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隔墊物、液晶顯示面板和隔墊物的分布裝置及分布方法

文檔序號(hào):2811937閱讀:192來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:隔墊物、液晶顯示面板和隔墊物的分布裝置及分布方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種隔墊物、液晶顯示面板和隔墊物的分布裝置及分布方法,特別涉及一種包含磁性微粒的隔墊物、包含上述隔墊物的液晶顯示面板、可使上述隔墊物實(shí)現(xiàn)選擇性分布的隔墊物分布裝置和可實(shí)現(xiàn)選擇性分布的隔墊物的分布方法,屬于液晶顯示器制造領(lǐng)域。
背景技術(shù)
在液晶顯示裝置中,主要通過陣列(array)基板和彩膜(CF )基板之間的隔墊物來(lái)控制盒厚。為了得到良好的顯示品質(zhì),需要對(duì)盒厚進(jìn)行精確、均一的控制,也就要求隔墊物的粒徑準(zhǔn)確,在基板上的分布平均,并且隔墊物需要具有一定的硬度和彈性。
傳統(tǒng)的隔墊物散布方式分為濕式和干式兩種,如圖1所示,為現(xiàn)有濕法隔墊物分散裝置的結(jié)構(gòu)示意圖,該方法將隔墊物摻入某種易揮發(fā)的溶液中形成隔墊物分散液1,然后通過分散噴頭2噴灑在放置在支撐平臺(tái)7上的彩膜基板3上,待溶液揮發(fā)后隔墊物就分散在彩膜基板3上;如圖2所示,為現(xiàn)有干法隔墊物分散裝置的結(jié)構(gòu)示意圖,該方法采用噴氣方式將隔墊物從分散噴頭2噴出,然后靠隔墊物自身重量灑落在放置在支撐平臺(tái)7上的彩膜基板3上;但上述兩種散布方式,都不可避免地會(huì)使隔墊物進(jìn)入像素部分,從而會(huì)影響周圍液晶的取向,降低顯示質(zhì)量。另外,在受到擠壓等外力時(shí)隔墊物可能發(fā)生滑動(dòng),在像素區(qū)引起漏光。
為了解決上述問題,現(xiàn)有技術(shù)提出使用光致抗蝕劑并在其與黑矩陣對(duì)應(yīng)的部分選擇性地殘留光致抗蝕劑,利用殘存的光致抗蝕劑作為隔墊物。此外,專利申請(qǐng)200610005953. 2公開了一種先形成覆蓋基底的表面的疏液層,再降低對(duì)應(yīng)黑矩陣部分疏液層的疏液性,從而使用以分散隔墊物的分散液選擇性地向?qū)?yīng)黑矩陣部分集中,以達(dá)到使隔墊物分布于黑矩陣部分的目的。
發(fā)明人在實(shí)施上述技術(shù)方案的過程中發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)存在很多缺陷,例如現(xiàn)有技術(shù)會(huì)產(chǎn)生隔墊物分散于顯示區(qū)域,從而帶來(lái)漏光等問題;相關(guān)的可以實(shí)現(xiàn)其分布在黑矩陣對(duì)應(yīng)處的工藝復(fù)雜,需要用多種化學(xué)溶液和多步工藝;釆用殘存光致抗蝕劑的方法也會(huì)帶來(lái)其他不必要的殘留物等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種隔墊物、液晶顯示面板和隔墊物的分布裝置及分布方法,以實(shí)現(xiàn)選擇性地分布隔墊物,從而可以避免漏光等問題。
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種隔墊物,該隔墊物包括殼體和磁性微粒,所述磁性微粒包覆在所述殼體內(nèi)。
本發(fā)明提供了一種隔墊物,由于其內(nèi)部包含磁性微粒,可以在磁體陣列的吸引下移動(dòng)至磁體陣列所在的位置,從而使隔墊物可以選擇性地分布在需要設(shè)置隔墊物的區(qū)域,比如分布在非顯示區(qū)域,避免了隔墊物分布在顯示區(qū)域時(shí)可能產(chǎn)生的漏光等不良。
