專利名稱：Tft陣列結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)，特別涉及TFT陣列結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
由于平板顯示裝置具有輕、薄、占地小、耗電小、輻射小等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng) 用于各種數(shù)據(jù)處理設(shè)備中，例如電視、筆記本電腦、移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理等。隨著 電子產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，平板顯示裝置的性能也越來(lái)越高。以常見的薄膜晶體管液晶顯示裝置(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)為例，其屬于有源矩陣液晶顯示器中的一種。TFT-LCD的主要特點(diǎn)是在每個(gè) 像素點(diǎn)中都配置一個(gè)半導(dǎo)體開關(guān)器件，每個(gè)像素點(diǎn)都是一個(gè)相互隔離的獨(dú)立的晶體管， 由于每個(gè)像素點(diǎn)都可以通過點(diǎn)脈沖直接控制，因而每個(gè)節(jié)點(diǎn)相對(duì)獨(dú)立，并可連續(xù)控制， 這樣不僅提高了反應(yīng)時(shí)間，同時(shí)在灰度控制上可以做到非常精確。為了有效地降低TFT-LCD的價(jià)格和提高其成品率，有源驅(qū)動(dòng)TFT陣列的制造 工藝逐步得到簡(jiǎn)化，從開始的七次或六次光刻到現(xiàn)在普遍采用的五次光刻。近來(lái)，基于 狹縫光刻技術(shù)的四次光刻工藝開始涉足TFT-LCD的制造領(lǐng)域并逐步得到應(yīng)用，與傳統(tǒng) 的五次光刻工藝相比，這種工藝的最大特點(diǎn)是通過一步狹縫光刻工藝形成有源層和源漏 金屬圖形，從而縮短了 TFT的生產(chǎn)周期，降低了其生產(chǎn)成本，但由于其應(yīng)用了狹縫光刻 工藝，對(duì)掩膜版的制造精度提出了非常高的要求，同時(shí)使工藝開發(fā)的難度和成本顯著提 高，并為成品率的提高帶來(lái)了很大的難度。另外，還有人提出了其他的改良方法，具體可參閱中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?CN200710063236.X的發(fā)明專利申請(qǐng)公布說明書，其介紹了一種采用普通(非狹縫光刻技 術(shù))的四道掩膜版光刻工藝來(lái)制造TFT-LCD的方法，在形成像素圖形的過程中僅需要四 次光刻步驟即可。所述制造的TFT陣列結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括基板11 ；在基板11上覆蓋的柵 極12、柵極絕緣層13、半導(dǎo)體非晶硅層14和摻雜的歐姆接觸非晶硅層15;覆蓋在基板 11上，位于柵極12、柵極絕緣層13、半導(dǎo)體非晶硅層14和歐姆接觸非晶硅層15之外的 區(qū)域的絕緣層16 ；截?cái)鄽W姆接觸非晶硅層15的溝道(未予以圖示)；覆蓋歐姆接觸非晶 硅層15和絕緣層16的源電極17a和漏電極17b ；覆蓋源電極17a和漏電極17b的鈍化層 18；位于漏電極17b之上的過孔(未圖示)；覆蓋鈍化層18的像素電極19a，像素電極 19a通過所述過孔與漏電極17b連接。但，上述TFT陣列結(jié)構(gòu)及其制造方法仍存在如下問題。例如，利用所述制造工 藝制造出來(lái)的像素單元的存儲(chǔ)電容為三層介質(zhì)結(jié)構(gòu)(包括柵電極絕緣層、半導(dǎo)體非晶硅 層以及歐姆接觸摻雜的非晶硅)，電容串聯(lián)使得電容值比較小，電容存儲(chǔ)能力較差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種TFT陣列結(jié)構(gòu)及其制造方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列結(jié)構(gòu)中存儲(chǔ)電容電容值較小、電容存儲(chǔ)能力較差的問題。為解決上述問題，本發(fā)明在一方面提供一種TFT陣列結(jié)構(gòu)，包括基板，所 述基板具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；第一絕緣層，覆蓋所述基板上除第一區(qū)域和第二區(qū)域 之外的區(qū)域；薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括位于所述第一區(qū)域上的柵電極金屬層、柵電極絕緣 層和半導(dǎo)體層，以及位于所述半導(dǎo)體層和第一絕緣層之上的源電極金屬層和漏電極金屬 層；所述源電極金屬層和漏電極金屬層之間具有位于第一區(qū)域上的溝道；位于所述第二 區(qū)域上的柵電極金屬層和柵電極絕緣層；第二絕緣層，覆蓋所述源電極金屬層、溝道、 漏電極金屬層和所述第二區(qū)域的柵電極絕緣層；像素電極，覆蓋所述第二絕緣層，并與 所述漏電極金屬層連接；所述像素電極和所述柵電極金屬層在第二區(qū)域上構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩極，所述存 儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)介質(zhì)僅包括柵電極絕緣層和第二絕緣層。可選地，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括位于所述第二絕緣層內(nèi)并顯露出所述漏電極 金屬層的過孔，所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極金屬層連接?？蛇x地，所述基板還具有第三區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括柵電極端子，其 包括覆蓋所述基板的第三區(qū)域上的柵電極金屬層；位于所述第三區(qū)域上的柵電極金屬 層外圍的第一絕緣層；覆蓋所述第一絕緣層的第二絕緣層；覆蓋所述第二絕緣層和所述 柵電極金屬層的像素電極?？蛇x地，所述基板還具有第四區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括與柵電極金屬層 一體的掃描線區(qū)，其包括覆蓋所述基板的柵電極金屬層和柵電極絕緣層；覆蓋所述第 四區(qū)域上的柵電極絕緣層外圍的半導(dǎo)體層和源漏電極金屬層；覆蓋所述源漏電極金屬層 和所述第四區(qū)域上的柵電極絕緣層的第二絕緣層。可選地，在所述半導(dǎo)體層和所述源漏電極金屬層之間還覆蓋有歐姆接觸層?？蛇x地，所述基板還具有第四區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括與柵電極金屬 層一體的掃描線區(qū)，其包括覆蓋所述基板的柵電極金屬層和柵電極絕緣層；至少覆蓋 所述第四區(qū)域上的第一絕緣層；覆蓋所述第四區(qū)域上的第一絕緣層外圍的源漏電極金屬 層；覆蓋所述源漏電極金屬層和所述第四區(qū)域上的第一絕緣層的第二絕緣層?？蛇x地，所述第一絕緣層和所述柵電極絕緣層之間還覆蓋有半導(dǎo)體層和歐姆接 觸層?？蛇x地，所述柵電極金屬層、源電極金屬層和漏電極金屬層為選自Cr、W、 Ti、Ta、Mo、Al或Cu的單層膜，或者選自Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al或Cu中至少兩
種金屬組成的復(fù)合膜?？蛇x地，所述柵電極絕緣層、第一絕緣層和第二絕緣層的材料包括氧化物、氮 化物或者氮氧化物?？蛇x地，所述像素電極的材料包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。本發(fā)明在另一方面提供一種TFT陣列結(jié)構(gòu)，包括基板，所述基板具有第一 區(qū)域和第二區(qū)域；第一絕緣層，覆蓋所述基板上除第一區(qū)域和第二區(qū)域之外的區(qū)域；薄 膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括位于所述第一區(qū)域上的柵電極金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo)體層， 以及位于所述半導(dǎo)體層和第一絕緣層之上的源電極金屬層和漏電極金屬層；所述源電極 金屬層和漏電極金屬層之間具有位于第一區(qū)域上的溝道；位于所述第二區(qū)域上的柵電極金屬層和柵電極絕緣層；像素電極，覆蓋所述柵電極絕緣層，并與所述漏電極金屬層連 接；所述像素電極和所述柵電極金屬層在第二區(qū)域上構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩極，所述存儲(chǔ)電 容的存儲(chǔ)介質(zhì)僅包括柵電極絕緣層?？蛇x地，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括覆蓋所述源電極金屬層、溝道和漏電極金屬
層的第二絕緣層?？蛇x地，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括位于所述第二絕緣層內(nèi)并顯露出所述漏電極 金屬層的過孔，所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極金屬層連接?？蛇x地，所述基板還具有第三區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括柵電極端子，其 包括覆蓋所述基板的第三區(qū)域上的柵電極金屬層；位于所述第三區(qū)域上的柵電極金屬 層外圍的第一絕緣層；覆蓋所述第一絕緣層的第二絕緣層；覆蓋所述第二絕緣層和所述 柵電極金屬層的像素電極?？蛇x地，所述基板還具有第四區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括與柵電極金屬層 一體的掃描線區(qū)，其包括覆蓋所述基板的柵電極金屬層和柵電極絕緣層；覆蓋所述第 四區(qū)域上的柵電極絕緣層外圍的半導(dǎo)體層和源漏電極金屬層；覆蓋所述源漏電極金屬層 和所述第四區(qū)域上的柵電極絕緣層的第二絕緣層。可選地，在所述半導(dǎo)體層和所述源漏電極金屬層之間還覆蓋有歐姆接觸層?？蛇x地，所述基板還具有第四區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括與柵電極金屬 層一體的掃描線區(qū)，其包括覆蓋所述基板的柵電極金屬層和柵電極絕緣層；至少覆蓋 所述第四區(qū)域上的第一絕緣層；覆蓋所述第四區(qū)域上的第一絕緣層外圍的源漏電極金屬 層；覆蓋所述源漏電極金屬層和所述第四區(qū)域上的第一絕緣層的第二絕緣層。可選地，所述第一絕緣層和所述柵電極絕緣層之間還覆蓋有半導(dǎo)體層和歐姆接 觸層?？蛇x地，所述柵電極金屬層、源電極金屬層和漏電極金屬層為選自Cr、W、 Ti、Ta、Mo、Al或Cu的單層膜，或者選自Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al或Cu中至少兩
種金屬組成的復(fù)合膜。可選地，所述柵電極絕緣層、第一絕緣層和第二絕緣層的材料包括氧化物、氮 化物或者氮氧化物?？蛇x地，所述像素電極的材料包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。本發(fā)明在又一方面提供一種TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供基板，所 述基板具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣層 和半導(dǎo)體層；利用掩模版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第一 區(qū)域和第二區(qū)域之外的區(qū)域上的半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層，并顯露出所 述基板；在所述基板的第一區(qū)域和第二區(qū)域之外的區(qū)域形成第一絕緣層；在所述第一絕 緣層和半導(dǎo)體層上形成源漏電極金屬層；利用半灰調(diào)掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述 光刻膠圖形為掩膜，在所述源漏電極金屬層上形成位于第一區(qū)域的溝道，將所述源漏電 極金屬層截?cái)嗖⒃谒龅谝唤^緣層和第一區(qū)域上的半導(dǎo)體層之上形成源電極金屬層和漏 電極金屬層，以形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；去除所述第二區(qū)域上的源漏電極金屬層和半導(dǎo)體 層，并顯露出所述柵電極絕緣層；在所述源電極金屬層、溝道、漏電極金屬層和柵電極 絕緣層上形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層上形成像素電極，所述像素電極與所述漏電極連接；所述像素電極和所述柵電極金屬層在第二區(qū)域上構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩極，所述 存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)介質(zhì)僅包括柵電極絕緣層和第二絕緣層?？蛇x地，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括在第一區(qū)域上的源漏電極金屬層 和半導(dǎo)體層之間形成歐姆接觸層的步驟?？蛇x地，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括在所述第二絕緣層上形成過孔、 以使所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極金屬層連接的步驟?？蛇x地，以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電 極金屬層的步驟具體包括采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉所述半導(dǎo)體層和柵電極絕緣層； 采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉所述柵電極金屬層?？蛇x地，形成第一絕緣層的步驟具體為在所述柵電極金屬層、柵電極絕緣層 和半導(dǎo)體層的外圍涂布有機(jī)膜；采用灰化工藝將凸出于所述半導(dǎo)體層的多余有機(jī)膜去 除，形成第一絕緣層?？蛇x地，所述去除所述第二區(qū)域上的源漏電極金屬層和半導(dǎo)體層，并顯露出所 述柵電極絕緣層的步驟具體包括采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉部分的源漏電極金屬層； 采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉部分的半導(dǎo)體層?？蛇x地，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括在第一區(qū)域上的源漏電極金屬層 和半導(dǎo)體層之間形成歐姆接觸層的步驟?？蛇x地，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括在所述第二絕緣層上形成過孔、 以使所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極金屬層連接的步驟。可選地，所述基板還具有第三區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制造 柵電極端子的工藝，所述工藝包括在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣 層和半導(dǎo)體層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除除第三 區(qū)域之外的半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層；在所述第三區(qū)域上的柵電極金屬 層、柵電極絕緣層和半導(dǎo)體層的外圍形成第一絕緣層；利用半灰調(diào)掩膜版，定義光刻膠 圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除第三區(qū)域上的半導(dǎo)體層，并顯露出所述柵電極絕 緣層；在所述第一絕緣層和所述第三區(qū)域上的柵電極絕緣層上形成第二絕緣層；利用掩 膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第三區(qū)域上的第二絕緣層 和柵電極絕緣層，并顯露出所述柵電極金屬層；在所述第二絕緣層和所述第三區(qū)域上的 柵電極金屬層上形成像素電極?？