專利名稱：在半導(dǎo)體光刻工藝中進(jìn)行的對(duì)準(zhǔn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制作技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種應(yīng)用在半導(dǎo)體器件有源區(qū) (AA, Active Area)及AA形成之前的離子注入層的光刻工藝時(shí)進(jìn)行的對(duì)準(zhǔn)方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制作過(guò)程中，常常需要采用光刻工藝在半導(dǎo)體器件層上定義各個(gè)圖形層，比如，采用光刻工藝定義半導(dǎo)體器件層的柵極層、半導(dǎo)體器件襯底中的輕摻雜漏注入層、半導(dǎo)體器件襯底中的深阱離子注入層及AA等。在進(jìn)行光刻工藝時(shí)，需要將具有圖形的光掩膜上的圖形采用曝光的方式投影到半導(dǎo)體器件表面旋涂的光刻膠層上，然后該光刻膠層進(jìn)行顯影后就得到圖案化的光刻膠層。后續(xù)以該圖案化的光刻膠層為掩膜，進(jìn)行圖形層的刻蝕或離子注入，就在半導(dǎo)體器件上形成了各個(gè)圖形層。在上述過(guò)程中，有很多因素會(huì)影響半導(dǎo)體器件形成各個(gè)圖形層的質(zhì)量，其中一個(gè)就是如何精確地將具有圖形的光掩膜和表面旋涂有光刻膠層的半導(dǎo)體器件進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。也就是在半導(dǎo)體光刻工藝中，使用步進(jìn)光刻機(jī)或步進(jìn)掃描光刻機(jī)，將具有圖形的光掩膜上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與半導(dǎo)體器件表面上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)后再曝光，防止在半導(dǎo)體器件上形成的圖形偏移而造成半導(dǎo)體器件的報(bào)廢。在這里，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記分別置于光掩膜和半導(dǎo)體器件表面上， 是用來(lái)確定它們位置和方向的可見(jiàn)圖形，在光掩膜上為一根或多根線，標(biāo)記在半導(dǎo)體器件表面就是各種圖形的溝槽。在形成半導(dǎo)體器件層的AA之前，要進(jìn)行N型或P型的深阱離子注入層過(guò)程。在此過(guò)程之前，需要采用光刻工藝定位深阱離子注入層位置。在深阱離子注入層光刻工藝中，最關(guān)鍵的就是對(duì)準(zhǔn)和套刻(Overlay)，因?yàn)檫@個(gè)時(shí)候，半導(dǎo)體制作中最早形成的AA圖形還沒(méi)有定義，晶圓上還是完全空白的，而任何離子注入層過(guò)程在光刻膠被去除后也留不下痕跡，這樣，當(dāng)離子注入完成，隨后的AA進(jìn)行光刻時(shí)， 無(wú)法和已定義的深阱離子注入層直接對(duì)準(zhǔn)。為了精確對(duì)準(zhǔn)和套刻，需要在晶圓表面制造圖案化的零層(Zero Layer)，該圖案化就是對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。具體過(guò)程如圖1所示，圖1為現(xiàn)有技術(shù)在制作深阱離子注入層之前在晶圓上得到對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法流程圖，其具體步驟為步驟101、采用激光標(biāo)記的方式在晶圓表面制作晶圓標(biāo)識(shí)；步驟102、在晶圓上沉積零層；在該步驟中，可以采用化學(xué)氣相沉積方式沉積零層，沉積的零層可以為氧化物或氮化物，沉積的厚度為數(shù)十納米級(jí)的，目的是在該零層制作對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；步驟103、在零層上旋涂光刻膠層后，采用具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的光掩膜對(duì)其曝光顯影后，形成圖案化的光刻膠層；在后續(xù)采用具有深阱離子注入層圖形或AA圖形層的光掩膜對(duì)晶圓進(jìn)行光刻時(shí)， 都是以該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的光掩膜為基準(zhǔn)設(shè)置圖形的；
步驟104、以該圖案化的光刻膠層為掩膜刻蝕該零層，在該零層上形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記后，去除剩余的光刻膠層；在本步驟中，在晶圓的零層上所形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記都位于晶圓邊緣，至少有兩個(gè)均勻分布在晶圓上，如圖2所示，圖2為現(xiàn)有技術(shù)在晶圓的零層上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記示意圖，左邊的為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在晶圓的位置示意，右邊的為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在一個(gè)方框中對(duì)稱的四個(gè)角上分別形成多條溝槽，左上角和右下角為垂直的溝槽，右上角和左下角為水平的溝槽，用于對(duì)準(zhǔn)和套刻；中間為十字溝槽用于定位。