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種液晶顯示面板,該液晶顯示面板包括對(duì)盒的彩膜基板和陣列基板,所述彩膜基板和陣列基板之間設(shè)置有隔墊物,其中所述隔墊物包括殼體和磁性微粒,所述磁性微粒包覆在所述殼體內(nèi)。
本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板,通過在對(duì)盒的彩膜基板和陣列基板之間設(shè)置具有磁性的隔墊物,使隔墊物在分散中可在磁力作用下發(fā)生位置移動(dòng),從而可以將隔墊物選擇性地分布在需要設(shè)置隔墊物的區(qū)域,實(shí)現(xiàn)隔墊物設(shè)置的精確定位,比如可以很容易控制隔墊物設(shè)置在非顯示區(qū)域,從而避免隔墊物分布在顯示區(qū)域時(shí)可能產(chǎn)生的漏光等不良。
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種隔墊物的分布裝置,該分布裝置包括磁體陣列,所述磁體陣列用于產(chǎn)生吸引鄰近隔墊物的吸力,使所述隔墊物在所述吸
力的作用下移動(dòng)到磁體陣列所在的位置;其中,所述隔墊物包括殼體和磁性
微粒,所述^f茲性微粒包覆在所述殼體內(nèi)。
本發(fā)明提供了一種隔墊物的分布裝置,通過磁體陣列產(chǎn)生對(duì)具有磁性的
隔墊物的吸引來(lái)完成隔墊物的選擇性分布,從而避免了其分布在顯示區(qū)域時(shí)
可能產(chǎn)生的漏光等不良。
本發(fā)明實(shí)施例提供了 一種隔墊物的分布方法,該方法包括
步驟ll、在基板的一側(cè)設(shè)置所述磁體陣列,所述磁體陣列包括數(shù)個(gè)以陣
列方式排列的電磁體塊;使電磁體塊正好位于需要設(shè)置隔墊物位置的^^反下方;步驟12、將》茲性隔墊物噴灑到基板上,并將所述》茲體陣列通電,使所
述磁體陣列中的每個(gè)電^茲體塊產(chǎn)生吸引鄰近^茲性隔墊物的吸力;
步驟13、所述^f茲性隔墊物在所述吸力下移動(dòng),并選擇性分布在所述》茲
體陣列所在位置上方的基板上。
本發(fā)明提供了一種隔墊物的分布方法,使隔墊物在分散過程中,通過磁
體陣列對(duì)具有磁性的隔墊物的吸引來(lái)完成隔墊物的選擇性分布,從而避免了
其分布在不適當(dāng)?shù)奈恢茫热绶植荚陲@示區(qū)域時(shí)可能產(chǎn)生的漏光等不良;另
外,相對(duì)于其他相關(guān)技術(shù),該分布方法工藝過程簡(jiǎn)單。
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種隔墊物的分布方法,該方法包括
步驟21、在基板的上方設(shè)置遮擋板;在基板的下方設(shè)置磁體陣列,其中
遮擋板上形成有一系列開口 ,所述開口對(duì)應(yīng)基板上的區(qū)域至少包括需要設(shè)置
隔墊物的區(qū)域;所述磁鐵陣列的電磁體塊正好位于需要設(shè)置隔墊物位置的基
板下方;
步驟22、將磁性隔墊物噴灑出后,部分隔墊物通過遮擋板上的開口落到基板上需要設(shè)置隔墊物的鄰近位置,然后將所述磁體陣列通電,使所述磁體陣列中的每個(gè)電》茲體塊產(chǎn)生吸? I鄰近/f茲性隔墊物的吸力;
步驟23、所述隔墊物在所述吸力下移動(dòng),并選擇性分布在所述i茲體陣列所在位置上方的基板上。
本發(fā)明提供了一種隔墊物的分布方法,使隔墊物在分散過程中,首先利 用遮擋板對(duì)隔墊物的分布過程進(jìn)行優(yōu)化,然后通過使磁體陣列產(chǎn)生對(duì)具有磁 性的隔墊物的吸引來(lái)最終完成隔墊物的選擇性分布,從而避免了其分布在顯
示區(qū)域時(shí)可能產(chǎn)生的漏光等不良;另外,相對(duì)于其他相關(guān)技術(shù),該分布方法 工藝過程簡(jiǎn)單。