蛇x地，所述基板還具有第四區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制造 與柵電極金屬層一體的掃描線區(qū)的工藝，所述工藝包括在所述基板上依序形成柵電極 金屬層、柵電極絕緣層、半導(dǎo)體層和源漏電極金屬層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形； 以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第四區(qū)域上的源漏電極金屬層；去除第四區(qū)域上的 半導(dǎo)體層，并顯露出所述柵電極絕緣層；在所述源漏電極金屬層和所述第四區(qū)域上的柵 電極絕緣層上形成第二絕緣層?？蛇x地，所述基板還具有第四區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制造 與柵電極金屬層一體的掃描線區(qū)的工藝，所述工藝包括在所述基板上依序形成柵電極 金屬層、柵電極絕緣層、半導(dǎo)體層和源漏電極金屬層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形； 以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第四區(qū)域上的源漏電極金屬層；去除第四區(qū)域上部分的半導(dǎo)體層，并顯露出部分的所述柵電極絕緣層；在所述源漏電極金屬層和所述第四 區(qū)域上的半導(dǎo)體層和柵電極絕緣層上形成第二絕緣層?？蛇x地，所述制造掃描線區(qū)的工藝還包括在所述源漏電極金屬層和半導(dǎo)體層之 間形成歐姆接觸層的步驟。本發(fā)明再一方面提供一種TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供基板，所述基 板具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣層和半 導(dǎo)體層；利用半灰調(diào)掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除部分的 半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層；留存所述第一區(qū)域上的半導(dǎo)體層、柵電極絕 緣層和柵電極金屬層；留存所述第二區(qū)域上的柵電極絕緣層和柵電極金屬層；在所述第 一區(qū)域的外圍和所述第二區(qū)域之上形成第一絕緣層；在所述第一區(qū)域和所述第一絕緣層 之上形成源漏電極金屬層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜， 在所述源漏電極金屬層上形成位于第一區(qū)域上的溝道，將所述源漏電極金屬層截?cái)嗖⒃?所述第一絕緣層和第一區(qū)域上的半導(dǎo)體層之上形成源電極金屬層和漏電極金屬層，以形 成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；去除所述第二區(qū)域上的源漏電極金屬層和第一絕緣層，顯露出所述 柵電極絕緣層；在所述源電極金屬層、溝道、漏電極金屬層和柵電極絕緣層之上形成第 二絕緣層；在所述第二絕緣層上形成像素電極，所述像素電極與所述漏電極連接；所述 像素電極和所述柵電極金屬層在第二區(qū)域上構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩極，所述存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ) 介質(zhì)僅包括柵電極絕緣層和第二絕緣層?？蛇x地，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括在第一區(qū)域上的源漏電極金屬層 和半導(dǎo)體層之間形成歐姆接觸層的步驟?？蛇x地，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括在所述第二絕緣層上形成過孔、 以使所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極金屬層連接的步驟?？蛇x地，所述去除部分的半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層的步驟具體 包括采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉所述半導(dǎo)體層和柵電極絕緣層；采用濕法刻蝕工藝， 刻蝕掉所述柵電極金屬層?？蛇x地，所述形成第一絕緣層的步驟具體為在所述柵電極金屬層、柵電極絕 緣層和半導(dǎo)體層的外圍涂布有機(jī)膜；采用灰化工藝將凸出于所述半導(dǎo)體層的多余有機(jī)膜 去除，形成第一絕緣層。可選地，所述形成溝道的步驟具體為采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉所述第一區(qū) 域上的源漏電極金屬層；采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉部分厚度的所述半導(dǎo)體層。可選地，所述對(duì)于第二區(qū)域，去除所述的源漏電極金屬層和半導(dǎo)體層，并顯露 出柵電極絕緣層的步驟具體包括采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉所述第二區(qū)域上的源漏電 極金屬層；采用灰化工藝，灰化掉所述第二區(qū)域上的第一絕緣層。可選地，所述基板還具有第三區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制 造柵電極端子的工藝，所述工藝包括在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕 緣層和半導(dǎo)體層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除部分 的半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層；留存所述第三區(qū)域上的柵電極絕緣層和柵 電極金屬層；在所述第三區(qū)域之外的基板和第三區(qū)域上的柵電極絕緣層上形成第一絕緣 層；在所述第一絕緣層和柵電極絕緣層上形成第二絕緣層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第三區(qū)域上的第二絕緣層和柵電極絕緣層，并 顯露出所述柵電極金屬層；在所述第二絕緣層和所述第三區(qū)域上的柵電極金屬層上形成 像素電極?？蛇x地，所述基板還具有第四區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制 造與柵電極金屬層一體的掃描線區(qū)的工藝，所述工藝包括在所述基板上依序形成柵電 極金屬層和柵電極絕緣層；在所述柵電極絕緣層上依序形成第一絕緣層和源漏電極金屬 層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第四區(qū)域上的 源漏電極金屬層，并顯露出所述第一絕緣層；在所述源漏電極金屬層和第四區(qū)域上的第 一絕緣層上形成第二絕緣層?？蛇x地，所述基板還具有第四區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制造 與柵電極金屬層一體的掃描線區(qū)的工藝，所述工藝包括在所述基板上依序形成柵電極 金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo)體層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形 為掩膜，去除所述第四區(qū)域上的半導(dǎo)體層，并顯露出所述柵電極絕緣層；在所述第四區(qū) 域上的柵電極絕緣層上形成第一絕緣層；在所述半導(dǎo)體層和所述第四區(qū)域上的第一絕緣 層上形成源漏電極金屬層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜， 去除所述第四區(qū)域上的源漏電極金屬層，并顯露出所述第一絕緣層；在所述源漏電極金 屬層和所述第四區(qū)域上的第一絕緣層上形成第二絕緣層?？蛇x地，所述制造掃描線區(qū)的工藝還包括在所述第一絕緣層和半導(dǎo)體層之間形 成歐姆接觸層的步驟。本發(fā)明還在一方面提供一種TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供基板，所 述基板具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣層 和半導(dǎo)體層；利用半灰調(diào)掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除部 分的半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層；留存所述第一區(qū)域上的半導(dǎo)體層、柵電 極絕緣層和柵電極金屬層；留存所述第二區(qū)域上的柵電極絕緣層和柵電極金屬層；在所 述第一區(qū)域的外圍和所述第二區(qū)域之上形成第一絕緣層；在所述第一區(qū)域和所述第一絕 緣層之上形成源漏電極金屬層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩 膜，在所述源漏電極金屬層上形成位于第一區(qū)域上的溝道，將所述源漏電極金屬層截?cái)?并在所述第一絕緣層和第一區(qū)域上的半導(dǎo)體層之上形成源電極金屬層和漏電極金屬層， 以形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；去除所述第二區(qū)域上的源漏電極金屬層和第一絕緣層，顯露出 所述柵電極絕緣層；在所述柵電極絕緣層上形成像素電極，所述像素電極與所述漏電極 連接；所述像素電極和所述柵電極金屬層在第二區(qū)域上構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩極，所述存儲(chǔ) 電容的存儲(chǔ)介質(zhì)僅包括柵電極絕緣層?？蛇x地，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括在第一區(qū)域上的源漏電極金屬層 和半導(dǎo)體層之間形成歐姆接觸層的步驟?？蛇x地，在所述去除所述第二區(qū)域上的源漏電極金屬層和第一絕緣層，并顯露 出所述柵電極絕緣層的步驟之后，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括在所述源電極金 屬層、溝道和漏電極金屬層上形成第二絕緣層的步驟?？蛇x地，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括在所述第二絕緣層上形成過孔、 以使所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極金屬層連接的步驟。
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可選地，所述去除部分的半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層的步驟具體 包括采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉所述半導(dǎo)體層和柵電極絕緣層；采用濕法刻蝕工藝， 刻蝕掉所述柵電極金屬層。可選地，所述形成第一絕緣層的步驟具體為在所述柵電極金屬層、柵電極絕 緣層和半導(dǎo)體層的外圍涂布有機(jī)膜；采用灰化工藝將凸出于所述半導(dǎo)體層的多余有機(jī)膜 去除，形成第一絕緣層。可選地，所述形成溝道的步驟具體為采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉所述第一區(qū) 域上的源漏電極金屬層；采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉部分厚度的所述半導(dǎo)體層?？蛇x地，所述對(duì)于第二區(qū)域，去除所述的源漏電極金屬層和半導(dǎo)體層，并顯露 出柵電極絕緣層的步驟具體包括采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉所述第二區(qū)域上的源漏電 極金屬層；采用灰化工藝，灰化掉所述第二區(qū)域上的第一絕緣層。可選地，所述基板還具有第三區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制 造柵電極端子的工藝，所述工藝包括在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕 緣層和半導(dǎo)體層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除部分 的半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層；留存所述第三區(qū)域上的柵電極絕緣層和柵 電極金屬層；在所述第三區(qū)域之外的基板和第三區(qū)域上的柵電極絕緣層上形成第一絕緣 層；在所述第一絕緣層和柵電極絕緣層上形成第二絕緣層；利用掩膜版，定義光刻膠圖 形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第三區(qū)域上的第二絕緣層和柵電極絕緣層，并 顯露出所述柵電極金屬層；在所述第二絕緣層和所述第三區(qū)域上的柵電極金屬層上形成 像素電極。可選地，所述基板還具有第四區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制 造與柵電極金屬層一體的掃描線區(qū)的工藝，所述工藝包括在所述基板上依序形成柵電 極金屬層和柵電極絕緣層；在所述柵電極絕緣層上依序形成第一絕緣層和源漏電極金屬 層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第四區(qū)域上的 源漏電極金屬層，并顯露出所述第一絕緣層；在所述源漏電極金屬層和第四區(qū)域上的第 一絕緣層上形成第二絕緣層?？蛇x地，所述基板還具有第四區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制造 與柵電極金屬層一體的掃描線區(qū)的工藝，所述工藝包括在所述基板上依序形成柵電極 金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo)體層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形 為掩膜，去除所述第四區(qū)域上的半導(dǎo)體層，并顯露出所述柵電極絕緣層；在所述第四區(qū) 域上的柵電極絕緣層上形成第一絕緣層；在所述半導(dǎo)體層和所述第四區(qū)域上的第一絕緣 層上形成源漏電極金屬層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜， 去除所述第四區(qū)域上的源漏電極金屬層，并顯露出所述第一絕緣層；在所述源漏電極金 屬層和所述第四區(qū)域上的第一絕緣層上形成第二絕緣層?？蛇x地，所述制造掃描線區(qū)的工藝還包括在所述第一絕緣層和半導(dǎo)體層之間形 成歐姆接觸層的步驟。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其中的像素電極與柵電極金屬 層構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩極，所述存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)介質(zhì)為柵電極絕緣層的單層結(jié)構(gòu)或由柵電 極絕緣層和第二絕緣層組合的二層結(jié)構(gòu)，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列結(jié)構(gòu)具有三層或更多層存儲(chǔ)介質(zhì)結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容而言，具有更大的電容存儲(chǔ)能力。另外，由于去除或部分去除了在兩條數(shù)據(jù)線之間的掃描線區(qū)的歐姆接觸層和半 導(dǎo)體層，使得所述兩條數(shù)據(jù)線在施加不同電壓信號(hào)后不會(huì)有電流在所述兩數(shù)據(jù)線之間流 過，消除了像素單元之間的交叉串?dāng)_，提高了圖像顯示效果。再有，本發(fā)明利用半灰調(diào)掩膜版的刻蝕工藝，能夠以較少的刻蝕工藝步驟刻蝕 出用于固定驅(qū)動(dòng)電路的柵電極端子，能夠簡(jiǎn)化工藝和降低成本。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中制造的TFT陣列結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明提供的TFT陣列結(jié)構(gòu)的平面示意圖；圖3為圖2中A1-A2切割線位置在第一技術(shù)方案中的截面示意圖；圖4為圖2中B1-B2切割線位置的截面示意圖；圖5a至圖5d為圖2中C1-C2切割線位置的截面示意圖；圖6為本發(fā)明TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法在第一技術(shù)方案的第一實(shí)施例中的流程 示意圖；圖7、圖8a至圖20a為本發(fā)明TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法在第一技術(shù)方案的第一 實(shí)施例中制造TFT陣列結(jié)構(gòu)的示意圖；圖8b至圖20b為本發(fā)明TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法在第一技術(shù)方案的第一實(shí)施例 中制造柵電極端子的示意圖；圖8c、圖10c、圖11c、圖12c、圖14c、圖15c和圖15d、圖18c和圖18d為本
