專利名稱：Tft-lcd及其驅(qū)動(dòng)方法和彩膜基板制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明實(shí)施例涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器 (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)及其驅(qū)動(dòng)方法和彩膜基板制造方法。
背景技術(shù)：
液晶面板包括彩膜基板和陣列基板，彩膜基板上設(shè)置有透明電極，彩膜基板上的透明電極和陣列基板上的像素電極之間形成的電壓差可以驅(qū)動(dòng)夾設(shè)在這兩個(gè)基板之間的液晶分子偏轉(zhuǎn)。如圖Ia所示為現(xiàn)有技術(shù)中液晶分子的一種排布方式，圖Ib所示為現(xiàn)有技術(shù)中液晶分子的另一種排布方式。圖Ia和圖Ib所示的是TN型液晶顯示器中的液晶分子的排布。 將彩膜基板上的透明電極和陣列基板上的像素電極之間形成的電壓差稱為VLC。當(dāng)VLC為 0時(shí)，在取向?qū)拥淖饔孟?，靠近取向?qū)拥囊壕Х肿友刂Σ练较蚺挪?，上下摩擦取向?0度角，液晶分子呈螺旋狀上升排列，如圖Ia所示，此時(shí)液晶面板呈現(xiàn)白畫面。當(dāng)VLC不為0時(shí)， 液晶分子在VLC的作用下產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)，如圖Ib所示，此時(shí)液晶面板呈現(xiàn)黑畫面。在液晶面板從黑畫面(即最低灰階)變化到白畫面(即最高灰階)的過程中，光的透過率從10%上升到90%，此段時(shí)間稱為上升時(shí)間(簡稱為ton)。在液晶面板從白畫面變化到黑畫面的過程中，光的透過率從90%下降到10%，此段時(shí)間稱為下降時(shí)間(簡稱為 toff)。液晶面板的響應(yīng)時(shí)間是ton和toff的總和。如圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)中液晶面板的上升時(shí)間和下降時(shí)間與光的透過率的關(guān)系圖，圖2中橫坐標(biāo)為時(shí)間t，縱坐標(biāo)為透過率Tr。對于液晶面板而言，理論上來講，響應(yīng)時(shí)間應(yīng)當(dāng)是越短越好，然而，實(shí)際應(yīng)用中，由于諸多因素的影響，例如旋轉(zhuǎn)粘度、彈性系數(shù)、盒厚、溫度以及驅(qū)動(dòng)方式等，液晶面板通常都有較長的響應(yīng)時(shí)間。如果響應(yīng)時(shí)間太長，則會(huì)嚴(yán)重影響液晶面板的顯示效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT-LCD及其驅(qū)動(dòng)方法和彩膜基板制造方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中液晶面板響應(yīng)時(shí)間長而影響顯示效果的問題，減小液晶面板的響應(yīng)時(shí)間。本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT-IXD，包括彩膜基板和陣列基板，所述彩膜基板上黑矩陣所在區(qū)域形成有第一條形電極和第二條形電極，所述第一條形電極和第二條形電極圍設(shè)的區(qū)域包括至少一個(gè)子像素區(qū)域，所述第一條形電極和第二條形電極電隔離。本發(fā)明還提供了一種如前所述的TFT-IXD中的彩膜基板的制造方法，包括形成彩色濾色膜的步驟，還包括在黑矩陣所在區(qū)域，形成第一條形電極和第二條形電極。本發(fā)明還提供了一種如前所述的TFT-IXD的驅(qū)動(dòng)方法，包括在子像素區(qū)域的薄膜晶體管打開后，像素電極上施加數(shù)據(jù)信號之前，向第一條形電極和第二條形電極上施加信號，使得所述第一條形電極和第二條形電極之間形成水平電場；
