專(zhuān)利名稱(chēng)：：用于光刻術(shù)模型校準(zhǔn)的圖案選擇的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明的
技術(shù)領(lǐng)域：
主要涉及用于與光刻過(guò)程相關(guān)的模型校準(zhǔn)的測(cè)試圖案，尤其涉及從給定的測(cè)試圖案的池中選出優(yōu)化的測(cè)試圖案組。
背景技術(shù)：
：例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，掩?？梢园瑢?duì)應(yīng)于所述IC的單層的電路圖案，并且可以將該圖案成像到已經(jīng)覆蓋有一層輻射敏感材料(抗蝕劑)的襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，單個(gè)晶片將包含相鄰目標(biāo)部分的整個(gè)網(wǎng)絡(luò)，所述相鄰目標(biāo)部分通過(guò)投影系統(tǒng)被一次一個(gè)地連續(xù)輻射。在一種類(lèi)型的光刻投影設(shè)備中，通過(guò)將全部掩模圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一目標(biāo)部分；這樣的設(shè)備通常稱(chēng)作為晶片步進(jìn)機(jī)。在通常稱(chēng)為步進(jìn)-掃描設(shè)備的可選設(shè)備中，通過(guò)沿給定的參考方向("掃描"方向)逐步掃描在投影束下面的掩模圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底臺(tái)來(lái)輻射每一目標(biāo)部分。因?yàn)?，通常情況下，投影系統(tǒng)將具有放大率因子(magnificationfactor)M(通常M<l)，襯底臺(tái)掃描的速度V將是掩模臺(tái)掃描的速度的M倍。這里所述的更多有關(guān)光刻設(shè)備的信息可以從(例如)US專(zhuān)利No.6，046，792中得到，在這里以參考的方式將其內(nèi)容并入本文中。在使用光刻投影設(shè)備的制造過(guò)程中，掩模圖案被成像到至少部分地由一層輻射敏感材料(抗蝕劑)覆蓋的襯底上。在該成像步驟之前，襯底可以經(jīng)過(guò)多種工序，例如涂底料、抗蝕劑涂覆和軟烘烤。在曝光之后，襯底可以經(jīng)過(guò)其它工序，例如曝光后烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤和成像特征的測(cè)量/檢驗(yàn)。這一系列的工序被用作對(duì)器件(例如IC)的單層進(jìn)行圖案化的基礎(chǔ)。然后，這樣的圖案化層可以經(jīng)過(guò)多種處理，例如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學(xué)-機(jī)械拋光等，所有這些處理用于完成對(duì)一個(gè)單層的處理。如果需要多個(gè)層，則對(duì)于每個(gè)新的層必須重復(fù)整個(gè)工序或其變體。最后，在襯底(晶片)上將形成器件的陣列。然后，這些器件通過(guò)例如切片(dicing)或切割的技術(shù)彼此分離開(kāi)，然后獨(dú)立的器件可以安裝到連接到插腳等的載體上。為了簡(jiǎn)化起見(jiàn)，下文中投影系統(tǒng)可被稱(chēng)為"透鏡"；然而，這個(gè)術(shù)語(yǔ)應(yīng)該被廣義地解釋為包括各種類(lèi)型的投影系統(tǒng)，包括例如折射式光學(xué)系統(tǒng)、反射式光學(xué)系統(tǒng)和反射折射式系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可以包括根據(jù)用于引導(dǎo)、成形或控制投影輻射束的這些設(shè)計(jì)類(lèi)型中的任意類(lèi)型來(lái)操作的部件，并且這些部件在下文中還可以被統(tǒng)稱(chēng)為或單獨(dú)地稱(chēng)為"透鏡"。而且，光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)或更多個(gè)襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多個(gè)掩模臺(tái))的類(lèi)型。在這種"多平臺(tái)"的裝置中，附加的臺(tái)可以并行地使用，或者可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)使用一個(gè)或更多個(gè)其它的臺(tái)進(jìn)行曝光。例如，在US專(zhuān)利No.5，969，441中描述了雙平臺(tái)光刻設(shè)備，在這里以參考的方式將其內(nèi)容并入本文中。上面提及的光刻掩模包括對(duì)應(yīng)于將要被集成到硅晶片上的電路部件的幾何圖案。用來(lái)形成這種掩模的圖案使用CAD(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))程序來(lái)生成，這種過(guò)程通常被稱(chēng)為EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)。大多數(shù)CAD程序遵循一系列預(yù)定的設(shè)計(jì)規(guī)則以便產(chǎn)生功能化掩模。這些規(guī)則通過(guò)加工和設(shè)計(jì)限制來(lái)設(shè)定。例如，設(shè)計(jì)規(guī)則限定電路器件(例如柵極、電容等)或互連線之間的間隔容許量，使得確保電路器件或線不會(huì)彼此以不希望的方式相互作用。通常，設(shè)計(jì)規(guī)則限制被稱(chēng)為"臨界尺寸"(CD)。電路的臨界尺寸可以被定義成線或孔的最小寬度或兩條線或兩個(gè)孔之間的最小間隔。因此，CD決定所設(shè)計(jì)的電路的總的尺寸和密度。當(dāng)然，集成電路制造的目標(biāo)之一是在晶片上(通過(guò)掩模)忠實(shí)地復(fù)制原始電路設(shè)計(jì)。正如所指出的，微光刻術(shù)是半導(dǎo)體集成電路制造中的主要步驟，其中形成在半導(dǎo)體晶片襯底上的圖案限定了半導(dǎo)體器件的功能元件，例如微處理器、存儲(chǔ)芯片等。類(lèi)似的光刻技術(shù)還用在平板顯示器、微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)和其它器件的制造中。隨著半導(dǎo)體制造工藝持續(xù)進(jìn)步，在電路元件的尺寸持續(xù)地減小的同時(shí)，每個(gè)器件的功能元件(例如晶體管)的數(shù)量已經(jīng)在過(guò)去幾十年中遵照通常被稱(chēng)作為"摩爾定律"的趨勢(shì)穩(wěn)定地增加。在目前的技術(shù)狀態(tài)下，先進(jìn)器件的關(guān)鍵層使用已知如掃描器的光學(xué)光刻投影系統(tǒng)進(jìn)行制造，其使用來(lái)自深紫外激光光源的照射將掩模圖案投影到襯底上，產(chǎn)生具有100nm以下的尺寸(也就是小于投影光波長(zhǎng)一半)的獨(dú)立的電路特征。依照分辨率公式CD=、XA/NA，這種印刷具有小于光學(xué)投影系統(tǒng)經(jīng)典分辨率極限的尺寸的特征的過(guò)程通常被稱(chēng)為低-、(low-k》光刻術(shù)，其中A是所采用的輻射的波長(zhǎng)(目前大多數(shù)情況是248nm或193nm)，NA是投影光學(xué)裝置的數(shù)值孔徑，CD是"臨界尺寸"(通常是所印刷的最小特征尺寸)，以及、是經(jīng)驗(yàn)分辨率因子。通常，、越小，越難以在晶片上復(fù)制與電路設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)的形狀和尺寸相符的圖案以便獲得特定的電功能性和性能。為了克服這些困難，對(duì)投影系統(tǒng)和掩模設(shè)計(jì)實(shí)施復(fù)雜的精細(xì)的微調(diào)步驟。這些步驟包括(例如)但不限于NA和光學(xué)相干性設(shè)定的優(yōu)化、定制照射方案、使用相移掩模、掩模布局中的光學(xué)鄰近效應(yīng)校正，或其它通常稱(chēng)為"分辨率增強(qiáng)技術(shù)"(RET)的方法。作為一個(gè)重要的示例，光學(xué)鄰近效應(yīng)校正(OPC，有時(shí)稱(chēng)為"光學(xué)和過(guò)程校正")解決晶片上所印刷的特征的最終尺寸和位置將不僅僅是掩模上對(duì)應(yīng)的特征的尺寸和位置的函數(shù)的問(wèn)題。應(yīng)該注意的是，這里術(shù)語(yǔ)"掩模"和"掩模版"可以交替地使用。因?yàn)樵谕ǔ５碾娐吩O(shè)計(jì)上具有小的特征尺寸和高的特征密度，所以給定特征的特定邊緣的位置將一定程度上受到存在或不存在其它鄰近特征的影響。這些鄰近效應(yīng)源自一個(gè)特征和另一特征的微小量的光耦合。類(lèi)似地，鄰近效應(yīng)可以源自曝光后烘烤(PEB)、抗蝕劑顯影以及通常緊隨光刻曝光后的蝕刻期間的擴(kuò)散和其它化學(xué)效應(yīng)。為了確保依照給定目標(biāo)電路設(shè)計(jì)的需要在半導(dǎo)體襯底上形成特征，在成功地制造高端器件之前，需要使用復(fù)雜的數(shù)值模型預(yù)測(cè)鄰近效應(yīng)，和需要將校正或預(yù)變形應(yīng)用到掩模的設(shè)計(jì)。C.Spence在Proc.SPIE，Vol.5751，pp1-14(2005)上的文章"Full-ChipLithographySimulationandDesignAnalysis-How0PCIsChangingICDesign，，提供了目前"基于模型的(model-based)"的光學(xué)鄰近效應(yīng)校正處理的概述。