專利名稱：：微機電系統(tǒng)顯示器裝置及其制造方法微機電系統(tǒng)顯示器裝置及其制造方法鵬申i體,X綠本申請案主張2007年7月25日申請的美國臨時專利申請案第60/951，930號的優(yōu)先權(quán)，所述申請案的全文以引用的方式并入本文中。
背景技術(shù)：
：微機電系統(tǒng)(MEMS)包括微機械元件、激活器及電子裝置。可使用沉積、蝕刻及或其它蝕刻掉襯底及/或已沉積材料層的部分或者添加層以形成電裝置及機電裝置的微加工工藝來產(chǎn)生微機械元件。一種類型的MEMS裝置稱為干涉式調(diào)制器。如本文所使用，術(shù)語干涉式調(diào)制器或干涉式光調(diào)制器指的是一種使用光學(xué)干涉式原理選擇性地吸收且/或反射光的裝置。在某些實施例中，干涉式調(diào)制器可包含一對導(dǎo)電板，其中之一或兩者可能整體或部分透明且/或具有反射性，且能夠在施加適當(dāng)電信號時進(jìn)行相對運動。在特定實施例中，一個板可包含沉積在襯底上的固定層，且另一個板可包含通過氣隙與固定層分離的金屬薄膜。如本文更詳細(xì)描述，一個板相對于另一個板的位置可改變?nèi)肷湓诟缮媸秸{(diào)制器上的光的光學(xué)干涉式。這些裝置具有廣范圍的應(yīng)用，且在此項技術(shù)中，利用且/或修改這些類型裝置的特性使得其特征可被發(fā)掘用于改進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)品及創(chuàng)建尚未開發(fā)的新產(chǎn)品，將是有益的。
發(fā)明內(nèi)容在一個實施例中，提供一種光學(xué)MEMS裝置，其包括形成于襯底上且經(jīng)圖案化以形成條帶電極的導(dǎo)電光學(xué)吸收體，其中所述光學(xué)吸收體用作MEMS裝置的光學(xué)活性區(qū)內(nèi)的條帶電極中的主要導(dǎo)體；形成于所述光學(xué)吸收體上的至少一個支撐結(jié)構(gòu)；及形成于所述至少一個支撐結(jié)構(gòu)上且與所述導(dǎo)電光學(xué)吸收體隔開的導(dǎo)電可變形層，其中所述可變形層為朝向所述光學(xué)吸收體可以靜電方式偏轉(zhuǎn)的。在另一實施例中，提供制造光學(xué)MEMS裝置的方法，所述方法包括在襯底上形成導(dǎo)電光學(xué)吸收體；圖案化所述導(dǎo)電光學(xué)吸收體以形成條帶電極，其中所述光學(xué)吸收體充當(dāng)MEMS裝置的光學(xué)活性區(qū)中的條帶電極中的主要導(dǎo)體；在所述光學(xué)吸收體上形成犧牲層；在所述光學(xué)吸收體上形成至少一個支撐結(jié)構(gòu)；在所述犧牲層及所述至少一個支撐結(jié)構(gòu)上形成導(dǎo)電可變形層；及執(zhí)行釋放蝕刻以移除所述犧牲層，從而在所述可變形層與所述光學(xué)吸收體之間形成腔。圖1是描繪干涉式調(diào)制器顯示器的一個實施例的一部分的等角視圖，其中第一干涉式調(diào)制器的可移動反射層處于松弛位置，且第二干涉式調(diào)制器的可移動反射層處于激活位置。圖2是說明并入有3X3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的一個實施例的系統(tǒng)框圖。圖3是圖1的干涉式調(diào)制器的一個示范性實施例的可移動鏡位置對所施加電壓的圖。圖4是可用于驅(qū)動干涉式調(diào)制器顯示器的一組行及列電壓的說明。圖5A及圖5B說明可用以將顯示器數(shù)據(jù)的幀寫入到圖2的3X3干涉式調(diào)制器顯示器的行信號及列信號的一個示范性時序圖。圖6A及圖6B是說明包含多個干涉式調(diào)制器的視覺顯示器裝置的實施例的系統(tǒng)框圖。圖7A是圖1的裝置的橫截面。圖7B是干涉式調(diào)制器的替代實施例的橫截面。圖7C是干涉式調(diào)制器的另一替代實施例的橫截面。圖7D是干涉式調(diào)制器的又一替代實施例的橫截面。圖7E是干涉式調(diào)制器的額外替代實施例的橫截面。圖8A到圖81為在制造干涉式調(diào)制器工藝中的各種步驟的示意性橫截面。圖9為干涉式調(diào)制器的未激活陣列的仰視平面圖。具體實施例方式下列詳細(xì)描述針對本發(fā)明的某些特定實施例。然而，可以多種不同方式來應(yīng)用本文中的教示。在此描述中，參見圖式，其中始終以相同數(shù)字表示相同部件。所述實施例可以經(jīng)配置以顯示圖像的任何裝置來實施，不管所述圖像為運動(例如，視頻)還是靜止(例如，靜態(tài)圖像)的且不管為文字還是圖形。更明確地說，預(yù)期所述實施例可以多種電子裝置來實施或與多種電子裝置相關(guān)聯(lián)，所述電子裝置例如(但不限于)移動電話、無線裝置、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、手持式或便攜式計算機、GPS接收器/導(dǎo)航器、相機、MP3播放器、攝像機(camcorder)、游戲控制臺、腕表、時鐘、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計算機監(jiān)視器、自動顯示器(例如，里程計顯示器等)、駕駛艙控制器及/或顯示器、相機視圖顯示器(例如，車輛中的后視相機的顯示器)、電子照片、電子廣告牌或標(biāo)牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、包裝及美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如一件珠寶上的圖像的顯示器)。與本文中所述的MEMS裝置結(jié)構(gòu)類似的MEMS裝置還可用于例如電子交換裝置的非顯示器應(yīng)用中。例如干涉式調(diào)制器的MEMS裝置的制造工藝可經(jīng)設(shè)計以簡化所述制造工藝，或經(jīng)設(shè)計以調(diào)適所述制造工藝從而有助于在薄膜晶體管(TFT)制造室或"廠(fab)"(例如平板顯示器廠或常規(guī)LCD或OLED廠)中的制造。甚至可通過對多個層使用相同材料(例如，用于吸收體及犧牲層的MoCr或Mo)，且從足夠小以使用光學(xué)吸收體來攜載信號的陣列的光學(xué)堆疊消除昂貴透明導(dǎo)電氧化物(例如，IT0)而實現(xiàn)更大的簡化。在某些實施例中，制造工藝可并入例如MoCr合金的材料，其用于此類制造室中。在其它實施例中，例如合金的具有特定成分的材料可用以提供干涉式調(diào)制器或其它MEMS裝置的所要性質(zhì)。圖1中說明包含干涉式MEMS顯示器元件的一個干涉式調(diào)制器顯示器的實施例。在這些裝置中，像素處于明亮狀態(tài)或黑暗狀態(tài)。在明亮("松弛"或"開啟")狀態(tài)下，顯示器元件將入射可見光的大部分反射到用戶。當(dāng)在黑暗("激活"或"關(guān)閉")狀態(tài)下時，顯示器元件將極少的入射可見光反射到用戶。依據(jù)實施例而定，可顛倒"接通"和"斷開"狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可經(jīng)配置以主要在選定顏色下反射，除了黑與白之外，其還允許彩色顯示。圖1是描述視覺顯示器的一系列像素中的兩個相鄰像素的等角視圖，其中每一像素包含MEMS干涉式調(diào)制器。在一些實施例中，干涉式調(diào)制器顯示器包含這些干涉式調(diào)制器的一行/列陣列。每一干涉式調(diào)制器包括一對反射層，其定位成彼此相距可變且可控制的距離以形成具有至少一個可變尺寸的諧振光學(xué)間隙。在一個實施例中，可在兩個位置之間移動所述反射層之一。