專利名稱：光刻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種光刻方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展，半導(dǎo)體芯片向高集成度的方向發(fā)展，而半導(dǎo)體芯片的集成度越高，則半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵尺寸(CD)越小。在半導(dǎo)體制造工藝中，其中一個(gè)重要的工藝就是光刻，光刻是將掩膜版上的圖案轉(zhuǎn)移為晶片上的光刻圖案的工藝過(guò)程，因此光刻的質(zhì)量會(huì)直接影響到最終形成的芯片的性能。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，在對(duì)高密度的掩膜版圖案進(jìn)行曝光，以進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)移時(shí)，很容易產(chǎn)生光學(xué)臨近效應(yīng)(OPE)。OPE的主要表現(xiàn)為光刻圖案的直角轉(zhuǎn)角被圓形化、光刻圖案的直線線寬增加或縮減等。OPE的主要產(chǎn)生原因是掩膜版上距離非常近的圖形被轉(zhuǎn)移成光刻圖案的過(guò)程中，距離非常近的圖形的光波相互作用，例如干涉或衍射，而造成最終形成的光刻圖案與掩膜版圖案不一致，使得光刻圖案失真。為了避免由于OPE導(dǎo)致的光刻圖案失真，現(xiàn)有技術(shù)采用了光學(xué)臨近修正(OPC)方法。OPC的基本原理是對(duì)掩膜版圖案進(jìn)行預(yù)先的修改，使得修改的量能盡量彌補(bǔ)OPE造成的缺陷，然后將經(jīng)過(guò)修改的掩膜版圖案再轉(zhuǎn)移到晶片上形成光刻圖案。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中光刻方法的示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)OPC處理，首先向計(jì)算機(jī)系統(tǒng)輸入原始目標(biāo)圖案，原始目標(biāo)圖案是指理想的圖案，然后采用一系列算法或方法對(duì)原始目標(biāo)圖案進(jìn)行修改即OPC處理，現(xiàn)有技術(shù)中提出了多種修改的算法或方法，例如，在距離非常近的圖形之間增加輔助圖形，所述輔助圖形可以為亞衍射散射條，用于減弱距離非常近的圖形之間的光波的互相作用，其次按照修改后的原始目標(biāo)圖案制作掩膜版，將修改后的原始目標(biāo)圖案轉(zhuǎn)換為掩膜版圖案，最后通過(guò)曝光、顯影的方法將掩膜版上的圖案轉(zhuǎn)移為晶片上的光刻圖案。然而，OPC只是通過(guò)修改掩膜版上的圖案的來(lái)盡量彌補(bǔ)OPE造成的缺陷，并不能完全克服OPE的缺陷，在實(shí)際應(yīng)用中，光刻圖案和原始目標(biāo)圖案之間還是存在差異。圖2為現(xiàn)有技術(shù)中原始目標(biāo)圖案和光刻圖案的輪廓線示意圖，圖2中的左圖為原始目標(biāo)圖案的輪廓線示意圖，左圖僅截取一段圖形作為原始目標(biāo)圖案的輪廓線，將原始目標(biāo)圖案的輪廓線記為若干條直線段組成，例如Fl F8，圖2中的右圖為光刻圖案的輪廓線示意圖，光刻圖案的輪廓線包括若干條直線段或曲線段或帶有波紋的直線段，例如Cl C6。通過(guò)對(duì)比左圖和右圖，可以看出，經(jīng)OPC處理后，直角轉(zhuǎn)角被圓形化的情況沒(méi)有被完全克服，而且在C2和C5 處產(chǎn)生了波紋現(xiàn)象，即應(yīng)該為直線段卻不是直線段，該波紋的產(chǎn)生是由于OPC處理時(shí)加強(qiáng)成像較小特征所需的高空間頻率而自然產(chǎn)生的附加效應(yīng)，也就是說(shuō)，為了加強(qiáng)原始目標(biāo)圖案中的直角轉(zhuǎn)角特征，所帶來(lái)的附加效應(yīng)就是使得直角轉(zhuǎn)角附近的圖形(例如線段F2、F7) 出現(xiàn)失真?？傊?，在現(xiàn)有技術(shù)的光刻方法中，即使經(jīng)OPC處理后，光刻圖案和原始目標(biāo)圖案相比，光刻圖案還是存在一定程度的失真。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種光刻方法，能夠降低光刻圖案的失真程度。