專(zhuān)利名稱(chēng)：光波導(dǎo)路設(shè)備及其制造方法
光波導(dǎo)路設(shè)備及其制造方法
技術(shù)區(qū)域
本發(fā)明涉及在光通信、.光信息處理、其他一般光學(xué)中廣泛 采用的光波導(dǎo)路設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，在光波導(dǎo)路設(shè)備中，利用光波導(dǎo)路傳播自發(fā)光元件
發(fā)出的光(例如，參照US5914709)。圖5示意地表示了該光波 導(dǎo)路設(shè)備。圖5中，光波導(dǎo)路設(shè)備是將由下包層20、芯層30以 及上包層40構(gòu)成的光波導(dǎo)路形成在基板10上。于是，發(fā)光元件 50與該光波導(dǎo)路的一端部側(cè)隔開(kāi)距離，借助粘接劑A將發(fā)光元 件50固定在上述基板10上。自該發(fā)光元件50發(fā)出的光L從光波 導(dǎo)路的芯層30的一端面射入，通過(guò)該芯層30，自該芯層30的另 一端面射出。
但是，在該種光波導(dǎo)路設(shè)備中，在粘接上述發(fā)光元件50時(shí)， 因從上方按壓該發(fā)光元件50等原因，大多存在粘接劑A會(huì)溢出 而隆起，其成為光路的障礙。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題，以與以往不同的構(gòu)思做出的，目 的在于提供在發(fā)光元件和光波導(dǎo)路之間不存在成為光路的障礙 的物品的光波導(dǎo)路設(shè)備以及其制造方法。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種光波導(dǎo)路設(shè)備，其第l 主旨在于，包括基板、設(shè)置于上述基板的上表面中設(shè)置發(fā)光元 件的區(qū)域的發(fā)光元件、設(shè)置于上述基板的上表面中設(shè)置上述發(fā) 光元件的區(qū)域之外的部分的下包層、以及芯層，其成為上述發(fā)
光元件的發(fā)光的光路，對(duì)上述基板上的上述發(fā)光元件以及上述 下包層進(jìn)行覆蓋。
另外，本發(fā)明提供一種光波導(dǎo)路設(shè)備的制造方法，其第2
主旨在于，其包括以下工序在基板的上表面中設(shè)置發(fā)光元件 的區(qū)域之外的部分形成下包層的工序、在設(shè)置上述發(fā)光元件的 區(qū)域設(shè)置發(fā)光元件的工序、以覆蓋上述發(fā)光元件以及上述下包 層的方式在上述基板上形成成為上述發(fā)光元件的發(fā)光的光路的 芯層的工序。
為了消除在光波導(dǎo)路設(shè)備中的發(fā)光元件和光波導(dǎo)路之間的 光路的障礙，本發(fā)明人反復(fù)研究了光波導(dǎo)路設(shè)備的構(gòu)造。在該 研究的過(guò)程中，想到以與以往不同的構(gòu)思，利用成為發(fā)光元件 的發(fā)光的光路的芯層來(lái)覆蓋發(fā)光元件，從而將發(fā)光元件固定， 使自發(fā)光元件發(fā)出的光直接射入芯層，進(jìn)而產(chǎn)生了本發(fā)明。
本發(fā)明的光波導(dǎo)路設(shè)備在基板的上表面分別單獨(dú)設(shè)有發(fā)光 元件和下包層，芯層對(duì)基板上的發(fā)光元件和下包層進(jìn)行覆蓋。 因此，將發(fā)光元件以由基板和芯層夾持的狀態(tài)固定。因而，固 定發(fā)光元件完全不用粘接劑，或者即使使用粘接劑，也是以在 形成芯層之前將發(fā)光元件臨時(shí)固定在基板的上表面的程度即 可，其量很少就可以，粘接劑不會(huì)自發(fā)光元件的周邊溢出。這 樣，在本發(fā)明的光波導(dǎo)路設(shè)備中，粘接劑不會(huì)在發(fā)光元件和芯 層之間成為光路的障礙，可以進(jìn)行適當(dāng)?shù)墓鈧鞑?。并且，為?使自發(fā)光元件發(fā)出的光直接射入芯層，與以往那樣使與芯層的 一端面隔開(kāi)距離設(shè)置的發(fā)光元件發(fā)出的光射入相比，還提高了 光入射以及光傳播的可靠性。
