專(zhuān)利名稱：電光裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如能夠以短板式進(jìn)行彩色顯示的液晶裝置等電光裝置及 具備那種電光裝置的如液晶投影機(jī)等電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在這種電光裝置中，構(gòu)成一個(gè)像素部的按RGB (也就是紅色、綠色、 藍(lán)色)區(qū)分的三個(gè)子像素部典型的是，在一個(gè)像素內(nèi)按橫向或者X方向來(lái) 排列。按RGB區(qū)分的圖像信號(hào)經(jīng)由相鄰的三根數(shù)據(jù)線，同時(shí)被供給這三 個(gè)子像素部。再者，在從提高驅(qū)動(dòng)頻率等的目的出發(fā)，利用串-并行變換或 者展開(kāi)(也就是相展開(kāi))時(shí)，按RGB區(qū)分的圖像信號(hào)對(duì)按橫向排列的多 個(gè)像素部同時(shí)供給。特別是，為了減小這樣供給圖像信號(hào)時(shí)易于發(fā)生的 RGB序列內(nèi)的縱向條紋，人們還提出了 一種在數(shù)據(jù)線或者源線上安裝附加 電容的技術(shù)(參見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)l)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1: 特開(kāi)2007-256909號(hào)〃>才艮 就這種電光裝置而言，若在高精細(xì)化這樣的一般性要求下減小了像素間 距，則在以相同間距按橫向排列的原狀下將按RGB區(qū)分地設(shè)置的采樣電 路形成于基板上變得非常困難。對(duì)此，首先根據(jù)本申請(qǐng)發(fā)明人的研究，可 以考慮將按RGB區(qū)分的三個(gè)采樣電#縱向排列，也就是說(shuō)按縱向分為 三段來(lái)形成。
但是，在背景技術(shù)等的電光裝置中，若形成了三段的采樣電路，則在 三段采樣電路的相互間，在直到到達(dá)數(shù)據(jù)線為止的布線長(zhǎng)度、布線路徑及 寄生電容等上產(chǎn)生不能忽視的差。因而，不僅僅是RGB的序列內(nèi)，序列 間的條紋不勻，換言之縱向條紋也時(shí)大時(shí)小地發(fā)生。特別是，如同典型的那樣，若用薄膜晶體管構(gòu)成了采樣電路，則在RGB的序列間在源的下推 (push down)量上產(chǎn)生不能忽視的差。因此，由于例如對(duì)液晶的局部直 流分量的施加，或者因在對(duì)向電極的電位設(shè)定中產(chǎn)生紊亂，而存在圖像殘 留也變得易于發(fā)生這樣的技術(shù)性問(wèn)題所在。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是例如鑒于上述問(wèn)題所在而做出的，其目的為，提供一種能夠 以短板式進(jìn)行高品質(zhì)彩色顯示、而且適合于高精細(xì)化的電光裝置及具備那 種電光裝置的電子設(shè)備。
本發(fā)明的第一電光裝置為了解決上述問(wèn)題，其特征為，在基板上具備 多條掃描線，在像素區(qū)域沿著第一方向分別延伸且按與該第一方向交叉的 第二方向來(lái)排列，用來(lái)依次供給掃描信號(hào)；多條數(shù)據(jù)線，在上述像素區(qū)域 沿著上述第二方向分別延伸且沿著上述第一方向來(lái)排列，用來(lái)供給按RGB 區(qū)分的圖像信號(hào)；多個(gè)子像素部，對(duì)應(yīng)于上述多條數(shù)據(jù)線及上述多條掃描 線的交叉處掩爭(zhēng)個(gè)子像素設(shè)置，各自與R、 G或B對(duì)應(yīng)；以及采樣機(jī)構(gòu)， 構(gòu)成為，對(duì)上述多條數(shù)據(jù)線之中的與R、 G及B對(duì)應(yīng)的三才M目鄰的數(shù)據(jù)線 供給上述圖像信號(hào)并且沿著上述笫二方向排列成一列的三個(gè)采樣電路沿著 上述第一方向被排列多個(gè)；上述三個(gè)采樣電路分別包括薄膜晶體管，并且 以共用的形式具有沿著上述第二方向延伸的柵電極，在上述三個(gè)采樣電路 的各自中，與上述薄膜晶體管的源或漏電連接并且用來(lái)供給采樣前或后的
上述圖像信號(hào)的圖像信號(hào)線，在上述J4^上從俯視方向看，包括與上述柵 電極重疊且沿著上述第二方向延伸的重疊部分。
根據(jù)本發(fā)明的第一電光裝置，在其工作時(shí)，若輸入輸出了例如電源信 號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)、控制信號(hào)等的各種信號(hào)，則通過(guò)例如基板上所形成的內(nèi)置 驅(qū)動(dòng)電路或者外附的驅(qū)動(dòng)電路，對(duì)掃描線依次供給掃描信號(hào)。與之并行地， 圖像信號(hào)對(duì)數(shù)據(jù)線，例如按相鄰的每三根數(shù)據(jù)線同時(shí)供給，或者再通過(guò)串-并行變換或展開(kāi)，按每3xn (其中n為大于等于2的自然數(shù))根數(shù)據(jù)線同 時(shí)供給。具體而言，從沿著第二方向(也就是說(shuō)，典型的是縱向或者Y方向)排列成一列的三個(gè)采樣電路，對(duì)與R、 G、 B對(duì)應(yīng)的三才Mi鄰的數(shù)據(jù) 線，同時(shí)或者依次供給按RGB區(qū)分的圖像信號(hào)。通過(guò)這樣的各種信號(hào)輸 入輸出，在第一電光裝置中，例如液晶顯示、EL ( Electro Luminescence ) 顯示、等離子體顯示等的電光工作在有源矩陣方式下進(jìn)行。在本發(fā)明中特 別是，在像素區(qū)域典型的是，按RGB(紅綠藍(lán))區(qū)分的濾色器按每個(gè)像素 設(shè)置，在各像素中，能夠利用由按RGB區(qū)分的三個(gè)子像素部構(gòu)成的像素 部，以像素為單位進(jìn)行因RGB的合成而產(chǎn)生的彩色顯示，在像素區(qū)域整 體上以短板式進(jìn)行彩色顯示或全彩色顯示。
還有，在本申請(qǐng)中，所謂的"像素區(qū)域"指的并不是各個(gè)像素占據(jù)的區(qū) 域，而指的是由縱橫排列的多個(gè)像素構(gòu)成的區(qū)域整體，典型的是指的是"圖 像顯示區(qū)域"。
這里，在本發(fā)明中特別是，三個(gè)采樣電路分別包括具有與作為像素 開(kāi)關(guān)用元件的薄膜晶體管相同或不同的疊層結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，以共用的 形式具有沿著第二方向延伸的柵電極。而且，與薄膜晶體管的源或漏電連 接的圖像信號(hào)線為了供給采樣前或采樣后的圖像信號(hào)，包括與柵電極重疊 且沿著第二方向延伸的重疊部分。從而，對(duì)于圖像信號(hào)線的寬度方向來(lái)說(shuō)， 因?yàn)榘ㄖ丿B部分，所以與沒(méi)有重疊部分并且圖像信號(hào)線全部在薄膜晶體 管的側(cè)部通過(guò)的情形進(jìn)行比較，寬度可以非常窄。因而，由于易于適應(yīng)像 素間距或數(shù)據(jù)線布線間距的微細(xì)化、易于收窄采樣機(jī)構(gòu)的寬度，因而能實(shí) 現(xiàn)非常適于高精細(xì)化的采樣機(jī)構(gòu)。