在一般的高端設(shè)計(jì)中，幾乎每個(gè)特征邊緣都需要一些修正以便獲得充分接近目標(biāo)設(shè)計(jì)的印刷圖案。這些修正可以包括邊緣位置或線寬的平移或偏斜，以及應(yīng)用并不為了印刷本身但將會(huì)影響所關(guān)聯(lián)的主要特征的性質(zhì)的"次分辨率輔助"特征。假定通常在芯片設(shè)計(jì)中存在數(shù)百萬(wàn)特征，將基于模型的OPC應(yīng)用到目標(biāo)設(shè)計(jì)需要良好的過(guò)程模型和相當(dāng)多的計(jì)算資源。然而，通常應(yīng)用OPC不是"精確科學(xué)"，而是不總是能5解決布局中所有可能缺陷的經(jīng)驗(yàn)的、迭代的過(guò)程。因而，OPC后的設(shè)計(jì)(也就是在應(yīng)用所有通過(guò)0PC和所有其它RET的圖案修正后的掩模布局)，需要通過(guò)設(shè)計(jì)檢測(cè)(也就是使用經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的數(shù)值過(guò)程模型進(jìn)行精密的全芯片模擬)進(jìn)行校驗(yàn)以便最小化形成到掩模組的制造中的設(shè)計(jì)缺陷的可能性。這是由制造以幾百萬(wàn)美元量級(jí)運(yùn)行的高端掩模組的巨大成本，和一旦實(shí)際掩模被制造而導(dǎo)致的重新制作或修補(bǔ)實(shí)際掩模所造成的周轉(zhuǎn)時(shí)間的影響所驅(qū)動(dòng)的。OPC和全芯片RET校驗(yàn)兩者都可以基于在例如美國(guó)專(zhuān)利第7，003，758號(hào)(P-2778)和來(lái)自Proc.SPIE，Vol.5754,405(2005)上的Y.Caoetal的名稱(chēng)為"OptimizedHardwareandSoftwareForFast,FullChipSimulation"的文章中描述的數(shù)值模型系統(tǒng)和方法。如商業(yè)上的例子，ASML開(kāi)發(fā)和買(mǎi)賣(mài)用于設(shè)計(jì)和制造中的一系列計(jì)算光刻術(shù)("CL")產(chǎn)品。這些產(chǎn)品的例子是來(lái)自ASML的TachyonLMC、Tachyon0PC+和圖案匹配器全芯片(PatternMatcherFullChip)。OPC和RET都需要精確描述光刻過(guò)程的魯棒性模型。因此，需要用于這種光刻模型的校準(zhǔn)程序，其提供在過(guò)程窗口上是有效的、魯棒性的并且精確的模型。目前，通過(guò)使用一定數(shù)量的1維和/或2維測(cè)量圖案和晶片測(cè)量值，來(lái)進(jìn)行校準(zhǔn)。更具體地，這些1維測(cè)量圖案是具有變化的節(jié)距和CD的線-間隔的圖案，2維測(cè)量圖案典型地包括線端、接觸區(qū)和隨機(jī)選擇的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)圖案。之后，這些圖案成像到晶片上，最終晶片CD或接觸能被測(cè)量。之后，初始的測(cè)量圖案和它們的晶片測(cè)量值結(jié)合使用，來(lái)確定對(duì)模型預(yù)測(cè)和晶片測(cè)量之間的差異最小化的模型參數(shù)。在現(xiàn)有實(shí)踐中，測(cè)量圖案的選擇是相當(dāng)隨意的。它們可簡(jiǎn)單地根據(jù)經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行選擇或根據(jù)真實(shí)的電路圖案隨意地進(jìn)行選擇。對(duì)于校準(zhǔn)來(lái)說(shuō)，這樣的圖案通常是不完整的或過(guò)完整的或者兩者都有。特別是，對(duì)于一些參數(shù)，所有的圖案可能是相當(dāng)不靈敏的，因此由于測(cè)量不準(zhǔn)確，它可能很難確定參數(shù)值。然而，另一方面，許多圖案可能對(duì)參數(shù)變化具有非常相似的響應(yīng)，因而它們中的一些是多余的，在這些多余的圖案上的進(jìn)行的晶片測(cè)量浪費(fèi)許多資源。此時(shí)，CL模型需要在可能的幾何布局圖案的非常大的集合上精確地預(yù)測(cè)實(shí)際的片上圖案輪廓。因此，適當(dāng)?shù)剡x擇將采用的模型公式和精確地確定用于所有的模型參數(shù)的值都是非常重要的。此外，在CL模型的校準(zhǔn)中，需要用于已選擇的測(cè)試圖案的晶片CD測(cè)量值，來(lái)優(yōu)化模型參數(shù)。收集這種度量數(shù)據(jù)所花費(fèi)的努力通常是巨大的。考慮到這種努力，對(duì)于0PC應(yīng)用來(lái)說(shuō)，典型地對(duì)每一目標(biāo)層的每一技術(shù)節(jié)點(diǎn)這些校準(zhǔn)僅被進(jìn)行一次。對(duì)于用于制造的CL產(chǎn)品，需要用許多掃描器來(lái)進(jìn)行這些校準(zhǔn)，并且在一定程度上要定期地進(jìn)行。因此，模型校準(zhǔn)程序應(yīng)當(dāng)解決怎樣使得需要被測(cè)量的測(cè)試結(jié)構(gòu)的數(shù)量最小化而不犧牲最終模型的預(yù)測(cè)精度的問(wèn)題。模型校準(zhǔn)中的傳統(tǒng)的方法的目的主要是對(duì)這些圖案的成像行為提供好的描述，公知地，其對(duì)物理電路設(shè)計(jì)共通領(lǐng)域是重要的。典型地，這涉及相當(dāng)大量的圖案類(lèi)型，每個(gè)被在適當(dāng)?shù)膸缀巫兓姆秶巷@示。對(duì)大量頻繁使用的晶體管溝道長(zhǎng)度(多義線(polyline)CD)來(lái)說(shuō)，最重要的例子是線的CD隨多義層的節(jié)距從密集的線(最小節(jié)距)到孤立的線的變化。然而，在現(xiàn)代光刻術(shù)中，影響的光學(xué)范圍(界線)遠(yuǎn)大于典型的測(cè)試結(jié)構(gòu)，因此精確地對(duì)預(yù)選擇數(shù)量的相對(duì)小的測(cè)試圖案進(jìn)行模型化確保精確地預(yù)測(cè)這些在實(shí)際的電路環(huán)境中的圖案，實(shí)際上不再是可行的。晶片數(shù)據(jù)的收集由這種相同的焦距來(lái)驅(qū)動(dòng)一在模型校準(zhǔn)中使用的測(cè)試圖案的絕大多數(shù)與需要的好的描述的圖案是相同的。相同的焦距本身還可用幾何變化的選擇來(lái)表示。對(duì)于特定的圖案類(lèi)型，在成像或電學(xué)響應(yīng)快速變化的區(qū)域中選擇了許多幾何例子，而不管內(nèi)在的物理性質(zhì)和這些變化所涉及的模型參數(shù)的數(shù)量。一個(gè)好的例子是在最短的多義CD附近的區(qū)域，即最短的順應(yīng)設(shè)計(jì)規(guī)則的(design-rule-compliant)晶體管的柵極長(zhǎng)度。因?yàn)殚y值電壓(和它的接通和斷開(kāi)狀態(tài)電流)作為設(shè)計(jì)的多義柵極CD的函數(shù)快速地變化，所以常規(guī)表明在這個(gè)區(qū)域中利用具有間隔緊密的柵極CD的非常大量的測(cè)試結(jié)構(gòu)。作為上述的方法的結(jié)果，和在精細(xì)的調(diào)整各個(gè)圖案類(lèi)型的權(quán)重的經(jīng)常大范圍的迭代過(guò)程之后，模型實(shí)際上得出了已經(jīng)被特征化的圖案的好的預(yù)測(cè)，和另外對(duì)中間幾何構(gòu)型非常好地插值。同樣，這些方法用于它們的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的主要使用情形已經(jīng)足夠了。然而，這種傳統(tǒng)的方法還具有一些嚴(yán)重的缺點(diǎn)。首先，在預(yù)定的圖案上的強(qiáng)聚焦意味著沒(méi)有詳盡的考慮適當(dāng)?shù)母采w模型參數(shù)和由這些參數(shù)表示的"激發(fā)物理特性(excitingthephysics)"。由于不能區(qū)別圖案，圖案可能被不正確地確定或它們可表現(xiàn)出與其它參數(shù)的高的簡(jiǎn)并度?？傊?，常規(guī)來(lái)說(shuō)，這些方法不能適當(dāng)?shù)孛枋鲈诎谀Ｐ捅碚髦械臈l件之外的成像行為上的變化。其次，對(duì)于通過(guò)校準(zhǔn)方法獲得的物理特性和相關(guān)的模型參數(shù)中的一些，所述方法不經(jīng)濟(jì)，且太多的測(cè)量實(shí)質(zhì)上提供了多余的信息。在OPC的初始傳統(tǒng)應(yīng)用之外增加使用計(jì)算光刻術(shù)模型意味著模型校準(zhǔn)程序還需要被調(diào)整，使得最終模型是a)對(duì)于不包含在校準(zhǔn)測(cè)試數(shù)據(jù)中的圖案類(lèi)型更好地預(yù)測(cè)成像行為，b)對(duì)于光刻加工條件(與掩模、掃描器、抗蝕劑或蝕刻相關(guān)的)變化更好地預(yù)測(cè)成像行為以及c)在所需度量的量方面更加節(jié)省。因此，存在對(duì)解決傳統(tǒng)方法的這些和其它缺點(diǎn)的需求。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供用于模型校準(zhǔn)的測(cè)試圖案選擇的領(lǐng)域中的許多創(chuàng)新，尤其是，其滿足了上述的要求。根據(jù)一些方面，本發(fā)明的圖案選擇算法可被應(yīng)用至任何已有的候選測(cè)試圖案池。