在所述像素電極上施加數(shù)據(jù)信號之后，在所述子像素區(qū)域的薄膜晶體管關(guān)斷之前，撤去所述第一條形電極和第二條形電極上的信號。本發(fā)明提供的TFT-LCD及其驅(qū)動(dòng)方法和彩膜基板制造方法，在彩膜基板上黑矩陣區(qū)域設(shè)置有第一條形電極和第二條形電極，第一條形電極和第二條形電極之間電隔離，這樣，當(dāng)?shù)谝粭l形電極和第二條形電極上施加信號時(shí)，能夠在第一條形電極和第二條形電極之間形成水平電場，該水平電場可以減小液晶顯示器的響應(yīng)時(shí)間。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖Ia所示為現(xiàn)有技術(shù)中液晶分子的一種排布方式；圖Ib所示為現(xiàn)有技術(shù)中液晶分子的另一種排布方式；圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)中液晶面板的上升時(shí)間和下降時(shí)間與光的透過率的關(guān)系圖；圖3所示為本發(fā)明TFT-IXD的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4所示為圖3中彩膜基板的平面示意圖；圖5所示為本發(fā)明中各個(gè)信號的一種時(shí)序圖；圖6所示為本發(fā)明中液晶分子在第一條形電極和第二條形電極形成的水平電場作用下偏轉(zhuǎn)的示意圖；圖7所示為本發(fā)明中液晶分子在第一條形電極和第二條形電極形成的水平電場作用下恢復(fù)到原始狀態(tài)的示意圖；圖8所示為本發(fā)明中各個(gè)信號的另一種時(shí)序圖；圖9所示為本發(fā)明TFT-IXD中彩膜基板的制造方法第一實(shí)施例的流程圖；圖10所示為本發(fā)明TFT-IXD的驅(qū)動(dòng)方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。如圖3所示為本發(fā)明TFT-IXD第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，該TFT-IXD包括彩膜基板1和陣列基板2，彩膜基板1和陣列基板2之間夾設(shè)有液晶。在彩膜基板1的黑矩陣11 所在區(qū)域形成有第一條形電極12和第二條形電極13。第一條形電極12和第二條形電極 13圍設(shè)的區(qū)域包括至少一個(gè)子像素區(qū)域，第一條形電極12和第二條形電極13電隔離。如圖4所示為圖3中彩膜基板的平面示意圖。圖4中，第一條形電極12和第二條形電極13交錯(cuò)排布，形成類似于魚骨的形狀。第一條形電極12和第二條形電極13圍設(shè)區(qū)域包括至少一個(gè)子像素區(qū)域。通常一個(gè)像素區(qū)域包括紅、綠、藍(lán)三個(gè)子像素區(qū)域，第一條形電極12和第二條形電極13交錯(cuò)排布圍設(shè)而成的區(qū)域可以包括一個(gè)子像素區(qū)域；也可以包括三個(gè)子像素區(qū)域，即第一條形電極12和第二條形電極13圍設(shè)而成的區(qū)域包括一個(gè)像素區(qū)域。第一條形電極12和第二條形電極13交錯(cuò)排布圍設(shè)而成的區(qū)域可以包括更多個(gè)子像素區(qū)域，即第一條形電極12和第二條形電極13的排布較為稀疏。圖3所示的TFT-IXD還可以包括驅(qū)動(dòng)電路3，該驅(qū)動(dòng)電路3與第一條形電極12和第二條形電極13連接，用于在子像素區(qū)域的薄膜晶體管打開后，像素電極上施加數(shù)據(jù)信號之前，向第一條形電極12和第二條形電極13施加信號，使得第一條形電極和第二條形電極之間形成水平電場。該驅(qū)動(dòng)電路4還可以用于在像素電極上施加數(shù)據(jù)信號之后，在子像素區(qū)域的薄膜晶體管關(guān)斷之前，撤去第一條形電極和第二條形電極上的信號。