專利名稱：一種雙曝光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制程領(lǐng)域，特別涉及一種用于雙曝光工藝的掩模版承版臺(tái)及其 光刻設(shè)備和雙曝光方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中的光刻裝置，主要用于集成電路IC或其它微型器件的制造。通過光刻 裝置，具有不同掩模圖案的多層掩模在精確對(duì)準(zhǔn)下依次成像在涂覆有光刻膠的晶片上，例 如半導(dǎo)體晶片或LCD板。光刻裝置大體上分為兩類，一類是步進(jìn)光刻裝置，掩模圖案一次曝 光成像在晶片的一個(gè)曝光區(qū)域，隨后晶片相對(duì)于掩模移動(dòng)，將下一個(gè)曝光區(qū)域移動(dòng)到掩模 圖案和投影物鏡下方，再一次將掩模圖案曝光在晶片的另一曝光區(qū)域，重復(fù)這一過程直到 晶片上所有曝光區(qū)域都擁有掩模圖案的像。另一類是步進(jìn)掃描光刻裝置，在上述過程中，掩 模圖案不是一次曝光成像，而是通過投影光場的掃描移動(dòng)成像。在掩模圖案成像過程中，掩 模與晶片同時(shí)相對(duì)于投影系統(tǒng)和投影光束移動(dòng)。目前，光刻設(shè)備大多采用每批硅片曝光后更換一次掩模版的方式，即一個(gè)掩模圖 案對(duì)應(yīng)一批硅片曝光之后，再更換另一個(gè)掩模圖案，每個(gè)掩模圖案對(duì)應(yīng)集成電路上的一層 電路。但是，當(dāng)同一層上圖案的差別較大或是密度極大的情況下掩模版的制備非常困難。請(qǐng) 參見圖1，其所示為現(xiàn)有技術(shù)中硅片曝光形成的圖形。設(shè)計(jì)在硅片上顯影出L型的線條，如 果采用一塊掩模版單獨(dú)曝光完成，則所形成的圖形在L拐角處會(huì)有圓角產(chǎn)生，影響線條質(zhì) 量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中由于一次曝光由于圖形的復(fù)雜程度和密度的原因所 造成的成像不精準(zhǔn)的問題。有鑒于此，本發(fā)明提供一種雙曝光對(duì)準(zhǔn)掃描曝光的方法，包括以下步驟(1)利用 光源通過投影鏡頭形成主光軸；(2)將第一掩模版和第二掩模版放在承版臺(tái)上；(3)進(jìn)行所 述掩模版對(duì)準(zhǔn)；(4)進(jìn)行離軸硅片對(duì)準(zhǔn)，將硅片放置在承片臺(tái)上；(5)將所述硅片移動(dòng)到所 述主光軸位置；(6)利用所述承版臺(tái)帶動(dòng)所述第一掩模版運(yùn)動(dòng)到所述主光軸位置，將第一 掩模版的圖形曝光成像在所述硅片上；(7)利用所述承版臺(tái)帶動(dòng)所述第二掩模版運(yùn)動(dòng)到所 述主光軸位置，將第二掩模版的圖形曝光成像在所述硅片上。進(jìn)一步的，所述步驟(3)具體包括在所述承版臺(tái)上固定對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，在所述第一掩 模版和第二掩模版上設(shè)置有標(biāo)記，在所述承片臺(tái)上固定有基準(zhǔn)標(biāo)記；將所述承片臺(tái)移動(dòng)到 預(yù)先設(shè)計(jì)位置，沿第一掃描方向移動(dòng)所述承版臺(tái)，使所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與所述基準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，并 記錄下所述承版臺(tái)的坐標(biāo)和所述承片臺(tái)的第一位置坐標(biāo)；建立起所述承版臺(tái)與所述基準(zhǔn)標(biāo)記之間的關(guān)系；沿第一掃描方向移動(dòng)所述承版臺(tái)，將所述第一掩模版標(biāo)記與所述基準(zhǔn)標(biāo)記 對(duì)準(zhǔn)；沿第一掃描方向移動(dòng)所述承版臺(tái)，將所述第二掩模版標(biāo)記與所述基準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；建 立起所述承版臺(tái)、所述第一掩模版和第二掩模版、所述基準(zhǔn)標(biāo)記之間的坐標(biāo)關(guān)系。