下面通過具體實(shí)施例并結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為現(xiàn)有濕法隔墊物分散裝置的結(jié)構(gòu)示意圖2為現(xiàn)有干法隔墊物分散裝置的結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明隔墊物實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖4為本發(fā)明隔墊物的分布裝置實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖5為本發(fā)明;茲體陣列實(shí)施例的俯視圖6為本發(fā)明隔墊物的分布裝置實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖7為本發(fā)明隔墊物分布裝置中遮擋板實(shí)施例的俯;f見圖8為本發(fā)明液晶顯示面板實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖9為本發(fā)明隔墊物的分布方法實(shí)施例一的流7艮圖10為本發(fā)明隔墊物的分布方法實(shí)施例二的流程圖。
具體實(shí)施例方式
如圖3所示,為本發(fā)明隔墊物實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖,該隔墊物4包括殼 體41和-茲性微粒42,上述石茲性^鼓粒42包覆在上述殼體41內(nèi);上述殼體的 材料可以為玻璃或樹脂等,上述磁性微粒的材料為軟^磁性材料。實(shí)際使用中, 磁性微粒42可以與殼體41同心設(shè)置,也可以偏心設(shè)置,使磁性隔墊物4具 有較好的移動(dòng)性。上述殼體的形狀可以為球體、橢球體或多面體等形狀,即磁性隔墊物的形狀可以為球體、橢球體或多面體等形狀;上述球體的直徑為 l(jjn-30(jm,優(yōu)選直徑為25um。
下面通過本發(fā)明隔墊物的分散過程進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。如圖 4所示,為本發(fā)明隔墊物的分布裝置實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖,該裝置是在現(xiàn) 有干法隔墊物M裝置的基礎(chǔ)上,增加了一個(gè)磁體陣列6,該磁體陣列6位 于支撐平臺(tái)7的下方,其俯視圖如圖5所示,上述具有磁性的隔墊物在上述 i茲體陣列6的吸力下可以移動(dòng)到f茲體陣列所在的位置,因而可以克服現(xiàn)有技 術(shù)中隔墊物在分散的過程中無(wú)法控制分布區(qū)域,很容易進(jìn)入像素部分,因而 影響周圍液晶的取向的缺陷。
如圖6所示,為本發(fā)明隔墊物的分布裝置實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。與隔 墊物的分布裝置實(shí)施例一相比,本實(shí)施例的分布裝置為了使隔墊物在分散過 程中能更好地移動(dòng)到》茲體陣列所在的位置,通過在基板的上方增加 一個(gè)遮擋 板8,該遮擋板8上有開口81,其俯視圖如圖7所示。當(dāng)然開口形狀也可設(shè) 置為開口圖形與黑矩陣圖形相似的區(qū)域;或者遮擋板開口對(duì)應(yīng)基板上的區(qū)域 至少包括,茲體陣列所在的位置上方的區(qū)域。上述開口 81的大小可略大于上述 具有磁性的隔墊物4,當(dāng)具有磁性的隔墊物從分散噴頭2噴出后,進(jìn)一步通 過遮擋板8上的開口向目標(biāo)區(qū)域靠近,在陣列基板下方的》茲鐵陣列6的吸力 作用下最終準(zhǔn)確地分布在基板上需要設(shè)置隔墊物位置。
另外,上述磁體陣列可以包括數(shù)個(gè)以陣列方式排列的電磁體塊或永磁體 塊,所述電^茲體塊或永磁體塊的高度為l~10mm;上述石茲體陣列優(yōu)選位于彩 膜基板黑矩陣所對(duì)應(yīng)的區(qū)域或與彩膜基板黑矩陣相對(duì)應(yīng)的陣列基板的下方。
上述隔墊物,由于其內(nèi)部包含磁性微粒,可以在石茲體陣列的吸引下移動(dòng) 至磁體陣列所在的位置,從而使隔墊物可以選擇性地分布在需要設(shè)置隔墊物 的區(qū)域,比如分布在非顯示區(qū)域,避免了隔墊物分布在顯示區(qū)域時(shí)可能產(chǎn)生 的漏光等不良。