按照?qǐng)D1的過(guò)程在晶圓上形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記后，在后續(xù)制作深阱離子注入層時(shí)或AA的光刻工藝中，步進(jìn)光刻機(jī)或步進(jìn)掃描光刻機(jī)就可以使用該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記將晶圓與具有深阱離子注入層圖形或AA圖形的光掩膜進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)后，光刻。但是，采用圖1的這種方式也存在缺陷其必須在晶圓上制作零層，且對(duì)零層進(jìn)行光刻和刻蝕后，才能得到對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，這樣比較復(fù)雜、增加制作費(fèi)用及耗時(shí)，使得制作半導(dǎo)體器件的周期加長(zhǎng)、成本增大且繁瑣。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明在半導(dǎo)體光刻工藝中進(jìn)行的對(duì)準(zhǔn)方法，應(yīng)用在AA及AA形成之前的離子注入層的光刻工藝時(shí)的較低精度對(duì)準(zhǔn)過(guò)程，在不復(fù)雜、無(wú)額外制作費(fèi)用及不耗時(shí)的情況下得到對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，在光刻工藝中對(duì)AA及AA形成之前的離子注入層進(jìn)行較低但足夠精度的對(duì)準(zhǔn)。根據(jù)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種在半導(dǎo)體光刻工藝中進(jìn)行的對(duì)準(zhǔn)方法，應(yīng)用在半導(dǎo)體器件有源區(qū)AA及AA形成之前的離子注入層的光刻工藝時(shí)的對(duì)準(zhǔn)過(guò)程，光刻機(jī)將具有AA或AA形成之前的離子注入層圖形的光掩膜上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與制作在晶圓邊緣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)后光刻，其中在晶圓邊緣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制作步驟為采用激光標(biāo)記的方式在晶圓表面制作晶圓標(biāo)識(shí)的同時(shí)，采用激光標(biāo)記的方式在晶圓邊緣表面刻出對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為至少四個(gè)，均勻分布在所述晶圓邊緣表面。所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記采用激光刻出的圓形標(biāo)記陣列形成。每個(gè)圓形標(biāo)記的直徑為60微米以下。所述每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的圓形標(biāo)記陣列分為兩部分，每個(gè)部分由向水平和垂直兩個(gè)方向延伸的兩臂組成L形，每條臂由2或3排圓形標(biāo)記排列而成，兩個(gè)部分的水平臂互相平行。所述每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的圓形標(biāo)記陣列的L形臂延伸方向和臂長(zhǎng)度根據(jù)所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在晶圓的位置不同而調(diào)整，L形臂的方向延伸至晶圓邊緣空白區(qū)域。所述晶圓右邊緣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中的L形臂向上、右和下延伸，上下臂長(zhǎng)度均大于10 個(gè)圓形標(biāo)記間距，而右方兩臂長(zhǎng)5 10圓形標(biāo)記間距；所述晶圓下邊緣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中的L形臂向左、下和右延伸，左右臂長(zhǎng)度均大于10 個(gè)圓形標(biāo)記間距，而下方兩臂長(zhǎng)5 10圓形標(biāo)記間距。所述每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的兩部分陣列的重復(fù)間距不同，兩者間的比值為0. 5-2. 0之間的一個(gè)數(shù)值。所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位于晶圓邊緣2. 5毫米以外，不占用晶圓制作半導(dǎo)體器件的區(qū)域。從上述方案可以看出，本發(fā)明采用激光標(biāo)識(shí)的方式在晶圓邊緣刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，在進(jìn)行AA及AA形成之前的離子注入層的光刻工藝時(shí)，步進(jìn)光刻機(jī)或步進(jìn)掃描光刻機(jī)可以識(shí)別出這些激光標(biāo)識(shí)刻在晶圓邊緣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記并與相應(yīng)光掩膜進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)后光刻。