專利名稱：電光裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如液晶裝置等的電光裝置、及具備該電光裝置的例如液 晶投影機等的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
這種電光裝置，在基板上的像素區(qū)域，形成連接于多條掃描線及數(shù)據(jù) 線的多個像素部，并且在位于像素區(qū)域的周邊的周邊區(qū)域，設(shè)有用于對數(shù) 據(jù)線進(jìn)行驅(qū)動的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路、用于對掃描線進(jìn)行驅(qū)動的掃描線驅(qū)動電 路、以及用于對圖像信號進(jìn)行采樣的采樣電路等的外部電路。
在此，數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，具有依次輸出傳輸信號的移位寄存器，基于 該傳輸信號生成采樣電路驅(qū)動信號。并且，采樣電路，以從數(shù)據(jù)線驅(qū)動電 路所供給的采樣電路驅(qū)動信號的定時，對供給于圖像信號線上的圖像信號 進(jìn)行采樣并供給于數(shù)據(jù)線。
例如在專利文獻(xiàn)1中，公開了通過使構(gòu)成外部電路的晶體管為LDD (Lightly Doped Drain,輕摻雜漏)結(jié)構(gòu)，使該晶體管的源、漏間耐壓提 高的技術(shù)。
專利文獻(xiàn)1特開平6-102531號/〉才艮
可是，隨著工作頻率增高，移位積存器的壽命降低，存在該電光裝置 的裝置壽命有可能降低的技術(shù)性問題。另一方面，在這種電光裝置中，為 了提高數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路及采樣電路的驅(qū)動能力， 一般要求提高構(gòu)成它們的 晶體管的導(dǎo)通電流。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于例如上述的問題所作出的，其目的在于提供可以延長裝 置壽命并進(jìn)行高質(zhì)量的圖像顯示的電光裝置及具備該電光裝置的電子設(shè) 備。
本發(fā)明所涉及的第1電光裝置為了解決上述問題，在基板上，具備 互相交叉的多條數(shù)據(jù)線及多條掃描線；設(shè)置于對應(yīng)于所述交叉處的每個像 素的多個像素部；和圖像信號供給電路，包括(i)移位寄存器和(2)其 他電路，其中，移位寄存器具備分別包括具有第1源、漏區(qū)域的第l半導(dǎo) 體層的多個第1晶體管并依次輸出傳輸信號，其他電路具備分別包括具有 第2源、漏區(qū)域的第2半導(dǎo)體層的多個第2晶體管并基于所述依次輸出的 傳輸信號、通過所述數(shù)據(jù)線對所述像素部供給圖像信號，在所述第2源、 漏區(qū)域，含有與所述第l源、漏區(qū)域以預(yù)定濃度所含有的雜質(zhì)同一種類的
雜質(zhì)，其濃度高于所述預(yù)定濃度。
若依照于本發(fā)明中的第1電光裝置，當(dāng)其動作時，通過移位寄存器，
基于預(yù)定周期的時鐘信號從各級依次輸出傳輸信號。接下來，通過構(gòu)成其 他電路的一部分的例如使能電路，對于移位寄存器的各級，取使能信號、 與傳輸信號的邏輯與，將該邏輯與作為采樣電路驅(qū)動信號供給于構(gòu)成其他 電路的另外一部分的采樣電路。此時，通過將使能信號的脈沖寬度設(shè)定得 比時鐘信號的脈沖寬度窄，相鄰供給的采樣電路驅(qū)動信號，相互不會重疊 即可。接下來，在采樣電路中，根據(jù)采樣電路驅(qū)動信號采樣從外部供給的 圖像信號，并向數(shù)據(jù)線供給。接下來，根據(jù)從數(shù)據(jù)線供給的圖像信號光在 各像素部對光進(jìn)行調(diào)制，進(jìn)行設(shè)置有像素部的顯示區(qū)域中的圖像顯示。
在本發(fā)明中，構(gòu)成圖像信號供給電路的一部分的移位寄存器，具備多 個第1晶體管，該第1晶體管分別包括具有第1源、漏區(qū)域的第1半導(dǎo)體 層。另一方面，構(gòu)成圖像信號供給電路的另一部分的其他電路，具備多個 第2晶體管，該第2晶體管分別包括具有第2源、漏區(qū)域的第2半導(dǎo)體層。 還有，第1及第2晶體管，既可以作為自匹配型或自對準(zhǔn)型的晶體管而構(gòu) 成，也可以作為具有LDD結(jié)構(gòu)的晶體管而構(gòu)成。
在本發(fā)明中尤其是，在笫2晶體管中的第2源、漏區(qū)域，含有與第1
晶體管中的第l源、漏區(qū)域以預(yù)定濃度含有的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì)，其濃
度高于預(yù)定濃度。即，其他電路所具備的第2晶體管的第2源、漏區(qū)域的 雜質(zhì)濃度，比移位寄存器所具備的第1晶體管的第1源、漏區(qū)域的雜質(zhì)濃 度高。若換言之，移位寄存器所具備的第1晶體管的第1源、漏區(qū)域的雜 質(zhì)濃度，比其他電路所具備的第2晶體管的笫2源、漏區(qū)域的雜質(zhì)濃度低。
因而，能夠降低移位寄存器所具備的第1晶體管中的導(dǎo)通電流，并能 夠提高其他電路所具備的第2晶體管中的導(dǎo)通電流。從而，能夠降低移位 寄存器所具備的第1晶體管中的消耗電流，并能夠提高其他電路所具備的 第2晶體管的晶體管功能。因此，能夠謀求晶體管的長壽命化，并能夠提 高其他電路的驅(qū)動能力。
該結(jié)果，若依照于本發(fā)明所涉及的第1電光裝置，則能夠"i:某求該電光 裝置的長壽命化并且進(jìn)行高質(zhì)量的圖像顯示。