在第一位置(本文中稱為松弛位置)中，可移動反射層定位成距固定部分反射層相對較大的距離。在第二位置(本文中稱為激活位置)中，可移動反射層定位成更緊密鄰近所述部分反射層。視可移動反射層的位置而定，從所述兩個層反射的入射光相長地或相消地進(jìn)行干涉，從而為每一像素產(chǎn)生全反射狀態(tài)或非反射狀態(tài)。圖1中像素陣列的所描繪部分包括兩個相鄰干涉式調(diào)制器12a和12b。在左側(cè)干涉式調(diào)制器12a中，說明可移動反射層14a處于距包括部分反射層的光學(xué)堆疊16a預(yù)定距離處的松弛位置中。在右側(cè)干涉式調(diào)制器12b中，說明可移動反射層14b處于鄰近于光學(xué)堆疊16b的激活位置中。如本文所引用的光學(xué)堆疊16a和16b(統(tǒng)稱為光學(xué)堆疊16)通常包含若干熔合層(fusedlayer)，所述熔合層可包括例如氧化銦錫(ITO)的電極層、例如鉻的部分反射層和透明電介質(zhì)。因此，光學(xué)堆疊16是導(dǎo)電的、部分透明且部分反射的，且可通過(例如)將上述層的一者或一者以上沉積到透明襯底20上來制造。部分反射層可由為部分反射的多種材料(例如，各種金屬、半導(dǎo)體及電介質(zhì))形成。部分反射層可由一個或一個以上材料層形成，且層中的每一者可由單一材料或材料的組合形成。在一些實施例中，光學(xué)堆疊16的層經(jīng)圖案化成為多個平行條帶，且如下文中進(jìn)一步描述，可在顯示器裝置中形成行電極?？梢苿臃瓷鋵?4a、14b可形成為沉積金屬層(一層或多層)的一系列平行條帶(與行電極16a、16b垂直)以形成沉積在柱18和沉積于柱18之間的介入犧牲材料的頂部上的列。當(dāng)蝕刻掉犧牲材料時，可移動反射層14a、14b通過所界定的間隙19而與光學(xué)堆疊16a、16b分離。例如鋁的高度導(dǎo)電且反射的材料可用于反射層14，且這些條帶可在顯示器裝置中形成列電極。應(yīng)注意，可不按比例繪制圖l。在一些實施例中，柱18之間的間距可為約10-100um，而間隙19可約為小于1000埃。如圖1中像素12a所說明，在不施加電壓的情況下，間隙19保持于可移動反射層14a與光學(xué)堆疊16a之間，其中可移動反射層14a處于機械松弛狀態(tài)。然而，當(dāng)對選定行及列施加電位(電壓)差時，形成于相應(yīng)像素處的行電極及列電極的交叉處的電容器變?yōu)閹щ姷?，且靜電力將電極拉到一起。如果電壓足夠高，則可移動反射層14變形且被迫使抵靠光學(xué)堆疊16。由圖1中右側(cè)的激活像素12b所說明，光學(xué)堆疊16內(nèi)的介電層(此圖中未加說明)可防止短路并控制層14與層16之間的分離距離。不論所施加電位差的極性如何，行為均相同。圖2到圖5說明用于在顯示器應(yīng)用中使用干涉式調(diào)制器陣列的一個示范性工藝及系統(tǒng)。圖2為說明可并入有干涉式調(diào)制器的電子裝置的一個實施例的系統(tǒng)框圖。所述電子裝置包括處理器21，其可為任何通用單芯片或多芯片微處理器，例如ARI^、Pentium,8051、MIPS、Power0@或八1^1^@，或任何專用微處理器，例如數(shù)字信號處理器、微控制器或可編程門陣列。如此項技術(shù)中常規(guī)的，處理器21可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件模7塊。除執(zhí)行操作系統(tǒng)以外，所述處理器可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件應(yīng)用程序，包括網(wǎng)頁瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或任何其它軟件應(yīng)用程序。在一個實施例中，處理器21還經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動器22通信。在一個實施例中，陣列驅(qū)動器22包括將信號提供到顯示器陣列或面板30的行驅(qū)動器電路24及列驅(qū)動器電路26。圖1中所說明的陣列的橫截面通過圖2中的線1-1展示。應(yīng)注意盡管出于清楚起見，圖2說明干涉式調(diào)制器的3X3陣列，但顯示器陣列30可含有大量干涉式調(diào)制器，且行中的干涉式調(diào)制器的數(shù)目可不同于列中的干涉式調(diào)制器的數(shù)目(例如，每行300像素X每列190像素)。圖3為針對圖1的干涉式調(diào)制器的一個示范性實施例的可移動鏡位置對施加電壓的圖。對于MEMS干涉式調(diào)制器來說，行/列激活協(xié)議可利用如圖3中所說明的這些裝置的滯后性質(zhì)。干涉式調(diào)制器可能需要(例如)io伏的電位差來促使可移動層從松弛狀態(tài)變形為激活狀態(tài)。然而，當(dāng)電壓從所述值減小時，可移動層在電壓降回io伏以下時維持其狀態(tài)。在圖3的示范性實施例中，可移動層直到電壓降到2伏以下時才完全松弛。因此，在圖3中所說明的實例中，存在約3到7V的電壓范圍，其中存在一施加電壓的窗口，裝置在所述施加電壓的窗口內(nèi)穩(wěn)定于松弛狀態(tài)或激活狀態(tài)中。此窗口在本文中稱為"滯后窗口"或"穩(wěn)定窗口"。對于具有圖3的滯后特性的顯示器陣列來說，可設(shè)計行/列激活協(xié)議使得在行選通期間，已選通行中待激活的像素暴露于約10伏的電壓差，且待松弛的像素暴露于接近零伏的電壓差。在選通之后，所述像素暴露于約5伏的穩(wěn)態(tài)或偏壓差使得其維持在行選通使其所處的任何狀態(tài)中。在此實例中，每一像素在被寫入之后經(jīng)歷3-7伏的"穩(wěn)定窗口"內(nèi)的電位差。此特征使圖1中說明的像素設(shè)計在相同的施加電壓條件下穩(wěn)定于激活或松弛預(yù)存在狀態(tài)中。因為干涉式調(diào)制器的每一像素(不論處于激活還是松弛狀態(tài))本質(zhì)上是由固定反射層和移動反射層形成的電容器，所以可在滯后窗口內(nèi)的一電壓下維持此穩(wěn)定狀態(tài)而幾乎無功率消耗。本質(zhì)上，如果所施加的電壓是固定的，那么沒有電流流入像素中。如下文進(jìn)一步描述，在典型應(yīng)用中，圖像幀可通過根據(jù)第一行中的所要激活像素集合而跨越列電極集合發(fā)送數(shù)據(jù)信號集合(每一數(shù)據(jù)信號具有特定電壓電平)來創(chuàng)建。接著將行脈沖施加到第一行電極，從而激活對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)信號集合的像素。所述數(shù)據(jù)信號集合接著改變以對應(yīng)于第二行中的所要激活像素集合。接著將脈沖施加到第二行電極，從而根據(jù)所述數(shù)據(jù)信號激活第二行中的適當(dāng)像素。第一行像素不受第二行脈沖影響，且保持于其在第一行脈沖期間被設(shè)定的狀態(tài)中?？梢皂樞蚍绞綄⒋斯に囍貜?fù)用于整個行系列以產(chǎn)生所述幀。一般來說，通過以某一所要幀數(shù)/秒來不斷地重復(fù)此工藝而以新的圖像數(shù)據(jù)刷新及/或更新幀?？墒褂糜糜隍?qū)動像素陣列的行電極及列電極以產(chǎn)生圖像幀的廣泛多種協(xié)議。圖4及圖5說明用于在圖2的3X3陣列上創(chuàng)建顯示器幀的一個可能激活協(xié)議。圖4說明可用于展現(xiàn)圖3的滯后曲線的像素的列及行電壓電平的可能集合。在圖4的實施例中，激活像素涉及將合適列設(shè)定為_Vbias并將合適行設(shè)定為+AV，其可分別對應(yīng)于-5伏與+5伏。