由于本發(fā)明提供的方法省略了現(xiàn)有技術(shù)中制作圖案化的零層以獲得對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的一系列光刻、蝕刻和清洗等工序，節(jié)省了時(shí)間和大量昂貴的材料和機(jī)器時(shí)間；而激光標(biāo)識(shí)方式在現(xiàn)有半導(dǎo)體過(guò)程中就已經(jīng)存在，只是將該技術(shù)應(yīng)用在得到對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，不需要額外材料，并且機(jī)器相當(dāng)?shù)谋阋恕?因此，本發(fā)明提供的方法在不復(fù)雜、無(wú)額外制作費(fèi)用及不耗時(shí)的情況下得到對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，在光刻工藝中對(duì)AA及AA形成之前的離子注入層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，使得制作半導(dǎo)體器件的周期變短、費(fèi)用減少且簡(jiǎn)單。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)在制作深阱離子注入層之前在晶圓上得到對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法流程圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)在晶圓的零層上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記示意圖；圖3為本發(fā)明在制作深阱離子注入層之前在晶圓上得到對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法流程圖；圖4為本發(fā)明在晶圓上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。造成現(xiàn)有技術(shù)比較復(fù)雜、增加制作費(fèi)用和耗時(shí)的原因是需要制作圖案化的零層以獲得對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，用于AA及AA形成之前的離子注入層的光刻工藝中的對(duì)準(zhǔn)，而獲得對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的這個(gè)過(guò)程需要一系列光刻、蝕刻和清洗等工序。本發(fā)明為了克服這個(gè)缺陷，直接采用激光標(biāo)識(shí)的方式在晶圓邊緣刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，步進(jìn)光刻機(jī)或步進(jìn)掃描光刻機(jī)可以識(shí)別出這些激光標(biāo)識(shí)刻在晶圓邊緣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記并與相應(yīng)光掩膜進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)后光刻，用于AA及AA形成之前的離子注入層的光刻工藝中的對(duì)準(zhǔn)。在進(jìn)行AA和AA形成之前的離子注入層之間的套刻精度要求并不高，一般在150 納米左右，本發(fā)明所述的激光標(biāo)記完全能夠滿足這個(gè)需求。在采用現(xiàn)有技術(shù)制作圖案化的零層以獲得對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中，零層線寬8或8. 8微米，可以得到10納米的套刻精度。在AA制作完成后，晶圓上后續(xù)的各個(gè)器件層的光刻工藝就可以按照現(xiàn)有技術(shù)去對(duì)準(zhǔn)AA上定義的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，從而得到更好的套刻精度，這與本發(fā)明提供的方法無(wú)關(guān)，這里也不再累述。。在本發(fā)明中，由于激光標(biāo)識(shí)方式的特性，可以將所刻在晶圓邊緣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記置于非常接近晶圓邊緣的空白區(qū)域，比如在離晶圓邊緣2. 5毫米以外到晶圓邊緣的位置，不占用有效的用于制作半導(dǎo)體器件的晶圓面積，而不像采用現(xiàn)有技術(shù)制作圖案化的零層以獲得對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)需要占用用于制作半導(dǎo)體器件的晶圓面積。大約可節(jié)省的有效的用于制作半導(dǎo)體器件的晶圓面積。
圖3為本發(fā)明在制作深阱離子注入層之前在晶圓上得到對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法流程圖， 其具體步驟為步驟301、采用激光標(biāo)記的方式在晶圓表面制作晶圓標(biāo)識(shí)；步驟302、采用激光標(biāo)記的方式在晶圓表面刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；在后續(xù)采用具有AA圖形和AA圖形形成之前的離子注入層圖形的光掩膜對(duì)晶圓進(jìn)行光刻時(shí)，都是以該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)在光掩膜上設(shè)置圖形的；本步驟和步驟301可以同時(shí)由激光標(biāo)記設(shè)備進(jìn)行激光標(biāo)記，而不是先執(zhí)行步驟 301，然后再執(zhí)行步驟302。