專利名稱：：光學(xué)元件、光學(xué)元件制作用原盤的制造方法以及光電轉(zhuǎn)換裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在表面上以可視光波長以下的細(xì)微間隔配置有多個(gè)由凸部或凹部構(gòu)成的構(gòu)造體的光學(xué)元件、光學(xué)元件制作用原盤的制造方法以及光電轉(zhuǎn)換裝置。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)有技術(shù)中，存在以下方法在采用了玻璃、塑料等透光性基材的光學(xué)元件中，進(jìn)行用于抑制光的表面反射的表面處理。作為這種表面處理，存在在光學(xué)元件表面形成微小且致密的凹凸(蛾眼(motheye))形狀的方法(例如參照“光技術(shù)接觸”「光技術(shù)二>夕”卜JVol.43,No.11(2005)，630-637)。一般，當(dāng)在光學(xué)元件表面設(shè)置周期的凹凸形狀時(shí)，光透過這里時(shí)會(huì)發(fā)生衍射，透過光的直線傳播成分會(huì)大幅度減少。但是，當(dāng)凹凸形狀的間隔短于透過光的波長時(shí)，不會(huì)發(fā)生衍射，從而可以獲得有效的防止反射效果。圖29示出了具有上述表面構(gòu)造的光學(xué)元件的概略結(jié)構(gòu)(例如參照日本特開2003-294910號(hào)公報(bào))。該光學(xué)元件101具有如下結(jié)構(gòu)在基體102的表面上，以光(可視光)的波長以下的微小間隔配置有由多個(gè)由錐體狀凸部構(gòu)成的構(gòu)造體103。具有這樣的表面構(gòu)造的光學(xué)元件101在構(gòu)造體103的斜面部與空氣層的界面處發(fā)生折射率的緩和變化，從而有效地防止從基體102的表面?zhèn)壬淙氲墓獾姆瓷?。此外，?gòu)造體103不僅限于凸部形狀的情況，即使由凹部構(gòu)成也可以獲得同樣的作用。此外，關(guān)于構(gòu)造體103的截面形狀和配置形態(tài)等，也提出了多種方案。例如，在圖28所示的光學(xué)元件101中示出了如下例子圖示形狀的構(gòu)造體103以將該各構(gòu)造體設(shè)定為格子單位時(shí)形成正方格子圖案的方式進(jìn)行配置。另一方面，例如在日本特開2004-317922號(hào)公報(bào)中，公開了以形成圖30所示的正六邊形格子圖案的方式來配置構(gòu)造體104的例子。此外，在日本特開2004-317922號(hào)公報(bào)中示出了構(gòu)造體的形狀形成為圓錐狀的例子。但是，可以期望通過具有構(gòu)成各構(gòu)造體的表面微小結(jié)構(gòu)的原盤原器(masterprototype)(原盤)來制作該復(fù)制基板，進(jìn)而在此基礎(chǔ)上制作成形用金屬模，并通過成形來低價(jià)且大量地制造這些光學(xué)元件。具體地說，通過一個(gè)原盤原器制作紫外線硬化復(fù)制基板，然后通過電鍍技術(shù)來制作成形用金屬模，通過采用該成形用金屬模的注射模塑成形，可以大量制造例如聚碳酸酯樹脂制的光學(xué)元件。作為原盤原器的制作方法，對(duì)涂敷在基板上的抗蝕劑進(jìn)行曝光以及顯像處理，并形成抗蝕圖案之后，進(jìn)行將該抗蝕圖案作為掩模的干式蝕刻。然后，通過除去抗蝕圖案(或掩模圖案)，從而形成在基板表面上以微小間隔配置有由凸部或凹部形成的構(gòu)造體的表面凹凸構(gòu)造。此外，對(duì)于構(gòu)成原盤原器的基板材料，可以采用石英等無機(jī)材料。在原盤原器的制作中，需要形成在基板表面的微小抗蝕圖案的高精度的形狀。作為高精度地形成可視光的波長以下的細(xì)微間隔圖案的技術(shù)，已知有電子束曝光(electronbeamexposure)。作為采用電子束曝光制作的蛾眼(77·4)構(gòu)造體，公開有如圖31所示的微小帳狀的蛾眼構(gòu)造體(間隔約300nm，深度約400nm)(參照NTT先進(jìn)技術(shù)(株)、“無波長依存性的防止反射體(蛾眼)用成形金屬模原盤”、online、平成19年8月20日檢索、網(wǎng)絡(luò)<URL:http//keytech.ntt—at.co.jp/nano/prd_0016.html(NTT了卜·、K>7歹"7口夕(株)、“波長依存性O(shè)^^反射防止體(774)用成形金型原盤”、[online]、[平成19年8月20日検索]、4>夕一才、7卜<URL:http//keytech.ntt-at.co.jp/nano/prd_0016.html>參照)。該蛾眼構(gòu)造體可以認(rèn)為是例如在Si(硅)基板上的光致抗蝕劑上，通過電子束記錄(electronbeamrecording)形成凹凸圖案，將凹凸光致抗蝕劑圖案作為掩模，進(jìn)行Si基板面的各向異性蝕刻。該蛾眼構(gòu)造體形成為圖32所示的六邊形格子狀，從而在可視光的波長中可以獲得極高性能的防止反射效果(反射率以下)。圖33示出了該Si原盤的反射率的波長依存特性。但是，電子束曝光存在作業(yè)時(shí)間長的缺點(diǎn)，不適于工業(yè)生產(chǎn)。例如，當(dāng)通過描繪最細(xì)的圖案時(shí)所使用的IOOpA的電子束，對(duì)要求環(huán)芳烴(calixarene)這樣的幾十mC/cm2的劑量(doseamount)的抗蝕劑進(jìn)行描繪時(shí)，即使曝光24小時(shí)，也無法全面涂抹一邊為200μm的正方形。此外，當(dāng)曝光當(dāng)前一般使用的便攜式電話機(jī)用的2.5英寸小型顯示器(50.8mmX38.1mm)的面積時(shí)，大約需要20天。于是，期待一種可以更加低成本且短時(shí)間地制作原盤原器的技術(shù)。為了滿足該要求，提出了通過激光曝光來制作原盤原器的技術(shù)。具體地說，探討了各種利用光盤的控制技術(shù)的原盤原器的制作技術(shù)。例如，公開有利用光盤的控制技術(shù)，在直徑12cm的盤狀的Si基板上制作的納米尺寸的微小結(jié)構(gòu)光學(xué)元件(蛾眼低反射結(jié)構(gòu))(參照獨(dú)立行政法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所，“開發(fā)可進(jìn)行納米尺寸的微加工的桌上型裝置”，online、平成19年8月20日檢索、網(wǎng)絡(luò)<URL:http//www.aist_j/press_release/pr2006/pr20060306/pr20060306.html(獨(dú)立行政法人産業(yè)技術(shù)総合研究所、“ty^4Χ'<0微細(xì)加工f可能it3卓上型裝置f開発”、[online]、[平成19年8月20日検索]、4>夕一才、7卜<URL:http//www.aistj/press_release/pr2006/pr20060306/pr20060306.html>參照)。根據(jù)該方法，以6m/s的速度使基板旋轉(zhuǎn)，同時(shí)以60MHz的脈沖頻率照射激光，可以以600萬點(diǎn)/s的速度制作光束點(diǎn)的六分之一以下的50nm的點(diǎn)圖案(dotpattern)0圖34示出了該光學(xué)元件的納米點(diǎn)(nanodot)圖案的制作例。此外，公開有以下技術(shù)(例如日本特開2003-131390號(hào)公報(bào))采用呈正三角形形狀的相位型衍射光柵以及6區(qū)域的鋸齒狀衍射光柵，將激光束平行分離為6條激光束，通過對(duì)物透鏡使這些6條激光束聚光到一點(diǎn)上并使其干涉，在玻璃原盤表面的光致抗蝕劑層上，在正六角形的各個(gè)頂點(diǎn)上形成6個(gè)點(diǎn)。但是，通過上述技術(shù)制作的光學(xué)元件的反射率的波長依存特性差，無法實(shí)現(xiàn)以下的低反射率，因此，作為防止反射構(gòu)造并不實(shí)用。可以認(rèn)為這是因?yàn)榧{米點(diǎn)圖案的密度(開口率)低(50%以下)，在圖案非形成部的平面區(qū)域的菲涅爾(Fresnel)反射大的緣故。圖35示出了圖34所示的光學(xué)元件的反射特性。
發(fā)明內(nèi)容為了解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種高生產(chǎn)率、防止反射特性卓越的光學(xué)元件、光學(xué)元件制作用原盤的制造方法以及光電轉(zhuǎn)換裝置。本發(fā)明人為了解決現(xiàn)有技術(shù)所具有的上述問題，專心地進(jìn)行了討論。下面對(duì)其概要進(jìn)行說明。本發(fā)明的發(fā)明人們對(duì)于應(yīng)用光盤的控制技術(shù)來制成的光學(xué)元件，即構(gòu)造體排列為圓弧狀(圓周狀)的光學(xué)元件，為了提高防止反射特性而進(jìn)行討論。通常，在上述光學(xué)元件的
技術(shù)領(lǐng)域：
中，當(dāng)以提高防止反射特性為目的時(shí)，期望設(shè)置在光學(xué)元件上的構(gòu)造體形成為將底面設(shè)定為圓的圓錐體狀。此外，可以認(rèn)為這樣的形狀是為了獲得防止反射特性的理想形狀。而且，可以認(rèn)為為了提高上述形狀的構(gòu)造體的填充率，優(yōu)選將構(gòu)造體配置為正六邊形格子狀。但是，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人們的認(rèn)知，在應(yīng)用光盤的控制技術(shù)而制成的光學(xué)元件中，難以將構(gòu)造體形成為上述理想的圓錐體狀，考慮到實(shí)際的生產(chǎn)率，將構(gòu)造體制作成以圓周方向?yàn)殚L軸方向的橢圓作為底面的橢圓錐體狀更為有利。此外，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人們的認(rèn)知，包括上述橢圓錐體狀的構(gòu)造體的光學(xué)元件可以獲得與包括一般的圓錐體狀的構(gòu)造體的光學(xué)元件大致相同的防止反射特性。于是，本發(fā)明的發(fā)明人們對(duì)于具有上述橢圓錐體狀的構(gòu)造體的光學(xué)元件，進(jìn)行了用于提高防止反射特性的討論。具體地說，對(duì)提高被配置為六邊形格子狀的構(gòu)造體的填充率進(jìn)行了討論。其結(jié)果是，發(fā)現(xiàn)在應(yīng)用光盤的控制技術(shù)的激光曝光中，如果構(gòu)造體的間隔變窄，則圓周方向的構(gòu)造體之間的高度(深度)變小，且無法將圓周方向的配置間隔P1、以及被配置在鄰接的兩個(gè)軌跡的構(gòu)造體的配置間隔P2縮短為相同程度的間隔，因此，難以將構(gòu)造體配置成正六邊形格子狀。于是，本發(fā)明的發(fā)明人們關(guān)于用于取代上述正六邊形格子狀的構(gòu)造體的配置進(jìn)行了討論。其結(jié)果是，發(fā)現(xiàn)將構(gòu)造體配置為沿圓周方向拉長且歪曲的準(zhǔn)六邊形格子狀。