進(jìn)一步的，所述步驟(4)具體包括將所述承片臺(tái)移動(dòng)到離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)下，使所述 離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)中的參考標(biāo)記與所述承片臺(tái)的基準(zhǔn)標(biāo)記重合；記錄所述承片臺(tái)的第二位置坐 標(biāo)；建立起所述基準(zhǔn)標(biāo)記與所述參考標(biāo)記之間的坐標(biāo)關(guān)系；通過所記錄的所述承片臺(tái)的第 一及第二位置坐標(biāo)，計(jì)算出所述離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的光軸與所述主光軸之間的距離；將所述的 距離作為基線，建立起所述承片臺(tái)與所述承版臺(tái)之間的坐標(biāo)關(guān)系。利用所述承片臺(tái)將所述 硅片運(yùn)送至所述離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的對(duì)準(zhǔn)范圍內(nèi)；將所述離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的參考標(biāo)記與所述硅片 標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；建立起所述硅片與所述承片臺(tái)的基準(zhǔn)標(biāo)記之間的關(guān)系。綜上所述，本發(fā)明所采用的雙曝光的技術(shù)，利用掩模版承版臺(tái)將兩塊不同的掩模 版依次在同一個(gè)涂膠層上分別進(jìn)行獨(dú)立的曝光，雙曝光技術(shù)可以將二維的圖案分解為兩個(gè) 更容易生成的一維圖案，使得包含各種特征的掩模圖形的最小特征尺寸的精密制造成為現(xiàn) 實(shí)，而且本掩模版承版臺(tái)可以安裝在平版印刷系統(tǒng)中。


圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中硅片曝光形成的圖形；圖2所示為本發(fā)明一實(shí)施例中的掩模版承版臺(tái)結(jié)構(gòu)示意圖；圖3所示為本發(fā)明一實(shí)施例中的掩模版承版臺(tái)位置檢測示意圖；圖4所示為本發(fā)明一實(shí)施例中的掩模版承版臺(tái)的驅(qū)動(dòng)控制示意圖；圖5所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的雙曝光光刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的雙曝光方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、特征更明顯易懂，給出較佳實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn) 一步說明。本發(fā)明一實(shí)施例提供了可以同時(shí)安裝兩個(gè)掩模版的掩模版承版臺(tái)，請(qǐng)參見圖2，其 所示為掩模版承版臺(tái)的結(jié)構(gòu)示意圖。該掩模版承版臺(tái)200，包括掩模版保持架210，其為重要零件，其他零件在這個(gè)保持架的基礎(chǔ)上對(duì)掩模版的安 裝及定位起到輔助作用。第一掩模版安裝位211與第二掩模版安裝位212，設(shè)置于所述掩模版保持架210 上，該些掩模版安裝位上可以同時(shí)安裝掩模版A(4)和掩模版B (5)，兩個(gè)安裝位的大小結(jié)構(gòu) 完全相同，因此同時(shí)安裝的兩個(gè)掩模版A(4)與掩模版B(5)的外形尺寸也相同。為避免兩 個(gè)掩模版在工作過程中意外相撞或因夾持不牢固產(chǎn)生的滑動(dòng)甚至飛出，掩模版安裝位為低 于掩模版保持架210上表面的兩個(gè)方形凹槽。標(biāo)記版安裝位240，設(shè)置于所述掩模版保持架210中間位置，用于安裝標(biāo)記版250。多個(gè)掩模版真空吸附槽230，分別設(shè)置于所述第一掩模版安裝位211與第二掩模 版安裝位212中，用以吸附固定掩模版。在實(shí)際應(yīng)用中還可加裝掩模版固定架220，以輔助 固定掩模版。