通過將適當(dāng)?shù)牧性O(shè)定到+Vbias及將適當(dāng)?shù)男性O(shè)定到相同+AV從而在像素上產(chǎn)生零伏電位差來實現(xiàn)使像素松弛。在行電壓保持于零伏的那些行中，像素穩(wěn)定于其最初所處的狀態(tài)而不管列是處于+Vbias還是_Vbias。還如圖4中所說明，可使用與以上所述的極性相反的電壓，例如，激活像素可涉及將適當(dāng)?shù)牧性O(shè)定到+Vbias及將適當(dāng)?shù)男性O(shè)定到_AV。在所述實施例中，通過將適當(dāng)?shù)牧性O(shè)定到_Vbias及將適當(dāng)?shù)男性O(shè)定到相同-AV從而在像素上產(chǎn)生零伏電位差來實現(xiàn)釋放像素。圖5B為展示施加到圖2的3X3陣列的一系列行及列信號的時序圖，其將產(chǎn)生圖5A中所說明的顯示器布置，其中激活像素為非反射的。在寫入圖5A中所說明的幀之前，所述像素可處于任何狀態(tài)，且在此實例中，所有行初始處于0伏且所有列處于+5伏。在這些施加電壓下，所有像素均穩(wěn)定于其現(xiàn)存的激活或松弛狀態(tài)中。在圖5A幀中，像素(l，l)、(1，2)、(2，2)、(3，2)及(3，3)被激活。為實現(xiàn)此，在行1的"線時間"期間，將列1及列2設(shè)定到-5伏，且將列3設(shè)定到+5伏。此不會改變?nèi)魏蜗袼氐臓顟B(tài)，因為所有像素均保持在3-7伏的穩(wěn)定窗口中。行1接著以從0升到5伏且返回到零的脈沖得以選通。此激活(l，l)及(1，2)像素且使(1，3)像素松弛。陣列中的其它像素不受影響。為視需要設(shè)定行2，將列2設(shè)定到-5伏且將列1及列3設(shè)定到+5伏。施加到行2的相同選通接著將激活像素(2，2)且使像素(2，1)及(2，3)松弛。同樣，陣列的其它像素不受影響。行3類似地通過將列2及列3設(shè)定到-5伏及將列1設(shè)定到+5伏而設(shè)定。行3選通設(shè)定如圖5A中所示的行3像素。在寫入幀之后，行電位為零，且列電位可保持于+5伏或_5伏，且顯示器接著穩(wěn)定于圖5A的布置中。相同程序可用于數(shù)十或數(shù)百個行及列的陣列。用以執(zhí)行行及列激活的電壓的時序、序列及電平可在以上所概述的一般原理的范圍內(nèi)廣泛地變化，且以上實例僅為示范性的，且任何激活電壓方法可與本文中所述的系統(tǒng)及方法一起使用。圖6A及圖6B為說明顯示器裝置40的實施例的系統(tǒng)框圖。舉例來說，顯示器裝置40可為蜂窩式電話或移動電話。然而，顯示器裝置40的相同組件或其輕微變體還說明各種類型的顯示器裝置，例如電視及便攜式媒體播放器。顯示器裝置40包括外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入裝置48及麥克風(fēng)46。外殼41通常由多種制造工藝中的任一者形成，其包括注射模制及真空成形。另外，外殼41可由多種材料中的任一者制成，所述材料包括(但不限于)塑料、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其組合。在一個實施例中，外殼41包括可與具有不同色彩或含有不同標(biāo)識、圖片或符號的其它可移除部分互換的可移除部分(未圖示)。示范性顯示器裝置40的顯示器30可為多種顯示器中的任一者，所述顯示器包括如本文中所述的雙穩(wěn)態(tài)顯示器。在其它實施例中，顯示器30包括例如上文所述的等離子、EL、OLED、STNLCD或TFTLCD的平板顯示器，或例如CRT或其它管狀裝置的非平板顯示器。然而，出于描述本實施例的目的，如本文所描述，顯示器30包括干涉式調(diào)制器顯示器。圖6B中示意性地說明示范性顯示器裝置40的一個實施例的組件。所說明的示范性顯示器裝置40包括外殼41且可包括至少部分地封閉于其中的額外組件。舉例來說，在一個實施例中，示范性顯示器裝置40包括網(wǎng)絡(luò)接口27，網(wǎng)絡(luò)接口27包括耦合到收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接到處理器21，處理器21連接到調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號(例如，對信號進(jìn)行濾波)。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚聲器45及麥克風(fēng)46。處理器21還連接到輸入裝置48及驅(qū)動器控制器29。驅(qū)動器控制器29耦合到幀緩沖器28及陣列驅(qū)動器22，陣列驅(qū)動器22又耦合到顯示器陣列30。電源50按照特定示范性顯示器裝置40設(shè)計的需要而將電力提供到所有組件。網(wǎng)絡(luò)接口27包括天線43及收發(fā)器47，使得示范性顯示器裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)與一個或一個以上裝置通信。在一個實施例中，網(wǎng)絡(luò)接口27還可具有一些處理能力以減輕對處理器21的需求。天線43為用于發(fā)射及接收信號的任何天線。在一個實施例中，所述天線根據(jù)IEEE802.11標(biāo)準(zhǔn)(包括IEEE802.ll(a)、(b)或(g))而發(fā)射及接收RF信號。在另一實施例中，天線根據(jù)藍(lán)牙(BLUETOOTH)標(biāo)準(zhǔn)而發(fā)射及接收RF信號。在蜂窩式電話的情況下，天線經(jīng)設(shè)計以接收用以在無線手機網(wǎng)絡(luò)內(nèi)通信的CDMA、GSM、AMPS、W-CDMA或其它已知信號。收發(fā)器47預(yù)處理從天線43接收的信號，以使所述信號可由處理器21接收并進(jìn)一步運用。收發(fā)器47還處理從處理器21接收的信號，以使所述信號可經(jīng)由天線43從示范性顯示器裝置40發(fā)射。在一替代實施例中，收發(fā)器47可由接收器代替。在又一替代實施例中，網(wǎng)絡(luò)接口27可由可存儲或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)的圖像源代替。舉例來說，所述圖像源可為數(shù)字視頻光盤(DVD)或含有圖像數(shù)據(jù)的硬盤驅(qū)動器，或產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的軟件模塊。處理器21大致上控制示范性顯示器裝置40的全部操作。處理器21接收例如來自網(wǎng)絡(luò)接口27或圖像源的壓縮圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)，并將所述數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21接著將已處理的數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動器控制器29或發(fā)送到幀緩沖器28以供存儲。原始數(shù)據(jù)通常是指識別圖像內(nèi)每一位置處的圖像特性的信息。舉例來說，這些圖像特性可包括顏色、飽和度和灰度級。在一個實施例中，處理器21包括微控制器、CPU或邏輯單元以控制示范性顯示器裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬件52通常包括放大器和濾波器，以用于將信號發(fā)射到揚聲器45，且用于從麥克風(fēng)46接收信號。調(diào)節(jié)硬件52可為示范性顯示器裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入在處理器21或其它組件內(nèi)。