發(fā)明TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法在第一技術(shù)方案的第一實(shí)施例中制造掃描線區(qū)的示意圖；圖21為本發(fā)明TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法在第一技術(shù)方案的第二實(shí)施例中的流程 示意圖；圖22、圖23a至圖34a為本發(fā)明TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法在第一技術(shù)方案的第 二實(shí)施例中制造TFT陣列結(jié)構(gòu)的示意圖；圖23b至圖34b為本發(fā)明TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法在第一技術(shù)方案的第二實(shí)施例 中制造柵電極端子的示意圖；圖23c、圖24c和圖24d、圖25c和圖25d、圖27c和圖27d、圖29c和圖29d、
圖32c和圖32d為本發(fā)明TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法在第一技術(shù)方案的第二實(shí)施例中制造掃 描線區(qū)的示意圖；圖35為圖2中A1--A2切割線位置在第二技術(shù)方案中的截面示意圖；圖36為本發(fā)明TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法在第二技術(shù)方案中的流程示意圖；圖37至圖45為本發(fā)明TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法在第二技術(shù)方案中制造TFT陣 列結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施例方式發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造工藝中所形成的存儲(chǔ)電容，在上、下 極板之間包括有三層或更多層結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)電容的電容存儲(chǔ)能力較小。發(fā)明人又發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造工藝中，顯示區(qū)域數(shù)據(jù)線與柵電極線之間的非晶硅層不能刻蝕掉，造成相鄰像素之間出現(xiàn)交叉串?dāng)_現(xiàn)象。發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造工藝中，利用多次的普通掩膜版執(zhí) 行多次刻蝕工藝步驟，且很難甚至不能刻蝕出用來(lái)綁定驅(qū)動(dòng)電路的柵電極端子。有鑒于此，本發(fā)明的發(fā)明人提供了一種TFT陣列結(jié)構(gòu)及其制造方法。第一技術(shù)方案請(qǐng)參閱圖2和圖3，其中圖2為本發(fā)明提供的TFT陣列結(jié)構(gòu)的平面示意圖； 圖3為圖2中沿A1-A2切割線所得的截面示意圖，其包括了薄膜晶體管(Thin Film Transistors TFT,以下簡(jiǎn)稱TFT)結(jié)構(gòu)區(qū)和存儲(chǔ)電容區(qū)。結(jié)合圖2和圖3，所述TFT 陣列結(jié)構(gòu)包括基板200，所述基板200具有第一區(qū)域205和第二區(qū)域206，其中在第一 區(qū)域205上將形成TFT結(jié)構(gòu)，在第二區(qū)域206上將形成存儲(chǔ)電容；第一絕緣層209，覆 蓋基板200上除第一區(qū)域205和第二區(qū)域206之外的區(qū)域；位于第一區(qū)域205上的TFT 結(jié)構(gòu)，所述TFT結(jié)構(gòu)包括位于第一區(qū)域205上的柵電極金屬層201、柵電極絕緣層202、 半導(dǎo)體層203、歐姆接觸層204，以及位于歐姆接觸層204和第一絕緣層209之上的源電 極金屬層210a和漏電極金屬層210b ；源電極金屬層210a和漏電極金屬層210b之間具有 位于第一區(qū)域205上的溝道211 ；位于第二區(qū)域206上的柵電極金屬層201和柵電極絕緣 層202;第二絕緣層212，覆蓋源電極金屬層210a、溝道211、漏電極金屬層210b和第二 區(qū)域206上的柵電極絕緣層202;過孔213，截?cái)嗟诙^緣層212并顯露出漏電極金屬層 210b；像素電極214，覆蓋第二絕緣層212，通過過孔213與漏電極金屬層210b連接；像 素電極214和柵電極金屬層201在第二區(qū)域206上分別構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩極，在柵電極金 屬層201與像素電極214之間的柵電極絕緣層202和第二絕緣層212構(gòu)成所述存儲(chǔ)電容的 存儲(chǔ)介質(zhì)。圖4為圖2中B1-B2切割線位置處柵電極端子的截面示意圖。如圖4所示， 所述柵電極端子包括覆蓋基板200的第三區(qū)域207上的柵電極金屬層201 ；位于第三區(qū) 域207上的柵電極金屬層201外圍的第一絕緣層209 ；覆蓋第一絕緣層209的第二絕緣層 212 ；覆蓋第二絕緣層212和柵電極金屬層201的像素電極214。圖5a為圖2中沿C1-C2切割線所得的截面示意圖，即與柵電極金屬層一體的掃 描線區(qū)的截面示意圖。所述掃描線區(qū)具體為在像素單元中處于相鄰二數(shù)據(jù)線(所述數(shù)據(jù) 線與源漏電極金屬層是一體的)之間的掃描線部分。如圖5a所示，所述掃描線區(qū)包括覆蓋基板200的柵電極金屬層201和柵電極 絕緣層202;覆蓋位于第四區(qū)域208上柵電極絕緣層202外圍的半導(dǎo)體層203、歐姆接觸 層204和源漏電極金屬層210 ；覆蓋源漏電極金屬層210和第四區(qū)域208上柵電極絕緣層 202的第二絕緣層212。圖5b至圖5d為圖2中沿C1-C2切割線在其他實(shí)施例中的截面示意圖。如圖5b所示，與圖5a類似，所述掃描線區(qū)包括覆蓋基板200的柵電極金屬層 201和柵電極絕緣層202 ；覆蓋第四區(qū)域208上柵電極絕緣層202外圍的半導(dǎo)體層203、 歐姆接觸層204和源漏電極金屬層210 ；覆蓋源漏電極金屬層210和第四區(qū)域208上的柵 電極絕緣層202上的第二絕緣層212。如圖5c所示，所述掃描線區(qū)包括覆蓋基板300的柵電極金屬層301和柵電極 絕緣層302 ；覆蓋柵電極絕緣層302的第一絕緣層309 ；覆蓋位于第四區(qū)域308上第一絕緣層309外圍的源漏電極金屬層310 ；覆蓋源漏電極金屬層310和第四區(qū)域308上第一絕 緣層309的第二絕緣層312。如圖5d所示，所述掃描線區(qū)包括覆蓋基板300的柵電極金屬層301和柵電極 絕緣層302 ；覆蓋第四區(qū)域308上柵電極絕緣層302外圍的半導(dǎo)體層303和歐姆接觸層 304 ；覆蓋第四區(qū)域308上柵電極絕緣層302的第一絕緣層309 ；覆蓋歐姆接觸層304的 源漏電極金屬層310 ；覆蓋源漏電極金屬層310和第四區(qū)域308上第一絕緣層309的第二 絕緣層312。第一實(shí)施例在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供一種TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，如圖6所示， 包括步驟S101,提供基板，所述基板具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；S102,在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣層、半導(dǎo)體層和歐姆 接觸層；S103,利用掩膜版，定義光刻膠圖形；S104,以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第一區(qū)域和第二區(qū)域之外的區(qū)域上 的歐姆接觸層、半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層，并顯露出所述基板；S105,在所述基板的第一區(qū)域和第二區(qū)域之外的區(qū)域上形成第一絕緣層；S106,在所述第一絕緣層和所述第一區(qū)域、第二區(qū)域上的歐姆接觸層之上形成 源漏電極金屬層；S107，利用半灰調(diào)掩膜版，定義光刻膠圖形；S108,以所述光刻膠圖形為掩膜，在所述源漏電極金屬層上形成位于第一區(qū)域 上的溝道，將所述源漏電極金屬層截?cái)嗖⒃谒龅谝唤^緣層和第一區(qū)域上的半導(dǎo)體層之 上形成源電極金屬層和漏電極金屬層，以形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；去除所述第二區(qū)域上的 源漏電極金屬層、歐姆接觸層和半導(dǎo)體層，并顯露出所述柵電極絕緣層；S109,在所述源電極金屬層、溝道、漏電極金屬層和柵電極絕緣層之上形成第 二絕緣層；S110,在所述第二絕緣層上形成過孔，所述過孔截?cái)嗨龅诙^緣層并顯露出 所述漏電極金屬層；S111，在所述第二絕緣層上形成像素電極，所述像素電極通過所述過孔與所述 漏電極金屬層連接；所述像素電極和所述柵電極金屬層在第二區(qū)域上構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩 極，所述存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)介質(zhì)僅包括位于所述柵電極金屬層與所述像素電極之間的柵電 極絕緣層和第二絕緣層。下面結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。首先執(zhí)行步驟S101，提供如圖7所示的基板200，基板200具有第一區(qū)域205和 第二區(qū)域206。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，基板200可以采用透明玻璃基板或石英。接著執(zhí)行步驟S102，在基板200上依序形成柵電極金屬層201、柵電極絕緣層 202、半導(dǎo)體層203和歐姆接觸層204。形成如圖8a所示的結(jié)構(gòu)。另外，基板200還包括具有第三區(qū)域207的柵電極端子。在步驟S102中，對(duì)于 柵電極端子，在基板200上依序形成的柵電極金屬層201、柵電極絕緣層202、半導(dǎo)體層203和歐姆接觸層204，形成如圖8b所示的結(jié)構(gòu)。再有，基板200還包括具有第四區(qū)域208的掃描線區(qū)。在步驟S102中，對(duì)于掃 描線區(qū)，在基板200上依序形成的柵電極金屬層201、柵電極絕緣層202、半導(dǎo)體層203 和歐姆接觸層204，形成如圖8c所示的結(jié)構(gòu)。柵電極金屬層201的厚度大致為500埃 4000埃，其材料可以選用Cr、W、Ti、
Ta、Mo、Al或Cu等金屬或其合金。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，形成柵電極金屬層201 的具體方法可以采用物理氣相沉積方法。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，形成柵電極絕緣層202、半導(dǎo)體層203和歐姆接觸層 204的具體方法可以采用化學(xué)氣相沉積方法，具體地，可以是等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法 (PECVD)。其中，柵電極絕緣層202的厚度為1000埃 4000埃，其材料可以選用氧 化物、氮化物或氧氮化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以是SiH4、NH3>風(fēng)或&壓02、NH3> N2。半導(dǎo)體層203和歐姆接觸層204的厚度分別為1000埃 2500埃和300埃 600埃， 半導(dǎo)體層203和歐姆接觸層204對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以是SiH4、風(fēng)或&壓02、N2。所述 半導(dǎo)體層203為無(wú)定形硅(a-Si)層。接著執(zhí)行步驟S103，利用掩膜版，定義光刻膠圖形。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例 中，所述掩膜版可以為普通掩膜版。在歐姆接觸層204表面形成光刻膠圖形(未圖示)，具體工藝包括在歐姆接觸 層204上涂布光刻膠，然后通過曝光將掩膜版上對(duì)應(yīng)第一區(qū)域205和第二區(qū)域206上的圖 形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，接著利用顯影液將相應(yīng)部位的光刻膠去除以形成與第一區(qū)域205和 第二區(qū)域206對(duì)應(yīng)的圖形。接著執(zhí)行步驟S104，以所述光刻膠圖形為掩膜，去除第一區(qū)域205和第二區(qū) 域206之外的區(qū)域上的歐姆接觸層204、半導(dǎo)體層203、柵電極絕緣層202和柵電極金屬 層201，而覆蓋有光刻膠的第一區(qū)域205和第二區(qū)域206上的歐姆接觸層204、半導(dǎo)體層
203、柵電極絕緣層202和柵電極金屬層201被保留著，形成如圖9a所示的結(jié)構(gòu)。另外，在步驟S104中，利用掩膜版，定義光刻膠圖形。以所述光刻膠圖形為掩 膜，去除第三區(qū)域207之外的區(qū)域上的歐姆接觸層204、半導(dǎo)體層203、柵電極絕緣層202 和柵電極金屬層201，并顯露出基板200;而在第三區(qū)域207留存有歐姆接觸層204、半 導(dǎo)體層203、柵電極絕緣層202和柵電極金屬層201。形成如圖9b所示的結(jié)構(gòu)。所述歐姆接觸層204、半導(dǎo)體層203、柵電極絕緣層202和柵電極金屬層201的 去除是通過刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)的。所述刻蝕工藝可以為公知的濕法刻蝕或者為干法刻蝕。 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，具體包括首先，采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉歐姆接觸層