此外，當(dāng)構(gòu)造體為橢圓錐形狀時(shí)，構(gòu)造體不是配置為六邊形格子狀，而是配置為準(zhǔn)六邊形格子狀時(shí)，其可以進(jìn)一步提高直徑方向的填充率。本發(fā)明是基于以上討論而提出的方案。本發(fā)明的光學(xué)元件在基體表面上以可視光的波長以下的微小間隔配置有多個(gè)包括凸部或凹部的構(gòu)造體的光學(xué)元件，其中，上述各構(gòu)造體被配置為在上述基體表面呈多列圓弧狀軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案，其中，上述構(gòu)造體是在上述圓弧狀軌跡的圓周方向上具有長軸方向的橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀。本發(fā)明的光學(xué)元件制作用原盤的制造方法是以可視光的波長以下的微小間隔配置有多個(gè)由凸部或凹部構(gòu)成的構(gòu)造體的上述光學(xué)元件制作用原盤的制造方法，其中，包括第一工序，準(zhǔn)備在表面上形成有抗蝕層的基板；第二工序，使上述基板旋轉(zhuǎn)，同時(shí)，使激光沿上述基板的旋轉(zhuǎn)半徑方向相對(duì)移動(dòng)，并對(duì)上述抗蝕層間歇性地照射激光，以短于可視光波長的間隔形成潛像；以及第三工序，對(duì)上述抗蝕層進(jìn)行顯影，在上述基板的表面上形成抗蝕圖案，其中，在上述第二工序中，使上述潛像形成為在上述基板的旋轉(zhuǎn)方向上具有長軸的橢圓形狀，并且，使上述潛像形成為在鄰接的三列軌跡之間構(gòu)成準(zhǔn)六邊形格子圖案。在本發(fā)明中，在表面上以可視光波長以下的細(xì)微間隔配置有多個(gè)構(gòu)造體被配置為呈多列圓弧狀軌跡，并且，在鄰接的三列軌跡之間形成準(zhǔn)六邊形格子圖案，因此，可以提高表面上的構(gòu)造體的填充密度，由此，可以提高可視光的反射防止特性，從而獲得防止反射特性卓越的透過率極高的光學(xué)元件。此外，因?yàn)閷⒐獗P的記錄技術(shù)利用于構(gòu)造體的制作，所以可以短時(shí)間且效率高地制造上述結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件制作用原盤，并且可以對(duì)應(yīng)基板的大型化，由此，可以實(shí)現(xiàn)光學(xué)元件的生產(chǎn)率的提高。此外，構(gòu)造體的細(xì)微排列不只設(shè)置在光射入面上，也設(shè)置在光射出面上，從而可以進(jìn)一步提高透過特性。此外，在本發(fā)明中，在第二工序中，對(duì)應(yīng)于每個(gè)軌跡使對(duì)抗蝕層照射激光的周期變化的同時(shí)，對(duì)抗蝕層照射激光，從而可以在鄰接(相鄰)的三列軌跡之間使構(gòu)造體(潛像)配置形成為準(zhǔn)六邊形格子圖案。激光的照射周期例如以角速度一定的方式使基板旋轉(zhuǎn)，且以圓周方向的構(gòu)造體的配置間隔一定的方式，使激光的脈沖頻率最優(yōu)化。具體地說，進(jìn)行調(diào)制控制，以便使隨著軌跡位置遠(yuǎn)離基板中心，激光的照射周期縮短。由此，可以在基板整面上形成空間頻率一樣的納米圖案。對(duì)通過上述方法形成的潛像進(jìn)行顯影，并進(jìn)行將獲得的抗蝕圖案作為掩模的蝕刻處理，從而可以獲得在圓弧狀軌跡的圓周方向上具有長軸方向的橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀的構(gòu)造體。特別是，優(yōu)選該橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀的構(gòu)造體形成為中央部的傾斜比尖端部以及底部的傾斜更為陡峭，由此，可以提高耐久性以及轉(zhuǎn)印性。此外，通過上述方法，可以獲得相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置間隔長于鄰接的兩個(gè)軌跡之間的構(gòu)造體的配置間隔的準(zhǔn)六邊形格子圖案，由此，可以實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步提高構(gòu)造體的填充密度。通過將如上所述構(gòu)成的本發(fā)明涉及的光學(xué)元件用作顯示器、太陽電池、照明裝置等各種光學(xué)設(shè)備中的導(dǎo)光板或?qū)Ч獯?，從而可以?gòu)成表面反射少且光利用效率卓越的光學(xué)設(shè)備。尤其本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置包括光電轉(zhuǎn)換層；以及透光性的光學(xué)元件，被設(shè)置于上述光電轉(zhuǎn)換層的受光部，其中，對(duì)于上述光學(xué)元件，在受光面上以可視光的波長以下的細(xì)微間隔排列有多個(gè)由凸部或凹部構(gòu)成的構(gòu)造體，上述各構(gòu)造體被配置為在上述光射入面上配置有呈多列圓弧狀軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案，上述構(gòu)造體是在上述圓弧狀軌跡的圓周方向上具有長軸方向的橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀。在上述構(gòu)成中，由于可以構(gòu)成具備受光部的光電轉(zhuǎn)換裝置，其中，該受光部具有跨越寬的波長范圍的卓越的光透過特性，因此可以提高光利用效率，并可實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換部中的發(fā)電效率的提高。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以獲得防止反射特性卓越且透過率極高的光學(xué)元件。圖1示出了本發(fā)明的第一實(shí)施例涉及的光學(xué)元件的概略結(jié)構(gòu)；圖IA是主要部分的平面圖；圖IB是從X方向觀察A時(shí)的主要部分的立體圖IC是從Y方向觀察A時(shí)的主要部分的立體圖；圖2是圖1所示的光學(xué)元件的母體(mother)基板以及其主要部分的擴(kuò)大平面模式圖；圖3A3B示出了從圖2所示的母體基板切割出本發(fā)明涉及的光學(xué)元件的例子；圖4A圖4E是用于說明本發(fā)明涉及的光學(xué)元件制作用原盤的一制造方法的模式圖；圖5是適用于本發(fā)明涉及的光學(xué)元件制作用原盤的一制造工序的曝光裝置的概略結(jié)構(gòu)圖；圖6A圖6E是用于說明從本發(fā)明涉及的光學(xué)元件制作用原盤制作其復(fù)制基板、成形用金屬模(moldingdie)以及光學(xué)元件的制造工序的模式圖；圖7A圖7E是用于說明基于本發(fā)明的第二實(shí)施例的光學(xué)元件的制造工序的模式圖；圖8是作為在本發(fā)明的第三實(shí)施例中說明的光電轉(zhuǎn)換裝置的、染料敏化型太陽電池的概略結(jié)構(gòu)圖；圖9是作為在本發(fā)明的第四實(shí)施例中說明的光電轉(zhuǎn)換裝置的、硅系太陽電池的概略結(jié)構(gòu)圖；圖IOA圖IOB是用于說明將本發(fā)明適用于硅系太陽電池的Si基板表面的適用例的主要部分模式圖；圖11示出了在本發(fā)明的實(shí)施例2中制成的各采樣的制作條件；圖12示出了在本發(fā)明的一實(shí)施例中制成的采樣的SEM照片；圖13示出了在本發(fā)明的一實(shí)施例中制成的采樣的反射率的波長依存特性；圖14示出了在本發(fā)明的一實(shí)施例中制成的采樣的反射率的波長依存特性；圖15示出了在本發(fā)明的實(shí)施例3中制成的復(fù)制基板(r印licasubstrate)的一個(gè)主面的SEM照片；圖16示出了在本發(fā)明的實(shí)施例3中制成的復(fù)制基板的截面的SEM照片；圖17示出了在本發(fā)明的實(shí)施例5中制成的各采樣的制作條件；圖18示出了在本發(fā)明的實(shí)施例5中制成的采樣Al、A2、El的透過率的波長依存性；圖19示出了在本發(fā)明的實(shí)施例5中制成的采樣EWl的透過率的波長依存性；圖20示出了在本發(fā)明的實(shí)施例5中制成的采樣FWl的透過率的波長依存性；圖21示出了在本發(fā)明的實(shí)施例6中制成的各采樣的制作條件；圖22示出了在本發(fā)明的實(shí)施例6中制成的采樣FWl的透過率的波長依存性；圖23示出了在本發(fā)明的實(shí)施例6中制成的采樣GWl的透過率的波長依存性；圖24示出了太陽光的光譜和一般的Si太陽電池的靈敏度分布之間的關(guān)系；圖25示出了在本發(fā)明的實(shí)施例7中制成的采樣的反射率的波長依存性；圖26A圖26C是本發(fā)明的實(shí)施例810的光學(xué)元件的概略結(jié)構(gòu)的示意圖；圖27示出了本發(fā)明的實(shí)施例810的采樣的各種數(shù)值；圖28示出了本發(fā)明的實(shí)施例810的反射率的波長依存性；圖29是概略地示出了現(xiàn)有的光學(xué)元件的立體圖30是概略地示出了現(xiàn)有的其它光學(xué)元件的主要部分的平面圖；圖31示出了通過電子束曝光制成的現(xiàn)有的光學(xué)元件制作用原盤的截面結(jié)構(gòu)(SEM照片)。圖32是圖31所示的現(xiàn)有的光學(xué)元件制作用原盤的主要部分的平面圖；圖33示出了以圖32所示的現(xiàn)有光學(xué)元件制作用原盤為基礎(chǔ)而制成的光學(xué)元件的反射率的波長依存特性；圖34是利用了光盤的記錄技術(shù)而制成的現(xiàn)有的光學(xué)元件制作用原盤的主要部分的平面圖；以及圖35示出了以圖34所示的現(xiàn)有光學(xué)元件制作用原盤為基礎(chǔ)而制成的光學(xué)元件的反射率的波長依存特性。具體實(shí)施方式下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施例進(jìn)行說明。此外，本發(fā)明并不僅限于以下各實(shí)施例，可以基于本發(fā)明的技術(shù)方案而進(jìn)行各種變形。(第一實(shí)施例)圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施例涉及的光學(xué)元件10的概略結(jié)構(gòu)圖。這里，圖IA是光學(xué)元件10的主要部分的平面圖；圖IB是從圖IA的X方向觀察光學(xué)元件10的主要部分的立體圖；圖IC是從圖IA的Y方向觀察光學(xué)元件10的主要部分的立體圖。本實(shí)施例的光學(xué)元件10具有如下結(jié)構(gòu)(亞(sub)波長結(jié)構(gòu))在基體11的表面上，以小于等于可視光的波長的細(xì)微間隔(Pitch)排列有多個(gè)由凸部形成的構(gòu)造體12。這里，小于等于可視光的波長表示約小于等于400nm的波長。該光學(xué)元件10具有以下功能防止沿圖IA的Z方向透過基體11的光在構(gòu)造體12和其周圍空氣的界面上反射?