為了保證真空吸附槽230的氣密性，所述掩模版承版臺(tái)還包括氣孔堵頭231，以封 住所述掩模版保持架210上的氣路工藝孔232。掩模版經(jīng)過對(duì)準(zhǔn)后通過真空吸附在真空吸 附槽230上，掩模版承版臺(tái)200內(nèi)部有完整的氣路設(shè)計(jì)，加工氣路的過程中有很多氣路工藝 孔232，將氣路工藝孔封住，保證真空吸附槽230的氣密性。角錐棱鏡安裝位260，設(shè)置于所述掩模版保持架210的一側(cè)，用于安裝角錐棱鏡 270，以測量掩模版的位置。反射鏡鍍膜面280，位于所述掩模版保持架210的一側(cè)面。在掩模版保持架的角錐棱鏡安裝位260安裝角錐棱鏡270，并給出角錐棱鏡固定 板安裝位261。掩模版保持架側(cè)面鍍膜形成反射鏡鍍膜面280。角錐棱鏡270和反射鏡鍍 膜面280分別接收激光干涉儀發(fā)出的光束，實(shí)現(xiàn)對(duì)掩模版的位置測量。詳細(xì)測量方法請(qǐng)參 見圖3，掩模版承版臺(tái)200的Y向位移測量如下，光源發(fā)出的光束經(jīng)過光機(jī)系統(tǒng)后形成兩束 光301和302照射在角錐棱鏡270上，角錐棱鏡270的反射光束，經(jīng)過Y向雙頻激光干涉儀 測量系統(tǒng)，計(jì)算出掩模版Y向位移，精度可以達(dá)到1.2nm;同時(shí)計(jì)算出掩模版Rz向轉(zhuǎn)動(dòng)。掩 模版承版臺(tái)200的X向位移測量如下，光源發(fā)出的光束經(jīng)過光學(xué)器件分成3束光303照射 在反射鏡鍍膜面280上，3束光成等腰三角形，經(jīng)過反射鏡鍍膜面280的反射，由X向激光干 涉儀接收計(jì)算出掩模版X向位移，精度可以達(dá)到0.6nm;同時(shí)計(jì)算出掩模版Ry向轉(zhuǎn)動(dòng)。從 而實(shí)現(xiàn)對(duì)掩模版的位置的精確測量。微動(dòng)電機(jī)安裝位290，設(shè)置于所述掩模版保持架上，用于安裝電機(jī)。掩模版承版臺(tái) 的運(yùn)動(dòng)可以根據(jù)不同的電機(jī)驅(qū)動(dòng)方式形成6自由度運(yùn)動(dòng)或3自由度運(yùn)動(dòng)。參見圖4，舉出實(shí)施例以3自由度為例，但并不僅限于這種結(jié)構(gòu)。掩模版承版臺(tái)200 還可在微動(dòng)電機(jī)安裝位290安裝微動(dòng)電機(jī)，用以調(diào)整所述掩模版承版臺(tái)的運(yùn)動(dòng)。所述微動(dòng) 電機(jī)包括直線電機(jī)，以及音圈電機(jī)。掩模版承版臺(tái)X向驅(qū)動(dòng)由一個(gè)直線電機(jī)410 (X_Motor) 實(shí)現(xiàn)。直線電機(jī)動(dòng)子411(X_Motor_l)連接在掩模版保持架210上。掩模版承版臺(tái)Y向驅(qū) 動(dòng)和Rz向驅(qū)動(dòng)由兩個(gè)音圈電機(jī)420，430化_110切1~_1 ;￥_11(^01~_1^)實(shí)現(xiàn)。音圈電機(jī)動(dòng)子421， 431 (Y_Motor_R_l ;Y_Motor_L_l)安裝在掩模版保持架210上。當(dāng)兩個(gè)音圈電機(jī)420，430 (Y_ Motor)同步運(yùn)動(dòng)時(shí)，掩模版沿Y向運(yùn)動(dòng)，當(dāng)兩個(gè)音圈電機(jī)420，430 (Y_Motor)不同步運(yùn)動(dòng)時(shí)， 掩模版沿Rz向運(yùn)動(dòng)。由此實(shí)現(xiàn)了掩模版的3個(gè)自由度的運(yùn)動(dòng)。本掩模版承版臺(tái)可以應(yīng)用于平版印刷系統(tǒng)，例如光刻機(jī)系統(tǒng)，但并不僅限于這種 系統(tǒng)。