專利名稱：光纖纜線及光纜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及符合G.652標準的光纖及包括該光纖的光纜。
背景技術(shù)：
最廣泛地用于光學傳輸系統(tǒng)的單模光纖的標準是由國際電信聯(lián) 盟(International Telecommunication Union, ITU)制定的G.652標準。 G.652標準規(guī)定單模光纖必須滿足的條件，包括波長為1310nm時的 模場直徑、光纜截止波長、零色散波長和零色散波長處的色散斜率的 各自范圍。
對于例如將光纖鋪設(shè)到各個家庭的FTTH (光纖到戶)以及將光 纖鋪設(shè)到路邊或電線桿的FTTC (光纖到路邊)等光學傳輸系統(tǒng)，必 須適當?shù)靥幚砉饫w的余長。為了適當?shù)靥幚砉饫w的余長，將余長部分 巻繞并存儲在存儲箱中。此時，如果光纖的彎曲損耗小，則可以將該 光纖巻繞成具有小直徑，從而可以使用小存儲箱。因此，期望光纖具 有小彎曲損耗。日本未審查專利申請公開No. 2007-140510披露了符 合G.652標準并且能夠顯著地減少彎曲損耗的光纖。然而，不能避免 該光纖在進行安裝或其它操作期間意外彎曲時斷裂。
專利文獻1:日本未審査專利申請公開No. 2007-140510

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題
本發(fā)明的一個目的在于提供這樣一種光纖，該光纖符合G.652 標準，在信號光波長處具有小彎曲損耗，并且能夠避免該光纖在進行 安裝或其它操作時因意外彎曲而斷裂。本發(fā)明的另一個目的在于提供 一種包括該光纖的光纜。
解決問題的手段為了解決該問題，本發(fā)明提供一種光纖，包括纖芯，其具有
折射率nn第一包層，其圍繞所述纖芯并具有比折射率m小的折射 率112;第二包層，其圍繞所述第一包層并具有比折射率n2小的折射 率113;以及第三包層，其圍繞所述第二包層并具有比折射率I!3大的 折射率n4。對于所述光纖，相對于所述第三包層的折射率n4，所述 纖芯的相對折射率差在0.3%至0.38°/。的范圍內(nèi)，所述第一包層的相 對折射率差在-0.3%至0.2%的范圍內(nèi)，所述第二包層的相對折射率差 在-1.8。/。至—0.5。/。的范圍內(nèi)。所述第二包層的內(nèi)半徑r2和所述第二包層
的外半徑1"3滿足如下表達式
0.4r2+10,5<r3<0.2r2+16，
所述第二包層的內(nèi)半徑r2等于或大于8pm。此外，波長為1550nm并 且曲率半徑為7.5mm時的彎曲損耗小于O.ldB/圈，波長為1625nm并 且曲率半徑為4mm時的彎曲損耗大于0.1dB/圈。
所述纖芯的半徑n與所述第一包層的外半徑?？梢詽M足如下表
達式
<formula>formula see original document page 6</formula>
并且波長為1380nm時的傳輸損耗可以小于0.38dB/km。此外， 波長為1310nm時的模場直徑在8.6pm至9.2pm的范圍內(nèi)，并且波長 為1550nm時的模場直徑在9.6pm至10.5pm的范圍內(nèi)。此外，可以
在所述光纖的玻璃部分的表面上設(shè)置碳涂敷層。
根據(jù)本發(fā)明的其它實施例，本發(fā)明提供一種光纜，所述光纜包 括根據(jù)本發(fā)明的光纖、圍繞所述光纖設(shè)置的護套、以及設(shè)置在所述光 纖與所述護套之間的凱芙拉；并且本發(fā)明提供一種光纜，所述光纜包 括根據(jù)本發(fā)明的光纖、以及圍繞所述光纖設(shè)置的護套，但是不包括凱 芙拉，所述光纜的外徑小于3mm。優(yōu)選的是，這些光纜在波長為 1550nm并且溫度為-30"C時的損耗增加量小于0.1dB/km。
此外，本發(fā)明提供一種光纜，所述光纜包括根據(jù)本發(fā)明的光纖、