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種光刻方法，該方法包括對(duì)原始目標(biāo)圖案進(jìn)行預(yù)處理，形成二次目標(biāo)圖案，所述二次目標(biāo)圖案不包括直角轉(zhuǎn)角；對(duì)二次目標(biāo)圖案進(jìn)行光學(xué)臨近修正OPC處理，形成修改后的二次目標(biāo)圖案；按照修改后的二次目標(biāo)圖案在掩膜版上形成掩膜版圖案；根據(jù)掩膜版圖案對(duì)晶片上的光阻膠PR進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻圖案。所述預(yù)處理的方法包括在原始目標(biāo)圖案的輪廓線上采集多個(gè)點(diǎn)作為采樣點(diǎn)；獲取每個(gè)采樣點(diǎn)的光強(qiáng)；將光強(qiáng)大于預(yù)先設(shè)置的光強(qiáng)閾值的采樣點(diǎn)作為擬合點(diǎn)；根據(jù)擬合點(diǎn)，采用最小二乘方法進(jìn)行曲線擬合，將所擬合的曲線作為二次目標(biāo)圖案的輪廓線，二次目標(biāo)圖案的輪廓線圍繞而成的圖形為二次目標(biāo)圖案。所述預(yù)處理的方法進(jìn)一步包括在原始目標(biāo)圖案的輪廓線上采集多個(gè)點(diǎn)作為采樣點(diǎn)之前，預(yù)先設(shè)定采樣頻率；所述采集點(diǎn)按照采樣頻率所采集。獲取采樣點(diǎn)的光強(qiáng)的方法包括采用當(dāng)前光刻設(shè)備對(duì)原始目標(biāo)圖案進(jìn)行照射，量測(cè)每個(gè)采樣點(diǎn)的光強(qiáng)；或，根據(jù)當(dāng)前光刻設(shè)備的基本參數(shù)建立光刻設(shè)備的數(shù)學(xué)模型，根據(jù)數(shù)學(xué)模型和采樣點(diǎn)在原始目標(biāo)圖案的輪廓線上的位置計(jì)算采樣點(diǎn)的光強(qiáng)。所述預(yù)處理的方法進(jìn)一步包括將所擬合的曲線作為二次目標(biāo)圖案的輪廓線之后，相對(duì)于原始目標(biāo)圖案的位置對(duì)二次目標(biāo)圖案的輪廓線進(jìn)行平移，丟棄超出原始目標(biāo)圖案的輪廓線以外的二次目標(biāo)圖案的輪廓線，保留原始目標(biāo)圖案的輪廓線所包圍的二次目標(biāo)圖案的輪廓線。所述平移為基于原始目標(biāo)圖案的位置向左、右、上或下平移。根據(jù)本發(fā)明所提供的技術(shù)方案，首先對(duì)原始目標(biāo)圖案進(jìn)行了預(yù)處理形成不包括直角轉(zhuǎn)角的二次目標(biāo)圖案，然后再對(duì)二次目標(biāo)圖案進(jìn)行OPC處理形成修改后的二次目標(biāo)圖案，然后按照修改后的二次目標(biāo)圖案在掩膜版上形成掩膜版圖案，最后根據(jù)掩膜版圖案對(duì)晶片上的ra進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻圖案。由于二次目標(biāo)圖案不具備直角轉(zhuǎn)角特征，因此在進(jìn)行OPC處理時(shí)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于加強(qiáng)直角轉(zhuǎn)角特征所帶來(lái)的直角轉(zhuǎn)角附近的圖形出現(xiàn)波紋現(xiàn)象的問(wèn)題，降低了光刻圖案的失真程度。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中光刻方法的示意圖。圖2為現(xiàn)有技術(shù)中原始目標(biāo)圖案和光刻圖案的輪廓線示意圖。圖3為本發(fā)明所提供的一種光刻方法的實(shí)施例的流程圖。
圖4為本發(fā)明中原始目標(biāo)圖案、二次目標(biāo)圖案和光刻圖案的輪廓線的實(shí)施例的示意圖。圖5為本發(fā)明中光刻方法的示意圖。圖6為本發(fā)明中原始目標(biāo)圖案、二次目標(biāo)圖案和光刻圖案的輪廓線的又一實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明所述方案作進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的核心思想為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)原始目標(biāo)圖案直接進(jìn)行OPC處理，將處理后的圖案作為掩膜版圖案，由于OPC處理時(shí)加強(qiáng)了原始目標(biāo)圖案中的直角轉(zhuǎn)角特征，所帶來(lái)的附加效應(yīng)就是使得直角轉(zhuǎn)角附近的圖形可能出現(xiàn)失真；而在本發(fā)明中，首先對(duì)原始目標(biāo)圖案進(jìn)行了預(yù)處理形成不包括直角轉(zhuǎn)角的二次目標(biāo)圖案，然后再對(duì)二次目標(biāo)圖案進(jìn)行OPC 處理，由于二次目標(biāo)圖案不具備直角轉(zhuǎn)角特征，因此在進(jìn)行OPC處理時(shí)，避免了由于加強(qiáng)直角轉(zhuǎn)角特征所帶來(lái)的直角轉(zhuǎn)角附近的圖形出現(xiàn)失真的問(wèn)題。