；w11是聚碳酸酯(PC)或聚對(duì)苯二甲酸乙酯(PET)等透明合成樹脂、具有玻璃等的透光性的透明基體即可，其形態(tài)并沒有特別的限制，可以是薄膜狀、片(sheet)狀、板狀、塊狀。即，本實(shí)施例的光學(xué)元件10適用于顯示器、光電裝置(photoelectronics)、光通信(opticalcommunication)、太陽電池、照明裝置等需要規(guī)定的光透過特性(防止反射功能)的各種光學(xué)設(shè)備，根據(jù)這些光學(xué)設(shè)備的主體部分、或者安裝于這些光學(xué)設(shè)備的片狀或薄膜狀的導(dǎo)光部件的形狀等來確定基體11的形態(tài)。構(gòu)造體12例如和基體11一體地形成。雖然各構(gòu)造體12分別具有相同的形狀，但并不僅限于此。構(gòu)造體12優(yōu)選為其底面為具有長軸和短軸的橢圓形、長圓形或卵形的錐體結(jié)構(gòu)且頂部為曲面的橢圓錐形狀，或者其底面為具有長軸和短軸的橢圓形、長圓形或卵形的錐體結(jié)構(gòu)且頂部平坦的橢圓錐臺(tái)形狀。這是因?yàn)槿绻沁@樣的形狀，則可以提高直徑方向的填充率。此外，若基于提高反射特性以及透過特性的觀點(diǎn)，則優(yōu)選構(gòu)造體12為中央部的傾斜與底部以及頂部相比更陡峭的橢圓錐臺(tái)形狀(參照?qǐng)D1B、圖1C)，或者構(gòu)造體12為頂部平坦的橢圓錐臺(tái)形狀(參照?qǐng)D16)。構(gòu)造體12并不僅限于圖示的凸部形狀，也可以通過形成在基體11的表面的凹部構(gòu)成。構(gòu)造體12的高度(深度)并沒有特別的限定，可以根據(jù)透過的光的波長區(qū)域而進(jìn)行適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，例如可以設(shè)定在236nm450nm程度的范圍。優(yōu)選構(gòu)造體12的縱橫尺寸比(高度/配置間隔)被設(shè)定為0.811.46的范圍，更優(yōu)選為0.941.28的范圍。這是因?yàn)槿绻∮?.81，則會(huì)有反射特性以及透過特性降低的傾向，如果大于1.46，則會(huì)有以下傾向在光學(xué)元件的制作時(shí)，剝離特性降低，從而無法漂亮地獲取復(fù)制品的復(fù)制。此外，若基于進(jìn)一步提高反射特性的觀點(diǎn)，則優(yōu)選構(gòu)造體12的縱橫尺寸比被設(shè)定為0.941.46的范圍。而且，若基于進(jìn)一步提高透過特性的觀點(diǎn)，則優(yōu)選構(gòu)造體12的縱橫尺寸比被設(shè)定為0.811.28的范圍。此外，在本發(fā)明中，通過以下的式(1)來定義縱橫尺寸比。縱橫尺寸比=H/P···(1)其中，H構(gòu)造體的高度，P平均配置間隔(平均周期)這里，通過以下的式(2)定義平均配置間隔P。平均配置間隔P=(Pl+P2+P2)/3.··(2)其中，Pl圓周方向的配置間隔(圓周周期)、P2:相對(duì)于圓周方向，士θ方向(其中，θ=60°-δ，這里，δ優(yōu)選為0°<δ彡11°，更優(yōu)選3°彡δ彡6°)的配置間隔(圓周60°周期)。此外，將構(gòu)造體的高度H設(shè)定為構(gòu)造體12的半徑方向的高度。構(gòu)造體12的圓周方向的高度小于半徑方向的高度，此外，構(gòu)造體12的圓周方向以外的部分的高度與半徑方向的高度大致相同，因此，由半徑方向的高度來代表亞波長構(gòu)造體的深度。但是，當(dāng)構(gòu)造體12為凹部時(shí)，將上述式(1)中的構(gòu)造體的高度H設(shè)定為構(gòu)造體的深度H。此外，并不僅限于構(gòu)造體12的縱橫尺寸比為全部相同的情況，也可以構(gòu)成為各構(gòu)造體具有一定的高度分布(例如縱橫尺寸比為0.831.46程度的范圍)。通過設(shè)置具有高度分布的構(gòu)造體12，從而可以降低反射特性的波長依存性。因此，可以實(shí)現(xiàn)具有顯著的防止反射特性的光學(xué)元件。這里，高度分布是指具有兩種以上的高度(深度)的構(gòu)造體12被設(shè)置在基體11表面。即，表示具有作為基準(zhǔn)的高度的構(gòu)造體12、以及具有和該構(gòu)造體12不同高度的構(gòu)造體12被設(shè)置在基體11表面。具有和基準(zhǔn)不同的高度的構(gòu)造體3例如被周期性地或非周期性(隨機(jī))地設(shè)置在基體2的表面。作為其周期性的方向，可以列舉有例如，圓周方向、半徑方向等。此外，如圖IB以及圖IC所示，優(yōu)選在構(gòu)造體12的周邊部設(shè)置裙?fàn)畈?skirtportion)12a。這是因?yàn)榭梢栽诠鈱W(xué)元件的制作工序中，易于從金屬模等剝離光學(xué)元件。此外，若基于上述剝離特性的觀點(diǎn)，則優(yōu)選裙?fàn)畈?2a為高度平穩(wěn)降低的曲面狀。此外，裙?fàn)畈?2a可以只設(shè)置在構(gòu)造體12的周邊部的一部分上，但是，若基于上述提高剝離特性的觀點(diǎn)，則優(yōu)選裙?fàn)畈?2a設(shè)置在構(gòu)造體12的周邊部的整體上。此外，當(dāng)構(gòu)造體12為凹部時(shí)，裙?fàn)畈?2a為被設(shè)置在作為構(gòu)造體12的凹部的開口周邊上的曲面。如圖2所示，基體11形成在盤狀基板IlW的表面的幾乎整個(gè)區(qū)域，然后，如圖3A、B所示，根據(jù)規(guī)定的產(chǎn)品的尺寸，將其從基板IlW切割出來而形成?；诓捎煤笫龅墓獗P記錄裝置而在基板IlW上形成的曝光圖案，形成構(gòu)造體12。因此，當(dāng)從基板IlW以規(guī)定尺寸切割出構(gòu)造體12時(shí)，如圖IA所示，各構(gòu)造體12具有如下排列形態(tài)在基體11的表面，形成有多列圓弧狀的軌跡(track)TUT2,T3...(以下總稱為“軌跡Τ”)。通過這樣的配置形態(tài)，從而可以利用光盤的掩?？刂?mastering)技術(shù)來制作構(gòu)造體12，因此，和現(xiàn)有技術(shù)相比，可以提高光學(xué)元件的生產(chǎn)率。此外，即使是圓弧狀的排列，其與直線狀排列時(shí)相比，在透過特性和反射特性上并未發(fā)現(xiàn)差異。這時(shí)，各構(gòu)造體12排列為使底面的長軸方向朝向軌跡T的圓周方向。此外，如圖IB所示，在各構(gòu)造體12的底部上包括例如沿圓弧狀軌跡T的圓周方向延伸的裙?fàn)畈?2a。此外，優(yōu)選軌跡T的圓周方向(從Y箭頭方向觀察)上的構(gòu)造體12的高度Hl小于圓弧狀軌跡T的直徑方向(從X箭頭方向觀察)上的構(gòu)造體12的高度H2。即，優(yōu)選構(gòu)造體12的高度HI、H2滿足Hl<H2的關(guān)系。這是因?yàn)槿绻詽M足Hl^H2的關(guān)系的方式來排列構(gòu)造體12，則由于需要增長圓周方向的配置間隔P1，從而圓周方向的構(gòu)造體12的填充率降低。若填充率這樣地降低，則導(dǎo)致反射特性降低。相對(duì)于各構(gòu)造體12，在鄰接的兩個(gè)軌跡T之間，在排列在一列軌跡(例如Tl)的各構(gòu)造體12的中間位置(錯(cuò)開半間隔的位置)上，配置有另一列軌跡(例如T2)的構(gòu)造體12。其結(jié)果是，如圖2所示，以如下方式配置各構(gòu)造體12:在鄰接的三列軌跡(TlT3)之間，形成構(gòu)造體12的中心位于ala7各點(diǎn)的準(zhǔn)六邊形格子(lattice)圖案。這里，所謂的準(zhǔn)六邊形格子圖案不同于正六邊形格子圖案，準(zhǔn)六邊形格子圖案是指沿軌跡T的圓弧狀歪曲且沿圓周方向被拉伸歪曲了的六邊形格子圖案。與將上述形狀的構(gòu)造體12配置為正六邊形格子狀的情況相比，通過將橢圓錐形狀或橢圓錐臺(tái)形狀的構(gòu)造體12配置為這樣的準(zhǔn)六邊形格子狀，可以提高直徑方向的填充率。如圖2所示，通過以形成上述的準(zhǔn)六邊形格子圖案的方式排列各構(gòu)造體12，相同軌跡(例如Tl)內(nèi)的各構(gòu)造體12的配置間隔Pl(例如al-a2之間的距離)比鄰接的兩個(gè)軌跡(例如Tl及T2)之間的構(gòu)造體12的配置間隔P2長，其中，P2是相對(duì)于圓周方向，士θ方向(其中，θ=60°-δ，這里，δ優(yōu)選0°<δ彡11°，更優(yōu)選3°彡δ彡6°)上的構(gòu)造體12的配置間隔Ρ2(例如al_a7、a2-a7之間的距離)。例如以一定的配置間隔Pl(al-a2之間距離)來設(shè)置相同軌跡內(nèi)的各構(gòu)造體3，優(yōu)選該配置間隔為Pl為300nm350nm，更優(yōu)選為315350nm的范圍，以選擇約為330nm為例。存在以下傾向如果小于300nm，則構(gòu)造體之間的凹部變淺，導(dǎo)致反射特性降低，如果大于350nm，則構(gòu)造體之間的凹部變寬且在構(gòu)造體之間產(chǎn)生平坦部，從而導(dǎo)致反射特性降低。此外，相對(duì)于圓周方向，在士θ方向(其中，θ=60°-δ，這里，δ優(yōu)選0°<δ彡11°，更優(yōu)選3°彡δ彡6°)上，以一定的配置間隔P2(al-a7(a2-a7)之間的距離)來設(shè)置各構(gòu)造體3，優(yōu)選其配置間隔P2為265300nm的范圍，以選擇約為300nm為例。存在如下傾向如果小于265nm，則構(gòu)造體之間的凹部變淺，導(dǎo)致反射特性降低，如果大于300nm，則構(gòu)造體之間的凹部變寬且在構(gòu)造體之間產(chǎn)生平坦部，從而導(dǎo)致反射特性降低。配置間隔的比率P1/P2優(yōu)選為1.00<P1/P2彡1.32，更優(yōu)選為1.05彡P(guān)l/P2彡1.20，最優(yōu)選為1.10彡P(guān)1/P2彡1.17的范圍內(nèi)。如果比率P1/P2為1.00以下，則構(gòu)造體之間的凹部變淺，導(dǎo)致反射特性降低，如果比率P1/P2大于1.32，則構(gòu)造體之間的凹部變寬且在構(gòu)造體之間產(chǎn)生平坦部，從而導(dǎo)致反射特性降低。如上所述構(gòu)成的構(gòu)造體12的排列結(jié)構(gòu)不僅限于形成在基體11的表面?zhèn)葧r(shí)的情況，也可以同樣地構(gòu)成在基體11的背面?zhèn)?。在這種情況下，相對(duì)于透過基體11的光的射入面以及射出面，都可以獲得防止反射的功能，從而可實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步提高透過特性。在本實(shí)施例中，至少在光射入面?zhèn)仍O(shè)置有上述構(gòu)造體12的排列構(gòu)造。下面，對(duì)如上所述構(gòu)成的光學(xué)元件10的制造方法進(jìn)行說明。在本實(shí)施例中，經(jīng)過了如下工序來制造上述結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件10光學(xué)元件制作用原盤的制作工序、光學(xué)元件制作用復(fù)制基板的制造工序、光學(xué)元件制作用金屬模的制造工序、以及光學(xué)元件的制作工序。