與所述光纖平行設(shè)置的張緊構(gòu)件、以及覆蓋所述光纖和所述張緊構(gòu)件 的護套，其中在所述護套的表面上沿著所述光纖形成有凹槽；并且本發(fā)明提供一種光纜，所述光纜包括，根據(jù)本發(fā)明的光纖、以及覆蓋所 述光纖的護套，其中，所述光纜不包括張緊構(gòu)件，并且在所述護套的 表面上沿著所述光纖形成有凹槽。本發(fā)明提供一種光纜，所述光纜包 括多根根據(jù)本發(fā)明的光纖，其中所述多根光纖平行地設(shè)置并且被樹脂 一體地覆蓋，并且在如下在線分離操作期間在波長為1550nm時的損 耗增加量小于0.5dB/km/s，所述在線分離操作是以在中間段進行分離 的方式進行的。本發(fā)明提供一種光纜，所述光纜包括一根或多根根據(jù) 本發(fā)明的光纖、以及覆蓋螺旋狀盤繞的所述一根或多根光纖的護套， 其中，所述一根光纖或多根光纖中的每一根的曲率半徑均等于或小于 7.5mm。
此外，本發(fā)明提供一種光學組件，其收納根據(jù)本發(fā)明的光纖； 并且本發(fā)明提供一種光學傳輸系統(tǒng)，其使用根據(jù)本發(fā)明的光纜傳輸信 號光。


圖1示出根據(jù)本發(fā)明實施例的光纖，其中圖1 (a)是沿著與光 纖軸線垂直的平面截取的光纖的剖視圖，圖1 (b)是示出光纖的折 射率分布的概念圖。
圖2是作為本發(fā)明實施例的光纖A至D的屬性以及作為比較例 的光纖E至J的屬性的圖表。
圖3是示出第二包層的相對折射率差與波長為1550nm時的彎曲 損耗之間的關(guān)系的曲線圖。
圖4是示出滿足G.652標準并且在波長為1550nm且曲率半徑為 7.5mm時彎曲損耗小于0.1dB/圈的區(qū)域與第二包層的內(nèi)半徑。和外 半徑r3之間的關(guān)系曲線圖。
圖5是示出第二包層的相對折射率差A(yù)3與波長為1625nm時的 彎曲損耗之間的關(guān)系的曲線圖。
圖6是示出曲率半徑與斷裂概率Fs之間的關(guān)系的曲線圖。
圖7是示出比例(r2/r|)與在波長為1380nm時因OH造成的損 耗增加量之間的關(guān)系的曲線圖。圖8是將光纖A和J熔接成標準SMF時的熔接損耗的柱狀圖。 圖9是根據(jù)本發(fā)明實施例的松散光纜型光纜的剖視圖。 圖IO是根據(jù)本發(fā)明實施例的緊包護套型光纜的剖視圖。 圖11是根據(jù)本發(fā)明實施例的下線光纜型光纜的剖視圖。 圖12是根據(jù)本發(fā)明實施例的下線光纜型光纜的剖視圖。 圖13是根據(jù)本發(fā)明實施例的帶狀光纖型光纜的剖視圖。 圖14是示出如何分離并切割圖13所示光纜的光纖的概念圖。 在圖15中，圖15 (a)是根據(jù)本發(fā)明實施例的具有螺旋狀保護 結(jié)構(gòu)的光纜的概念圖，圖15 (b)是移除了護套的光纜的概念圖。 圖16是根據(jù)本發(fā)明實施例的光纜(光學巻曲纜線)的透視圖。 圖17是根據(jù)本發(fā)明實施例的光纜(光學巻曲纜線)的透視圖。 圖18是根據(jù)本發(fā)明實施例的光學組件的概念圖。 圖19是根據(jù)本發(fā)明實施例的光學傳輸系統(tǒng)的概念圖。
具體實施例方式
在下文中，參考附圖描述本發(fā)明的實施例。附圖僅為說明目的 而提供，不限制本發(fā)明的范圍。在附圖中，相同的部件采用相同的附 圖標記以避免重復(fù)的描述。在附圖中，不一定按照比例進行繪制。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明實施例的光纖，其中圖1 (a)是沿著與光 纖軸線垂直的平面截取的光纖1的剖視圖，圖1 (b)是示出光纖1 的折射率分布的概念圖。光纖包括纖芯ll、第一包層12、第二包層 13和第三包層14，作為光纖的玻璃部分。在玻璃部分的表面上設(shè)置 碳涂敷層15。圍繞碳涂敷層依次設(shè)置第一樹脂層16和第二樹脂層17。 圖1示出具有簡單構(gòu)造的光纖的折射率分布，在該構(gòu)造中，光纖1 的各部分具有恒定折射率。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以容易地想出 類似的構(gòu)造(例如，由于制造方法，各個部分的折射率是傾斜的或具 有波動的構(gòu)造)。