圖3為本發(fā)明所提供的一種光刻方法的實(shí)施例的流程圖。圖4為本發(fā)明中原始目標(biāo)圖案、二次目標(biāo)圖案和光刻圖案的輪廓線的實(shí)施例的示意圖，圖4的左圖為原始目標(biāo)圖案，圖4的中圖為二次目標(biāo)圖案，圖4的右圖為光刻圖案。如圖3和圖4所示，該方法包括步驟301，對(duì)原始目標(biāo)圖案進(jìn)行預(yù)處理，形成二次目標(biāo)圖案。下面對(duì)步驟301中的預(yù)處理方法進(jìn)行介紹。預(yù)處理的方法包括首先，在原始目標(biāo)圖案的輪廓線上采集多個(gè)點(diǎn)作為采樣點(diǎn)，優(yōu)選地，預(yù)先還設(shè)定有采樣頻率，以對(duì)輪廓線上的點(diǎn)進(jìn)行采集，如果實(shí)際情況允許，采樣頻率越高則后續(xù)擬合結(jié)果越精確。其次，獲取每個(gè)采樣點(diǎn)的光強(qiáng)?，F(xiàn)有技術(shù)中已提供了獲取采樣點(diǎn)的光強(qiáng)的方法，例如，獲取光強(qiáng)的方法可以為采用當(dāng)前光刻設(shè)備對(duì)原始目標(biāo)圖案進(jìn)行照射，量測(cè)每個(gè)采樣點(diǎn)的光強(qiáng)，或者，根據(jù)當(dāng)前光刻設(shè)備的基本參數(shù)，例如光源波長(zhǎng)、光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑、照明的相干系數(shù)等建立光刻設(shè)備的數(shù)學(xué)模型，根據(jù)數(shù)學(xué)模型和采樣點(diǎn)在原始目標(biāo)圖案的輪廓線上的位置計(jì)算采樣點(diǎn)的光強(qiáng)。由于現(xiàn)有技術(shù)中已提供了獲取采樣點(diǎn)的光強(qiáng)的方法，此處不再詳細(xì)介紹。然后，將光強(qiáng)大于預(yù)先設(shè)置的光強(qiáng)閾值D的采樣點(diǎn)作為擬合點(diǎn)。光強(qiáng)閾值D的具體數(shù)值沒(méi)有限定，在實(shí)際應(yīng)用中，根據(jù)原始目標(biāo)圖案中直角轉(zhuǎn)角數(shù)量的多少、原始目標(biāo)圖案中圖形的疏密程度等因素，光強(qiáng)閾值D的取值都會(huì)有所不同。最后，根據(jù)擬合點(diǎn)，采用最小二乘方法進(jìn)行曲線擬合，將所擬合的曲線作為二次目標(biāo)圖案的輪廓線，輪廓線圍繞而成的圖形為二次目標(biāo)圖案。其中，根據(jù)擬合點(diǎn)進(jìn)行擬合的具體方法可參考現(xiàn)有技術(shù)中內(nèi)容。經(jīng)擬合后，二次目標(biāo)圖案的輪廓線為高階函數(shù)曲線。經(jīng)過(guò)上述預(yù)處理的二次目標(biāo)圖案不包括直角轉(zhuǎn)角。
步驟302，對(duì)二次目標(biāo)圖案進(jìn)行OPC處理，形成修改后的二次目標(biāo)圖案。OPC處理的方法可參考現(xiàn)有技術(shù)的內(nèi)容。本步驟與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別在于，現(xiàn)有技術(shù)是對(duì)原始目標(biāo)圖案進(jìn)行OPC處理，得到修改后的原始目標(biāo)圖案，本步驟是對(duì)二次目標(biāo)圖案進(jìn)行OPC處理，得到修改后的二次目標(biāo)圖案，OPC處理的方法和現(xiàn)有技術(shù)完全相同，例如，在OPC處理時(shí)依然會(huì)加強(qiáng)成像較小特征所需的高空間頻率，但是，預(yù)處理的二次目標(biāo)圖案已不具備直角轉(zhuǎn)角，也就是說(shuō)，在進(jìn)行預(yù)處理之前，原本的直角轉(zhuǎn)角是具有較小成像特征的圖形的子集，進(jìn)行預(yù)處理之后，具有較小成像特征的圖形已不包括原本的直角轉(zhuǎn)角，因此避免了在原本的直角轉(zhuǎn)角區(qū)域出現(xiàn)失真。步驟303，按照修改后的二次目標(biāo)圖案在掩膜版上形成掩膜版圖案。