圖4A圖4E是用于說明光學(xué)元件制作用原盤的制造工序的模式圖。首先，如圖4A所示，準(zhǔn)備盤狀(圓盤狀)的石英基板(quartzsubstrateU。接著，如圖4B所示，在石英基板1的表面形成抗蝕層2。抗蝕層2既可以是有機(jī)材料也可以是無機(jī)材料。作為有機(jī)類抗蝕劑，可以使用例如酚醛樹脂類抗蝕劑或化學(xué)增強(qiáng)型抗蝕劑。此外，作為無機(jī)類抗蝕劑，優(yōu)選為例如，包括一種或兩種以上鎢或鉬等的過渡金屬的金屬氧化物。接著，如圖4C所示，旋轉(zhuǎn)石英基板1，同時(shí)，將激光(曝光光束)2b照射于抗蝕層2。這時(shí)，通過使激光2b沿石英基板1的半徑方向移動(dòng)，同時(shí)，間歇地照射激光，從而使抗蝕層2整面曝光。由此，在抗蝕層2的整面上，以短于可視光波長的間隔，形成與激光2b的軌跡相對(duì)應(yīng)的潛像2a。此外，將在后面對(duì)該曝光工序的詳細(xì)內(nèi)容進(jìn)行敘述。接著，旋轉(zhuǎn)石英基板1，同時(shí)，在抗蝕層2上滴下顯影液，如圖4D所示，對(duì)抗蝕層2進(jìn)行顯影處理。如圖所示，當(dāng)通過正型(positive)的抗蝕劑來形成抗蝕層2時(shí)，通過激光2b曝光了的曝光部與非曝光部相比較，相對(duì)于顯影液的溶解速度增加，因此，與曝光部(潛像2a)相對(duì)應(yīng)的圖案被形成在抗蝕層2上。接下來，將形成在石英基板1上的抗蝕層2的圖案(抗蝕圖案)作為掩模(mask)，對(duì)石英基板1的表面進(jìn)行蝕刻處理，形成如圖4E所示的凹部圖案3。蝕刻方法是通過干式蝕刻進(jìn)行的。這時(shí)，通過交互進(jìn)行蝕刻處理和拋光(ashing)處理，可以形成圖示的錐體狀的凹部3的圖案，同時(shí)可以制作抗蝕層的三倍以上深度(選擇比為3以上)的石英原盤(master)，并可實(shí)現(xiàn)構(gòu)造體的高縱橫尺寸比化。通過如上處理，可以制造本實(shí)施例的光學(xué)元件制作用原盤4。該原盤4是用于形成圖1所示的光學(xué)元件10的原盤，由凹部3構(gòu)成的表面凹凸構(gòu)造經(jīng)過后述的復(fù)制基板以及成形金屬模，從而形成光學(xué)元件10的構(gòu)造體12。因此，以形成沿原盤4的圓周方向歪曲的準(zhǔn)六邊形格子圖案的方式排列原盤4的凹部3。下面，參照?qǐng)D5對(duì)圖4所示的曝光工序進(jìn)行詳細(xì)的說明。圖5是曝光裝置5的概略結(jié)構(gòu)圖。在本實(shí)施例中，曝光裝置5是以光盤記錄裝置為基礎(chǔ)(base)而構(gòu)成的。如圖5所示，激光光源21是用于曝光在石英基板1的表面成膜的抗蝕層2的光源，其振蕩例如波長λ=266nm的遠(yuǎn)紫外線激光(faruntravioletlaser)2b。從激光光源21射出的激光2b以平行光束(beam)的狀態(tài)直接成膜，并射入電光元件(electroopticmodulator)(EOM)25。透過EOM25的激光2b被反射器22反射，并被導(dǎo)向調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)23。反射器22構(gòu)成為包括偏振分光器(polarizedbeamsplitter)，其具有反射一部分的偏光成分且透過其它偏光成分的功能。透過反射器22的偏光成分被光電二極管24接收，根據(jù)該接收信號(hào)來控制E0M25，并進(jìn)行激光2b的相位調(diào)制。在調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)23中，由聚光透鏡26將激光2b聚光于包括石英(SiO2)等的聲光元件(acousto-opticmodulator)(AOM)27。激光2b被A0M27強(qiáng)度調(diào)制并發(fā)散后，被透鏡28變?yōu)槠叫泄馐?。從調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)23射出的平行曝光的光束2b被反射器29反射，從而水平且平行地被導(dǎo)向移動(dòng)光學(xué)臺(tái)(table)30。移動(dòng)光學(xué)臺(tái)30包括光束擴(kuò)展器31、反射器32以及對(duì)物透鏡(objectivelenS)33。導(dǎo)向移動(dòng)光學(xué)臺(tái)30的激光2b被光束擴(kuò)展器31整形為希望的光束形狀后，通過反射器32以及對(duì)物透鏡33，向石英基板1上的抗蝕層2進(jìn)行照射。石英基板1被載置在與主軸電動(dòng)機(jī)34連接的轉(zhuǎn)臺(tái)(turetable)(未圖示)上。此外，使基板1旋轉(zhuǎn)，同時(shí)，使激光2b沿基板1的旋轉(zhuǎn)半徑方向移動(dòng)，并向抗蝕層2間歇性地照射激光，從而進(jìn)行抗蝕層2的曝光工序。形成的潛像2a為在圓周方向具有長軸的大致橢圓形。通過移動(dòng)光學(xué)臺(tái)30向箭頭R方向的移動(dòng)來移動(dòng)激光2b。在圖5所示的曝光裝置5中，包括用于對(duì)抗蝕層2形成潛像2a的控制機(jī)構(gòu)37，其中，該潛像2a由如圖2所示的準(zhǔn)六邊形格子的二維圖案構(gòu)成?？刂茩C(jī)構(gòu)37包括極性反轉(zhuǎn)部35，用于控制對(duì)抗蝕層2照射激光2b的定時(shí)(timing)；以及驅(qū)動(dòng)器36，用于接收該極性反轉(zhuǎn)部35的輸出并控制A0M27?？刂茩C(jī)構(gòu)37對(duì)應(yīng)每一個(gè)軌跡，分別使基于A0M27的激光2b的強(qiáng)度調(diào)制、主軸電動(dòng)機(jī)34的驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)速度、以及移動(dòng)光學(xué)臺(tái)30的移動(dòng)速度同步，以便使?jié)撓?a的二維圖案在空間上連接(link)。以角速度(CAV)恒定的方式旋轉(zhuǎn)控制基板1。此外，以基于主軸電動(dòng)機(jī)34的基板1的適當(dāng)?shù)男D(zhuǎn)數(shù)、基于A0M27的激光強(qiáng)度的適當(dāng)?shù)念l率調(diào)制、以及基于移動(dòng)光學(xué)臺(tái)30的激光2b的適當(dāng)?shù)妮斔烷g隔來形成圖案。由此，對(duì)于抗蝕層2形成準(zhǔn)六邊形格子圖案的潛像2a。例如，如圖2所示，當(dāng)將圓周方向的配置間隔Pl設(shè)為330nm，且將圓周方向?yàn)榧s60°方向(約-60°)的配置間隔P2設(shè)為300nm時(shí)，輸送間隔為251nm即可。此外，當(dāng)將Pl設(shè)為315nm、P2設(shè)為275nm時(shí)，輸送間隔為226nm即可。此外，當(dāng)將Pl設(shè)為300nm、P2設(shè)為265nm時(shí)，輸送間隔為219nm即可。而且，使極性反轉(zhuǎn)部35的控制信號(hào)逐漸變化，以便使空間頻率(即潛像2a的圖案密度，Pl:330、P2:300nm,或者Pl:315、P2:275nm，或者Pl:300、P2:265nm)為一樣。更具體地說，在對(duì)應(yīng)每個(gè)軌跡使對(duì)抗蝕層2照射激光2b的周期發(fā)生變化的同時(shí)，進(jìn)行曝光，并在控制機(jī)構(gòu)37中進(jìn)行激光2b的頻率調(diào)制，以便使在各軌跡T，P1為大致330nm(或者315nm、300nm)。即，以隨著軌跡位置遠(yuǎn)離基板中心，激光的照射周期變短的方式進(jìn)行調(diào)制控制。由此，可以在基板整面上形成空間頻率一樣的納米圖案(nanopattern)。下面，參照?qǐng)D6，對(duì)直至從光學(xué)元件制作用原盤4制作光學(xué)元件10為止的一系列工序進(jìn)行說明。圖6是用于說明直至從光學(xué)元件制作用原盤4制作光學(xué)元件10為止的概略工序的模式圖。光學(xué)元件制作用原盤4是如下所述地被制作如上所述，從在石英基板1的表面形成抗蝕層2的圖案的狀態(tài)(圖6A)開始，進(jìn)行將該抗蝕劑圖案作為掩模的蝕刻處理，在基板1的表面形成包括凹部3的凹凸構(gòu)造(圖6B)。這里，在基板1的半徑方向和圓周方向上，抗蝕層2的圖案顯影后的層厚不同，與半徑方向的層厚相比圓周方向的層厚較薄。這是因?yàn)橛捎谠谄毓夤ば蛑校够?旋轉(zhuǎn)，并照射激光2b，所以與激光2b照射基板半徑方向的時(shí)間相比，激光2b照射圓周方向的時(shí)間更長，這在顯影之后就表現(xiàn)為抗蝕層2的層厚的不同。在之后的蝕刻處理中，根據(jù)基板1的圓周方向和半徑方向上的抗蝕層2的層厚的不同，而對(duì)所形成的凹部3付與形狀的各向異性。接著，在制成的原盤4的凹凸構(gòu)造面上涂敷紫外線硬化樹脂(ultravioletcuringresin)等光硬化樹脂，在其上重疊配置丙烯酸板等透明基板。此外，從透明基板上照射紫外線并使光硬化樹脂硬化，然后將其從原盤4上剝離。由此，如圖6C所示，制作在透明基板6上轉(zhuǎn)印有包括光硬化樹脂7的凹凸構(gòu)造的光學(xué)元件制作用復(fù)制基板8。接著，在制成的復(fù)制基板8的凹凸構(gòu)造面上通過無電鍍法(electrolessplatingmethod)形成導(dǎo)電膜之后，通過電鍍法形成金屬鍍層。對(duì)于這些無電鍍膜以及電鍍層的構(gòu)成材料，優(yōu)選例如鎳(Ni)。在鍍層形成之后，將其從復(fù)制基板8剝離，根據(jù)需要進(jìn)行外形加工，從而制成圖6D所示的光學(xué)元件制作用金屬模9。接著，將制作的金屬模9設(shè)置作為注塑成型機(jī)(injectionmoldingmachine)的成形金屬模，在閉合金屬模并形成腔體(cavity)后，通過填充聚碳酸酯等熔融樹脂，從而如圖2所示，制成在基體11的表面上一體形成有構(gòu)造體12的細(xì)微排列結(jié)構(gòu)的盤狀基板(圖6E)。然后，通過將制成的基板切割為規(guī)定尺寸，從而制成包括圖1所示形態(tài)的亞波長構(gòu)造面的光學(xué)元件10。此外，并不僅限于對(duì)基板1進(jìn)行蝕刻處理而形成原盤4的情況，也可以將形成有抗蝕層2的圖案的基板1直接用作原盤。綜上所述，根據(jù)本實(shí)施例，以可視光波長以下的細(xì)微間隔在基體11的表面配置有多個(gè)的構(gòu)造體12以形成多列圓弧狀軌跡的方式排列，同時(shí)，在鄰接的三列軌跡之間，構(gòu)成有形成準(zhǔn)六邊形格子圖案的亞波長構(gòu)造體，因此，可以提高基體11表面的構(gòu)造體12的填充密度，由此可以獲得提高了可視光的防止反射效率且在寬的波長范圍內(nèi)防止反射特性顯著的透過率極高的光學(xué)元件10。