專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置及其制造方法，尤其涉及使用含有光固化性材料的密封
材料的液晶顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
—直以來，作為CRT的替代品，廣泛使用液晶顯示裝置。液晶顯示裝置與CRT相比， 厚度薄，能夠小型化，因此，被用于以筆記本型PC和便攜式電話為首的便攜式終端。
在液晶顯示裝置中，近年主要使用的有源矩陣方式的液晶顯示裝置為以下的結(jié) 構(gòu)以矩陣狀形成有薄膜晶體管(TFT:Thin FilmTransistor)等的陣列基板、與形成有彩 色濾光片(CF :Color Filter)等的CF基板相互相對(duì)配置，用熱固化型的密封材料將上述兩 基板的周邊部粘合從而使其貼合。另外，在上述兩基板之間封入有具有電光學(xué)特性的液晶。
上述液晶顯示裝置利用以下的方法制造用密封材料將兩基板貼合，從在密封材 料的密封圖案中設(shè)置的開口部注入液晶后，將密封圖案的開口部密封。
但是，在像上述那樣注入液晶以制造液晶顯示裝置的情況下，液晶的注入需要很 長(zhǎng)時(shí)間。因此，使用以下的方法(液晶滴下貼合方式)在真空中，在陣列基板的周圍呈框 狀涂敷密封材料，在上述框內(nèi)滴下液晶后，將陣列基板和CF基板貼合，并封入液晶。
但是，在上述的方法中，當(dāng)液晶與未固化的密封材料接觸時(shí)，密封材料的成分會(huì)溶 出到液晶中，于是會(huì)產(chǎn)生污點(diǎn)。另外，密封材料的固化需要熱，因此，使用的陣列基板和CF 基板會(huì)發(fā)生熱膨脹，從而產(chǎn)生上述兩基板的位置偏離的問題。因此，為了防止污點(diǎn)，需要迅 速地進(jìn)行固化，并且，為了防止位置偏離，需要在固化時(shí)不加熱的密封材料。因此，已提出使 用光固化型的密封材料代替熱固化型的密封材料。 圖8表示使用光固化型的密封材料的液晶顯示裝置的面板部分的平面圖。圖9是 表示沿著B-B線將圖8所示的液晶顯示裝置切斷時(shí)的截面的概略結(jié)構(gòu)的B-B線截面圖。參 照?qǐng)D8和圖9，對(duì)以往的液晶顯示裝置的密封材料進(jìn)行說明。 液晶顯示裝置的面板部分是在CF基板101與陣列基板102之間夾有液晶106的 結(jié)構(gòu)。CF基板101與陣列基板102通過光固化型的密封材料103粘合。在CF基板101的 與密封材料103接觸的面一側(cè)，形成有遮光性的黑矩陣(以下記作"BM":遮光膜)105。在 陣列基板102的與密封材料103接觸的面一側(cè)，在一部分上形成有用于向顯示區(qū)域109傳 輸信號(hào)的金屬配線104(參照?qǐng)D9)。另外，金屬配線104與端子部111連接。另外，在設(shè)置 在顯示區(qū)域109周圍的框區(qū)域110中，配置有密封材料103。 在上述液晶顯示裝置的制造工序中，當(dāng)為了使密封材料103固化而從陣列基板 102側(cè)照射光時(shí)，在作為金屬配線104的陰影的部分103a(參照?qǐng)D9)，光線難以照射到，密 封材料103容易保持未固化的狀態(tài)。由于衍射效果，有時(shí)光會(huì)繞射(travel around)，但是， 在該情況下，需要延長(zhǎng)照射時(shí)間。 因此，可考慮在與被2塊基板夾著的光固化型密封材料103接觸的BM105(遮光 膜)上設(shè)置開口部(透光部)，從該開口部照射光。通常，只要不對(duì)框區(qū)域110的輸入輸出
5信號(hào)產(chǎn)生不良影響，就能夠在BM105 (遮光膜)上部分地形成開口部。 例如，在專利文獻(xiàn)1中提出通過定義位于光固化型密封材料的正上方或者正下 方的遮光膜的形狀、寬度、和在遮光膜上設(shè)置的開口部的大小，向光固化型密封材料照射為 了使該光固化型密封材料固化所需要的光。 另外，可考慮使用疊層有藍(lán)色著色層、紅色著色層和綠色著色層的遮光層，代替在 CF基板101上設(shè)置的BM105。 例如，在專利文獻(xiàn)2中提出在與密封材料接觸的部分，使用上述藍(lán)色著色層，并 且，使用與藍(lán)色區(qū)的波長(zhǎng)的光具有光反應(yīng)區(qū)的樹脂材料作為密封材料。另外，在專利文獻(xiàn)2 中提出通過從CF基板側(cè)照射光，利用透過藍(lán)色著色層的藍(lán)色區(qū)的波長(zhǎng)的光，使密封材料 固化。 另外，在專利文獻(xiàn)3中提出從傾斜方向?qū)F基板的基板面照射光，使透過CF基 板的光線由陣列基板、BM和金屬配線進(jìn)行反射，使光線也入射到密封材料中與金屬配線重 疊而形成的區(qū)域，從而使密封材料固化。 專利文獻(xiàn)1 :日本公開專利公報(bào)"特開2000-89235號(hào)公報(bào)(
公開日:2000年3月 31日)"(對(duì)應(yīng)美國專利第6， 424,394號(hào)(登記日2002年7月23曰))
專利文獻(xiàn)2 :日本公開專利公報(bào)"特開2001-222017號(hào)公報(bào)(
公開日2001年8月 17日)"(對(duì)應(yīng)美國專利申請(qǐng)公開第2002/0196393號(hào)(
公開日2002年12月26日))
專利文獻(xiàn)3 :日本公開專利公報(bào)"特開2004-4563號(hào)公報(bào)(
公開日2004年1月8 日)"(對(duì)應(yīng)美國專利申請(qǐng)公開第2003/0218713號(hào)(
公開日2003年11月27日))

發(fā)明內(nèi)容
但是，即使使用專利文獻(xiàn)1中所記載的方法，在從金屬配線104側(cè)照射光以使密封 材料103固化的情況下，圖9所示的、成為金屬配線104的陰影的部分103a與其它部分相 比難以固化的問題依然存在。另外，在專利文獻(xiàn)2、3所記載的方法中，存在液晶面板的設(shè)計(jì) 和光的照射方法復(fù)雜的問題、以及光的利用效率不高的問題。 因此，迫切希望有一種能夠更簡(jiǎn)便地防止與密封材料的固化不良相伴而產(chǎn)生污點(diǎn) 的液晶顯示裝置的制造方法、以及與密封材料的固化不良相伴而產(chǎn)生污點(diǎn)的問題由此得以 解決的液晶顯示裝置。 本發(fā)明鑒于上述問題而做出，其目的在于，實(shí)現(xiàn)與密封材料的固化不良相伴而產(chǎn) 生污點(diǎn)的問題得以解決的液晶顯示裝置及其制造方法。 為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，其包括相互相對(duì)配置的第一
基板和第二基板、和在兩基板之間設(shè)置的液晶層，上述兩基板由含有光固化性材料(a)的
密封材料粘合，其特征在于在上述第一基板的與上述第二基板的相對(duì)面?zhèn)鹊囊徊糠稚闲?br> 成有遮光部(A)，并且，在密封材料與上述遮光部(A)之間形成有透明膜。 通常，為了使密封材料固化而從第一基板的背向面?zhèn)日丈涔鈺r(shí)，在密封材料中會(huì)
產(chǎn)生因被遮光部遮住而照射不到光的遮光區(qū)域。換言之，在照射光時(shí)，會(huì)產(chǎn)生成為遮光部的
陰影的區(qū)域。 但是，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在第一基板上形成的遮光部(A)與密封材料之間，形成有透 明膜。也就是說，當(dāng)像上述那樣從背向面?zhèn)日丈涔鈺r(shí)，不是在密封材料中而是在透明膜內(nèi)產(chǎn)生遮光區(qū)域(成為陰影的部分)。由此，不會(huì)像以往那樣在密封材料中產(chǎn)生由遮光部引起的 遮光區(qū)域(也就是說，對(duì)密封材料整體照射光)，因此，密封材料被充分固化。因此，能夠防 止密封材料的固化不良。結(jié)果，能夠提高液晶顯示裝置的品質(zhì)。 因此，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠以更簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)有效地防止密封材料的固化不良。根據(jù) 上述結(jié)構(gòu)，能夠提供沒有(幾乎沒有、優(yōu)選完全沒有)密封材料的固化不良、尤其是密封材 料的與液晶層接觸的部分的固化不良，與密封材料的固化不良相伴的問題得以解決，并且 顯示品質(zhì)高的液晶顯示裝置。 另外，為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置的制造方法，其用于制造 包括相互相對(duì)配置的第一基板和第二基板、和在兩基板之間設(shè)置的液晶層，上述兩基板由 含有光固化性材料(a)的密封材料粘合的液晶顯示裝置，其特征在于，包括在與上述第二 基板的相對(duì)面?zhèn)鹊囊徊糠稚闲纬捎姓诠獠?A)的第一基板的周邊部形成含有光固化性材 料的密封材料的密封材料配置工序；在由上述密封材料包圍的區(qū)域形成液晶層的液晶層形 成工序；和通過密封材料粘合上述第一基板和第二基板的基板粘合工序，并且，還包括在 上述密封材料配置工序之前，在上述第一基板的相對(duì)面?zhèn)鹊闹辽偎稣诠獠?A)上形成透 明膜的透明膜形成工序。 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在第一基板上形成密封材料之前，在第一基板的相對(duì)面?zhèn)鹊闹辽?上述遮光部(A)上形成透明膜，因此，當(dāng)利用光使密封材料固化時(shí)，產(chǎn)生遮光區(qū)域的部分不 是位于密封材料中而是位于透明膜內(nèi)。由此，光向密封材料繞射，密封材料充分地被光照 射。因此，不需要像以往那樣為了防止固化不良而延長(zhǎng)光的照射時(shí)間，能夠減少光照射能 量，并且能夠提高制造效率。 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠以更簡(jiǎn)便的方法有效地防止密封材料的固化不良。根據(jù)上述 結(jié)構(gòu)，能夠提供沒有(幾乎沒有、優(yōu)選完全沒有)密封材料的固化不良、尤其是密封材料的 與液晶層接觸的部分的固化不良，與密封材料的固化不良相伴的問題得以解決，并且顯示 品質(zhì)高的液晶顯示裝置的制造方法。


圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截 面圖。 圖2是表示上述液晶顯示裝置的陣列基板的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。 圖3是圖2所示的陣列基板的沿A-A線的箭頭方向的截面圖。 圖4是表示向上述液晶顯示裝置照射光的光照射裝置的概略的截面圖。 圖5是表示本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的
截面圖。 圖6是表示本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的 截面圖。 圖7是表示本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的 截面圖。 圖8是以往的液晶顯示裝置的面板部分的平面圖。 圖9是圖8所示的液晶顯示裝置的沿B-B線的截面圖。
圖10(a)是表示本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖10(b)是表示本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)的、在圖 10(a)中用C表示的部分的放大平面圖。 圖10(c)是表示本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)的、圖 10(b)的沿D-D線的箭頭方向的截面圖。
截面圖,
截面圖,
截面圖,
截面圖,
截面圖,
截面圖,
圖11是表示本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的
圖12是表示本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的
圖13是表示本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的
圖14是表示本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的
圖15是表示本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的
圖16是表示本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的
符號(hào)說明
1
1A
2
2A
3
4
陣列基板 基板(第一基板) CF基板
基板(第二基板) 密封材料
金屬配線(遮光部(A))
5 BM(黑矩陣(black matrix)、遮光部(B))
6 液晶層
7 透明膜
8 波紋(dimple)部
9 透明膜
15 柵極絕緣膜(透明膜) 15A第一柵極絕緣膜(透明膜) 15B第二柵極絕緣膜(透明膜)
25 下層層間絕緣膜(透明膜)
26 上層層間絕緣膜(透明膜) D工透明膜的厚度
D2 從金屬配線的基部到遮光區(qū)域的頂部的高度 W 金屬配線的寬度 a 光的繞射(travel-around)的大小