還有，三才M目鄰的數(shù)據(jù)線相互間的還包括因圖像信號(hào)線而產(chǎn)生的作用 量在內(nèi)的寄生電容之差很可能因重疊部分的存在而增大。但是，例如通過(guò) 較大地取重疊部分及柵電極間的層間距離(例如介于雙方間的層間絕緣膜 的膜厚度)，或在雙方間設(shè)置電磁屏蔽層，或者在如同下述方式那樣將附 加電^#^條數(shù)據(jù)線設(shè)置并且調(diào)整其電容值以便該寄生電容之差變小，就 可以減小該寄生電容之差。也就是說(shuō)，能夠比較容易地將因該寄生電R 差引起的縱向條紋或圖像殘留防止于未然或者減小。
這樣，根據(jù)本發(fā)明，能夠容易地謀求高精細(xì)化，并且以短板式進(jìn)行高品質(zhì)的彩色顯示。
在本發(fā)明的第一電光裝置的一個(gè)方式中，還具備附加電容，附加電容
與上述多條數(shù)據(jù)線分別電連接；以減小上述三才M目鄰的數(shù)據(jù)線相互間的還 包括因與各自電連接的上述圖像信號(hào)線而產(chǎn)生的作用量在內(nèi)的寄生電^4L 差的方式，使上述附加電容的值在上勤目互間為不同的值。
根據(jù)該方式，即使三根相鄰的數(shù)據(jù)線相互間的寄生電容t差因重疊部 分的存在而增大，也可以通過(guò)以使得該寄生電容之差變小的方式調(diào)整M 條數(shù)據(jù)線所設(shè)置的附加電容的電容值，來(lái)減小該寄生電容之差。也就是說(shuō)， 可以將因該寄生電容之差引起的縱向條紋或圖像殘留防止于未然或者減 小。附加電容優(yōu)選的是，形成于數(shù)據(jù)線的前端、基端等的像素區(qū)域上的不 影響顯示工作等電光工作的區(qū)域內(nèi)。
在該方式中，上述附加電容也可以構(gòu)成為，通過(guò)使下述一個(gè)電容電極 和另一電容電極相對(duì)向來(lái)形成，上述一個(gè)電容電極電連接于設(shè)置在與上述 M成對(duì)的對(duì)向基板上的對(duì)向電極，另一電容電極設(shè)置于上述多條數(shù)據(jù)線 的前端；通過(guò)使上述一個(gè)及另一電容電極的平面尺寸在上勤目互間不同， 來(lái)減小上述差。
只要按上述方法來(lái)構(gòu)成，則典型的是，可以利用與下述對(duì)向電極電連 接的一個(gè)電容電極，實(shí)現(xiàn)附加電容，上述對(duì)向電極被降低為被稱為L(zhǎng)CCOM 等的固定電位或者作為按一定周期進(jìn)行矩形波反相的預(yù)定電位的對(duì)向電極 電位。此時(shí)，由于只通過(guò)變更電容電極的平面尺寸，就可以減小上述寄生 電容之差，因而實(shí)施非常容易。
在本發(fā)明第一電光裝置的其他方式中，上述多個(gè)子^^素部其沿著上述 第二方向排列成一列的與R對(duì)應(yīng)的列、沿著上述第二方向排列成一列的與
G對(duì)應(yīng)的列以及沿著上述第二方向排列成一列的與B對(duì)應(yīng)的列，按順序沿 著上述笫一方向來(lái)排列。
上述三根數(shù)據(jù)線之中，上述與R對(duì)應(yīng)的一根數(shù)據(jù)線電連接到上述與R 對(duì)應(yīng)的列，上述與G對(duì)應(yīng)的一根數(shù)據(jù)線電連接到上述與G對(duì)應(yīng)的列，上述 用來(lái)供給B圖像信號(hào)的一根數(shù)據(jù)線電連接到上述與B對(duì)應(yīng)的列，由上述多個(gè)子像素部之中的與上述三根數(shù)據(jù)線電連接并且沿著上述笫一方向相鄰的 三個(gè)子像素部，構(gòu)成一個(gè)像素部。
根據(jù)該方式，能夠沿著第二方向，也就是說(shuō)典型的是采用縱向帶狀的
所謂"帶狀排列，，的濾色器，并且將由按RGB區(qū)分的三個(gè)子像素部分別構(gòu) 成的像素部作為像素，進(jìn)行彩色顯示。此時(shí)，由于縱向條紋、圖像殘留得 以減小，因而能夠進(jìn)行高品質(zhì)的彩色顯示，并且也易于實(shí)現(xiàn)高精細(xì)度。
在本發(fā)明第一電光裝置的其他方式中，與上述三個(gè)采樣電路之中的一 個(gè)采樣電路有關(guān)的上述圖像信號(hào)線在上述J41上從俯視方向看，具有沿著 上述笫二方向通過(guò)構(gòu)成上述三個(gè)采樣電路之中的其它采樣電路的上述薄膜 晶體管的側(cè)部的部分。
根據(jù)該方式，在基板上從俯視方向看，對(duì)于形成與對(duì)應(yīng)于R、 G及B 的三才M目鄰的數(shù)據(jù)線連接的各采樣電路的周邊區(qū)域部分，采樣電路靠近一 方的單側(cè)，并且通過(guò)的部分靠近另一方的單側(cè)。因此，對(duì)于該周邊區(qū)域部 分來(lái)說(shuō)，采樣電路及圖像信號(hào)線的布局效率非常高。
在該方式中，上述采樣機(jī)構(gòu)及上述圖傳 f言號(hào)線也可以構(gòu)成為，上述通 過(guò)的部分配置為，通過(guò)作為上述側(cè)部的、對(duì)于上述三個(gè)采^"電路處于同一 側(cè)的側(cè)部。
如果按上述方法來(lái)構(gòu)成，在M上從俯視方向看，對(duì)于形成連接于與 R、 G及B對(duì)應(yīng)的三4M目鄰的數(shù)據(jù)線的三個(gè)采樣電路的周邊區(qū)域部分，采 樣電路靠近一方的單側(cè)，并且通過(guò)的部分靠近另一方的單側(cè)。因而，對(duì)于 該周邊區(qū)域部分來(lái)說(shuō)，采樣電路及圖像信號(hào)線的布局效率非常高。再者， 由于該周邊區(qū)域部分沿著第一方向排列了多個(gè)，因而在周邊區(qū)域的整個(gè)區(qū) 域上，采樣電路及圖像信號(hào)線的布局效率也非常高。
在本發(fā)明第一電光裝置的其他方式中，上述薄膜晶體管在上述14l上， 按照包括溝道區(qū)域、上述源及上述漏的半導(dǎo)體層、柵絕緣膜及上述柵電極 的順序進(jìn)行了疊層，在上述柵電極之上， 一個(gè)層間絕緣膜及構(gòu)成上述圖像 信號(hào)線的一個(gè)導(dǎo)電膜按該順序進(jìn)行了疊層。
根據(jù)該方式，在基板上，按照構(gòu)成薄膜晶體管的半導(dǎo)體層、柵絕緣膜、柵電極、 一個(gè)層間絕緣膜及構(gòu)成圖像信號(hào)線的一個(gè)導(dǎo)電膜的順序?qū)⑺鼈冞M(jìn) 行了疊層，可以橫基昧上的疊層結(jié)構(gòu)及制造工藝簡(jiǎn)單化，在實(shí)踐上非常有 用。
在該方式中，也可以還具備中繼布線，該中繼布線在上述一個(gè)導(dǎo)電膜 及上述柵電極間通過(guò)上述一個(gè)層間絕緣膜及其它層間絕緣膜來(lái)夾持，并且 由其它導(dǎo)電膜構(gòu)成，對(duì)上述圖像信號(hào)線進(jìn)行中繼連接。