如圖8所示,為本發(fā)明液晶顯示面板實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖,該液晶顯示面板包括對(duì)盒的彩膜基板3和陣列基板5,上述彩膜基板3和陣列基板5之 間設(shè)置有隔墊物4,上述隔墊物4包括殼體41和磁性微粒42,所述磁性微粒 42包覆在所述殼體41內(nèi)。
其中,隔墊物的相關(guān)參數(shù)同本發(fā)明隔墊物實(shí)施例的設(shè)置相同,在此不贅 述;隔墊物的分散過程可以包括以下兩種情況1、在基板的一側(cè)設(shè)置》茲體陣 列,上述磁體陣列包括數(shù)個(gè)以陣列方式排列的電磁體塊或永磁體塊;當(dāng)隔墊 物從分散噴頭噴出后,由于磁體陣列中的每個(gè)電磁體塊或永磁體塊產(chǎn)生吸引 使磁性隔墊物在上述吸力作用下選擇性分布在上述》茲體陣列所在的位置上方 的基板上;2、在基板的一側(cè)設(shè)置磁體陣列,上述磁體陣列包括數(shù)個(gè)以陣列方 式排列的電磁體塊或永磁體塊;在基板的另一側(cè)設(shè)置遮擋板,其中遮擋板的 空隙對(duì)應(yīng)基板上的位置至少包括磁鐵陣列上方的基板。通過使用遮擋板,當(dāng) 隔墊物從分散噴頭噴出后,部分隔墊物首先從遮擋板的開口中穿過,然后再 借助磁體陣列中的每個(gè)電磁體塊或永磁體塊產(chǎn)生吸引選擇性分布在上述磁體 陣列所在的位置上方的基板上。
其中,上述石茲體塊優(yōu)選位于與彩膜基板黑矩陣所對(duì)應(yīng)的區(qū)域或與彩膜基 板黑矩陣相對(duì)應(yīng)的陣列基板的下方。上述磁體塊的高度為l~10mm,間距為 25~ 200um,優(yōu)選間距為100~150um;當(dāng)然上述石茲體塊的排列方式、間距等 可以根據(jù)需要進(jìn)行相應(yīng)的設(shè)置。
上述液晶顯示面板,通過在對(duì)盒的彩膜基板和陣列基板之間設(shè)置具有磁 性的隔墊物,使隔墊物在分散中可在磁力作用下發(fā)生位置移動(dòng),從而可以將 隔墊物選擇性地分布在需要設(shè)置隔墊物的區(qū)域,實(shí)現(xiàn)隔墊物設(shè)置的精確定位。 比如可以很容易控制隔墊物設(shè)置在非顯示區(qū)域,從而避免隔墊物分布在顯示 區(qū)域時(shí)可能產(chǎn)生的漏光等不良。
如圖9所示,為本發(fā)明隔墊物的分布方法實(shí)施例一的流程圖,該方法包括
步驟ll、在基板的一側(cè)設(shè)置磁體陣列,上述磁體陣列包括數(shù)個(gè)以陣列方 式排列的電磁體塊;使電磁體塊正好位于需要設(shè)置隔墊物位置的基板下方;步驟12、隔墊物分歉噴頭將磁性隔墊物噴灑到基板上,然后將上述磁體 陣列通電,使上述磁體陣列中的每個(gè)電磁體塊產(chǎn)生吸引鄰近磁性隔墊物的吸力;
步驟13、上述磁性隔墊物在上述吸力下移動(dòng),并選擇性分布在上述磁體 陣列所在位置上方的基板上。
或者,步驟12、將上述磁體陣列通電,然后隔墊物分散噴頭將隔墊物噴 灑出來(lái),使上述磁體陣列中的每個(gè)電磁體塊產(chǎn)生吸引鄰近^f茲性隔墊物的吸力;
步驟13、上述磁性隔墊物在上述吸力和自身重力的共同作用下移動(dòng),并 選擇性分布在上述磁體陣列所在位置上方的基板上。
上述磁性隔墊物包括殼體和磁性微粒,上述磁性微粒包覆在殼體內(nèi);殼 體的材料可以為玻璃或樹脂等,磁性微粒的材料為軟磁性材料;在實(shí)際使用 中,磁性微粒42與殼體41可以同心設(shè)置,也可以偏心設(shè)置,使磁性隔墊物 4具有較好的移動(dòng)性;上述磁性隔墊物的形狀為球體、橢球體或多面體等形 狀;上述球體的直徑為lnm-30nm,優(yōu)選直徑為25um。上述電磁體塊高度為1 ~ 10mm,上述電石茲體塊間距為25~ 200um,優(yōu)選間距為100~150um。上述基板 可以是彩膜基板,也可以是陣列基板。
另外,上述電磁鐵塊也可以用永磁體塊替代。其他操作與本實(shí)施例中先 讓磁體陣列通電,再噴灑隔墊物的操作類似,在此不贅述。