驅(qū)動器控制器29直接從處理器21或從幀緩沖器28取得由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，并適當(dāng)?shù)刂匦赂袷交鲈紙D像數(shù)據(jù)以供高速發(fā)射到陣列驅(qū)動器22。具體來說，驅(qū)動器控制器29將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化為具有類似光柵的格式的數(shù)據(jù)流，使得其具有適于在顯示器陣列30上進(jìn)行掃描的時間次序。接著，驅(qū)動器控制器29將已格式化的信息發(fā)送到陣列驅(qū)動器22。盡管驅(qū)動器控制器29(例如LCD控制器)通常與系統(tǒng)處理器21關(guān)聯(lián)而作為獨立的集成電路(IC)，但可以許多方式實施這些控制器。其可作為硬件嵌入處理器21中，作為軟件嵌入處理器21中，或與陣列驅(qū)動器22完全集成在硬件中。通常，陣列驅(qū)動器22從驅(qū)動器控制器29接收已格式化的信息且將視頻數(shù)據(jù)重新格式化為一組平行波形，所述波形以每秒多次的速度被施加到來自顯示器的x-y像素矩陣的數(shù)百且有時數(shù)千個引線。在一個實施例中，驅(qū)動器控制器29、陣列驅(qū)動器22和顯示器陣列30適用于本文描述的任意類型的顯示器。舉例來說，在一個實施例中，驅(qū)動器控制器29是常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如，干涉式調(diào)制器控制器)。在另一實施例中，陣列驅(qū)動器22是常規(guī)驅(qū)動器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅(qū)動器(例如，干涉式調(diào)制器顯示器)。在一個實施例中，驅(qū)動器控制器29與陣列驅(qū)動器22集成。此實施例在例如蜂窩式電話、手表和其它小面積顯示器的高度集成系統(tǒng)中是普遍的。在又一實施例中，顯示器陣列30是典型的顯示器陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示器陣列(例如，包括干涉式調(diào)制器陣列的顯示器)。輸入裝置48允許用戶控制示范性顯示器裝置40的操作。在一個實施例中，輸入裝置48包括例如QWERTY鍵盤或電話鍵區(qū)的鍵區(qū)、按鈕、開關(guān)、觸敏屏幕、壓敏或熱敏薄膜。在一個實施例中，麥克風(fēng)46是用于示范性顯示器裝置40的輸入裝置。當(dāng)使用麥克風(fēng)46將數(shù)據(jù)輸入到所述裝置時，用戶可提供聲音命令以便控制示范性顯示器裝置40的操作。電源50可包括此項技術(shù)中眾所周知的多種能量存儲裝置。舉例來說，在一個實施例中，電源50是例如鎳鎘電池或鋰離子電池的可再充電電池。在另一實施例中，電源50是可再生能源、電容器或太陽能電池，包括塑料太陽能電池和太陽能電池涂料。在另一實施例中，電源50經(jīng)配置以從壁式插座接收功率。在一些實施方案中，如以上所述，控制可編程性駐留于可位于電子顯示器系統(tǒng)中的若干位置中的驅(qū)動器控制器中。在一些情況中，控制可編程性駐留于陣列驅(qū)動器22中。上述優(yōu)化可實施于任何數(shù)目的硬件及/或軟件組件中及各種配置中。根據(jù)以上所陳述的原理而操作的干涉式調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)可廣泛地變化。舉例來說，圖7A到圖7E說明可移動反射層14及其支撐結(jié)構(gòu)的五個不同實施例。圖7A為圖1的實施例的橫截面，其中金屬材料的條帶14沉積于正交延伸的支撐件18上。在圖7B中，每一干涉式調(diào)制器的可移動反射層14形狀為正方形或長方形且在系鏈(tether)32上僅在隅角處附接到支撐件。在圖7C中，可移動反射層14形狀為正方形或長方形且從可變形層34懸置，所述可變形層34可包含柔性金屬?？勺冃螌?4直接或間接連接到圍繞在可變形層34周邊的襯底20。本文中的所述連接件是指支撐柱。圖7D中所說明的實施例具有由支撐柱插塞42形成的支撐件，可變形層34擱置在支撐柱插塞42上。如在圖7A到圖7C中，可移動反射層14保持懸置在間隙上方，但可變形層34未通過填充可變形層34與光學(xué)堆疊16之間的孔而形成支撐柱。而是，支撐柱由平坦化材料(其用于形成支撐柱插塞42)形成。在其它實施例中，支撐件可額外或替代地包括例如支撐軌的連續(xù)壁。圖7E所說明的實施例基于圖7D中所示的實施例，但還可適合于與圖7A到圖7C中所說明的任何實施例及未展示的額外實施例一起作用。在圖7E所示的實施例中，已使用金屬或其它導(dǎo)電材料的額外層來形成總線結(jié)構(gòu)44。此允許信號沿著干涉式調(diào)制器的背部路由，從而消除原本可能必須形成于襯底20上的大量電極。在例如圖7中所示的那些實施例的實施例中，干涉式調(diào)制器充當(dāng)直接觀看裝置，其中從透明襯底20的前側(cè)觀看圖像，所述側(cè)與上面布置有調(diào)制器的一側(cè)相對。在這些實施例中，反射層14以光學(xué)方式遮蔽在反射層的與襯底20相對側(cè)的干涉式調(diào)制器的部分，其包括可變形層34。這允許對遮蔽區(qū)進(jìn)行配置和操作而不會消極地影響圖像質(zhì)量。舉例來說，此遮蔽允許圖7E中的總線結(jié)構(gòu)44，其提供使調(diào)制器的光學(xué)性質(zhì)與調(diào)制器的機電性質(zhì)分離的能力，例如，尋址或由所述尋址引起的移動。這種可分離的調(diào)制器結(jié)構(gòu)允許選擇用于調(diào)制器的機電方面和光學(xué)方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料且使其彼此獨立而發(fā)揮作用。此外，圖7C-7E中所示的實施例具有源自反射層14的光學(xué)性質(zhì)與其機械性質(zhì)脫離的額外益處，所述益處由可變形層34執(zhí)行。這允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料在光學(xué)性質(zhì)方面得以優(yōu)化，且用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料在所需的機械性質(zhì)方面得以優(yōu)化。可在例如干涉式調(diào)制器的MEMS裝置的陣列內(nèi)或鄰近所述陣列來提供額外結(jié)構(gòu)。舉例來說，當(dāng)觀看所述陣列時，掩模能夠最小化或防止不合需要的光學(xué)效應(yīng)，且總線結(jié)構(gòu)可在整個陣列內(nèi)改進(jìn)導(dǎo)電性。另外，可使用特定材料以實現(xiàn)某些所要的效應(yīng)。還可選擇所用的材料以最小化用以制造裝置的不同材料的量，從而針對已就位(例如在薄膜晶體管(TFT)制造室或"廠")的特定制造設(shè)備而簡化制造工藝或調(diào)適制造工藝。圖8A到圖81說明可用以形成MEMS裝置陣列的工藝流程。明確地說，所述工藝流程針對干涉式調(diào)制器陣列的形成，但所述工藝流程的某些步驟及其中所使用的某些材料還可用于其它類型的MEMS裝置的制造中。圖8A說明光透射襯底100，黑色掩模吸收體層110形成于所述襯底100上。在某些實施例中，光透射襯底100可為透明或大體上透明的，且其可包含例如玻璃或聚合物等材料。在某些實施例中，可將包含由光透射層間隔開以提供所要間隔的兩個吸收體層的固定干涉式結(jié)構(gòu)用作干涉式黑色掩模，歸因于對入射在干涉式黑色掩模上的光的干涉式調(diào)制，所述干涉式黑色掩模呈黑色。