步驟304，根據(jù)掩膜版圖案對(duì)晶片上的光阻膠(PR)進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻圖案。上述步驟303中所涉及的形成掩膜版圖案的方法以及步驟304中所涉及的形成光刻圖案的方法均與現(xiàn)有技術(shù)相同，此處不再詳述。至此，本流程結(jié)束。為了與現(xiàn)有技術(shù)的光刻方法進(jìn)行清楚地對(duì)比，圖5為本發(fā)明中光刻方法的示意圖。對(duì)比圖1和圖5，可以看出，本發(fā)明和現(xiàn)有技術(shù)的主要區(qū)別點(diǎn)在于現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)原始目標(biāo)圖案直接進(jìn)行OPC處理，將處理后的圖案作為掩膜版圖案，由于OPC處理時(shí)加強(qiáng)了原始目標(biāo)圖案中的直角轉(zhuǎn)角特征，所帶來(lái)的附加效應(yīng)就是使得直角轉(zhuǎn)角附近的圖形可能出現(xiàn)失真；而在本發(fā)明中，首先對(duì)原始目標(biāo)圖案進(jìn)行了預(yù)處理形成二次目標(biāo)圖案，然后再對(duì)二次目標(biāo)圖案進(jìn)行OPC處理，由于二次目標(biāo)圖案不具備直角轉(zhuǎn)角特征，因此在進(jìn)行OPC處理時(shí)， 盡量避免了由于加強(qiáng)直角轉(zhuǎn)角特征所帶來(lái)的直角轉(zhuǎn)角附近的圖形出現(xiàn)失真的問(wèn)題，也就是說(shuō)，在光刻圖案的輪廓線上，直角轉(zhuǎn)角附近的圖形已基本克服了波紋現(xiàn)象。在實(shí)際應(yīng)用中，我們只能盡量使得光刻圖案和原始目標(biāo)圖案接近，但是，光刻圖案和原始目標(biāo)圖案之間的誤差總是存在的，也就是說(shuō)，我們只能盡量降低光刻圖案的失真程度。另外，我們還可進(jìn)一步對(duì)光刻圖案進(jìn)行優(yōu)化。步驟304執(zhí)行完畢后，在光刻圖案的輪廓線上，直角轉(zhuǎn)角附近的圖形已基本克服了波紋現(xiàn)象，我們還可進(jìn)一步對(duì)光刻圖案的輪廓線進(jìn)行調(diào)整。圖6為本發(fā)明中原始目標(biāo)圖案、二次目標(biāo)圖案和光刻圖案的輪廓線的又一實(shí)施例的示意圖，按照從左到右的順序分別記作圖6的第一、二、三、四幅圖，圖6中的第一幅圖為原始目標(biāo)圖案，同圖4的左圖，第二幅圖為二次目標(biāo)圖案，同圖4的中圖，第三幅圖為調(diào)整后的目標(biāo)圖案，第四幅圖為光刻圖案。為了使得光刻圖案更加接近原始目標(biāo)圖案，還可對(duì)預(yù)處理后的二次目標(biāo)圖案進(jìn)行調(diào)整，該方法進(jìn)一步包括，得到二次目標(biāo)圖案的輪廓線后，對(duì)二次目標(biāo)圖案的輪廓線進(jìn)行調(diào)整，所述調(diào)整為基于原始目標(biāo)圖案的位置向左、右、上或下平移，平移的幅度或距離根據(jù)實(shí)際情況而定，調(diào)整后丟棄超出原始目標(biāo)圖案的輪廓線以外的二次目標(biāo)圖案的輪廓線，保留原始目標(biāo)圖案的輪廓線所包圍的二次目標(biāo)圖案的輪廓線，保留的輪廓線切割原始目標(biāo)圖案所形成的圖案為OPC的處理對(duì)象，然后執(zhí)行步驟302。圖6所示是二次目標(biāo)圖案的輪廓線向上平移的情況，圖6中的第三幅圖為向上平移后的二次目標(biāo)圖案的輪廓線，虛線所示區(qū)域?yàn)樵寄繕?biāo)圖案的輪廓線所在的區(qū)域，丟棄超出原始目標(biāo)圖案的輪廓線以外的二次目標(biāo)圖案的輪廓線，保留原始目標(biāo)圖案的輪廓線所包圍的二次目標(biāo)圖案的輪廓線，保留的輪廓線切割原始目標(biāo)圖案所形成的圖案為OPC處理對(duì)象，OPC處理后得到修改后的二次目標(biāo)圖案，再依次按照修改后的二次目標(biāo)圖案形成掩膜版圖案、根據(jù)掩膜版圖案形成光刻圖案(即圖6中的第四幅圖)。由上述的技術(shù)方案可見，本發(fā)明所提供的一種光刻方法包括首先對(duì)原始目標(biāo)圖案進(jìn)行了預(yù)處理形成二次目標(biāo)圖案，然后再對(duì)二次目標(biāo)圖案進(jìn)行OPC處理形成修改后的二次目標(biāo)圖案，然后按照修改后的二次目標(biāo)圖案在掩膜版上形成掩膜版圖案，最后根據(jù)掩膜版圖案對(duì)晶片上的I3R進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻圖案。