上述隔墊物的分布方法,使隔墊物在分散過程中,通過磁體陣列對(duì)具有 磁性的隔墊物的吸引來(lái)完成隔墊物的選擇性分布,從而避免了其分布在不適 當(dāng)?shù)奈恢?,比如分布在顯示區(qū)域時(shí)可能產(chǎn)生的漏光等不良;另外,相對(duì)于其 他相關(guān)技術(shù),該分布方法工藝過程簡(jiǎn)單。
如圖10所示,為本發(fā)明隔墊物的分布方法實(shí)施例二的流程圖,該方法
包括
步驟21、在基板的上方設(shè)置遮擋板;在基板的下方設(shè)置磁體陣列,其中 遮擋板上形成有一系列開口 ,上述開口對(duì)應(yīng)基板上的區(qū)域至少包括需要設(shè)置 隔墊物的區(qū)域;上述磁鐵陣列的電磁體塊正好位于需要設(shè)置隔墊物位置的基
10步驟22、隔墊物分狀噴頭將磁性隔墊物噴灑出后,部分隔墊物通過遮擋 板上的開口落到基板上需要設(shè)置隔墊物的鄰近位置,然后將上述磁體陣列通 電,使上述磁體陣列中的每個(gè)電磁體塊產(chǎn)生吸引鄰近^ 茲性隔墊物的吸力;
步驟23、上述,茲性隔墊物在上述吸力下移動(dòng),并選擇性分布在上述i茲體 陣列所在位置上方的基板上。
或者,步驟22、將上述磁體陣列通電,然后隔墊物分散噴頭將隔墊物噴 灑出來(lái),部分隔墊物通過遮擋板上的開口后,進(jìn)一步受到使上述磁體陣列中 的每個(gè)電磁體塊產(chǎn)生吸31鄰近磁性隔墊物的吸力;
步驟23、上述磁性隔墊物在上述吸力和自身重力共同作用下移動(dòng),并選 擇性分布在上述磁體陣列所在位置上方的基板上。
上述磁性隔墊物首先在遮擋板的作用下在目標(biāo)區(qū)域附近實(shí)現(xiàn)了 一定程 度的選擇性分布,然后再進(jìn)一步借助磁體陣列中電磁體塊的吸力分布在目標(biāo) 區(qū)域,實(shí)現(xiàn)更精確地設(shè)置。該磁性隔墊物包括殼體和磁性微粒,上述磁性微 粒包覆在殼體內(nèi);殼體的材料可以為玻璃或樹脂等,磁性微粒的材料為軟磁 性材料;在實(shí)際使用中,磁性微粒42與殼體41可以同心設(shè)置,也可以偏心 設(shè)置,使》茲性隔墊物4具有較好的移動(dòng)性;上述^f茲性隔墊物的形狀為球體、 橢球體或多面體;上述球體的直徑為l|im-30薩,優(yōu)選直徑為25咖。上述電磁 體塊高度為l~10mm,上述電》茲體塊間距為25~ 200um,優(yōu)選間距為100 ~ 150um。上述基板可以是彩膜基板,也可以是陣列基板。
另外,上述電磁鐵塊也可以用永磁體塊替代;其他操作與本實(shí)施例中先 讓磁體陣列通電,再噴灑隔墊物的操作類似,在此不贅述。
最后所應(yīng)說明的是,以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制, 盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 理解,可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換,而不脫離本發(fā)明技 術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種隔墊物,其特征在于包括殼體和磁性微粒,所述磁性微粒包覆在所述殼體內(nèi)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的隔墊物,其特征在于所述殼體的材料為玻璃或 樹脂,所述磁性微粒的材料為軟磁性材料。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的隔墊物,其特征在于所述殼體的形狀為球 體、橢J求體或多面體,所述5求體的直徑為l^im-30^m。
4、 一種應(yīng)用權(quán)利要求l-3所述隔墊物的液晶顯示面板,包括對(duì)盒的彩膜 基板和陣列基板,所述彩膜基板和陣列基板之間設(shè)置有隔墊物,其特征在于, 所述隔墊物包括殼體和磁性微粒,所述磁性微粒包覆在所述殼體內(nèi)。
