專利名稱：帶有半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)光層的裝置的制作方法
帶有半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)光層的裝置
這個專利申請要求德國的專利申請102007010755.4的優(yōu)先權(quán)，其 公開內(nèi)容通過引用的方式納入本文中。
本發(fā)明涉及帶有半導(dǎo)體芯片和覆蓋層的裝置，該半導(dǎo)體芯片設(shè)置 用于在工作時發(fā)射光，該覆蓋層面對半導(dǎo)體芯片的輻射光的表面，以 致從半導(dǎo)體芯片中輻射的光穿4蓋層中。
這樣的一種裝置相應(yīng)于半導(dǎo)體組件的一般構(gòu)建，其中，該覆蓋層 保護(hù)該半導(dǎo)體芯片并且用于光的退耦。
發(fā)射光的半導(dǎo)體組件的應(yīng)用領(lǐng)域是顯示器的背光。對此由發(fā)光二 極管產(chǎn)生的光必須分布到大的面上，為此應(yīng)用了導(dǎo)光板或?qū)Ч獠?(Lichtleiterfolie)。其中，光從這樣的導(dǎo)光板中經(jīng)過大的面從后往顯示 層的背側(cè)上輻射。這樣的裝置從文件JP 08007614中是已知的。在那 里示出的裝置中光側(cè)向地耦合到導(dǎo)光板中。壓印到導(dǎo)光板底側(cè)上的散 射光柵用于光的改善的退耦。所示出的裝置的缺點(diǎn)是，該裝置比較大 且費(fèi)用高。
本發(fā)明的目的是給出帶有半導(dǎo)體芯片的裝置，該裝置是可以作為 背光單元應(yīng)用的，并且其中該裝置是更容易且更小地建立的。
這個目的通過根據(jù)權(quán)利要求l的裝置實(shí)現(xiàn)。相應(yīng)地，在開頭提及 的裝置中在覆蓋層的與芯片重疊的范圍中設(shè)置了光偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，通過該 結(jié)構(gòu)在覆蓋層的縱向延伸方向上偏轉(zhuǎn)穿入菱蓋層中的光。其中，覆蓋 層起光導(dǎo)體的作用并設(shè)置用于分散地在覆蓋層的上側(cè)上輻射光。
通過裝置的根據(jù)本發(fā)明的方案這個裝置很小且可以單件地制造。 聯(lián)接發(fā)光二極管和導(dǎo)光板不是必需的，而是半導(dǎo)體芯片的覆蓋層同時 承擔(dān)作為導(dǎo)光板或?qū)Ч獠墓δ?。用于偏轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)負(fù)責(zé)不將耦合到 覆蓋層中的光朝著同樣的方向輻射，而是偏轉(zhuǎn)到覆蓋層中，以致它在覆蓋層的縱向延伸上分布，并且因此也可以退耦到覆蓋層的離芯片較 遠(yuǎn)的范圍中。有利的是，假如包括覆蓋層的光學(xué)構(gòu)造的箔與半導(dǎo)體表
面直接接觸，或者帶有固定地與半導(dǎo)體表面接合(verbunden)的接觸層。 因此，箔與半導(dǎo)體芯片構(gòu)成完整的單元。
在本發(fā)明的優(yōu)選的方案中，該半導(dǎo)體芯片是沒有襯底的薄膜芯 片，該薄膜芯片優(yōu)選地具有兩個相反的主輻射方向。尤其通過以下典 型的特征表征薄膜發(fā)光二極管芯片
-外延層序具有在20pm或更少的范圍中的厚度，尤其是指在 10pm的范圍中的厚度；以及
—外延層序包括帶有至少 一 個具有混合結(jié)構(gòu) (Durchmischungsstruktur)的面的半導(dǎo)體層，該混合結(jié)構(gòu)在理想情況下 導(dǎo)致光在外延的外延層序中的近似遍歷的分布，也就是說它具有盡可 能遍歷隨機(jī)的散射特性。
薄膜發(fā)光二極管芯片在良好的近似下是一種朗伯表面輻射體。