下面詳細(xì)介紹本發(fā)明TFT-IXD的工作原理。在TN型的TFT-IXD中，在液晶顯示器從黑畫面變化到白畫面的時(shí)間ton內(nèi)，液晶分子從如圖Ib所示的狀態(tài)變化到如圖Ia所示的狀態(tài)。在液晶顯示器從白畫面變化到黑畫面的時(shí)間toff內(nèi)，液晶分子從如圖Ia所示的狀態(tài)變化到如圖Ib所示的狀態(tài)，toff與許多因素有關(guān)，例如旋轉(zhuǎn)粘度、彈性系數(shù)、盒厚、溫度以及驅(qū)動(dòng)方式等等。如圖5所示為本發(fā)明中各個(gè)信號的一種時(shí)序圖。GATCn為第η行柵線的驅(qū)動(dòng)信號， Vpixel為第η行子像素的像素電極上施加的信號，Vcom為彩膜基板上的公共電極上施加的信號，Ebar為彩膜基板上的第一條形電極和第二條形電極上施加的信號形成的電壓差。數(shù)據(jù)線上的信號施加到像素電極上稱為Vpixel，Vpixel是直接控制畫面的信號。 當(dāng)一幀圖像的數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)信號到來之前，一行子像素的柵線上的電壓會(huì)升高，以第η 行子像素為例，第η行柵線上的信號GATCn的上升沿到來的時(shí)刻Tl要早于數(shù)據(jù)線上的信號到來的時(shí)刻。從Tl時(shí)刻開始，第η行子像素的薄膜晶體管打開，從Τ3時(shí)刻開始，像素電極上開始施加數(shù)據(jù)信號。數(shù)據(jù)信號施加到像素電極上成為Vpixel的過程很快，為亞毫秒量級。 當(dāng)像素電極上施加信號完成后，VLC就產(chǎn)生了，在VLC的作用下液晶分子開始偏轉(zhuǎn)或恢復(fù)初始狀態(tài)(例如，從圖Ib所示的狀態(tài)恢復(fù)到圖Ia的狀態(tài))。液晶分子偏轉(zhuǎn)或恢復(fù)所需的時(shí)間很長，為毫秒量級。下面分析第一條形電極和第二條形電極之間形成的水平電場對于ton的影響。當(dāng)?shù)贜幀時(shí)第η行子像素中的某個(gè)子像素M對應(yīng)于黑畫面，在第Ν+1幀時(shí)，該子像素M對應(yīng)于白畫面。在時(shí)刻Tl，GATEn變?yōu)楦唠娖?。在時(shí)刻Τ3，數(shù)據(jù)線上的信號達(dá)到，開始施加到像素電極上，在亞毫秒量級的時(shí)間內(nèi)，像素電極上的信號達(dá)到所需電壓。在本發(fā)明實(shí)施例中，在時(shí)刻Tl和Τ3之間(大約5微秒)，驅(qū)動(dòng)電路向第一條形電極和第二條形電極施加信號，使得第一條形電極和第二條形電極之間形成水平電場。在時(shí)刻Tl和Τ2之間，液晶分子沒有發(fā)生偏轉(zhuǎn)。m^ar在時(shí)刻T2產(chǎn)生之后，液晶分子在m^ar的作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)。具體地，在時(shí)刻T2到時(shí)刻T3之間，對于子像素M而言，像素電極上仍然存在第N幀施加的信號(對應(yīng)于最低灰階)，此時(shí)VLC與K3ar同時(shí)存在，可以使得K3ar與VLC為同一數(shù)量級，這樣，液晶分子在垂直和水平電場的復(fù)合作用下不再完全垂直，而是呈現(xiàn)一定的預(yù)傾角。如圖6所示為本發(fā)明中液晶分子在第一條形電極和第二條形電極形成的水平電場作用下偏轉(zhuǎn)的示意圖。在時(shí)刻T3到時(shí)刻T5之間，例如，在時(shí)刻T4撤掉第一條形電極和第二條形電極上的信號。時(shí)刻T5是GATCn變?yōu)榈碗娖降臅r(shí)刻，即，第η行子像素的薄膜晶體管關(guān)斷的時(shí)刻。在時(shí)刻T3到時(shí)刻T4之間，VLC為0，此時(shí)m^ar起主要作用，液晶分子在K^ar和彈性力的雙重作用下開始恢復(fù)到原始狀態(tài)，由于在時(shí)刻T2到T3之間已經(jīng)形成了預(yù)傾角，因此，可以減小液晶分子恢復(fù)到原始狀態(tài)所需的時(shí)間，即，減小ton。