在本發(fā)明所涉及的第1電光裝置的一個實施方式中，所述其他電路， 包括使能電路，使用多個序列的使能信號對所述依次輸出的傳輸信號進(jìn) 行整形而作為整形信號進(jìn)行輸出；和采樣電路，根據(jù)所述整形信號或基于 所述整形信號的信號對所述圖像信號進(jìn)行采樣，供給于所述數(shù)據(jù)線。
若依照于該方式，使能電路及采樣電路，具備多個第2晶體管。因而， 能夠提高使能電路及采樣電路的驅(qū)動能力。
本發(fā)明所涉及的第2電光裝置為了解決上述問題，在基板上，具備 互相交叉的多條數(shù)據(jù)線及多條掃描線；設(shè)置于對應(yīng)于所述交叉處的每個像 素的多個像素部；和圖像信號供給電路，包括(i)移位寄存器和(ii)其 他電路，其中，移位寄存器具備分別包括具有笫1溝道區(qū)域、第1源、漏 區(qū)域、以及形成于所述第1溝道區(qū)域及所述第1源、漏區(qū)域間的第1 LDD 區(qū)域的第1半導(dǎo)體層的多個第1晶體管并依次輸出傳輸信號，其他電路具 備分別包括具有第2溝道區(qū)域、第2源、漏區(qū)域、以及形成于所述第2溝 道區(qū)域及所述第2源、漏區(qū)域間的第2LDD區(qū)域的第2半導(dǎo)體層的多個第 2晶體管并基于所述依次輸出的傳輸信號、通過所述數(shù)據(jù)線在對前述像素 部供給圖像信號，在所述第2 LDD區(qū)域，含有與所述第1 LDD區(qū)域以預(yù) 定濃度所含的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì)，其濃度高于所述預(yù)定濃度。
若依照于本發(fā)明所涉及的第2電光裝置，基本與上述的本發(fā)明中的第 1電光裝置同樣地，可進(jìn)行設(shè)置有像素部的顯示區(qū)域中的圖像顯示。
在本發(fā)明中，構(gòu)成圖像信號供給電路的一部分的移位寄存器，具備多 個第1晶體管，該第1晶體管分別包括具有第1 LDD區(qū)域的第1半導(dǎo)體層。 另一方面，構(gòu)成圖像信號供給電路的另一部分的其他電路，具備多個第2 晶體管，該第2晶體管分別包括具有第2LDD區(qū)域的第2半導(dǎo)體層。即， 第1及第2晶體管，作為具有LDD結(jié)構(gòu)的晶體管而構(gòu)成。在此，本發(fā)明 中的所謂"LDD區(qū)域"，是指通過例如離子滲入法等的雜質(zhì)注入或者雜質(zhì) 摻雜而對半導(dǎo)體層注入比源、漏區(qū)域少量的雜質(zhì)的區(qū)域。
在本發(fā)明中，尤其是，在第2晶體管中的第2LDD區(qū)域，含有與第l 晶體管中的第1 LDD區(qū)域以預(yù)定濃度所含有的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì)，其濃 度高于預(yù)定濃度。即，其他電路所具備的第2晶體管的第2LDD區(qū)域的雜 質(zhì)濃度，比移位寄存器所具備的第1晶體管的第1 LDD區(qū)域的雜質(zhì)濃度高。 若換言之，則移位寄存器所具備的第1晶體管的第1 LDD區(qū)域的雜質(zhì)濃度， 比其他電路所具備的第2晶體管的第2LDD區(qū)域的雜質(zhì)濃度低。
因而，能夠降低移位寄存器所具備的第1晶體管中的導(dǎo)通電流，并能 夠提高其他電路所具備的第2晶體管中的導(dǎo)通電流。從而，能夠降低移位 寄存器所具備的第1晶體管中的消耗電流，并能夠提高其他電路所具備的 第2晶體管的晶體管功能。因此，能夠謀求晶體管的長壽命化，并能夠提 高其他電路的驅(qū)動能力。其結(jié)果，若依照于本發(fā)明中的第2電光裝置，則 可以謀求該電光裝置的長壽命化并且進(jìn)行高質(zhì)量的圖像顯示。
本發(fā)明的電子設(shè)備為了解決上述問題，具備上述的本發(fā)明所涉及的第 1或第2電光裝置(但是，也包括其各種方式)。
若依照于本發(fā)明的電子設(shè)備，因為具備上述的本發(fā)明的笫1或第2電 光裝置，所以能夠?qū)崿F(xiàn)可以進(jìn)行高質(zhì)量的圖像顯示的投影型顯示裝置、電 視機、便攜電話機、電子筆記本、文字處理機、取景器型或監(jiān)視器直視型 的磁帶錄像機、工作站、可視電話機、POS終端、觸摸面板等的各種電子 設(shè)備。并且,作為本發(fā)明的電子設(shè)備，也可以實現(xiàn)例如電子紙等的電泳裝 置，電子發(fā)射裝置(Field Emission Display及Conduction Electron-Emitter
Display,場致電子發(fā)射顯示器及傳導(dǎo)電子發(fā)射顯示器)，采用了這些電泳 裝置、電子發(fā)射裝置的顯示裝置。
本發(fā)明的作用及其他優(yōu)點可以由接下來進(jìn)行說明的用于實施的最佳方 式加以明確。


圖l是表示第1實施方式所涉及的液晶裝置的整體構(gòu)造的俯視圖。
圖2是圖i的n-n，線剖面圖。
圖3是表示第1實施方式所涉及的液晶裝置的電構(gòu)造的框圖。 圖4是表示移位寄存器的構(gòu)造的電路圖。
圖5是表示移位寄存器所含的時鐘控制倒相器的構(gòu)造的電路圖。 圖6是表示數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路所含的邏輯電路的構(gòu)造的電路圖。
圖7是表示構(gòu)成移位寄存器所含的N溝道型TFT與采樣開關(guān)的TFT 的具體性構(gòu)造的剖面圖。
圖8是表示作為應(yīng)用了電光裝置的電子設(shè)備的一例的投影機的構(gòu)造的 俯視圖。
符號說明