在本步驟中，所刻的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記都位于晶圓邊緣，至少有四個(gè)均勻分布在晶圓邊緣上，如圖4所示，圖4為本發(fā)明在晶圓上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記示意圖，左邊的為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在晶圓的位置示意，中間和下邊的為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的圖形，右邊的為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的放大圖形。在圖4中，采用圓形標(biāo)記陣列形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，每個(gè)圓形標(biāo)記的直徑為60微米以下。在本發(fā)明中，圓形標(biāo)記的直徑越小越好，但是這取決于所使用的激光標(biāo)記設(shè)備的性能，由于圓形標(biāo)記的直徑越小最后得到的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的對(duì)準(zhǔn)精度越高，但這取決于激光標(biāo)記設(shè)備的性能。直徑在70微米以上的圓形標(biāo)記將不能提供足夠的對(duì)準(zhǔn)精度。所以本發(fā)明較佳地實(shí)施例是采用直徑一般定為40微米左右的圓形標(biāo)記左右。每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的圓形標(biāo)記陣列分為兩部分，每個(gè)部分都由向水平和垂直兩個(gè)方向延伸的兩臂組成L形，每條臂由2或3排圓形標(biāo)記排列而成(圖示為2排，沒(méi)有示出3排的情況)，兩個(gè)部分的水平臂互相平行。每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的兩部分圓形標(biāo)記陣列的L形臂延伸方向和臂長(zhǎng)度根據(jù)此對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在晶圓的位置不同而調(diào)整，晶圓右邊緣的標(biāo)記L形臂向上、右及下延伸，上下臂長(zhǎng)度均大于10個(gè)圓形標(biāo)記，而右方兩臂長(zhǎng)5 10圓形標(biāo)記(圖示為5個(gè))；晶圓下邊緣的L形臂向左、下及右延伸，左右臂長(zhǎng)度均大于10個(gè)圓形標(biāo)記，而下方兩臂長(zhǎng)5 10圓形標(biāo)記(圖示為5個(gè))；以此類推，也就是晶圓邊緣各個(gè)方向的L形壁的延伸方向都朝向晶圓邊緣，以充分利用晶圓邊緣空白及弧度。每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的兩部分圓形標(biāo)記陣列的重復(fù)間距不同，兩者間的比值則固定，為 0. 5-2.0之間的一個(gè)數(shù)值，并且兩部分圓形標(biāo)記陣列的重復(fù)間距與圓形標(biāo)記的直徑有關(guān)，一般約2倍的圓形標(biāo)記直徑，以圓形標(biāo)記的直徑40微米為例，每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的其中一部分，圓形標(biāo)記陣列的重復(fù)間距(圓形標(biāo)記之間的圓心距離)可以為80微米，另一部分可以為88 微米。采用這樣的結(jié)構(gòu)是為了防止對(duì)準(zhǔn)過(guò)程中產(chǎn)生的錯(cuò)位，比如當(dāng)步進(jìn)光刻機(jī)或步進(jìn)掃描光刻機(jī)錯(cuò)誤地將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中的第一排圓形標(biāo)記當(dāng)作了第二排時(shí)，就會(huì)發(fā)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中的第二部分圓形標(biāo)記陣列與預(yù)期相差8微米，從而糾正對(duì)準(zhǔn)錯(cuò)誤。所有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位于晶圓邊緣2. 5毫米以外，不占用晶圓有效面積。采用圖3所示的方法刻在晶圓邊緣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中，激光刻蝕產(chǎn)生的圓形標(biāo)記和晶圓邊緣的空白區(qū)域具有足夠的反射率差異，使用步進(jìn)光刻機(jī)或步進(jìn)掃描光刻機(jī)時(shí)容易識(shí)別對(duì)準(zhǔn)。按照?qǐng)D3的過(guò)程在晶圓上形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記后，在后續(xù)制作深阱離子注入層時(shí)或AA的光刻工藝中，步進(jìn)光刻機(jī)或步進(jìn)掃描光刻機(jī)就可以使用該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記將晶圓與光掩膜進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)后，光刻。