纖芯11具有半徑r,和折射率m。包圍纖芯11的第一包層12具 有內(nèi)半徑n、外半徑&、和比折射率n"j、的折射率n2。包圍第一包 層12的第二包層13具有內(nèi)半徑r2、外半徑r3、和比折射率n2小的
8折射率n3。包圍第二包層13的第三包層14具有內(nèi)半徑r3、和比折射 率ri3大的折射率n4。對于光纖l，半徑"、r2、 f3等的值由折射率改 變最大的位置來確定。然而，對于具有緩慢傾斜分布的光纖的實施例， 這些半徑值可以由在光學上相當?shù)碾A梯狀分布的半徑值來確定。
在本文中，具有折射率n的部分相對于第三包層14的折射率114 的相對折射率差△由下式來表達

對于光纖1，纖芯11的相對折射率差A(yù),在0.3%至0.38%的范圍內(nèi)， 第一包層12的相對折射率差A(yù)2在-0.3。/。至0.2%的范圍內(nèi)，并且第二 包層13的相對折射率差厶3在-1.8%至-0.5%的范圍內(nèi)。
對于光纖1，第二包層13的內(nèi)半徑r2和外半徑。滿足如下表達
式
0.4r2+10.5<r3<0.2r2+16，
其中，第二包層13的內(nèi)半徑r2等于或大于8pm。此外，對于光纖1， 波長為1550nm并且曲率半徑為7.5mm時的彎曲損耗小于0.1dB/圈； 波長為1625nm并且曲率半徑為4mm時的彎曲損耗大于O.ldBZ圈， 1625nm是光學傳輸系統(tǒng)的監(jiān)視光的波長。
有三種制造第二包層13的方法，這些方法包括第一方法，其 中，包括纖芯和第一包層的芯棒利用外部氣相沉積法(OVD)來進 行沉積并且在SiF4的氛圍下進行燒結(jié)；第二方法，其中，利用外部
氣相沉積法將摻有氟的Si02顆粒直接噴涂到芯棒上；以及第三方法，
其中，利用以預(yù)定濃度摻氟的玻璃管來執(zhí)行管套棒工藝。通常，根據(jù)
第一方法，所獲得的摻氟Si02具有低OH濃度，但是僅可獲得在等 于或大于-0.75%的范圍內(nèi)的相對折射率差A(yù)3。另一方面，根據(jù)第二 方法，可以獲得在等于或大于-2%的范圍內(nèi)的相對折射率差A(yù)3。
如果不在玻璃部分的表面上設(shè)置碳涂敷層15，則靜態(tài)疲勞系數(shù) n在20至25的范圍內(nèi)。通過在玻璃部分的表面上設(shè)置碳涂覆層15， 可以使靜態(tài)疲勞系數(shù)n大于30。因此，即使在曲率半徑小時，也保 證長期可靠性。
下面，描述第一樹脂層16和第二樹脂層17。優(yōu)選的是，第一樹脂層16的楊氏模量小于l.lMPa，并且第二樹脂層17的楊氏模量大 于600MPa。這樣，可以獲得比標準SMF (單模光纖)的微彎曲特征 優(yōu)良的微彎曲特征，并且可以顯著地抑制在安裝時暫時發(fā)生的損耗增 加。
圖2是本發(fā)明實施例的光纖A至D的屬性以及比較例的光纖E 至J的屬性的圖表。該圖表從左到右地示出纖芯11的半徑n、第一 包層12的外半徑r2、第二包層13的外半徑r3、纖芯11的相對折射 率差A(yù),、第一包層12的相對折射率差A(yù)2、和第二包層13的相對折 射率差A(yù)3。此外，在該圖表中示出波長為1625nm并且曲率半徑為 4mm時的彎曲損耗、波長為1550nm并且曲率半徑為5mm時的彎曲 損耗、波長為1550nm并且曲率半徑為7.5mm時的彎曲損耗、波長 為1550nm并且曲率半徑為10mm時的彎曲損耗、1310nm處的模場 直徑(MFD)、光纜截止波長、e、零色散波長處的色散斜率、和零 色散波長Xo。
各個光纖A至D滿足G.652標準，并且在波長為1550nm且曲 率半徑為7.5mm時的彎曲損耗小于O.ldB/圈。各個光纖A至D在波 長為1625nm且曲率半徑為4mm時的彎曲損耗大于0. ldB/圈，1625nm 是光學傳輸系統(tǒng)的監(jiān)視光的波長。如上所述，通過利用該特性，可以 防止光纖在可靠性降低的范圍內(nèi)使用。另一方面，光纖E至J不符合 G.652標準，或者在波長為1550nm并且曲率半徑為7.5mm時的彎曲 損耗大于0.1dB/圈。