6a…數(shù)據(jù)線，7…采樣電路，7a…采樣開關(guān)，10…TFT陣列M， 10a… 圖像顯示區(qū)域，11a…掃描線，20…對向141， 50…液晶層，51…移位寄存 器，71…采樣開關(guān)用TFT， 52…邏輯電路，101…數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，102… 外部電路連接端子，104…掃描線驅(qū)動電路，511n…移位寄存器晶體管， 540…使能電路，700…像素部
具體實施例方式
以下，關(guān)于本發(fā)明的實施方式參照附圖進(jìn)行^沈明。在以下的實施方式 中，以作為本發(fā)明的電光裝置之一例的驅(qū)動電路內(nèi)置型的TFT有源矩陣驅(qū) 動方式的液晶裝置為例。
第1實施方式
關(guān)于第1實施方式所涉及的液晶裝置，參照圖1~圖7進(jìn)行說明。
首先，關(guān)于本實施方式中的液晶裝置的整體構(gòu)造，^^照圖1及圖2進(jìn) 行說明。在此，圖l是表示本實施方式中的液晶裝置的整體構(gòu)造的俯視圖，
圖2是圖i的n-n，線剖面圖。
在圖l及圖2中，在本實施方式所涉及的液晶裝置中，相對配置有TFT 陣列J4！ 10與對向基tl 20。在TFT陣列基tl 10與對向141 20之間封入 液晶層50,將TFT陣列I4110與對向皿20，通過設(shè)置于位于圖像顯示 區(qū)域10a的周圍的密封區(qū)域的密封件54相互粘接。
在圖1中，與配置有密封件54的密封區(qū)域的內(nèi)側(cè)并行，在對向M 20側(cè)設(shè)置有對圖像顯示區(qū)域10a的框緣區(qū)域進(jìn)行限定的遮光性的框緣遮光 膜53。在位于配置有密封件54的密封區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域，沿TFT陣列基 板10的一邊設(shè)置有與后述的采樣電路7 —起構(gòu)成本發(fā)明所涉及的"圖像信 號供給電路"的一例的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101及外部電路連接端子102。在 比沿該一邊的密封區(qū)域靠內(nèi)側(cè)的區(qū)域，設(shè)有采樣電路7，其由框緣遮光膜 53覆蓋。在沿相鄰該一邊的2條邊的密封區(qū)域的內(nèi)側(cè)設(shè)有掃描線驅(qū)動電路 104，其由框緣遮光膜53覆蓋。進(jìn)而，為了連接如此地設(shè)置于圖像顯示區(qū) 域10a的兩側(cè)的二個掃描線驅(qū)動電路104之間，沿TFT陣列基板10剩余 的一邊設(shè)置多條布線105，且由框緣遮光膜53覆蓋。并且，在TFT陣列 MlO上，在相向?qū)ο蚧?0的4個角部的區(qū)域，配置用于以上下導(dǎo)通 材料107對兩141之間進(jìn)行連接的上下導(dǎo)通端子106。由此，能夠在TFT 陣列Hl 10與對向基板20之間取得電導(dǎo)通。
在TFT陣列J4！ 10上，形成有用于對外部電路連接端子102、數(shù)據(jù) 線驅(qū)動電路101、掃描線驅(qū)動電路104、上下導(dǎo)通端子106等進(jìn)行電連接的 引繞布線。
在圖2中，在TFT陣列 10上，形成有配置了像素開關(guān)用TFT( Thin Film Transistor,薄膜晶體管)、掃描線、數(shù)據(jù)線等布線的疊層結(jié)構(gòu)。在 圖像顯示區(qū)域10a中，在像素開關(guān)用TFT、掃描線、數(shù)據(jù)線等布線的上層， 矩陣狀地設(shè)置有由ITO (Indium Tin Oxide,氧化銦錫)等透明材料構(gòu)成 的像素電極9a。在像素電極9a上，形成有取向膜。另一方面，在對向基 板20中的與TFT陣列基板10的對向面上，形成有遮光膜23。遮光膜23，
例如由遮光性金屬膜等形成，在對向^4!20上的圖像顯示區(qū)域10a內(nèi)，圖 形化為例如柵格狀等。在遮光膜23上，由ITO等透明材料構(gòu)成的對向電 極21與多個像素電極9a相對向而形成為整面狀。在對向電極21上形成有 取向膜。液晶層50，例如由一種或混合了多種類型的向列液晶的液晶構(gòu)成， 在這一對取向膜間，為預(yù)定的取向狀態(tài)。
還有，雖然在此未進(jìn)行圖示，但是在TFT陣列基板10上，除了數(shù)據(jù) 線驅(qū)動電路101、掃描線驅(qū)動電路104之外，也可以形成有用于對制造過 程中、出廠時的該液晶裝置的質(zhì)量、缺陷等進(jìn)行檢查的檢查電路、檢查用 圖形等。
接下來，關(guān)于本實施方式所涉及的液晶裝置的電構(gòu)造，參照圖3 圖6 進(jìn)行說明。在此，圖3是表示本實施方式所涉及的液晶裝置的電構(gòu)造的框 圖。圖4是表示移位寄存器的構(gòu)造的電路圖。圖5是表示移位寄存器所含 的時鐘控制倒相器的構(gòu)造的電路圖。圖6是表示數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路所含的邏 輯電路的構(gòu)造的電路圖。
在圖3中，本實施方式所涉及的液晶裝置，在TFT陣列基板10上， 具備掃描線驅(qū)動電路104，數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101及采樣電路7。
通過外部電路連接端子102 (參照圖1),對掃描線驅(qū)動電路104，供 給Y時鐘信號CLY、反相Y時鐘信號CLYinv、 Y起動脈沖DY、以及電 源VDDY及VSSY。掃描線驅(qū)動電路104，當(dāng)對其輸入Y起動脈沖DY時， 以基于Y時鐘信號CLY ;S^相Y時鐘信號CLYinv的定時，依次生成掃