具體實(shí)施例方式[實(shí)施方式1] 根據(jù)圖1至圖4對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。圖1是表示本實(shí)施方式 的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。從平面觀察本實(shí)施方式的上述液晶顯示 裝置的面板部分時(shí)的概略結(jié)構(gòu)，基本上如上述圖8所示的那樣，在本實(shí)施方式中，省略它的 圖示。圖1相當(dāng)于圖8所示的液晶顯示裝置的B-B線截面圖。但是，端子部的圖示省略。圖 2是表示陣列基板的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。圖3是圖2所示的陣列基板的沿A-A線的箭頭方 向的截面圖。圖4是表示照射光的光照射裝置的概略的截面圖。在本發(fā)明中，"透明"是指 "物體能通過光等電磁波"，即具有透光性。 首先，對(duì)適合用于本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的陣列基板進(jìn)行說明。如圖2所示， 在本實(shí)施方式中所使用的陣列基板1上，設(shè)置有呈矩陣狀配置的多個(gè)像素區(qū)域(像素30的 組)。由此，在上述陣列基板1上，如圖1和圖2所示，形成有由上述多個(gè)像素30構(gòu)成的顯 示區(qū)域31。圖l表示上述顯示區(qū)域31的周邊部的概略結(jié)構(gòu)。 另外，在上述陣列基板1上，如圖2和圖3所示，每個(gè)像素30都形成有薄膜晶體管 (以下記作"TFT":開關(guān)元件)13。 如圖3所示，陣列基板1具有以下結(jié)構(gòu)在具有透光性的作為基底的基板(基底基 板、透明基板)1A(第一基板)上設(shè)置有TFT13，在其上，由氮化硅(SiNx)構(gòu)成的下層層間絕 緣膜25和由丙烯酸樹脂構(gòu)成的上層層間絕緣膜26依次疊層，在其上配置有像素電極21。 即，上述陣列基板1是以將TFT13和像素電極21分離的方式配置有下層層間絕緣膜25和 上層層間絕緣膜26的結(jié)構(gòu)。此外，在圖2和圖3中，作為本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的一 個(gè)例子，圖示了具有以下結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置TFT13與像素電極21相對(duì)配置，在TFT13與 像素電極21之間配置有上述下層層間絕緣膜25和上層層間絕緣膜26。但是，本實(shí)施方式 的液晶顯示裝置并不限定于此，不一定需要在TFT13的正上方配置像素電極21。
如圖3所示，TFT13的柵電極14被由氮化硅或氧化硅構(gòu)成的柵極絕緣膜15絕緣。 另外，漏電極16與源電極17通過n型半導(dǎo)體層24 24(低電阻半導(dǎo)體層)和活性半導(dǎo)體 層27而連接。另外，如圖2所示，漏電極16通過漏極引出電極18延伸設(shè)置(延伸)至輔 助電容線19上。另外，漏極引出電極18通過接觸孔20，與例如由ITO(Indium ThinOxide : 氧化銦錫)或者IZO(Indium Zinc Oxide :氧化銦鋅)等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的像素電極21電 連接。另外，源電極17與源極線22連接。另外，這些多個(gè)源極線22和柵極線23通過金屬 配線4(參照?qǐng)D1)與設(shè)置在陣列基板1周邊部的端子部(未圖示)連接。由此，TFT13通 過端子部與外部電路連接。端子部的結(jié)構(gòu)與圖8和圖9所示的以往的液晶顯示裝置的端子 部111的結(jié)構(gòu)相同。因此，在此省略對(duì)上述端子部的說明。
接著，對(duì)本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。 如圖1所示，液晶顯示裝置包括上述陣列基板1、彩色濾光片基板(以下記作"CF 基板")2、密封材料3、和液晶層6。 上述陣列基板1在與上述CF基板2的相對(duì)面?zhèn)鹊囊徊糠稚显O(shè)置有金屬配線(遮 光部(A)、第一遮光部)4，并且，在該金屬配線4與上述密封材料3之間設(shè)置有透明膜7 (具 有透光性的膜)。 如圖1所示，上述金屬配線4形成在上述基板1A上(S卩，上述基板1A的與CF基板2的相對(duì)面上)的上述基板1A的周邊部(即，上述陣列基板l的周邊部)。但是，本發(fā) 明并不限定于此，作為上述金屬配線4，是指在上述密封材料3的密封部形成的所有金屬配 線。 另一方面，上述CF基板2具有以下結(jié)構(gòu)在具有透光性的作為基底的基板(基底 基板、透明基板)2A(第二基板)上設(shè)置有未圖示的彩色濾光片(CF)等。另外，在CF基板 2上，在與上述陣列基板1的相對(duì)面?zhèn)?，形成有遮光的BM5(遮光部(B)、第二遮光部)。BM5 為了將來自液晶顯示裝置外部的不需要的光遮住、并且防止從液晶顯示裝置內(nèi)部漏光而設(shè)置。 陣列基板1與CF基板2相互相對(duì)配置，在陣列基板1與CF基板2之間夾有液晶 層6。另外，陣列基板1與CF基板2通過密封材料3粘結(jié)，并且，液晶層6由密封材料3包 圍并密封。以下，以液晶顯示裝置的陣列基板1側(cè)作為下側(cè)、CF基板2側(cè)作為上側(cè)進(jìn)行說 明。 如前所述，在陣列基板1上形成有由多個(gè)像素30(像素區(qū)域)構(gòu)成的顯示區(qū)域31。
在各像素30 (像素區(qū)域)的各列和各行上，如圖2所示，分別設(shè)置有源極線22和 柵極線23。這些源極線22和柵極線23，如前所述，通過用于向顯示區(qū)域31傳輸信號(hào)的金 屬配線4 (參照?qǐng)D1)，分別與設(shè)置在陣列基板1周邊部的端子部(相當(dāng)于圖8所示的端子部 lll，未圖示)連接。 S卩，上述金屬配線4與顯示區(qū)域31中的各像素30(像素區(qū)域)電連接，并且通過 上述端子部，與未圖示的外部電路電連接。上述金屬配線4例如為了將上述像素區(qū)域與外 部電路電連接、并且進(jìn)行電信號(hào)的輸入輸出而設(shè)置。 另外，可以在陣列基板1上，以覆蓋金屬配線4并且覆蓋例如顯示區(qū)域31中除接 觸孔20等以外的整體的方式，配置透明膜7。換言之，在包括在陣列基板1上設(shè)置的源極線 22和柵極線23等的像素區(qū)域，也可以配置有透明膜7。像素區(qū)域的透明膜7例如作為層間 絕緣膜而設(shè)置。 另外，使用另一種表達(dá)對(duì)本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明如下。在包 括在構(gòu)成陣列基板1的基板1A上設(shè)置的配線的像素區(qū)域，具體而言，在包括源極線22和柵 極線23等的像素區(qū)域，配置有透明膜7。另外，在透明膜7上配置有液晶層6和密封材料3， 液晶層6的周圍由密封材料3包圍。另外，在液晶層6和密封材料3上，配置有設(shè)置有彩色 濾光片(CF)的CF基板2。在CF基板2的與上述密封材料3的相對(duì)面上，配置有BM5。于 是，形成陣列基板1與CF基板2通過密封材料3粘結(jié)、并且相互相對(duì)配置的結(jié)構(gòu)。
接著，對(duì)本實(shí)施方式的各部件進(jìn)行說明。 首先，作為在陣列基板1和CF基板2中使用的基板1A 2A(基底基板、透明基板 (具有透光性的絕緣性基板))，能夠使用通常使用的玻璃基板等。作為上述基板1A *2A，只 要具有能作為基板使用的程度的透明性(透光性)、機(jī)械強(qiáng)度和耐熱性等，并不限定于玻璃 基板等，也能夠使用塑料基板等。另外，作為上述基板1A，2A，不一定限定于透明基板。上 述基板1A 2A，在上述液晶顯示裝置為反射型的液晶顯示裝置的情況下，只要除了作為顯 示側(cè)的基板的顯示區(qū)域以外，至少上述基板1A的與上述密封材料3相對(duì)的區(qū)域具有透光性 即可，其材料和形態(tài)并沒有特別限定。 密封材料3由含有光固化性材料(光固化性材料(a))的材料、例如光固化性樹脂構(gòu)成，用于粘合陣列基板1和CF基板2，并且用于將液晶層6密封。光固化性樹脂只要由光 進(jìn)行固化就沒有特別限定。能夠使用在一般的液晶顯示裝置中使用的光固化型的丙烯酸類 樹脂等。另外，上述密封材料3除了光固化性樹脂以外，可以使用光熱并用型的樹脂材料， 也可以由含有光固化性材料和熱固化性材料的材料構(gòu)成。 另外，透明膜7例如由透明樹脂(具有透光性的樹脂)構(gòu)成，例如可以使用折射率 為1.4的丙烯酸樹脂。作為上述透明膜7的材料(材料(b))，只要是具有透明性(透光性) 的材料，并不特別限定于丙烯酸樹脂，例如，也可以使用聚酰亞胺、聚氨酯、環(huán)氧樹脂、聚硅 氧烷、甲基硅氧烷類的旋涂玻璃(S0G)材料等、丙烯酸樹脂以外的樹脂或者含有有機(jī)化合 物(有機(jī)材料)的材料。另外，上述透明膜7只要具有透明性，也可以由例如硅酸鹽類的旋 涂玻璃(S0G)材料等無機(jī)材料構(gòu)成。這些透明膜7的材料可以只使用一種，也可以將兩種 以上適當(dāng)混合使用。 另外，當(dāng)從陣列基板1的背向面?zhèn)日丈涔鈺r(shí)，希望透明膜7的折射率小，以使光更 加朝著成為金屬配線4的陰影的區(qū)域(遮光區(qū)域)的方向折射。透明膜7的折射率優(yōu)選為 上述陣列基板1的基板1A的折射率以下，更優(yōu)選為小于上述基板1A的折射率。
樹脂等有機(jī)化合物與無機(jī)化合物相比，折射率小，另外，折射率小的物質(zhì)能夠容易 得到或準(zhǔn)備。因此，通過使用樹脂等有機(jī)化合物作為上述透明膜7的材料，能夠容易地使上 述透明膜7的折射率為上述基板1A的折射率以下、更優(yōu)選為小于上述基板1A的折射率。因 此，上述透明膜7優(yōu)選至少包括一層含有樹脂等有機(jī)化合物的層，更優(yōu)選至少包括一層由 樹脂等有機(jī)化合物構(gòu)成的層，希望適當(dāng)選擇上述透明膜7的材料和上述基板1A的材料，使 得上述透明膜7的折射率為上述基板1A的折射率以下、更優(yōu)選為小于上述基板1A的折射 率。 當(dāng)透明膜7的折射率小時(shí)，光的折射角大，能得到光繞射的距離變大的效果。進(jìn) 而，由于光的繞射變大，能夠增大作為遮光部的金屬配線4的寬度。另一方面，當(dāng)透明膜7的 折射率大時(shí)，光的折射角小，光繞射的距離變小，因此，光難以照射到密封材料3上。以下， 對(duì)其理由具體地進(jìn)行闡述。 在透明膜7和上述基板1A中，斯涅爾定律(也稱為折射定律)成立。S卩，當(dāng)上述 基板1A的折射率為rv透明膜7的折射率為rv并且向透明膜7入射的光的入射角為9 i、 折射角為9 r時(shí)，無論入射角e i如何，sin e i/sin e r = nb/na —定成立。
因此，透明膜7的折射率nb比上述基板1A的折射率na越小，相對(duì)于透明膜7的光 的入射角度，折射角9r越大。即，透明膜7的折射率比上述基板1A的折射率越小，光越能 繞射，密封材料3的未固化部分越減少。 另一方面，透明膜7的折射率rib比上述基板1A的折射率na越大，相對(duì)于透明膜7 的光的入射角9i，折射角9r越小。因此，光難以照射到密封材料3。
另外，希望透明膜7的厚度(高度、膜厚)D工厚(高)。為了使密封材料3完全固 化，優(yōu)選上述透明膜7的距離上述金屬配線4的基部的厚度(高度)D工為從上述陣列基板1 的背向面?zhèn)取⒓瓷鲜龌?A的背向面?zhèn)热肷涞墓獗簧鲜鼋饘倥渚€4遮住的遮光區(qū)域(成為 金屬配線4的陰影的區(qū)域)的距離上述金屬配線4的基部的高度、即從金屬配線4的基部 到上述遮光區(qū)域的頂部的高度02以上。S卩，在本實(shí)施方式中，優(yōu)選透明膜7的厚度(高度) D工為被金屬配線4遮光的遮光區(qū)域的距離陣列基板1表面的高度^以上。進(jìn)而言之，希望以上述金屬配線4的表面作為基準(zhǔn)的上述金屬配線4上的透明膜7的厚度(高度)D3為從 上述陣列基板1的背向面?zhèn)?、即上述基?A的背向面?zhèn)热肷涞墓獗簧鲜鼋饘倥渚€4遮住的 遮光區(qū)域(成為金屬配線4的陰影的區(qū)域)的距離上述金屬配線4的表面的高度D4以上。
通常，在金屬配線4的寬度一定的情況下，由金屬配線4產(chǎn)生的遮光區(qū)域(成為金 屬配線4的陰影的區(qū)域)的大小也一定。因此，上述透明膜7的厚度(高度)D工或者在上 述金屬配線4上形成的透明膜7的厚度(高度)D3越大，上述遮光區(qū)域就會(huì)不在密封材料 3中而僅被配置在透明膜7內(nèi)。因此，光向密封材料3繞射，能夠防止密封材料3的固化不 良。另外，只要透明膜7的厚度(高度)D工為D2以上，在密封材料3中就不會(huì)產(chǎn)生上述遮 光區(qū)域、即未固化狀態(tài)的區(qū)域。因此，能夠解決由密封材料3的固化不良所導(dǎo)致的以往的問 題。對(duì)于上述透明膜7的具體的膜厚，將在后面進(jìn)行說明。 另外，不需要以覆蓋陣列基板l(基板1A)的整個(gè)相對(duì)面的方式設(shè)置透明膜7，僅 在被金屬配線4遮光的區(qū)域(成為金屬配線4的陰影的區(qū)域)設(shè)置透明膜7即可。當(dāng)從陣 列基板1側(cè)(即基板1A側(cè))照射光時(shí)，在金屬配線4的上部會(huì)形成上述遮光區(qū)域。S卩，如 果僅在金屬配線4的上部配置透明膜7，則上述遮光區(qū)域(成為金屬配線4的陰影的區(qū)域) 位于金屬配線4上的透明膜7內(nèi)，因此，密封材料3被充分地照射光。因此，密封材料3不 會(huì)發(fā)生固化不良。 根據(jù)本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，當(dāng)從陣列基板1的背向面?zhèn)?圖1的下側(cè))照射光時(shí)，因 為在金屬配線4上形成有透明膜7，所以，向上述陣列基板1 (基板1A)入射的光，繞過在透 明膜7中產(chǎn)生的遮光區(qū)域(成為金屬配線4的陰影的區(qū)域)的周圍，到達(dá)在透明膜7上形 成的密封材料3。 在此，對(duì)光繞射時(shí)的"光的繞射的大小"進(jìn)行說明。設(shè)向陣列基板l(基板1A)入 射的垂直方向的光與密封材料3的交點(diǎn)為^、并且傾斜方向的光(繞過遮光區(qū)域的光)與 密封材料3的交點(diǎn)為&2時(shí)，"光的繞射的大小"是指&1與&2之間的距離a。例如，在未形 成透明膜7的情況下、即金屬配線4與密封材料3接觸的情況下，不會(huì)產(chǎn)生光的繞射，ai與 ^一致，a =0。即，僅金屬配線4的寬度W的部分未被照射光。 本實(shí)施方式中使用的上述基板1A的折射率為1. 54，并且形成的透明膜7的折射率 為1.4、厚度為3ym。在該情況下，當(dāng)從陣列基板l側(cè)(即，基板1A側(cè))照射光時(shí)，光繞射 的大小a與未形成透明膜7的情況相比，增大約3. lym。因此，密封材料3中，光照射到增 大其兩倍即大約6. 2ii m的寬度的區(qū)域。該數(shù)值是為了說明而舉的例子，并沒有特別限定。
接著，對(duì)制造上述液晶顯示裝置的方法進(jìn)行說明。 首先，按照公知的方法在基板1A上形成TFT13之后，為了覆蓋TFT13，使用由SiH4 氣體、NH3氣體和N2氣體構(gòu)成的混合氣體，采用化學(xué)氣相沉積法(CVD :Chemical V即or D印osition)形成0. 3iim 0. 5iim左右的由SiNx構(gòu)成的下層層間絕緣膜25。