204、半導(dǎo)體層203和柵電極絕緣層202;再采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉所述柵電極金屬 層201直至顯露出基板200。其中，歐姆接觸層204、半導(dǎo)體層203的刻蝕氣體可以選用 SF6/C12或SF6/HC1，柵電極絕緣層202的刻蝕氣體可以選用SF6/02、Cl2/02或HCl/02， 柵電極金屬層201的刻蝕氣體可以選用SF6/02或Cl2/02。因所述干法刻蝕工藝和濕法刻 蝕工藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，故不在此贅述。接著執(zhí)行步驟S105，在基板200的第一區(qū)域205和第二區(qū)域206之外的區(qū)域上 形成第一絕緣層209。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一絕緣層209可以是有機(jī)膜，采用涂布工藝形成的。具體包括首先在基板200的第一區(qū)域205和第二區(qū)域206之外的區(qū)域以及第一區(qū) 域205和第二區(qū)域206上的歐姆接觸層204之上均勻涂布有機(jī)膜，此時(shí)位于第一區(qū)域205 和第二區(qū)域206之間的有機(jī)膜的厚度要大于柵電極金屬層201、柵電極絕緣層202、半導(dǎo) 體層203和歐姆接觸層204四層介質(zhì)的總和；對(duì)所述有機(jī)膜進(jìn)行固化處理，形成如圖IOa 所示的結(jié)構(gòu)(在柵電極端子處形成如圖IOb所示的結(jié)構(gòu)；在掃描線區(qū)處形成如圖IOc所示 的結(jié)構(gòu))；接著采用灰化工藝，去除一定厚度的有機(jī)膜直至使其與歐姆接觸層204齊平， 以顯露出歐姆接觸層204，形成平坦化的平面，構(gòu)成第一絕緣層209，具體如圖Ila所示 的結(jié)構(gòu)(在柵電極端子處形成如圖lib所示的結(jié)構(gòu)，在掃描線區(qū)處形成如圖Ilc所示的結(jié) 構(gòu))。由于灰化工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，故不在此贅述。另外，在其他實(shí)施例中，只要能將所述有機(jī)膜去除掉部分厚度，所述灰化工藝 也可以由其他方法代替，例如在其他實(shí)施例中，可以通過氧反應(yīng)離子刻蝕工藝去除一定 厚度的有機(jī)膜。接著執(zhí)行步驟S106，在第一絕緣層209和歐姆接觸層204所形成的平坦化表面 上形成源漏電極金屬層210，形成如圖12a所示的結(jié)構(gòu)。在步驟S106中形成的源漏電極金屬層210是用于在后續(xù)進(jìn)一步形成源電極金屬 層和漏電極金屬層(具體可詳見如下描述)。源漏電極金屬層210的厚度大致為500埃 2500埃，其材料可以選用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al或Cu等金屬或其合金。在本發(fā)明 的一個(gè)實(shí)施例中，形成源漏電極金屬層210的具體方法可以是采用濺射或熱蒸發(fā)的方法 在基板200上沉積形成的。另外，在步驟S106中，對(duì)于柵電極端子，在第一絕緣層209和第三區(qū)域207上 的歐姆接觸層204上形成源漏電極金屬層210，形成如圖12b所示的結(jié)構(gòu)。再有，在步驟S106中，對(duì)于掃描線區(qū)，在歐姆接觸層204上形成源漏電極金屬 層210，形成如圖12c所示的結(jié)構(gòu)。接著執(zhí)行步驟S107，利用半灰調(diào)掩膜版40，定義光刻膠圖形。所述半灰調(diào)掩 膜版40被劃分為多個(gè)區(qū)段，在本實(shí)施例子中，所述半灰調(diào)掩膜版40被分為三個(gè)區(qū)段，且 所述三個(gè)區(qū)段分別具有不同的透光率。在本實(shí)施例中，半灰調(diào)掩膜版40在對(duì)應(yīng)第一區(qū)域 205、第二區(qū)域206以及除第一區(qū)域205、第二區(qū)域206之外的其他區(qū)域分別具有不同的透光率。在源漏電極金屬層210表面形成光刻膠圖形(未圖示)，具體工藝包括在源漏 電極金屬層210上涂布光刻膠41，然后通過曝光將所述半灰調(diào)掩膜版上定義的圖形轉(zhuǎn)移 到光刻膠41上，接著利用顯影液將相應(yīng)部位的光刻膠41去除以形成對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形。 在本實(shí)施例中，在所述光刻膠圖像中，對(duì)應(yīng)第一區(qū)域205上的光刻膠被部分去除，對(duì)應(yīng) 第二區(qū)域206上及周邊的光刻膠被去除并顯露出源漏電極金屬層210，形成如圖13a所示 的結(jié)構(gòu)。接著執(zhí)行步驟S108，如圖17a所示，以所述光刻膠圖形為掩膜，在源漏電極金 屬層210上形成位于第一區(qū)域205上的溝道211，以將源漏電極金屬層210截?cái)?，從而?第一絕緣層209和第一區(qū)域205上的歐姆接觸層204之上形成源電極金屬層210a和漏電 極金屬層210b，從而形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；去除第二區(qū)域206上的源漏電極金屬層210、 歐姆接觸層204和半導(dǎo)體層203，并顯露出柵電極絕緣層202。
上述步驟S108可具體分為多個(gè)分步驟。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，具體可以包 括首先，以所述光刻膠圖形為掩膜，去除第二區(qū)域206上及周邊所顯露出的源漏 電極金屬層210，而覆蓋有光刻膠41區(qū)域的源漏電極金屬層210被保留著，形成如圖14a 所示的結(jié)構(gòu)。對(duì)于柵電極端子，去除第一絕緣層209和第三區(qū)域207上的歐姆接觸層204之上 的源漏電極金屬層210，形成如圖14b所示的結(jié)構(gòu)。對(duì)于掃描線區(qū)，利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去 除第四區(qū)域208上的源漏電極金屬層210，形成如圖14c所示的結(jié)構(gòu)。所述源漏電極金屬層210的去除是通過刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)的。所述刻蝕工藝可以為 公知的濕法刻蝕或者為干法刻蝕。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，具體可以采用濕法刻蝕工 藝，刻蝕掉源漏電極金屬層210直至顯露出其下的歐姆接觸層204。其中，源漏電極金屬 層210的刻蝕氣體可以選用SF6/02或Cl2/02。因所述刻蝕工藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟 知，故不在此贅述。然后，去除第二區(qū)域206上的歐姆接觸層204和半導(dǎo)體層203，形成如圖15a所 示的結(jié)構(gòu)。對(duì)于柵電極端子，去除第三區(qū)域207上的歐姆接觸層204和半導(dǎo)體層203，形成 如圖15b所示的結(jié)構(gòu)。對(duì)于掃描線區(qū)，以源漏電極金屬層210為掩膜，去除第四區(qū)域208上的歐姆接觸 層204和半導(dǎo)體層203，顯露出柵電極絕緣層202，形成如圖15c所示的結(jié)構(gòu)。另外，對(duì)于掃描線區(qū)，在另一實(shí)施例中，以源漏電極金屬層210為掩膜，去 除第四區(qū)域208上部分的歐姆接觸層204和半導(dǎo)體層203，顯露出部分的柵電極絕緣層 202，形成如圖15d所示的結(jié)構(gòu)。所述歐姆接觸層204和半導(dǎo)體層203的去除是通過刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)的。所述刻蝕 工藝可以為公知的濕法刻蝕或者為干法刻蝕。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，具體可以采用 干法刻蝕工藝，刻蝕掉歐姆接觸層204和半導(dǎo)體層203直至顯露出其下的柵電極絕緣層 202，歐姆接觸層204、半導(dǎo)體層203的刻蝕氣體可以選用SF6/C12或SF6/HC1。接著，去除對(duì)應(yīng)第一區(qū)域205上的光刻膠41，顯露出部分的源漏電極金屬層 210，形成如圖16a所示的結(jié)構(gòu)。接著，以光刻膠41為掩膜，去除第一區(qū)域205上的源漏電極金屬層210、及其下 的歐姆接觸層204和一定厚度的半導(dǎo)體層203，得以截?cái)嘣绰╇姌O金屬層210并形成源電 極金屬層210a和漏電極金屬層210b，形成如圖17a所示的結(jié)構(gòu)。所述源漏電極金屬層210、歐姆接觸層204和半導(dǎo)體層203的去除是通過刻蝕工 藝實(shí)現(xiàn)的。所述刻蝕工藝可以為公知的濕法刻蝕或者為干法刻蝕。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施 例中，具體可以采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉源漏電極金屬層210、歐姆接觸層204和一定 厚度的半導(dǎo)體層203，源漏電極金屬層210的刻蝕氣體可以選用3&/02或02/02，歐姆接 觸層204、半導(dǎo)體層203的刻蝕氣體可以選用SF6/C12或SF6/HC1。另外，在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體層203是被刻蝕掉了部分的厚度，但并不以此為 限，在其他實(shí)施例中，也可以將半導(dǎo)體層203完全刻蝕掉。
接著執(zhí)行步驟S109，在源電極金屬層210a、溝道211、漏電極金屬層210b和柵 電極絕緣層202之上形成第二絕緣層212，形成如圖18a所示的結(jié)構(gòu)。對(duì)于柵電極端子，在第一絕緣層209和第三區(qū)域207上的柵電極絕緣層202上形 成第二絕緣層212，形成如圖18b所示的結(jié)構(gòu)。對(duì)于掃描線區(qū)，在源漏電極金屬層210和第四區(qū)域209上的柵電極絕緣層202上 形成第二絕緣層212，形成如圖18c所示的結(jié)構(gòu)。另外，對(duì)于掃描線區(qū)，在另一實(shí)施例中，在源漏電極金屬層210和第四區(qū)域209 上的歐姆接觸層204和柵電極絕緣層202上形成第二絕緣層212，形成如圖18d所示的結(jié) 構(gòu)。如圖18c和圖18d所示，由于去除或部分去除了在兩條數(shù)據(jù)線之間的掃描線區(qū)的 歐姆接觸層204和半導(dǎo)體層203，使得所述兩條數(shù)據(jù)線在施加不同電壓信號(hào)后不會(huì)有電流 在所述兩數(shù)據(jù)線之間流過，也即所述兩條數(shù)據(jù)線和所述兩條數(shù)據(jù)線之間的掃描線不會(huì)等 效為一個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)，從而降低了相鄰像素之間產(chǎn)生交叉串?dāng)_的幾率。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第二絕緣層212的厚度為700埃 2000埃，其材料 可以是氧化物、氮化物或氧氮化合物，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成的，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體 可以是 SiH4、NH3、N2 或 SiH2Cl2、NH3、N2。接著執(zhí)行步驟S110，在第二絕緣層212上形成過孔213，過孔213截?cái)嗟诙^緣 層212并顯露出其下的漏電極金屬層210b，形成如圖19a所示的結(jié)構(gòu)。過孔213是通過刻蝕工藝刻蝕掉部分的第二絕緣層212后形成的。所述刻蝕工 藝可以為公知的濕法刻蝕或者為干法刻蝕。另外，在柵電極端子處，通過刻蝕工藝，刻蝕掉第三區(qū)域207上的第二絕緣層 212及其下的柵電極絕緣層202，并顯露出柵電極金屬層201，形成如圖19b所示的柵電極 端子過孔，以用于對(duì)外連接?？涛g氣體可以選用SF6/02、02/02或150/02。需說明的是，由于在步驟SllO中，如圖19b，可以在形成過孔213時(shí)一并形成 柵電極端子過孔，相比于在現(xiàn)有技術(shù)中須增加一道掩膜版才能刻蝕出用于固定驅(qū)動(dòng)電路 IC的柵電極端子的過孔，本發(fā)明不需要現(xiàn)有技術(shù)中的單獨(dú)刻蝕柵電極端子過孔的工藝步 驟，從而能簡(jiǎn)化工藝、降低制造成本。接著執(zhí)行步驟S111，在第二絕緣層212上形成像素電極214，形成如圖20a所示 的結(jié)構(gòu)。如圖20a所示，部分的像素電極214填充于過孔213，得以通過過孔213與漏電 極金屬層210b連接。像素電極214與柵電極金屬層201在第二區(qū)域206上構(gòu)成存儲(chǔ)電容 的兩極，所述存儲(chǔ)電容存儲(chǔ)介質(zhì)僅包括位于柵電極金屬層201與像素電極214之間的柵電 極絕緣層202和第二絕緣層212。對(duì)于柵電極端子，在第二絕緣層212和第三區(qū)域207上的柵電極金屬層201上形 成像素電極214，同時(shí)用以保護(hù)柵電極端子，防止柵電極端子因與空氣接觸而腐蝕，形成 如圖20b所示的結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，形成像素電極214的具體方法包括首先，采用物 理氣相沉積工藝在在第二絕緣層212上形成透明導(dǎo)電層，且所述透明導(dǎo)電層填充于過孔 213。所述透明導(dǎo)電層的厚度為300埃 600埃，其材料可以選用銦錫氧化物或銦鋅氧化 物。接著，通過刻蝕工藝形成像素電極214。實(shí)際上，形成透明導(dǎo)電層的工藝也可以采用濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積形成的，在此不再贅述。在上述步驟Slll中，形成的像素電極214通過過孔213與漏電極金屬層210b連 接，能夠在柵電極金屬層上的掃描信號(hào)TFT導(dǎo)通時(shí)將源電極金屬層210a經(jīng)漏電極金屬層 210b傳導(dǎo)的數(shù)據(jù)信號(hào)提供給像素電極214。另外，在對(duì)應(yīng)第二區(qū)域206上形成了存儲(chǔ)電容，其中，相對(duì)設(shè)置的像素電極214 和柵電極金屬層201分別作為所述存儲(chǔ)電容的上、下極板，而在像素電極214和柵電極金 屬層201之間的柵電極絕緣層202和第二絕緣層212則作為所述存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)介質(zhì)。所 述存儲(chǔ)介質(zhì)為二層結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的三層或更多層介質(zhì)的存儲(chǔ)電容 具有更大的電容存儲(chǔ)能力。通過上述第一實(shí)施例的各工藝步驟來(lái)制造應(yīng)用于液晶顯示裝置的TFT陣列結(jié) 構(gòu)，利用半灰調(diào)掩膜版的刻蝕工藝，能夠以較少的刻蝕工藝步驟制造TFT陣列結(jié)構(gòu)，能 夠簡(jiǎn)化工藝和降低成本。將兩條數(shù)據(jù)線之間的掃描線區(qū)的半導(dǎo)體層以及歐姆接觸層部分或者完全蝕刻 掉，以使得所述兩條數(shù)據(jù)線在電壓不同時(shí)，不會(huì)有電流在所述兩條數(shù)據(jù)線之間流過，消 除了像素單元之間的交叉串?dāng)_，提高了圖像顯示效果。第二實(shí)施例在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供一種TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，如圖21所示， 包括步驟S201,提供基板，所述基板具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；S202,在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣層、半導(dǎo)體層和歐姆 接觸層；S203,利用半灰調(diào)掩膜版，定義光刻膠圖形；S204,以所述光刻膠圖形為掩膜，去除部分的歐姆接觸層、半導(dǎo)體層、柵電極 絕緣層和柵電極金屬層；留存所述第一區(qū)域上的歐姆接觸層、半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層 和柵電極金屬層；留存所述第二區(qū)域上的柵電極絕緣層和柵電極金屬層；S205，在所述第一區(qū)域的外圍和所述第二區(qū)域之上形成第一絕緣層；S206,在所述第一區(qū)域和所述第一絕緣層之上形成源漏電極金屬層；S207,利用掩膜版，定義光刻膠圖形；S208,以所述光刻膠圖形為掩膜，在所述源漏電極金屬層上形成位于第一區(qū)域 上的溝道，將所述源漏電極金屬層截?cái)嗖⒃谒龅谝唤^緣層和第一區(qū)域上的半導(dǎo)體層之 上形成源電極金屬層和漏電極金屬層，以形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；去除所述第二區(qū)域上的 源漏電極金屬層和第一絕緣層，顯露出所述柵電極絕緣層；S209,在所述源電極金屬層、溝道、漏電極金屬層和柵電極絕緣層之上形成第