特別是在與上述發(fā)光元件相對(duì)應(yīng)的芯層的部分形成有使自 發(fā)光元件發(fā)出的光進(jìn)行光路變換成沿著光路的狀態(tài)的反射面
高效地進(jìn)行光路變換成沿著芯層的光路的狀態(tài)，因此提高了光 傳播效率。
上述反射面由與上述芯層的底面成45度的角度傾斜的、形
在上述發(fā)光元件與上述反射面成45。的角度投射時(shí)，可以高效地 進(jìn)行90。的光路變換。
本發(fā)明的光波導(dǎo)路設(shè)備的制造方法，在基板的上表面中除 了設(shè)置發(fā)光元件的區(qū)域之外的部分形成下包層之后，在設(shè)置上 述發(fā)光元件的區(qū)域設(shè)置發(fā)光元件，之后，以覆蓋上述基板上的 發(fā)光元件和下包層的方式形成芯層，因此能夠獲得可以在發(fā)光 元件和芯層之間進(jìn)行適當(dāng)?shù)墓鈧鞑ゲ⒕哂休^高可靠性的光入射 以及光傳播的本發(fā)明的光波導(dǎo)路設(shè)備。
上述芯層的部分形成將自上述發(fā)光元件發(fā)出的光沿著光路進(jìn)行 光路變換的反射面的工序時(shí)，還能夠以上述傾斜面對(duì)自發(fā)光元 件發(fā)出的光進(jìn)行反射，從而能夠高效地進(jìn)行光路變換成沿著芯 層的光路的狀態(tài)，能夠獲得光傳播效率提高后的光波導(dǎo)路設(shè)備。
上述反射面形成工序包括在上述芯層的表面形成具有大致 V字狀的底部的凹部，利用以與上述芯層的底面成45度的角度 傾斜的上述凹部的上述底部的底面形成上述反射面的工序，在 定位成上述發(fā)光元件發(fā)出的光以與該反射面成45。的角度投射 時(shí)，能夠獲得可以高效地進(jìn)行90。的光路變換的光波導(dǎo)路設(shè)備。
另外，在上述凹部形成工序包括沿著上述發(fā)光元件的光投 射方向切削上述芯層的 一部分的工序時(shí)，可以輕易地將切削時(shí) 的刀的定位，并可以更正確且輕易地進(jìn)行上述反射面的定位形 成。
圖l示意地表示本發(fā)明的光波導(dǎo)路設(shè)備的一實(shí)施方式，圖l
(a) 是其俯視圖，圖l (b)是圖l (a)的X — X剖視圖。
圖2 (a) ~圖2 (e)是示意地表示本發(fā)明的光波導(dǎo)路設(shè)備 的制造方法的說(shuō)明圖。
圖3是示意地表示上述光波導(dǎo)路設(shè)備的制造方法的另 一 實(shí) 施方式的說(shuō)明圖。
圖4是示意地表示上述光波導(dǎo)路設(shè)備的再一實(shí)施方式的說(shuō) 明圖。
圖5是示意地表示以往的光波導(dǎo)路設(shè)備的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
接著，根據(jù)附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。 圖l(a)、圖l (b)表示本發(fā)明的光波導(dǎo)路設(shè)備的一實(shí)施 方式。該實(shí)施方式的光波導(dǎo)路設(shè)備在基板1的上表面的 一端部 (圖l (a)、圖l (b)中的左端部)設(shè)置有將光L向正上方投射 的發(fā)光元件5，在上述基板l的上表面中設(shè)置有上述發(fā)光元件5 的區(qū)域之外的部分形成有下包層2,將成為發(fā)光元件5的發(fā)光的 光路的芯層3以覆蓋上述基板1上的發(fā)光元件5以及下包層2的 方式形成為規(guī)定圖形。在該實(shí)施方式中，以覆蓋上述芯層3的 狀態(tài)形成有上包層4。另外，在上述發(fā)光元件5的上方的部分中， 沿著與正交于沿著芯層3的光路的方向(長(zhǎng)度方向)的方向(圖 1 ( a)的箭頭Y方向)，使V字狀的尖端沿著上述正交方向地形 成有底面呈V字狀的長(zhǎng)槽(凹部)H。如圖1 ( b)所示，將該 長(zhǎng)槽H的底面的2個(gè)傾斜面定位于芯層3的部分，將構(gòu)成上述長(zhǎng) 槽H的底面的V字狀的2個(gè)傾斜面中位于光^^側(cè)的傾斜面(圖1