接著，利用光刻法，以具有接觸孔20、柵極線23用的端子部接觸區(qū)域、和源極線22 用的端子部接觸區(qū)域的方式，形成2. 0 ii m 4 ii m左右的由感光性丙烯酸樹脂構(gòu)成的上層 層間絕緣膜26。此外，在所形成的上層層間絕緣膜26的膜厚的偏差不影響通常的顯示功能 的情況下，為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，優(yōu)選增厚(增大)上層層間絕緣膜26的膜厚。特別是 在上層層間絕緣膜26是樹脂的情況下，與無機(jī)膜相比，無論在工藝方面還是成本方面，都 易于增加膜厚。但是，上述上層層間絕緣膜26并不僅限定于樹脂。作為上述上層層間絕緣膜26，例如可以使用像由硅酸鹽類的無機(jī)旋涂玻璃(S0G)材料構(gòu)成的膜那樣，由比較容易 形成厚膜的無機(jī)材料構(gòu)成的無機(jī)膜。此外，上述的數(shù)值2. 0 m 4 m是根據(jù)維持本次使 用的樹脂的平坦性等的觀點(diǎn)而決定的，并不限定于上述范圍。 但是，當(dāng)上述上層層間絕緣膜26的膜厚超過作為上限的4 m時(shí)，容易看出膜厚不 均勻，因此，上述上層層間絕緣膜26優(yōu)選為4ii m以下。 另外，上述上層層間絕緣膜26是相對(duì)介電常數(shù)為3左右的丙烯酸樹脂，為了作為 上層層間絕緣膜而發(fā)揮效果，2 m以上是適當(dāng)?shù)摹?如后所述，上述上層層間絕緣膜26也能夠作為透明膜7利用，通過將上述上層層 間絕緣膜26作為透明膜7利用，能夠在形成上層層間絕緣膜26的同時(shí)形成透明膜7。因 此，從將上述上層層間絕緣膜26作為透明膜7利用的情況下，金屬配線4等遮光膜上的透 明膜7中的光的繞射的觀點(diǎn)來看，上述上層層間絕緣膜26的膜厚也優(yōu)選為2ym以上。
另一方面，因?yàn)橐壕э@示裝置的一般的制造方法中的金屬配線的分辨極限的線寬 大約為3ii m，如前所述，透明膜7所使用的材料的折射率小、為1. 4左右，所以，根據(jù)當(dāng)上述 金屬配線4的寬度為W、透明膜的疊層數(shù)為m(l《m)層、從上述陣列基板1中的基板1A側(cè)、 即上述陣列基板1中的上述金屬配線4側(cè)開始的第k(1《k《m)層透明膜的折射率為nk(l <nk)且該透明膜的膜厚為dk時(shí)表示金屬配線的寬度W與透明膜的關(guān)系的公式(1) <formula>formula see original document page 13</formula> 進(jìn)行反算時(shí)，上述上層層間絕緣膜26的膜厚優(yōu)選為1. 5 i！ m以上，對(duì)于公式(1)，當(dāng) 根據(jù)考慮向玻璃基板入射的光的入射角為直到70。的情況的公式(2) <formula>formula see original document page 13</formula>(2) 進(jìn)行反算時(shí)，優(yōu)選為1.7iim以上，如果考慮余量，則更優(yōu)選為2iim以上。對(duì)于公 式(1)和公式(2)，將在后述的實(shí)施方式4中進(jìn)行詳細(xì)敘述。 另外，在上述透明膜7由多層構(gòu)成，例如具有以覆蓋在金屬配線4上形成的由氮化 硅或氧化硅構(gòu)成的透明膜(第一透明膜)的方式，利用由樹脂或SOG構(gòu)成的透明膜(第二 透明膜)覆蓋上述金屬配線4的疊層結(jié)構(gòu)的情況下，考慮平坦性與效果兩者的平衡，希望透 明膜的合計(jì)膜厚(透明膜整體的膜厚)為1. 5 ii m以上，優(yōu)選為1. 7 ii m以上，更優(yōu)選為2 y m 以上，其上限為4ym。從本發(fā)明的目的來說，透明膜7的膜厚越厚，效果越高。但是，考慮透 明膜7的形成的容易性、平坦性、透明度的下降等，以4踐左右作為上限是現(xiàn)實(shí)的。此外， 對(duì)于透明膜的疊層，將在后述的實(shí)施方式中詳細(xì)地進(jìn)行說明。 此后，利用公知的方法在上層層間絕緣膜26上形成像素電極21，由此，能夠制造 出形成有像素30(像素區(qū)域)的陣列基板l。 接著，使用透明材料在金屬配線4上形成透明膜7，使得當(dāng)在上述陣列基板1上配 置有密封材料3時(shí)，覆蓋位于該密封材料3下方的金屬配線4(透明膜形成工序)。作為在 陣列基板1上形成透明膜7的方法(即，在上述基板1A上形成透明膜7的方法)，沒有特 別限定，例如可以使用光刻法、旋涂法。此時(shí)，能夠?qū)⑼该髂?的厚度形成得較厚，因此希望在上述陣列基板l的基板1A上涂敷時(shí)的透明樹脂的粘度高。另外，也可以用透明膜7不僅覆蓋金屬配線4，而且覆蓋像素區(qū)域(像素30的組)整體(顯示區(qū)域31整體)。在該情況下，能夠保護(hù)像素區(qū)域，因此，產(chǎn)品的可靠性將進(jìn)一步提高。 接著，在形成有透明膜7的陣列基板1的周邊部涂敷含有光固化性材料(光固化性材料(a))的樹脂，在該陣列基板l的周邊部呈框狀配置密封材料3(密封材料配置工序)。配置密封材料3的方法沒有特別限定，只要使用形成通常的液晶顯示裝置時(shí)所使用的方法即可。作為在陣列基板1的周邊部配置上述密封材料3的方法，例如可以列舉利用框膠涂布法(seal dispenser method)或者絲網(wǎng)印刷法在上述陣列基板1的周邊部涂敷含有光固化型材料的樹脂的方法(密封描畫)。 接著，以收納在上述密封材料3的框內(nèi)的方式導(dǎo)入液晶，形成液晶層6(液晶層形成工序)。作為導(dǎo)入液晶的方法，沒有特別限定，只要使用公知的方法即可。例如，可以應(yīng)用液晶滴下貼合方式。即，利用液晶滴下法(液晶滴下方式)在框狀的密封材料3的內(nèi)側(cè)部分規(guī)則地滴下最佳液晶量的液晶，使得由液晶變成期望的單元間隙，由此形成上述液晶層6。此外，上述液晶顯示裝置是否采用了液晶滴下方式以及使用該液晶滴下方式的液晶滴下貼合方式，能夠根據(jù)有無液晶注入口進(jìn)行判斷。在上述液晶顯示裝置采用了液晶滴下方式以及使用該液晶滴下方式的液晶滴下貼合方式的情況下，不需要上述注入口 ，因此，密封材料3配置成連續(xù)的框狀，密封材料表面(外周壁和內(nèi)周壁) 一樣平坦，而在液晶注入方式的情況下，用密封材料3從后面將液晶注入口密封，因此，在注入口痕跡處存在密封痕跡。
接著，通過密封材料3將陣列基板1與CF基板2貼合(基板粘合工序)。為了將如上述那樣進(jìn)行了密封描畫和液晶滴下的CF基板2與陣列基板1貼合，將貼合裝置內(nèi)的氣氛減壓至1Pa，在該減壓下進(jìn)行上述兩基板的貼合之后，當(dāng)使上述貼合裝置內(nèi)的氣氛回到大氣壓時(shí)，上述密封材料3被壓緊，在上述密封材料3的密封部，能夠得到期望的間隙(基板間間隙)。 接著，從陣列基板l側(cè)(基板1A側(cè))照射光，使密封材料3固化。在密封材料3為光熱并用固化型的情況下，進(jìn)一步進(jìn)行烘焙處理。此后，根據(jù)需要，將貼合后的基板分割成各個(gè)液晶面板(分割成液晶面板單位)。 這樣經(jīng)過上述的工序，能夠制造出液晶顯示裝置。此外，圖1中的箭頭表示光的行進(jìn)方向。向陣列基板l入射的光的行進(jìn)方向(入射角度)有多種，但為了說明方便，僅記載傾斜方向的光。 在此，對(duì)照射光的光照射裝置進(jìn)行說明。作為光照射裝置，只要使用一直以來所使
用的裝置即可。例如，如圖4所示，光照射裝置一般由光源10和反射板11構(gòu)成。反射板ll
用于使來自光源10的光均勻地向?qū)⒁蔀橐壕э@示裝置的被處理基板12照射。 來自光源10的光被反射板11反射，因此，在被處理基板12的基板面(光入射的
面)上，不僅與該基板面垂直的光能夠入射，而且傾斜的光也能夠入射。圖4中，箭頭表示
光的行進(jìn)方向。 另外，通常，在被處理基板12為玻璃制的情況下，在基板面有反射，因此，對(duì)基板面的有效的光的入射角度，相對(duì)于基板面的法線方向?yàn)?0度左右。例如，在上述玻璃的折射率為1. 5 1. 7的情況下，因?yàn)槠浔瓤諝獾恼凵渎蚀螅?，被處理基?2中的光的折射角比入射角小。
在使用上述的光照射裝置使密封材料3固化的情況下，當(dāng)從陣列基板1的背向面?zhèn)?下側(cè))照射光時(shí)，在金屬配線4的上側(cè)，光被遮住，在位于金屬配線4上側(cè)的透明膜7中產(chǎn)生遮光區(qū)域(成為金屬配線4的陰影的區(qū)域)。S卩，在產(chǎn)生遮光區(qū)域的部分形成有透明膜7。此時(shí)，光從各個(gè)方向均勻地向陣列基板l照射，因此，光會(huì)繞過遮光區(qū)域，光充分地向配置在透明膜7上的密封材料3入射。換言之，在以往照射不到光的部分，形成透明膜7取代密封材料3，由此，金屬配線4與密封材料3分開距離，光易于繞射。因此，能夠使密封材料3的未固化部分減少。 在上述說明中，以如圖1那樣在密封材料3的密封部存在BM5、僅從陣列基板1側(cè)照射光作為前提進(jìn)行了說明，但是，如圖12所示，在BM5的與密封材料3的相對(duì)位置形成有BM5的開口部5a(即，部分地形成有BM5或者未形成BM5)的情況下，可以從上述陣列基板1和CF基板2兩側(cè)照射光。在該情況下，與僅從上述一個(gè)基板側(cè)照射光的情況相比，能夠有效地使上述密封材料3固化。 另外，當(dāng)在金屬配線4上形成上層層間絕緣膜26而代替另外形成透明膜7時(shí)，不僅可以覆蓋TFT13，而且可以覆蓋至陣列基板1的周邊部。由此，不需要另外形成透明膜7，使用已有的膜，不改變制造工藝，就能夠覆蓋在陣列基板1的周邊部形成的金屬配線4。因此，不需要用于另外形成透明膜7的工序，能夠使制造工序簡(jiǎn)化。 當(dāng)如上述那樣在形成上層層間絕緣膜26的同時(shí)形成透明膜7的情況下，透明膜7的厚度(高度)D^尤選為4iim以下。當(dāng)透明膜7的厚度(高度)D工比4iim厚時(shí)，難以以厚度(高度)DJ勻勻地形成透明膜7。也就是說，這意味著難以均勻地形成上層層間絕緣膜26的厚度。在該情況下，無法適當(dāng)?shù)嘏渲迷谏蠈訉娱g絕緣膜26上形成的像素電極21，在液晶顯示裝置的多個(gè)像素30 (像素區(qū)域)中，有從陣列基板1的表面到像素電極21表面的厚度(高度)變得不均勻的情況。因此，在液晶顯示裝置中會(huì)發(fā)生亮度不均勻。
在本實(shí)施方式中，對(duì)于在形成層間絕緣膜的同時(shí)形成透明膜的情況，作為其材質(zhì)，使用丙烯酸樹脂進(jìn)行了說明，但是也可以使用其它的樹脂材料或旋涂玻璃(S0G)。 S0G是能夠利用旋涂法進(jìn)行成膜的玻璃質(zhì)的材料，通常，在液晶顯示裝置中作為平坦化膜使用。另外，SOG在成膜時(shí)透明性高，作為層間絕緣膜的特性也優(yōu)異。另外，S0G中有折射率為1. 4以下的、并且易于使膜厚與丙烯酸樹脂相當(dāng)，因此，通過使用S0G、特別是折射率為1. 4以下的S0G作為透明膜，與丙烯酸樹脂同樣，在防止密封材料3的固化不良方面有效果。
此外，SOG通常不是感光性樹脂。因此，在對(duì)SOG進(jìn)行圖案化時(shí)，需要另外在使用抗蝕劑應(yīng)用光刻法后進(jìn)行蝕刻處理。另外，透明膜并不限定于上述那樣并用層間絕緣膜(例如上層層間絕緣膜26)的情況，可以并用平坦化膜、保護(hù)膜等為了其它目的而使用的透明膜，也可以僅為了本發(fā)明的目的而另外形成。 另外，在本實(shí)施方式中，作為遮光部，主要以金屬配線4為例進(jìn)行了說明，但是，也可以是遮光性或者難以透過光的其它圖案。作為上述遮光部，例如可以是由金屬形成的密封部的間隙材料、用于調(diào)整透過率的虛擬圖案(dummy pattern)、具有開口部的BM。 S卩，本發(fā)明能夠應(yīng)用于在密封部形成有遮光性或者光難以透過的圖案(結(jié)構(gòu)物)的所有情況。
[實(shí)施方式2] 根據(jù)圖5對(duì)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。在圖中，對(duì)于與實(shí)施方式l中所示的構(gòu)成要素同等的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同的符號(hào)并省略詳細(xì)說明。在本實(shí)施方式中，除了透明膜的材質(zhì)是氮化硅(SiNx)而不是透明樹脂以外，與上述的實(shí)施方式1同樣。
圖5是表示本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。如圖5所示，在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置中，在陣列基板1與密封材料3之間配置有透明膜9。作為透明膜9的材質(zhì)，可以使用含有氮化硅的材料。氮化硅是在通常的液晶顯示裝置中使用的材料。另外，氮化硅的折射率為2. 0，比陣列基板1中通常使用的基板1A的折射率大?；?A的折射率因材料不同而不同，但是通常小于2. 0。此外，在本實(shí)施方式中，作為上述基板1A，例如使用折射率為1. 5 1. 7的玻璃制的基板。因此，向上述透明膜9入射的光的折射角9r比在上述實(shí)施方式l中向透明膜7入射的光的折射角9r小，但是，與沒有透明膜9的以往的液晶顯示裝置相比，金屬配線4上的光的繞射增大。S卩，密封材料3中的遮光區(qū)域與沒有透明膜9的以往的液晶顯示裝置相比變小。另外，如上所述，氮化硅是在TFT液晶顯示元件中通常使用的材料，因此，有不需要為了制造透明膜9而改變制造工藝的優(yōu)點(diǎn)。
另外，作為透明膜9使用的材料，并不限定于氮化硅，也可以使用氧化硅(Si0》。通常，Si02被用作液晶顯示裝置的硬膜材料或TFT的鈍化膜。Si02的折射率比較小，為1. 46 1. 50，當(dāng)進(jìn)行成膜時(shí)，膜厚為0. 3 ii m 1. 0 ii m，因此，在如上述那樣使用折射率為1. 5以上、特別是折射率大于1. 5的基板作為上述基板1A的情況下，金屬配線4上的光的繞射增大。