如果按上述方法來(lái)構(gòu)成，則可以利用中繼布線，對(duì)于相互不同的圖像 信號(hào)線交叉的部位也無(wú)問(wèn)題地構(gòu)建被電連接的狀態(tài)，因此在實(shí)踐上是非常 有用的。還有，這種中繼布線既可以由導(dǎo)電性金屬膜構(gòu)成，也可以由導(dǎo)電 性多晶硅等非金屬性的導(dǎo)電性材料構(gòu)成。
本發(fā)明的第二電光裝置用來(lái)解決上述問(wèn)題，其特征為，在基板上具備 多條掃描線，在像素區(qū)域上沿著第一方向分別延伸且按與該第一方向交叉 的第二方向來(lái)排列，用來(lái)依次供給掃描信號(hào)；多條數(shù)據(jù)線，在上述像素區(qū) 域上沿著上述第二方向分別延伸且沿著上述第一方向來(lái)排列，用來(lái)供給按 RGB區(qū)分的圖像信號(hào)；多個(gè)子像素部，對(duì)應(yīng)于上述多條數(shù)據(jù)線及上述多條 掃描線的交叉處掩爭(zhēng)一子像素設(shè)置，各自與R、 G或B對(duì)應(yīng)；采樣機(jī)構(gòu)， 其構(gòu)成為，對(duì)上述多條數(shù)據(jù)線之中的與R、 G及B對(duì)應(yīng)的三才M目鄰的數(shù)據(jù) 線供給上述圖像信號(hào)并且沿著上述笫二方向排列成一列的三個(gè)采樣電路沿 著上述第一方向被排列多個(gè)；以及附加電容，與上述多條數(shù)據(jù)線分別電連 接；以減小上述三根相鄰的數(shù)據(jù)線相互間的還包括因與各自電連接的上述 圖像信號(hào)線而產(chǎn)生的作用量在內(nèi)的寄生電容之差的方式，使上述附加電容 的值在上勤目互間為不同的值。
根據(jù)本發(fā)明的第二電光裝置，在其工作時(shí)，和上述本發(fā)明所涉及的第 一電光裝置的情形相同，例如液晶顯示、EL (Electro Luminescence)顯 示、等離子體顯示等的電光工作在有源矩陣方式下進(jìn)行。
這里，在本發(fā)明中特別是，附加電容分別電連接到多條數(shù)據(jù)線，而且
以減小三才M目鄰的數(shù)據(jù)線相互間的還包括因圖1象信號(hào)線而產(chǎn)生的作用量在
內(nèi)的寄生電容之差的方式，使附加電容的值在相互間為不同的值。從而，即使三才M目鄰的數(shù)據(jù)線相互間的寄生電容之差大到不能忽略的程度，也可 以通過(guò)調(diào)整按每條數(shù)據(jù)線所設(shè)置的附加電容的電容值以便該寄生電容之差 變小，來(lái)減小該寄生電容之差。也就是說(shuō)，可以將因該寄生電容之差引起 的縱向條紋或圖像殘留防止于未然或者減小。附加電容優(yōu)選的是，可以形 成于數(shù)據(jù)線的前端、基端等的像素區(qū)域上的不影響顯示工作等電光工作的 區(qū)域內(nèi)。
這樣，根據(jù)本發(fā)明，能夠容易地謀求高精細(xì)化，并且能以短板式進(jìn)行 高品質(zhì)的彩色顯示。
本發(fā)明的電子設(shè)備為了解決上述問(wèn)題，具備上述本發(fā)明的電光裝置(其 中，包括其各種方式)。
根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備，由于具備上述本發(fā)明的電光裝置，因而能夠 實(shí)現(xiàn)可進(jìn)行高品質(zhì)圖像顯示的投影型顯示裝置、電視機(jī)、便攜電話機(jī)、電 子記事本、文字處理機(jī)、取景器式或者監(jiān)視器直觀式的磁帶錄像器、工作 站、電視電話機(jī)、POS終端及觸摸面板等的各種電子設(shè)備。另外，作為本
發(fā)明的電子設(shè)備，例如還能夠?qū)崿F(xiàn)電子紙張等的電泳裝置、電子發(fā)射裝置
用這些電泳裝置、電子發(fā)射裝置的顯示裝置。
本發(fā)明的作用及其他優(yōu)勢(shì)將通過(guò)下面說(shuō)明的用來(lái)實(shí)施的最佳方式得以 明確。


圖i是表示本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置的俯視圖。
圖2是圖1的H-H'剖面圖。
圖3是表示本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置的電構(gòu)成的框圖。 圖4是概略表示本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置的采樣晶體管的布局的 俯視圖。
圖5是表示本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置的采樣晶體管的布線布局的 俯視圖。圖6是圖5的V1-V1'剖面圖。 圖7是圖5的V2-V2'剖面圖。
圖8是本實(shí)施方式的圖像顯示區(qū)域的周邊區(qū)域的采樣晶體管71和附加 電容120的等效電路。
圖9是本實(shí)施方式的圖像顯示區(qū)域的周邊區(qū)域的附加電容的剖面圖。
圖IO是在本實(shí)施方式的圖像顯示區(qū)域的周邊區(qū)域，表示附加電容的電 極面積的變形例的剖面圖。
圖11是表示作為使用液晶裝置的電子設(shè)備一例的投影機(jī)的構(gòu)成的俯 視圖。
圖12是表示作為使用液晶裝置的電子設(shè)備一例的便攜電話機(jī)的構(gòu)成 的立體圖。 符號(hào)說(shuō)明
6a數(shù)據(jù)線，11掃描線，9像素電極，10 TFT陣列基板，10a 圖4象顯示區(qū)域，20 對(duì)向基板，23 遮光膜，26 濾色器，30 TFT， 50 液晶層，70子像素，71 采樣電路，72柵電極，100 電光裝置
具體實(shí)施例方式
下面，對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施方式， 一面參照附圖一面進(jìn)行說(shuō)明。 <1:電光裝置>
以作為本發(fā)明電光裝置一例的驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)置型TFT有源矩陣驅(qū)動(dòng)方 式的液晶裝置100為例，進(jìn)行說(shuō)明。
首先，對(duì)于本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置100的具體構(gòu)成，參照?qǐng)D1 及圖2進(jìn)行說(shuō)明。這里，圖1是表示液晶裝置100整體構(gòu)成的俯視圖，圖 2是圖1的H-H'線剖面圖。
在圖1及圖2中，在本實(shí)施方式所涉及的電光裝置內(nèi)，TFT陣列141 10和對(duì)向基敗20對(duì)向配置。在TFT陣列J^tl 10和對(duì)向基板20之間封入 液晶層50。液晶層50例如由一種或者混合了數(shù)種向列型液晶后的液晶來(lái) 形成。TFT陣列M 10和對(duì)向1^120通過(guò)設(shè)置于下述密封區(qū)域的密封件52相互粘接，該密封區(qū)域位于設(shè)置多個(gè)像素部的作為"顯示區(qū)域"的圖像顯 示區(qū)域10a周?chē)?br> 密封件52由用來(lái)粘合兩個(gè)基板的例如紫外線固化樹(shù)脂、熱固化樹(shù)脂等 形成，在制造過(guò)程中涂敷到TFT陣列基板10上之后，通過(guò)紫外線照射、 加熱等使之固化。在密封件52中，散布著用來(lái)使TFT陣列基板10和對(duì)向 之間的間隔成為預(yù)定值的玻璃絲、玻璃珠等間隙件。還有，也可以 除了將間隙件混入密封件52中之外還采用下述構(gòu)成或者取而代之來(lái)采用 下述構(gòu)成，該構(gòu)成為將間隙件配置于圖像顯示區(qū)域10a或者位于圖像顯 示區(qū)域10a周?chē)闹苓厖^(qū)域。