如圖7所示為本發(fā)明中液晶分子在第一條形電極和第二條形電極形成的水平電場作用下恢復(fù)到原始狀態(tài)的示意圖。在本發(fā)明中m^ar可以是一個(gè)常數(shù)，圖5中，時(shí)刻T2和時(shí)刻T3的間隔應(yīng)該盡量長， 保證液晶分子充分形成預(yù)傾角，大約可以是3 5微秒。時(shí)刻T3和時(shí)刻T4之間的間隔不應(yīng)太長，較佳地，可以不大于1毫秒，防止長時(shí)間地影響液晶盒內(nèi)的電場分布，影響顯示器的灰階表現(xiàn)。由于時(shí)刻T2和T4之間的間隔短，為了加速液晶分子的回復(fù)，K3ar可以選擇較大的值，Ebar值可以為至少三倍于VLC的值，這樣能產(chǎn)生足夠大的電場，改變盒內(nèi)電場。圖8所示為本發(fā)明中各個(gè)信號的另一種時(shí)序圖。下面分析第一條形電極和第二條形電極之間形成的水平電場對toff的影響。當(dāng)?shù)贜幀時(shí)第η行子像素中的某個(gè)子像素M對應(yīng)于白畫面(最高灰階)，在第Ν+1 幀時(shí)，該子像素M對應(yīng)于黑畫面(最低灰階)。在時(shí)刻Tl，GATCn變?yōu)楦唠娖健Ｔ跁r(shí)刻Τ3， 數(shù)據(jù)線上的信號達(dá)到，開始施加到像素電極上，在亞毫秒量級的時(shí)間內(nèi)，像素電極上的信號達(dá)到所需電壓。在本發(fā)明中，在時(shí)刻Tl和Τ3之間(大約5微秒)，驅(qū)動(dòng)電路向第一條形電極和第二條形電極施加信號。在時(shí)刻Tl和Τ2之間，液晶分子處于圖Ia所示的狀態(tài)。第一條形電極和第二條形電極之間的水平電場在時(shí)刻Τ2產(chǎn)生之后，水平電場會(huì)阻礙液晶分子的偏轉(zhuǎn)。具體地，在時(shí)刻Τ2到時(shí)刻Τ3之間，對于子像素M而言，像素電極上仍然存在第N幀施加的信號(對應(yīng)于最高灰階)，此時(shí)VLC為0，液晶分子在大小為0的垂直電場VLC和大小不為0的水平電場 Ebar的作用下保持原始狀態(tài)。在時(shí)刻Τ3到時(shí)刻Τ5之間，例如，在時(shí)刻Τ4撤掉第一條形電極和第二條形電極上的信號。時(shí)刻Τ5是GATCn變?yōu)榈碗娖降臅r(shí)刻，即，第η行子像素的薄膜晶體管關(guān)斷的時(shí)刻。 在時(shí)刻Τ3到時(shí)刻Τ4之間，VLC不為0，此時(shí)第一條形電極和第二條形電極之間的水平電場與像素電極和彩膜基板上的透明電極之間的垂直電場共同起作用，液晶分子在水平電場和垂直電場的雙重作用下開始偏轉(zhuǎn)，然而水平電場在這個(gè)階段對于液晶分子的偏轉(zhuǎn)起到阻礙作用，因此，增大了液晶分子偏轉(zhuǎn)到如圖Ib所示的狀態(tài)所需的時(shí)間，S卩，增大了 toff。對于ton而言，第一條形電極和第二條形電極之間形成的水平電場在時(shí)刻T2到時(shí)刻T3之間產(chǎn)生，而該階段內(nèi)VLC不為0，待新的灰階施加在像素電極上后，VLC為0，此時(shí)液晶分子在VLC和大小不為0的水平電場m^ar的作用下回復(fù)加速(因?yàn)閙^ar比VLC大，因此 Ebar對ton的影響較大)。假設(shè)第一條形電極和第二條形電極之間形成的水平電場對ton 的減小系數(shù)為kl，現(xiàn)有技術(shù)中彩膜基板上沒有設(shè)置第一條形電極和第二條形電極時(shí)ton取值為P1，那么，本發(fā)明中的ton取值為(l-kl)*Pl。對于toff而言，第一條形電極和第二條形電極之間形成的水平電場在時(shí)刻T2和時(shí)刻T3之間產(chǎn)生，而該階段VLC為0，待新的灰階施加在像素電極上后，即時(shí)刻T3之后， VLC不為0，此時(shí)液晶分子在大小不為0的VLC和水平電場m^ar的共同作用下旋轉(zhuǎn)上升減速，相比ton時(shí)VLC為0時(shí)的加速作用，m^ar對toff的影響較小。假設(shè)第一條形電極和第二條形電極之間形成的水平電場對toff的增加系數(shù)為k2，現(xiàn)有技術(shù)中彩膜基板上沒有