盡管稱為黑色掩模，但黑色掩模不需要呈黑色，而是可呈現(xiàn)例如灰色等某一其它色彩，只要朝向觀看者反射回的光的強度減少即可。在此類實施例中，黑色掩模吸收體層110由對入射光為部分透射的材料及厚度形成，以致一些入射光被反射且一些入射光被透射穿過其到達(dá)下伏層。在一個實施例中，黑色掩模吸收體層110包含MoCr合金層(其具有約70-75埃的厚度)，然而也還可使用其它適合的材料及厚度。舉例來說，如在下文中更詳細(xì)描述，在某些實施例中，黑色掩模吸收體層可包含適合厚度的鉬，且還可使用僅包含鉻的層。在一個實施例中，選擇黑色掩模吸收體層110的厚度及材料以致使吸收體層對可見光的反射率在28.5%到34.5%之間。在一個實施例中，黑色掩模吸收體層IIO被濺鍍沉積到襯底上，然而也可使用其它適合的沉積方法。在特定實施例中，MoCr層可包括約2原子％的鉻。在其它實施例中，MoCr層可包括約2與3原子％之間的鉻。在鉬層中包含鉻可增加層的反射率。更高含量的鉻可增加對層進(jìn)行圖案化的難度，且高含量的鉻還可因限制某些裝置中鉻的量的規(guī)則而被禁止。在其它實施例中，使用MoCr作為吸收體層可有助于在TFT廠(例如常規(guī)LCD或OLED廠或平板顯示器廠)中進(jìn)行的所述材料的制造，因為MoCr在此類廠中常用作柵極材料。在圖8B中，圖案化及蝕刻黑色掩模吸收體層110以形成黑色掩模吸收體層112且黑色掩模介電層120已沉積于黑色掩模吸收體層112上。盡管說明為平坦的，但應(yīng)理解，視材料及沉積工藝而定，此黑色掩模介電層及后續(xù)沉積層可保形地沉積于下伏層上且可不包含平坦上表面。在所說明的實施例中，可由導(dǎo)電材料形成黑色掩模吸收體層IIO，在一些實施例中黑色掩模介電層120可保持大體上未經(jīng)圖案化的，或黑色掩模介電層120可經(jīng)圖案化以移除黑色掩模介電層120的未上覆于黑色掩模吸收體層112上的部分。在一些實施例中，其中黑色掩模介電層120用作干涉式黑色掩模中兩個吸收體層之間的間隔物或光學(xué)腔，盡管還可使用其它適合的材料，但黑色掩模介電層120可包含具有約800埃的厚度的Si(^，且可具有約1.46的折射率。在一些實施例中，層120可具有在760與840埃之間的厚度(盡管還可使用比其厚或薄的層)。應(yīng)理解，介電層120因此界定干涉式黑色掩模的光學(xué)路徑，以致所要"色彩"的厚度將視所選材料的折射率而定。盡管還可使用其它適合的方法，但可經(jīng)由化學(xué)氣相沉積來沉積黑色掩模介電層120。還可選擇黑色掩模介電層120的厚度以有助于保形沉積上覆層，同時弄平下伏黑色掩模吸收體層112中的任何鋒利邊緣。在圖8C中，光學(xué)吸收體層130沉積于黑色掩模介電層120上。在某些實施例中，所述光學(xué)吸收體層可由與黑色掩模吸收體層112相同的材料形成，且因此可使用相同類型的設(shè)備來沉積。因此，在一些實施例中，光學(xué)吸收體層130可包含MoCr層，且可具有70-75埃的厚度。由于MoCr光學(xué)吸收體層130為導(dǎo)電的，所以可無需沉積單獨的導(dǎo)電層來用作電極，但在其它實施例中，例如氧化銦錫的單獨透明導(dǎo)電層可沉積于光學(xué)吸收體層130上方12或下方。在某些實施例中，對于小的MEMS裝置陣列，例如具有供小于40個像素跨越的行或列的干涉式調(diào)制器陣列(例如，其中由光學(xué)吸收體130形成的導(dǎo)電層延伸不多于40個像素)，可無需為信號傳導(dǎo)或總線目的而沉積單獨透明導(dǎo)電層，盡管視所使用的像素的大小與材料而定，仍可形成不同大小及形狀的MEMS陣列而沒有單獨導(dǎo)電層。因此，從所說明的實施例省略ITO或其它透明導(dǎo)體。因為光學(xué)吸收體130可用作下部或行電極中的唯一或主要導(dǎo)體，所以可針對其導(dǎo)電性質(zhì)以及光學(xué)性質(zhì)而選擇光學(xué)吸收體層130的成分。如上文所提到，可使用包括約2原子％的鉻的MoCr層作為光學(xué)吸收體130，且所述MoCr層可提供具有適當(dāng)導(dǎo)電性的層。盡管包含額外鉻可增加導(dǎo)電性，但已發(fā)現(xiàn)在集成中具有不合需要的效應(yīng)，例如使用于圖案化行電極的蝕刻復(fù)雜化。接著可執(zhí)行后續(xù)圖案化步驟以圖案化光學(xué)吸收體層130從而形成所要圖案(未圖示)，例如形成條帶電極以界定陣列的行電極。當(dāng)無透明導(dǎo)電層沉積于鄰近光學(xué)補償層130時，所述光學(xué)補償層可在此類條帶電極的至少部分中用作主要或唯一導(dǎo)體。光學(xué)吸收體130可在陣列的不同部分提供兩個光學(xué)功能。在光學(xué)吸收體130上覆于黑色掩模吸收體112上的黑色掩模區(qū)114中，如上文所論述，光學(xué)吸收體及黑色掩模吸收體協(xié)作以形成干涉式黑色掩模。在給定特定尺寸及材料的情況下，固定元件將吸收大量入射光，充當(dāng)黑色掩模及防止上覆結(jié)構(gòu)反射光。由于黑色掩模區(qū)114將不管MEMS陣列的狀態(tài)而反射特定色彩或光(或吸收光)，所以這些區(qū)可被稱為光學(xué)非活性的。在某些實施例中，多數(shù)光被吸收，但被反射的光的量可通過變化吸收體層的厚度及不透明度而加以控制。被反射的光的量的方差可影響并入有此陣列的顯示器裝置的對比率。在例如那些遠(yuǎn)離黑色掩模區(qū)114而定位的光學(xué)活性區(qū)中，光學(xué)吸收體130可用作(例如)干涉式調(diào)制器中的部分反射層，例如在圖1的光學(xué)堆疊16中的部分反射層。因此，光學(xué)吸收體130用作在可反射各種色彩中的一者或一者以上的干涉式調(diào)制器中的部分反射及部分透明層。包含Mo還可針對某些色彩提供更好的色彩性能，如包括例如MoCr的Mo的光學(xué)吸收體可提供比具有Cr光學(xué)吸收體的干涉式調(diào)制器更好的紅色。在圖8D中，總線層沉積于光學(xué)吸收體130上，且經(jīng)圖案化以形成總線結(jié)構(gòu)140。所述總線結(jié)構(gòu)可包含提供比光學(xué)吸收體130或其它導(dǎo)電層更好的導(dǎo)電性的材料或厚度。在圖8D中所描繪的特定實施例中，總線結(jié)構(gòu)包括下部子層142及上部子層144。還應(yīng)理解，總線層可延伸到陣列外部，且可允許陣列內(nèi)的組件與外部組件(例如接觸襯墊或驅(qū)動器電路)之間電連通。在某些實施例中，下部子層142包含A1且上部子層144包含Ni，且在特定實施例中，下部子層142包含Al-Nd合金且上部子層144包含Ni-B合金。如將在下文更詳細(xì)論述，Al-Nd合金可包含約2X釹，且Ni-B合金可包含約0.1%到0.5%硼。這些特定合金還可用于MEMS裝置中的其它層中。如在圖8D中可見，總線結(jié)構(gòu)140可上覆黑色掩模區(qū)114的由黑色掩模吸收體112界定的一部分。因為黑色掩模區(qū)114最小化來自上覆層的光學(xué)干涉，所以例如A1的反射材料可用于總線結(jié)構(gòu)140中而不導(dǎo)致不合需要的光學(xué)效應(yīng)。因此，在某些實施例中，總線結(jié)構(gòu)可用作顯示器的光學(xué)非活性區(qū)內(nèi)的導(dǎo)體，光學(xué)非活性區(qū)例如陣列內(nèi)的黑色掩模區(qū)114或陣列外部的布線區(qū)中的互連，且導(dǎo)電光學(xué)吸收體層130可用作顯示器的某些光學(xué)活性區(qū)中的條帶電極中的主要或唯一導(dǎo)體。