另外，作為透明膜9所使用的材料，可以使用氧化銦錫(ITO :IndiumTin Oxide)或者氧化銦鋅(IZO :Indium Zinc Oxide)。通常，由ITO或者IZO構(gòu)成的透明膜9的膜厚為0. liim 0.3iim左右，另外，其折射率為2. 1 2. 2。通過與氮化硅組合，能夠進(jìn)一步使膜厚變厚。此外，上述ITO和上述IZO是作為透明電極材料而在液晶顯示裝置中通常使用的材料。 這樣，在金屬配線4上形成含有透明電極材料的層、特別是由透明電極材料構(gòu)成的層(透明電極層)作為透明膜9的情況下，有必須采用各配線間不會(huì)發(fā)生短路的設(shè)計(jì)的情況。例如，可以采用通過在金屬配線4的開口部的中間(金屬配線4，4之間)設(shè)置不形成上述透明電極層的區(qū)域，以使在各金屬配線4上形成的透明電極層彼此不接觸的結(jié)構(gòu)，或者可以在上述金屬配線4與透明電極層之間疊層設(shè)置由透明絕緣材料構(gòu)成的層。對(duì)于由透明膜9的疊層產(chǎn)生的效果將在后面進(jìn)行敘述。 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，當(dāng)從陣列基板1的下側(cè)(即基板1A的下側(cè))照射光時(shí)，因?yàn)樵诮饘倥渚€4上形成有透明膜9，所以，入射的光繞過在透明膜9中產(chǎn)生的遮光區(qū)域的周圍，到達(dá)在透明膜9上形成的密封材料3。例如，在陣列基板1的上述基板1A的折射率為1. 54、并且形成的透明膜9的折射率為2且厚度為0. 8 ii m的情況下，當(dāng)光從陣列基板1側(cè)(即基板1A側(cè))入射時(shí)，光繞射的大小與未形成透明膜9的情況相比，增大約0.5ym。艮卩，光照射到增大約0. 5 ii m的區(qū)域。因此，在金屬配線4的寬度W為1 ii m的情況下，能夠向密封材料3整體照射光。此外，該數(shù)值是為了說明而舉的例子，并沒有特別限定。 接著，對(duì)在陣列基板1上形成透明膜9的工序進(jìn)行說明。由氮化硅構(gòu)成的透明膜9是在設(shè)置有金屬配線4的基板1A上導(dǎo)入由SiH4氣體、朋3氣體和N2氣體構(gòu)成的混合氣體并利用CVD法形成的。由此，陣列基板1被膜厚為0.3踐 l踐左右的透明膜9覆蓋。此外，除了形成透明膜9的工序以外，與實(shí)施方式1同樣，因此省略。 另外，作為形成透明膜9的方法，并不限定于CVD法，也可以使用在通常的液晶顯示裝置中形成由氮化硅構(gòu)成的用于保護(hù)半導(dǎo)體部(TFT13)的鈍化膜或柵極絕緣膜15的方法。 另外，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在陣列基板1上另外形成有透明膜9，但是，能夠賦予下層層 間絕緣膜25作為透明膜9的功能。因此，能夠利用上述實(shí)施方式1所示的工序、即在TFT13 上形成下層層間絕緣膜25的工序，同時(shí)形成下層層間絕緣膜25和透明膜9。在該情況下， 只要改變用于形成下層層間絕緣膜25的光刻法的曝光掩模圖案即可，因此，不需要另外形 成透明膜9的工序，能夠使制造工序簡(jiǎn)化。
[實(shí)施方式3] 根據(jù)圖6對(duì)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。在圖中，對(duì)于與實(shí)施方式l 和2中所示的構(gòu)成要素同等的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同符號(hào)并省略詳細(xì)說明。在本實(shí)施方式中， 除了在透明膜9的與密封材料3接觸的面上形成有凹凸以外，與實(shí)施方式2同樣。
圖6是表示本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。如圖6 所示，本實(shí)施方式的液晶顯示裝置在透明膜9的表面形成有設(shè)置有幾ym 幾十ym間距 的凹凸的波紋部8。由此，能夠使從陣列基板l側(cè)入射的光向各個(gè)方向折射。因此，即使在 金屬配線4的寬度比透明膜9的厚度大、被該金屬配線4遮光的區(qū)域(即上述遮光區(qū)域) 大的情況下，也能夠利用波紋部8使光擴(kuò)散，因此，能夠使光有效地照射密封材料3。結(jié)果， 能夠防止密封材料3中的固化不良。 但是，優(yōu)選形成波紋部8的材料的折射率和與形成有波紋部8的面接觸的密封材
料3的折射率或者透明膜9的折射率不同。由此，能夠使光向各個(gè)方向折射。 此外，"凹凸"是指不平滑。即，只要波紋部8形成為使得入射的光向各個(gè)方向折
射，其形態(tài)并沒有特別限定。 接著，對(duì)在透明膜9上形成波紋部8的工序進(jìn)行說明。 與實(shí)施方式2同樣地形成透明膜9之后，在透明膜9上形成新的透明層。此時(shí)，在 該透明層上制作出細(xì)小的圖案，形成波紋部8。 在此，作為在透明膜9上形成波紋部8的方法，并沒有特別限定，可以通過在透明 膜9上涂敷感光性樹脂并對(duì)該感光性樹脂進(jìn)行半色調(diào)曝光(halftone e鄧osure)，從而形 成波紋部8。另外，如果使用正型的抗蝕劑作為感光性樹脂，則在曝光量少的條件下也能夠 曝光。此時(shí)，可以減少直接曝光量。或者，可以通過作為吸收光的掩模的膜進(jìn)行曝光。
此外，可以在透明膜9的表面形成凹凸，以代替在透明膜9上另外形成波紋部8。 在該情況下，只要在形成透明膜9時(shí)，直接在透明膜9上形成細(xì)小的圖案即可。無論是在透 明膜9的表面形成凹凸，還是在透明膜9上另外形成波紋部8，都能得到同樣的效果。
另外，在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置為反射型和半透過型的液晶顯示裝置的情況 下，像素電極21也可以作為反射膜使用，例如，使用鋁等反射率高的材料。此外，在反射膜 平坦的情況下，會(huì)發(fā)生鏡面反射，在反射膜周圍形成的部件有時(shí)會(huì)產(chǎn)生像映入鏡子那樣映 入反射膜中的現(xiàn)象。 因此，為了防止像素電極21的鏡面反射，優(yōu)選在像素電極21上形成有用于使光在 一定程度上散射反射的凹凸。由此，光由于凹凸而散射，能夠防止鏡面反射。此外，作為在 像素電極21上形成凹凸的方法，例如可以列舉在作為像素電極21的下層的上層層間絕緣 膜26上形成凹凸后、在上層層間絕緣膜26上形成像素電極21的方法。利用沿著上層層間 絕緣膜26的凹凸形成像素電極21，能夠在像素電極21上形成凹凸。此外，對(duì)于詳細(xì)的方
17法，作為反射型液晶顯示元件的制造方法有公知的文獻(xiàn)，因此省略。 另外，如果在上層層間絕緣膜26上形成用于防止鏡面反射的凹凸的同時(shí)、在密封 材料3的位置也形成具有凹凸的透明的層間絕緣膜，則能夠在密封材料3的位置的透明膜 上形成光散射用的凹凸，而不需要另外增加制造工序。
[實(shí)施方式4] 根據(jù)圖7對(duì)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。在圖中，對(duì)于與實(shí)施方式l 至3中所示的構(gòu)成要素同等的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同符號(hào)并省略詳細(xì)說明。在本實(shí)施方式中， 除了透明膜疊層有兩層并形成于陣列基板1與密封材料3之間以外，與上述實(shí)施方式1至 3同樣。 通過這樣疊層多層透明膜，能夠使各透明膜的合計(jì)膜厚變厚，并且，也能夠與在陣 列基板1上形成TFT13的工序一起形成透明膜。 圖7是表示本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。如圖7 所示，在形成于陣列基板1上的金屬配線4與密封材料3之間，疊層有兩層透明膜。該兩層 透明膜中，在下層形成有由氮化硅(SiNx)構(gòu)成的透明膜9，在上層形成有由透明樹脂構(gòu)成 的透明膜7。另外，陣列基板1的基板1A的折射率為1. 54，透明膜7的折射率為1. 4且厚 度為3 ii m，透明膜9的折射率為2且厚度為0. 8 ii m。 在為了使密封材料3固化而從陣列基板1的背向面?zhèn)日丈涔獾那闆r下，由于形成 有兩層透明膜，光的繞射的大小a為3.6ym。 S卩，在該情況下，如果金屬配線4的寬度W為 7. 2 ii m以下，則遮光區(qū)域全部存在于透明膜7、9中，能夠容易地使密封材料3固化，而不需 要增大光的照射能量。 另外，希望透明膜7和透明膜9的折射率盡可能小、膜厚大。優(yōu)選為陣列基板1的 基板1A的折射率以下，更優(yōu)選為比上述基板1A的折射率小的值。如果折射率小并且膜厚 大，則能夠進(jìn)一步增大光的繞射的大小，在遮光部的寬度更寬的情況下也能夠使密封材料3 固化。 特別地，在透明膜7和透明膜9的折射率為比陣列基板1的基板1A的折射率小的 值的情況下，如前所述，向陣列基板1入射的光透過上述基板1A，由透明膜7和透明膜9進(jìn) 一步向遮光區(qū)域側(cè)折射。因此，遮光區(qū)域變小，光容易照射到密封材料3的整個(gè)面上。艮卩， 密封材料3容易被固化。由此，可得到能夠降低照射能量的效果。 另外，也可以按照透明膜7、透明膜9的順序在金屬配線4上進(jìn)行疊層。在該情況 下，與按照透明膜9、透明膜7的順序在金屬配線4上進(jìn)行疊層的結(jié)構(gòu)同樣，也能夠充分地向 密封材料3照射光，能夠使密封材料3整體固化。 另外，金屬配線的寬度W與透明膜的關(guān)系可以用公式(1)來表示。SP，當(dāng)上述金屬 配線4的寬度為W、透明膜由m(l《m)層形成、從上述陣列基板1中的基板1A偵"即上述陣 列基板l中的上述金屬配線4側(cè)開始的第k(1《k《m)層透明膜的折射率為rik(l <nk) 且膜厚為dk時(shí)，希望透明膜滿足公式(1)。<formula>formula see original document page 18</formula>
通過相對(duì)于金屬配線4的寬度W，以滿足公式(1)的方式設(shè)定透明膜的層數(shù)、膜厚、折射率，能夠使密封材料3固化，而不增大光的照射能量。另外，只要滿足公式(l)，透明膜 能夠使用任何材質(zhì)，透明膜的層數(shù)也能夠適當(dāng)進(jìn)行設(shè)定。此外，公式(1)和后述的公式(2)， 在透明膜的層數(shù)為一層的情況下也能夠應(yīng)用。
上述公式(1)按照如下方式導(dǎo)出。 通常，密封材料的固化所使用的光不是平行光，而是來自所有角度的光入射玻璃 基板。其原因是，能夠以均勻的強(qiáng)度向基板照射光，并且，能夠向遮光部照射光。
此時(shí)，當(dāng)設(shè)光透過第一層透明膜(膜厚dp折射率r^(1 〈n》、透明膜的折射角 e》、直到射出為止的水平距離為a'時(shí)，根據(jù)斯涅爾定律，能夠像下式那樣進(jìn)行變形。在 此，9 a、 9 e分別是光入射玻璃基板的入射角和玻璃基板的折射角，na、 ne分別是空氣的 折射率和玻璃基板的折射率。另外，"水平距離"是指光的繞射的大小。 因?yàn)楣馊肷洳ＡЩ宓娜肷浣遣怀^e a = 90° 、而且空氣的折射率為n。 = 1， 所以變?yōu)橄率?。此外，入射玻璃基板表面的入射?a = 90°的光實(shí)質(zhì)上無法利用，但是， 實(shí)際上，由于遮光部的端部的衍射光和透明膜內(nèi)等的散射光的影響，光的繞射比由計(jì)算公 式算出的值略大，因此，不需特別在意。 接著，透過第二層透明膜、直到射出為止的光在第二層內(nèi)繞射的水平距離a "也能 夠同樣進(jìn)行計(jì)算。在此，第二層透明膜的膜厚為4、折射率為n2(1 <!!2)、透明膜的折射角
為e2。 另外，第三層以后也能夠同樣進(jìn)行計(jì)算。由以上結(jié)果可知，光在某層內(nèi)繞射的距離 僅由光入射玻璃基板時(shí)的角度、空氣的折射率、透明膜的折射率和膜厚決定。由此可見，向 各層入射的光的角度和順序沒有關(guān)系。因此可知，在有多層的情況下，只要簡(jiǎn)單地相加即 可。另外，在本實(shí)施方式中，光從遮光部的兩側(cè)入射，因此，實(shí)際上，遮光部的寬度W只要為 水平距離的總和(光的繞射的大小的總和)的2倍長(zhǎng)度的寬度以下即可。因此，遮光部的 寬度W可以用以下的公式(1)表示。
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另外，通常，當(dāng)向玻璃基板入射的光的入射角大于70。時(shí)，由于玻璃基板表面的反 射而導(dǎo)致的光的衰減率增大。另外，作為光照射裝置的特性，強(qiáng)度依賴于角度，在入射光的 入射角大的情況下，有時(shí)入射光的強(qiáng)度本身小。因此，優(yōu)選透明膜滿足考慮了向玻璃基板入 射的光的入射角為直到70。的情況的公式(2)。
IB WS》xdkx I 2謹(jǐn) ….(2)
'"2-0,88 公式(2)能夠通過設(shè)9 a = 70°并與公式(1)同樣進(jìn)行計(jì)算而導(dǎo)出。 另外，在公式(1)、 (2)中，根號(hào)外所示的"2"表示光來自遮光部的兩側(cè)，根號(hào)內(nèi)的
分子分母的"1"或者"0. 88"表示依賴于入射角的常數(shù)。 接著，即使在透明膜的層數(shù)、折射率和膜厚不滿足公式(1)或者公式(2)的情況 下，也可得到本實(shí)施方式的效果，即，由于透明膜形成有兩層，與以往的結(jié)構(gòu)相比，光進(jìn)一步 向遮光區(qū)域繞射，因此，密封材料3容易被固化。因此，不需要使照射時(shí)間為長(zhǎng)時(shí)間，能夠降 低照射能量。結(jié)果，與以往相比，能夠使照射能量降低。 例如，在金屬配線4的寬度W為50 ii m、陣列基板1中的基板1A的折射率為1. 54、 透明膜7的折射率為1. 4且厚度為3 ii m、透明膜9的折射率為2且厚度為0. 8 y m的情況 下，與以往相比，能夠使固化所需要的最低照射能量降低大約一成。但是，金屬配線4的寬 度W并不能無限地變粗，上限最好為100 ii m 500 ii m左右。 另外，如果使用公式(1)或者(2)，則能夠預(yù)先預(yù)測(cè)本發(fā)明的效果，從而產(chǎn)生容易 設(shè)計(jì)液晶顯示裝置的優(yōu)點(diǎn)。 在本實(shí)施方式中，也可以使用上述實(shí)施方式1 3中所示的透明膜的材料。例如， 在透明膜的材料為SOG的情況下，能夠?qū)⑼该髂ば纬傻幂^厚，根據(jù)公式(1)、 (2)，能夠?qū)⒄?光部的寬度W選擇得較大。
[實(shí)施方式5] 根據(jù)圖10(a) 圖10(c)對(duì)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。在圖中，對(duì) 于與實(shí)施方式l至4所示的構(gòu)成要素同等的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同符號(hào)并省略詳細(xì)說明。
圖10(a) 圖10(c)表示本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)，圖10(a)是平 面圖，圖10(b)是表示圖10(a)中的主要部分(在圖10(a)中用C表示的部分)的結(jié)構(gòu)的 平面圖，圖10(c)是圖10(b)的沿D-D線的箭頭方向的截面圖。在圖10(a)和圖10(b)中， 為了避免圖的煩雜化，將CF基板2和黑矩陣5省略。 如圖10(a) 圖10(c)所示，在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置中，作為遮光部(第一 遮光部)的金屬配線4以相互平行并且呈線狀從液晶層6延伸至密封材料3的方式形成。 透明膜7在密封材料3與液晶層6接觸的端部(邊界)的下側(cè)部分以覆蓋金屬配線4的方 式設(shè)置在基板1A上。 如果密封材料3的粘合強(qiáng)度能夠確保，則透明膜7只要至少在含有光固化性材料 (光固化性材料(a))的密封材料3、例如光固化型密封材料3與液晶層6接觸的面一側(cè)形 成即可。即，透明膜7不需要以與密封材料3的正下方部分的整個(gè)面接觸的方式形成，只要 在密封材料3與液晶層6接觸的端部(邊界、界面)的正下方部分及其附近形成即可。