(b) 的右側(cè)的傾斜面)定位在發(fā)光元件5的正上方(光投射方
作用。將該反射面3a與芯層3的底面所成的角度設(shè)定為45。。 另外，圖l(a)、圖l(b)中，附圖標(biāo)記5a是將上述發(fā)光元件5 固定于其一端部的引線框，在其另一端部設(shè)有與發(fā)光元件5相 連接的端子(配線連接部分)5b,在該實(shí)施方式中，將該端子 5b定位于基板l的外側(cè)。
于是，自上述發(fā)光元件5投射向正上方的光L自上述芯層3 的底面直接射入芯層3內(nèi)，以與上述反射面3a呈45。的角度反 射，光路變換為沿著芯層3的光路的狀態(tài)，之后沿著光路在該 芯層3內(nèi)前進(jìn)，自與該芯層3的反射面3a相反的一側(cè)的端面射 出。
對(duì)該種光波道路設(shè)備的制造方法的 一 個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。 首先，準(zhǔn)備平板狀的基板l (參照?qǐng)D2 ( a))。作為該基板l 沒(méi)有特別限定，作為其形成材料，例如可以列舉出玻璃、石英、 硅、樹(shù)脂、金屬等。另外，基板l的厚度雖沒(méi)有特別限定，但 通常設(shè)定在20ium 5mm的范圍內(nèi)。
接著，如圖2 ( a)所示，在上述基板l的上表面中設(shè)置有 發(fā)光元件5 (參照?qǐng)D2 (b))的區(qū)域la之外的規(guī)定部分形成下包 層2。作為該下包層2的形成材料，通常采用感光樹(shù)脂。于是， 下包層2的形成如下所述進(jìn)行。即，首先，在基板l上涂敷將上 述樹(shù)脂溶解在溶劑中的清漆。涂敷該清漆采用例如旋涂法、浸 漬法、澆鑄法、注射法、噴墨法等。于是，通過(guò)50 120。xl0 30 分鐘的加熱處理使清漆干燥。由此形成下包層2用的未硬化感 光樹(shù)脂層。
接著，在上述未硬化感光樹(shù)脂膜的上方配置具有只將發(fā)光 元件5 (參照?qǐng)D2 (b))的設(shè)置區(qū)域la掩蔽的圖形的曝光掩模， 利用照射線借助該曝光掩模曝光上述感光樹(shù)脂層。從而，曝光
后的上述感光樹(shù)脂層的一部分硬化。上述曝光掩模為與光波導(dǎo) 路內(nèi)的發(fā)光元件5的設(shè)置數(shù)量 一 致而掩蔽的部分所形成的圖 形。作為上述曝光用的照射線，可以采用例如可見(jiàn)光、紫外線、 紅外線、X射線、(X射線、p射線、Y射線等。采用紫外線最佳。 在采用紫外線時(shí)，照射較大的能量，可以獲得較大的硬化速度， 而且照射裝置也小型且便宜，能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)成本的降低。作為 紫外線的光源，可以列舉出例如低壓水銀燈、高壓水銀燈、超
高壓水銀燈等，紫外線的照射量通常是10 10000mJ/cm2，優(yōu) 選50 3000mJ/cm2。
在上述曝光之后，為了結(jié)束光反應(yīng)，進(jìn)行加熱處理。該加 ^^處玉里在80 250。C力口^; 10-少~2小日于，^L選在100 200。C力口 5 分鐘 1小時(shí)。