這些圖案可以源自于下述來(lái)源的任意組合被包含作為例如掃描器匹配器的工具的一部分的測(cè)試掩模；由OPC消費(fèi)者開(kāi)發(fā)的作為它們的OPC模型化成果的一部分的測(cè)試掩模；來(lái)自被OPC消費(fèi)者使用的實(shí)際產(chǎn)品掩模版的圖案。根據(jù)一些方面，本發(fā)明自動(dòng)地選擇這些測(cè)試圖案，與設(shè)計(jì)優(yōu)化圖案相反，其能夠最有效地根據(jù)已有的候選測(cè)試圖案池確定優(yōu)化的模型參數(shù)值。根據(jù)另外的方面，根據(jù)本發(fā)明的已選擇的測(cè)試圖案能夠激勵(lì)模型公式中的所有已知的物理和化學(xué)特性，確保用于測(cè)試圖案的晶片數(shù)據(jù)可以將模型校準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)成優(yōu)化的參數(shù)值，其實(shí)現(xiàn)了由模型公式施加的預(yù)測(cè)精度的上邊界。在進(jìn)一步的這些和其它的方面中，一種根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于計(jì)算光刻模型校準(zhǔn)的測(cè)試圖案選擇的方法，包括步驟識(shí)別候選測(cè)試圖案池；識(shí)別光刻術(shù)模型參數(shù)組；和自動(dòng)地從候選測(cè)試圖案池選擇一組測(cè)試圖案，其能夠最有效地確定已識(shí)別的模型參數(shù)的優(yōu)化值。在另外進(jìn)一步的這些和其它的方面中，一種根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于計(jì)算光刻術(shù)模型校準(zhǔn)的測(cè)試圖案選擇的方法，包括步驟準(zhǔn)備對(duì)應(yīng)于候選測(cè)試圖案池和一組模型參數(shù)的靈敏度矩陣；使用所述靈敏度矩陣來(lái)進(jìn)行計(jì)算；和基于所述計(jì)算從候選測(cè)試圖案池選擇一組測(cè)試圖案。在另一進(jìn)一步的這些和其它的方面中，一種根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于計(jì)算光刻術(shù)模型校準(zhǔn)的測(cè)試圖案選擇的方法，包括步驟開(kāi)發(fā)對(duì)應(yīng)于與光刻術(shù)模型的精度相關(guān)的價(jià)值函數(shù)的靈敏度矩陣，其中，靈敏度矩陣建立了在候選測(cè)試圖案池和一組光刻術(shù)模型參數(shù)之間的關(guān)系；和通過(guò)在靈敏度矩陣上進(jìn)行計(jì)算，從候選測(cè)試圖案池選擇一組測(cè)試圖案。雖然在本文中詳述了將本發(fā)明光刻設(shè)備用于制造ICs(集成電路)，但是應(yīng)該明確地理解到本發(fā)明可以在制造具有微米尺度、甚至納米尺度的特征的部件方面有其它的應(yīng)用。例如，本發(fā)明可以用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將本文使用的任何術(shù)語(yǔ)"掩模版"、"晶片"或"管芯"分別認(rèn)為是可以由更上位的術(shù)語(yǔ)"掩模"、"襯底"或"目標(biāo)部分"替換。在本文中，術(shù)語(yǔ)"輻射"和"束"用于包含全部類(lèi)型的電磁輻射，包括紫外輻射(例如具有約365、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))和EUV(極紫外輻射，例如具有5-20nm范圍的波長(zhǎng))。本文中采用的術(shù)語(yǔ)"掩模"可以廣義地解釋為可以用于將與將要在襯底的目標(biāo)部分上形成的圖案相對(duì)應(yīng)的圖案化的橫截面賦予入射的輻射束的上位的圖案形成裝置；術(shù)語(yǔ)"光閥"也可以用在本文中。除了傳統(tǒng)的掩模(透射型的或反射型的；二元型的、相移型的、混合型的掩模等)，其它這樣的圖案形成裝置的示例包括可編程反射鏡陣列。這種裝置的一個(gè)示例是具有粘彈性(viscoelastic)控制層和反射表面的可矩陣尋址表面。這種裝置所依據(jù)的基本原理在于(例如)反射表面的尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷涑裳苌涔?，而非尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷涑煞茄苌涔?。使用適當(dāng)?shù)臑V光片，從反射束中過(guò)濾掉所述非衍射光，僅留下衍射光；以這種方式，輻射束根據(jù)所述可矩陣尋址表面的圖案尋址而被圖案化。所需的矩陣尋址可以使用合適的電子裝置來(lái)執(zhí)行。有關(guān)這種反射鏡陣列的更多信息可以(例如)從美國(guó)專(zhuān)利USNo.5，296，891和USNo.5，523，193中收集到，這里以參考的方式將其內(nèi)容并入本文。另一進(jìn)行圖案化的替代裝置是可編程LCD陣列。這種結(jié)構(gòu)的示例在美國(guó)專(zhuān)利USNo.5，229,872中給出，這里以參考的方式將其內(nèi)容并入本文。在結(jié)合附圖閱讀了本發(fā)明的特定實(shí)施例的下述描述之后，本領(lǐng)域技術(shù)普通人員將顯而易見(jiàn)地知道本發(fā)明的這些和其它方面和特征，在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的光刻系統(tǒng)的各個(gè)子系統(tǒng)的方塊圖2是對(duì)應(yīng)于圖1中的子系統(tǒng)的模擬模型的方塊圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的測(cè)試圖案選擇的示例性方法的方面的流程圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的方面的從測(cè)試測(cè)量池中選出一組測(cè)試測(cè)量的示例性方法的流程8圖5A和5B與圖6A和6B是示出使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法的示例性結(jié)果的圖表；圖7是可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例的示例性計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的方塊圖；禾口圖8是可應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施例的光刻投影設(shè)備的方塊圖。具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參考附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，其被提供作為本發(fā)明的說(shuō)明性的例子，以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。注意到，下文中的附圖和例子不是要將本發(fā)明的范圍限制成單個(gè)實(shí)施例，而是通過(guò)交換所描述或示出的元件中的一些或全部的其它實(shí)施例也是可以的。另外，在這里本發(fā)明的特定元件可以部分地或全部地使用已知的部件來(lái)實(shí)現(xiàn)，將只描述對(duì)于理解本發(fā)明所必需的這樣的已知部件中的這些部分，這樣的已知部件中的其它部分的詳細(xì)描述將被省略，以便使得本發(fā)明清楚。除非在本文另有說(shuō)明，所描述的如在軟件中實(shí)現(xiàn)的實(shí)施例不應(yīng)限制于此，而是可以包括在硬件或軟件和硬件的組合中實(shí)現(xiàn)的實(shí)施例，反之亦然，這對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。在本說(shuō)明書(shū)中，顯示出單個(gè)部件的實(shí)施例不應(yīng)認(rèn)為是限制性的，相反，本發(fā)明旨在是要包含包括多個(gè)相同的部件的其它實(shí)施例，反之亦然，除非在本文另有明確地說(shuō)明。另外，申請(qǐng)人不是要將說(shuō)明書(shū)或權(quán)利要求書(shū)中的任何術(shù)語(yǔ)表示成罕見(jiàn)的或特殊的意思，同樣地，除非有明確地闡述。另外，本發(fā)明將通過(guò)說(shuō)明的方式包括在此處所引用的已知部件的目前和將來(lái)已知的等價(jià)物。在描述本發(fā)明之前，提供了關(guān)于整個(gè)模擬和成像過(guò)程的簡(jiǎn)要的概述。圖1示出示例性的光刻投影系統(tǒng)10。主要部件包括光源12，其可以是深紫外準(zhǔn)分子激光器源；照射光學(xué)元件，其限定部分相干性(表示為o)并且可以包括具體的源成形光學(xué)元件14、16a和16b;掩?；蜓谀０?8;和投影光學(xué)元件16c，其在晶片平面22上制造所述掩模版圖案的圖像。在光瞳面處的可調(diào)節(jié)的濾光片或孔20可以限制照射到晶片平面22上的束角度的范圍，其中最大的可能角度限定所述投影光學(xué)元件的數(shù)值孔徑NA=Sin(max)。在光刻模擬系統(tǒng)中，例如，這些主要系統(tǒng)部件可以通過(guò)如圖2示出的分離的功能模塊進(jìn)行描述。參照?qǐng)D2，功能模塊包括設(shè)計(jì)布局模塊26，其限定目標(biāo)設(shè)計(jì)；掩模布局模塊28，其限定將要用于成像過(guò)程的掩模；掩模模型模塊30，其限定將要在模擬過(guò)程中應(yīng)用的掩模布局的模型；光學(xué)模型模塊32，其限定光刻系統(tǒng)的光學(xué)部件的性能；以及抗蝕劑模型模塊34，其限定在給定過(guò)程中使用的抗蝕劑的性能。