描信號Gl.....Gm并進(jìn)行輸出。還有，電源VSSY的電位，比電源VDDY
的電位4氐。
數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路IOI，具備移位寄存器51及邏輯電路52。還有，邏輯 電路52，為本發(fā)明所涉及的"其他電路"的一例。
在通過外部電路連接端子102 (參照圖1)，對移位寄存器51供給X 時鐘信號CLX、反相X時鐘信號CLXinv、 X起動脈沖DX、傳輸方向控 制信號DIR、反相傳輸方向控制信號DIRinv、以及電源VDDX及VSSX。 還有，反相X時鐘信號是X時鐘信號CLX的反相信號，反相傳輸方向控 制信號DIRinv是傳輸方向控制信號DIR的反相信號。并且，電源VSSX
的電位，比電源VDDX的電位低。
移位寄存器51是雙向移位寄存器，構(gòu)成為，基于X時鐘信號CLX及 反相X時鐘信號CLXinv以及傳輸方向控制信號DIR^^相傳輸方向控制 信號DIRinv，使X起動脈沖DX沿從右向左的方向或者從左向右的方向依 次轉(zhuǎn)移，從各級(即，從后述的圖4中的第1級到第n級的各級)依次輸 出傳輸信號Pi (i = l.....n)。
更具體地，如示于圖4地，移位寄存器51的一級構(gòu)成為，包括4個時 4中控制倒相器511、 512、 513及514。
時鐘控制倒相器511，以當(dāng)傳輸方向控制信號DIR為高電平時可以轉(zhuǎn) 移而使傳輸方向固定于從左向右的方向的方式構(gòu)成及連接。
時鐘控制倒相器512，以當(dāng)反相傳輸方向控制信號DIRinv為高電平時 可以轉(zhuǎn)移而使傳輸方向固定于從右向左的方向的方式構(gòu)成及連接。
還有，傳輸方向控制信號DIR ^^相傳輸方向控制信號DIRinv，通 常為高電平及低電平互逆的關(guān)系。
時鐘控制倒相器513，構(gòu)成及連接為若傳輸方向固定于從左向右的 方向，則當(dāng)反相X時鐘信號CLXinv為高電平時，對通過時鐘控制倒相器 511轉(zhuǎn)移的信號進(jìn)行轉(zhuǎn)移；并且若傳輸方向固定于從右向左的方向，則當(dāng) 反相X時鐘信號CLXinv為高電平時，對通過時鐘控制倒相器512轉(zhuǎn)移的 信號進(jìn)行反饋。
時鐘控制倒相器514，構(gòu)成及連接為若傳輸方向固定于從右向左的 方向，則當(dāng)X時鐘信號CLX為高電平時，對通過時鐘控制倒相器512轉(zhuǎn) 移的信號進(jìn)行轉(zhuǎn)移；并且若傳輸方向固定于從左向右的方向，則當(dāng)X時鐘 信號CLX為高電平時，對通過時鐘控制倒相器511轉(zhuǎn)移的信號進(jìn)行^Jt。
還有，X時鐘信號CLX ^L^相X時鐘信號CLXinv，通常為高電平及 低電平互逆的關(guān)系。
在此，參照圖5 (b)進(jìn)行說明，對在圖5(a)簡要而示的時鐘控制倒 相器514的具體的電路構(gòu)造。還有，關(guān)于其他的時鐘控制倒相器511、 512 及513，也僅以輸入時鐘輸入端子的X時鐘信號CLX及反相X時鐘信號 CLXinv，分別變成傳輸方向控制信號DIR及反相傳輸方向控制信號DIRinv 、反相傳輸方向控制信號DIRinv及傳輸方向控制信號DIR、以 及反相X時鐘信號CLXinv及X時鐘信號CLX，電路構(gòu)成全都相同。
如示于圖5(b)地，時鐘控制倒相器514，在電源VSSX與電源VDDX 之間，具備X時鐘信號CLX輸入于其柵的N溝道型TFT;轉(zhuǎn)移的信號 分別輸入它們的柵且并聯(lián)連接的P溝道型TFTN及溝道型TFT;和反相X 時鐘信號輸入于其柵的P溝道型TFT。更具體地，在X時鐘信號CLX輸 入于柵的N溝道型TFT的源電連接有電源VSSX，該N溝道型TFT的漏、 與轉(zhuǎn)移的信號輸入柵的N溝道型TFT的源電連接。進(jìn)而，在反相X時鐘 信號輸入于柵的P溝道型TFT的源電連接有電源VDDX，該P溝道型TFT 的漏、與所轉(zhuǎn)移的信號輸入柵的P溝道型TFT的源電連接。此外，所轉(zhuǎn)移 的信號輸入柵的P溝道型TFT及N溝道型TFT的各漏互相電連接而作為 共用漏而構(gòu)成。
在圖3中，通過外部電路連接端子102 (參照圖1)，對邏輯電路52 供給有例如4個序列的使能信號ENB1 ENB4及預(yù)充電用選擇信號NRG。
邏輯電路52，具有基于使能信號ENB1 ENB4對從移位寄存器51依
次輸出的傳輸信號Pi (i=l.....n)進(jìn)行整形，并以此為^5出最終輸出采
樣電路驅(qū)動信號Si (i-l.....n)的功能。
更具體地，如示于圖6地，邏輯電路52，具備使能電路540，預(yù)充 電用電路521 ;S^相電路523。
在圖6中，使能電路540，具備對從移位寄存器51輸出的傳輸信號 Pi的波形進(jìn)行整形的邏輯電路。更具體地，使能電路540,由作為對應(yīng)于 移位寄存器51的各級而設(shè)置的單位電路的"與非"電路540A而構(gòu)成。
在"與非，，電路540A的柵，輸入從移位寄存器51的相對應(yīng)的各級輸 出的傳輸信號Pi、與通過外部電路連接端子102供給于4條使能供給線81 的使能信號ENB1 ENB4之一。
"與非"電路540A,通過對所輸入的傳輸信號Pi及使能信號 ENBl ENB4的邏輯與進(jìn)行運算而進(jìn)行傳輸信號Pi的整形。由此，"與非" 電路540A，生成對于傳輸信號Pi實施了整形的信號即整形信號Qai并進(jìn) 行輸出。還有，在各單位電路中，除了 "與非，，電路540A之外，也可以
設(shè)置反相電路等，其使輸入"與非"電路的傳輸信號Pi或便能信號
ENB1 ENB4、以及從"與非"電路輸出的整形信號Qai的邏輯進(jìn)行反相。