與配置有密封件52的密封區(qū)域內(nèi)側(cè)并行，規(guī)定圖像顯示區(qū)域10a邊框 區(qū)域的遮光性邊框遮光膜53設(shè)置在對(duì)向基板20側(cè)。但是，這種邊框遮光 膜53的一部分或全部也可以設(shè)置于TFT陣列基板10側(cè)來(lái)作為內(nèi)置遮光 膜。還有，存在位于圖像顯示區(qū)域10a周邊的周邊區(qū)域。換言之，在本實(shí) 施方式中特別是，從TFT陣列基板10的中心看上去，從該邊框遮光膜53 往外的區(qū)域凈iiU現(xiàn)定為周邊區(qū)域。
在周邊區(qū)域之中，在位于配置有密封件52的密封區(qū)域外側(cè)的區(qū)域，數(shù) 據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101及連接端子102沿著TFT陣列基板10的一邊進(jìn)e^殳置。 掃描線驅(qū)動(dòng)電路104沿著與該一邊相鄰的2邊，且被邊框遮光膜53覆蓋地 來(lái)設(shè)置。
在TFT陣列J4！ 10上，在與對(duì)向M 20的4個(gè)邊角部對(duì)向的區(qū)域配 置用來(lái)通過(guò)上下導(dǎo)通件107連接兩個(gè)基板間的上下導(dǎo)通端子106。借此， 可以在TFT陣列基板10和對(duì)向基板20之間取得電導(dǎo)通。
在圖2中，在TFT陣列基板10上，形成有像素開(kāi)關(guān)用TFT和掃描線、 數(shù)據(jù)線等布線的疊層結(jié)構(gòu)得以形成。在圖像顯示區(qū)域10a，在像素開(kāi)關(guān)用 TFT和掃描線、數(shù)據(jù)線等布線的上層，像素電極9a設(shè)置成矩陣狀。
還有，在TFT陣列基板10上，除了數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101、掃描線驅(qū) 動(dòng)電路104等的驅(qū)動(dòng)電路之外，還形成對(duì)圖像信號(hào)線上的圖像信號(hào)進(jìn)行采 樣將其供給數(shù)據(jù)線的采樣電路71。此外，在該TFT陣列基板10上，還可以形成預(yù)充電電路，先于圖像信號(hào)給多條數(shù)據(jù)線分別供給預(yù)定電壓電平 的預(yù)充電信號(hào)；檢查電路，用來(lái)檢查制造過(guò)程中、出廠時(shí)該電光裝置的品 質(zhì)、缺陷等；等。
另一方面，在對(duì)向J4SL20中的、與TFT陣列基板10的對(duì)向面上，按 預(yù)定的厚度以與各像素電極9對(duì)向的方式形成濾色器26。在本實(shí)施方式中， 1個(gè)單位像素由3個(gè)子像素構(gòu)成，按該子像素的每個(gè)設(shè)置上述像素電極9、 像素開(kāi)關(guān)用TFT及濾色器26等。在構(gòu)成單位像素的3個(gè)子像素中，分別 設(shè)置紅色(R)的濾色器、綠色(G)的濾色器及藍(lán)色(B)的濾色器。紅 色的濾色器用來(lái)只使紅色的光(也就是，例如具有625~740nm波長(zhǎng)的光) 通過(guò)，綠色的濾色器用來(lái)只使綠色的光(也就是，例如具有500~565nm 波長(zhǎng)的光)通過(guò)，藍(lán)色的濾色器用來(lái)只使藍(lán)色的光(也就是，例如具有450 ~ 485nm波長(zhǎng)的光)通過(guò)。還有，濾色器26也可以設(shè)置于TFT陣列基板10 側(cè)。
在對(duì)向J^！ 20形成遮光膜23。遮光膜23例如由遮光性金屬膜等形成， 在對(duì)向基板20上的圖像顯示區(qū)域10a內(nèi)按格子狀等進(jìn)行了圖形形成。而且， 在濾色器26及遮光膜23上所形成的保護(hù)膜(圖示省略)上，由ITO( Indium TinOxide，氧化銦錫)等透明材料構(gòu)成的對(duì)向電極21,與TFT陣列141 10側(cè)所形成的多個(gè)像素電極9對(duì)向，形成為整面狀。
下面，對(duì)于本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置的電構(gòu)成，參照?qǐng)D3進(jìn)行說(shuō) 明。這里，圖3是表示本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置100的電構(gòu)成的框圖。
如圖3所示，液晶裝置100的TFT陣列基歐10在圖像顯示區(qū)域10a 上，具備按縱橫布線的數(shù)據(jù)線6 (也就是數(shù)據(jù)線6R、 6G及6B)及掃描線 11，對(duì)應(yīng)于它們的交叉處形成子像素70。各子像素70具備液晶元件118 的像素電極9、用來(lái)對(duì)像素電極9進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的TFT30及存儲(chǔ)電容119。 還有，在本實(shí)施方式中，將掃描線ll的總根數(shù)設(shè)為m根(其中，m是大 于等于2的自然數(shù))，將數(shù)據(jù)線6的總根數(shù)設(shè)為n根(其中，n是大于等 于2的自然數(shù))，進(jìn)行說(shuō)明。
在本實(shí)施方式中，單位像素80由按掃描線11延伸的方向(也就是X方向)相互相鄰的3個(gè)子像素70 (也就是子像素70R、 70G及70B )構(gòu)成， 在對(duì)向基昧20側(cè)，與子像素70R的像素電極9對(duì)向地設(shè)置紅色的濾色器 26，與子像素70G的像素電極9對(duì)向地設(shè)置綠色的濾色器26,與子像素 70B的像素電極9對(duì)向地設(shè)置藍(lán)色的濾色器26。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)每一單位 像素80的彩色顯示。
紅色、綠色及藍(lán)色的濾色器26設(shè)置成沿著數(shù)據(jù)線6延伸的方向(也就 是Y方向)的帶狀。在一條數(shù)據(jù)線6上，電連接紅色、綠色及藍(lán)色任一色 的子像素70。也就是說(shuō)，在數(shù)據(jù)線6R上電連接紅色的子像素70R,在數(shù) 據(jù)線6G上電連接綠色的子像素70G，在數(shù)據(jù)線6B上電連接藍(lán)色的子像素 70B。
如圖3所示，液晶裝置100在其TFT陣列基歐10上的周邊區(qū)域，具 備掃描線驅(qū)動(dòng)電路104、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101、采樣電路71及圖像信號(hào)線 500。