正如所知的，模擬過(guò)程的結(jié)果形成(例如)最終模塊36中的預(yù)測(cè)的輪廓和CD。更具體地，注意到照射和投影光學(xué)元件的特性在光學(xué)模型32中被獲取，光學(xué)模型32中包括NA-西格馬(o)設(shè)定以及任何特定的照射源形狀，其中o(或西格馬)是照射器的外部徑向范圍，但不限于此。涂覆在襯底上的光致抗蝕劑層的光學(xué)特性(也就是折射率、薄膜厚度、傳播和偏振效應(yīng))也可以作為光學(xué)模型32的部分被獲取。掩模模型30獲取掩模版的設(shè)計(jì)特征并且還可以包括掩模的詳細(xì)物理性質(zhì)的表示，如(例如)在共同未決的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第11/530，402(P-2792)號(hào)中所述的。最終，抗蝕劑模型34描述在抗蝕劑曝光、PEB以及顯影期間發(fā)生的化學(xué)過(guò)程的效果，以便預(yù)測(cè)例如形成在襯底晶片上的抗蝕劑特征的輪廓。模擬的目的是精確地預(yù)測(cè)例如邊緣位置、CD等，這些可以隨后與目標(biāo)設(shè)計(jì)進(jìn)行比較。通常，目標(biāo)設(shè)計(jì)被限定為預(yù)OPC掩模布局，并且以例如GDSII或OASIS的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字文9件格式提供。通常，光學(xué)模型和抗蝕劑模型之間的聯(lián)系是抗蝕劑層中模擬的空間圖像(aerialimage)，其由光到襯底上的投影、抗蝕劑界面上的折射以及抗蝕劑薄膜疊層中的多次反射引起。光強(qiáng)度分布("空間圖像")通過(guò)光子吸收被轉(zhuǎn)變?yōu)闈撛诘?抗蝕劑圖像"，該"抗蝕劑圖像"通過(guò)擴(kuò)散過(guò)程和各種負(fù)載效應(yīng)進(jìn)一步修正。通過(guò)二維空間圖像(和抗蝕劑)圖像，利用對(duì)全芯片應(yīng)用足夠快的有效的模擬方法近似抗蝕劑疊層中實(shí)際的三維強(qiáng)度分布。因此，CL模型公式被用于描述已知的物理和化學(xué)特性，模型參數(shù)中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)于獨(dú)特的物理或化學(xué)作用，模型公式設(shè)定上邊界，其體現(xiàn)校準(zhǔn)的模型可以多好地描述實(shí)際。本發(fā)明的發(fā)明人認(rèn)識(shí)到優(yōu)選的測(cè)試圖案選擇結(jié)果(即"圖案覆蓋率")因此應(yīng)當(dāng)能夠在模型公式中激發(fā)所有已知的物理和化學(xué)特性，從而確保用于測(cè)試圖案的晶片數(shù)據(jù)可以將模型校準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)成優(yōu)化參數(shù)值，該優(yōu)化參數(shù)值實(shí)現(xiàn)了由公式施加的上邊界。圖案選擇不會(huì)改變包含在模型中的物理和化學(xué)作用，但優(yōu)選地應(yīng)當(dāng)有助于最大化地激發(fā)這些作用，使得它們?cè)谔囟ǖ墓鈱W(xué)過(guò)程中表明自身的程度可以基于用于已選擇的測(cè)試圖案的晶片測(cè)量值進(jìn)行有效地識(shí)別。更具體地，圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的方面的測(cè)試圖案選擇方法如何用于校準(zhǔn)提供精確和有效的CL結(jié)果的模型中的例子的流程圖。上文概括地提及的和下文將更加詳細(xì)地描述的本發(fā)明包括從一組測(cè)試度量302中選擇測(cè)試圖案304。測(cè)試圖案304通過(guò)使用已選擇的測(cè)試圖案304提供了用于實(shí)際曝光和晶片測(cè)量的度量目標(biāo)306，其反過(guò)來(lái)用于校準(zhǔn)用于進(jìn)行曝光的光刻過(guò)程的模型308。已校準(zhǔn)的模型308提供模型參數(shù)310，度量目標(biāo)306的固有的測(cè)量不確定性導(dǎo)致相關(guān)的參數(shù)的置信區(qū)間312(在下文將被進(jìn)一步地詳細(xì)描述)。模型參數(shù)310與產(chǎn)品器件314—起使用，經(jīng)由如由上所述的這樣的CL技術(shù)來(lái)進(jìn)行圖案模擬316。在模擬程序316中，模型參數(shù)的置信區(qū)間312將自身體現(xiàn)在全芯片CD置信區(qū)間318(在下文將更詳細(xì)地進(jìn)行描述)中。使用上述的方法，本發(fā)明的通常的方面是如在下文將更加詳細(xì)的描述的在步驟304中從測(cè)試圖案池302中選出一組優(yōu)化的測(cè)試圖案。根據(jù)一個(gè)方面，圖案被選擇使每個(gè)測(cè)試圖案對(duì)一個(gè)或更多個(gè)特定的模型參數(shù)310非常敏感，即參數(shù)的小的變化應(yīng)當(dāng)能夠在圖案的晶片CD上引起具有良好的信噪比的可觀察到的變化。圖案還被選擇使得不同的模型參數(shù)的作用可以被清楚地區(qū)別。對(duì)模型參數(shù)310具有類(lèi)似的靈敏度的圖案被識(shí)別、分組和選擇，使得選擇結(jié)果中不包含非必需的測(cè)試圖案重復(fù)。通過(guò)獲得上述的選擇，最小的可能的一組測(cè)試圖案被識(shí)別，其對(duì)獨(dú)立參數(shù)中的每一個(gè)具有高的靈敏度和在不同的模型參數(shù)310的貢獻(xiàn)之間有清晰的區(qū)別。本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)辨別了許多數(shù)學(xué)方法，其單獨(dú)或以各種組合的方式可應(yīng)用于圖案304的選擇，以?xún)?yōu)化圖案覆蓋率。第一種方法是對(duì)每個(gè)獨(dú)立參數(shù)310獲得最大靈敏度。更具體地，在其光學(xué)參數(shù)來(lái)自于掃描器設(shè)定和抗蝕劑參數(shù)來(lái)自第一估計(jì)的"名義"CL模型的附近區(qū)域中，被定義為"S^T的測(cè)試圖案CD對(duì)模型參數(shù)的"靈敏度"可以始終假定相對(duì)于每個(gè)參數(shù)對(duì)于每個(gè)測(cè)試圖案302來(lái)說(shuō)是常數(shù)。之后，最直接的方法是為每個(gè)單獨(dú)的模型參數(shù)選擇對(duì)參數(shù)具有最大的靈敏度的測(cè)試圖案。這種方法的一個(gè)問(wèn)題是它不能確保分離不同參數(shù)的影響，即同一組圖案可能對(duì)兩個(gè)或更多個(gè)參數(shù)敏感，但不能唯一確定那一個(gè)參數(shù)或那一參數(shù)組合實(shí)際導(dǎo)致了晶片的CD變化。這種情形被稱(chēng)作為參數(shù)之間的"簡(jiǎn)并"另一方法是獲得最大的封閉體積(enclosedvolume)。這種方法還可被描述成"靈敏度空間中的封閉體積最大化"。通過(guò)Spg(p=l...P，g=l...G)表示圖案g對(duì)模型參數(shù)P的靈敏度。假定P維靈敏度空間中的標(biāo)示位置(Plot)對(duì)第p個(gè)軸線上的第g個(gè)點(diǎn)具有坐標(biāo)Spg，在所述P維靈敏度空間中，每個(gè)點(diǎn)是一個(gè)預(yù)期的測(cè)試圖案。對(duì)于給定的目標(biāo)數(shù)量為N個(gè)的已選擇的圖案，我們?cè)O(shè)法找到導(dǎo)致了靈敏度空間中的最大的封閉體積的N個(gè)圖案的組。這種方法避免了簡(jiǎn)并，因?yàn)楹?jiǎn)并將導(dǎo)致小的封閉體積。僅有這個(gè)構(gòu)思并不會(huì)產(chǎn)生用于找到能夠?qū)崿F(xiàn)這種最大化的圖案的具體程序。下一個(gè)方法是在靈敏度矩陣Spg上進(jìn)行主分量分析(PCA)。在這種數(shù)學(xué)上嚴(yán)密的方法中，矩陣的主分量是捕獲了靈敏度最大變化的P維空間中的方向，這些方向彼此正交(垂直)。于是，最大靈敏度要求和最小簡(jiǎn)并要求可以同時(shí)被滿足。所述下一個(gè)方法是找到模型參數(shù)的置信區(qū)域312:如果期望將價(jià)值函數(shù)設(shè)計(jì)成優(yōu)化目標(biāo)，合乎自然規(guī)則的選擇是使用模型參數(shù)的置信區(qū)域，該置信區(qū)域可以被計(jì)算為用于最小二乘優(yōu)化的法方程中的協(xié)方差矩陣的逆矩陣的跡(trace)(即矩陣中主對(duì)角線元素之和)(參見(jiàn)下文對(duì)數(shù)學(xué)公式的描述)。這種置信區(qū)域的最小化等同于靈敏度空間中的封閉體積的最大化。但是一些限制將需要處理模型參數(shù)之間的相互作用，由于它們具有不同的單位，通常不期望的是單位的選擇可能導(dǎo)致一些參數(shù)在圖案選擇中比另外的參數(shù)優(yōu)越。下一個(gè)方法是發(fā)現(xiàn)預(yù)測(cè)測(cè)試圖案CD的置信區(qū)域318。為了處置所述處理具有不同單位的模型參數(shù)的問(wèn)題，算法計(jì)算出模型參數(shù)的不確定性和模擬它們對(duì)CD預(yù)測(cè)不確定性的影響。對(duì)所述問(wèn)題進(jìn)行說(shuō)明如下在G個(gè)測(cè)試圖案的候選池中找到一組N個(gè)測(cè)試圖案，其最小化了相對(duì)于圖案的目標(biāo)組的CD預(yù)測(cè)的誤差平方和(sum-of-squared-errors)的不確定性，所述圖案的目標(biāo)組可以是圖案池G自身或來(lái)自實(shí)際產(chǎn)品布局的另一圖案池，如從模型參數(shù)的置信區(qū)域所估計(jì)的。