而且，根據(jù)本實(shí)施例，由于使用應(yīng)用了光盤記錄裝置的曝光裝置5來制作光學(xué)元件制作用原盤4，因此，可以以短時(shí)間且高效率地制造上述構(gòu)成的光學(xué)元件10，同時(shí)，可對(duì)應(yīng)基板的大型化，從而可以實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)率的提高。(第二實(shí)施例)下面，對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施例進(jìn)行說明。圖7是用于說明在基體11的雙面上形成有上述構(gòu)成的亞波長構(gòu)造體的光學(xué)元件的制作方法的主要部分的概略工序的截面圖。圖7A示出了在石英基板1的表面上形成抗蝕層2的圖案的工序，圖7B示出了進(jìn)行將形成圖案后的抗蝕層2作為掩模的蝕刻處理，并制作在基板1的表面上具備包括凹部3的凹凸構(gòu)造的光學(xué)元件制作用原盤4的工序，圖7C示出了在透明基板6上轉(zhuǎn)印有由光硬化樹脂7構(gòu)成的凹凸構(gòu)造的光學(xué)元件制作用復(fù)制基板8的制作工序，圖7D示出了在復(fù)制基板8的凹凸構(gòu)造面上電鍍生成導(dǎo)電膜之后，通過從復(fù)制基板8上剝離而獲得的光學(xué)元件制作用金屬模9的制作工序。在本實(shí)施例中，準(zhǔn)備兩個(gè)如上所述制成的金屬模9，將這些金屬模9設(shè)置作為注塑成型機(jī)的成形金屬模。這時(shí)，通過在金屬模9的各個(gè)凹凸構(gòu)造面之間填充熔融樹脂而形成腔體，從而如圖7E所示，制成在表面以及背面上一體形成有構(gòu)造體12的細(xì)微排列結(jié)構(gòu)的盤狀基板。然后，通過將基板IlW切割為希望的形狀，從而制成在基體11的雙面上包括亞波長構(gòu)造面的光學(xué)元件40。根據(jù)本實(shí)施例的光學(xué)元件40，在基體11的雙面上形成有亞波長構(gòu)造體，因此，可以在光學(xué)元件40的光射入面以及光射出面兩者上都可以獲得防止反射功能。由此，可以實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步提高光的透過特性。通過將本實(shí)施例的光學(xué)元件40用作特別是太陽電池等光電轉(zhuǎn)換裝置中的導(dǎo)光窗(lightguidewindow)、液晶顯示器中的導(dǎo)光板或光學(xué)功能板(sheet)、或薄膜、照明裝置的光射出窗(lightemissionwindow)等各種光設(shè)備用的導(dǎo)光部件，從而可以防止光的表面反射以及背面反射，從而為提高光利用效率做出很大的貢獻(xiàn)。(第三實(shí)施例)圖8示出了本發(fā)明的第三實(shí)施例。在本實(shí)施例中，以染料敏化太陽電池(dyesensitizedsolarcell)50為例進(jìn)行說明，該染料敏化太陽電池50將已經(jīng)在上述第二實(shí)施例中說明了結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件40用作導(dǎo)光窗。本實(shí)施例的染料敏化太陽電池50由在導(dǎo)電窗40與基板44之間設(shè)置有金屬氧化物半導(dǎo)體45和電解質(zhì)層46的層疊體構(gòu)成，其中，該導(dǎo)電窗40包括透明導(dǎo)電膜41，該基板44包括與透明導(dǎo)電膜41成對(duì)極的(透明)導(dǎo)電膜42、以及集電部件43。半導(dǎo)體層45包括例如氧化物半導(dǎo)體材料以及敏化染料(sensitizingdye)。此外，透明導(dǎo)電膜41和導(dǎo)電膜42通過導(dǎo)線連接，形成有具有電流表(ammeter)47的電流電路。導(dǎo)光窗40采用了玻璃基板或透明塑料基板，在其外面?zhèn)鹊墓馍淙朊?受光面)以及內(nèi)面?zhèn)鹊墓馍涑雒嫔显O(shè)置有在上述第一實(shí)施例中說明的構(gòu)造體12的準(zhǔn)六邊形格子狀的細(xì)微排列結(jié)構(gòu)(亞波長結(jié)構(gòu))。金屬氧化物半導(dǎo)體層45構(gòu)成通過在透明導(dǎo)電膜41上燒結(jié)金屬氧化物顆粒而形成的光電轉(zhuǎn)換層。作為形成金屬氧化物半導(dǎo)體層45的材料，可以列舉有例如Ti02、Mg0、Zn0、Sn02、W03、Nb205、TiSr03等的金屬氧化物。此外，在金屬氧化物半導(dǎo)體層45上承載有敏化染料，并且上述金屬氧化物半導(dǎo)體被該敏化染料所敏化。作為敏化染料只要是能夠帶來敏化作用即可，并沒有特別的限制，可以列舉有例如聯(lián)吡啶、菲咯啉衍生物、咕噸型顏料、菁(花青)化合物、堿性染料、嚇啉型化合物、偶氮染料、酞菁化合物、蒽醌型染料、以及多環(huán)奎寧型染料等。電解質(zhì)層46包括至少一種類型的、在電解質(zhì)中溶解有可逆地引起氧化/還原狀態(tài)變化的物質(zhì)體系(materialsystem)(氧化還原型)。電解質(zhì)可以是液體電解質(zhì)、具有包含在高分子物質(zhì)中的凝膠電解質(zhì)、高分子固體物質(zhì)、或無機(jī)固體電解質(zhì)。作為氧化還原型，例如可以列舉有Γ/Ι3_和Br_/Br2這樣的鹵素、醌/氫醌、SCN_/(SCN)2這樣的假鹵素、鐵(II)離子/鐵(III)離子、以及銅(I)離子/銅(II)離子等，但是并不限于此。作為溶劑，可以使用例如乙腈等的腈型、碳酸亞丙酯(碳酸異丙烯酯)、碳酸亞乙酯等的碳酸酯型、Y-丁內(nèi)月旨、吡啶、二甲基乙酰胺、其它的極性溶劑、以及甲基丙基咪唑碘這樣的常溫熔鹽(常溫熔融鹽)或者它們的混合物。在上述結(jié)構(gòu)的染料敏化太陽電池50中，通過導(dǎo)光窗40的受光面接收的光激勵(lì)金屬氧化物半導(dǎo)體層45的表面所承載的敏化染料，敏化染料迅速地向金屬氧化物半導(dǎo)體層45傳遞電子。另一方面，失去電子的敏化染料從作為載體(carrier)移動(dòng)層的電解質(zhì)層46接收電子。傳遞了電子的分子從對(duì)置電極42接收電子。這樣，電流在電極41、42之間流動(dòng)。根據(jù)本實(shí)施例，由于染料敏化太陽電池50的受光面包括作為本發(fā)明涉及的光學(xué)元件的導(dǎo)光窗40，因此，可以有效地防止通過受光面(光射入面)接收的光的表面反射、以及導(dǎo)光窗40的背面(光射出面)中的透過光的反射，由此，可以提高接收的光的利用效率，實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換效率、即發(fā)電效率的提高。此外，由于導(dǎo)光窗40的光射入面以及光射出面包括以短于可視光波長的間隔細(xì)微排列有上述構(gòu)造體12(圖1)的亞波長結(jié)構(gòu)，因此，可以有效地提高在從近紫外區(qū)域直至可視光區(qū)域以及近紅外區(qū)域具有靈敏度的光電轉(zhuǎn)換部的光電轉(zhuǎn)換效率。(第四實(shí)施例)圖9示出了本發(fā)明的第四實(shí)施例。在本實(shí)施例中，以將本發(fā)明適用于硅系太陽電池60，從而作為光電轉(zhuǎn)換裝置為例進(jìn)行說明。圖9示出了硅系太陽電池60的概略結(jié)構(gòu)。硅系太陽電池60包括硅基板61；透明導(dǎo)電膜64、65，形成在該硅基板61的表面以及背面；以及負(fù)載(load)66，連接在透明導(dǎo)電膜64、65之間。硅基板61由連接(junction)型Si基板構(gòu)成，該連接型Si基板包括η型半導(dǎo)體層62以及ρ型半導(dǎo)體層63，且在這些η型半導(dǎo)體層62以及ρ型半導(dǎo)體層63的ρη連接部67上，構(gòu)成有產(chǎn)生與向η型半導(dǎo)體層62的射入光量相對(duì)應(yīng)的電力(electricity)的光電轉(zhuǎn)換層。在本實(shí)施例中，構(gòu)成受光面的η型半導(dǎo)體層62的表面為亞波長構(gòu)造面，該亞波長構(gòu)造面為以射入光的波長以下的細(xì)微間隔來將構(gòu)造體12(圖1)排列為準(zhǔn)六邊形格子狀的亞波長構(gòu)造面，從而可以防止η型半導(dǎo)體層62的射入面的光的反射，并可以實(shí)現(xiàn)透過特性的提高。由此，可以提高ρη連接部67中的光電轉(zhuǎn)換效率。此外，通過以近紫外線的波長以下的細(xì)微間隔來形成硅基板61的光射入面上形成的上述構(gòu)造體12(圖1)的細(xì)微排列構(gòu)造，在從近紫外線區(qū)域到近紅外線區(qū)域的寬范圍內(nèi)具有靈敏度的Si系太陽電池中，可以實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換效率的飛躍性的提高?？梢酝ㄟ^直接對(duì)構(gòu)成η型半導(dǎo)體層62的硅基板61的表面進(jìn)行蝕刻加工而制成上述構(gòu)成的硅系太陽電池60。圖10是用于說明該硅系太陽電池的制造方法的主要部分的工序截面圖。首先，如圖IOA所示，在硅基板61的表面上形成有抗蝕層70，通過進(jìn)行應(yīng)用在上述第一實(shí)施例中說明的光盤記錄技術(shù)的曝光技術(shù)和顯影處理，從而在硅基板61的表面上形成抗蝕層70的掩模圖案。接著，將制成的抗蝕層70的掩模圖案作為掩模，采用CF4等氟碳類氣體(fluorocarbongas)對(duì)蝕刻氣體進(jìn)行蝕刻處理，如圖IOB所示，在硅基板61的表面形成包括錐體形狀的凹部71的凹凸圖案。由此，制成包括亞波長構(gòu)造面的硅基板61。下面，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明，但是，本發(fā)明并不僅限于以下的實(shí)施例。(實(shí)施例1)原盤的制作在石英基板上涂敷厚度150nm程度的化學(xué)增強(qiáng)型或者酚醛樹脂類的正型抗蝕劑(novolakpositiveresist)，在該抗蝕層上采用圖5所示的曝光裝置5形成準(zhǔn)六邊形格子圖案的潛像。激光的波長為266nm，激光功率(laserpower)為0.50mJ/m。然后，對(duì)抗蝕層進(jìn)行顯影處理，并制成抗蝕圖案。作為顯影液，采用了無機(jī)堿性顯影液(inorganicalkalinedeveloper)(東京応化社製(東京應(yīng)化公司制))。接著，反復(fù)進(jìn)行以下兩個(gè)處理通過O2拋光除去抗蝕圖案并擴(kuò)大開口直徑的處理；以及通過在CHF3氣體氣氛下的等離子蝕刻對(duì)石英基板進(jìn)行蝕刻的處理。其結(jié)果是在石英基板的表面露出的準(zhǔn)六邊形格子圖案的直徑逐漸擴(kuò)大的同時(shí)，進(jìn)行蝕刻，其它區(qū)域則是將抗蝕圖案作為掩模，沒有進(jìn)行蝕刻，從而形成圖6B所模式示出的截面為大致三角形狀的凹部。根據(jù)蝕刻時(shí)間而使蝕刻量發(fā)生變化。最后，通過O2拋光來完全除去抗蝕圖案。由此，制成亞波長構(gòu)造體原盤(原盤)，該亞波長構(gòu)造體原盤具有圓周方向間隔Pl為330nm、圓周方向約為60°方向(約-60°方向)、間隔P2為300nm、深度為250nm程度(about)至450nm程度的凹部準(zhǔn)六邊形格子圖案。