對(duì)掃描線驅(qū)動(dòng)電路104，從外部電路經(jīng)由外部電路連接端子102 (參見(jiàn) 圖1 )供給Y時(shí)鐘信號(hào)CLY、反相Y時(shí)鐘信號(hào)CLYinv及Y啟動(dòng)脈沖DY。 掃描線驅(qū)動(dòng)電路104若被輸入了 Y啟動(dòng)脈沖DY，則按基于Y時(shí)鐘信號(hào) CLY M相Y時(shí)鐘信號(hào)CLYinv的定時(shí)，依次生成掃描信號(hào)Yl、、 Ym, 進(jìn)行輸出。
對(duì)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路IOI，從外部電路經(jīng)由外部電路連接端子102 (參見(jiàn) 圖1 )供給X時(shí)鐘信號(hào)CLX、反相X時(shí)鐘信號(hào)CLXinv及X啟動(dòng)脈沖DX。 數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101若被輸入了 X啟動(dòng)脈沖DX，則按基于X時(shí)鐘信號(hào) CLX;S^相X時(shí)鐘信號(hào)CLXinv的定時(shí)，依次生成采樣信號(hào)S1、…、Sn, 進(jìn)行輸出。
采樣電路71具備按每條數(shù)據(jù)線6設(shè)置的多個(gè)薄膜晶體管71 (下面稱 為采樣晶體管)。更為詳細(xì)而言，采樣電路71具備多個(gè)采樣晶體管71R， 按與紅色的子像素70R電連接的每條數(shù)據(jù)線6R設(shè)置；多個(gè)采樣晶體管 71G,按與綠色的子像素70G電連接的每條數(shù)據(jù)線6G設(shè)置；以及多個(gè)采 樣晶體管71B,按與藍(lán)色的子像素70B電連接的每條數(shù)據(jù)線6B設(shè)置。還有，有關(guān)采樣晶體管71R、 71G及71B的TFT陣列基板10上的布局，將 在下面進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖像信號(hào)線500在本實(shí)施方式中設(shè)置了 12根。將1系統(tǒng)的圖像信號(hào)由 外部的圖像處理電# 12相串-并行展開(kāi)(或相展開(kāi))后的圖像信號(hào)VID1 ~ VID12經(jīng)由12根圖像信號(hào)線500,供給電光裝置IOO。然后，n根數(shù)據(jù)線 6如同下面說(shuō)明的那樣，按以與圖像信號(hào)線500的根數(shù)對(duì)應(yīng)的12根數(shù)據(jù)線 6為1組的每一數(shù)據(jù)線組，被依次驅(qū)動(dòng)。
從數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101，對(duì)與數(shù)據(jù)線組對(duì)應(yīng)的每個(gè)采樣晶體管71依次 供給采樣信號(hào)Si (i=l、 2、…、n)，相應(yīng)于采樣信號(hào)Si，各采樣晶體管71 轉(zhuǎn)換接通狀態(tài)(也就是導(dǎo)通狀態(tài))及截止?fàn)顟B(tài)(也就是非導(dǎo)通狀態(tài))。從 12根圖像信號(hào)線500,圖像信號(hào)VID1 ~ VID12經(jīng)由變?yōu)榻油顟B(tài)后的采 樣晶體管71，對(duì)屬于數(shù)據(jù)線組的數(shù)據(jù)線6同時(shí)且M—數(shù)據(jù)線組依次供給。 借此，屬于一個(gè)數(shù)據(jù)線組的數(shù)據(jù)線6被相互同時(shí)驅(qū)動(dòng)。從而，在本實(shí)施方 式中，因?yàn)檠跔?zhēng)一數(shù)據(jù)線組驅(qū)動(dòng)12根數(shù)據(jù)線6，所以可以抑制驅(qū)動(dòng)頻率。
圖3中，著眼于一個(gè)子像素70的構(gòu)成可知，在TFT30的源電極上， 電連接被供給圖像信號(hào)VIDk (其中，k=l、 2、 3、、 12)的數(shù)據(jù)線6, 另一方面，在TFT30的柵電極上，電連接被供給掃描信號(hào)Yj (其中，j=l、 2、 3、、 m)的掃描線ll，并且在TFT30的漏電極上，電連接液晶元件 118的像素電極9。這里，在各子像素70中，液晶元件118在像素電極9 和對(duì)向電極21之間夾持液晶而成。
這里，為了防止所保持的圖像信號(hào)出現(xiàn)漏泄，與液晶元件118并聯(lián)， 附加了存儲(chǔ)電容119。只要利用存儲(chǔ)電容119，就能夠使像素電極9a中的 電位保持特性得到提高，能實(shí)現(xiàn)對(duì)比度提高、閃爍減小之類(lèi)的顯示特性提 高。
借助于從掃描線驅(qū)動(dòng)電路104輸出的掃描信號(hào)Yl、、 Ym，各掃描 線11按線順序被選擇。在與所選擇的掃描線11對(duì)應(yīng)的子像素70中，若給 TFT30供給了掃描信號(hào)Yj，則TFT30變?yōu)榻油顟B(tài)，該子像素70成為選 擇狀態(tài)。在液晶元件118的像素電極9中，通過(guò)使TFT30只按一定期間閉合其開(kāi)關(guān)，來(lái)從數(shù)據(jù)線6按預(yù)定的定時(shí)供給圖像信號(hào)VIDk。因此，對(duì)液 晶元件118，施加由像素電極9及對(duì)向電極21各自的電位規(guī)定的施加電壓。 通過(guò)使液晶按照所施加的電壓電平，分子集合的取向、^進(jìn)行變化，可 以對(duì)光進(jìn)行調(diào)制，實(shí)現(xiàn)灰度等級(jí)顯示。
另外，為了使相鄰的數(shù)據(jù)線6相互間的寄生電容之差，對(duì)于各數(shù)據(jù)線 6相等，*條數(shù)據(jù)線6附加了附加電容120。因此，可以防止因該寄生電 容之差引起的縱向條紋或者圖像殘留。還有，附加電容120配置到圖像顯 示區(qū)域10a的周邊區(qū)域，以免妨礙圖像顯示區(qū)域10a內(nèi)的像素配置。
下面，對(duì)于本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置的采樣晶體管的布局進(jìn)行說(shuō) 明。這里，圖4是概略表示本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置100的采樣晶體 管的布局的俯視圖。圖5是具體表示本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置的采樣 晶體管的布線布局的俯視圖。
如圖4所示，多個(gè)采樣晶體管71(也就是采樣晶體管71R、71G及71B ) 在位于單位像素80排列成矩陣狀的圖像顯示區(qū)域10a周邊的周邊區(qū)域，按 對(duì)應(yīng)的子像素70的不同色沿X方向來(lái)排列，并且沿Y方向相互錯(cuò)開(kāi)來(lái)配 置。也就是說(shuō)，與綠色對(duì)應(yīng)的多個(gè)采樣晶體管71G按X方向來(lái)排列，在與 該排列相比沿著Y方向離圖4象顯示區(qū)域10a遠(yuǎn)的一側(cè)，與紅色對(duì)應(yīng)的多個(gè) 采樣晶體管71R沿著X方向來(lái)排列，在與該排列相比沿著Y方向離圖像 顯示區(qū)域10a遠(yuǎn)的一側(cè)，與藍(lán)色對(duì)應(yīng)的多個(gè)采樣晶體管71B按X方向來(lái)排 列。與構(gòu)成同一單位像素80的子像素70G、 70R及70B對(duì)應(yīng)的采樣晶體 管71G、 71R及71B沿著Y方向來(lái)排列。