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，包括但不限于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記尺寸大小及陣列大小的改變、標(biāo)記位置的改變，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種在半導(dǎo)體光刻工藝中進(jìn)行的對(duì)準(zhǔn)方法，應(yīng)用在半導(dǎo)體器件有源區(qū)AA及AA形成之前的離子注入層的光刻工藝時(shí)的對(duì)準(zhǔn)過(guò)程，其特征在于，光刻機(jī)將具有AA或AA形成之前的離子注入層圖形的光掩膜上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與制作在晶圓邊緣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)后光刻， 其中在晶圓邊緣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制作步驟為采用激光標(biāo)記的方式在晶圓表面制作晶圓標(biāo)識(shí)的同時(shí)，采用激光標(biāo)記的方式在晶圓邊緣表面刻出對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為至少四個(gè)，均勻分布在所述晶圓邊緣表面。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記采用激光刻出的圓形標(biāo)記陣列形成。每個(gè)圓形標(biāo)記的直徑為60微米以下。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的圓形標(biāo)記陣列分為兩部分，每個(gè)部分由向水平和垂直兩個(gè)方向延伸的兩臂組成L形，每條臂由2或3排圓形標(biāo)記排列而成，兩個(gè)部分的水平臂互相平行。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的圓形標(biāo)記陣列的L形臂延伸方向和臂長(zhǎng)度根據(jù)所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在晶圓的位置不同而調(diào)整，L形臂的方向延伸至晶圓邊緣空白區(qū)域。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述晶圓右邊緣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中的L形臂向上、右和下延伸，上下臂長(zhǎng)度均大于10個(gè)圓形標(biāo)記間距，而右方兩臂長(zhǎng)5 10圓形標(biāo)記間距；所述晶圓下邊緣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中的L形臂向左、下和右延伸，左右臂長(zhǎng)度均大于10個(gè)圓形標(biāo)記間距，而下方兩臂長(zhǎng)5 10圓形標(biāo)記間距。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的兩部分陣列的重復(fù)間距不同，兩者間的比值為0. 5-2. 0之間的一個(gè)數(shù)值。
8.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位于晶圓邊緣2.5毫米以外，不占用晶圓制作半導(dǎo)體器件的區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種在半導(dǎo)體光刻工藝中進(jìn)行的對(duì)準(zhǔn)方法，應(yīng)用在半導(dǎo)體器件有源區(qū)AA及AA形成之前的離子注入層的光刻工藝時(shí)的對(duì)準(zhǔn)過(guò)程，光刻機(jī)將具有AA或AA形成之前的離子注入層圖形的光掩膜上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與制作在晶圓邊緣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)后光刻，其中在晶圓邊緣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制作步驟為采用激光標(biāo)記的方式在晶圓表面制作晶圓標(biāo)識(shí)的同時(shí)，采用激光標(biāo)記的方式在晶圓邊緣表面刻出對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。本發(fā)明提供的方法省略制作零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的一系列光刻、蝕刻和清洗等工序，在不復(fù)雜、無(wú)額外制作費(fèi)用及不耗時(shí)的情況下得到對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，用于AA及AA之間的離子注入層的光刻工藝過(guò)程中的對(duì)準(zhǔn)，使得制作半導(dǎo)體器件的周期變短、費(fèi)用減少且簡(jiǎn)單。
文檔編號(hào)G03F9/00GK102221792SQ201010153908
公開日2011年10月19日 申請(qǐng)日期2010年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月13日
發(fā)明者馬駿 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司