二絕緣層；S210,在所述第二絕緣層上形成過孔，所述過孔截?cái)嗨龅诙^緣層并顯露出 所述漏電極金屬層；S211，在所述第二絕緣層上形成像素電極，所述像素電極通過所述過孔與所述 漏電極金屬層連接；其中所述像素電極與所述柵電極金屬層在第二區(qū)域上構(gòu)成存儲(chǔ)電容 的兩極，所述存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)介質(zhì)僅包括所述柵電極絕緣層和所述第二絕緣層。
下面結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。首先執(zhí)行步驟S201，提供如圖22所示的基板300，基板300具有第一區(qū)域305 和第二區(qū)域306。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，基板300可以采用透明玻璃基板或石英。接著執(zhí)行步驟S202，在基板300上依序形成柵電極金屬層301、柵電極絕緣層 302、半導(dǎo)體層303和歐姆接觸層304。形成如圖23a所示的結(jié)構(gòu)。另外，在步驟S202中，對(duì)于柵電極端子，在基板300上依序形成的柵電極金屬 層301、柵電極絕緣層302、半導(dǎo)體層303和歐姆接觸層304，形成如圖23b所示的結(jié)構(gòu)。再有，在步驟S202中，對(duì)于掃描線區(qū)，在基板300上依序形成的柵電極金屬層 301、柵電極絕緣層302、半導(dǎo)體層303和歐姆接觸層304，形成如圖23c所示的結(jié)構(gòu)。柵電極金屬層301的厚度大致為500埃 4000埃，其材料可以選用Cr、W、Ti、 Ta、Mo、Al或Cu等金屬或其合金。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，形成柵電極金屬層301 的具體方法可以采用物理氣相沉積方法。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，形成柵電極絕緣層302、半導(dǎo)體層303和歐姆接觸層 304的具體方法可以采用化學(xué)氣相沉積方法，具體地，可以是等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法 (PECVD)沉積形成的。其中，柵電極絕緣層302的厚度為1000埃 4000埃，其材料可以 選用氧化物、氮化物或氧氮化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以是SiH4、NH3、風(fēng)或3:^202、 NH3> N2。半導(dǎo)體層303和歐姆接觸層304的厚度分別為1000埃 2500埃和300埃 600埃，半導(dǎo)體層303和歐姆接觸層304對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以是SiH4、風(fēng)或3識(shí)202、N2。 所述半導(dǎo)體層303為無(wú)定形硅(a-Si)層。接著執(zhí)行步驟S203，利用半灰調(diào)掩膜版40，定義光刻膠圖形。所述半灰調(diào)掩膜 版40被劃分為多個(gè)區(qū)段，在本實(shí)施例子中，所述半灰調(diào)掩膜版40被分為三個(gè)區(qū)段，且所 述三個(gè)區(qū)段分別具有不同的透光率。在本實(shí)施例中，所述半灰調(diào)掩膜版40在對(duì)應(yīng)第一區(qū) 域305、第二區(qū)域306以及除第一區(qū)域305、第二區(qū)域306之外的其他區(qū)域分別具有不同 的透光率。在歐姆接觸層304表面形成光刻膠圖形，具體工藝包括在源漏電極金屬層310 上涂布光刻膠41，然后通過曝光將所述半灰調(diào)掩膜版上定義的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠41上， 接著利用顯影液將相應(yīng)部位的光刻膠41去除以形成對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形。接著執(zhí)行步驟S204，以所述光刻膠圖形為掩膜，去除第一區(qū)域305和第二區(qū)域 306之外的區(qū)域上的歐姆接觸層304、半導(dǎo)體層303、柵電極絕緣層302和柵電極金屬層 301 ；留存第一區(qū)域305上的歐姆接觸層304、半導(dǎo)體層303、柵電極絕緣層302和柵電極 金屬層301;去除第二區(qū)域306上的歐姆接觸層304、半導(dǎo)體層303，留存第二區(qū)域306上 的柵電極絕緣層302和柵電極金屬層301。通過步驟S204，形成如圖24a所示的結(jié)構(gòu)。另外，在步驟S203中，對(duì)于柵電極端子，利用掩膜版，定義光刻膠圖形；在步 驟S204中，以所述光刻膠圖形為掩膜，去除部分的歐姆接觸層304、半導(dǎo)體層303、柵電 極絕緣層302和柵電極金屬層301，顯露出基板300，并留存第三區(qū)域307上的柵電極絕 緣層301和柵電極金屬層302。形成如圖24b所示的結(jié)構(gòu)。再有，在步驟S204中，利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩 膜，去除歐姆接觸層304和半導(dǎo)體層303。形成如圖24c所示的結(jié)構(gòu)。實(shí)際上，對(duì)于掃描線區(qū)，在另一實(shí)施例中，在步驟S203中，利用掩膜版，定義光刻膠圖形；在步驟S204中，以所述光刻膠圖形為掩膜，去除第四區(qū)域308上的歐姆接 觸層304和半導(dǎo)體層303，并顯露出柵電極絕緣層302。形成如圖24d所示的結(jié)構(gòu)。所述歐姆接觸層304、半導(dǎo)體層303、柵電極絕緣層302和柵電極金屬層301的 去除是通過刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)的。所述刻蝕工藝可以為公知的濕法刻蝕或者為干法刻蝕。 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，具體包括首先，采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉歐姆接觸層 304、半導(dǎo)體層303和柵電極絕緣層302;再采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉所述柵電極金屬 層301直至顯露出基板300。其中，歐姆接觸層304、半導(dǎo)體層303的刻蝕氣體可以選用 SF6/C12或SF6/HC1，柵電極絕緣層302的刻蝕氣體可以選用SF6/02、Cl2/02或HCl/02， 柵電極金屬層301的刻蝕氣體可以選用SF6/02或Cl2/02。因所述干法刻蝕工藝和濕法刻 蝕工藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，故不在此贅述。接著執(zhí)行步驟S205，在基板300的第一區(qū)域305的外圍和第二區(qū)域306之上形 成第一絕緣層309，形成如圖26a所示的結(jié)構(gòu)。另外，在步驟S205中，對(duì)于柵電極端子，在第三區(qū)域307之外的基板300和第 三區(qū)域307上的柵電極絕緣層302上形成第一絕緣層309，形成如圖26b所示的結(jié)構(gòu)。再有，在步驟S205中，對(duì)于掃描線區(qū)，在柵電極絕緣層302上形成第一絕緣層 309，形成如圖25c所示的結(jié)構(gòu)。對(duì)于掃描線區(qū)，在另一實(shí)施例中，在步驟S205中，在第四區(qū)域308上的柵電極 絕緣層302上形成第一絕緣層309，形成如圖25d所示的結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一絕緣層309可以是有機(jī)膜，采用涂布工藝形成 的。具體包括首先在基板300的第一區(qū)域305和第二區(qū)域306之外的區(qū)域、第一區(qū)域 305上的歐姆接觸層304之上以及第二區(qū)域306上的歐姆接觸層304之上均勻涂布有機(jī) 膜，此時(shí)位于第一區(qū)域305和第二區(qū)域306之間的第一絕緣層309的厚度要大于柵電極金 屬層301、柵電極絕緣層302、半導(dǎo)體層303和歐姆接觸層304四層介質(zhì)的總和；對(duì)所述 有機(jī)膜進(jìn)行固化處理，形成如圖25a所示的結(jié)構(gòu)(在柵電極端子處形成如圖25b所示的結(jié) 構(gòu))；接著采用灰化工藝，去除一定厚度的有機(jī)膜直至使其與第一區(qū)域305上的歐姆接觸 層304齊平以顯露出歐姆接觸層304，形成平坦化的平面，具體如圖26a所示的結(jié)構(gòu)(在 柵電極端子處形成如圖26b所示的結(jié)構(gòu))。由于灰化工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，故不 在此贅述。另外，在其他實(shí)施例中，只要能將有機(jī)膜去除掉部分厚度，所述灰化工藝也可 以由其他方法代替，例如在其他實(shí)施例中，可以通過氧反應(yīng)離子刻蝕工藝去除一定厚度 的有機(jī)膜。接著執(zhí)行步驟S206，在第一絕緣層309和第一區(qū)域305上的歐姆接觸層304所 形成的平坦化表面上形成源漏電極金屬層310，形成如圖27a所示的結(jié)構(gòu)。在步驟S206中，對(duì)于柵電極端子，在第一絕緣層309上形成源漏電極金屬層 310，形成如圖27b所示的結(jié)構(gòu)。在步驟S206中，對(duì)于掃描線區(qū)，在第一絕緣層309上形成源漏電極金屬層310， 形成如圖27c所示的結(jié)構(gòu)。對(duì)于掃描線區(qū)，在另一實(shí)施例中，在步驟S206中，在歐姆接觸層304和第四區(qū) 域308上的第一絕緣層309之上形成源漏電極金屬層310，形成如圖27d所示的結(jié)構(gòu)。
在步驟S206中形成的源漏電極金屬層310是用于在后續(xù)進(jìn)一步形成源電極金屬 層和漏電極金屬層。源漏電極金屬層310的厚度大致為500埃 2500埃，其材料可以選 用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al或Cu等金屬或其合金。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，形成源 漏電極金屬層310的具體方法可以是采用濺射或熱蒸發(fā)的方法在基板300上沉積形成的。接著執(zhí)行步驟S207，利用掩膜版，定義光刻膠圖形。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例 中，所述掩膜版為普通掩膜版。在歐姆接觸層304表面形成光刻膠圖形(未圖示)，具體工藝包括在歐姆接觸 層304上涂布光刻膠41，然后通過曝光將掩膜版上定義的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠41上，接著 利用顯影液將相應(yīng)部位的光刻膠41去除以形成對(duì)應(yīng)的圖形。在本實(shí)施例中，在所述光刻 膠圖像中，對(duì)應(yīng)第一區(qū)域305和第二區(qū)域306上的光刻膠41被去除并顯露出源漏電極金 屬層310，形成如圖28a所示的結(jié)構(gòu)。而在柵電極端子處形成如圖28b所示的結(jié)構(gòu)。接著執(zhí)行步驟S208，如圖31a所示，以所述光刻膠圖形為掩膜，在源漏電極金 屬層310上形成位于第一區(qū)域305上的溝道311，以將源漏電極金屬層310截?cái)啵瑥亩?第一絕緣層309和第一區(qū)域305上的歐姆接觸層304之上形成源電極金屬層310a和漏電 極金屬層310b，以形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；去除第二區(qū)域306上的源漏電極金屬層310和 第一絕緣層309，顯露出柵電極絕緣層302。上述步驟S208可具體分為多個(gè)分步驟。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，具體可以包 括首先，以所述光刻膠圖形為掩膜，去除對(duì)應(yīng)第一區(qū)域305所顯露出的源漏電極 金屬層310，得以將源漏電極金屬層310截?cái)嗖⑿纬稍措姌O金屬層310a和漏電極金屬層 310b ；以及去除對(duì)應(yīng)第二區(qū)域306所顯露出的源漏電極金屬層310并顯露出其下的第一絕 緣層309，形成如圖29a所示的結(jié)構(gòu)。對(duì)于柵電極端子，去除源漏電極金屬層310，形成如圖29b所示的結(jié)構(gòu)。對(duì)于掃描線區(qū)，利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去 除第四區(qū)域308上的源漏電極金屬層310，并顯露出第一絕緣層309。形成如圖29c所示 的結(jié)構(gòu)。對(duì)于掃描線區(qū)，在另一實(shí)施例中，利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻 膠圖形為掩膜，去除第四區(qū)域308上的源漏電極金屬層310，并顯露出第一絕緣層309。 形成如圖29d所示的結(jié)構(gòu)。所述源漏電極金屬層310的去除是通過刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)的。所述刻蝕工藝可以為 公知的濕法刻蝕或者為干法刻蝕。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，具體可以采用濕法刻蝕工 藝，刻蝕掉源漏電極金屬層310直至顯露出其下的歐姆接觸層304。其中，源漏電極金屬 層310的刻蝕氣體可以選用SF6/02或Cl2/02。因所述刻蝕工藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟 知，故不在此贅述。接著，去除第二區(qū)域306處所顯露的第一絕緣層309直至顯露出其下的柵電極絕 緣層302，形成如圖30a所示的結(jié)構(gòu)。對(duì)于柵電極端子，去除部分的第一絕緣層309，使得第一絕緣層309與第三區(qū)域 307上的柵電極絕緣層302齊平，形成如圖30b所示的結(jié)構(gòu)。所述第一絕緣層309的去除可以采用灰化工藝，但并不依次為限，在其他實(shí)施