復(fù)制基板的制作接著，在制成的亞波長構(gòu)造體原盤上涂敷紫外線硬化樹脂，然后使丙烯酸板粘合在紫外線硬化樹脂上。此外，照射紫外線并使紫外線硬化樹脂硬化，從而將其從石英原盤上剝離。由此，制成包括凸部準(zhǔn)六邊形格子圖案的亞波長構(gòu)造體紫外線硬化復(fù)制基板。成形用金屬模的制作接著，在制成的亞波長構(gòu)造體紫外線硬化復(fù)制基板的凹凸圖案上，通過無電鍍法，形成包括鎳皮膜的導(dǎo)電膜。此外，將形成有導(dǎo)電膜的復(fù)制基板設(shè)置在電鑄裝置上，通過電鍍法，在導(dǎo)電膜上形成300士5μπι程度厚度的鎳鍍層。然后，采用切割器(cutter)等將鎳鍍層從復(fù)制基板上剝離，然后利用丙酮(acetone)洗凈被轉(zhuǎn)印的凹凸構(gòu)造面，從而制成具有凹部準(zhǔn)六邊形格子圖案的亞波長構(gòu)造體Ni金屬原盤(成形用金屬模)。光學(xué)元件的制作接著，采用制成的亞波長構(gòu)造體M金屬原盤來制作聚碳酸酯樹脂的注射模塑成形基板，從而獲得表面上具有凸部準(zhǔn)六邊形格子圖案的亞波長構(gòu)造體成形復(fù)制基板。然后，將該復(fù)制基板切割為規(guī)定尺寸，從而制成本發(fā)明涉及的光學(xué)元件。(實(shí)施例2)在本實(shí)施例中，在原盤制作工序中，改變CHF3氣體的等離子蝕刻時(shí)間，從而制成空間頻率(圓周周期(配置間隔Pl)330nm、圓周60°周期(配置間隔P2)300nm)—樣的準(zhǔn)六邊形格子圖案的亞波長構(gòu)造體石英原盤A、B。此外，制成空間頻率(PI:350nm、間隔P2300nm)一樣的準(zhǔn)六邊形格子圖案的亞波長構(gòu)造體石英原盤D。接著，分別制成上述亞波長構(gòu)造體石英原盤A的紫外線硬化復(fù)制基板Al、亞波長構(gòu)造體石英原盤的紫外線硬化復(fù)制板(Sheet)Bl以及亞波長構(gòu)造體石英原盤A、D的成形復(fù)制基板(聚碳酸酯、折射率1.59)A2、D2。在圖11中集中示出了石英原盤A、B、D的蝕刻時(shí)間、以及紫外線硬化復(fù)制基板(sheet)Al、Bl以及成形復(fù)制基板A2、D2的凹凸構(gòu)造的形態(tài)。此外，從AFM(原子力顯微鏡(AtomicForceMicroscope))的截面曲線(profile)測(cè)定各采樣的圖案高度。在圖11中，構(gòu)造體的圓周方向的高度(深度)小于半徑方向的高度(深度)，此夕卜，亞波長構(gòu)造體的圓周方向以外部分的高度(深度)與半徑方向的高度(深度)大致相同，因此，由半徑方向的高度(深度)來代表亞波長構(gòu)造體的深度。此外，如上所述，通過下面的式(1)、式(2)來定義圖11中的縱橫尺寸比、平均配置間隔?？v橫尺寸比=H/P...(1)其中，H:圓周方向的構(gòu)造體的高度，P:平均配置間隔(平均周期)。平均配置間隔P=(Pl+P2+P2)/3=(330+300+300)/3=310.··(2)其中，Pl圓周方向的配置間隔(圓周周期)，P2:相對(duì)于圓周方向、士θ方向(其中，θ=60°-δ)的配置間隔。此外，在下面的實(shí)施例中，對(duì)縱橫尺寸比、配置間隔進(jìn)行了同樣的定義。圖12是紫外線硬化復(fù)制基板Al的SEM照片。圖12所示的亞波長構(gòu)造體形狀為如下橢圓錐形狀與頂部以及底部的傾斜相比，其中央部的傾斜更為陡峭。此外，亞波長構(gòu)造體被排列為準(zhǔn)六邊形格子狀。如此形狀的構(gòu)造體可以通過如下方式獲得在石英原盤A的蝕刻工序中，從構(gòu)造體的尖端部(top)直至中央部增長蝕刻時(shí)間，從構(gòu)造體的中央部直至底部逐漸地縮短蝕刻時(shí)間。具體地說，是依次進(jìn)行以下的處理。此外，其它的石英原盤B、D除了根據(jù)其形狀適當(dāng)調(diào)整蝕刻時(shí)間或者循環(huán)(cycle)次數(shù)之外，均與石英原盤A—樣進(jìn)行制作。1·O2拋光5秒、CHF3蝕刻1分2.O2拋光5秒、CHF3蝕刻2分3.O2拋光5秒、CHF3蝕刻3分4.O2拋光5秒、CHF3蝕刻4分5.O2拋光5秒、CHF3蝕刻3分6.O2拋光5秒、CHF3蝕刻2分7.O2拋光5秒、CHF3蝕刻1分8.O2拋光15秒此外，圖案的圓周方向的高度小于半徑方向的高度。而且，由于圖案的圓周方向以外部分的高度與半徑方向的高度大致相同，因此，由半徑方向的高度代表圖案的高度。(反射率的評(píng)價(jià))采用裝置(日本分光社製「V-500」(日本分光公司制“V-500”))來評(píng)價(jià)各采樣的反射率。圖13A、圖13B、圖14A以及圖14B示出了各采樣的反射率的波長特性。圖13A示出了采樣Al的反射特性。雖然采樣Al的反射率具有波長依存性，但是，在可視光區(qū)域(400780nm)，平均反射率為0.45%，是非常小的值。圖13B示出了采樣Bl的反射特性。采樣Bl的反射率也具有波長依存性，在長波長側(cè)反射率上升，但是可以獲得充分的特性在780nm以下的可視光區(qū)域中，反射率為小于1%，在顯示器的波長區(qū)域(R:650nm、G:530nm、B:440nm)中，反射率為小于0.6%。圖14A示出了采樣A2的反射特性。關(guān)于采樣A2，可以獲得和采樣Al相同的波長依存性的反射率。由該結(jié)果可以確認(rèn)采樣Al和采樣A2關(guān)于凹凸構(gòu)造面具有相同的轉(zhuǎn)印性(transfer)0圖14B示出了采樣D2的反射特性。關(guān)于采樣D2，雖然具有反射率的波長依存性，但是，在可視光區(qū)域，其為0.40%的平均反射率，為非常小的值。并且可以確認(rèn)在空間頻率為Pl:350nm、P2:300nm的準(zhǔn)六邊形格子圖案中，也可以獲得顯著的防止反射特性?；谝陨辖Y(jié)果，空間頻率為Pl330350nm、P2:300nm時(shí)，可以獲得充分的防止反射特性。換言之，在P1/P2的值為1.11.17的復(fù)制基板中，可以獲得充分的防止反射特性。而且，蛾眼形狀是六邊形格子圖案歪曲的凸形狀的橢圓錐形，當(dāng)縱橫尺寸比為1.251.46的圖案高度分布時(shí)，可以獲得非常卓越的防止反射特性。(實(shí)施例3)在本實(shí)施例中，在原盤制作工序中，使CHF3氣體的等離子蝕刻時(shí)間為一定的時(shí)間，制成空間頻率(圓周周期(配置間隔Pl)330nm、圓周60°周期(配置間隔P2)300nm)—樣的準(zhǔn)六邊形格子圖案的亞波長構(gòu)造體石英原盤C。此外，在亞波長構(gòu)造體石英原盤C的凹部具有深度分布。接著，制成上述亞波長構(gòu)造體石英原盤C的紫外線硬化復(fù)制基板Cl。圖11示出了石英原盤C的蝕刻時(shí)間、以及紫外線硬化復(fù)制基板Cl的凹凸構(gòu)造的形態(tài)。此外，各采樣的圖案高度是從AFM(原子力顯微鏡)的截面曲面測(cè)定的。在圖11中，構(gòu)造體的圓周方向的高度(深度)小于半徑方向的高度(深度)，此夕卜，由于亞波長構(gòu)造體的圓周方向以外的部分的高度(深度)與半徑方向的高度(深度)大致相同，因此，由半徑方向的高度(深度)代表亞波長構(gòu)造體的深度。此外，通過上述式(1)、式(2)來定義圖11中的縱橫尺寸比、平均配置間隔。圖15、圖16是紫外線硬化復(fù)制基板C的SEM照片。如圖15所示，構(gòu)造體被配置為準(zhǔn)六邊形格子狀。此外，構(gòu)造體具有橢圓錐臺(tái)形狀。如此形狀的構(gòu)造體可以通過以下方式獲得在抗蝕劑掩模(resistmask)上設(shè)置開口，在石英原盤C的蝕刻工序中，使拋光時(shí)間、蝕刻時(shí)間為一定的時(shí)間，從而獲得上述形狀的構(gòu)造體。具體地說，是依次進(jìn)行以下處理。1·O2拋光5秒、CHF3蝕刻2.5分2.O2拋光5秒、CHF3蝕刻2.5分3.O2拋光5秒、CHF3蝕刻2.5分4.O2拋光5秒、CHF3蝕刻2.5分5.O2拋光5秒、CHF3蝕刻2.5分6.O2拋光5秒、CHF3蝕刻2.5分7.O2拋光5秒、CHF3蝕刻2.5分8.O2拋光5秒、CHF3蝕刻2.5分9.O2拋光15秒(反射率的評(píng)價(jià))采用裝置(日本分光社製「V-500」(日本分光公司制“V-500”))來評(píng)價(jià)各采樣的反射率。其結(jié)果如圖13C所示。圖13C示出了采樣Cl的反射特性。關(guān)于采樣Cl，可以如下結(jié)果長波長側(cè)穩(wěn)定，波長依存性幾乎沒有，反射率也非常低。可以獲得非常卓越的防止反射特性在可視光區(qū)域，反射率小于0.35%，平均反射率為0.3%?？梢哉J(rèn)為波長依存性少的理由是凹凸構(gòu)造的六邊形格子圖案的歪曲和凹凸構(gòu)造的高度分布(深度分布)大的原因。此外，作為反射率降低的理由，可以認(rèn)為是由于橢圓錐臺(tái)的寬度寬，所以提高填充率的形狀的原因。將實(shí)施例2以及實(shí)施例3的構(gòu)造體進(jìn)行比較，在從基板的上面觀察實(shí)施例2以及實(shí)施例3的構(gòu)造體時(shí)，實(shí)施例2的構(gòu)造體看起來是又細(xì)又小的圓，與此相對(duì)，實(shí)施例3的構(gòu)造體看起來是大圓。即實(shí)施例3的構(gòu)造體與實(shí)施例2的構(gòu)造體相比，其體積看起來更大。因此，實(shí)施例3的構(gòu)造體與實(shí)施例2的構(gòu)造體相比，可以提高填充率。(實(shí)施例4)原盤的制作在石英基板上涂敷厚度150nm程度的化學(xué)增強(qiáng)型或者酚醛樹脂類的正型抗蝕劑，在該抗蝕層上采用圖5所示的曝光裝置5形成準(zhǔn)六邊形格子圖案的潛像。激光的波長為266nm，激光功率為0.50mJ/m。然后，對(duì)抗蝕層進(jìn)行顯影處理，并制成抗蝕圖案。作為顯影液，采用了無機(jī)堿性顯影液(東京応化社製(東京應(yīng)化公司制))。接著，反復(fù)進(jìn)行以下兩個(gè)處理通過O2拋光(5秒)除去抗蝕圖案并擴(kuò)大開口直徑的處理；以及通過在CHF3氣體氣氛下的等離子蝕刻(3分)對(duì)石英基板進(jìn)行蝕刻的處理。其結(jié)果是在石英基板表面露出的準(zhǔn)六邊形格子圖案直徑逐漸擴(kuò)大的同時(shí)，進(jìn)行蝕刻，其它區(qū)域則是將抗蝕圖案為掩模，沒有進(jìn)行蝕刻，從而形成圖6B所模式示出的截面為大致三角形狀的凹部3。根據(jù)蝕刻時(shí)間而使蝕刻量發(fā)生變化。最后，通過O2拋光來完全除去抗蝕圖案。由此，制成亞波長構(gòu)造體原盤(原盤)，該亞波長構(gòu)造體原盤具有圓周方向間隔Pl為330nm、圓周方向約60°方向(約-60°方向)間隔P2為300nm、深度為270nm程度至400nm程度的凹部準(zhǔn)六邊形格子圖案。復(fù)制基板的制作接著，在制成的亞波長構(gòu)造體原盤上涂敷紫外線硬化樹脂，然后使丙烯酸板粘合在紫外線硬化樹脂上。此外，照射紫外線并使紫外線硬化樹脂硬化，從而將其從石英原盤上剝離。由此，制成包括凸部準(zhǔn)六邊形格子圖案的亞波長構(gòu)造體紫外線硬化復(fù)制基板。