光學(xué)非活性區(qū)中總線結(jié)構(gòu)140的使用可補償光學(xué)活性區(qū)中的較低導(dǎo)電性，以致不需要例如IT0的透明導(dǎo)電層。在圖8E中，光學(xué)介電層150已沉積于總線結(jié)構(gòu)140上，其后為蝕刻阻擋層152及犧牲層160。在某些實施例中，光學(xué)介電層150可包含與黑色掩模介電層120相同的材料。盡管還可使用其它適當(dāng)?shù)牟牧稀⒑穸燃俺练e技術(shù)，但在特定實施例中，光學(xué)介電層150包含可經(jīng)由化學(xué)氣相沉積沉積的Si02層，且可具有380與440埃之間的厚度。選擇光學(xué)介電層的厚度及材料(折射率)以界定當(dāng)處于崩潰狀態(tài)(見圖1)時由成品干涉式調(diào)制器反射的干涉式色彩。蝕刻阻擋層152可包含視待使用的特定蝕刻及例如犧牲層160的鄰近層的成分而定的多種材料。盡管可視稍后在制造工藝中使用的釋放或其它蝕刻化學(xué)性質(zhì)而定使用不同材料，但在一個實施例中，所述蝕刻阻擋層可為抗Xe&蝕刻的。盡管可使用其它厚度及材料，但在一個實施例中，所述蝕刻阻擋層包含具有約80埃的厚度的Alx0y層，且其可經(jīng)濺鍍沉積于光學(xué)介電層150上。犧牲層160的高度將影響當(dāng)移除犧牲層時形成的干涉式腔的大小，此又影響當(dāng)可移動反射層處于松弛或未激活位置時(例如圖1的可移動反射層14a)由干涉式調(diào)制器反射的色彩。圖8E描繪具有大體上恒定的高度的犧牲層160。應(yīng)理解，在其它實施例中，犧牲層160可具有變化的高度。舉例來說，犧牲層160可在對應(yīng)于將在松弛位置反射不同干涉式色彩的不同像素的區(qū)中具有不同高度。舉例來說，可經(jīng)由反復(fù)沉積及圖案化工藝形成此類犧牲層。在當(dāng)可移動反射層處于未激活位置時反射綠黃光的單色陣列的特定實施例中，犧牲層160可包含濺鍍沉積于蝕刻阻擋層152上的鉬層，其具有在約1715與1855埃之間的厚度。然而，應(yīng)理解，可使用不同的厚度以獲得單色陣列的不同色彩。在圖8F中，可見犧牲層160經(jīng)圖案化以形成孔口162，其延伸穿過犧牲層160，且支撐柱材料的層170已隨后沉積于犧牲層160上。在所說明的實施例中，所述孔口162采取錐形孔口的形式，其延伸穿過犧牲層160到下伏層，在此情況下為蝕刻阻擋層152。如圖中可見的，孔口的錐形有助于支撐柱層170的保形沉積。盡管可使用其它材料、厚度及沉積工藝，但在一個實施例中，支撐柱材料包含Si02層，其經(jīng)由化學(xué)氣相沉積而沉積且具有約4360到4520埃的厚度。明確地說，支撐柱層170的厚度可視用以形成所述層的材料及所得的支撐柱所需的機械性質(zhì)而定。在圖8G中，支撐柱層170已經(jīng)圖案化及經(jīng)蝕刻以形成支撐結(jié)構(gòu)172，支撐結(jié)構(gòu)172可在整個MEMS裝置的陣列中采取多種形狀。圖8G描繪具有大體上水平延伸的翼形部分174的支撐結(jié)構(gòu)172，翼形部分174具有錐形邊緣176。水平延伸的翼形部分174可用以通過變化翼形部分174的大小來控制上覆層(例如，待于下文描述的機械層及鏡層)的高度及行為。錐形邊緣176有助于上覆層的連續(xù)保形沉積。另外，在所描述的關(guān)于圖8G的步驟之后可接續(xù)一處理步驟，其中在沉積可變形反射層180(見下文圖8H)之前處理犧牲層160的暴露部分。對犧牲層的處理(例如紋理化表面的形成及/或表面能量的修改)將在稍后移除犧牲層160時使得可變形反射層180具有紋理化的表面及/或經(jīng)修改的表面能量。形成例如具有紋理化的下部表面的可變形反射層180，可防止或延遲可變形反射層180與下伏層之間發(fā)生靜摩擦。在特定實施例中，犧牲層160可由^0等離子處理工藝來處理。在圖案化柱層170以形成支撐結(jié)構(gòu)172而借此暴露犧牲層160的遠(yuǎn)離所述柱定位的部分之后，可形成包含N20的等離子環(huán)境，且將經(jīng)部分制成的陣列暴露于&0等離子環(huán)境中達(dá)一時間周期。在某些實施例中，所述暴露可具有在30秒到5分鐘之間的持續(xù)時間，但在其它實施例中可使用更長或更短時間的暴露。在柱結(jié)構(gòu)形成于干式蝕刻腔室內(nèi)的某些實施例中，可在相同的干式蝕刻腔室內(nèi)部形成等離子環(huán)境。應(yīng)理解，所述處理在其它實施例中可在柱形成之前執(zhí)行，例如在初始圖案化犧牲層160以形成孔口162之前執(zhí)行。在圖8H中，可變形反射層180形成于支撐結(jié)構(gòu)172上?？勺冃畏瓷鋵?80包含反射子層182及形成于反射子層182上的機械子層184。通常，反射子層182可包含主要針對其光學(xué)性質(zhì)而選擇的材料，且機械子層可包含主要針對其機械性質(zhì)而選擇的材料。在某些實施例中，反射子層可包含鋁，且機械子層可包含鎳。在反射層中釹的存在抑制鋁遷移，此可導(dǎo)致鋁層上以藍(lán)點的形式的變色，所述點可造成不合需要的光學(xué)效應(yīng)。反射層中約2原子％釹的存在足以抑制鋁遷移，但包含額外的釹可減少反射子層的反射率且顯著增加反射子層的阻力。因此，在反射子層中的Nd可經(jīng)選擇為低于鋁薄膜的2.5原子％，明確地說為在0.5原子％與2.5原子％之間。在特定實施例中，反射子層可包含Al-Nd合金，且在特定實施例中可包含濺鍍沉積的Al-Nd合金，所述合金包含約2原子％的釹。在特定實施例中，反射子層可具有在約300與400埃之間的厚度。在特定實施例中，機械子層可包含Ni-B合金，且在特定實施例中可包含濺鍍沉積的Ni-B合金，所述合金包含約0.1-0.5原子％的硼及具有約750到850埃的厚度。在機械層中包含硼增加了機械層的硬度。光學(xué)層的硬度的增加可有助于延遲或防止機械層的恢復(fù)力的減小，所述減小可導(dǎo)致像素?zé)o法在預(yù)期電壓下釋放。另外，較硬的機械層在整個陣列中可需要較少支撐結(jié)構(gòu)，以致陣列中的更多者可為光學(xué)活性的且不能被黑色掩模遮蔽。在包括總線結(jié)構(gòu)140的實施例中，因柱的減少所致的活性區(qū)的增加可彌補歸因于總線結(jié)構(gòu)的遮蔽所致的活性區(qū)的損失。相對少量(約0.5原子％)的硼的使用避免顯著的硼擴(kuò)散到鄰近層中(包括光學(xué)介電層及吸收體層)，所述擴(kuò)散可造成不合需要的電效應(yīng)。在Ni-B合金沉積于Al-Nd合金上的實施例中，例如在總線結(jié)構(gòu)140或可變形反射層180中，Ni-B層的沉積可導(dǎo)致在兩個層之間形成可具有不合需要的電性質(zhì)的金屬間合金。所述金屬間合金的形成還可發(fā)生于任何含Al層與任何含Ni層之間。為了避免或最小化所述金屬間合金的形成，可在下伏層(在此情況下為Al-Nd層)的沉積與上覆層(在此情況下為Ni-B層)的沉積之間使用真空中斷。將最近沉積的A1-Nd層暴露于潔凈的室內(nèi)空氣會有助于Al-Nd層的表面上的AlxOy原生氧化物的形成，其可抑制在沉積上覆Ni-B層后金屬間合金的形成，且可具有比金屬間合金更合需要的電性質(zhì)。最后，在圖81中，可看見可變形反射層180已被圖案化以形成所要結(jié)構(gòu)，且釋放蝕刻已經(jīng)執(zhí)行以移除犧牲層160，從而在可變形反射層180與下伏層之間形成腔164。在某些實施例中，蝕刻孔186可形成于反射可變形層180中以將犧牲層160的額外部分暴露于蝕刻劑。另外，可變形反射層可經(jīng)蝕刻以形成例如列條帶電極及陣列與陣列外部的接觸襯墊之間的導(dǎo)電引線等額外特征(未圖示)。在此釋放蝕刻工藝期間可消耗蝕刻阻擋層152(在圖81中展示為經(jīng)部分移除)的一些蝕刻阻擋層，盡管這些可保留在成品裝置中。