圖3是示出相對折射率差A(yù)3與在波長為1550nm時的彎曲損耗 之間的關(guān)系的曲線圖。在該圖中，曲率半徑為7.5mm或10mm。當 相對折射率差A(yù)3的絕對值變大時，彎曲損耗變小。當曲率半徑為 7.5mm時，如果相對折射率差A(yù)3等于或小于-0.5%，則彎曲損耗小于 0.1dB/圈。
圖4是示出滿足G.652標準并且在波長為1550nm且曲率半徑為 7.5mm時彎曲損耗小于O.ldB/圈的區(qū)域與第二包層12的內(nèi)半徑r2和 外半徑r3之間的關(guān)系的曲線圖。在圖4中，用實心點示出滿足上述 兩個條件的情況，并且用中空三角形示出不滿足上述條件的情況。在圖4中，如果"r3<0.2r2+16"，則光纜截止波長、e等于或小 于1260nm。如果"r3>0.4r2+10,5"，則在波長為1550nm并且曲率半 徑為7.5mm時的彎曲損耗小于O.ldB/圈。如果第二包層13的內(nèi)半徑 r2大于8pm，則零色散波長^大于1300nm。根據(jù)本發(fā)明的光纖滿足 表達式0.4r2+10.5<r3<0.2r2+16，并且第二包層13的內(nèi)半徑。等于或 大于8pm。因此，該光纖滿足G.652標準，并且由于在波長為1550nm 并且曲率半徑為7.5mm時的彎曲損耗等于或小于O.ldB/圈，所以在 信號光波長處具有小彎曲損耗。
圖5是示出相對折射率差A(yù)3與波長為1625nm時的彎曲損耗之 間的關(guān)系的曲線圖。在該情況下，曲率半徑是4mm。對于1625nm的 波長，當相對折射率差A(yù)3的絕對值變大時，彎曲損耗變小。
圖6是示出曲率半徑與斷裂概率Fs之間的關(guān)系的曲線圖。斷裂 概率Fs由如下表達式來限定
(參見"J. Appl. Phys. 53(7), 1982")。此處，所用的長度L是0.05m， 靜態(tài)疲勞系數(shù)n是23， m值m是3，篩選強度(screening strength) cjnp (2%伸長率)是0.02，篩選時間tpe是0.6秒鐘，在篩選期間的斷 裂頻率Np是1/100000km。當光纖的曲率半徑變小時，斷裂概率Fs 變大。
從圖5和圖6可以看出，如果光纖的相對折射率差A(yù)3等于或大 于-1.8%并且光纖以4mm的曲率半徑進行彎曲，此時每天的斷裂概率 Fs高達10—5次/0.05111，則在波長為1625nm時的彎曲損耗等于或大于 O.ldB/圈。根據(jù)本發(fā)明的光纖的相對折射率差A(yù)3等于或大于-1.8，。并 且在波長為1625nm且曲率半徑為4mm時的彎曲損耗等于或大于 O.ldB/圈。因此，使用波長為1625nm的監(jiān)視光，可以探測出光纖是 否以等于或小于4mm的曲率半徑進行彎曲，采用該曲率半徑時可靠 性不能保證。這樣，可以防止在光纖進行安裝或其它操作期間因意外 彎曲而發(fā)生斷裂。
圖7是示出比例(r2/ri)與在波長為1380nm時因OH造 的損耗增加量之間的關(guān)系的曲線圖。當相對折射率差A(yù),是0.35%并且纖 芯11的半徑為4.1pm時，在波長為1380nm時因第二包層13中的 OH (CoH的濃度ppm)造成的損耗增加量Aa由下式給出<formula>formula see original document page 12</formula>需要使損耗增加量Aa小于0.1dB/km從而使波長為1380nm時的損耗 小于0.38dB/km。通過改變該表達式，由下式給出滿足"AoK0.1dB/km" 的比例(r2/ri)的范圍