也就是說(shuō)，在本實(shí)施方式中，多個(gè)采樣晶體管71并不是沿著X方向 作為1列來(lái)排列，而是按對(duì)應(yīng)的子像素70的不同色作為沿X方向的3列 來(lái)排列。因此，即便在子像素70的排列間距較小時(shí)，也可以充分確保采樣 晶體管71的尺寸，并且易于將多個(gè)采樣晶體管71配置于周邊區(qū)域。
圖4中的采樣晶體管71G、71R及71B如圖5所示，包括半導(dǎo)體層75R、 75G及75B和按Y方向延伸的共用的柵電極72。對(duì)柵電極72，從數(shù)據(jù)線 驅(qū)動(dòng)電路101按預(yù)定的定時(shí)供給釆樣信號(hào)Si,采樣晶體管71G、71R及71B同時(shí)轉(zhuǎn)換接通狀態(tài)及截止?fàn)顟B(tài)。
采樣晶體管71G的源布線71Gs通過(guò)接觸孔182g,電連接到構(gòu)成采樣 晶體管71G的半導(dǎo)體75G的源區(qū)域。源布線71Gs其形成為，經(jīng)過(guò)與位于 半導(dǎo)體層75R上的柵電極72之間的重疊部分，沿Y方向通過(guò)構(gòu)成采樣晶 體管71B的半導(dǎo)體75B的漏區(qū)域的側(cè)部。還有，源布線71Gs在與半導(dǎo)體 75G連接的一側(cè)的相反的另一端側(cè)，和對(duì)應(yīng)的圖傳_信號(hào)線500,例如通過(guò) 接觸孑L相互進(jìn)行電連接(參見(jiàn)圖3 )。采樣晶體管71G的漏布線71Gd通 過(guò)接觸孔183g，電連接到構(gòu)成采樣晶體管71G的半導(dǎo)體75G的漏區(qū)域。 漏布線71d在與該采樣晶體管71G連接的一側(cè)的相反的另一端側(cè)，和對(duì)應(yīng) 的數(shù)據(jù)線6G,通過(guò)接觸孔181g相互進(jìn)行電連接。
采樣晶體管71R的源布線71Rs通過(guò)接觸孔182r，電連接到構(gòu)成采樣 晶體管71R的半導(dǎo)體75R的源區(qū)域。源布線71Rs經(jīng)過(guò)與位于半導(dǎo)體75B 上的柵電極72之間的重疊部分，在與采樣晶體管71R連接的一側(cè)的相反 的另一端側(cè)，和對(duì)應(yīng)的圖像信號(hào)線500，例如通過(guò)接觸孔相互進(jìn)行電連接 (參見(jiàn)圖3)。采樣晶體管71R的漏布線71Rd通過(guò)接觸孔183r，電連接 到構(gòu)成采樣晶體管71R的半導(dǎo)體75R的漏區(qū)域。漏布線71r其形成為，按 Y方向通過(guò)構(gòu)成采樣晶體管71G的半導(dǎo)體75G的漏區(qū)域的側(cè)部。而且，在 與半導(dǎo)體75R連接的一側(cè)的相反的另一端側(cè)，和對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線6R，通過(guò) 接觸孔181r相互進(jìn)行電連接。
采樣晶體管71B的源布線71Bs通過(guò)接觸孔182b,電連接到構(gòu)成采樣 晶體管71B的半導(dǎo)體75B的源區(qū)域。源布線71Bs在與半導(dǎo)體75B連接的 一側(cè)的相反的另一端側(cè)，和對(duì)應(yīng)的圖^象信號(hào)線500,例如通過(guò)接觸孔相互 進(jìn)行電連接(參見(jiàn)圖3 )。采樣晶體管71B的漏布線71Bd通過(guò)接觸孔183b, 電連接到構(gòu)成采樣晶體管71B的半導(dǎo)體75B的漏區(qū)域。漏布線71b其形成 為，按Y方向通過(guò)構(gòu)成采樣晶體管71R的半導(dǎo)體75R的漏區(qū)域的側(cè)部， 并且具有與位于半導(dǎo)體75B上的柵電極72重疊的重疊部分。在與半導(dǎo)體 75B連接的一側(cè)的相反的另一端側(cè)，和對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線6B，通過(guò)接觸孔181b 相互進(jìn)行電連接。在本實(shí)施方式中特別是，通過(guò)使用中繼布線73，在TFT陣列基板IO 上從俯視方向看，在采樣晶體管71共用的柵電極72占據(jù)的區(qū)域內(nèi)，重疊 配置了與源或漏電連接的圖像信號(hào)線(采樣晶體管71G和采樣晶體管71R 的源布線、采樣晶體管71B的漏布線)。也就是說(shuō)，通過(guò)利用中繼布線73， 立體配置晶體管71周?chē)碾姴季€，能實(shí)現(xiàn)圖像信號(hào)線局部相互交叉的、圖 5所示的晶體管71的布局圖形。因此，不需要將晶體管71周?chē)牟季€在 采樣晶體管的側(cè)部引繞，可以收窄該布局圖形的X方向的寬度。其結(jié)果為， 能夠使采樣電路71節(jié)省空間，可以實(shí)現(xiàn)適合于像素間距或數(shù)據(jù)線布線間距 的微細(xì)化的高品質(zhì)的電光裝置。
下面，參照?qǐng)D6及圖7，對(duì)于圖5所示的布局圖形的疊層結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳 細(xì)說(shuō)明。圖6是圖5的V1-V1'間剖面圖。圖7是圖5的V2-V2'間剖面圖。
在圖6中，在疊層于TFT陣列14110上的基底絕緣膜41之上，配置 半導(dǎo)體73。半導(dǎo)體73由作為柵絕緣膜發(fā)揮作用的氧化膜42來(lái)覆蓋，和柵 電極72進(jìn)行電絕緣。還有，在半導(dǎo)體73，也可以設(shè)置LDD層74。源布 線71Rs及漏布線71Rd通過(guò)接觸孔182r及183r，和半導(dǎo)體73分別進(jìn)行電 連接。
采樣晶體管71B的漏布線71Bd、采樣晶體管71R的漏布線71Rd和 采樣晶體管71G的源布線71Gs在覆蓋柵電極72地進(jìn)行疊層的層間絕緣膜
43、 44之上，分別采用鋁形成在同一層。柵電極72和與柵電極72重疊所 形成的采樣晶體管71G的源布線71Gs之間的距離，利用層間絕緣膜43及
44, 被確保得較大。該距離在本實(shí)施方式中，例如是800nm。這樣，通過(guò) 充分地取采樣晶體管71G的源布線71Gs和柵電極72之間的距離，就可以 減小三祁^目鄰的數(shù)據(jù)線6的相互間的寄生電容。其結(jié)果為，能夠?qū)⒁蛟摷?生電容之差引起的縱向條紋或圖像殘留防止于未然或者減小。
在圖7中，采樣晶體管71B的漏布線71Bd、采樣晶體管71R的漏布 線71Rd及采樣晶體管71G的源布線71Gs采用鋁分別形成在同一層。圖7 所示的2條漏布線71Bd因?yàn)橥ㄟ^(guò)接觸孔74連接于中繼布線73上，所以 被相互電連接。下面，對(duì)于在周邊區(qū)域所形成的附加電容120 (參見(jiàn)圖3 )的功能及具 體構(gòu)成，參照?qǐng)D8 ~圖10進(jìn)行說(shuō)明。