通過使能電路540基于脈沖寬度更窄的使能信號ENB1 ENB4的波形 而修整傳輸信號Pi的波形，最終限制脈沖寬度、脈沖周期等的脈沖形狀。
這樣，因為使能電路540與邏輯電路一體形成、且由NAND (與非) 電路540A構(gòu)成，所以基本上不增加電路元件、布線數(shù)量，就能夠?qū)⑹鼓?電路540設(shè)為簡易的構(gòu)造。
在圖6中，預(yù)充電用電路521，具備與移位寄存器51的各級對應(yīng)而設(shè) 置的單位電路521A。單位電路521A，通過使供給于預(yù)充電用信號供給線 83的預(yù)充電用選擇信號NRG的邏輯進(jìn)行反相的反相電路521a、與將在反 相電路521a中邏輯被反相的預(yù)充電用選擇信號NRG及整形信號Qai輸入 于柵的"與非"電路521b，實質(zhì)上作為"或非"電路而形成。在單位電路 521A中，對整形信號Qai及預(yù)充電用選擇信號NRG的邏輯與進(jìn)行運算， 將整形信號Qai及預(yù)充電用選擇信號NRG的任一，作為輸出信號Qbi進(jìn) 行輸出。這樣一來，所輸出的輸出信號Qbi,通過2個反相電路523，作 為采樣電路驅(qū)動信號Si (i = l.....n)而輸出。
若依照于這樣的邏輯電路52的電路構(gòu)造，則可以將預(yù)充電用電路521 設(shè)為簡易的構(gòu)造，可以不增加電路元件或布線數(shù)量地形成預(yù)充電用電路 521。
在圖3中，采樣電路7，為本發(fā)明所涉及的"其他電路，，的一例，具 備多個由N溝道型TFT構(gòu)成的采樣開關(guān)7a。還有，采樣開關(guān)7a，也可以 由P溝道型TFT、或者互補型TFT構(gòu)成。
通過外部電路連接端子102、及6條(N-6)圖像信號線107對采樣 電路7供給串行一并行展開(或者相展開)成6相(或者6序列)的圖像 信號VID1 VID6，。而且，采樣電路7，構(gòu)成為各采樣開關(guān)7a，根據(jù)從 數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101輸出的采樣電路驅(qū)動信號S1、…、Sn，對以6條數(shù)據(jù) 線6a為1組的每個數(shù)據(jù)線組，供給圖像信號VID1 VID6。從而，在本實 施方式中，因為按每個數(shù)據(jù)線組對多條數(shù)據(jù)線6a進(jìn)行驅(qū)動，所以可抑制驅(qū) 動頻率。
還有，關(guān)于圖像信號的相展開數(shù)(即，串行一并行展開的圖像信號的
序列數(shù))，并不限于6相。即，也可以構(gòu)成為將串行一并行展開成9相、 12相、24相、48相、96相、…等的圖像信號，通過9條、12條、24條、 48條、96條、…等的圖像信號線，供給于采樣電路7。
在圖3中，本實施方式所涉及的液晶裝置，在占據(jù)該TFT陣列M 10的中央的圖像顯示區(qū)域10a (參照圖1)中，具備縱向橫向布線的數(shù)據(jù) 線6a及掃描線lla。在對應(yīng)于它們的交點的各^象素部700中，具備排列 成矩陣狀的液晶元件118的像素電極9a，及用于對像素電極9a進(jìn)行開關(guān) 控制的像素開關(guān)用TFT30。還有，在本實施方式中，以掃描線lla的總條 數(shù)為m條(其中，m為2以上的自然數(shù))，以數(shù)據(jù)線6a的總條數(shù)為nx6 條(其中，n為2以上的自然數(shù))進(jìn)行說明。
在圖3中，如果著眼于一個^f象素部700的構(gòu)造，則在4象素開關(guān)用TFT30 的源電極，電連接有供給圖像信號VIDk (其中，k=l、 2、 3、…6)的數(shù) 據(jù)線6a，另一方面，在像素開關(guān)用TFT30的柵電極，電連接有供給掃描 信號Gj(其中，j = l、 2、 3、…m)的掃描線lla,并且在^f象素開關(guān)用TFT30 的漏電極，連接液晶元件118的像素電極9a。在此，在各像素部700中， 液晶元件118,在像素電極9a與對向電極21之間夾持液晶。從而，各像 素部700，對應(yīng)于掃描線lla與數(shù)據(jù)線6a的各交點，排列成矩陣狀。
當(dāng)本實施方式所涉及的液晶裝置動作時，通過從掃描線驅(qū)動電路104 輸出的掃描信號Gj (其中，j = l、 2、 3、…m)，線依次地選擇各掃描線 lla。在對應(yīng)于選中的掃描線lla的《象素部700中，當(dāng)對^^素開關(guān)用TFT30 供給掃描信號Gj時，像素開關(guān)用TFT30變成導(dǎo)通狀態(tài)，該像素部700成 為選擇狀態(tài)。通過使像素開關(guān)用TFT30僅在一定期間閉合其開關(guān)，由數(shù)據(jù) 線6a以預(yù)定的定時對液晶元件118的像素電極9a供給圖像信號VIDk。 由此，對液晶元件118，施加通過像素電極9a及對向電極21的各自的電 位所限定的施加電壓。由于液晶因所施加的電平使分子集合的配向、M 發(fā)生變化，對光進(jìn)行調(diào)制，可以進(jìn)行灰度等級顯示。如果為常白模式，則 才艮據(jù)以各^^素的單位施加的電壓相對于入射光的透射率減少，如果為常黑 模式，則根據(jù)以各像素的單位施加的電壓相對于入射光的透射率增加，作
為整體從本實施方式所涉及的液晶裝置出射具有相應(yīng)于圖像信號VID1 VID6的對比度的光。
在此，為了防止所保持的圖像信號發(fā)生泄漏，與液晶元件118并聯(lián)附加有存儲電容70。存儲電容70的一側(cè)電極，與像素電極9a并聯(lián)而連接于TFT30的漏，另一側(cè)電極，為了變成固定電位，連接于電位固定的電容布線400。