<formula>formula see original document page 12</formula>如果第二包層13中的氟濃度增加從而使相對折射率差A(yù)3減小， 則氫穩(wěn)定性降低。通常，如果利用等離子CVD方法將高濃度氟摻入 到Si02玻璃中從而滿足△<-().8°/。，則玻璃中的OH濃度增加，這造 成傳輸損耗的增加。然而，通過如上所述地設(shè)置比例(。/n)的范圍， 可以使波長為1380nm時的損耗小于0.38dB/km，從而使光纖可靠地 符合G.652D標準(G.652標準以及低OH濃度)。更優(yōu)選的是比例 (r2/ri)設(shè)定成滿足如下表達式<formula>formula see original document page 12</formula>
優(yōu)選的是，對于相同的曲率半徑，彎曲損耗的增加量沿著光纖1
長度的波動等于或小于10%。在該情況下，由于彎曲半徑與光纖的 彎曲損耗相對應(yīng)，可以通過監(jiān)視安裝時彎曲損耗的增加量來容易地探
測光纖的一部分的意外彎曲。
圖8是將光纖A和J熔接成標準SMF時的熔接損耗的柱狀圖。 光纖A的模場直徑是8.9pm，光纖J的模場直徑是8.3|am。標準SMF 的模場直徑是9.2pm。這樣，將光纖A熔接成標準SMF時產(chǎn)生的光 纖A的熔接損耗小。對于根據(jù)本發(fā)明的光纖，優(yōu)選的是，波長為 1310nm時的模場直徑在8.6|am至9.2pm的范圍內(nèi)，并且波長為 1550nm時的模場直徑在9.6(im至10.5)im的范圍內(nèi)。
在下文中，描述了均包括根據(jù)本發(fā)明的光纖的光纜的實施例。 圖9是根據(jù)本發(fā)明實施例的松散光纜(loose cable)型光纜2A的剖視圖。光纜2A包括根據(jù)本發(fā)明的光纖1、圍繞光纖1設(shè)置的護套21、 和設(shè)置在光纖1與護套21之間的凱芙拉(Kevlar)(張緊構(gòu)件)22。 光纜2A在防止光纖1斷裂的同時允許曲率半徑減小。圖10是根據(jù)本發(fā)明實施例的緊包護套型光纜2B的剖視圖。光 纜2B包括根據(jù)本發(fā)明的光纖1以及覆蓋光纖1的護套23，但是不包 括凱芙拉。光纜的外徑小于3mm。通過使用光纖1，可以使緊包護套 型光纜2B較薄，即使在不被使用的情況下也抗彎曲，并且可貯藏性 良好。此外，盡管是緊包護套型光纜，但是在-3(TC的溫度下并且在 波長1550nm時光纜2B也可以使損耗增加量小于0.1dB/km。圖11是根據(jù)本發(fā)明實施例的下線光纜(dr叩cable)型光纜2C 的剖視圖。光纜2C包括根據(jù)本發(fā)明的光纖1、與光纖l平行地設(shè)置 的張緊構(gòu)件24、以及覆蓋光纖1和張緊構(gòu)件24的護套25。光纖1 設(shè)置在兩個張緊構(gòu)件24之間。聚乙烯護套圍繞張緊構(gòu)件24設(shè)置。此 外，在光纖1兩側(cè)的護套25的表面上形成凹槽。護套25可以沿著凹 槽分離開從而可以容易地拉出光纖1。光纜2C在防止光纖1斷裂的 同時允許曲率半徑減小。圖12是根據(jù)本發(fā)明實施例的下線光纜型光纜2D的剖視圖。光 纜2D包括根據(jù)本發(fā)明的光纖1以及覆蓋光纖的護套25，但是不包括 張緊構(gòu)件。沿著光纖1在護套25的表面上形成凹槽。由于可以通過 使用光纖1來減少彎曲損耗，因此在光纜2D中省略了張緊構(gòu)件。由 于光纜2D不包括張緊構(gòu)件，因此可以使護套25的橫截面面積減少， 從而可以將光纜收納在小空間中。圖13是根據(jù)本發(fā)明實施例的帶狀光纖型光纜2F的剖視圖。光 纜2F包括根據(jù)本發(fā)明的多個光纖1。多個光纖1各自被有色墨層26 覆蓋，該有色墨層平行地布置并且被樹脂27覆蓋。由于光纜使用光 纖l而具有低彎曲損耗，所以在分離并切割形成為帶狀形狀的光纖 (圖14)時，可以抑制傳輸信號光的光纖(活線(live wire))的損 耗增加。因此，在分離操作期間，可以使波長為1550nm時活線的損 耗增加量小于0.5dB/km/s，從而可以防止信號光的瞬時中斷。