7設(shè)置第一條形電極和第二條形電極時(shí)toff的取值為P2，那么，本發(fā)明中的toff的取值為 (l+k2)*P20本發(fā)明中液晶顯示器的響應(yīng)時(shí)間為(l_kl)*Pl+(l+k2)*P2，現(xiàn)有技術(shù)中彩膜基板上沒有設(shè)置第一條形電極和第二條形電極時(shí)液晶顯示器的響應(yīng)時(shí)間為P1+P2。對于TN型液晶顯示器來說，通常Pl大于P2，而kl大于k2因此，(1-kl) *P1+ (l+k2) *P2小于P1+P2。通過上述的分析可以看出，本發(fā)明提供的TFT-IXD，在彩膜基板上黑矩陣區(qū)域設(shè)置有第一條形電極和第二條形電極，第一條形電極和第二條形電極之間電隔離，這樣，當(dāng)?shù)谝粭l形電極和第二條形電極上施加信號時(shí)，能夠在第一條形電極和第二條形電極之間形成水平電場，該水平電場可以減小液晶顯示器的響應(yīng)時(shí)間。本發(fā)明的這種TFT-IXD，無需通過設(shè)置多種方向的取向?qū)有纬奢^大預(yù)傾角的方式來減小液晶顯示器的響應(yīng)時(shí)間，結(jié)構(gòu)簡單，制造工藝簡單。在本發(fā)明TFT-IXD中，第一條形電極和第二條形電極可以外覆蓋彈性支撐材料， 使得第一條形電極和第二條形電極既能形成水平電場，又能兼作隔墊物。液晶顯示器的陣列基板上沉積有TFT，TFT具有一定的高度。另外，第一條形電極和第二條形電極外覆蓋的彈性支撐材料在收到擠壓時(shí)會(huì)收縮，存在一定的收縮系數(shù)，該收縮系數(shù)可以根據(jù)具體的材料來確定，例如可以是0.8等數(shù)值。基于此，第一條形電極和第二條形電極的高度可以等于盒厚減去陣列基板上TFT的高度，再減去彈性支撐材料厚度與彈性支撐材料的收縮系數(shù)的乘積。本發(fā)明提供的TFT-IXD彩膜基板的制造方法包括形成彩色濾色膜的步驟，還包括在黑矩陣所在區(qū)域，形成第一條形電極和第二條形電極。具體地，在形成第一條形電極和第二條形電極之后還可以包括在基板上形成黑矩陣。形成彩色濾色膜的步驟可以在形成黑矩陣之后執(zhí)行，在形成彩色濾色膜之后還可以在基板上形成透明電極。如圖9所示為本發(fā)明TFT-IXD中彩膜基板的制造方法第一實(shí)施例的流程圖，包括
步驟201、在基板上沉積金屬薄膜，在黑矩陣所在區(qū)域，形成第一條形電極和第二條形電極。具體地，首先對基板進(jìn)行清洗，在基板上沉積一層金屬薄膜，金屬材料可以是Cr 等。再清洗基板，采用掩模板對光刻膠進(jìn)行曝光，然后刻蝕，去除光刻膠，形成第一條形電極和第二條形電極。步驟202、在經(jīng)過步驟201后的基板上形成黑矩陣。具體地，將經(jīng)過步驟201之后的基板進(jìn)行清洗，在基板上形成含有黑色顏料的光敏樹脂等材料，采用掩模板對光刻膠進(jìn)行曝光，然后刻蝕，去除光刻膠，形成黑矩陣。步驟203、在經(jīng)過步驟202之后的基板上形成彩色濾色膜。具體地，將經(jīng)過步驟202之后的基板進(jìn)行清洗，在基板上形成紅色濾色膜；再清洗基板，在基板上形成綠色濾色膜；再清洗基板，在基板上形成藍(lán)色濾色膜。步驟204、在經(jīng)過步驟203之后的基板上形成透明電極。具體地，將經(jīng)過步驟203之后的基板進(jìn)行清洗，在基板上形成覆蓋層，再沉積一層