還有，對上下導(dǎo)通端子106，供給共用電位的共用電源LCC,上述的對向電極21的基準(zhǔn)電位基于共用電源而限定。
接下來，關(guān)于包括于本實施方式所涉及的液晶裝置的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路及采樣電路的TFT的具體的構(gòu)造，參照圖7進(jìn)行說明。在此，圖7是表示 移位寄存器所含的N溝道型TFT與構(gòu)成采樣開關(guān)的TFT的具體的構(gòu)造的剖面圖。
在圖7中，作為移位寄存器51所含的N溝道型TFT的移位寄存器用TFT511n，形成于設(shè)置在TFT陣列14110上的基底絕緣膜12上。作為構(gòu)成采樣開關(guān)7a的N溝道型TFT的采樣開關(guān)用TFT71也形成在基底絕緣膜12上。
在圖7中，移位寄存器用TFT511n，具備半導(dǎo)體層411n，柵電極 511nG,柵絕緣膜411ni,源布線511nS及漏布線511nD。
半導(dǎo)體層411n,具有溝道區(qū)域411nC，LDD區(qū)域411nLl及411nL2， 源區(qū)域411nS，和漏區(qū)域411nD。
源區(qū)域411nS及漏區(qū)域411nD，形成于溝道區(qū)域411nC的兩側(cè)。在源 區(qū)域411nS與溝道區(qū)域411nC之間，形成有LDD區(qū)域411nLl，在漏區(qū)域 411nD與溝道區(qū)域411nC之間，形成有LDD區(qū)域411nL2。源區(qū)域411nS、漏區(qū)域411nD、LDD區(qū)域411nLl及411nL2，是通過例如離子注入法等的雜質(zhì)注入(即摻雜)而在半導(dǎo)體層411n中注入雜質(zhì)離子而成的雜質(zhì)區(qū)域，LDD區(qū)域411nLl及411nL2形成為，與源區(qū)域411nS及漏區(qū)域411nD相比雜質(zhì)的濃度變低。
在本實施方式中，在作為N溝道型TFT的移位寄存器用TFT511n中的源區(qū)域411nS、漏區(qū)域411nD、LDD區(qū)域411nLl及411nL2，摻雜有例
如磷(P)離子等N型雜質(zhì)離子。更具體地，在源區(qū)域411nS及漏區(qū)域411nD， 以高濃度(例如，1.3x1015 "/cm2，，程度)摻雜有例如磷(P)離子等N 型雜質(zhì)離子，在LDD區(qū)域411nLl及411nL2，以低濃度(例如，2.5x1013 "/cm2，，程度)摻雜有例如磷(P)離子等N型雜質(zhì)離子。
還有，移位寄存器51所含的P溝道型TFT，作為自對準(zhǔn)型的TFT而 構(gòu)成，在移位寄存器51所含的P溝道型TFT所含的半導(dǎo)體層的源區(qū)域及 漏區(qū)域，以預(yù)定濃度(例如，1.3x1014 "/cm2，，程度)摻雜有例如氟化 硼(BF2)、硼(B)離子等P型雜質(zhì)離子。
還有，源布線511nS，通過層間絕緣膜41及42相比半導(dǎo)體層411n形 成于上層側(cè)，通過貫通該層間絕緣膜41及42以及柵絕緣膜411ni而開孔 的接觸孔810s電連接于源區(qū)域411nS。漏布線511nD，與源布線511nS由 同一膜形成，通過貫通層間絕緣膜41及42以及柵絕緣膜411ni而開孔的 接觸孔810d電連接于漏區(qū)域411nD。相比源布線511nS及漏布線511nD 在上層側(cè)形成有層間絕緣膜44。
在圖7中，作為構(gòu)成采樣開關(guān)7a (參照圖3)的N溝道型TFT的采 樣開關(guān)用TFT71，具備半導(dǎo)體層74，柵電極71G，柵絕緣膜75，源布 線71S及漏布線71D。
半導(dǎo)體層74，具有溝道區(qū)域74C， LDD區(qū)域74L1及74L2，源區(qū) 域74S,和漏區(qū)域74D。
源區(qū)域74S及漏區(qū)域74D,形成于溝道區(qū)域74C的兩側(cè)。在源區(qū)域74S 與溝道區(qū)域74C之間形成有LDD區(qū)域74Ll，在漏區(qū)域74D與溝道區(qū)域 74C之間形成有LDD區(qū)域74L2。源區(qū)域74S、漏區(qū)域74D、LDD區(qū)域74L1 及74L2，是通過例如離子注入法等的雜質(zhì)注入在半導(dǎo)體層74中注入雜質(zhì) 離子而成的雜質(zhì)區(qū)域，LDD區(qū)域74L1及74L2形成為，與源區(qū)域74S及 漏區(qū)域74D相比雜質(zhì)的濃度變低。
在本實施方式中，尤其，在N溝道型TFT即移位寄存器用TFT71中 的源區(qū)域74S及漏區(qū)域74D，含有與N溝道型TFT即移位寄存器用 TFT511n中的源區(qū)域411nS及漏區(qū)域411nD所含的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì) (即，例如磷(P)離子等的N型雜質(zhì))。進(jìn)而，源區(qū)域74S及漏區(qū)域74D中的雜質(zhì)的濃度，變得比源區(qū)域411nS及漏區(qū)域411nD中的雜質(zhì)的濃度高。 更具體地，在源區(qū)域411nS及漏區(qū)域411nD,如上所述，例如以1.3 x 1015 "/cm2"程度摻雜有例如磷(P)離子等的N型雜質(zhì)離子，與此相對，在 源區(qū)域74S及漏區(qū)域74D，例如，以2.3x1015 "/cm2，，程度摻雜有與源 區(qū)域41 lnS及漏區(qū)域41 lnD所含的雜質(zhì)同 一種類的雜質(zhì)。