現(xiàn)在將更加詳細(xì)地對(duì)根據(jù)本發(fā)明的方面的上述提及的基于置信區(qū)域(例如312和318)的價(jià)值函數(shù)的數(shù)學(xué)公式的特定方面進(jìn)行描述。由p來(lái)描述光刻過(guò)程中的實(shí)際的物理和化學(xué)特性，而m是過(guò)程的名義模型描述。另外，由PP和Pm表示物理參數(shù)和名義模型參數(shù)，使用公共的參數(shù)下標(biāo)j來(lái)表示實(shí)際參數(shù)Ppj和名義模型參數(shù)Pmj之間的概念上的對(duì)應(yīng)關(guān)系。由CD表示候選測(cè)試圖案組，從其中為實(shí)際的模型校準(zhǔn)選擇圖案的優(yōu)化的次組；由CDp表示這些圖案的測(cè)量值的組，CDm表示相同的圖案的名義模型預(yù)測(cè)組。之后，模型校準(zhǔn)的任務(wù)將是根據(jù)輸入來(lái)確定Ppj、給定的Pmj、CDp和CDm。對(duì)于其名義值可從掃描器設(shè)定獲取的光學(xué)模型參數(shù)，以及對(duì)于其有合理的第一估計(jì)的抗蝕劑模型參數(shù)，物理參數(shù)PP和名義模型參數(shù)Pm彼此足夠接近，使得線性公式適合于參數(shù)空間中的小的附近區(qū)域，所述參數(shù)空間覆蓋了Pp和Pm。在這個(gè)公式中，CDm相對(duì)于Pj的第一階導(dǎo)數(shù)或"線性靈敏度"用于展開(kāi)考慮到的小的鄰近區(qū)域中的全模型。模擬的圖案靈敏度定義為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>模型校準(zhǔn)的任務(wù)變成確定pp,j-Pm,j。圖案選擇程序?qū)⒒谶@種靈敏度矩陣Sm，其是G乘P矩陣。假定為了圖案選擇的目的，根據(jù)合理的精確的初始模型m計(jì)算的靈敏度矩陣將是足夠的。在下述的討論中，對(duì)靈敏度矩陣來(lái)說(shuō)下標(biāo)m將被省略。從線性化的模型校準(zhǔn)等式CDp,i-CDm,i=EiSij(Pp,j-Pm,j)開(kāi)始，這通常是超定的等式和PP,j是在最小二乘意義下擬合的。考慮到晶片測(cè)量值CDp,i具有固有的不確定性(由oi來(lái)表示)的這樣的事實(shí)，等式可以重寫(xiě)成矩陣形式Ax=b和使用法方程公式(ATA)x=ATb來(lái)求解，其中，A".=。i，Xj=pp,rpm,j，bi=(CDP,i-CDm,》/。it)其中，矩陣A是"歸一化的"靈敏度矩陣(即具有考慮到的度量不確定性)。應(yīng)當(dāng)注意到，在圖案選擇算法的一些實(shí)施方式中，實(shí)際的晶片測(cè)量的不確定性oi在圖案選擇階段是未知的，但通過(guò)模型模擬可以獲得它們的相對(duì)值的合理的估計(jì)。對(duì)可以利用晶片測(cè)量數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)組的研究已經(jīng)顯示，在測(cè)量的不確定性和在測(cè)試圖案的輪廓點(diǎn)上估計(jì)的圖像對(duì)數(shù)斜率(ILS)值的倒數(shù)之間存在線性相關(guān)，其被定義為11^=^~，其中，AIAI是由模型所模擬的空間圖像，該模型使用從掃描器設(shè)定獲取的名義光學(xué)參數(shù)值，和x是沿CD測(cè)量的方向。這種直觀的解釋是ILS值越小，成像的對(duì)比度越小，因此，在晶片印刷和晶片測(cè)量上的變化越大。因此，下文詳細(xì)描述的一些實(shí)施例中的實(shí)施方式中，由此模擬的ILS的倒數(shù)值可以用作為對(duì)晶片測(cè)量不確定性的估計(jì)。協(xié)方差矩陣Ce[ATA]-1與被估計(jì)的參數(shù)x的可能的或標(biāo)準(zhǔn)的不確定性密切相關(guān)，其中，它是x的協(xié)方差矩陣o2(Xj)=Cjj，Cov(Xj，xk)=Cjk參見(jiàn)，例如"NumericalRecipesinC，TheArtofScientificComputing,，，2nded.，W.H.Press,S.A.Teukolsky，W.T.Vetterling，禾口B.P.Fla皿ery，Chap.15，CambridgeUniversityPress,1992。參數(shù)的置信區(qū)域312可源自于協(xié)方差矩陣。如果選擇以特定的置信水平最小化這種置信區(qū)域312的"尺寸"(定義為置信橢圓體的均方的主軸尺寸的和，或獨(dú)立參數(shù)的均方的不確定性水平之和)，這種價(jià)值函數(shù)實(shí)際上將等于矩陣C的跡。上文的價(jià)值函數(shù)定義由于參數(shù)單位的人為的選擇(artificialchoice)包含不期望的任意性。避免這種問(wèn)題的一種替代是將參數(shù)對(duì)CD預(yù)測(cè)誤差的估計(jì)的協(xié)方差矩陣在較大的圖案空間上投影，和將對(duì)于所有的圖案CD預(yù)測(cè)318的誤差平方和用作價(jià)值函數(shù)。實(shí)踐中，代表性的圖案的預(yù)定的組可以用于模仿全芯片圖案行為。如果"全芯片"圖案組具有靈敏度矩陣S，這這種更新的價(jià)值函數(shù)將采用下述的形式』:2(^)=，^]——，[ATAI_^]這個(gè)函雖最小化將用于在我們最終的實(shí)p3ttemset施方式中推動(dòng)圖案選擇。為了實(shí)現(xiàn)上述的價(jià)值函數(shù)的最小化，本發(fā)明的實(shí)施例在全芯片靈敏度矩陣S上進(jìn)行主分量分析，沿S中最大變化分布的方向在P維靈敏度空間中識(shí)別所述方向。其靈敏度與這些主方向在最大程度上對(duì)齊的候選圖案池中的測(cè)試圖案302被搜索和識(shí)別，因?yàn)樗鼈儗⒆钣行У販p小價(jià)值函數(shù)。圖4是示例性的逐步的實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的方面的圖案選擇方法的流程圖。在步驟402中，模型參數(shù)的適當(dāng)?shù)某跏脊烙?jì)通過(guò)使用例如機(jī)器設(shè)定數(shù)據(jù)、工具上的度量數(shù)據(jù)和工具設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的任意組合來(lái)產(chǎn)生。在步驟404中，表示其上使用了CL模型的產(chǎn)品中的圖案多樣性的"全芯片"圖案組也被形成池。在步驟406中，基于這種初始的模型估計(jì)，候選圖案和"全芯片"圖案對(duì)在校準(zhǔn)過(guò)程期間將被校準(zhǔn)的模型參數(shù)中的每一個(gè)的靈敏度被計(jì)算。這導(dǎo)致全芯片圖案組的靈敏度矩陣S和候選圖案組的歸一化靈敏度矩陣A(步驟408)。每個(gè)靈敏度矩陣還可被形象化為P維靈敏度空間中的靈敏度"云"，每個(gè)測(cè)試圖案對(duì)應(yīng)于一個(gè)點(diǎn)，其坐標(biāo)是測(cè)試圖案對(duì)參數(shù)的靈敏度。因此，下述的討論有時(shí)可交替地使用術(shù)語(yǔ)"靈敏度矩陣"和"靈敏度云"。在步驟410和412中，在全芯片圖案組的靈敏度云S中的點(diǎn)上進(jìn)行PCA。更具體地，計(jì)算捕獲最大靈敏度變化的主分量以及它們對(duì)整個(gè)靈敏度變化的各自貢獻(xiàn)(其還是靈敏度矩陣的奇異值分解中的奇異向量和奇異值)。在步驟414中，在歸一化的候選圖案組A中的每個(gè)靈敏度點(diǎn)被投影到在之前的步驟中由PCA定義的新的坐標(biāo)系統(tǒng)上，其中每個(gè)軸線與S的主分量(奇異向量)中的一個(gè)的方向?qū)R。對(duì)應(yīng)的奇異值的平方根用作為每個(gè)軸線的比例因子，使得沿其存在有更大的靈敏度變化的方向接收選擇程序中的更高的優(yōu)先級(jí)。這導(dǎo)致在由PCA定義的坐標(biāo)系統(tǒng)中的候選圖案組的"歸一化"靈敏度云(步驟416)。在步驟418中，具有最大的總的(加權(quán)的)靈敏度(S卩，具有到原點(diǎn)的最大的歐幾里德距離)的圖案，被從步驟416中確定的歸一化的靈敏度云中識(shí)別出來(lái)。在步驟420中，這種圖案被增加到已選擇的圖案組中，通過(guò)移除已選擇的測(cè)試圖案的靈敏度方向，將靈敏度空間減小至較小的尺寸?；蛘哒f(shuō)，在候選的圖案池中的所有的另外的靈敏度向量相對(duì)于已選擇的方向進(jìn)行正交化。在步驟422中，對(duì)圖案組中的剩余部分重復(fù)步驟418至420，直到靈敏度空間的維度被完全用盡(exhausted)。在這點(diǎn)上，所述過(guò)程實(shí)現(xiàn)了對(duì)每個(gè)參數(shù)的覆蓋，S卩，沒(méi)有參數(shù)在模型校準(zhǔn)階段未被限制。在度量時(shí)間極限內(nèi)，將期望包括更多的圖案來(lái)提高覆蓋度。因此，如在步驟424和426中所示的，對(duì)剩余的G_P候選圖案組第二次重復(fù)步驟412至418，直到參數(shù)空間的維度再次被用盡為止，我們選擇了另外的P圖案組。在步驟426中所述過(guò)程可以被反復(fù)重復(fù)，直到候選圖案池被用盡。此時(shí)，在步驟428中，就它們的模型校準(zhǔn)的有效性而言，所述過(guò)程已經(jīng)產(chǎn)生所有初始的G個(gè)候選圖案的等級(jí)次序(rank-order)。這種等級(jí)次序列表在N個(gè)圖案的期望的目標(biāo)處被截取。