例如在I. Schnitzer等人的Appl. Phys . Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174 - 2176中描述了薄膜發(fā)光二極管芯片的基本原理，就此而 言，其公開內(nèi)容通過引用而納入本文中。
作為薄膜芯片的方案有以下優(yōu)點(diǎn)，即裝置很薄。作為雙側(cè)發(fā)射的 芯片有以下優(yōu)點(diǎn)，即用根據(jù)本發(fā)明的裝置構(gòu)成的背光單元可以在兩個 方向上輻射光，或者當(dāng)只在一個方向上輻射光時，可以避免通常應(yīng)用 的襯底中的損失。
在本發(fā)明的優(yōu)選的方案中，在覆蓋層的背向半導(dǎo)體芯片的上側(cè)上 設(shè)置了鏡面化，以致防止了或減少了在半導(dǎo)體芯片之上的范圍中、在 半導(dǎo)體芯片的主輻射方向上的輻射。
光偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)優(yōu)選地通過光學(xué)元件實(shí)現(xiàn)，該光學(xué)元件集成到覆蓋層
中，其中，尤其可以安裝棱鏡、透鏡或衍射光柵。其中，光偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu) 可以在覆蓋層自身中構(gòu)成，但是也可以在該層上構(gòu)成或者在半導(dǎo)體芯 片和覆蓋層之間構(gòu)成。此外有可能為了光偏轉(zhuǎn)而設(shè)置由光子晶體制成的層。以下也有可 能，即覆蓋層具有全息構(gòu)造。
此外，有利的是，關(guān)于覆蓋層設(shè)置了表面擴(kuò)散器
(Oberflaechendiffiisoren)或體擴(kuò)散器(Volumendiffusoren)。通過擴(kuò)散器 把光^:射在不同方向上，以致出現(xiàn)特別均勻的輻射特性。
在本發(fā)明的有利的改進(jìn)方案中設(shè)置了作為覆蓋層的若干箔(Folie) 的組合，該組合具有不同的構(gòu)造和/或不同的折射率。在這些箔之間的 界面引起了附加的反射和折射。
在半導(dǎo)體芯片的表面和覆蓋層的表面之間的層中設(shè)置可導(dǎo)電的
結(jié)構(gòu)用于接觸半導(dǎo)體芯片，也是特別有利的。
在另外的有利的改進(jìn)方案中，在覆蓋層中可以設(shè)置轉(zhuǎn)換材料，該 轉(zhuǎn)換材料具有發(fā)光物質(zhì)，該發(fā)光物質(zhì)在通過第一波長的光的激勵之后 發(fā)射第二波長的光。由此可能產(chǎn)生混合光，該混合光由從半導(dǎo)體芯片 發(fā)射的初級輻射和通過發(fā)光物質(zhì)產(chǎn)生的次級輻射組成。這樣的混合光 可以例如是白光，該白光例如由藍(lán)色的初級輻射和黃色的次級輻射組 成。
本發(fā)明的其他的有利的方案在從屬權(quán)利要求中說明。
接下來利用實(shí)施例更進(jìn)一步闡述本發(fā)明。
其中
圖l顯示了帶有半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)光覆蓋層的裝置的示意圖， 圖2顯示了在覆蓋層的上側(cè)上帶有鏡面化的根據(jù)本發(fā)明的裝置， 圖3顯示了在覆蓋層中帶有棱鏡結(jié)構(gòu)的根據(jù)本發(fā)明的裝置， 圖4顯示了在覆蓋層中帶有體擴(kuò)散器的根據(jù)本發(fā)明的裝置， 圖5顯示了帶有多層構(gòu)建和棱鏡結(jié)構(gòu)的才艮據(jù)本發(fā)明的裝置， 圖6A至圖6F顯示了光偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的不同例子， 圖7顯示了光偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的其他的實(shí)施例，
圖8顯示了帶有雙側(cè)發(fā)射的薄膜半導(dǎo)體芯片的根據(jù)本發(fā)明的裝
置，圖9顯示了帶有轉(zhuǎn)換層的根據(jù)本發(fā)明的裝置，
