B)，其經(jīng)由鏈沿著此環(huán)形軌跡移動桿。
文檔編號G03F7/20GK102449551SQ20108002397
公開日2012年5月9日 申請日期2010年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月5日
發(fā)明者山口麻衣子 申請人:株式會社尼康