27例中，所述灰化工藝也可以由其他方法代替，例如在其他實(shí)施例中，可以通過氧反應(yīng)離 子刻蝕工藝去除一定厚度的有機(jī)膜。接著，去除對(duì)應(yīng)第一區(qū)域305處所顯露的歐姆接觸層304和一定厚度的半導(dǎo)體層 303，得以截?cái)嘣绰╇姌O金屬層310并形成源電極金屬層310a和漏電極金屬層310b，形成 如圖31a所示的結(jié)構(gòu)。所述歐姆接觸層304和半導(dǎo)體層303的去除是通過刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)的。所述刻蝕 工藝可以為公知的濕法刻蝕或者為干法刻蝕。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，具體可以采用 干法刻蝕工藝刻蝕掉歐姆接觸層304和一定厚度的半導(dǎo)體層303，歐姆接觸層304和半導(dǎo) 體層303的刻蝕氣體可以選用SF6/C12或SF6/HC1。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體層303是被刻蝕掉了部分的厚度，但并不以此為限，在 其他實(shí)施例中，也可以將半導(dǎo)體層303完全刻蝕掉。接著執(zhí)行步驟S209，去除光刻膠41，在源電極金屬層310a、溝道311、漏電極 金屬層310b和柵電極絕緣層302上形成第二絕緣層312，形成如圖32a所示的結(jié)構(gòu)。對(duì)于柵電極端子，在第一絕緣層309和柵電極絕緣層302上形成第二絕緣層 312，形成如圖32b所示的結(jié)構(gòu)。對(duì)于掃描線區(qū)，在源漏電極金屬層310和第四區(qū)域308上的第一絕緣層309上形 成第二絕緣層312，形成如圖32c所示的結(jié)構(gòu)。對(duì)于掃描線區(qū)，在另一實(shí)施例中，在源漏電極金屬層310和第四區(qū)域308上的第 一絕緣層309上形成第二絕緣層312，形成如圖32d所示的結(jié)構(gòu)。如圖30c和圖30d所示，由于去除或部分去除了在兩條數(shù)據(jù)線之間的掃描線區(qū)的 歐姆接觸層204和半導(dǎo)體層203，以使得所述兩條數(shù)據(jù)線在施加不同電壓信號(hào)后不會(huì)有電 流在所述兩數(shù)據(jù)線之間流過，也即所述兩條數(shù)據(jù)線和所述兩條數(shù)據(jù)線之間的掃描線不會(huì) 等效為一個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)，從而降低了相鄰像素之間產(chǎn)生交叉串?dāng)_的幾率，相應(yīng)地提高了 圖像顯示效果。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第二絕緣層312的厚度為700埃 3000埃，其材料 可以是氧化物、氮化物或氧氮化合物，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成的，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體 可以是 SiH4、NH3、N2 或 SiH2Cl2、NH3、N2。接著執(zhí)行步驟S210，在第二絕緣層312上形成過孔313，過孔313截?cái)嗟诙^緣 層312并顯露出其下的漏電極金屬層310b，形成如圖33a所示的結(jié)構(gòu)。過孔313是通過刻蝕工藝刻蝕掉部分的第二絕緣層312后形成的?？涛g氣體可 以選用 SF6/02、Cl2/02 或 HC1/02o對(duì)于柵電極端子，去除第三區(qū)域307上的第二絕緣層312和柵電極絕緣層302， 并顯露出柵電極金屬層301，形成如圖33b所示的結(jié)構(gòu)。需說明的是，由于在步驟S210中，可以在形成過孔313時(shí)一并形成柵電極端子 過孔，相比于在現(xiàn)有技術(shù)中須增加一道掩膜版才能刻蝕出用于固定驅(qū)動(dòng)電路IC的柵電極 端子的過孔，本發(fā)明不需要現(xiàn)有技術(shù)中的單獨(dú)刻蝕柵電極端子過孔的工藝步驟，從而能 簡(jiǎn)化工藝、降低制造成本。接著執(zhí)行步驟S211，在第二絕緣層312上形成像素電極314，形成如圖34a所示 的結(jié)構(gòu)。如圖34a所示，部分的像素電極214填充于過孔213，得以通過過孔213與漏電極金屬層210b連接。像素電極314與柵電極金屬層301在第二區(qū)域306上構(gòu)成存儲(chǔ)電容 的兩極，所述存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)介質(zhì)僅包括位于柵電極金屬層301與像素電極314之間的柵 電極絕緣層302和第二絕緣層312。對(duì)于柵電極端子，在第二絕緣層312和第三區(qū)域307上的柵電極金屬層301上形 成像素電極314，形成如圖34b所示的結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，形成像素電極314的具體方法包括首先，采用物 理氣相沉積工藝在在第二絕緣層312和過孔313上形成透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層的厚 度為300埃 600埃，其材料可以選用銦錫氧化物或銦鋅氧化物；接著，通過刻蝕工藝形 成像素電極314。實(shí)際上，形成透明導(dǎo)電層的工藝也可以采用濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積形 成的，在此不再贅述。在上述步驟S211中，形成的像素電極314通過過孔313與漏電極金屬層310b連 接，能夠在柵電極金屬層上的掃描信號(hào)TFT導(dǎo)通時(shí)能將源電極金屬層310a經(jīng)漏電極金屬 層310b傳導(dǎo)的數(shù)據(jù)信號(hào)提供給像素電極314。另外，在對(duì)應(yīng)第二區(qū)域306上形成了存儲(chǔ)電容，其中，相對(duì)設(shè)置的像素電極314 和柵電極金屬層301分別作為所述存儲(chǔ)電容的上、下極板，而在像素電極314和柵電極金 屬層301之間的柵電極絕緣層和第二絕緣層則作為所述存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)介質(zhì)。所述存儲(chǔ) 電容，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的三層或更多層介質(zhì)的存儲(chǔ)電容具有更大的電容存儲(chǔ)能力。第二技術(shù)方案請(qǐng)參閱圖2和圖35，其中的圖35為圖2中沿A1-A2切割線所得的截面示意 圖，其包括了薄膜晶體管(ThinFilmTransistors : TFT,以下簡(jiǎn)稱TFT)結(jié)構(gòu)區(qū)和存儲(chǔ)電
容區(qū)。結(jié)合圖2和圖35，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)包括基板400，所述基板400具有第一區(qū) 域405和第二區(qū)域406，其中在第一區(qū)域405上將形成TFT結(jié)構(gòu)，在第二區(qū)域406上將 形成存儲(chǔ)電容；第一絕緣層409，覆蓋基板400上除第一區(qū)域405和第二區(qū)域406之外的 區(qū)域；位于第一區(qū)域405上的TFT結(jié)構(gòu)，所述TFT結(jié)構(gòu)包括位于第一區(qū)域405上的柵電 極金屬層401、柵電極絕緣層402、半導(dǎo)體層403、歐姆接觸層404，以及位于歐姆接觸 層404和第一絕緣層409之上的源電極金屬層410a和漏電極金屬層410b ；源電極金屬層 410a和漏電極金屬層410b之間具有位于第一區(qū)域405上的溝道411 ；位于第二區(qū)域406 上的柵電極金屬層401和柵電極絕緣層402 ；第二絕緣層412，覆蓋源電極金屬層410a、 溝道411、漏電極金屬層410b和第一絕緣層409;過孔413，截?cái)嗟诙^緣層412并顯露 出漏電極金屬層410b;像素電極414，覆蓋第二絕緣層412和柵電極絕緣層402，并通過 過孔413與漏電極金屬層410b連接；像素電極414與柵電極金屬層401在第二區(qū)域406 上分別構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩極，在柵電極金屬層401與像素電極414之間僅包括柵電極絕緣 層402，因此，所述存儲(chǔ)電容就具有為柵電極絕緣層402的單一存儲(chǔ)介質(zhì)。在實(shí)際應(yīng)用中，可以與圖6和圖21所示的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法基本類似， 圖36顯示了用于制造圖35所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法。需特別說明的是，因柵電 極端子和掃描線區(qū)的制造工藝與前述技術(shù)方案相類似，相關(guān)工藝步驟可參照前述技術(shù)方 案中的相關(guān)內(nèi)容，故在此不再贅述。所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法包括以下步驟S301,提供基板，所述基板具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；
S302,在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣層、半導(dǎo)體層和歐姆 接觸層；S303,利用半灰調(diào)掩膜版，定義光刻膠圖形；S304,以所述光刻膠圖形為掩膜，去除部分的歐姆接觸層、半導(dǎo)體層、柵電極 絕緣層和柵電極金屬層；留存所述第一區(qū)域上的歐姆接觸層、半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層 和柵電極金屬層；留存所述第二區(qū)域上的柵電極絕緣層和柵電極金屬層；S305，在所述第一區(qū)域的外圍和所述第二區(qū)域之上形成第一絕緣層；S306，在所述第一區(qū)域和所述第一絕緣層之上形成源漏電極金屬層；S307,利用掩膜版，定義光刻膠圖形；S308,以所述光刻膠圖形為掩膜，在所述源漏電極金屬層上形成位于第一區(qū)域 上的溝道，將所述源漏電極金屬層截?cái)嗖⒃谒龅谝唤^緣層和第一區(qū)域上的半導(dǎo)體層之 上形成源電極金屬層和漏電極金屬層，以形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；去除所述第二區(qū)域上的 源漏電極金屬層和第一絕緣層，顯露出所述柵電極絕緣層；S309,在所述源電極金屬層、溝道、漏電極金屬層和柵電極絕緣層之上形成第
二絕緣層；S310,在所述第二絕緣層上形成過孔，所述過孔截?cái)嗨龅诙^緣層并顯露出 所述漏電極金屬層；去除所述第二區(qū)域上柵電極絕緣層之上的第二絕緣層；S311，在所述第二絕緣層和所述第二區(qū)域上的柵電極絕緣層之上形成像素電 極，所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極金屬層連接；其中所述像素電極與所述柵 電極金屬層在第二區(qū)域上構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩極，所述存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)介質(zhì)僅包括位于所 述柵電極金屬層與所述像素電極之間的柵電極絕緣層。下面結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。首先執(zhí)行步驟S301和步驟S302，提供具有第一區(qū)域405和第二區(qū)域406上的基 板400，在基板400上依序形成柵電極金屬層401、柵電極絕緣層402、半導(dǎo)體層403和歐 姆接觸層404，形成如圖37所示的結(jié)構(gòu)。接著執(zhí)行步驟S303，利用半灰調(diào)掩膜版40，定義光刻膠圖形。所述半灰調(diào)掩膜 版40被劃分為多個(gè)區(qū)段，在本實(shí)施例子中，所述半灰調(diào)掩膜版40被分為三個(gè)區(qū)段，且所 述三個(gè)區(qū)段分別具有不同的透光率。在本實(shí)施例中，所述半灰調(diào)掩膜版40在對(duì)應(yīng)第一區(qū) 域405、第二區(qū)域406以及除第一區(qū)域405、第二區(qū)域406之外的其他區(qū)域分別具有不同 的透光率。在歐姆接觸層404表面形成光刻膠圖形，具體工藝包括在源漏電極金屬層410 上涂布光刻膠41，然后通過曝光將所述半灰調(diào)掩膜版上定義的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠41上， 接著利用顯影液將相應(yīng)部位的光刻膠41去除以形成對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形。接著執(zhí)行步驟S304，以所述光刻膠圖形為掩膜，去除第一區(qū)域405和第二區(qū)域 406之外的區(qū)域上的歐姆接觸層404、半導(dǎo)體層403、柵電極絕緣層402和柵電極金屬層 401 ；留存第一區(qū)域305上的歐姆接觸層404、半導(dǎo)體層403、柵電極絕緣層402和柵電極 金屬層401;去除第二區(qū)域406上的歐姆接觸層404、半導(dǎo)體層403，留存第二區(qū)域406上 的柵電極絕緣層402和柵電極金屬層401。通過步驟S304，形成如圖38所示的結(jié)構(gòu)。接著執(zhí)行步驟S305，在基板400的第一區(qū)域405的外圍和第二區(qū)域406之上形成第一絕緣層409，使得第一絕緣層409和第一區(qū)域405上的歐姆接觸層形成平坦化表面， 形成如圖39所示的結(jié)構(gòu)。接著執(zhí)行步驟S306，在第一絕緣層409和第一區(qū)域405上的歐姆接觸層404上 所形成的平坦化表面上形成源漏電極金屬層410，形成如圖40所示的結(jié)構(gòu)。接著執(zhí)行步驟S307，利用掩膜版，定義光刻膠圖形。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例 中，所述掩膜版為普通掩膜版。在歐姆接觸層404表面形成光刻膠圖形(未圖示)，具體工藝包括在歐姆接觸 層404上涂布光刻膠41，然后通過曝光將掩膜版上定義的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠41上，接著 利用顯影液將相應(yīng)部位的光刻膠41去除以形成對(duì)應(yīng)的圖形。在本實(shí)施例中，在所述光刻 膠圖像中，對(duì)應(yīng)第一區(qū)域405和第二區(qū)域406上的光刻膠41被去除并顯露出源漏電極金 屬層410，形成如圖41所示的結(jié)構(gòu)。接著執(zhí)行步驟S308，如圖42所示，以所述光刻膠圖形為掩膜，在源漏電極金屬 層410上形成位于第一區(qū)域405上的溝道411，以將源漏電極金屬層410截?cái)?，從而在?一絕緣層409和第一區(qū)域405上的歐姆接觸層404之上形成源電極金屬層410a和漏電極 金屬層410b，以形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；去除第二區(qū)域406上的源漏電極金屬層410和第 一絕緣層409，顯露出柵電極絕緣層402。接著執(zhí)行步驟S309，去除光刻膠41，在源電極金屬層410a、溝道411、漏電極 金屬層410b和柵電極絕緣層402之上形成第二絕緣層412，形成如圖43所示的結(jié)構(gòu)。接著執(zhí)行步驟S310，如圖44所示，在第二絕緣層412上形成過孔413，過孔413 截?cái)嗟诙^緣層412并顯露出其下的漏電極金屬層410b。在本實(shí)施例中，過孔313是通 過刻蝕工藝刻蝕掉部分的第二絕緣層312后形成的。另外，在步驟S310中，還包括去除第二區(qū)域406上柵電極絕緣層402之上的第 二絕緣層412。在本實(shí)施例中，去除第二絕緣層412是通過刻蝕工藝刻蝕掉的。接著執(zhí)行步驟S311，在第二絕緣層412和第二區(qū)域406上的柵電極絕緣層402之 上形成像素電極414，形成如圖45所示的結(jié)構(gòu)。如圖45所示，部分的像素電極414填充 于過孔413，得以通過過孔413與漏電極金屬層410b連接。像素電極414與柵電極金屬 層401在第二區(qū)域406上構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩極，且像素電極414與柵電極金屬層401之間 僅包括柵電極絕緣層402，因此，所述存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)介質(zhì)僅包括柵電極絕緣層402。所 述存儲(chǔ)電容，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的三層或更多層介質(zhì)的存儲(chǔ)電容具有更大的電容存儲(chǔ)能 力。