但是，透明膜7需要在密封材料3與液晶層6接觸的所有部分形成。例如，在圖
2010(a)中，需要在密封材料3的與液晶層6的界面?zhèn)鹊恼麄€(gè)周圍形成透明膜7。 此外，密封材料3的未固化成分溶入液晶層6中時(shí)，會(huì)產(chǎn)生污點(diǎn)，因此，在密封材料
3與上述液晶層6接觸的部分，至少需要向密封材料3照射光。因此，希望形成透明膜7的
"密封材料與液晶層接觸的端部的正下方部分及其附近"的范圍為"(遮光部的寬度)+ (透
明膜的膜厚)X2"以上。同時(shí)，透明膜7的寬度也需要為膜厚穩(wěn)定地形成的寬度以上。當(dāng)
透明膜7的寬度過細(xì)時(shí)，由于分辨極限、和在透明膜7的素材為樹脂制的情況下因熱熔化等
而在透明膜7的邊緣出現(xiàn)錐形等原因，透明膜7的膜厚有可能不穩(wěn)定。 在本實(shí)施方式中，如圖10(c)所示，在液晶層6側(cè)未形成透明膜7，但是，即使如圖
11所示在液晶層6側(cè)形成有透明膜7也不會(huì)有任何問題。 在此，例如，如圖10(a) 圖10(c)所示，在陣列基板l上形成有寬度50iim以下 的線狀的金屬配線4等遮光部和開口部(未形成該遮光部的部分)、并且從密封材料3與液 晶層6的邊界直至密封材料3的寬度(密封寬度)的1/4左右的位置形成有透明膜7的情 況(其外側(cè)的密封寬度3/4的正下方部分為無透明膜7的狀態(tài))，與在密封材料3的正下方 整個(gè)面上形成有透明膜7的情況相比，看不到可靠性方面的差異。這是因?yàn)樵诿芊獠牧? 與液晶層6接觸的端部的外側(cè)的部分，未固化的密封材料3與液晶層6不接觸，因此，只要 密封材料3的粘合強(qiáng)度足夠，就不會(huì)對(duì)可靠性產(chǎn)生影響。 另外，作為密封材料3，可以是將光固化性和熱固化性并用的類型的材料。
[實(shí)施方式6] 根據(jù)圖13對(duì)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。在圖中，對(duì)于與實(shí)施方式1 至5中所示的構(gòu)成要素同等的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同符號(hào)并省略詳細(xì)說明。在本實(shí)施方式中， 透明膜疊層有兩層并形成于陣列基板1與密封材料3之間，并且，陣列基板1周邊部(密封 部)的金屬配線4與源極線22設(shè)置在同一層，在該源極線22和金屬配線4的下面設(shè)置有 柵極絕緣膜15，覆蓋TFT13的層間絕緣膜和覆蓋上述金屬配線4的透明膜由下層層間絕緣 膜25和上層層間絕緣膜26構(gòu)成，除此之外，與上述實(shí)施方式1至5同樣。
在本實(shí)施方式中，通過如上述那樣疊層多層透明膜，能夠增大各透明膜的合計(jì)膜 厚，并且，也能夠與在陣列基板1上形成TFT13的工序一起形成透明膜。
圖13是表示本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。如圖 13所示，在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置中，在陣列基板1上形成的由氮化硅構(gòu)成的柵極絕 緣膜15上，在與由源極金屬形成的源極線22連接的金屬配線4與密封材料3之間，疊層有 兩層透明膜。該兩層透明膜中，下層是作為下層層間絕緣膜25的由氮化硅構(gòu)成的透明膜， 上層是作為上層層間絕緣膜26的由丙烯酸樹脂構(gòu)成的透明膜。另外，陣列基板1中的基板 1A的折射率為1. 54，上層層間絕緣膜26的折射率為1. 4且厚度為3ym，下層層間絕緣膜 25的折射率為2且厚度為0. 5 ii m。 該結(jié)構(gòu)能夠通過在陣列基板1的周邊部也設(shè)置構(gòu)成TFT13的柵極絕緣膜15、下層 層間絕緣膜25、和上層層間絕緣膜26而實(shí)現(xiàn)。 在TFT13上形成的含有由氮化硅等構(gòu)成的無機(jī)物(無機(jī)化合物)的下層層間絕緣 膜25，作為溝道保護(hù)膜起作用。S卩，當(dāng)形成TFT13的溝道的活性半導(dǎo)體層27與含有有機(jī)材 料(有機(jī)化合物)的上層層間絕緣膜26接觸時(shí)，成為TFT13的斷開特性和長(zhǎng)期可靠性劣化 的原因。因此，通過在TFT13與含有有機(jī)材料(有機(jī)化合物)的上層層間絕緣膜26之間，形成含有無機(jī)材料(無機(jī)化合物)(優(yōu)選由無機(jī)材料(無機(jī)化合物)構(gòu)成)的下層層間絕 緣膜25，能夠抑制TFT13的斷開特性和長(zhǎng)期可靠性的劣化。另外，含有有機(jī)材料(有機(jī)化合 物)的上層層間絕緣膜26比較容易形成厚膜，因此，能夠使像素30(像素區(qū)域)的像素電 極21與源極線22的寄生電容降低，從而提高顯示品質(zhì)。
以下，對(duì)本實(shí)施方式的陣列基板1的制造方法進(jìn)行說明。 首先，在透明的基板1A上，為了形成柵極線23和輔助電容線19，利用濺射形成 Ti/Al/Ti疊層膜等金屬膜。接著，在該金屬膜上疊層抗蝕劑，利用光刻法形成抗蝕劑圖案。 此后，使用上述抗蝕劑圖案作為掩模，利用氯類氣體等蝕刻氣體對(duì)上述金屬膜進(jìn)行干蝕刻， 由此進(jìn)行圖案化后，將上述抗蝕劑剝離。由此，在上述基板1A上同時(shí)形成柵極線23和輔助 電容線19。 此后，利用CVD形成由氮化硅(SiNx)等構(gòu)成的柵極絕緣膜15、由非晶硅等構(gòu)成的 活性半導(dǎo)體層27、和由摻雜有磷等的非晶硅等構(gòu)成并形成n型半導(dǎo)體層24、24的低電阻半 導(dǎo)體層。此時(shí)，上述柵極絕緣膜15成膜至作為密封材料3涂敷區(qū)域(密封部)的上述基板 1A周邊部。 接著，為了形成源極線22、源電極17、漏極引出電極18、漏電極16，利用濺射形成 Al/Ti疊層膜等金屬膜。接著，在該金屬膜上疊層抗蝕劑，利用光刻法形成抗蝕劑圖案。此 后，使用上述抗蝕劑圖案作為掩模，利用氯類氣體等蝕刻氣體對(duì)上述金屬膜進(jìn)行干蝕刻，由 此進(jìn)行圖案化后，將上述抗蝕劑剝離。由此，同時(shí)形成源極線22、源電極17、漏極引出電極 18、漏電極16。另外，此時(shí)，與上述源極線22連接的、上述基板1A周邊部(陣列基板l周邊 部)的金屬配線4也同時(shí)利用上述金屬膜形成。 此外，輔助電容通過在輔助電容線19與在輔助電容線19上延伸的漏極引出電極 18之間夾著大約0. 5 ii m的柵極絕緣膜15而形成。 接著，為了源極-漏極分離(形成溝道)，使用氯類氣體等蝕刻氣體(具體地說，為 氯氣)對(duì)由摻雜有磷等的非晶硅等構(gòu)成的上述低電阻半導(dǎo)體層進(jìn)行干蝕刻，形成TFT13。
接著，利用CVD，以覆蓋上述TFT13的方式，在上述柵極絕緣膜15上形成由氮化硅 (SiNx)等構(gòu)成的下層層間絕緣膜25。此時(shí)，上述下層層間絕緣膜25以覆蓋金屬配線4的 方式，成膜至作為密封材料3涂敷區(qū)域(密封部)的上述基板1A周邊部。由此，上述下層 層間絕緣膜25被用作TFT13的溝道保護(hù)膜，并且，也被用作覆蓋金屬配線4的透明膜(第 一透明膜)。 接著，利用旋涂在上述下層層間絕緣膜25上涂敷由丙烯酸類感光性樹脂等構(gòu)成 的上層層間絕緣膜材料，由此，在除了陣列基板1的周邊部的端子部以外的上述下層層間 絕緣膜25上形成上層層間絕緣膜26。 S卩，上述上層層間絕緣膜26以覆蓋金屬配線4的方 式，成膜至作為密封材料3涂敷區(qū)域(密封部)的上述基板1A周邊部，但除了上述端子部 以外。由此，上述上層層間絕緣膜26被用作將TFT13和像素電極21分離的層間絕緣膜，并 且，也被用作覆蓋金屬配線4的透明膜(第二透明膜)。 接著，為了形成用于將漏極引出電極18與像素電極21電連接的接觸孔20，利用光 刻法在上述上層層間絕緣膜26中形成接觸孔。上層層間絕緣膜26的膜厚約為3 ii m。
另外，使用上述上層層間絕緣膜26作為蝕刻掩模，對(duì)在上述上層層間絕緣膜26中 設(shè)置的接觸孔的下層的下層層間絕緣膜25進(jìn)行蝕刻。由此，形成貫穿上述上層層間絕緣膜26和下層層間絕緣膜25的接觸孔20。另外，此時(shí)，同時(shí)通過蝕刻將覆蓋在陣列基板1的周 邊部設(shè)置的端子部的柵極絕緣膜15和下層層間絕緣膜25除去。此時(shí)，陣列基板1的周邊 部的涂敷密封材料3的區(qū)域(成為密封部的區(qū)域)的柵極絕緣膜15、下層層間絕緣膜25和 上層層間絕緣膜26未被除去而殘留，由此，利用上述下層層間絕緣膜25和上層層間絕緣膜 26，同時(shí)形成TFT部中的層間絕緣膜(即，覆蓋TFT13的層間絕緣膜)和覆蓋金屬配線4的 透明膜。 然后，利用濺射在上述上層層間絕緣膜26上形成由IT0等構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜，利 用光刻法在該透明導(dǎo)電膜上形成抗蝕劑圖案。接著，使用上述抗蝕劑圖案作為掩模，利用氯 化鐵與鹽酸的混合液等蝕刻液對(duì)上述透明導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻，由此形成像素電極21的圖案。
如以上所述，在上述陣列基板1上形成像素區(qū)域、和作為該陣列基板1周邊部的密 封部的區(qū)域。 在本實(shí)施方式中，如上所述，在金屬配線4與基板1A之間設(shè)置有柵極絕緣膜15，因 此，希望覆蓋上述金屬配線4的透明膜的距離金屬配線4的基部的厚度(高度、膜厚為 從上述柵極絕緣膜15表面到被上述金屬配線4遮光的遮光區(qū)域的頂部的高度(即，從金屬 配線4的基部到上述遮光區(qū)域的頂部的高度D2)以上。 另外，在本實(shí)施方式中，將上述金屬配線(遮光部、第一遮光部)4作為與源極線22 連接的金屬配線，但是，本發(fā)明并不限定于此，作為上述金屬配線4，例如，也可以是與源極 線22在同一層形成的虛擬圖案。
[實(shí)施方式7] 根據(jù)圖14對(duì)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。在圖中，對(duì)于與實(shí)施方式1 至6中所示的構(gòu)成要素同等的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同符號(hào)并省略詳細(xì)說明。在本實(shí)施方式中， 透明膜疊層有三層并形成于陣列基板1與密封材料3之間，并且，陣列基板1周邊部(密封 部)的金屬配線4與柵極線23設(shè)置在同一層，在該金屬配線4上，設(shè)置有柵極絕緣膜15作 為第一層透明膜，覆蓋TFT13的層間絕緣膜和隔著上述柵極絕緣膜15覆蓋上述金屬配線4 的第二層和第三層透明膜，由下層層間絕緣膜25和上層層間絕緣膜26構(gòu)成，除此之外，與 上述實(shí)施方式1至4、6同樣。 在本實(shí)施方式中，通過如上述那樣疊層多層透明膜，能夠增大各透明膜的合計(jì)膜 厚，并且，也能夠與在陣列基板1上形成TFT13的工序一起形成透明膜。
圖14是表示本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。如圖 14所示，在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置中，在金屬配線4與密封材料3之間疊層有三層透明 膜，該金屬配線4在陣列基板1上形成并與由柵極金屬形成的柵極線23連接。該三層透明 膜，從基板1A側(cè)開始，依次由作為柵極絕緣膜15的由氮化硅(SiNx)構(gòu)成的透明膜、作為下 層層間絕緣膜25的由氮化硅(SiNx)構(gòu)成的透明膜、和作為上層層間絕緣膜26的由丙烯酸 類樹脂構(gòu)成的透明膜形成。 以下，對(duì)本實(shí)施方式的陣列基板1的制造方法進(jìn)行說明。 首先，在透明的基板1A上，為了形成柵極線23和輔助電容線19，利用濺射形成 Ti/Al/Ti疊層膜等金屬膜。接著，在該金屬膜上疊層抗蝕劑，利用光刻法形成抗蝕劑圖案。 此后，使用上述抗蝕劑圖案作為掩模，利用氯類氣體等蝕刻氣體對(duì)上述金屬膜進(jìn)行干蝕刻， 由此進(jìn)行圖案化后，將上述抗蝕劑剝離。由此，在上述基板1A上同時(shí)形成柵極線23和輔助電容線19。另外，此時(shí)，與上述柵極線23連接的上述基板1A周邊部(陣列基板l周邊部) 的金屬配線4也同時(shí)利用上述金屬膜形成。 此后，利用CVD形成由氮化硅(SiNx)等構(gòu)成的柵極絕緣膜15、由非晶硅等構(gòu)成的 活性半導(dǎo)體層27、和由摻雜有磷等的非晶硅等構(gòu)成并形成n型半導(dǎo)體層24、24的低電阻半 導(dǎo)體層。此時(shí)，上述柵極絕緣膜15以覆蓋上述金屬配線4的方式，成膜至作為密封材料3 涂敷區(qū)域(密封部)的上述基板1A周邊部。由此，上述柵極絕緣膜15被用作TFT13中的 柵極絕緣膜，并且，也被用作覆蓋金屬配線4的透明膜(第一透明膜)。
接著，為了形成源極線22、源電極17、漏極引出電極18、漏電極16，利用濺射形成 Al/Ti疊層膜等金屬膜。接著，在該金屬膜上疊層抗蝕劑，利用光刻法形成抗蝕劑圖案。此 后，使用上述抗蝕劑圖案作為掩模，利用氯類氣體等蝕刻氣體對(duì)上述金屬膜進(jìn)行干蝕刻，由 此進(jìn)行圖案化后，將上述抗蝕劑剝離。由此，同時(shí)形成源極線22、源電極17、漏極引出電極 18、和漏電極16。 接著，為了上述源極-漏極分離(形成溝道)，使用氯類氣體等蝕刻氣體(具體 地說，為氯氣)對(duì)由摻雜有磷等的非晶硅等構(gòu)成的上述低電阻半導(dǎo)體層進(jìn)行干蝕刻，形成 TFT13。 接著，利用CVD，以覆蓋上述TFT13的方式，在上述柵極絕緣膜15上形成由氮化硅 (SiNx)等構(gòu)成的下層層間絕緣膜25。此時(shí)，上述下層層間絕緣膜25以隔著上述柵極絕緣 膜15覆蓋金屬配線4的方式，成膜至作為密封材料3涂敷區(qū)域(密封部)的上述基板1A 周邊部。由此，上述下層層間絕緣膜25被用作TFT13的溝道保護(hù)膜，并且，也被用作覆蓋金 屬配線4的透明膜(第二透明膜)。 接著，利用旋涂在上述下層層間絕緣膜25上涂敷由丙烯酸類感光性樹脂等構(gòu)成 的上層層間絕緣膜材料，由此，在除了陣列基板1的周邊部的端子部以外的上述下層層間 絕緣膜25上形成上層層間絕緣膜26。 S卩，上述上層層間絕緣膜26以覆蓋金屬配線4的方 式，成膜至作為密封材料3涂敷區(qū)域(密封部)的上述基板1A周邊部，但除了上述端子部 以外。由此，上述上層層間絕緣膜26被用作將TFT13和像素電極21分離的層間絕緣膜，并 且，也被用作覆蓋金屬配線4的透明膜(第三透明膜)。 以后，與上述實(shí)施方式6同樣進(jìn)行操作，在上述陣列基板1上形成像素區(qū)域、和作 為該陣列基板1周邊部的密封部的區(qū)域。 此外，在本實(shí)施方式中，將上述金屬配線(遮光部、第一遮光部)4作為與柵極線23 連接的金屬配線，但是，本發(fā)明并不限定于此，作為上述金屬配線4，例如，也可以是與柵極 線23在同一層形成的虛擬圖案。