在某些實施例中，可使用XeF2釋放蝕刻以移除Mo犧牲層而未大體上蝕刻Al,Oy蝕刻阻擋層。盡管在圖81中展示為在支撐結(jié)構(gòu)172之間的區(qū)中被移除，但應(yīng)理解，蝕刻阻擋層152的一些部分可保留在那些區(qū)中。因此形成干涉式調(diào)制器190，其中可變形反射層180為可朝向下伏層以靜電方式激活的，以改變由干涉式調(diào)制器190反射的光的波長。圖9說明從干涉式調(diào)制器陣列200的下部所見的圖。可見可變形反射層1S0(見圖81)已經(jīng)圖案化以形成列電極210。位于氣隙下的導(dǎo)電層已經(jīng)圖案化以形成行電極215(在圖9中由軌支撐件217所勾畫)，其允許激活可變形反射層180的特定部分?？刹捎锰囟ㄏ袼貎?nèi)的行電極或柱之間的細(xì)長軌的形式的支撐結(jié)構(gòu)由呈黑色的黑色掩模區(qū)220遮蔽。另外，蝕刻孔230(類似于圖81的蝕刻孔186)還在整個陣列內(nèi)可見為黑點。在激活可變形反射層后，便導(dǎo)致列電極210的部分朝向行電極215移動，陣列的激活部分可在整個陣列內(nèi)呈黑色。然而，應(yīng)理解可使用不同配置，使得陣列在處于未激活位置中反射第一色彩與處于激活位置中反射第二色彩之間可切換，且如果使用不同尺寸或材料則所述激活位置無需產(chǎn)生黑色狀態(tài)。在某些實施例中，下文表格中陳述的工藝流程可用于MEMS裝置的制造中表1掩模工藝材料規(guī)格沉積方法沉積黑色掩模吸收體MoCr反射率=28.5%-34.5%濺鍍掩模l(黑色掩模)圖案化及蝕刻黑色掩模堆疊沉積黑色掩模電介質(zhì)Si02厚度=800A±10%RI=1.46±0.02PECVD沉積光學(xué)堆疊沉積透明導(dǎo)體N/AN/A沉積光學(xué)吸收體MoCr反射率=濺鍍16<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>在表格l的工藝流程中，所使用的材料(例如MoCr及SiO》為在薄膜晶體管制造室中容易獲得的，且許多材料用于多個層中，簡化了制造工藝。還可見，上述工藝可在制造不需要額外導(dǎo)體的顯示器大小時使用，且因此不包括單獨透明導(dǎo)體或布線材料。沉積AlOj或AlxOy)作為蝕刻終止層可容易在薄膜晶體管制造室中實施。此外，針對其對于鋁遷移的抵抗性而選擇了用于反射體中的Al-Nd合金，且針對其機械強度及可靠性而選擇了鎳。在另一實施例中，在以下表格中描述使用類似材料及厚度的替代性流程表2<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>在上述工藝流程中，Ni-B合金用于布線/總線層及機械層兩者中，從而簡化了工藝流程，且圖案化及蝕刻以清除接觸襯墊的最終步驟可用于某些實施例中。例如跨越板的總線層及犧牲層的層的厚度在某些實施例中也可低于某一程度。舉例來說，總線層的厚度的變化可低于180人，且可通常為約30A。類似地，犧牲層的厚度的變化可低于200人,且可通常為約30A。如上文所提及，某些材料可代替上文所論述的材料而加以使用。在上述實施例中，MoCr用作黑色掩模吸收體112及光學(xué)吸收體130。在替代實施例中，上述表格中的黑色掩模及光學(xué)吸收體可在未添加鉻的情況下包含適當(dāng)厚度的鉬以產(chǎn)生所要反射率。盡管還可使用其它材料及厚度，但在某些實施例中，黑色掩模及光學(xué)吸收體可包含具有約60到70埃的厚度的鉬。在所述實施例中，可使用單一類型的沉積工具來沉積黑色掩模、光學(xué)吸收體及犧牲層三者。應(yīng)了解，上述實施例的各種組合均是可能的。還應(yīng)認(rèn)識到，以上實施例中的層及形成那些層的材料的次序僅為示范性的。此外，在一些實施例中，可沉積及處理其它層(未圖示)以形成MEMS裝置的部分或形成襯底上的其它結(jié)構(gòu)。在其它實施例中，這些層可使用替代性沉積、圖案化及蝕刻材料及工藝來形成，可以不同次序沉積或由不同材料組成，如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所已知的。明確地說，如上文所論述，可改變各種層的高度以便控制由干涉式調(diào)制器在激活位置時所反射的光的波長。明確地說，由于當(dāng)移除犧牲層時犧牲層的高度將影響所得腔的高度，所以可改變犧牲層厚度以控制由干涉式調(diào)制器反射的色彩。還應(yīng)認(rèn)識到，除非本文中另有特定且清楚地陳述，否則本文中所述的任何方法的動作或事件可視實施例而定以其它順序來執(zhí)行，可被添加，合并，或完全省去(例如，并非所有動作或事件均為實踐所述方法所必需)。舉例來說，如上文所述，某些實施例可不包括上文所論述的總線結(jié)構(gòu)，尤其在顯示器足夠小時。盡管以上詳細(xì)描述已展示、描述及指出了本發(fā)明在應(yīng)用到各種實施例時的新穎特征，但應(yīng)理解，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可在不脫離本發(fā)明的精神的情況下對所說明的工藝的裝置的形式及細(xì)節(jié)進(jìn)行各種省略、替代及改變。應(yīng)認(rèn)識到，本發(fā)明可在不提供本文中所陳述的特征及益處的全部特征及益處的形式內(nèi)實施，因為一些特征可分離于其它特征而加以使用或?qū)嵺`。權(quán)利要求一種光學(xué)MEMS裝置，其包含導(dǎo)電光學(xué)吸收體，其形成于襯底上且經(jīng)圖案化以形成條帶電極，其中所述光學(xué)吸收體用作所述MEMS裝置的光學(xué)活性區(qū)內(nèi)的所述條帶電極中的主要導(dǎo)體；至少一個支撐結(jié)構(gòu)，其形成于所述光學(xué)吸收體上；以及導(dǎo)電可變形層，其形成于所述至少一個支撐結(jié)構(gòu)上且與所述導(dǎo)電光學(xué)吸收體間隔開，其中所述可變形層可以靜電方式朝向所述光學(xué)吸收體層偏轉(zhuǎn)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS裝置，其中所述光學(xué)吸收體包含鉬鉻合金，所述鉬鉻合金包含約2原子％的鉻。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS裝置，其中所述光學(xué)吸收體具有約70-75埃的厚度。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS裝置，其中所述光學(xué)吸收體反射約28.5%與34.5%之間的入射可見光。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS裝置，其額外地包含黑色掩模吸收體層，其下伏于所述光學(xué)吸收體的至少一部分下，其中所述黑色掩模吸收體包含與所述光學(xué)吸收體相同的材料。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS裝置，其中所述MEMS裝置包含所述可變形層與所述光學(xué)吸收體之間的犧牲層，其中所述犧牲層包含與所述光學(xué)吸收體及黑色掩模吸收體相同的材料。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MEMS裝置，其中所述犧牲層、光學(xué)吸收體及黑色掩模吸收體中的每一者均包含鉬層。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS裝置，其中至少所述黑色掩模吸收體及所述光學(xué)吸收體形成吸收入射光的一部分的干涉式黑色掩模。