圖8是圖像顯示區(qū)域的周邊區(qū)域的采樣晶體管71和附加電容120的等 效電路。還有，在圖8中為了說(shuō)明的方便，圖像顯示區(qū)域的像素結(jié)構(gòu)等的 具體的等效電路予以省略，只表示出數(shù)據(jù)線6。
寄生電容140分別是數(shù)據(jù)線相互間的寄生電容。附加電容120在和形 成了采樣電路71的一側(cè)相反側(cè)的圖像顯示區(qū)域的周邊區(qū)域，M條數(shù)據(jù)線 6存在。因此，以使得各數(shù)據(jù)線6的寄生電容140之差相等的方式進(jìn)行了 調(diào)整。還有，附加電容120配置在圖像顯示區(qū)域10a的周邊區(qū)域，以免妨 礙圖像顯示區(qū)域10a的4象素的配置。
在本實(shí)施方式中如圖5所示，雖然采樣晶體管71B的漏布線71Bd具 有與柵電極72重疊的重疊部分，但是采樣晶體管71R及71G的漏布線 71Rd及71Gd不具有與柵電極72之間的重疊部分。另一方面，雖然采樣 晶體管71B的源布線71Bs不具備與柵電極72之間的重疊部分，但是采樣 晶體管71R及71G的源布線71Rs及71Gs，具有與柵電極72重疊的重疊 部分。這樣，因?yàn)镸條數(shù)據(jù)線6、具體的布線引繞方式不同，所以各數(shù) 據(jù)線具有具備相互不同的電容值的寄生電容140R、 140G及140B。
另夕卜根據(jù)本發(fā)明人的研究，判明在源布線具有與柵電極72重疊的重 疊部分時(shí)，寄生電容140配置于柵和源之間，在漏布線具有與柵電極72 重疊的重疊部分時(shí)，寄生電容140配置于柵和漏之間。因此，在圖8中寄 生電容140R和140G配置在柵和源之間，而只有寄生電容140B配置在柵 和漏之間。
這樣，因?yàn)橐虿蓸泳w管71周?chē)碾娐返囊@方法，產(chǎn)生于各數(shù)據(jù)線 6中的寄生電容值相互不同，所以通過(guò)設(shè)置電容值相互不同的附加電容 120，減小了M據(jù)線6間的寄生電容值之差。
下面，參照?qǐng)D9，說(shuō)明附加電容120的具體結(jié)構(gòu)。
在圖9中，附加電容120通過(guò)在電容電極76和電容電極77之間夾持 電介質(zhì)膜46,來(lái)構(gòu)成。附加電容120在形成采樣電路71的一側(cè)相反側(cè)的圖像顯示區(qū)域10a的周邊區(qū)域，M條數(shù)據(jù)線6(6R、 6G、 6B)存在(參 見(jiàn)圖3)。數(shù)據(jù)線6通過(guò)接觸孔75，和電容電極76進(jìn)行電連接。電容電極 76和圖7的中繼布線73形成在同一層，且采用相同的材料例如鋁來(lái)形成。 電容電極77和柵電極72形成在同一層，且采用相同的材料例如導(dǎo)電性多 晶硅來(lái)形成。這樣，通過(guò)對(duì)形成于同一層的導(dǎo)電膜進(jìn)行加工，就可以使用 通用的圖形形成方法等，容易地形成電容電極76。
附加電容120通過(guò)變更電容電極76或電容電極77某一方的面積，就 可以容易地改變電容值。例如圖10所示，與圖9的情形相比，通過(guò)減小僅 僅與采樣晶體管71B對(duì)應(yīng)的電容電極77的面積，就可以減小附加電容120 的電容值。
上面的結(jié)果為，通過(guò)構(gòu)成為使實(shí)現(xiàn)采樣電路的晶體管電路的布局包括 重疊部分，就能適應(yīng)像素間距或者數(shù)據(jù)線6的布線間距的微細(xì)化，謀求高 精細(xì)化。另外，通過(guò)以4吏得數(shù)據(jù)線6相互間的寄生電容t差變小的方式調(diào) 整M條數(shù)據(jù)線所設(shè)置的附加電容120的值，就能夠?qū)⒁蛟摷纳娙葜?引起的縱向條紋或者圖像殘留防止于未然或者減小。這樣，根據(jù)本實(shí)施方 式，能夠容易地謀求高精細(xì)化，并且能以短板式進(jìn)行高品質(zhì)的彩色顯示。
<2:電子i殳備〉
下面，對(duì)于將作為上述電光裝置的液晶裝置用于各種電子設(shè)備中的情 形，進(jìn)行說(shuō)明。
首先，對(duì)于使用該液晶裝置來(lái)作為光閥的投影機(jī)，參照?qǐng)D11進(jìn)行說(shuō)明。 這里，圖ll是表示投影一成例的俯視圖。
如圖ll所示，在投影機(jī)1100內(nèi)部，設(shè)置包括卣素?zé)舻劝咨庠吹墓?源組件1102。從該光源組件1102所射出的投影光通過(guò)在光導(dǎo)向器件1104 內(nèi)所配置的3片反射鏡1106，入射于液晶面板1110上。
液晶面板1110的構(gòu)成和上述液晶裝置相同，用來(lái)由從圖像信號(hào)處理電 路供給的R、 G、 B圖像信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。而且，通過(guò)由該液晶面板1110調(diào) 制光來(lái)進(jìn)行顯示的彩色圖像通過(guò)投影透鏡1114,向屏幕等進(jìn)行投影。
下面，對(duì)于將上述液晶裝置用于^更攜電話機(jī)的例子，參照?qǐng)D12進(jìn)行說(shuō)明。這里，圖12是表示便攜電話機(jī)構(gòu)成的立體圖。
在圖12中，便攜電話機(jī)1300具備多個(gè)操作按鍵1302和使用上述液晶 裝置的顯示部1005。
還有，除了參照?qǐng)Dll及圖12所說(shuō)明的電子設(shè)備之外，還能舉出便攜 式個(gè)人計(jì)算機(jī)、液晶電視機(jī)、取景器式、監(jiān)視器直觀式的磁帶錄像器、汽 車(chē)導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子記事本、計(jì)算器、文字處理機(jī)、工作站、電視 電話機(jī)、POS終端及具備觸摸面板的裝置等。而且，不言而喻，可以用于 這些各種電子設(shè)備中。
另外，本發(fā)明除在上述實(shí)施方式中所說(shuō)明的液晶裝置之外，還能夠用 于在硅基板上形成元件的反射型液晶裝置(LCOS)、等離子體顯示器 (PDP)、場(chǎng)發(fā)射型顯示器(FED、 SED)、有機(jī)EL顯示器、數(shù)字微鏡 器件(DMD)及電泳裝置等中。