參見圖6，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種雙曝光的方法，包括以下步驟S610利用光源 通過投影鏡頭形成主光軸；S620將第一掩模版和第二掩模版放在承版臺(tái)上；S630進(jìn)行掩模 版對(duì)準(zhǔn)；S640進(jìn)行離軸硅片對(duì)準(zhǔn)，將硅片放置在承片臺(tái)上；S650將所述硅片移動(dòng)到所述主 光軸位置；S660利用所述承版臺(tái)帶動(dòng)所述第一掩模版運(yùn)動(dòng)到所述主光軸位置，將第一掩模 版的圖形曝光成像在所述硅片上；S670利用所述承版臺(tái)帶動(dòng)所述第二掩模版運(yùn)動(dòng)到所述 主光軸位置，將第二掩模版的圖形曝光成像在所述硅片上。請(qǐng)參見圖5，其所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的雙曝光光刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖該光刻設(shè)備，包括提供輻射束的照明系統(tǒng)500 ；將輻射光束投影到基底目標(biāo)位置 的投影系統(tǒng)520;用于支撐掩模設(shè)備的掩模版承版臺(tái)510及用于支撐基底的工件臺(tái)結(jié)構(gòu)。所 述掩模版承版臺(tái)510的詳細(xì)結(jié)構(gòu)與上文描述相同，請(qǐng)參見圖2至圖4。
利用該光刻設(shè)備進(jìn)行雙曝光的具體步驟如下利用照明系統(tǒng)500提供穩(wěn)定的光源，照明系統(tǒng)500發(fā)出的光線通過投投影系統(tǒng)520 形成主光軸501。掩模版上的圖案可以通過投影系統(tǒng)520縮小一定比例成像在硅片530上， 以實(shí)現(xiàn)曝光。將掩模版540，掩模版550同時(shí)放置在承版臺(tái)510上。其次進(jìn)行掩模版對(duì)準(zhǔn)。承版臺(tái)510上固定有掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記512，掩模版540、掩模 版550上均設(shè)計(jì)有標(biāo)記541、551。支撐基底的工件臺(tái)結(jié)構(gòu)承片臺(tái)590上固定有基準(zhǔn)標(biāo)記 570。照明系統(tǒng)500發(fā)出的光線通過投投影系統(tǒng)520形成主光軸501。先將承片臺(tái)590 移動(dòng)到預(yù)先設(shè)計(jì)位置，沿掃描方向Y向移動(dòng)承版臺(tái)510，通過對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，在承版臺(tái)510上方的 激光干涉儀系統(tǒng)511中同時(shí)探測到基準(zhǔn)標(biāo)記570和掩模版標(biāo)記512，使掩模標(biāo)記512與基 準(zhǔn)標(biāo)記570對(duì)準(zhǔn)。記錄下激光干涉儀系統(tǒng)測量出的承版臺(tái)510，承片臺(tái)590的位置坐標(biāo)yl。 建立起承版臺(tái)510與基準(zhǔn)標(biāo)記570之間的關(guān)系。沿掃描方向Y向移動(dòng)承版臺(tái)510，通過對(duì)準(zhǔn) 系統(tǒng)，將掩模版540的標(biāo)記541與基準(zhǔn)標(biāo)記570對(duì)準(zhǔn)。沿掃描方向Y向移動(dòng)承版臺(tái)510，通 過對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，將掩模版550的標(biāo)記551與基準(zhǔn)標(biāo)記570對(duì)準(zhǔn)。這樣就建立起了承版臺(tái)510、 掩模版540、掩模版550、與基準(zhǔn)標(biāo)記570之間的坐標(biāo)關(guān)系。然后進(jìn)行離軸硅片對(duì)準(zhǔn)。離軸硅片對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)580，固定在投影鏡頭外，離軸對(duì)準(zhǔn)系 統(tǒng)中設(shè)計(jì)有參考標(biāo)記581。