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技 術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù) 范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種TFT陣列結(jié)構(gòu)，包括基板，所述基板具有第一區(qū)域和第二區(qū)域； 第一絕緣層，覆蓋所述基板上除第一區(qū)域和第二區(qū)域之外的區(qū)域； 薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括位于所述第一區(qū)域上的柵電極金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo) 體層，以及位于所述半導(dǎo)體層和第一絕緣層之上的源電極金屬層和漏電極金屬層；所述 源電極金屬層和漏電極金屬層之間具有位于第一區(qū)域上的溝道； 位于所述第二區(qū)域上的柵電極金屬層和柵電極絕緣層； 其特征在于，還包括第二絕緣層，覆蓋所述源電極金屬層、溝道、漏電極金屬層和所述第二區(qū)域的柵電 極絕緣層；像素電極，覆蓋所述第二絕緣層，并與所述漏電極金屬層連接； 所述像素電極和所述柵電極金屬層在第二區(qū)域上構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩極，所述存儲(chǔ)電 容的存儲(chǔ)介質(zhì)僅包括柵電極絕緣層和第二絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括位于所述第二絕緣層 內(nèi)并顯露出所述漏電極金屬層的過孔，所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極金屬層 連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板還具有第三區(qū)域， 所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括柵電極端子，其包括覆蓋所述基板的第三區(qū)域上的柵電極金屬層；位于所述第三區(qū)域上的柵電極金屬層外圍的第一絕緣層；覆蓋所述第一絕緣層的第二絕緣層；覆蓋所述第二絕緣層和所述柵電極金屬層的像素電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板還具有第四區(qū)域， 所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括與柵電極金屬層一體的掃描線區(qū)，其包括覆蓋所述基板的柵電極金屬層和柵電極絕緣層；覆蓋所述第四區(qū)域上的柵電極絕緣層外圍的半導(dǎo)體層和源漏電極金屬層； 覆蓋所述源漏電極金屬層和所述第四區(qū)域上的柵電極絕緣層的第二絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述半導(dǎo)體層和所述 源漏電極金屬層之間還覆蓋有歐姆接觸層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板還具有第四區(qū)域， 所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括與柵電極金屬層一體的掃描線區(qū)，其包括覆蓋所述基板的柵電極金屬層和柵電極絕緣層；至少覆蓋所述第四區(qū)域上的第一絕緣層；覆蓋所述第四區(qū)域上的第一絕緣層外圍的源漏電極金屬層；覆蓋所述源漏電極金屬層和所述第四區(qū)域上的第一絕緣層的第二絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一絕緣層和所述柵電 極絕緣層之間還覆蓋有半導(dǎo)體層和歐姆接觸層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵電極金屬層、源電極 金屬層和漏電極金屬層為選自Cr、W、Ti、Ta、Mo、A1或Cu的單層膜，或者選自Cr、W、Ti、Ta、Mo、A1或Cu中至少兩種金屬組成的復(fù)合膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵電極絕緣層、第一絕 緣層和第二絕緣層的材料包括氧化物、氮化物或者氮氧化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極的材料包括銦 錫氧化物或銦鋅氧化物。
11.一種TFT陣列結(jié)構(gòu)，包括基板，所述基板具有第一區(qū)域和第二區(qū)域； 第一絕緣層，覆蓋所述基板上除第一區(qū)域和第二區(qū)域之外的區(qū)域； 薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括位于所述第一區(qū)域上的柵電極金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo) 體層，以及位于所述半導(dǎo)體層和第一絕緣層之上的源電極金屬層和漏電極金屬層；所述 源電極金屬層和漏電極金屬層之間具有位于第一區(qū)域上的溝道； 位于所述第二區(qū)域上的柵電極金屬層和柵電極絕緣層； 其特征在于，還包括像素電極，覆蓋所述柵電極絕緣層，并與所述漏電極金屬層連接； 所述像素電極和所述柵電極金屬層在第二區(qū)域上構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩極，所述存儲(chǔ)電 容的存儲(chǔ)介質(zhì)僅包括柵電極絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括覆蓋所述源電極金 屬層、溝道和漏電極金屬層的第二絕緣層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括位于所述第二絕緣 層內(nèi)并顯露出所述漏電極金屬層的過孔，所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極金屬 層連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板還具有第三區(qū)域， 所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括柵電極端子，其包括覆蓋所述基板的第三區(qū)域上的柵電極金屬層；位于所述第三區(qū)域上的柵電極金屬層外圍的第一絕緣層；覆蓋所述第一絕緣層的第二絕緣層；覆蓋所述第二絕緣層和所述柵電極金屬層的像素電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板還具有第四區(qū)域， 所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括與柵電極金屬層一體的掃描線區(qū)，其包括覆蓋所述基板的柵電極金屬層和柵電極絕緣層；覆蓋所述第四區(qū)域上的柵電極絕緣層外圍的半導(dǎo)體層和源漏電極金屬層； 覆蓋所述源漏電極金屬層和所述第四區(qū)域上的柵電極絕緣層的第二絕緣層。
16.根據(jù)權(quán)利要求11或15所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述半導(dǎo)體層和所 述源漏電極金屬層之間還覆蓋有歐姆接觸層。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板還具有第四區(qū)域， 所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括與柵電極金屬層一體的掃描線區(qū)，其包括覆蓋所述基板的柵電極金屬層和柵電極絕緣層；至少覆蓋所述第四區(qū)域上的第一絕緣層；覆蓋所述第四區(qū)域上的第一絕緣層外圍的源漏電極金屬層；覆蓋所述源漏電極金屬層和所述第四區(qū)域上的第一絕緣層的第二絕緣層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一絕緣層和所述柵 電極絕緣層之間還覆蓋有半導(dǎo)體層和歐姆接觸層。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵電極金屬層、源電極 金屬層和漏電極金屬層為選自Cr、W、Ti、Ta、Mo、A1或Cu的單層膜，或者選自Cr、 W、Ti、Ta、Mo、A1或Cu中至少兩種金屬組成的復(fù)合膜。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵電極絕緣層、第一 絕緣層和第二絕緣層的材料包括氧化物、氮化物或者氮氧化物。
21.根據(jù)權(quán)利要求11所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極的材料包括 銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
22.—種TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括 提供基板，所述基板具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo)體層； 利用掩模版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第一區(qū)域和第二區(qū)域之外的區(qū)域上的半導(dǎo)體 層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層，并顯露出所述基板；在所述基板的第一區(qū)域和第二區(qū)域之外的區(qū)域形成第一絕緣層； 在所述第一絕緣層和半導(dǎo)體層上形成源漏電極金屬層； 利用半灰調(diào)掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，在所述源漏電極金屬層上形成位于第一區(qū)域的溝道，將 所述源漏電極金屬層截?cái)嗖⒃谒龅谝唤^緣層和第一區(qū)域上的半導(dǎo)體層之上形成源電極 金屬層和漏電極金屬層，以形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；去除所述第二區(qū)域上的源漏電極金屬層和半導(dǎo)體層，并顯露出所述柵電極絕緣層； 在所述源電極金屬層、溝道、漏電極金屬層和柵電極絕緣層上形成第二絕緣層； 在所述第二絕緣層上形成像素電極，所述像素電極與所述漏電極連接；所述像素電 極和所述柵電極金屬層在第二區(qū)域上構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩極，所述存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)介質(zhì)僅 包括柵電極絕緣層和第二絕緣層。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括在第一 區(qū)域上的源漏電極金屬層和半導(dǎo)體層之間形成歐姆接觸層的步驟。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括在所述 第二絕緣層上形成過孔、以使所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極金屬層連接的步 馬聚o
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，以所述光刻膠 圖形為掩膜，去除所述半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層的步驟具體包括采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉所述半導(dǎo)體層和柵電極絕緣層； 采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉所述柵電極金屬層。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成第一絕緣層 的步驟具體為在所述柵電極金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo)體層的外圍涂布有機(jī)膜；采 用灰化工藝將凸出于所述半導(dǎo)體層的多余有機(jī)膜去除，形成第一絕緣層。
27.根據(jù)權(quán)利要求22所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述去除所述第 二區(qū)域上的源漏電極金屬層和半導(dǎo)體層，并顯露出所述柵電極絕緣層的步驟具體包括采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉部分的源漏電極金屬層； 采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉部分的半導(dǎo)體層。
28.根據(jù)權(quán)利要求22所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述基板還具 有第三區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制造柵電極端子的工藝，所述工藝包 括在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo)體層； 利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除除第三區(qū)域之外的半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電 極金屬層；在所述第三區(qū)域上的柵電極金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo)體層的外圍形成第一絕緣層；利用半灰調(diào)掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除第三區(qū)域上的半導(dǎo)體層，并顯露出所述柵電極絕緣層；在所述第一絕緣層和所述第三區(qū)域上的柵電極絕緣層上形成第二絕緣層； 利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第三區(qū)域上的第二絕緣層和柵電極絕緣層，并 顯露出所述柵電極金屬層；在所述第二絕緣層和所述第三區(qū)域上的柵電極金屬層上形成像素電極。
29.根據(jù)權(quán)利要求22所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述基板還具 有第四區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制造與柵電極金屬層一體的掃描線區(qū) 的工藝，所述工藝包括在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣層、半導(dǎo)體層和源漏電極金屬層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第四區(qū)域上的源漏電極金屬層；去除第四區(qū)域上的半導(dǎo)體層，并顯露出所述柵電極絕緣層；在所述源漏電極金屬層和所述第四區(qū)域上的柵電極絕緣層上形成第二絕緣層。
30.根據(jù)權(quán)利要求22所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述基板還具 有第四區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制造與柵電極金屬層一體的掃描線區(qū) 的工藝，所述工藝包括在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣層、半導(dǎo)體層和源漏電極金屬層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第四區(qū)域上的源漏電極金屬層；去除第四區(qū)域上部分的半導(dǎo)體層，并顯露出部分的所述柵電極絕緣層；在所述源漏電極金屬層和所述第四區(qū)域上的半導(dǎo)體層和柵電極絕緣層上形成第二絕緣層。
31.根據(jù)權(quán)利要求29或30所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括在 所述源漏電極金屬層和半導(dǎo)體層之間形成歐姆接觸層的步驟。