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS裝置，其中所述黑色掩模吸收體位于所述顯示器的光學(xué)非活性區(qū)中。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS裝置，其中所述黑色掩模吸收體層的至少一部分下伏于所述至少一個支撐結(jié)構(gòu)的一部分下。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS裝置，其中所述可變形層包含面向所述光學(xué)吸收體的反射子層及上覆于所述反射子層上的機械子層，其中所述反射子層包含鋁且所述機械子層包含鎳。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的MEMS裝置，其中所述反射子層包含鋁釹合金。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的MEMS裝置，其中所述鋁釹允許包含約2原子％的釹。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的MEMS裝置，其中所述機械子層包含鎳硼合金。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的MEMS裝置，其中所述鎳硼合金包含約0.5原子％的硼。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的MEMS裝置，其額外地包含與所述光學(xué)吸收體層電連通的導(dǎo)電總線結(jié)構(gòu)。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的MEMS裝置，其中所述總線結(jié)構(gòu)包含第一子層及第二子層，其中所述第一子層包含與所述可變形層的所述反射子層相同的材料，且其中所述第二子層包含與所述可變形層的所述機械子層相同的材料。18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS裝置，其額外地包含位于所述光學(xué)吸收體的至少一部分上的光學(xué)介電層，其中所述光學(xué)吸收體包含位于所述顯示器的所述光學(xué)活性區(qū)中的所述光學(xué)介電層與所述襯底之間的唯一導(dǎo)電材料。19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS裝置，其中所述MEMS裝置在所述顯示器的光學(xué)活性區(qū)中不包含ITO。20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS裝置，其中所述MEMS裝置起干涉式調(diào)制器的作用。21.—種制造光學(xué)MEMS裝置的方法，其包含在襯底上形成導(dǎo)電光學(xué)吸收體；圖案化所述導(dǎo)電光學(xué)吸收體以形成條帶電極，其中所述光學(xué)吸收體在所述MEMS裝置的光學(xué)活性區(qū)中的所述條帶電極中起主要導(dǎo)體的作用；在所述光學(xué)吸收體上形成犧牲層；在所述光學(xué)吸收體上形成至少一個支撐結(jié)構(gòu)；在所述犧牲層及所述至少一個支撐結(jié)構(gòu)上形成導(dǎo)電可變形層；以及執(zhí)行釋放蝕刻以移除所述犧牲層，從而在所述可變形層與所述光學(xué)吸收體之間形成腔。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述光學(xué)吸收體包含鉬鉻合金，所述鉬鉻合金包含約2原子％的鉻。23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述光學(xué)吸收體具有約70-75埃的厚度。24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述光學(xué)吸收體反射在約28.5%與34.5%之間的入射可見光。25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其額外地包含在所述光學(xué)吸收體的沉積之前形成黑色掩模吸收體層，其中所述黑色掩模吸收體包含與所述光學(xué)吸收體相同的材料。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其額外地包含圖案化所述黑色掩模吸收體層以移除所述MEMS裝置的光學(xué)活性區(qū)中的所述黑色掩模吸收體層。27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述犧牲層包含與所述光學(xué)吸收體及黑色掩模吸收體相同的材料。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述犧牲層、所述光學(xué)吸收體及所述黑色掩模吸收體中的每一者均包含鉬層。29.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其在所述可變形層的形成之前額外地將所述犧牲層暴露于包含N20的等離子環(huán)境。30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中在所述至少一個支撐結(jié)構(gòu)的形成之后進(jìn)行將所述犧牲層暴露于包含N20的等離子環(huán)境。31.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其額外地包含形成與所述光學(xué)吸收體電連通的總線結(jié)構(gòu)。32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中形成所述總線結(jié)構(gòu)包含形成第一總線子層；將所述第一總線子層暴露于真空達(dá)一時間周期；以及在將所述第一總線子層暴露于真空之后，在所述第一層上形成第二總線子層。33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述第一總線層包含鋁釹合金，所述鋁釹合金包含約2原子％的釹，且其中所述第二總線層包含鎳硼合金，所述鎳硼合金包含約0.5原子％的硼。34.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中形成所述可變形層包含在所述犧牲層上形成反射子層，所述反射子層包含鋁；以及在所述第一子層上形成機械子層，所述機械子層包含鎳。35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中所述反射子層包含鋁釹合金，所述鋁釹合金包含約2%的釹。36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中所述機械子層包含鎳硼合金，所述鎳硼合金包含約O.5%的硼。全文摘要本發(fā)明提供MEMS裝置，其包括在LCD或OLED制造中用以有助于在相同制造系統(tǒng)上進(jìn)行的制造的材料。當(dāng)可能時，相同或類似材料用于所述MEMS裝置中的多個層，且可避免將透明導(dǎo)體用于部分透明電極以最小化所需材料的數(shù)目并最小化制造成本。某些層包含經(jīng)選擇以實現(xiàn)所要性質(zhì)的合金。在制造工藝期間可使用對沉積層的中間處理以提供具有所要性質(zhì)的層。文檔編號G02B26/08GK101755232SQ200880100172公開日2010年6月23日申請日期2008年7月23日優(yōu)先權(quán)日2007年7月25日發(fā)明者丹尼爾·張,簡·博斯,蘇耶普拉卡什·甘蒂,馬尼沙·科塔里申請人:高通Mems科技公司