圖IO顯示了帶有兩個轉(zhuǎn)換層的根據(jù)本發(fā)明的裝置，


圖11顯示了帶有撓性的導(dǎo)體路徑(Leiterbahn)的根據(jù)本發(fā)明的裝置。
在圖1中描述了帶有半導(dǎo)體芯片和覆蓋層的根據(jù)本發(fā)明的裝置的 基本構(gòu)建。半導(dǎo)體芯片由層疊組成，其中，在顯示的實(shí)施例中示出了 兩層。當(dāng)半導(dǎo)體芯片是在薄膜技術(shù)中制造時，它的厚度優(yōu)選地小于20 微米，例如七微米。但是也可以應(yīng)用厚得多的半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體 芯片具有例如150微米的厚度。采用半導(dǎo)體芯片l的上側(cè)把它與覆蓋 層2接合起來，該覆蓋層由光學(xué)透明的或部分透明的材料組成。覆蓋 層2承擔(dān)以下功能，即把由半導(dǎo)體芯片l發(fā)射的光分布到大的面上， 以致可以例如用于顯示器的背光。在半導(dǎo)體芯片l的表面3處的它的 輻射方向主要與它的發(fā)射光的上側(cè)或下側(cè)垂直，并且不在覆蓋層2的 縱向延伸方向上。根據(jù)本發(fā)明在半導(dǎo)體芯片的范圍中設(shè)置了光偏轉(zhuǎn)結(jié) 構(gòu)4，為了在覆蓋層中傳播通過該結(jié)構(gòu)偏轉(zhuǎn)光，其中，覆蓋層起導(dǎo)光 板或?qū)Ч獠淖饔谩?br> 光學(xué)清楚、透明的材料可以用作用于覆蓋層的材料，但是也可以 應(yīng)用例如帶有遮蔽物效用的半清楚、透明的材料，其中，遮蔽物效用 例如是通過材料中的異質(zhì)性(Inhomogenitaet)導(dǎo)致的。重要的是涉及了 透光(durchscheinend)的材料，該材料例如也可以包括發(fā)光物質(zhì)。覆蓋 層優(yōu)選地具有在30微米和300微米之間的厚度。
根據(jù)圖1的裝置設(shè)置用于把光主要向上輻射。因此在覆蓋層5的 下側(cè)上設(shè)了鏡面化6，以致阻止了光向下離開覆蓋層2。因此光僅僅 可以在上側(cè)5上射出。分別根據(jù)半導(dǎo)體芯片1的構(gòu)建設(shè)置了，這個半 導(dǎo)體芯片在它的下側(cè)同樣地具有反射光的層，以便防止向下的輻射。 取而代之，全部的光應(yīng)該耦合到覆蓋層2中并且在縱向延伸方向上偏 轉(zhuǎn)。
在圖2中描述了可以怎樣阻止光在覆蓋層2的上側(cè)主要在半導(dǎo)體芯片1的主輻射方向上是可見的。對此，在覆蓋層2的上側(cè)上、在半 導(dǎo)體芯片上方的范圍中設(shè)置了鏡面化7，該鏡面化把在那里出現(xiàn)的光 又向下反射并且因此產(chǎn)生以下可能性，即光繼續(xù)在覆蓋層2的縱向延 伸上偏轉(zhuǎn)。以這種方式阻止了在半導(dǎo)體芯片l的范圍中光斑在覆蓋層 的上側(cè)上是可見的。
在圖2的描述中半導(dǎo)體芯片配備了兩個接觸面8，以便供給半導(dǎo) 體芯片驅(qū)動電流。接觸面的布置示意性地可見，當(dāng)然該接觸部必須與 半導(dǎo)體芯片的對于供電相關(guān)的范圍接合,也就是說接觸面之一必須與 半導(dǎo)體芯片1的上層相接合。這個說明也適用于其他的接下來描述的 附圖。在半導(dǎo)體芯片和覆蓋層2之間的間隙可以用耦合介質(zhì)12填充， 以便產(chǎn)生半導(dǎo)體芯片l和覆蓋層2之間的接合。
在實(shí)施例中由圖2顯示的芯片具有兩個接觸面，這兩個接觸面都 設(shè)置在芯片l的下側(cè)上。其他的芯片是如此構(gòu)建的，即使得必須產(chǎn)生 在上側(cè)上的接觸和下側(cè)上的接觸。在這樣的芯片中優(yōu)選地利用耦合層 12，以便在那里設(shè)置光學(xué)透明但是可導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)用于接觸半 導(dǎo)體芯片1的上側(cè)。