8透明導(dǎo)電薄膜，例如氧化銦錫(簡稱ΙΤ0)薄膜，采用掩模板對光刻膠進(jìn)行曝光，然后刻蝕， 去除光刻膠，形成透明電極。對于如圖3所示的TFT-IXD，經(jīng)過步驟204之后，還可以包括形成隔墊物的步驟。 對于如圖6所示的TFT-LCD，可以在步驟201中，在基板上形成第一條形電極和第二條形電極之后，再沉積一層彈性支撐材料，使得彈性支撐材料外覆在第一條形電極和第二條形電極上，形成能夠兼作隔墊物的第一條形電極和第二條形電極。彈性支撐材料可以是樹脂類材料，可以采用沉積工藝覆蓋在第一條形電極和第二條形電極上。如圖10所示為本發(fā)明TFT-IXD的驅(qū)動(dòng)方法的流程圖，包括步驟101、在子像素區(qū)域的薄膜晶體管打開后，像素電極上施加數(shù)據(jù)信號之前，向第一條形電極和第二條形電極上施加信號，使得第一條形電極和第二條形電極之間形成水平電場。步驟102、在像素電極上施加數(shù)據(jù)信號之后，在子像素區(qū)域的薄膜晶體管關(guān)斷之前，撤去第一條形電極和第二條形電極上的信號。在步驟101中，第一條形電極和第二條形電極之間的電壓差可以為三倍以上的 VLC的值?？紤]到第一條形電極和第二條形電極之間的水平電場對于toff有阻礙作用，為了減小這種阻礙作用，可以使用過驅(qū)動(dòng)技術(shù)，即在像素電極上施加數(shù)據(jù)信號之后，在子像素區(qū)域的薄膜晶體管關(guān)斷之前，增大垂直電場，使得此期間VLC大于K3ar ；而在子像素區(qū)域的薄膜晶體管打開后，像素電極上施加數(shù)據(jù)信號之前，使得m^ar為三倍以上的VLC的值。具體地，可以使得在時(shí)刻Tl和T3之間施加的m^ar為三倍以上的VLC的值，在時(shí)刻T3和T4 之間，使得VLC為m^ar的1 2倍。本發(fā)明提供的TFT-IXD驅(qū)動(dòng)方法，子像素區(qū)域的薄膜晶體管打開后，像素電極上施加數(shù)據(jù)信號之前，驅(qū)動(dòng)電路向第一條形電極和第二條形電極上施加信號，使得第一條形電極和第二條形電極之間形成水平電場，該階段形成的水平電場能夠減小ton，但是會(huì)增大 toff。然而對于ton的減小作用要大于對toff的增大作用，總體來看，第一條形電極和第二條形電極之間形成的水平電場能夠減小液晶顯示器的響應(yīng)時(shí)間。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種TFT-IXD，包括彩膜基板和陣列基板，其特征在于，所述彩膜基板上黑矩陣所在區(qū)域形成有第一條形電極和第二條形電極，所述第一條形電極和第二條形電極圍設(shè)的區(qū)域包括至少一個(gè)子像素區(qū)域，所述第一條形電極和第二條形電極電隔離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD，其特征在于，所述第一條形電極和第二條形電極外覆彈性支撐材料，所述第一條形電極和第二條形電極兼作隔墊物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-LCD，其特征在于，所述第一條形電極和第二條形電極的高度等于盒厚減去陣列基板上TFT的高度，再減去彈性支撐材料厚度與彈性支撐材料的收縮系數(shù)的乘積。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD，其特征在于，所述第一條形電極和第二條形電極交錯(cuò)排布。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一權(quán)利要求所述的TFT-IXD，其特征在于，還包括驅(qū)動(dòng)電路， 與所述第一條形電極和第二條形電極連接，用于在子像素區(qū)域的薄膜晶體管打開后，像素電極上施加數(shù)據(jù)信號之前，向所述第一條形電極和第二條形電極施加信號，使得所述第一條形電極和第二條形電極之間形成水平電場。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT-LCD，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路還用于在所述像素電極上施加數(shù)據(jù)信號之后，在所述子像素區(qū)域的薄膜晶體管關(guān)斷之前，撤去所述第一條形電極和第二條形電極上的信號。