此外， 在分割期間不需要使用分離夾具來減少施加到光纖1上的應(yīng)力，因而可以手動地分離光纖。在圖15中，圖15 (a)是根據(jù)本發(fā)明實施例的具有螺旋狀保護 結(jié)構(gòu)28的光纜2G的概念圖，圖15 (b)是移除了護套的光纜2G的 概念圖。光纜2G包括根據(jù)本發(fā)明的光纖1、以及螺旋狀保護結(jié)構(gòu)28， 該螺旋狀保護結(jié)構(gòu)28由聚酰胺合成纖維(尼龍)條制成并且圍繞光 纖1。通過在光纖1周圍設(shè)置螺旋狀保護結(jié)構(gòu)28，可以使光纖從超出 一定程度的彎曲下彈性恢復(fù)的能力更強。這樣，防止光纖以比可靠性 降低時的曲率小的曲率半徑彎曲。圖16是根據(jù)本發(fā)明實施例的光纜2H (也被稱為光學巻曲纜線 (叩tical curled cord ))的透視圖。光纜2H包括根據(jù)本發(fā)明的光纖 1以及與光纖1的端部連接的光學連接器29，該光纖1以等于或小于 7.5mm的曲率半徑進行螺旋狀地巻繞。由于使用了光纖l，因此即使 以等于或小于7.5mm的曲率半徑螺旋狀地巻繞光纖l，損耗增加量也 是較小的。圖17是根據(jù)本發(fā)明實施例的光纜2E (也被稱為光學巻曲纜線) 的透視圖。光纜2E包括多根根據(jù)本發(fā)明的光纖l，其各自以等于 或小于7.5mm的曲率半徑進行螺旋狀地巻繞；護套30，其覆蓋多根 光纖l;以及位于中心的張緊構(gòu)件31。光纜2E允許拉出并使用各根 光纖1。優(yōu)選的是，如圖18所示，光學組件3構(gòu)造成將本發(fā)明的光纖1 巻繞并收納到殼體41內(nèi)。優(yōu)選的是，如圖19所示，光學傳輸系統(tǒng)4 構(gòu)造成將根據(jù)實施例的光纜2A至2H中的一者用作光學傳輸路徑2， 并且將從光學傳輸器51輸出的信號光經(jīng)由光學傳輸路徑2傳輸?shù)焦?學接收器52中。采用該組件或系統(tǒng)，可以在容易地防止光纖1斷裂 的情況下減少曲率半徑等于或小于7.5mm時的彎曲損耗，從而可以 使該系統(tǒng)尺寸小并且可以簡化配線用的操作空間。工業(yè)實用性本發(fā)明適用于例如FTTH和FTTC等光學傳輸線系統(tǒng)，從而以 小的直徑收納光纜并且防止光纖斷裂。
權(quán)利要求
1.一種光纖，包括纖芯，其具有折射率n1；第一包層，其圍繞所述纖芯并具有比折射率n1小的折射率n2；第二包層，其圍繞所述第一包層并具有比折射率n2小的折射率n3；以及第三包層，其圍繞所述第二包層并具有比折射率n3大的折射率n4；其中，相對于所述第三包層的折射率n4，所述纖芯的相對折射率差在0.3％至0.38％的范圍內(nèi)，所述第一包層的相對折射率差在-0.3％至0.2％的范圍內(nèi)，所述第二包層的相對折射率差在-1.8％至-0.5％的范圍內(nèi)；所述第二包層的內(nèi)半徑r2和所述第二包層的外半徑r3滿足如下表達式0.4r2+10.5＜r3＜0.2r2+16，所述第二包層的內(nèi)半徑r2等于或大于8μm；并且，波長為1550nm并且曲率半徑為7.5mm時的彎曲損耗小于0.1dB/圈，波長為1625nm并且曲率半徑為4mm時的彎曲損耗大于0.1dB/圈。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其中，所述纖芯的半徑r,與所述第一包層的外半徑r2滿足如下表達式<formula>formula see original document page 2</formula>并且波長為1380nm時的傳輸損耗小于0.38dB/km。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其中，波長為1310nm時的模場直徑在8.6pm至9.2pm的范圍內(nèi)，并且波長為1550nm時的模場直徑在9.6ium至10.5^im的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其中，在所述光纖的玻璃部分的表面上設(shè)置碳涂敷層。