由于二次目標(biāo)圖案不具備直角轉(zhuǎn)角特征，因此在進(jìn)行OPC處理時(shí)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于加強(qiáng)直角轉(zhuǎn)角特征所帶來(lái)的直角轉(zhuǎn)角附近的圖形出現(xiàn)波紋現(xiàn)象的問(wèn)題，降低了光刻圖案的失真程度。以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種光刻方法，該方法包括對(duì)原始目標(biāo)圖案進(jìn)行預(yù)處理，形成二次目標(biāo)圖案，所述二次目標(biāo)圖案不包括直角轉(zhuǎn)角；對(duì)二次目標(biāo)圖案進(jìn)行光學(xué)臨近修正OPC處理，形成修改后的二次目標(biāo)圖案；按照修改后的二次目標(biāo)圖案在掩膜版上形成掩膜版圖案；根據(jù)掩膜版圖案對(duì)晶片上的光阻膠PR進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理的方法包括 在原始目標(biāo)圖案的輪廓線上采集多個(gè)點(diǎn)作為采樣點(diǎn)；獲取每個(gè)采樣點(diǎn)的光強(qiáng)；將光強(qiáng)大于預(yù)先設(shè)置的光強(qiáng)閾值的采樣點(diǎn)作為擬合點(diǎn)；根據(jù)擬合點(diǎn)，采用最小二乘方法進(jìn)行曲線擬合，將所擬合的曲線作為二次目標(biāo)圖案的輪廓線，二次目標(biāo)圖案的輪廓線圍繞而成的圖形為二次目標(biāo)圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理的方法進(jìn)一步包括在原始目標(biāo)圖案的輪廓線上采集多個(gè)點(diǎn)作為采樣點(diǎn)之前，預(yù)先設(shè)定采樣頻率；所述采集點(diǎn)按照采樣頻率所采集。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，獲取采樣點(diǎn)的光強(qiáng)的方法包括 采用當(dāng)前光刻設(shè)備對(duì)原始目標(biāo)圖案進(jìn)行照射，量測(cè)每個(gè)采樣點(diǎn)的光強(qiáng)；或，根據(jù)當(dāng)前光刻設(shè)備的基本參數(shù)建立光刻設(shè)備的數(shù)學(xué)模型，根據(jù)數(shù)學(xué)模型和采樣點(diǎn)在原始目標(biāo)圖案的輪廓線上的位置計(jì)算采樣點(diǎn)的光強(qiáng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理的方法進(jìn)一步包括將所擬合的曲線作為二次目標(biāo)圖案的輪廓線之后，相對(duì)于原始目標(biāo)圖案的位置對(duì)二次目標(biāo)圖案的輪廓線進(jìn)行平移，丟棄超出原始目標(biāo)圖案的輪廓線以外的二次目標(biāo)圖案的輪廓線，保留原始目標(biāo)圖案的輪廓線所包圍的二次目標(biāo)圖案的輪廓線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述平移為基于原始目標(biāo)圖案的位置向左、右、上或下平移。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻方法，該方法包括對(duì)原始目標(biāo)圖案進(jìn)行預(yù)處理，形成二次目標(biāo)圖案，所述二次目標(biāo)圖案不包括直角轉(zhuǎn)角；對(duì)二次目標(biāo)圖案進(jìn)行OPC處理，形成修改后的二次目標(biāo)圖案；按照修改后的二次目標(biāo)圖案在掩膜版上形成掩膜版圖案；根據(jù)掩膜版圖案對(duì)晶片上的PR進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻圖案。采用本發(fā)明公開的方法能夠降低光刻圖案的失真程度。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102486606SQ20101057202
公開日2012年6月6日 申請(qǐng)日期2010年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月3日
發(fā)明者王偉斌, 王輝 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司