在圖2中顯示的導(dǎo)光箔由一側(cè)的覆蓋層2和另一側(cè)的第二層10 組成，以致構(gòu)成了兩層箔。在覆蓋層2和位于其下方的、構(gòu)成覆蓋層 2的下面終端(Abschluss)的層10之間的界面，以及這個層10的下側(cè) 可以構(gòu)造或涂層，以^^在覆蓋層2中以所期望的方式影響光的光程。
在圖3中顯示的實(shí)施例中，在覆蓋層3中在半導(dǎo)體芯片1的上方 的范圍中形成了楝鏡9,該棱4t&于在通過棱鏡構(gòu)成的界面上折射率 的突變在覆蓋層2的縱向延伸方向上折射由半導(dǎo)體芯片1發(fā)射的光。 利用光束示范性地描述了作用方式。在覆蓋層2的材料具有相對高的 折射率時，在界面的另一側(cè)上必須有帶有盡可能小的折射率的材料。 當(dāng)制造棱鏡時制造的凹陷沒有用另外的材料填充，而是敞開時，也可 以簡單地是空氣。
在圖4中描述的實(shí)施例中在覆蓋層2中設(shè)置了擴(kuò)^L粒子11，該擴(kuò)^^立子引起了由半導(dǎo)體芯片l發(fā)射的光的散射。擴(kuò)散粒子例如由二氧
化鈦組成。這個二氧化鈥有大約2.8的高折射率，這使得在擴(kuò)散粒子 到覆蓋層2的材料的界面上出現(xiàn)全反射或至少是強(qiáng)折射，以致偏轉(zhuǎn)出 現(xiàn)的光。
在圖5的實(shí)施例中設(shè)置了兩層的覆蓋層2。下層是配備由正如由 圖3描述的棱鏡，而上層具有凹形的凹陷15,該凹陷相對于棱鏡的凹 陷。在上層中的凹陷起透鏡的作用并且可以用于附加地影響輻射特性。
在圖6A至圖6F中顯示了不同的光偏轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，正如它們可以在本 發(fā)明的框架下應(yīng)用，以便在覆蓋層的縱向延伸上偏轉(zhuǎn)由半導(dǎo)體芯片1 輻射的光。對于不同的實(shí)施例相同的是，半導(dǎo)體芯片1經(jīng)過耦合層12 與覆蓋層2接合。覆蓋層2的各個方案是不同的。
在圖6A中設(shè)置了作為覆蓋層2的透明的箔，例如玻璃箔，該玻 璃箔是在上側(cè)上光學(xué)構(gòu)造的。根據(jù)圖6B在下側(cè)上光學(xué)構(gòu)造了玻璃箔。 根據(jù)圖6C光學(xué)的構(gòu)造不僅設(shè)在下側(cè)上而且設(shè)在上側(cè)上。構(gòu)造是如此 設(shè)計(jì)的，即使得提高了芯片的退耦效率。在圖6D中顯示了實(shí)施例， 在該實(shí)施例中在上側(cè)上設(shè)置了示意性描述的由光子晶體制成的層。在 圖6E中顯示了裝置，在裝置中不僅在覆蓋層的內(nèi)部設(shè)置了光學(xué)構(gòu)造， 而且在上側(cè)設(shè)置了光子晶體。
圖6F中顯示了有利的實(shí)施，在該實(shí)施中附加地設(shè)置轉(zhuǎn)換層和電 氣層(elektrischen Schichten)(對于發(fā)明者這里能否請您補(bǔ)充一段)。
在根據(jù)圖7的方案中半導(dǎo)體芯片1的表面配備了粗糙結(jié)構(gòu)并且使 表面與覆蓋層2的構(gòu)造側(cè)接觸。通過不同的界面組合影響了在覆蓋箔 2中的光分布。規(guī)則或隨機(jī)構(gòu)造的表面是可能的。
在圖8中顯示了在薄膜技術(shù)中的雙側(cè)發(fā)射的無襯底的半導(dǎo)體芯 片，該半導(dǎo)體芯片是由兩個側(cè)覆蓋的。在這個方案中有利的是，沒有 形成襯底中的損失，而是可以利用朝兩側(cè)輻射的光。不僅向上輻射的 光而且向下輻射的光在鏡面化7處反射并且由此將光強(qiáng)制在覆蓋層2的縱向方向上，其構(gòu)成導(dǎo)光箔。