7.一種如權(quán)利要求1-6中任一權(quán)利要求所述的TFT-LCD中的彩膜基板的制造方法，包括形成彩色濾色膜的步驟，其特征在于，還包括在黑矩陣所在區(qū)域，形成第一條形電極和第二條形電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TFT-LCD中的彩膜基板的制造方法，其特征在于，在形成第一條形電極和第二條形電極之后還包括在基板上形成黑矩陣。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-LCD中的彩膜基板的制造方法，其特征在于，形成彩色濾色膜的步驟在形成黑矩陣之后執(zhí)行，在形成彩色濾色膜之后還在基板上形成透明電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求7-9中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，還包括在基板上通過沉積工藝形成彈性支撐材料，使得所述彈性支撐材料外覆在所述第一條形電極和第二條形電極上。
11.一種如權(quán)利要求1-6中任一權(quán)利要求所述的TFT-IXD的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括在子像素區(qū)域的薄膜晶體管打開后，像素電極上施加數(shù)據(jù)信號之前，向第一條形電極和第二條形電極上施加信號，使得所述第一條形電極和第二條形電極之間形成水平電場；在所述像素電極上施加數(shù)據(jù)信號之后，在所述子像素區(qū)域的薄膜晶體管關(guān)斷之前，撤去所述第一條形電極和第二條形電極上的信號。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的TFT-LCD的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述第一條形電極和第二條形電極上施加信號的電壓差為像素電極和彩膜基板上的公共電極之間的電壓差的三倍以上。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的TFT-LCD的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在子像素區(qū)域的薄膜晶體管打開后，像素電極上施加數(shù)據(jù)信號之前，所述第一條形電極和第二條形電極上施加信號的電壓差為像素電極和彩膜基板上的公共電極之間的電壓差的三倍以上；在所述像素電極上施加數(shù)據(jù)信號之后，在所述子像素區(qū)域的薄膜晶體管關(guān)斷之前，所述像素電極和彩膜基板上的公共電極之間的電壓差大于所述第一條形電極和第二條形電極上施加信號的電壓差。
全文摘要
本發(fā)明提供一種TFT-LCD及其驅(qū)動(dòng)方法和彩膜基板制造方法，其中TFT-LCD包括彩膜基板和陣列基板，所述彩膜基板上黑矩陣所在區(qū)域形成有第一條形電極和第二條形電極，所述第一條形電極和第二條形電極圍設(shè)的區(qū)域包括至少一個(gè)子像素區(qū)域，包圍各子像素區(qū)域，所述第一條形電極和第二條形電極電隔離。本發(fā)明提供的TFT-LCD及其驅(qū)動(dòng)方法和彩膜基板制造方法，當(dāng)?shù)谝粭l形電極和第二條形電極上施加信號時(shí)，能夠在第一條形電極和第二條形電極之間形成水平電場，該水平電場可以減小液晶顯示器的響應(yīng)時(shí)間。
文檔編號G02F1/133GK102466923SQ20101053201
公開日2012年5月23日 申請日期2010年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月29日
發(fā)明者徐曉玲, 朱劍磊, 柳在健 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司