[實(shí)施方式8] 根據(jù)圖15對(duì)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。在圖中，對(duì)于與實(shí)施方式1 至7中所示的構(gòu)成要素同等的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同符號(hào)并省略詳細(xì)說明。在本實(shí)施方式中， 透明膜疊層有四層并形成于陣列基板1與密封材料3之間，并且，陣列基板1周邊部(密封 部)的金屬配線4與柵極線23設(shè)置在同一層，在該柵極線23和金屬配線4上，設(shè)置有兩層 柵極絕緣膜，覆蓋TFT13的層間絕緣膜和隔著上述兩層?xùn)艠O絕緣膜覆蓋上述金屬配線4的 第三層和第四層透明膜，由下層層間絕緣膜25和上層層間絕緣膜26構(gòu)成，除此之外，與上 述實(shí)施方式1至4、6、7同樣。
圖15是表示本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。如圖 15所示，在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置中，在金屬配線4與密封材料3之間疊層有四層透明 膜，該金屬配線4在陣列基板1上形成并與由柵極金屬形成的柵極線23連接。該四層透明 膜，從基板1A側(cè)開始，依次由作為第一柵極絕緣膜15a的由SOG材料構(gòu)成的透明膜、作為第 二柵極絕緣膜15b的由氮化硅(SiNx)構(gòu)成的透明膜、作為下層層間絕緣膜25的由氮化硅 (SiNx)構(gòu)成的透明膜、和作為上層層間絕緣膜26的由丙烯酸類樹脂構(gòu)成的透明膜形成。
在本實(shí)施方式中，通過如上述那樣將透明膜形成為由多層透明膜構(gòu)成的疊層結(jié) 構(gòu)，能夠增大各透明膜的合計(jì)膜厚，并且，也能夠與在陣列基板1上形成TFT13的工序一起 形成透明膜。另外，根據(jù)本實(shí)施方式，通過在上述透明膜中使用SOG材料，能夠?qū)崿F(xiàn)平坦化， 因此，與上述實(shí)施方式7相比，能夠更可靠地確保位于密封材料3與作為遮光部的金屬配線 4之間的透明膜的厚度。 以下，對(duì)上述陣列基板1中的柵極絕緣膜15的制造方法進(jìn)行說明。如上所述，在 本實(shí)施方式中，上述柵極絕緣膜15具有第一柵極絕緣膜15a和第二柵極絕緣膜15b的雙層 結(jié)構(gòu)。 首先，在透明的基板1A上，為了形成柵極線23、輔助電容線19和與柵極線23連接 的金屬配線4，利用濺射形成Ti/Al/Ti疊層膜等金屬膜。接著，在該金屬膜上疊層抗蝕劑， 利用光刻法形成抗蝕劑圖案。此后，使用上述抗蝕劑圖案作為掩模，利用氯類氣體等蝕刻氣 體對(duì)上述金屬膜進(jìn)行干蝕刻，由此進(jìn)行圖案化后，將上述抗蝕劑剝離。由此，在上述基板1A 上同時(shí)形成柵極線23、輔助電容線19、和與上述柵極線23連接的上述基板1A周邊部(陣 列基板1周邊部)的金屬配線4。 接著，使用旋涂法，以覆蓋上述柵極線23、輔助電容線19和金屬配線4的方式涂敷 S0G材料等。由此，在柵極線23、輔助電容線19和金屬配線4上形成第一柵極絕緣膜(平坦 化膜)15a。然后，在上述第一柵極絕緣膜15a上涂敷光致抗蝕劑后，使用光掩模對(duì)該光致抗 蝕劑進(jìn)行曝光、顯影之后，使用所得到的抗蝕劑圖案作為掩模進(jìn)行干蝕刻，由此，將端子部 上等不需要的部位的第一柵極絕緣膜15a除去。上述干蝕刻例如可以使用四氟化碳(CF4) 與氧氣(02)的混合氣體進(jìn)行。由此，上述第一柵極絕緣膜15a被用作TFT13中的柵極絕緣 膜，并且，也被用作覆蓋金屬配線4的透明膜(第一透明膜)。 此后，利用CVD形成由氮化硅(SiNx)等構(gòu)成的第二柵極絕緣膜15b、由非晶硅等構(gòu) 成的活性半導(dǎo)體層27、和由摻雜有磷等的非晶硅等構(gòu)成并形成n型半導(dǎo)體層24、24的低電 阻半導(dǎo)體層。此時(shí)，上述第二柵極絕緣膜15b以覆蓋上述金屬配線4的方式，成膜至作為密 封材料3涂敷區(qū)域(密封部)的上述基板1A周邊部。由此，上述第二柵極絕緣膜15b被用 作TFT13中的柵極絕緣膜，并且，也被用作覆蓋金屬配線4的透明膜(第二透明膜)。
陣列基板l的以后的制造工序，與上述實(shí)施方式6、7同樣。因此，在此省略其說明。
此外，在本實(shí)施方式中，將上述金屬配線(遮光部、第一遮光部)4作為與柵極線23 連接的金屬配線，但是，本發(fā)明并不限定于此，作為上述金屬配線4，例如，也可以是與柵極 線23在同一層形成的虛擬圖案。
[實(shí)施方式9] 根據(jù)圖16對(duì)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。在圖中，對(duì)于與實(shí)施方式1 至8中所示的構(gòu)成要素同等的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同符號(hào)并省略詳細(xì)說明。在本實(shí)施方式中，
25透明膜疊層有三層并形成于陣列基板1與密封材料3之間，并且，陣列基板1周邊部(密封 部)的金屬配線4與柵極線23設(shè)置在同一層，在該柵極線23和金屬配線4上，設(shè)置有兩層 柵極絕緣膜，覆蓋TFT13的層間絕緣膜和隔著上述兩層?xùn)艠O絕緣膜覆蓋上述金屬配線4的 第三層透明膜，由下層層間絕緣膜25構(gòu)成，除此之外，與上述實(shí)施方式1至4、6至8同樣。
圖16是表示本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。如圖 16所示，在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置中，在金屬配線4與密封材料3之間疊層有三層透明 膜，該金屬配線4在陣列基板1上形成并與由柵極金屬形成的柵極線23連接。該三層透明 膜，從基板1A側(cè)開始，依次由作為第一柵極絕緣膜15a的由SOG材料構(gòu)成的透明膜、作為第 二柵極絕緣膜15b的由氮化硅(SiNx)構(gòu)成的透明膜、和作為下層層間絕緣膜25的由氮化 硅(SiNx)構(gòu)成的透明膜形成。 在本實(shí)施方式中，通過如上述那樣將透明膜形成為由多層透明膜構(gòu)成的疊層結(jié)
構(gòu)、尤其是將柵極絕緣膜形成為疊層結(jié)構(gòu)，能夠增大各透明膜的合計(jì)膜厚。 本實(shí)施方式與上述實(shí)施方式8的不同點(diǎn)是，層間絕緣膜由一層構(gòu)成。 以下，對(duì)上述陣列基板1中的層間絕緣膜的形成方法進(jìn)行說明。此外，層間絕緣膜
以外的結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施方式8相同，因此，在本實(shí)施方式中，對(duì)于層間絕緣膜的形成工序以
外的工序，省略其說明。 在本實(shí)施方式中，作為上述層間絕緣膜，利用CVD形成由氮化硅(SiNx)等構(gòu)成的 絕緣膜(溝道保護(hù)膜)。即，在本實(shí)施方式中，作為上述層間絕緣膜，利用CVD，以覆蓋上述 TFT13的方式，在上述柵極絕緣膜15上形成上述實(shí)施方式8中的下層層間絕緣膜25。此時(shí)， 上述層間絕緣膜、即上述下層層間絕緣膜25，以隔著上述柵極絕緣膜15覆蓋金屬配線4的 方式，成膜至作為密封材料3涂敷區(qū)域(密封部)的上述基板1A周邊部。由此，上述下層 層間絕緣膜25被用作TFT13的溝道保護(hù)膜，并且，也被用作覆蓋金屬配線4的透明膜(第 三透明膜)。 接著，在上述絕緣膜(下層層間絕緣膜25)上涂敷光致抗蝕劑后，使用光掩模對(duì)該 光致抗蝕劑進(jìn)行曝光、顯影后，使用所得到的抗蝕劑圖案作為掩模進(jìn)行干蝕刻，由此，將作 為用于將漏極引出電極18和像素電極21電連接的接觸孔的區(qū)域(接觸孔部)的上述絕緣 膜(下層層間絕緣膜25)除去。上述干蝕刻例如可以使用四氟化碳(CF4)與氧氣(02)的混 合氣體進(jìn)行。 此外，在本實(shí)施方式中，將上述金屬配線(遮光部、第一遮光部)4作為與柵極線23 連接的金屬配線，但是，本發(fā)明并不限定于此，作為上述金屬配線4，例如，也可以是與柵極 線23在同一層形成的虛擬圖案。 如以上所述，上述液晶顯示裝置，包括相互相對(duì)配置的第一基板和第二基板、和在 兩基板之間設(shè)置的液晶層，上述兩基板由含有光固化性材料(a)的密封材料粘合，在上述 第一基板的與上述第二基板的相對(duì)面?zhèn)鹊囊徊糠稚闲纬捎姓诠獠?A)，并且，在密封材料與 上述遮光部(A)之間形成有透明膜。 因此，當(dāng)從第一基板的背向面?zhèn)日丈涔鈺r(shí)，不是在密封材料中而是在透明膜內(nèi)產(chǎn) 生遮光區(qū)域(成為陰影的部分)。由此，不會(huì)像以往那樣在密封材料中產(chǎn)生由遮光部(A)引 起的遮光區(qū)域(也就是說，對(duì)密封材料整體照射光)，因此，密封材料被充分固化。因此，能 夠以更簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)有效地防止密封材料的固化不良。結(jié)果，可得到以下效果能夠提供沒有(幾乎沒有、優(yōu)選完全沒有)密封材料的固化不良、尤其是密封材料的與液晶層接觸的部分 的固化不良，與密封材料的固化不良相伴的問題得以解決，并且顯示品質(zhì)高的液晶顯示裝 在上述液晶顯示裝置為上述密封材料呈框狀連續(xù)配置、上述液晶層通過用上述兩 基板和密封材料封入液晶而形成的液晶顯示裝置、尤其是使用液晶滴下方式的液晶顯示裝 置的情況下，本發(fā)明特別有效。 當(dāng)液晶與未固化的密封材料接觸時(shí)，密封材料的成分會(huì)溶出到液晶中，于是會(huì)產(chǎn)
生污點(diǎn)。因此，在液晶層采用液晶滴下方式形成的情況下，為了防止污點(diǎn)，需要迅速地進(jìn)行
固化，在密封材料、特別是密封材料的與液晶層接觸的部分中不產(chǎn)生由上述遮光部(A)引
起的遮光區(qū)域，這對(duì)于防止由密封材料的固化不良而引起的密封材料的成分的溶出非常重
要。因此，本發(fā)明如上所述，特別適合于采用液晶滴下方式的液晶顯示裝置。 此外，上述液晶顯示裝置是否采用了液晶滴下方式以及使用該液晶滴下方式的液
晶滴下貼合方式，能夠根據(jù)上述的密封材料的形狀(結(jié)構(gòu))來判斷。 上述透明膜可以僅由一層形成，也可以由多層形成。即，上述透明層可以具有由與 相互相鄰的透明膜不同的材料(透明材料)構(gòu)成的透明膜疊層有多層的疊層結(jié)構(gòu)。
上述透明膜由多層形成，由此，能夠使透明層整體的膜厚(即，在該情況下，為各 透明膜的合計(jì)膜厚)變厚，并且，也能夠與在上述第一基板上形成例如TFT等有源元件(開 關(guān)元件)的工序一起形成透明膜。 另夕卜，優(yōu)選上述液晶顯示裝置當(dāng)上述遮光部(A)的寬度為W、上述透明膜 由m(l《m)層形成、從第一基板側(cè)即上述第一基板中的上述遮光部(A)側(cè)開始的第 k(l《k《m)層透明膜的折射率為nk(l < nk)且膜厚為dk時(shí)，滿足公式(1) 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，相對(duì)于上述遮光部(A)的寬度W，通過以滿足上述公式(1)的方式 設(shè)定透明膜的層數(shù)、折射率和膜厚，由上述遮光部(A)產(chǎn)生的遮光區(qū)域僅存在于透明膜中。 即，在密封材料中不會(huì)產(chǎn)生遮光區(qū)域。由此，從第一基板的背向面?zhèn)日丈涞墓饫@過在透明膜 中產(chǎn)生的遮光區(qū)域，光充分地向密封材料整體照射。因此，不需要像以往那樣為了不使密封 材料發(fā)生固化不良而延長(zhǎng)光的照射時(shí)間，從而能夠防止光的照射能量增大。
另外，即使液晶顯示裝置的規(guī)格改變，只要以滿足公式(1)的關(guān)系的方式進(jìn)行設(shè) 定，就能夠迅速地進(jìn)行液晶顯示裝置的設(shè)計(jì)。此外，上述"遮光部(A)的寬度W"是指遮光部 (A)的與第一基板平行的短邊方向的寬度。 另外，優(yōu)選本發(fā)明的液晶顯示裝置當(dāng)上述遮光部(A)的寬度為W、上述透明膜 由m(l《m)層形成、從第一基板側(cè)即上述第一基板中的上述遮光部(A)側(cè)開始的第 k(l《k《m)層透明膜的折射率為nk(l < nk)且膜厚為dk時(shí)，滿足公式(2)<formula>formula see original document page 27</formula>
通常，當(dāng)向玻璃基板入射的光的入射角變大時(shí)，入射光容易由玻璃基板表面反射，結(jié)果，透過玻璃基板的入射光的強(qiáng)度減弱。因此，為了使密封材料完全固化，需要增加一定 程度的照射時(shí)間，光的照射能量增大。 但是，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，以滿足上述公式(2)的方式設(shè)定透明膜的層數(shù)、折射率和膜 厚。由此，即使在第一基板為玻璃制的基板(玻璃基板)的情況下、并且光的入射角小的情 況下，從第一基板的背向面?zhèn)日丈涞墓庖矔?huì)繞過在透明膜中產(chǎn)生的遮光區(qū)域，因此，光充分 地向密封材料整體照射。因此，能夠防止密封材料發(fā)生固化不良，而不需要增加光的照射時(shí) 間。 另外，在上述液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述透明膜的距離上述遮光部(A)的基部的 膜厚為從上述第一基板的背向面?zhèn)热肷涞墓獗簧鲜稣诠獠?A)遮住的遮光區(qū)域的距離上 述遮光部(A)的基部的高度以上。 例如，在上述遮光部(A)在作為基底基板的透明基板(第一基板)上直接形成的 情況下，從上述第一基板的與第二基板的相對(duì)面(以下，簡(jiǎn)稱為"第一基板的相對(duì)面")到上 述透明膜表面的距離(換言之，密封材料與第一基板的相對(duì)面之間的間隔)，優(yōu)選為從上述 第一基板的背向面?zhèn)热肷涞墓獗簧鲜稣诠獠?A)遮住的遮光區(qū)域距離上述第一基板的與 第二基板的相對(duì)面的距離以上。在此，上述透明膜距離上述第一基板的相對(duì)面的距離(換 言之，密封材料與第一基板的相對(duì)面的間隔)為從第一基板的背向面?zhèn)日丈涔鈺r(shí)產(chǎn)生的遮 光區(qū)域距離上述第一基板的相對(duì)面的距離以上。在此，"遮光區(qū)域距離上述相對(duì)面的距離" 是指從第一基板的相對(duì)面到遮光區(qū)域的頂部(在相對(duì)面的法線方向上最遠(yuǎn)的部分)的長(zhǎng) 度。 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，被遮光部(A)遮住的區(qū)域與密封材料之間空出足夠的間隔，因此， 光充分地向密封材料繞射。因此，能夠充分地防止密封材料的固化不良。