在圖9和圖10中顯示了，根據(jù)本發(fā)明的裝置也可以安裝有轉(zhuǎn)換 層，該轉(zhuǎn)換層把由半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的初級輻射的一部分轉(zhuǎn)換為次級輻 射，其中輻射了由初級輻射和次級輻射組成的混合光?？梢陨婕鞍坠猓?br> 該白光由藍(lán)色的初級輻射和黃色的次級輻射組成。其中，轉(zhuǎn)換層13 設(shè)置在半導(dǎo)體芯片l和覆蓋層2之間。作為轉(zhuǎn)換材料優(yōu)選地應(yīng)用無機(jī) 發(fā)光物質(zhì)。在根據(jù)圖10的方案中設(shè)置了兩個轉(zhuǎn)換層，以便使得更復(fù) 雜的顏色混合成為可能。第二轉(zhuǎn)換層也可以用于將初級輻射中的UV 部分轉(zhuǎn)換為可見光，以便這樣獲取更高的效率。
正如在圖11中所顯示的，可以在與撓性的導(dǎo)體路徑15的結(jié)合中 產(chǎn)生薄的平坦的可三維構(gòu)成的照明元件。這樣可以制造例如柱形的裝 置，該裝置在整個側(cè)面上輻射光。也可以制造背光，該背光跟隨彎曲 的表面。典型的應(yīng)用是在汽車探照燈或尾燈中的使用。但是在普遍的 照明中這樣的照明元件基于其三維的可變形性也是可以多方面應(yīng)用 的。
在實(shí)施例中描述的用于在覆蓋層的縱向延伸上偏轉(zhuǎn)由半導(dǎo)體芯 片產(chǎn)生的光的不同措施可以相互組合，以便這樣獲取最優(yōu)的效用方 式。即使沒有詳盡地描述本發(fā)明的其他的方案也包括在本發(fā)明中并且 處于本領(lǐng)域技術(shù)人員的認(rèn)識之中。
權(quán)利要求
1.一種帶有半導(dǎo)體芯片(1)和覆蓋層(2)的裝置，該半導(dǎo)體芯片設(shè)置用于在工作時發(fā)射光，該覆蓋層面對所述半導(dǎo)體芯片(1)的輻射光的表面，以致從所述半導(dǎo)體芯片(1)輻射的光穿入所述覆蓋層(2)中，該裝置的特征在于，-在所述覆蓋層(2)的與所述芯片重疊的范圍中設(shè)置了偏轉(zhuǎn)光的結(jié)構(gòu)(4，7，9，11，15，16)，通過該結(jié)構(gòu)在所述覆蓋層(2)的縱向延伸方向上偏轉(zhuǎn)穿入所述覆蓋層(2)中的光，以及-所述覆蓋層(2)起光導(dǎo)體的作用并設(shè)置用于分散地在所述覆蓋層(2)的上側(cè)(5)上輻射光。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，朝著所述覆蓋層(2) 的方向指示的方向是所述半導(dǎo)體芯片(l)的主輻射方向。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片(l) 具有兩個相對的主輻射方向。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯 片(l)是薄膜芯片，尤其是指無襯底的薄膜芯片。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述 半導(dǎo)體芯片(l)的厚度位于7[im和150Mni之間，優(yōu)選地在7pm和20 (im之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述覆蓋層(2)是 箔，優(yōu)選地由光學(xué)清楚透明的材料或半清楚透明的材料制成，或由透 光的材料制成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，在所述覆蓋層(2) 的背向所述半導(dǎo)體芯片(1)的上側(cè)上設(shè)置了鏡面化(7)，尤其是該鏡面化 基本上具有所述半導(dǎo)體芯片(l)的輻射光的表面的大小。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，在所述覆蓋層(2) 的朝著所述半導(dǎo)體芯片(l)的方向指示的側(cè)上在所述半導(dǎo)體芯片(l)的范圍之外設(shè)置鏡面化(6)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述覆蓋層(2)直 接與所述半導(dǎo)體芯片(l)的表面接觸。