5. —種光纜，包括根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的光纖；圍繞所述光纖設(shè)置的護套；以及設(shè)置在所述光纖與所述護套之間的凱芙拉。
6. —種光纜，包括根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的光纖；以及覆蓋所述光纖的護套；其中，所述光纜不包括凱芙拉，并且所述光纜的外徑小于3mm。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的光纜，其中，在波長為1550nm并且溫度為-30°C時的損耗增加量小于0.1dB/km。
8. —種光纜，包括根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的光纖；與所述光纖平行設(shè)置的張緊構(gòu)件；以及覆蓋所述光纖和所述張緊構(gòu)件的護套；其中，在所述護套的表面上沿著所述光纖形成有凹槽。
9. 一種光纜，包括根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的光纖；以及覆蓋所述光纖的護套；其中，所述光纜不包括張緊構(gòu)件，并且在所述護套的表面上沿著所述光纖形成有凹槽。
10. —種光纜，包括多根根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的光纖，其中，所述多根光纖平行地設(shè)置并且被樹脂一體地覆蓋，并且在如下 在線分離操作期間在波長為1550nm時的損耗增加量小于 0.5犯/km/s，所述在線分離操作是以在中間段進行分離的方式進行 的。
11. 一種光纜，包括根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的光纖；以及 覆蓋螺旋狀盤繞的所述光纖的護套；其中， 所述光纖的曲率半徑等于或小于7.5mm。
12. —種光纜，包括多根根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的光纖；以及 覆蓋螺旋狀盤繞的所述多根光纖的護套；其中，所述多根光纖中的每 一 根光纖的曲率半徑均等于或小于`7.5mm。
13. —種光學組件，其收納根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述 的光纖。
14. 一種光學傳輸系統(tǒng)，其使用根據(jù)權(quán)利要求5至12中任一項 所述的光纜傳輸信號光。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光纖，該光纖具有小彎曲損耗，可以防止在進行安裝或其它操作時因意外彎曲而斷裂，并且符合G.652標準。該光纖(1)包括纖芯(11)、第一包層(12)、第二包層(13)、以及第三包層(14)。纖芯(11)的相對折射率差Δ₁在0.3％至0.38％的范圍內(nèi)，第一包層(12)的相對折射率差Δ₂等于或小于0％，并且第二包層(13)的相對折射率差Δ₃在-1.8％至-0.5％的范圍內(nèi)。第二包層(13)的內(nèi)半徑r₂和外半徑r₃滿足如下表達式“0.4r₂+10.5＜r₃＜0.2r₂+16”，并且，第二包層(13)的內(nèi)半徑r₂等于或大于8μm。波長為1550nm并且曲率半徑為7.5mm時的彎曲損耗小于0.1dB/圈，并且波長為1625nm并且曲率半徑為4mm時的彎曲損耗大于0.1dB/圈。
文檔編號G02B6/036GK101680994SQ200980000329
公開日2010年3月24日 申請日期2009年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月22日
發(fā)明者中西哲也, 佐佐木隆, 佐藤文昭, 宮野寬, 粟飯原勝行 申請人:住友電氣工業(yè)株式會社