32.—種TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括 提供基板，所述基板具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo)體層； 利用半灰調(diào)掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除部分的半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層； 留存所述第一區(qū)域上的半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層；留存所述第二區(qū)域上 的柵電極絕緣層和柵電極金屬層；在所述第一區(qū)域的外圍和所述第二區(qū)域之上形成第一絕緣層； 在所述第一區(qū)域和所述第一絕緣層之上形成源漏電極金屬層； 利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，在所述源漏電極金屬層上形成位于第一區(qū)域上的溝道， 將所述源漏電極金屬層截?cái)嗖⒃谒龅谝唤^緣層和第一區(qū)域上的半導(dǎo)體層之上形成源電 極金屬層和漏電極金屬層，以形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；去除所述第二區(qū)域上的源漏電極金屬層和第一絕緣層，顯露出所述柵電極絕緣層； 在所述源電極金屬層、溝道、漏電極金屬層和柵電極絕緣層之上形成第二絕緣層； 在所述第二絕緣層上形成像素電極，所述像素電極與所述漏電極連接；所述像素電 極和所述柵電極金屬層在第二區(qū)域上構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩極，所述存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)介質(zhì)僅 包括柵電極絕緣層和第二絕緣層。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括在第一 區(qū)域上的源漏電極金屬層和半導(dǎo)體層之間形成歐姆接觸層的步驟。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括在所述 第二絕緣層上形成過孔、以使所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極金屬層連接的步驟。
35.根據(jù)權(quán)利要求32所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述去除部分 的半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層的步驟具體包括采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉所述半導(dǎo)體層和柵電極絕緣層； 采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉所述柵電極金屬層。
36.根據(jù)權(quán)利要求32所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述形成第一 絕緣層的步驟具體為在所述柵電極金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo)體層的外圍涂布有機(jī) 膜；采用灰化工藝將凸出于所述半導(dǎo)體層的多余有機(jī)膜去除，形成第一絕緣層。
37.根據(jù)權(quán)利要求32所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述形成溝道 的步驟具體為采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉所述第一區(qū)域上的源漏電極金屬層； 采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉部分厚度的所述半導(dǎo)體層。
38.根據(jù)權(quán)利要求32所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述對(duì)于第二區(qū) 域，去除所述的源漏電極金屬層和半導(dǎo)體層，并顯露出柵電極絕緣層的步驟具體包括采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉所述第二區(qū)域上的源漏電極金屬層； 采用灰化工藝，灰化掉所述第二區(qū)域上的第一絕緣層。
39.根據(jù)權(quán)利要求32所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述基板還具 有第三區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制造柵電極端子的工藝，所述工藝包 括在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo)體層； 利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除部分的半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層； 留存所述第三區(qū)域上的柵電極絕緣層和柵電極金屬層；在所述第三區(qū)域之外的基板和第三區(qū)域上的柵電極絕緣層上形成第一絕緣層； 在所述第一絕緣層和柵電極絕緣層上形成第二絕緣層； 利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第三區(qū)域上的第二絕緣層和柵電極絕緣層，并 顯露出所述柵電極金屬層；在所述第二絕緣層和所述第三區(qū)域上的柵電極金屬層上形成像素電極。
40.根據(jù)權(quán)利要求32所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述基板還具 有第四區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制造與柵電極金屬層一體的掃描線區(qū) 的工藝，所述工藝包括在所述基板上依序形成柵電極金屬層和柵電極絕緣層； 在所述柵電極絕緣層上依序形成第一絕緣層和源漏電極金屬層； 利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第四區(qū)域上的源漏電極金屬層，并顯露出所述第一絕緣層；在所述源漏電極金屬層和第四區(qū)域上的第一絕緣層上形成第二絕緣層。
41.根據(jù)權(quán)利要求32所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述基板還具 有第四區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制造與柵電極金屬層一體的掃描線區(qū) 的工藝，所述工藝包括在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo)體層； 利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第四區(qū)域上的半導(dǎo)體層，并顯露出所述柵電極 絕緣層；在所述第四區(qū)域上的柵電極絕緣層上形成第一絕緣層；在所述半導(dǎo)體層和所述第四區(qū)域上的第一絕緣層上形成源漏電極金屬層；利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第四區(qū)域上的源漏電極金屬層，并顯露出所述第一絕緣層；在所述源漏電極金屬層和所述第四區(qū)域上的第一絕緣層上形成第二絕緣層。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括在所述 第一絕緣層和半導(dǎo)體層之間形成歐姆接觸層的步驟。
43.—種TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括 提供基板，所述基板具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo)體層； 利用半灰調(diào)掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除部分的半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層； 留存所述第一區(qū)域上的半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層；留存所述第二區(qū)域上 的柵電極絕緣層和柵電極金屬層；在所述第一區(qū)域的外圍和所述第二區(qū)域之上形成第一絕緣層； 在所述第一區(qū)域和所述第一絕緣層之上形成源漏電極金屬層； 利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，在所述源漏電極金屬層上形成位于第一區(qū)域上的溝道， 將所述源漏電極金屬層截?cái)嗖⒃谒龅谝唤^緣層和第一區(qū)域上的半導(dǎo)體層之上形成源電 極金屬層和漏電極金屬層，以形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；去除所述第二區(qū)域上的源漏電極金屬層和第一絕緣層，顯露出所述柵電極絕緣層； 在所述柵電極絕緣層上形成像素電極，所述像素電極與所述漏電極連接；所述像素 電極和所述柵電極金屬層在第二區(qū)域上構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩極，所述存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)介質(zhì) 僅包括柵電極絕緣層。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括在第一 區(qū)域上的源漏電極金屬層和半導(dǎo)體層之間形成歐姆接觸層的步驟。
45.根據(jù)權(quán)利要求43所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在所述去除所述 第二區(qū)域上的源漏電極金屬層和第一絕緣層，并顯露出所述柵電極絕緣層的步驟之后， 還包括在所述源電極金屬層、溝道和漏電極金屬層上形成第二絕緣層的步驟。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括在所述 第二絕緣層上形成過孔、以使所述像素電極通過所述過孔與所述漏電極金屬層連接的步 馬聚o
47.根據(jù)權(quán)利要求43所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述去除部分 的半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層的步驟具體包括采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉所述半導(dǎo)體層和柵電極絕緣層； 采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉所述柵電極金屬層。
48.根據(jù)權(quán)利要求43所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述形成第一 絕緣層的步驟具體為在所述柵電極金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo)體層的外圍涂布有機(jī) 膜；采用灰化工藝將凸出于所述半導(dǎo)體層的多余有機(jī)膜去除，形成第一絕緣層。
49.根據(jù)權(quán)利要求43所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述形成溝道 的步驟具體為采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉所述第一區(qū)域上的源漏電極金屬層； 采用干法刻蝕工藝，刻蝕掉部分厚度的所述半導(dǎo)體層。
50.根據(jù)權(quán)利要求43所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述對(duì)于第二區(qū) 域，去除所述的源漏電極金屬層和半導(dǎo)體層，并顯露出柵電極絕緣層的步驟具體包括采用濕法刻蝕工藝，刻蝕掉所述第二區(qū)域上的源漏電極金屬層；采用灰化工藝，灰化掉所述第二區(qū)域上的第一絕緣層。
51.根據(jù)權(quán)利要求43所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述基板還具 有第三區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制造柵電極端子的工藝，所述工藝包 括在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo)體層； 利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除部分的半導(dǎo)體層、柵電極絕緣層和柵電極金屬層； 留存所述第三區(qū)域上的柵電極絕緣層和柵電極金屬層；在所述第三區(qū)域之外的基板和第三區(qū)域上的柵電極絕緣層上形成第一絕緣層； 在所述第一絕緣層和柵電極絕緣層上形成第二絕緣層； 利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第三區(qū)域上的第二絕緣層和柵電極絕緣層，并 顯露出所述柵電極金屬層；在所述第二絕緣層和所述第三區(qū)域上的柵電極金屬層上形成像素電極。
52.根據(jù)權(quán)利要求43所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述基板還具 有第四區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制造與柵電極金屬層一體的掃描線區(qū) 的工藝，所述工藝包括在所述基板上依序形成柵電極金屬層和柵電極絕緣層； 在所述柵電極絕緣層上依序形成第一絕緣層和源漏電極金屬層； 利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第四區(qū)域上的源漏電極金屬層，并顯露出所述第一絕緣層；在所述源漏電極金屬層和第四區(qū)域上的第一絕緣層上形成第二絕緣層。
53.根據(jù)權(quán)利要求43所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述基板還具 有第四區(qū)域，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法還包括制造與柵電極金屬層一體的掃描線區(qū) 的工藝，所述工藝包括在所述基板上依序形成柵電極金屬層、柵電極絕緣層和半導(dǎo)體層； 利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第四區(qū)域上的半導(dǎo)體層，并顯露出所述柵電極 絕緣層；在所述第四區(qū)域上的柵電極絕緣層上形成第一絕緣層；在所述半導(dǎo)體層和所述第四區(qū)域上的第一絕緣層上形成源漏電極金屬層利用掩膜版，定義光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，去除所述第四區(qū)域上的源漏電極金屬層，并顯露出所述第一絕緣層；在所述源漏電極金屬層和所述第四區(qū)域上的第一絕緣層上形成第二絕緣層。
54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括在所述 第一絕緣層和半導(dǎo)體層之間形成歐姆接觸層的步驟。
全文摘要
一種TFT陣列結(jié)構(gòu)及其制造方法，其中TFT陣列結(jié)構(gòu)包括基板；柵電極金屬層、柵電極絕緣層、半導(dǎo)體層和歐姆接觸層；第一絕緣層；源電極金屬層和漏電極金屬層以及二者之間的溝道；覆蓋所述柵電極絕緣層并通過過孔與所述漏電極金屬層連接的像素電極；像素電極與所述柵電極金屬層構(gòu)成存儲(chǔ)電容的兩極，所述存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)介質(zhì)為單層結(jié)構(gòu)或二層結(jié)構(gòu)，可以比現(xiàn)有技術(shù)中的存儲(chǔ)電容具有更大的電容存儲(chǔ)能力。
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公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月22日
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