另外，在上述液晶顯示裝置中，優(yōu)選在上述透明膜的與上述密封材料接觸的部 分，形成有用于使光散射的凹凸。 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在透明膜的與密封材料接觸的部分形成有上述凹凸，由此，當(dāng)使光 從第一基板的背向面?zhèn)热肷鋾r(shí)，從透明膜射出的光因上述凹凸而向各個(gè)方向上折射從而散 射。即，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，與未形成上述凹凸的情況相比，光的折射效率好，因此，光對(duì)密封材 料的照射范圍變得更寬。因此，即使在透明膜的膜厚薄、光沒有充分地向密封材料繞射的狀 態(tài)下，光也會(huì)因凹凸而折射、從而散射，因此，光充分地向密封材料照射。因此，能夠防止密 封材料以未固化的狀態(tài)殘留在液晶顯示裝置中。在此，"凹凸"是指不平滑。
另外，上述液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述透明膜由一層或者多層形成、并且上述透明 膜中的至少一層由含有有機(jī)化合物的材料(b)構(gòu)成，更優(yōu)選上述材料(b)含有樹脂。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，透明膜中的至少一層由含有有機(jī)化合物的材料(b)、特別是含有樹 脂的材料構(gòu)成，因此，能夠使透明膜的膜厚變厚。例如，當(dāng)使用粘度高的樹脂、利用旋涂等在 基板上涂敷樹脂后，利用光或熱使上述樹脂固化時(shí)，形成的透明膜的膜厚變厚。這樣，透明 膜的膜厚變厚，由此，光充分地向密封材料繞射。因此，能夠防止密封材料的固化不良。結(jié) 果，產(chǎn)品的可靠性提高。在該情況下，優(yōu)選上述透明膜中的由含有樹脂的材料(b)構(gòu)成的層 中的至少一層的膜厚例如為2 m以上4 m以下。 在上述液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述樹脂為選自丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、 聚氨酯、和聚硅氧烷中的至少一種。
這些樹脂與玻璃基板相比，折射率相對(duì)較低，另外，是在液晶顯示裝置中、在例如層間絕緣膜等中通常使用的通用樹脂。因此，上述材料(b)含有這些樹脂作為有機(jī)化合物，不僅使透明膜的膜厚變厚，而且在工藝方面和成本方面均有利。例如，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，當(dāng)在液晶顯示裝置內(nèi)形成層間絕緣膜等時(shí)，能夠同時(shí)形成上述透明膜。因此，不需要另外形成透明膜的工序，具有能夠使制造工序簡(jiǎn)化等優(yōu)點(diǎn)。 另外，上述液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述透明膜由一層或者多層形成，并且，上述透明膜中的至少一層由含有氮化硅的材料構(gòu)成。 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，作為透明膜，能夠使用在通常的液晶顯示裝置中使用的由氮化硅構(gòu)成的無機(jī)膜。因此，能夠與上述無機(jī)膜同時(shí)形成透明膜。結(jié)果，不需要另外形成透明膜的工序，能夠使制造工序簡(jiǎn)化。 另外，上述液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述透明膜由一層或者多層形成，并且，上述透明膜中的至少一層由含有氧化硅的材料構(gòu)成。 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，透明膜中的至少一層由含有氧化硅的材料形成，氧化硅通常在液晶顯示裝置中作為例如鈍化膜或硬膜材料使用。由此，例如，當(dāng)在液晶顯示裝置內(nèi)形成鈍化膜等時(shí)，能夠同時(shí)形成上述透明膜。因此，不需要另外形成透明膜的工序，能夠使制造工序簡(jiǎn)化。 另外，在上述液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述透明膜由一層或者多層形成，并且，上述透明膜中的至少一層由含有旋涂玻璃(S0G)材料的材料(可以是SOG材料本身)構(gòu)成。
通常，在液晶顯示裝置中，旋涂玻璃是能夠利用旋涂進(jìn)行成膜的玻璃質(zhì)的材料。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，透明膜中的至少一層由旋涂玻璃(S0G)材料構(gòu)成，因此，能夠使用旋涂法進(jìn)行成膜。另外，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過在上述透明膜中使用SOG材料，能夠?qū)崿F(xiàn)平坦化，因此，與使用其它的無機(jī)材料作為上述透明膜的材料的情況相比，能夠更可靠地確保位于密封材料與遮光部(A)之間的透明膜的厚度。在該情況下，優(yōu)選上述透明膜中的由含有旋涂玻璃材料的材料構(gòu)成的層中的至少一層的膜厚例如為2 ii m以上4 ii m以下。
另外，在上述液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述透明膜由一層或者多層形成，并且，上述透明膜中的至少一層由透明電極材料構(gòu)成。 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使用通常在液晶顯示裝置中使用的作為透明電極材料的例如氧化銦錫(IT0)或者氧化銦鋅(IZO)，作為透明膜中的至少一層。因此，當(dāng)在液晶顯示裝置中形成透明電極時(shí)，能夠同時(shí)形成透明膜。因此，不需要另外形成透明膜的工序，所以能夠提高制造效率。 另外，在上述液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述透明膜包括至少一層含有無機(jī)化合物的層和至少一層含有有機(jī)化合物的層，此時(shí)，優(yōu)選上述透明膜中含有無機(jī)化合物的層為最下層。 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，作為上述透明膜，能夠使用用于保護(hù)TFT等有源元件(開關(guān)元件)的層間絕緣膜作為透明膜。由此，在形成上述層間絕緣膜時(shí)，能夠同時(shí)形成透明膜。因此，不需要另外形成透明膜的工序，所以能夠提高制造效率。 在該情況下，在TFT上形成的含有無機(jī)化合物的層間絕緣膜，作為溝道保護(hù)膜起作用。即，當(dāng)形成TFT的溝道的活性半導(dǎo)體層與含有有機(jī)化合物的層(層間絕緣膜)接觸時(shí)，成為TFT的斷開特性和長(zhǎng)期可靠性劣化的原因。因此，希望在TFT與含有有機(jī)化合物的
29層間絕緣膜之間形成含有無機(jī)化合物的層間絕緣膜，通過使用含有該無機(jī)化合物的層間絕緣膜作為最下層、即上述遮光部(A)與由有機(jī)化合物構(gòu)成的層之間的層，能夠抑制例如TFT的斷開特性和長(zhǎng)期可靠性的劣化，并且，能夠容易地得到上述透明膜容易形成并且污點(diǎn)的產(chǎn)生等被抑制的、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、顯示品質(zhì)高的液晶顯示裝置。 另外，在該情況下，優(yōu)選上述透明膜整體的膜厚為2ym以上4ym以下?；蛘?，優(yōu)選上述含有有機(jī)化合物的層中的至少一層含有樹脂，并且，上述透明膜中的含有樹脂的層中的至少一層的膜厚為2ym以上4ym以下。更優(yōu)選上述含有有機(jī)化合物的層中的至少一層含有樹脂，并且，上述透明膜中的含有樹脂的層中的至少一層的膜厚為2 ii m以上4 ii m以下，上述透明膜整體的膜厚為4ym以下。 另外，在上述液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述透明膜由一層或者多層形成、并且上述透
明膜中的至少一層為層間絕緣膜(即，兼作層間絕緣膜)，更優(yōu)選上述透明膜中的兼作層間
絕緣膜的層中的至少一層含有樹脂、并且具有2 ii m以上4 ii m以下的膜厚。 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，上述透明膜中的至少一層為層間絕緣膜，因此，如上所述，能夠使
用用于保護(hù)TFT等有源元件(開關(guān)元件)的層間絕緣膜作為透明膜。由此，在形成上述層
間絕緣膜時(shí)，能夠同時(shí)形成透明膜。因此，不需要另外形成透明膜的工序，所以能夠提高制
造效率。 另外，在上述液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述透明膜由一層或者多層形成，并且，上述透明膜中的至少一層為柵極絕緣膜。 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，透明膜中的至少一層由柵極絕緣膜形成，由此，當(dāng)在液晶顯示裝置內(nèi)形成該柵極絕緣膜時(shí)，能夠同時(shí)形成上述透明膜。因此，不需要另外形成透明膜的工序，能夠使制造工序簡(jiǎn)化。 另外，在上述液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述透明膜由一層或者多層形成，并且，上述透明膜中的至少一層為平坦化膜。 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，上述透明膜中的至少一層為平坦化膜，因此，能夠使用用于使液晶層平坦的平坦化膜作為透明膜。通常，平坦化膜用于防止液晶層中的液晶的取向紊亂、使液晶顯示裝置中形成的像素區(qū)域的厚度均勻、防止液晶顯示裝置的亮度不均勻。由此，在形成上述平坦化膜時(shí)，能夠同時(shí)形成透明膜。因此，不需要另外形成透明膜的工序，所以能夠提高制造效率。 另外，在上述液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述透明膜的折射率為第一基板的折射率以下，更優(yōu)選比第一基板的折射率小。例如，優(yōu)選上述透明膜由一層或者多層形成、并且上述透明膜中的至少一層的折射率為第一基板的折射率以下，更優(yōu)選上述透明膜中的至少一層的折射率比第一基板的折射率小。另外，優(yōu)選上述透明膜中的至少一層由含有有機(jī)化合物的材料構(gòu)成、并且上述透明膜中的由含有有機(jī)化合物的材料構(gòu)成的層的折射率為第一基板的折射率以下，更優(yōu)選上述透明膜中的由含有有機(jī)化合物的材料構(gòu)成的層的折射率比第一基板的折射率小。 通常，在透明膜和第一基板中，斯涅爾定律(折射定律)成立。即，當(dāng)?shù)谝换宓恼凵渎蕿閞v透明膜的折射率為rv并且向透明膜入射的光的入射角為9i、折射角為9r時(shí)，無論入射角如何，sin e i/sin e r = nb/na —定成立。 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，透明膜的折射率為第一基板的折射率以下，更優(yōu)選比第一基板的折射率小，因此，根據(jù)上述的斯涅爾定律，與透明膜的光的入射角度相比，折射角度變大。即，光繞射的大小變得更大，遮光區(qū)域減少。結(jié)果，光向密封材料照射的范圍增大。
另外，在上述液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述透明膜由一層或者多層形成、并且上述透明膜整體的膜厚為1. 5 m以上，上述透明膜整體的膜厚更優(yōu)選為1. 7 m以上，如果考慮余量，則更優(yōu)選為2 m以上。如果上述透明膜的合計(jì)膜厚為1. 5 m以上、更優(yōu)選為1. 7 y m以上、進(jìn)一步優(yōu)選為2 m以上，則在作為在一般的液晶顯示裝置的制造工藝中的配線等的分辨極限的3ym寬的遮光部(A)的情況下，光被充分地照射在密封材料上。此外，即使遮光部(A)的寬度為3iim以上，只要有透明膜，就能夠更有效地向上述密封材料照射光，因此，與沒有透明膜的情況相比，能夠更有效地抑制密封材料的固化不良。 另外，在上述液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述透明膜由一層或者多層形成，并且，上述透明膜一層的膜厚、特別是含有有機(jī)化合物的層和由S0G材料構(gòu)成的層的一層的膜厚為4 m以下，更優(yōu)選上述透明膜的合計(jì)膜厚為4 m以下。 例如，在使用上述透明膜作為在液晶顯示裝置中使用的層間絕緣膜的情況下，當(dāng)上述透明膜有凹凸時(shí)，有時(shí)在液晶顯示裝置中會(huì)產(chǎn)生顯示不均勻。特別地，在透明膜為含有丙烯酸樹脂等有機(jī)化合物的層或由SOG材料構(gòu)成的層(S0G層)的情況下，當(dāng)通過1次涂敷形成厚膜時(shí)，更容易產(chǎn)生由凹凸所導(dǎo)致的顯示不均勻。但是，當(dāng)使上述透明膜一層的膜厚、優(yōu)選上述透明膜的合計(jì)膜厚為4ym以下時(shí)，由涂敷不均等所導(dǎo)致的凹凸減少，難以看出顯示不均勻。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，透明膜的膜厚為4 i！ m以下，因此，能夠維持透明膜的平坦性，從而能夠防止液晶顯示裝置發(fā)生顯示不均勻。 因此，在上述液晶顯示裝置中，上述透明膜由一層或者多層形成，并且，上述透明
膜整體的膜厚更優(yōu)選為1. 5 ii m以上4 ii m以下，特別優(yōu)選為2 y m以上4 y m以下。 另外，在上述液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述遮光部(A)設(shè)置在上述第一基板的與上