成形用金屬模的制作接著，在制成的亞波長構(gòu)造體紫外線硬化復(fù)制基板的凹凸圖案上，通過無電鍍法，形成包括鎳皮膜的導(dǎo)電膜。此外，將形成有導(dǎo)電膜的復(fù)制基板設(shè)置在電鑄裝置上，通過電鍍法，在導(dǎo)電膜上形成300士5μm程度厚度的鎳鍍層。然后，采用切割器等將鎳鍍層從復(fù)制基板上剝離，然后利用丙酮洗凈所轉(zhuǎn)印的凹凸構(gòu)造面，從而制成具有凹部準(zhǔn)六邊形格子圖案的亞波長構(gòu)造體Ni金屬原盤(成形用金屬模)。光學(xué)元件的制作接著，采用制成的亞波長構(gòu)造體M金屬原盤來制作聚碳酸酯樹脂的注射模塑成形基板，從而獲得表面上具有凸部準(zhǔn)六邊形格子圖案的亞波長構(gòu)造體成形復(fù)制基板。然后，將該復(fù)制基板切割為規(guī)定尺寸，從而制成本發(fā)明涉及的光學(xué)元件。(實(shí)施例5)在本實(shí)施例中，在原盤制作工序中，改變CHF3氣體的等離子蝕刻時(shí)間，從而制成空間頻率(圓周周期(配置間隔Pl)330nm、圓周約60°周期(配置間隔P2)300nm)—樣的準(zhǔn)六邊形格子圖案的亞波長構(gòu)造體石英原盤A、E0此外，制成空間頻率(PI:315nm、間隔P2275nm)一樣的準(zhǔn)六邊形格子圖案的亞波長構(gòu)造體石英原盤F。接著，分別制成上述亞波長構(gòu)造體石英原盤A、E、F的紫外線硬化復(fù)制基板A1、E1、Fl以及亞波長構(gòu)造體石英原盤A的成形復(fù)制基板(聚碳酸酯、折射率1.59)A2。而且，還分別制成在雙面上設(shè)置有亞波長構(gòu)造體的紫外線硬化復(fù)制基板(在圖6C中，在透明基板6的雙面上轉(zhuǎn)印有由紫外線硬化樹脂7構(gòu)成的凹凸構(gòu)造的復(fù)制基板)EW1、FW1。在圖17中集中示出了石英原盤A、E、F的蝕刻時(shí)間、紫外線硬化復(fù)制基板Al、El、Fl以及成形復(fù)制基板A2的凹凸構(gòu)造的形態(tài)。各采樣的圖案高度是從AFM(原子力顯微鏡)的截面曲線測(cè)定的。此外，圖案的圓周方向的高度小于半徑方向的高度。而且，由于圖案的圓周方向以外部分的高度與半徑方向的高度大致相同，因此，由半徑方向的高度來代表圖案的高度。(透過率的評(píng)價(jià))采用日本分光公司制的測(cè)定裝置“V-500”(日本分光社製「V-500」)來評(píng)價(jià)各采樣的透過率評(píng)價(jià)。圖18圖20示出了各采樣的透過率的波長特性。圖18A示出了采樣Al的透過特性。采樣Al其透過率幾乎沒有波長依存性，在波長(440nm800nm)中，平均透過率為95%96%，可以獲得充分的特性。圖18B示出了采樣A2的透過特性。采樣A2其波長450nm以下的透過率特性略微不好，但是，在顯示器的波長區(qū)域(R:650nm、G:530nm、B:450nm)中，平均透過率為95%96%，可以獲得充分的特性。此外，關(guān)于采樣A2，可以獲得與紫外線硬化復(fù)制基板采樣Al相同的波長依存性和透過率。由該結(jié)果可以確認(rèn)采樣Al和采樣A2關(guān)于凹凸構(gòu)造面具有相同的轉(zhuǎn)印性。圖18C示出了采樣El的透過特性。關(guān)于采樣E1，可以獲得其波長依存性幾乎沒有，透過率也非常高且穩(wěn)定的結(jié)果。在波長(430800nm)中，平均透過率為95%96%，可以獲得非常卓越的透過特性。圖19示出了采樣EWl的透過特性和光的射入角依存特性。在雙面上設(shè)置有亞波長構(gòu)造體的紫外線硬化復(fù)制基板采樣EWl的透過特性因?yàn)闆]有背面反射，所以和采樣El相比，可以進(jìn)一步被提高。在射入角為0度時(shí)，在波長430SOOnm中，平均透過率為99%，可以獲得非常充分的特性。此外，即使射入角增加，在藍(lán)色的波長(450nm)中，當(dāng)射入角20度時(shí)透過率為96%，當(dāng)射入角30度時(shí)透過率為93.5%，其特性非常充分。雖然在日本特開2006-145885號(hào)公報(bào)(專利文件1)中，通過電介質(zhì)薄膜的層疊構(gòu)造，使紅色LED光(640nm)、綠色LED光(530nm)、藍(lán)色LED光(450nm)的透過率提高為80%、80%,50%,但是在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述透過率分別為99%、99%、99%，顯著提高了透過特性。射入角依存性也少，且在士2030度的范圍內(nèi)可以獲得充分的透過特性。特別是，藍(lán)色光(450nm)的透過特性從50%到99%，其性能提高了兩倍。這可以理解為難以引起基于藍(lán)色光吸收的元件的劣化。由此，可以提供可靠性極高的光學(xué)濾波(opticalfilter)元件、或者采用了該光學(xué)濾波元件的LED顯示器。而且，由于采用了鈮(Nb)等稀土類，所以可以提供沒有環(huán)境污染問題的光學(xué)濾波元件、或者采用了該光學(xué)濾波元件的LED顯示器。下面，圖20示出了采樣FWl的透過特性以及射入角依存性。對(duì)于在雙面上設(shè)置有亞波長構(gòu)造體的紫外線硬化復(fù)制基板采樣FWl的透過特性，幾乎沒有波長依存性，在可視光區(qū)域(400SOOnm)中平均透過率為98%，透過特性格外顯著?？梢源_認(rèn)即使是空間頻率為Pl:315nm、P2:275nm的準(zhǔn)六邊形格子圖案，也可以獲得格外卓越的透過特性。因此，除了LED顯示器之外，還可以適用于很多熒光顯示器(fluorescentlampdisplay)和照明裝置的導(dǎo)光元件等很多應(yīng)用商品?；谝陨辖Y(jié)果，空間頻率為Pl315330nm、P2275300nm時(shí)，可以獲得充分的透過特性。換言之，在P1/P2的值為1.051.2的復(fù)制基板中，可以獲得充分的透過特性。而且，亞波長構(gòu)造體形狀是六邊形格子圖案歪曲的凸形狀的橢圓錐，在縱橫尺寸比為0.941.28的圖案高度分布中，可以獲得非常卓越的透過特性。(實(shí)施例6)在本實(shí)施例中，在原盤制作工序中，改變CHF3氣體的等離子蝕刻時(shí)間，從而制成空間頻率(圓周周期(配置間隔Pl)315nm、圓周約60°周期(配置間隔P2)275nm)—樣的準(zhǔn)六邊形格子圖案的亞波長構(gòu)造體石英原盤F。此外，制成空間頻率(PI:300nm、間隔P2265nm)一樣的準(zhǔn)六邊形格子圖案的亞波長構(gòu)造體石英原盤G。接著，分別制成上述亞波長構(gòu)造體石英原盤F的紫外線硬化復(fù)制基板F1、以及亞波長構(gòu)造體石英原盤G的成形復(fù)制基板(聚碳酸酯、折射率1.59)Gl0而且，還分別制成在雙面上設(shè)置有亞波長構(gòu)造體的紫外線硬化復(fù)制基板(在圖6C中，是在透明基板6的雙面上轉(zhuǎn)印有由紫外線硬化樹脂7構(gòu)成的凹凸構(gòu)造的復(fù)制基板)FW1、GW1。在圖21中示出了石英原盤F、G的蝕刻時(shí)間、以及紫外線硬化復(fù)制基板Fl以及成形復(fù)制基板Gl的凹凸構(gòu)造的形態(tài)。在圖21中，如圖10所示，對(duì)于太陽電池H的采樣，以空間頻率(圓周方向(Pl)300nm、圓周方向60°方向(P2)330nm)—樣的準(zhǔn)六邊形格子圖案，對(duì)抗蝕劑涂敷(resistcoat)的Si基板(太陽電池材料)形成圖案，然后進(jìn)行CF4氣體的等離子蝕刻，并在表面上形成準(zhǔn)六邊形格子圖案的亞波長構(gòu)造體。各采樣的圖案高度是根據(jù)AFM(原子力顯微鏡)的截面曲面而測(cè)定的。此外，圖案的圓周方向的高度小于半徑方向的高度。而且，由于圖案的圓周方向以外部分的高度與半徑方向的高度大致相同，因此，由半徑方向的高度代表圖案的高度。(透過率的評(píng)價(jià))采用日本分光公司制(日本分光社製)的測(cè)定裝置“V-500”來評(píng)價(jià)各采樣的透過率評(píng)價(jià)。圖22以及圖23示出了各采樣的透過率的波長特性。圖22示出了采樣FWl的透過特性。此外，該采樣FWl是與上述實(shí)施例2中說明的采樣FWl相同的采樣，圖22與圖20相比其擴(kuò)大了波長范圍進(jìn)行表示。如圖22所示，關(guān)于采樣FW1，波長4001200nm內(nèi)的透過率大致為98%，獲得了充分的特性。此外，在短波長(350400nm)的區(qū)域中，雖然透過率逐漸減少，但是即使在波長350nm中也可以獲得透過70%程度的充分的特性。而且，可知角度依存性少，直至士30度的射入角度為止，透過特性幾乎沒有變化。另一方面，圖23示出了采樣GWl的透過特性。關(guān)于采樣GW1，同樣在波長4001200nm內(nèi)的透過率為98%，可以獲得充分的特性。此外，在短波長(350400nm)的區(qū)域中，雖然透過率逐漸減少，但是即使在波長350nm中也可以獲得透過90%程度的充分的特性。而且，可知角度依存性少，直至士30度的射入角度為止，透過特性幾乎沒有變化。圖24示出了太陽光的光譜以及一般的Si太陽電池的靈敏度光譜(出處“熱光起電力(TPV)發(fā)電系統(tǒng)”「熟光起電力(TPV)発電〉^rA」網(wǎng)絡(luò)<URL:http://WWW.mech·tohoku.ac.jp/mech-labs/yugami/research/tpv/tpv_info.html。如圖24所不，太陽光的光譜跨越分布在波長3501200nm的范圍內(nèi)。因此，通過將在波長3501200nm的寬的波長范圍內(nèi)具有卓越的透過率特性的、本實(shí)施例涉及的采樣FWl及GWl用作太陽電池用的導(dǎo)光窗，從而可以提高光利用效率，并可為提高發(fā)電效率做出很大的貢獻(xiàn)。此外，除了太陽電池之外，本發(fā)明也可以適用于很多光傳感器用的導(dǎo)光窗?；谝陨辖Y(jié)果，在空間頻率為Pl:300315nm、P2:265275nm時(shí)，可以獲得充分的透過特性。而且，亞波長構(gòu)造體形狀為六邊形格子圖案歪曲的凸形狀的橢圓錐，在縱橫尺寸比為1.091.19的圖案高度分布中，可以獲得非常卓越的透過特性。此外，在表面上包括準(zhǔn)六邊形格子圖案的亞波長構(gòu)造體的太陽電池H(圓周周期(配置間隔PI)330nm、圓周約60°周期(配置間隔P2)300nm、深度251nm、縱橫尺寸比0.85)的圖案部的反射率(5度射入)與Si基板的平坦部的反射率(40%程度)相比格外少，為2%程度。因?yàn)榘▉啿ㄩL構(gòu)造體的太陽電池H其反射率的角度依存性少，所以可以期待1.52倍程度的效率。(實(shí)施例7)除了將縱橫尺寸比(H/P)分別變更為0.58,0.75,0.92、1.08、1.25、1.42、1.58之夕卜，均與實(shí)施例1相同，從而獲得紫外線硬化復(fù)制基板采樣。(反射率的評(píng)價(jià))采用裝置(日本応化社製(日本應(yīng)化公司制))來評(píng)價(jià)各采樣的反射率評(píng)價(jià)。圖25示出了各采樣的反射率的波長特性。此外，在圖25中，示出了將所有的反射設(shè)定為“1”的反射率。