還有，在LDD區(qū)域74L1及74L2，例如，以2.5 x 1013 " / cm2，，程 度摻雜，與源區(qū)域74S及漏區(qū)域74D所含的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì)(若換言 之，則與LDD區(qū)域411nLl及411nL2所含的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì))所。 即，LDD區(qū)域74L1及74L2中的N型雜質(zhì)的濃度，基本等于LDD區(qū)域 411nLl及411nL2中的N型雜質(zhì)的濃度。
因而，能夠降低移位寄存器用TFT511n中的導(dǎo)通電流，并且能夠提高 采樣開關(guān)用TFT71中的導(dǎo)通電流。從而，能夠降低移位寄存器用TFT511n 中的消耗電流，并且能夠提高采樣開關(guān)用TFT71的晶體管功能。因此，能 夠謀求移位寄存器51的長壽命化，并且能夠提高采樣開關(guān)電路7的驅(qū)動能 力。該結(jié)果，可以謀求該液晶裝置的長壽命化并且進(jìn)行高質(zhì)量的圖像顯示。
還有，源布線71S，通過層間絕緣膜41及42相比半導(dǎo)體層74形成于 上層側(cè)，通過貫通該層間絕緣膜41及42以及柵絕緣膜75而開孔的接觸孔 8s電連接于源區(qū)域74S。漏布線71D，與源布線71S由同一膜形成，通過 貫通層間絕緣膜41及42以及柵絕緣膜75而開孔的接觸孔8d電連接于漏 區(qū)域74D。相比源布線71S及漏布線71D在上層側(cè)形成有層間絕緣膜44。
進(jìn)而，在本實施方式中尤其是，上述的邏輯電路52，包括N溝道型 TFT，該N溝道型TFT與采樣開關(guān)用TFT71基本同樣地構(gòu)成。即，在上 述的邏輯電路52所含的N溝道型TFT中的源區(qū)域及漏區(qū)域，與采樣開關(guān) 用TFT71同樣地，包括與移位寄存器用TFT511n中的源區(qū)域411nS及漏 區(qū)域411nD所含的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì)。另外，邏輯電路52所含的N溝 道型TFT中的源區(qū)域及漏區(qū)域中的雜質(zhì)的濃度，也變得比移位寄存器用 TFT511n的源區(qū)域411nS及漏區(qū)域411nD中的雜質(zhì)的濃度高。更具體地， 在邏輯電路52所含的源區(qū)域及漏區(qū)域，與源區(qū)域74S及漏區(qū)域74D同樣 地，例如，以2.3 x 1015" / 112"程度摻雜有與源區(qū)域411nS及漏區(qū)域411nD
所含的雜質(zhì)同 一種類的雜質(zhì)。
還有，在本實施方式中，上述的邏輯電路52所含的P溝道型TFT， 作為自對準(zhǔn)型的TFT而構(gòu)成，在該P溝道型TFT所含的半導(dǎo)體層的源區(qū) 域及漏區(qū)域，以預(yù)定濃度(例如，1.3x1014 "/cm2"程度)摻雜有例如 氟化硼(BF2)離子等的P型雜質(zhì)離子。
因而，能夠降低移位寄存器用TFT511n中的導(dǎo)通電流，并且能夠提高 邏輯電路52所含的N溝道型TFT中的導(dǎo)通電流。從而，能夠降低移位寄 存器用TFT511n中的消耗電流，并且能夠提高邏輯電路52所含的N溝道 型TFT的晶體管功能。
如上所述，若依照于本實施方式所涉及的液晶裝置，則能夠降低移位 寄存器51所含的N溝道型TFT中的消耗電流，并且能夠分別提高采樣開 關(guān)電路7及邏輯電路52所含的N溝道型TFT的晶體管功能。該結(jié)果為， 可以謀求該液晶裝置的長壽命化并且進(jìn)行高質(zhì)量的圖像顯示。
還有，作為本實施方式的變形例，代替采樣開關(guān)用TFT71中的源區(qū)域 74S及漏區(qū)域74D中的雜質(zhì)的濃度(及邏輯電路52所含的N溝道型TFT 中的源區(qū)域及漏區(qū)域)變得比移位寄存器用TFT511n中的源區(qū)域411nS 及漏區(qū)域411nD中的雜質(zhì)的濃度高或者除此之外，也可以構(gòu)成為采樣開 關(guān)用TFT71中的LDD區(qū)域74L1及74L2中的N型雜質(zhì)的濃度(及邏輯 電路52所含的N溝道型TFT中LDD區(qū)域中的N型雜質(zhì)的濃度)，變得 比移位寄存器用TFT511n中的LDD區(qū)域411nLl及411nL2中的N型雜 質(zhì)的濃度高。在該情況下，也能夠降低移位寄存器用TFT511n中的導(dǎo)通電 流，并且能夠提高采樣開關(guān)用TFT71(及邏輯電路52所含的N溝道型TFT ) 中的導(dǎo)通電流。從而，能夠降低移位寄存器用TFT511n中的消耗電流，并 且能夠提高采樣開關(guān)用TFT71 (及邏輯電路52所含的N溝道型TFT )的 晶體管功能。
電子設(shè)備
接下來，關(guān)于將作為上述的電光裝置的液晶裝置應(yīng)用于各種電子設(shè)備 的情況，參照圖8進(jìn)行說明。在以下，關(guān)于將該液晶裝置用作光閥的投影 機進(jìn)行說明。在此，圖8是表示投影機的構(gòu)造例的俯視圖。
如圖8所示，在投影機1100內(nèi)部，設(shè)置由卣素?zé)舻鹊陌咨庠礃?gòu)成的 燈單元1102。將從該燈單元1102射出的投影光，通過配置于光導(dǎo)1104內(nèi) 的4片鏡體1106及2片分色鏡1108分離成RGB的3原色，并入射于作 為對應(yīng)于各原色的光閥的液晶面板1110R、 1110B及1110G。
液晶面板1110R、 1110B及1110G的構(gòu)造，與上述的液晶裝置相同， 由從圖像信號處理電路供給的R、 G、 B的原色信號分別驅(qū)動。然后，通 過這些液晶面板調(diào)制了的光，從3個方向入射于分色棱鏡1112。在該分色 棱鏡1112中，R光及B光折射卯度，另一方面G光則直行。從而，合成 各色的圖像的結(jié)果，通過投影透鏡1114，在屏幕等上投影出彩色圖像。