述第二基板的相對(duì)面?zhèn)鹊陌ㄉ鲜雒芊獠牧吓c上述液晶層的邊界下面的部分的部分，上述
透明膜至少形成在上述密封材料和上述液晶層接觸的部分與上述遮光部(A)之間。 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，透明膜形成在密封材料和液晶層接觸的部分與上述遮光部(A)之
間，因此，當(dāng)從第一基板的背向面?zhèn)日丈涔鈺r(shí)，能夠可靠地使密封材料的與液晶層接觸的部
分固化。因此，能夠防止密封材料的未固化成分溶出到液晶層中。另外，如果密封材料的粘
合強(qiáng)度足夠，則未固化的密封材料不會(huì)與液晶層接觸，因此，能夠提供高品質(zhì)的產(chǎn)品，而不
會(huì)影響產(chǎn)品的可靠性。 另外，在通過至少從第一基板側(cè)照射光而使上述密封材料固化的情況下，本發(fā)明特別有效。 例如，當(dāng)在上述第二基板上形成有例如黑矩陣等遮光部(B)、并且上述遮光部(B)的至少一部分形成在與上述密封材料重疊的位置的情況下，上述密封材料通過至少從第一基板側(cè)照射光而被固化。 在該情況下，如前所述，在密封材料與設(shè)置在第一基板上的遮光部(A)之間形成有透明膜，由此，當(dāng)從第一基板側(cè)向上述密封材料照射光時(shí)，在上述密封材料中不會(huì)產(chǎn)生由上述遮光部(A)引起的遮光區(qū)域，因此，密封材料被充分固化。因此，能夠防止上述密封材料的固化不良。 在上述液晶顯示裝置中，上述密封材料是否通過至少從第一基板側(cè)照射光而被固化，例如能夠通過對(duì)上述密封材料的種類和上述液晶顯示裝置中的上述密封材料的密封部的層結(jié)構(gòu)進(jìn)行確認(rèn)而判斷。即，如上所述，例如當(dāng)在上述第二基板上形成有遮光部(B)、并且上述遮光部(B)的至少一部分形成在與上述密封材料重疊的位置的情況下，如果上述密封材料含有光固化性材料(a)，則為了使上述密封材料固化，需要至少從第一基板側(cè)向上述密封材料照射光。因此，在該情況下，能夠判斷上述密封材料通過至少從第一基板側(cè)照射光而被固化。 如上所述，如果遮光部(B)為黑矩陣，則能夠防止背光的光從周邊部泄漏，因此，對(duì)使邊框變窄是有效的。 此外，本發(fā)明能夠應(yīng)用于在密封部形成有遮光性或者難以透過光的圖案(結(jié)構(gòu)物)的所有情況，作為上述遮光部(A)，具體而言，例如可以列舉選自金屬配線、由金屬形成的虛擬圖案、和黑矩陣中的至少一種。 虛擬圖案例如配置在未形成金屬配線的部分，由此，能夠在要使密封部的間隙均
勻的情況下利用。另外，虛擬圖案能夠在金屬配線過粗從而使光無法充分照射在密封材料
上的情況下、例如在從設(shè)置有縫隙狀的開口部的黑矩陣側(cè)照射光時(shí)利用。 另外，如以上所述，上述液晶顯示裝置的制造方法，在向其一部分上形成有遮光部
的第一基板的周邊部導(dǎo)入光固化型的密封材料的工序之前，還包括在上述第一基板的相對(duì)
面?zhèn)鹊闹辽僬诠獠可闲纬赏该髂さ墓ば颉?S卩，如以上所述，上述液晶顯示裝置的制造方法，用于制造包括相互相對(duì)配置的第一基板和第二基板、和在兩基板之間設(shè)置的液晶層，上述兩基板由含有光固化性材料(a)的密封材料粘合的液晶顯示裝置，該制造方法包括在與上述第二基板的相對(duì)面?zhèn)鹊囊徊糠稚闲纬捎姓诠獠?A)的第一基板的周邊部形成含有光固化性材料的密封材料的密封材料形成工序；在由上述密封材料包圍的區(qū)域形成液晶層的液晶層形成工序；和通過密封材料粘合上述第一基板和第二基板的基板粘合工序，并且，還包括在上述密封材料形成工序之前，在上述第一基板的相對(duì)面?zhèn)鹊闹辽偕鲜稣诠獠?A)上形成透明膜的透明膜形成工序。 因此，當(dāng)為了使密封材料固化而照射光時(shí)，光向密封材料繞射，密封材料被充分地照射光。因此，不需要像以往那樣為了防止固化不良而延長(zhǎng)光的照射時(shí)間，從而能夠降低光照射能量，并且，能夠提高制造效率。因此，根據(jù)上述方法，能夠以更簡(jiǎn)便的方法有效地防止密封材料的固化不良。根據(jù)上述方法，能夠提供沒有(幾乎沒有、優(yōu)選完全沒有)密封材料的固化不良、尤其是密封材料的與液晶層接觸的部分的固化不良，與密封材料的固化不良相伴的問題得以解決，并且顯示品質(zhì)高的液晶顯示裝置的制造方法。 另外，如前所述，當(dāng)上述液晶顯示裝置的制造方法，在上述基板粘合工序之后還包括從上述第一基板側(cè)向上述密封材料照射光以使上述密封材料固化的密封材料固化工序的情況下，本發(fā)明特別有效。 本發(fā)明并不限定于上述的實(shí)施方式，在權(quán)利要求所示的范圍內(nèi)能進(jìn)行各種變更。即，將在權(quán)利要求所示的范圍內(nèi)適當(dāng)變更后的技術(shù)手段組合而得到的實(shí)施方式，也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性 本發(fā)明的液晶顯示裝置能夠適合應(yīng)用于便攜式終端等用途。
3權(quán)利要求
一種液晶顯示裝置，其包括相互相對(duì)配置的第一基板和第二基板、和在兩基板之間設(shè)置的液晶層，所述兩基板由含有光固化性材料(a)的密封材料粘合，其特征在于在所述第一基板的與所述第二基板的相對(duì)面?zhèn)鹊囊徊糠稚闲纬捎姓诠獠?A)，并且，在密封材料與所述遮光部(A)之間形成有透明膜，所述透明膜由多層形成。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜中的至少一層由含有氮化硅的材料構(gòu)成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜中的至少一層由含有氧化硅的材料構(gòu)成。
4. 一種液晶顯示裝置，其包括相互相對(duì)配置的第一基板和第二基板、和在兩基板之間 設(shè)置的液晶層，所述兩基板由含有光固化性材料(a)的密封材料粘合，其特征在于在所述第一基板的與所述第二基板的相對(duì)面?zhèn)鹊囊徊糠稚闲纬捎姓诠獠?A)，并且，在 密封材料與所述遮光部(A)之間形成有透明膜， 所述透明膜由一層或者多層形成，并且， 所述透明膜中的至少一層由含有氮化硅的材料構(gòu)成。
5. —種液晶顯示裝置，其包括相互相對(duì)配置的第一基板和第二基板、和在兩基板之間 設(shè)置的液晶層，所述兩基板由含有光固化性材料(a)的密封材料粘合，其特征在于在所述第一基板的與所述第二基板的相對(duì)面?zhèn)鹊囊徊糠稚闲纬捎姓诠獠?A)，并且，在 密封材料與所述遮光部(A)之間形成有透明膜， 所述透明膜由一層或者多層形成，并且， 所述透明膜中的至少一層由含有氧化硅的材料構(gòu)成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置， 當(dāng)所述遮光部(A)的寬度為W、所述透明膜由m層形成、明膜的折射率為nk且膜厚為dk時(shí)，滿足公式(1):,其特征在于,從第一基板側(cè)開始的第k層透<formula>formula see original document page 2</formula>(1)其中，1《m、l《k《m、l < nk。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置， 當(dāng)所述遮光部(A)的寬度為W、所述透明膜由m層形成.其特征在于從第一基板側(cè)開始的第k層透明膜的折射率為nk且膜厚為dk時(shí)，滿足公式(2)<formula>formula see original document page 2</formula>其中，1《m、l《k《m、l < nk。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于 在所述透明膜的與所述密封材料接觸的部分，形成有用于使光散射的凹凸,
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜中的至少一層由含有旋涂玻璃材料的材料構(gòu)成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述透明膜由多層形成，并且，所述透明膜中的另外的至少一層由含有旋涂玻璃材料的材料構(gòu)成。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜中的至少一層由透明電極材料構(gòu)成。
12. 根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜由多層形成，并且，所述透明膜中的另外的至少一層由透明電極材料構(gòu)成。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述透明膜包括至少一層含有無機(jī)化合物的層和至少一層含有有機(jī)化合物的層。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜中含有無機(jī)化合物的層為最下層。
15. 根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜由多層形成，并且，所述透明膜包括至少一層含有無機(jī)化合物的層和至少一層含有有機(jī)化合物的層。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜中含有無機(jī)化合物的層為最下層。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜中的至少一層兼作層間絕緣膜。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜中的至少一層為柵極絕緣膜。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1、3、5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述透明膜的折射率為第一基板的折射率以下。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1、3、5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述透明膜中的至少一層的折射率比第一基板的折射率小。
21. 根據(jù)權(quán)利要求2或者4所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述透明膜由多層形成，并且，所述透明膜包括至少一層具有第一基板的折射率以下的折射率的層。
22. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述透明膜中的至少一層的折射率比第一基板的折射率小，并且，所述透明膜中的至少一層由含有有機(jī)化合物的材料構(gòu)成，所述透明膜中的由含有有機(jī)化合物的材料構(gòu)成的層的折射率比第一基板的折射率小。
23. 根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述透明膜由多層形成，所述透明膜包括至少一層具有第一基板的折射率以下的折射率的層， 所述透明膜中的至少一層由含有有機(jī)化合物的材料構(gòu)成，并且，所述透明膜中的由含 有有機(jī)化合物的材料構(gòu)成的層的折射率比第一基板的折射率小。
24. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述透明膜整體的膜厚為1. 5 i！ m以上。
25. 根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜由多層形成，所述透明膜整體的膜厚為1.5iim以上。
26. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜整體的膜厚為1. 7 m以上。
27. 根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜由多層形成，所述透明膜整體的膜厚為1. 7 u m以上。
28. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜一層的膜厚為4 u m以下。
29. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜整體的膜厚為1. 5 m以上4 m以下。
30. 根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜由多層形成，所述透明膜整體的膜厚為1. 5 u m以上4 m以下。
31. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜整體的膜厚為2 u m以上4 m以下。
32. 根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述透明膜由多層形成，所述透明膜整體的膜厚為2 y m以上4 m以下。
33. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述遮光部(A)設(shè)置在所述第一基板的與所述第二基板的相對(duì)面?zhèn)鹊陌ㄋ雒芊獠牧吓c所述液晶層的邊界下面的部分的部分，所述透明膜至少形成在所述密封材料和所述液晶層接觸的部分與所述遮光部(A)之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，其中，陣列基板(1)與CF基板(2)相互相對(duì)配置。在陣列基板(1)與CF基板(2)之間夾著液晶層(6)。另外，陣列基板(1)與CF基板(2)由含有光固化性材料的密封材料(3)粘合。在陣列基板(1)的與CF基板(2)的相對(duì)面?zhèn)鹊闹苓叢啃纬捎薪饘倥渚€(4)，在金屬配線(4)與密封材料(3)之間形成有透明膜(7)。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101726910SQ20091026205
公開日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2006年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月11日
發(fā)明者山口英彥, 山田直, 嶋田吉祐, 津幡俊英 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社