在步驟430中，在全芯片圖案的預(yù)測(cè)上的得到的置信區(qū)間用于在步驟432中監(jiān)測(cè)選擇程序和提供測(cè)試圖案的已選擇組的估計(jì)的性能。如圖5A和5B所示，本發(fā)明的發(fā)明人首先驗(yàn)證了上述的線性假設(shè)，其成為根據(jù)本發(fā)明的方面的方法的形式數(shù)學(xué)的基礎(chǔ)。圖5A顯示出以170nm節(jié)距成像在ASML掃描器XT:1400上的100nm線在oimCT(左)的變化下的線性，圖5B顯示出以170nm節(jié)距成像在ASML掃描器XT:1400上的100nm線的在。。u^(右)的變化下的線性。如從圖5A和5B所示，在這種情形中，在所考慮的小的鄰近區(qū)域中的響應(yīng)實(shí)際上足夠線性。作為第二步驟，本發(fā)明的發(fā)明人在稱(chēng)作Proxi45的ASML測(cè)試掩模的上的3500個(gè)圖案的全組進(jìn)行靈敏度矩陣的PCA分析，該全組可用作候選圖案池。下文中表l給出了結(jié)果，其中，每行是靈敏度空間中的主方向，每欄是對(duì)特定的CL模型參數(shù)(例如，NA、o中心、o寬度、Rx、劑量、橢圓率等)的靈敏度，其對(duì)整個(gè)靈敏度變化的貢獻(xiàn)(還稱(chēng)作為"奇異值")列在最后一欄中。表<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>應(yīng)用上述的程序，我們從圖案池中選出具有不同圖案數(shù)量的幾組測(cè)試圖案，通過(guò)計(jì)算全芯片圖案組的預(yù)測(cè)的誤差平方和來(lái)進(jìn)行估計(jì)它們的性能，在這種情形中，其是來(lái)自Proxi45掩模版的相同的3500個(gè)圖案。在圖6A中顯示出得到的性能。為了比較，圖6B顯示出使用相同的全芯片CD預(yù)測(cè)度量的根據(jù)本發(fā)明的算法獲得的圖案選擇結(jié)果與更傳統(tǒng)的圖案選擇("控制組")的性能的比較。如圖所示，根據(jù)本發(fā)明進(jìn)行選擇的圖案組在抑制模型校準(zhǔn)參數(shù)方面基本上更好地進(jìn)行，以便在使用所形成的模型時(shí)快速地最小化全芯片圖案組的CD上的預(yù)測(cè)不確定性。本申請(qǐng)的創(chuàng)新對(duì)下述領(lǐng)域具有可應(yīng)用性，但不限于此遵循線性公式的或可以被線性地展開(kāi)的任意CL模型的校準(zhǔn)；具體地，用于掃描器匹配的微分模型的校準(zhǔn)，即在對(duì)參考掃描器已經(jīng)有全校準(zhǔn)的基線模型時(shí)，基于這些掃描器的晶片測(cè)量，對(duì)獨(dú)立的掃描器的模型的精細(xì)調(diào)整；和在采用多個(gè)抗蝕劑項(xiàng)的總和形式的線性抗蝕劑模型中的抗蝕劑參數(shù)的校準(zhǔn)。另外，雖然在模型校準(zhǔn)的示例性應(yīng)用中對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明的方面可以在抗蝕劑模型化、微分光學(xué)模型化和選擇模型形式中應(yīng)用于獨(dú)立項(xiàng)。圖7是示出能輔助具體化和/或?qū)崿F(xiàn)這里公開(kāi)的圖案選擇方法的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100的示例性方框圖。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100包括用于通信信息的總線102或其它通信機(jī)構(gòu)，以及與總線102耦合的用于處理信息的處理器104。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100還包括耦合至總線102、用于存儲(chǔ)由處理器104執(zhí)行的指令和信息的主存儲(chǔ)器106，例如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)或其它動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)裝置。主存儲(chǔ)器106也可用來(lái)存儲(chǔ)在將由處理器104執(zhí)行的指令的執(zhí)行期間的臨時(shí)變量或其它中間信息。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100還包括用來(lái)存儲(chǔ)用于處理器104的指令和靜態(tài)信息的、耦合至總線102的只讀存儲(chǔ)器(ROM)108或其它靜態(tài)存儲(chǔ)裝置。提供有存儲(chǔ)裝置110，如磁盤(pán)或光盤(pán)，并將其耦合至總線102，以用來(lái)存儲(chǔ)信息和指令。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100可通過(guò)總線102耦合至顯示器112，例如用來(lái)顯示信息給計(jì)算機(jī)用戶的陰極射線管(CRT)或平板或觸摸板顯示器。包括字母數(shù)字鍵和其它鍵的輸入裝置114耦合至總線102，用于對(duì)處理器104進(jìn)行信息和命令選擇通信。另一種類(lèi)型的用戶輸入裝置是光標(biāo)控制器116(如鼠標(biāo)、軌跡球或光標(biāo)方向鍵)，用于與處理器104進(jìn)行方向信息和命令選擇通信并用于控制光標(biāo)在顯示器112上的移動(dòng)。這種輸入裝置通常在兩個(gè)軸線(第一軸線(如x)和第二軸線(如y))上具有兩個(gè)自由度，這允許所述裝置指定平面上的位置。觸摸板(顯示屏)顯示器也可用作輸入裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，可響應(yīng)于用于執(zhí)行包含在主存儲(chǔ)器106中的一個(gè)或多個(gè)指令的一個(gè)或多個(gè)序列的處理器104，由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)IOO執(zhí)行模擬過(guò)程的部分。這樣的指令可從另一計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)(如存儲(chǔ)裝置110)讀入到主存儲(chǔ)器106中。包含在主存儲(chǔ)器106中的指令序列的執(zhí)行使得處理器104執(zhí)行這里所述的過(guò)程步驟。還可以采用多處理布置中的一個(gè)或多個(gè)處理器以執(zhí)行包含在主存儲(chǔ)器106中的指令序列。在可替代的實(shí)施例中，硬連線的(hardwired)電路可代替軟件指令或與軟件指令結(jié)合使用以實(shí)施本發(fā)明。因此，本發(fā)明的實(shí)施例并不限于任何特定的硬件電路和軟件的組合。這里使用的術(shù)語(yǔ)"計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)"涉及能參與向處理器104提供指令用于執(zhí)行的命令的任何介質(zhì)。這樣的介質(zhì)可采用多種形式，包括但不限于，非易失性介質(zhì)、易失性介質(zhì)和傳輸介質(zhì)。非易失性介質(zhì)包括(例如)光盤(pán)或磁盤(pán)，如存儲(chǔ)裝置IIO。易失性介質(zhì)包括動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器，例如主存儲(chǔ)器106。傳輸介質(zhì)包括同軸電纜、銅線和光纖，包括包含總線102的導(dǎo)線。傳輸介質(zhì)也可采用聲波或光波形式，例如在射頻(RF)和紅外(IR)輻射數(shù)據(jù)通信過(guò)程中產(chǎn)生的聲波或光波。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的一般形式包括(例如)軟盤(pán)、軟碟、硬盤(pán)、磁帶，任何其它磁性介質(zhì)，CD-ROM、DVD，任何其它光介質(zhì)，穿孔卡片、紙帶，任何其它具有孔圖案的物理介質(zhì)，RAM、PROM和EPROM、FLASH-EPROM，任何其它存儲(chǔ)器芯片或卡帶，如下文所描述的載波，或其它任何計(jì)算機(jī)可讀取的介質(zhì)。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的各種形式可以涉及將一個(gè)或多個(gè)指令的一個(gè)或多個(gè)序列傳送至處理器104以便執(zhí)行。例如，指令可能最初存在于遠(yuǎn)端計(jì)算機(jī)的磁盤(pán)上。遠(yuǎn)端計(jì)算機(jī)可將指令加載到其動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中并采用調(diào)制解調(diào)器經(jīng)由電話線發(fā)送指令。位于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100本地的調(diào)制解調(diào)器可接收電話線上的數(shù)據(jù)并利用紅外發(fā)送器將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成紅外信號(hào)。耦合到總線102的紅外檢測(cè)器可接收加載在紅外信號(hào)中的數(shù)據(jù)并將數(shù)據(jù)置于總線102上?？偩€102將數(shù)據(jù)傳送到主存儲(chǔ)器106，處理器104從主存儲(chǔ)器106中獲取并執(zhí)行指令。被主存儲(chǔ)器106接收的指令在其被處理器104執(zhí)行之前或之后可選擇地存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置110上。