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，為了光偏轉(zhuǎn)而將 光學(xué)元件(7, 9, 11, 15, 16)集成到所述覆蓋層(2)中，尤其是指棱鏡、透 鏡或衍射光柵。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，為了光偏轉(zhuǎn)設(shè)置 由光子晶體制成的層(16)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置的厚度 位于30 jim和300 pm之間。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，在所述覆蓋層(2) 上設(shè)置了表面擴(kuò)散器。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，在所述覆蓋層(2) 中設(shè)置了體擴(kuò)散器(ll)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，在所述覆蓋層(2) 中設(shè)置了全息構(gòu)造。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，作為覆蓋層(2) 設(shè)置了多個箔的組合，該組合具有不同的構(gòu)造和/或不同的折射率。
17. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，在所述覆蓋層(2) 和所述半導(dǎo)體芯片(l)的表面之間設(shè)置了由耦合介質(zhì)制成的層(12)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，在所述半導(dǎo)體 芯片(l)的表面和所述覆蓋層(2)之間的所述層(12)包括用于電氣接觸 所述半導(dǎo)體芯片(2)的導(dǎo)電的光學(xué)結(jié)構(gòu)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，在所述覆蓋層(2) 中設(shè)置了轉(zhuǎn)換材料，該轉(zhuǎn)換材料由發(fā)光物質(zhì)組成，該發(fā)光物質(zhì)在由第 一波長的光的激勵之后發(fā)射第二波長的光。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，不僅設(shè)置了所述 覆蓋層的構(gòu)造，而且設(shè)置了由光子晶體制成的層(15)。
21. —種根據(jù)權(quán)利要求1至20中任一項(xiàng)所述的裝置作為用于顯 示器的背光的應(yīng)用。
全文摘要
本發(fā)明涉及帶有半導(dǎo)體芯片(1)和覆蓋層(2)的一種裝置，該半導(dǎo)體芯片設(shè)置用于在工作時發(fā)射光，該覆蓋層面對半導(dǎo)體芯片的輻射光的表面，以致從半導(dǎo)體芯片(1)中輻射的光穿入覆蓋層(2)中。根據(jù)本發(fā)明，該裝置的特征在于，在覆蓋層(2)的與芯片(1)重疊的范圍中設(shè)置了偏轉(zhuǎn)光的結(jié)構(gòu)，通過該結(jié)構(gòu)在覆蓋層(2)的縱向延伸方向上偏轉(zhuǎn)穿入覆蓋層(2)中的光，并且覆蓋層(2)起光導(dǎo)體的作用并設(shè)置用于分散地在覆蓋層(2)的上側(cè)上輻射光。
文檔編號G02B6/00GK101627326SQ200880006942
公開日2010年1月13日 申請日期2008年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月6日
發(fā)明者B·哈恩, J·索格, S·格魯伯, S·赫爾曼 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司