從圖25可知如果縱橫尺寸比(H/P)變小，則長波長側(cè)的反射率增高。下面，參照?qǐng)D2628，對(duì)實(shí)施例810進(jìn)行說明。(實(shí)施例8)如圖26A所示，對(duì)于在一個(gè)主面上將不包括裙?fàn)畈康臉?gòu)造體設(shè)置為準(zhǔn)六邊形格子狀的光學(xué)元件，求出其反射特性。此外，如圖27所示，設(shè)定圖案深度為420nm、周期為330nm、縱橫尺寸比為1.27。其結(jié)果如圖28所示。(實(shí)施例9)如圖26B所示，對(duì)于在一個(gè)主面上設(shè)置包括裙?fàn)畈康臉?gòu)造體的光學(xué)元件，求出其反射特性。此外，如圖27所示，設(shè)定圖案深度為420nm、周期為330nm、縱橫尺寸比為1.27。此外，裙?fàn)畈繛槭够緲?gòu)造的外側(cè)的十分之一在深度70nm的范圍內(nèi)傾斜。其結(jié)果如圖28所示。(實(shí)施例10)如圖26C所示，對(duì)于未設(shè)置有構(gòu)造體的透明平板，求出其反射特性。其結(jié)果如圖28所示。(反射特性的評(píng)價(jià))設(shè)置有構(gòu)造體的實(shí)施例8、9與未設(shè)置有構(gòu)造體的實(shí)施例10相比，可以大幅度地降低反射率。此外，在構(gòu)造體上設(shè)置有裙?fàn)畈康膶?shí)施例9可以獲得與在構(gòu)造體上未設(shè)置有裙?fàn)畈康膶?shí)施例8大致相等的反射率。此外，如實(shí)施例9的光學(xué)元件所示，如果在構(gòu)造體上設(shè)置裙?fàn)畈?，則在光學(xué)元件的制作工序中，可以容易地將光學(xué)元件從金屬模上剝離?；谝陨辖Y(jié)果，因?yàn)榻档土朔瓷渎是铱梢匀菀椎貙⒐鈱W(xué)元件從金屬模上剝離，所以優(yōu)選在構(gòu)造體上設(shè)置裙?fàn)畈?。以上，雖然對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式以及實(shí)施例進(jìn)行了具體的說明，但是本發(fā)明并不僅限于上述實(shí)施方式以及實(shí)施例，可以有基于本發(fā)明技術(shù)方案的各種變形。例如，在上述實(shí)施例以及實(shí)施例中列舉的數(shù)值僅為示例，根據(jù)需要可以采用與這些數(shù)值不同的數(shù)值。此外，本發(fā)明也可以適用于包括硼硅玻璃(borosilicateglass)等的超微加工體等。作為這樣的加工體，可以列舉有例如CCD(ChargeCouplededevice，電荷耦合裝置)或CMOS(ComplementaryMetal-OxideSemiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)等固體攝像元件的覆蓋玻璃(coverglass)。如圖22所示，由于可視光的透過率高，所以可以認(rèn)為本發(fā)明優(yōu)選適用于上述覆蓋玻璃。權(quán)利要求一種光學(xué)元件，在基體表面上以可視光的波長以下的微小間隔配置有多個(gè)包括凸部或凹部的構(gòu)造體，其特征在于所述各構(gòu)造體被配置為在所述基體表面呈多列圓弧狀軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案，其中，所述構(gòu)造體是在所述圓弧狀軌跡的圓周方向上具有長軸方向的橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于相同軌跡內(nèi)的所述構(gòu)造體的配置間隔Pl長于鄰接的兩個(gè)軌跡間的所述構(gòu)造體的配置間隔P2。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于當(dāng)將相同軌跡內(nèi)的所述構(gòu)造體的配置間隔設(shè)定為P1，并將鄰接的兩個(gè)軌跡間的所述構(gòu)造體的配置間隔設(shè)定為P2時(shí)，P1/P2為1.OO<P1/P2(1.32。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于所述各構(gòu)造體為如下的橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀在所述圓弧狀軌跡的圓周方向上具有長軸方向，且中央部的傾斜比尖端部以及底部的傾斜更為陡峭。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于所述圓弧狀軌跡的圓周方向上的所述構(gòu)造體的高度或深度小于所述圓弧狀軌跡的直徑方向上的所述構(gòu)造體的高度或深度。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于縱橫尺寸比為0.811.46。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)元件，其特征在于縱橫尺寸比為0.941.28。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于縱橫尺寸比為0.941.46。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于縱橫尺寸比為0.811.28。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于相同軌跡內(nèi)的所述構(gòu)造體的配置間隔Pl為300nm350nm，鄰接的兩個(gè)軌跡間的所述構(gòu)造體的配置間隔P2為265nm300nm。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于光射入面以及光射出面兩者上都設(shè)置有所述多個(gè)構(gòu)造體。12.一種光學(xué)元件制作用原盤的制造方法，所述光學(xué)元件以可視光的波長以下的微小間隔配置有多個(gè)由凸部或凹部構(gòu)成的構(gòu)造體，所述光學(xué)元件制作用原盤的制造方法的特征在于，包括第一工序，準(zhǔn)備在表面上形成有抗蝕層的基板；第二工序，使所述基板旋轉(zhuǎn)，同時(shí)，使激光沿所述基板的旋轉(zhuǎn)半徑方向相對(duì)移動(dòng)，并對(duì)所述抗蝕層間歇性地照射激光，以短于可視光波長的間隔形成潛像；以及第三工序，對(duì)所述抗蝕層進(jìn)行顯影，在所述基板的表面上形成抗蝕圖案，其中，在所述第二工序中，使所述潛像形成為在所述基板的旋轉(zhuǎn)方向上具有長軸的橢圓形狀，并且，使所述潛像形成為在鄰接的三列軌跡之間構(gòu)成準(zhǔn)六邊形格子圖案。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學(xué)元件制作用原盤的制造方法，其特征在于在所述第二工序中，對(duì)應(yīng)于每個(gè)軌跡使對(duì)所述抗蝕層照射激光的周期變化的同時(shí)，對(duì)所述抗蝕層照射激光。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學(xué)元件制作用原盤的制造方法，其特征在于將相同軌跡內(nèi)的所述潛像的形成間隔設(shè)定得長于鄰接的兩個(gè)軌跡間的所述潛像的形成間隔。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學(xué)元件制作用原盤的制造方法，其特征在于以角速度一定的方式使所述基板旋轉(zhuǎn)。16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學(xué)元件制作用原盤的制造方法，其特征在于在所述第三工序之后，所述光學(xué)元件制作用原盤的制造方法還包括第四工序，通過進(jìn)行將所述抗蝕圖案作為掩模的蝕刻處理，在所述基板的表面形成凹凸構(gòu)造。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光學(xué)元件制作用原盤的制造方法，其特征在于在所述第四工序中，交互進(jìn)行所述抗蝕圖案的拋光處理和所述基板表面的蝕刻處理。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光學(xué)元件制作用原盤的制造方法，其特征在于將所述拋光處理的時(shí)間保持為一點(diǎn)，并逐漸地增長所述蝕刻處理的時(shí)間，交互進(jìn)行所述抗蝕圖案的拋光處理和所述基板表面的蝕刻處理之后，將所述拋光處理的時(shí)間保持為一點(diǎn)，并逐漸地縮短所述蝕刻處理的時(shí)間，交互進(jìn)行所述抗蝕圖案的拋光處理和所述基板表面的蝕刻處理。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光學(xué)元件制作用原盤的制造方法，其特征在于將所述拋光處理的時(shí)間以及所述蝕刻處理的時(shí)間分別保持為一定，并交互進(jìn)行所述抗蝕圖案的拋光處理和所述基板表面的蝕刻處理。20.一種光電轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，包括光電轉(zhuǎn)換層；以及透光性的光學(xué)元件，被設(shè)置于所述光電轉(zhuǎn)換層的受光部，其中，對(duì)于所述光學(xué)元件，在受光面上以可視光的波長以下的細(xì)微間隔排列有多個(gè)由凸部或凹部構(gòu)成的構(gòu)造體，所述各構(gòu)造體被配置為在所述光射入面上配置有呈多列圓弧狀軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案，所述構(gòu)造體是在所述圓弧狀軌跡的圓周方向上具有長軸方向的橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于所述光電轉(zhuǎn)換層是在第一電極和第二電極之間夾持著半導(dǎo)體層和電解質(zhì)層的層疊體。全文摘要本發(fā)明提供了光學(xué)元件、光學(xué)元件制作用原盤的制造方法以及光電變換裝置。其中，光學(xué)元件形成為在基體表面上，以可視光的波長以下的細(xì)微間隔配置有多個(gè)由凸部或凹部構(gòu)成的構(gòu)造體。各構(gòu)造體以在基體表面上被配置為呈多列圓弧狀軌跡，并形成準(zhǔn)六邊形格子圖案，構(gòu)造體是在圓弧狀軌跡的圓周方向上具有長軸方向的橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀。文檔編號(hào)G03F7/20GK101825730SQ20101018024公開日2010年9月8日申請(qǐng)日期2007年8月21日優(yōu)先權(quán)日2006年8月21日發(fā)明者林部和彌,永井透,白鷺俊彥,秀田育弘,西村公孝,遠(yuǎn)藤惣銘,鈴木忠男申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社;索尼碟片數(shù)位解決方案股份有限公司