在此，若著眼于由各液晶面板1110R、 1110B及1110G產(chǎn)生的顯示4象， 則由液晶面板1110G產(chǎn)生的顯示像，相對于由液晶面板1110R、 1110B產(chǎn) 生的顯示像需要進(jìn)行左右翻轉(zhuǎn)。
還有，因為通過分色鏡1108，對應(yīng)于R、 G、 B的各原色的光入射于 液晶面板1110R、 1110B及1110G，所以不必i殳置濾色器。
還有，除了參照圖8而進(jìn)行了說明的電子設(shè)備之外，還可舉出可移動 型的個人計算機、便攜電話機、液晶電視機、取景器型、監(jiān)視器直視型的 磁帶錄像機、汽車導(dǎo)航裝置、呼機、電子筆記本、計算器、文字處理機、 工作站、可視電話機、POS終端、具備觸摸面板的裝置等。而且，不用說 該電光裝置也可以應(yīng)用于這些各種電子設(shè)備中。
并且本發(fā)明，除了上迷的實施方式所-沈明的液晶裝置以外，也可以應(yīng) 用于在硅基板上形成元件的反射型液晶裝置(LCOS)、等離子體顯示器 (PDP)、場致發(fā)射型顯示器(FED， SED)、有機EL顯示器、數(shù)字微 鏡器件(DMD)、電泳裝置等。
本發(fā)明，并不限于上迷的實施方式，在不違反從技術(shù)方案及專利說明 書整體所獲知的發(fā)明的要旨或思想的范圍內(nèi)可以對本發(fā)明做出適當(dāng)變更， 伴隨其變更的電光裝置及具備該電光裝置的電子設(shè)備也包括于本發(fā)明的技 術(shù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，其特征在于，在基板上，具備:互相交叉的多條數(shù)據(jù)線及多條掃描線，設(shè)置于對應(yīng)于所述交叉處的每個像素的多個像素部，和圖像信號供給電路，包括(i)移位寄存器和(ii)其他電路，所述移位寄存器具備多個第1晶體管并且依次輸出傳輸信號，所述第1晶體管分別包括具有第1源、漏區(qū)域的第1半導(dǎo)體層，所述其他電路具備多個第2晶體管并且基于所述依次輸出的傳輸信號、通過所述數(shù)據(jù)線對所述像素部供給圖像信號，所述第2晶體管分別包括具有第2源、漏區(qū)域的第2半導(dǎo)體層；在所述第2源、漏區(qū)域，含有與在所述第1源、漏區(qū)域以預(yù)定濃度所含有的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì)，其濃度高于所述預(yù)定濃度。
2. 按照權(quán)利要求l所述的電光裝置，其特征在于， 所述其他電路，包括使能電路，使用多個序列的使能信號對所述依次輸出的傳輸信號進(jìn)行 整形將其作為整形信號進(jìn)行輸出，和采樣電路，根據(jù)所述整形信號或基于所述整形信號的信號對所述圖寸象 信號進(jìn)行采樣，供給于所述數(shù)據(jù)線。
3. —種電光裝置，其特征在于， 在l^gL上，具備互相交叉的多條數(shù)據(jù)線及多條掃描線， 設(shè)置于對應(yīng)于所述交叉處的每個4象素的多個像素部，和 圖像信號供給電路，包括(i)移位寄存器和(ii)其他電路，所述移 位寄存器具備多個第1晶體管并且依次輸出傳輸信號，所述第1晶體管分 別包括具有第1溝道區(qū)域、第1源、漏區(qū)域以及形成于所述第1溝道區(qū)域 及所述第1源、漏區(qū)域之間的第1 LDD區(qū)域的第1半導(dǎo)體層，所述其他電 路具備多個第2晶體管并且基于所述依次輸出的傳輸信號、通過所述數(shù)據(jù) 線對所述像素部供給圖像信號，所述第2晶體管分別包措具有第2溝道區(qū) 域、第2源、漏區(qū)域以及形成于所述第2溝道區(qū)域及所述第2源、漏區(qū)域 之間的第2LDD區(qū)域的第2半導(dǎo)體層；在所述第2 LDD區(qū)域，包含與在所述第1 LDD區(qū)域以預(yù)定濃度所包 含的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì)，其濃度高于所述預(yù)定濃度。
4. 一種電子設(shè)備，其特征在于具備如權(quán)利要求1~3中的任何一項所述的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及電光裝置及電子設(shè)備。在液晶裝置等的電光裝置中，延長裝置壽命并進(jìn)行高質(zhì)量的圖像顯示。電光裝置，在基板(10)上，具備數(shù)據(jù)線(6a)及掃描線(11a)，多個像素部(700)，和由(i)具備多個第1晶體管(511n)并依次輸出傳輸信號的移位寄存器(51)、與(ii)具備多個第2晶體管(71)并基于從移位寄存器依次輸出的傳輸信號，通過數(shù)據(jù)線在像素部供給圖像信號的其他電路(7，52)構(gòu)成的圖像信號供給電路。進(jìn)而，在第2晶體管中的第2源、漏區(qū)域(74S，74D)，包含與第1晶體管中的第1源、漏區(qū)域(411nS，411nD)以預(yù)定濃度所包括的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì)，其濃度高于該預(yù)定濃度。
文檔編號G02F1/1362GK101373779SQ20081021260
公開日2009年2月25日 申請日期2008年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月23日
發(fā)明者望月宏明 申請人:精工愛普生株式會社