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100還優(yōu)選地包括耦合到總線102的通信接口118。通信接口118提供耦合至連接到局域網(wǎng)122的網(wǎng)絡(luò)鏈接120的雙向數(shù)據(jù)通信。例如，通信接口118可以是用以提供至相應(yīng)類(lèi)型電話線的數(shù)據(jù)通信連接的綜合服務(wù)數(shù)字網(wǎng)(ISDN)卡或調(diào)制解調(diào)器。作為另一示例，通信接口118可以是用以提供至可兼容的LAN的數(shù)據(jù)通信連接的局域網(wǎng)(LAN)卡。也可采用無(wú)線鏈接。在任何這樣的實(shí)施方式中，通信接口118發(fā)送并接收攜帶表示各種類(lèi)型信息的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)流的電學(xué)的、電磁的或光學(xué)的信號(hào)。網(wǎng)絡(luò)鏈接120通常通過(guò)一個(gè)或多個(gè)網(wǎng)絡(luò)向其它數(shù)據(jù)裝置提供數(shù)據(jù)通信。例如，網(wǎng)絡(luò)鏈接120可提供通過(guò)局域網(wǎng)122到主機(jī)124的連接或到由互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)提供商(ISP)126運(yùn)行的數(shù)據(jù)設(shè)備的連接。ISP126則反過(guò)來(lái)通過(guò)如今通常稱(chēng)為"互聯(lián)網(wǎng)"128的全球分組數(shù)據(jù)通信網(wǎng)絡(luò)提供數(shù)據(jù)通信服務(wù)。局域網(wǎng)122和互聯(lián)網(wǎng)128都采用攜帶數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)流的電學(xué)的、電磁的或光學(xué)的信號(hào)。通過(guò)各種網(wǎng)絡(luò)的信號(hào)和網(wǎng)絡(luò)鏈接120上的并通過(guò)通信接口118的信號(hào)，是傳輸信息的載波的示例性形式，其中通信接口118向計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100加載數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)和從計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100獲取數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100可通過(guò)網(wǎng)絡(luò)、網(wǎng)絡(luò)鏈接120和通信接口118發(fā)送信息并接收數(shù)據(jù)，包括程序代碼。在互聯(lián)網(wǎng)示例中，服務(wù)器130可通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)128、ISP126、局域網(wǎng)122和通信接口118發(fā)送應(yīng)用程序所需要的代碼。根據(jù)本發(fā)明，例如，一種下載的應(yīng)用提供實(shí)施例的測(cè)試圖案選擇。接收到的代碼當(dāng)其被接收時(shí)可通過(guò)處理器104來(lái)執(zhí)行，和/或存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置IIO或其它非易失性存儲(chǔ)器中用于后續(xù)執(zhí)行。以這種方式，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)IOO可獲得載波形式的應(yīng)用代碼。圖8示意地描述其性能可采用計(jì)算光刻術(shù)模型進(jìn)行模擬和/或優(yōu)化的示例性光刻投影設(shè)備，所述計(jì)算光刻術(shù)模型采用本發(fā)明的測(cè)試圖案選擇過(guò)程進(jìn)行校準(zhǔn)。所述設(shè)備包括-輻射系統(tǒng)Ex、IL，其用于提供投影輻射束PB。在這個(gè)特定情形中，輻射系統(tǒng)還包括輻射源LA;-第一載物臺(tái)(掩模臺(tái))MT，其設(shè)置有用于保持掩模MA(如掩模版)的掩模保持裝置，并連接到用以相對(duì)于投影系統(tǒng)PL精確定位掩模的第一定位裝置；-第二載物臺(tái)(襯底臺(tái))WT，其設(shè)置有用于保持襯底W(如涂覆有抗蝕劑的硅晶片)的襯底保持裝置，并連接到用以相對(duì)于投影系統(tǒng)PL精確定位襯底的第二定位裝置；-投影系統(tǒng)("透鏡")PL(如折射式的、反射式的或反射折射式的光學(xué)系統(tǒng))，其用于將掩模MA的被輻射部分成像到襯底W的目標(biāo)部分C(如包括一個(gè)或多個(gè)管芯)上。如這里描述的，該設(shè)備是反射型的(也就是具有反射式掩模)。然而，通常，例如，它也可是透射型的(具有透射式掩模)?？蛇x地，該設(shè)備可采用另一種圖案形成裝置作為掩模使用的替換；示例包括可編程反射鏡陣列或LCD矩陣。源LA(例如汞燈或準(zhǔn)分子激光器)產(chǎn)生輻射束。例如，該束直接地或在穿過(guò)諸如擴(kuò)束器Ex的調(diào)節(jié)裝置之后，進(jìn)入照射系統(tǒng)(照射器)IL。照射器IL可包括用于設(shè)定所述束中的強(qiáng)度分布的外部和/或內(nèi)部徑向范圍(通常分別稱(chēng)為o-外部和o-內(nèi)部)的調(diào)整裝置AM。此外，它通常包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO。以這種方式，照射到掩模MA上的束PB在其橫截面上具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。應(yīng)當(dāng)注意到，關(guān)于圖8，源LA可位于光刻投影設(shè)備的殼體內(nèi)(例如，當(dāng)源LA是汞燈時(shí)，通常是這種情況)，但它也可遠(yuǎn)離光刻投影設(shè)備，源LA產(chǎn)生的輻射束被引導(dǎo)進(jìn)入所述設(shè)備(如通過(guò)合適的定向反射鏡的幫助)；當(dāng)源LA是準(zhǔn)分子激光器(如基于KrF、ArF或F2產(chǎn)生激光)時(shí)，通常是后面的這種情況。本發(fā)明至少包含這些情形中的這兩者。束PB隨后與保持在掩模臺(tái)MT上的掩模MA相交。在穿過(guò)掩模MA后，束PB穿過(guò)透鏡PL，該透鏡PL將束PB聚焦到襯底W的目標(biāo)部分C上。在第二定位裝置(和干涉測(cè)量裝置IF)的幫助下，襯底臺(tái)WT可以被精確地移動(dòng)以便(例如)將不同目標(biāo)部分C定位于束PB的路徑中。類(lèi)似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取掩模MA之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置用于相對(duì)于所述束PB的路徑精確地定位所述掩模MA。通常，可以通過(guò)圖8中未明確示出的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)載物臺(tái)MT、WT的移動(dòng)。然而，在晶片步進(jìn)機(jī)(與步進(jìn)掃描工具相反)的情形中，掩模臺(tái)MT可僅連接到短行程致動(dòng)器，或可以是固定的。所述的工具可以在兩種不同的模式中使用-在步進(jìn)模式中，將掩模臺(tái)MT保持基本靜止，并且將整個(gè)掩模圖像一次投影(即，單一的"閃")到目標(biāo)部分C上。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以用所述束PB輻射不同的目標(biāo)部分C;-在掃描模式中，基本上使用相同的情形，除非給定目標(biāo)部分C不在單一"閃"中曝光。替代地，掩模臺(tái)MT在給定方向(所謂"掃描方向"，如y方向)上是可移動(dòng)的，并具有速度v，以使得投影束PB掃描掩模圖像；同時(shí)，襯底臺(tái)WT沿相同或相反的方向以速度V=Mv同步地移動(dòng)，其中M是透鏡PL的放大倍數(shù)(通常，M二1/4或1/5)。以這種方式，在不必犧牲分辨率的情況下，可以曝光相對(duì)大的目標(biāo)部分C。在此公開(kāi)的構(gòu)思可模擬或數(shù)學(xué)模型化任何用于對(duì)亞波長(zhǎng)特征成像的一般性成像系統(tǒng)，并且可能在能夠產(chǎn)生越來(lái)越小的尺寸的波長(zhǎng)的新興的成像技術(shù)方面是特別有用的。已經(jīng)使用的新興技術(shù)包括能夠采用ArF激光器產(chǎn)生193nm波長(zhǎng)，甚至能夠采用氟激光器產(chǎn)生157nm波長(zhǎng)的EUV(極紫外)光刻術(shù)。而且，通過(guò)使用同步加速器或通過(guò)用高能電子撞擊材料(固態(tài)或等離子體)以便產(chǎn)生該范圍內(nèi)的光子，EUV光刻術(shù)能夠產(chǎn)生20-5nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)。因?yàn)榇蠖鄶?shù)材料在這個(gè)范圍內(nèi)是吸收性的，通過(guò)具有鉬和硅的多個(gè)疊層的反射鏡，可產(chǎn)生照射。多個(gè)疊層反射鏡具有40層成對(duì)的鉬和硅，其中每層的厚度是四分之一波長(zhǎng)。采用X-射線光刻術(shù)甚至可以產(chǎn)生更小的波長(zhǎng)。