移動(dòng)承片臺(tái)590，到離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)580下，調(diào)整承片臺(tái)590位置，使離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) 中的參考標(biāo)記581與基準(zhǔn)標(biāo)記570成像重合，記錄激光干涉儀系統(tǒng)測量出的承片臺(tái)590的 坐標(biāo)位置y2，建立起基準(zhǔn)標(biāo)記570，與參考標(biāo)記581之間的坐標(biāo)關(guān)系。通過所記錄的承片臺(tái) 590的坐標(biāo)位置yl、y2可以計(jì)算出離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)580的光軸582，與投影鏡頭的主光軸501 之間的距離BL，BL也稱為基線。通過基線BL，可以建立起承片臺(tái)590與承版臺(tái)510之間的 坐標(biāo)關(guān)系。然后將硅片530利用機(jī)械手從片盒中取出，通過傳輸系統(tǒng)安裝在承片臺(tái)590上。承 片臺(tái)590將硅片530運(yùn)送至離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)580的對(duì)準(zhǔn)范圍內(nèi)，通過離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)580，將參 考標(biāo)記581與硅片標(biāo)記531對(duì)準(zhǔn)，建立起硅片530與基準(zhǔn)標(biāo)記570之間的關(guān)系。以上對(duì)準(zhǔn)過程通過基準(zhǔn)坐標(biāo)570間接的建立起了掩模版540、掩模版550、與硅片 530之間的坐標(biāo)關(guān)系。承版臺(tái)510帶動(dòng)掩模版540沿掃描方向Y向運(yùn)動(dòng)到投影鏡頭的主光 軸501位置，承片臺(tái)590帶動(dòng)硅片530運(yùn)動(dòng)到投影鏡頭的主光軸501位置，進(jìn)行曝光。將掩 模版540上的圖形，曝光到硅片530上。掃描方向?yàn)閅向，步進(jìn)方向?yàn)閄向。掩模版540的 圖形曝光完成。承版臺(tái)510帶動(dòng)掩模版550運(yùn)動(dòng)到投影鏡頭的主光軸501位置，將掩模版550的 圖形曝光成像在硅片530上。綜上所述，本發(fā)明所采用的雙曝光的技術(shù)，利用掩模版承版臺(tái)將兩塊不同的掩模 版依次在同一個(gè)涂膠層上分別進(jìn)行獨(dú)立的曝光，雙曝光技術(shù)可以將二維的圖案分解為兩個(gè) 更容易生成的一維圖案，使得包含各種特征的掩模圖形的最小特征尺寸的精密制造成為現(xiàn)實(shí)。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍 當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種雙曝光方法，其特征在于，包括以下步驟(1)利用光源通過投影鏡頭形成主光軸；(2)將第一掩模版和第二掩模版放在承版臺(tái)上；(3)進(jìn)行所述掩模版對(duì)準(zhǔn)；(4)進(jìn)行離軸硅片對(duì)準(zhǔn)，將硅片放置在承片臺(tái)上；(5)將所述硅片移動(dòng)到所述主光軸位置；(6)利用所述承版臺(tái)帶動(dòng)所述第一掩模版運(yùn)動(dòng)到所述主光軸位置，將第一掩模版的圖形曝光成像在所述硅片上；以及(7)利用所述承版臺(tái)帶動(dòng)所述第二掩模版運(yùn)動(dòng)到所述主光軸位置，將第二掩模版的圖形曝光成像在所述硅片上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙曝光方法，其特征在于，所述步驟(3)具體包括以下步驟 在所述承版臺(tái)上固定對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，在所述第一掩模版和第二掩模版上設(shè)置有標(biāo)記，在所述承片臺(tái)上固定有基準(zhǔn)標(biāo)記；將所述承片臺(tái)移動(dòng)到預(yù)先設(shè)計(jì)位置，沿第一掃描方向移動(dòng)所述承版臺(tái)，使所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 