本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，而可以在不違反從技術(shù)方案及說(shuō)明書(shū) 總體領(lǐng)會(huì)的發(fā)明宗旨或構(gòu)思的范圍內(nèi)適當(dāng)進(jìn)行變更，并且伴隨那種變更的 電光裝置及具備該電光裝置的電子設(shè)備也仍然包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，其特征為，在基板上，具備多條掃描線，其沿著第一方向分別延伸且沿著與該第一方向交叉的第二方向排列，用來(lái)依次供給掃描信號(hào)；多條數(shù)據(jù)線，其沿著上述第二方向分別延伸且沿著上述第一方向排列，用來(lái)供給圖像信號(hào)；多個(gè)子像素部，其對(duì)應(yīng)于上述多條數(shù)據(jù)線與上述多條掃描線的交叉處來(lái)設(shè)置，分別與R、G、B對(duì)應(yīng)，其中，R表示紅色、G表示綠色、B表示藍(lán)色；以及采樣機(jī)構(gòu)，其構(gòu)成為，對(duì)上述多條數(shù)據(jù)線之中的與R、G及B對(duì)應(yīng)的三根相鄰的數(shù)據(jù)線供給上述圖像信號(hào)，并且沿著上述第二方向排列成一列的三個(gè)采樣電路沿著上述第一方向排列有多個(gè)；上述三個(gè)采樣電路分別包括薄膜晶體管，并且具有沿著上述第二方向延伸的柵電極，在上述三個(gè)采樣電路的各采樣電路中與上述薄膜晶體管的源或漏電連接、用來(lái)供給采樣前或采樣后的上述圖像信號(hào)的圖像信號(hào)線，在上述基板上從俯視方向看，包括與上述柵電極重疊且沿著上述第二方向延伸的重疊部分。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征為， 還具備附加電容，該附加電容與上述多條數(shù)據(jù)線分別電連接； 以減小上述三根相鄰的數(shù)據(jù)線相互間的、包括由與各自電連接的上述圖4象信號(hào)線所產(chǎn)生的作用量的寄生電容之差的方式，使上述附加電容的值 在上述相互間為不同的值。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光裝置，其特征為，上述附加電容通過(guò)使一個(gè)電容電極和另一電容電極相對(duì)向來(lái)形成，上 述一個(gè)電容電極電連接于對(duì)向電極，該對(duì)向電極設(shè)置于與上述^i4l成對(duì)的對(duì)向M上，上迷另一電容電極設(shè)置于上述多條數(shù)據(jù)線的前端，通過(guò)使上述一個(gè)及另一電容電極的平面尺寸在上勤目互間不同而減小 上述差。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征為， 上述多個(gè)子像素部中，沿著上述笫二方向排列成一列的與R對(duì)應(yīng)的列、沿著上述第二方向排列成一列的與G對(duì)應(yīng)的列以及沿著上述第二方向排列 成一列的與B對(duì)應(yīng)的列，按順序沿著上述笫一方向排列，上述三根數(shù)據(jù)線之中，上述與R對(duì)應(yīng)的一根數(shù)據(jù)線電連接到上述與R 對(duì)應(yīng)的列，上述與G對(duì)應(yīng)的一根數(shù)據(jù)線電連接到上述與G對(duì)應(yīng)的列，上述 用來(lái)供給B的圖像信號(hào)的一根數(shù)據(jù)線電連接到上述與B對(duì)應(yīng)的列，由上述多個(gè)子像素部之中的、與上述三才艮數(shù)據(jù)線電連接并且沿著上述 第一方向相鄰的三個(gè)子〗象素部，構(gòu)成一個(gè)〗象素部。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征為， 與上述三個(gè)采樣電落t中的一個(gè)采樣電路相關(guān)的上述圖像信號(hào)線，在上述基板上從俯視方向看，具有沿著上述第二方向通過(guò)上述薄膜晶體管的 側(cè)部的部分，其中，上述薄膜晶體管是構(gòu)成上述三個(gè)采樣電路之中的其它 采樣電路的薄膜晶體管。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征為，上述采樣機(jī)構(gòu)及上述圖像信號(hào)線配置為，上述通過(guò)的部分在作為上述 側(cè)部的、對(duì)于上述三個(gè)采樣電路而言處于同一側(cè)的側(cè)部通過(guò)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1到6中任一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征為， 上述薄膜晶體管中，在上述基板上，按照包括溝道區(qū)域、上述源及上述漏的半導(dǎo)體層、柵絕緣膜、上述柵電極這樣的順序?qū)⑺鼈儻B層，在上述柵電極之上，按照一個(gè)層間絕緣膜、構(gòu)成上述圖像信號(hào)線的一 個(gè)導(dǎo)電膜這樣的順序?qū)⑺鼈儻B層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電光裝置，其特征為， 還具備中繼布線，該中繼布線在上述一個(gè)導(dǎo)電膜及上述柵電極之間，通過(guò)上述一個(gè)層間絕緣膜及其它層間絕緣膜來(lái)夾持，并且由其它導(dǎo)電膜構(gòu)成，對(duì)上述圖像信號(hào)線進(jìn)行中繼連接。
9. 一種電光裝置，其特征為， 在J^上，具備多條掃描線，其沿著第一方向分別延伸且沿著與該第一方向交叉的第 二方向排列，用來(lái)依次供給掃描信號(hào)；多條數(shù)據(jù)線，其沿著上述第二方向分別延伸且沿著上述第一方向排列， 用來(lái)供給圖像信號(hào)；多個(gè)子像素部，其對(duì)應(yīng)于上述多條數(shù)據(jù)線與上述多條掃描線的交叉處 來(lái)設(shè)置，分別與R、 G、 B對(duì)應(yīng)，其中，R表示紅色、G表示綠色、B表示 藍(lán)色；采樣機(jī)構(gòu)，其構(gòu)成為，對(duì)上述多條數(shù)據(jù)線之中的與R、 G及B對(duì)應(yīng)的三才M目鄰的數(shù)據(jù)線供給上述圖傳-信號(hào)，并且沿著上述第二方向排列成一列 的三個(gè)采樣電路沿著上述第一方向排列有多個(gè)；以及 附加電容，其與上述多條數(shù)據(jù)線分別電連接；以減小上述三根相鄰的數(shù)據(jù)線相互間的、包括由與各自電連接的上述圖像信號(hào)線所產(chǎn)生的作用量的寄生電容之差的方式，使上述附加電容的值 在上i^目互間為不同的值。
10. —種電子i殳備，其特征為， 具備權(quán)利要求1到9中任一項(xiàng)所述的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供電光裝置和電子設(shè)備，在液晶裝置等的電光裝置中，以短板式進(jìn)行高品質(zhì)的彩色顯示，謀求高精細(xì)化。電光裝置在基板(10)上，具備多條掃描線(11)及數(shù)據(jù)線(6)；多個(gè)子像素部(70)，與R、G或B對(duì)應(yīng)；以及采樣機(jī)構(gòu)，其中排列成一列的三個(gè)采樣電路(71)被排列有多個(gè)。采樣電路包括薄膜晶體管，并且以共用的形式具有柵電極(72)，與源或漏電連接的圖像信號(hào)線包括與柵電極重疊的重疊部分。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK101587275SQ20091014177
公開(kāi)日2009年11月25日 申請(qǐng)日期2009年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月23日
發(fā)明者增井淳一 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社