通常，同步加速器用來(lái)產(chǎn)生X-射線波長(zhǎng)。因?yàn)榇蠖鄶?shù)材料在X-射線波長(zhǎng)下是吸收性的，所以吸收材料的薄片限定哪些特征將印刷(正抗蝕劑)或?qū)⒉挥∷?負(fù)抗蝕劑)。雖然在此公開(kāi)的構(gòu)思可用于在襯底(如硅晶片)上成像，但是應(yīng)當(dāng)理解，所公開(kāi)的構(gòu)思可用于任何類(lèi)型的光刻成像系統(tǒng)，例如那些用來(lái)在除硅晶片之外的襯底上成像的系統(tǒng)。雖然已經(jīng)參考本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了特別地描述，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會(huì)易于明白在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的改變和修改。旨在隨附的權(quán)利要求包括這樣的變化和修改。1權(quán)利要求一種用于計(jì)算光刻術(shù)模型校準(zhǔn)的測(cè)試圖案選擇的方法，包括步驟識(shí)別候選的測(cè)試圖案池；識(shí)別光刻模型參數(shù)組；和自動(dòng)地從所述候選測(cè)試圖案池中選擇一組測(cè)試圖案，其能夠最有效地確定所述已識(shí)別的模型參數(shù)的優(yōu)化值。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述自動(dòng)選擇的步驟包括準(zhǔn)備對(duì)應(yīng)于所述已識(shí)別的測(cè)試圖案池和模型參數(shù)的靈敏度矩陣；使用所述靈敏度矩陣執(zhí)行計(jì)算，以確定所述已識(shí)別的測(cè)試圖案中的哪一個(gè)對(duì)已識(shí)別的模型參數(shù)具有最大的靈敏度；禾口將所述已確定的測(cè)試圖案添加到所述已選擇的測(cè)試圖案組。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括步驟重復(fù)所述執(zhí)行計(jì)算和添加步驟直到對(duì)應(yīng)于所有已識(shí)別的模型參數(shù)的測(cè)試圖案已經(jīng)添加到所述已選擇的測(cè)試圖案組。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述執(zhí)行計(jì)算的步驟包括對(duì)所述靈敏度矩陣進(jìn)行主分量分析。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述準(zhǔn)備所述靈敏度矩陣的步驟包括基于對(duì)應(yīng)于所述已識(shí)別的測(cè)試圖案池的模擬空間圖像來(lái)估計(jì)晶片測(cè)量的不確定性。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述準(zhǔn)備所述靈敏度矩陣的步驟包括基于包括所述已識(shí)別的測(cè)試圖案池的掩模和使用所述已識(shí)別的模型參數(shù)中的一些的名義值來(lái)模擬空間圖像。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述自動(dòng)選擇步驟包括最小化與模型精度相關(guān)的價(jià)值函數(shù)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述價(jià)值函數(shù)表示特定的圖案池的CD預(yù)測(cè)誤差，包括全芯片圖案組。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述已選擇的測(cè)試圖案組被選擇，以激發(fā)在所述光刻術(shù)模型的公式中的已知的物理和化學(xué)特性。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，對(duì)應(yīng)于所述已選擇的測(cè)試圖案的測(cè)量的晶片數(shù)據(jù)可以用于將所述模型校準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)成所述優(yōu)化參數(shù)值，以便實(shí)現(xiàn)由所述光刻術(shù)模型的公式施加的預(yù)測(cè)精度的上邊界。11.一種用于計(jì)算光刻術(shù)模型校準(zhǔn)的測(cè)試圖案選擇的方法，包括步驟準(zhǔn)備對(duì)應(yīng)于候選測(cè)試圖案池和一組模型參數(shù)的靈敏度矩陣；使用所述靈敏度矩陣來(lái)執(zhí)行計(jì)算；和基于所述計(jì)算從所述候選測(cè)試圖案池選擇一組測(cè)試圖案。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述選擇步驟包括識(shí)別所述候選測(cè)試圖案池中的哪一個(gè)對(duì)所述模型參數(shù)組中的一些具有最大的靈敏度；和將所述已識(shí)別的候選測(cè)試圖案添加到所述測(cè)試圖案組。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括步驟重復(fù)所述執(zhí)行計(jì)算的步驟、識(shí)別步驟和添加步驟，直到對(duì)應(yīng)全部所述模型參數(shù)組的測(cè)試圖案已經(jīng)添加到所述已選擇的測(cè)試圖案組為止。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述執(zhí)行計(jì)算的步驟包括對(duì)所述靈敏度矩陣進(jìn)行主分量分析。15.—種用于計(jì)算光刻術(shù)模型校準(zhǔn)的測(cè)試圖案選擇的方法，包括步驟開(kāi)發(fā)對(duì)應(yīng)于與光刻術(shù)模型的精度相關(guān)的價(jià)值函數(shù)的靈敏度矩陣，其中，所述靈敏度矩陣建立了候選測(cè)試圖案池和所述光刻術(shù)模型的一組參數(shù)之間的關(guān)系；禾口通過(guò)對(duì)所述靈敏度矩陣執(zhí)行計(jì)算來(lái)從所述候選測(cè)試圖案池中選擇一組測(cè)試圖案。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述選擇步驟包括使用所述計(jì)算的結(jié)果來(lái)確定所述已識(shí)別的測(cè)試圖案中的哪一個(gè)對(duì)已識(shí)別的模型參數(shù)具有最大的靈敏度；和將所述已確定的測(cè)試圖案添加到所述已選擇的測(cè)試圖案組。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括步驟重復(fù)所述執(zhí)行計(jì)算的步驟、確定測(cè)試圖案的步驟和添加測(cè)試圖案的步驟，直到對(duì)應(yīng)于全部所述模型參數(shù)組的測(cè)試圖案已經(jīng)添加到所述已選擇的測(cè)試圖案組為止。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述執(zhí)行計(jì)算的步驟包括對(duì)所述靈敏度矩陣進(jìn)行主分量分析。19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述選擇步驟被進(jìn)行，以便最小化所述價(jià)值函數(shù)。20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述價(jià)值函數(shù)表示包括全芯片圖案組的特定的圖案池的CD預(yù)測(cè)誤差。21.—種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括一個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀的儲(chǔ)存介質(zhì)，該儲(chǔ)存介質(zhì)具有使計(jì)算機(jī)選擇用于校準(zhǔn)計(jì)算光刻術(shù)模型的測(cè)試圖案的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行的指令，所述指令使所述計(jì)算機(jī)執(zhí)行一種方法，該方法包括步驟識(shí)別候選測(cè)試圖案池；識(shí)別光刻術(shù)模型參數(shù)組；和自動(dòng)地從所述候選測(cè)試圖案池選擇能夠最有效地確定所述已識(shí)別的模型參數(shù)的優(yōu)化值一組測(cè)試圖案。全文摘要本發(fā)明主要涉及用于光刻模型校準(zhǔn)的圖案選擇的方法和設(shè)備。根據(jù)一些方面，本發(fā)明的圖案選擇算法可以被應(yīng)用于任何已有的候選測(cè)試圖案池。根據(jù)一些方面，本發(fā)明自動(dòng)地選擇這些測(cè)試圖案，其能夠更有效地由已有的候選測(cè)試圖案池來(lái)確定優(yōu)化的模型參數(shù)值，如與設(shè)計(jì)優(yōu)化圖案相反。根據(jù)另外的方面，根據(jù)本發(fā)明的已選擇的測(cè)試圖案組能夠激發(fā)模型公式中的所有已知的物理和化學(xué)特性，確保測(cè)試圖案的晶片數(shù)據(jù)可以將模型校準(zhǔn)推動(dòng)成優(yōu)化的參數(shù)值，其實(shí)現(xiàn)了由模型公式施加的預(yù)測(cè)精度的上邊界。文檔編號(hào)G03F7/20GK101738871SQ20091021201公開(kāi)日2010年6月16日申請(qǐng)日期2009年11月6日優(yōu)先權(quán)日2008年11月10日發(fā)明者R·J·G·古森斯,葉軍,曹宇,邵文晉申請(qǐng)人:睿初科技公司