記與所述基準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，并記錄下所述承版臺(tái)的坐標(biāo)和所述承片臺(tái)的第一位置坐標(biāo)； 建立起所述承版臺(tái)與所述基準(zhǔn)標(biāo)記之間的關(guān)系；沿第一掃描方向移動(dòng)所述承版臺(tái)，將所述第一掩模版標(biāo)記與所述基準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)； 沿第一掃描方向移動(dòng)所述承版臺(tái)，將所述第二掩模版標(biāo)記與所述基準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；以及 建立起所述承版臺(tái)、所述第一掩模版和第二掩模版、所述基準(zhǔn)標(biāo)記之間的坐標(biāo)關(guān)系。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙曝光方法，其特征在于，所述步驟(4)具體包括以下步驟 將所述承片臺(tái)移動(dòng)到離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)下，使所述離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)中的參考標(biāo)記與所述承片臺(tái)的基準(zhǔn)標(biāo)記重合；記錄所述承片臺(tái)的第二位置坐標(biāo)；建立起所述基準(zhǔn)標(biāo)記與所述參考標(biāo)記之間的坐標(biāo)關(guān)系；通過所記錄的所述承片臺(tái)的第一及第二位置坐標(biāo)，計(jì)算出所述離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的光軸與 所述主光軸之間的距離；將所述的距離作為基線，建立起所述承片臺(tái)與所述承版臺(tái)之間的坐標(biāo)關(guān)系； 利用所述承片臺(tái)將所述硅片運(yùn)送至所述離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的對(duì)準(zhǔn)范圍內(nèi)； 將所述離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的參考標(biāo)記與所述硅片標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；以及 建立起所述硅片與所述承片臺(tái)的基準(zhǔn)標(biāo)記之間的關(guān)系。
全文摘要
本發(fā)明提供一種雙曝光對(duì)準(zhǔn)掃描曝光的方法，包括以下步驟(1)利用光源通過投影鏡頭形成主光軸；(2)將第一掩模版和第二掩模版放在承版臺(tái)上；(3)進(jìn)行所述掩模版對(duì)準(zhǔn)；(4)進(jìn)行離軸硅片對(duì)準(zhǔn)，將硅片放置在承片臺(tái)上；(5)將所述硅片移動(dòng)到所述主光軸位置；(6)利用所述承版臺(tái)帶動(dòng)所述第一掩模版運(yùn)動(dòng)到所述主光軸位置，將第一掩模版的圖形曝光成像在所述硅片上；(7)利用所述承版臺(tái)帶動(dòng)所述第二掩模版運(yùn)動(dòng)到所述主光軸位置，將第二掩模版的圖形曝光成像在所述硅片上。本發(fā)明利用掩模版承版臺(tái)將兩塊不同的掩模版依次在同一個(gè)涂膠層上分別進(jìn)行獨(dú)立的曝光，雙曝光技術(shù)可以將二維的圖案分解為兩個(gè)更容易精確地生成的一維圖案。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101957562SQ20101026503
公開日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2009年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月26日
發(fā)明者李志龍, 齊寧寧, 齊芊楓 申請(qǐng)人:上海微電子裝備有限公司;上海微高精密機(jī)械工程有限公司