5、 一種隔墊物的分布裝置,其特征在于包括》茲體陣列,所述^f茲體陣列用 于產(chǎn)生吸引鄰近隔墊物的吸力,使所述隔墊物在所述吸力的作用下移動(dòng)到石茲 體陣列所在的位置;其中,所述隔墊物包括殼體和磁性微粒,所述磁性微粒 包覆在所述殼體內(nèi)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的隔墊物的分布裝置,其特征在于所述磁體陣列 位于與彩膜基板黑矩陣所對(duì)應(yīng)的區(qū)域或與彩膜基板黑矩陣相對(duì)應(yīng)的陣列基板 的下方。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的隔墊物的分布裝置,其特征在于所述磁體 陣列包括數(shù)個(gè)以陣列方式排列的電磁體塊或永磁體塊,所述電磁體塊或永磁 體塊的高度為1 ~ 10mm。
8、 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的隔墊物的分布裝置,其特征在于還包括遮 擋板,所述遮擋板上有開口,所述隔墊物通過所述開口后,在磁體陣列吸力 的作用下移動(dòng)到^f茲體陣列所在的位置。
9、 一種應(yīng)用權(quán)利要求5-8所述的隔墊物的分布裝置的隔墊物的分布方法, 其特征在于包括步驟11、在基板的一側(cè)設(shè)置所述磁體陣列,所述磁體陣列包括數(shù)個(gè)以陣列方式排列的電磁體塊;使電磁體塊正好位于需要設(shè)置隔墊物位置的基板下 方;步驟12、將石茲性隔墊物噴灑到基板上,并將所述》茲體陣列通電,使所述 磁體陣列中的每個(gè)電磁體塊產(chǎn)生吸引鄰近磁性隔墊物的吸力;步驟13、所述i茲性隔墊物在所述吸力下移動(dòng),并選擇性分布在所述》茲體 陣列所在位置上方的基板上。
10、 一種應(yīng)用權(quán)利要求5-8所述的隔墊物的分布裝置的隔墊物的分布方 法,其特征在于包括步驟21、在基板的上方設(shè)置遮擋板;在基板的下方設(shè)置磁體陣列,其中 遮擋板上形成有一系列開口 ,所述開口對(duì)應(yīng)基板上的區(qū)域至少包括需要設(shè)置 隔墊物的區(qū)域;所述磁鐵陣列的電磁體塊正好位于需要設(shè)置隔墊物位置的基 板下方;步驟22、將^f茲性隔墊物噴灑出后,部分隔墊物通過遮擋板上的開口落到 基板上需要設(shè)置隔墊物的鄰近位置,然后將所述磁體陣列通電,使所述磁體 陣列中的每個(gè)電f茲體塊產(chǎn)生吸引鄰近磁性隔墊物的吸力;步驟23、所述隔墊物在所述吸力下移動(dòng),并選擇性分布在所述f茲體陣列 所在位置上方的14l上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種隔墊物、液晶顯示面板和隔墊物的分布裝置及分布方法。其中,上述隔墊物包括殼體和磁性微粒,所述磁性微粒包覆在所述殼體內(nèi)。液晶顯示面板包括對(duì)盒的彩膜基板和陣列基板,所述彩膜基板和陣列基板之間設(shè)置有上述隔墊物。本發(fā)明液晶顯示面板通過設(shè)置具有磁性的隔墊物,可在磁力作用下發(fā)生位置移動(dòng),從而可以將隔墊物選擇性地分布在非顯示區(qū)域,避免了其分布在顯示區(qū)域時(shí)可能產(chǎn)生的不良。本發(fā)明隔墊物的分布方法通過使用隔墊物的分布裝置使磁體陣列產(chǎn)生對(duì)具有磁性的隔墊物的吸引來(lái)完成隔墊物的選擇性分布,從而避免了其分布在顯示區(qū)域時(shí)可能產(chǎn)生的不良。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101676775SQ20081022237
公開日2010年3月24日 申請(qǐng)日期2008年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月17日
發(fā)明者寧 孫 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司
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