接著，采用顯影液進(jìn)行顯影，從而使上述感光樹(shù)脂層的未 曝光部分(未硬化部分)溶解而并將其除去。由此，剩余的感 光樹(shù)脂(硬化部分)變成發(fā)光元件5的設(shè)置區(qū)域la成為窗口而 空出的狀態(tài)。在此，上述顯影可以采用例如浸漬法、噴淋法、 攪動(dòng)法等。另外，作為顯影液，可以采用例如有機(jī)系的溶劑、 含有堿系水溶液的有機(jī)系的溶劑等。該種顯影液以及顯影條件 要依據(jù)感光樹(shù)脂組成物的成分的不同進(jìn)行適當(dāng)?shù)剡x擇。
在上述顯影之后，通過(guò)加熱處理將感光樹(shù)脂層中的殘留顯 影液除去。該加熱處理通常在80 120。CxlO 30分鐘的范圍內(nèi) 進(jìn)行。從而，上述感光樹(shù)脂層成為下包層2。下包層2的厚度通 常設(shè)定在5 50pm的范圍內(nèi)。
接著，如圖2(b)所示，將發(fā)光元件5和引線框5a—起設(shè) 置在上述感光樹(shù)脂層上形成為窗口的、原封不動(dòng)地留在下包層 2上的上述發(fā)光元件5設(shè)置區(qū)域(窗口部)la上。此時(shí)，將設(shè)于 與引線框5a的發(fā)光元件5相反的一側(cè)的端部的端子(配線連接
部分)5b定位在基板l的端邊的外側(cè)。另外，上述發(fā)光元件5的 設(shè)置可以不用粘接劑直接將其載置，或者也可以是稍微使用一 點(diǎn)兒粘接劑將其臨時(shí)固定的程度即可。利用在下一工序(參照 圖2(c))中形成的芯層3將該發(fā)光元件5固定，因此不需用粘 接劑或是只用稍微一點(diǎn)兒的粘接劑臨時(shí)固定就足夠。另外，作 為上述發(fā)光元件5，通常采用發(fā)光二極管、激光二極管、VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser )等。
上述芯層3的形成與在圖2 ( a)中說(shuō)明的下包層2的形成方 法同樣地進(jìn)行。即，以將發(fā)光元件5和下埋包層2覆蓋的方式在 基板1上形成成為芯層3 (參照?qǐng)D2 ( c))的感光樹(shù)脂層之后， 經(jīng)過(guò)加熱處理以及顯影，如圖2 ( c)所示那樣形成芯層3。另
上包層4 (參照?qǐng)D2 ( d))的形成材料大的材料。該折射率的調(diào) 整可以采用例如對(duì)上述下包層2、芯層3、上包層4的各形成材 料的種類(lèi)的選擇和組成比率進(jìn)行調(diào)整來(lái)進(jìn)行。另外，芯層3的 厚度(下包層2上的厚度)通常設(shè)定在5 50pm的范圍內(nèi)，其寬 度通常設(shè)定在5 50iiim的范圍內(nèi)。
接著，如圖2(d)所示，在基板l上以將上述下包層2以及 上述芯層3覆蓋的方式形成上包層4。作為該上包層4的形成材 料，可以列舉出與上述下包層2同樣的材料。其中，該上包層4 的形成材料既可以與上述下包層2的形成材料相同，也可以不 同。另外，上包層4的形成方法也采用與上述下包層2的形成方 法相同的方法。上包層4的厚度(下包層2上的厚度)通常設(shè)定 在20 100,的范圍內(nèi)。
并且，還利用引線結(jié)合法等將配線6與上述發(fā)光元件5的端 子(配線連接部分)5b相連接。
于是，如圖2 (e)所示，在使刀尖角度90。 (V字狀刀尖)
的圓板狀的旋轉(zhuǎn)刀D的旋轉(zhuǎn)軸與沿著芯層3的光路的方向(長(zhǎng)度 方向)平行的狀態(tài)下， 一邊使旋轉(zhuǎn)刀D旋轉(zhuǎn)， 一邊使上述旋轉(zhuǎn)
層3的厚度的中間部分附近，在該狀態(tài)下，使旋轉(zhuǎn)刀D在與沿著 芯層3的光路的方向(長(zhǎng)度方向)正交的方向滑動(dòng)。由此，形 成貫通上包層而到達(dá)芯層3內(nèi)的上述長(zhǎng)槽H，在芯層3上形成由 上述旋轉(zhuǎn)刀D的刀尖切削的上述長(zhǎng)槽H的V字狀的底面。構(gòu)成該 V字狀的2個(gè)傾斜面中位于芯層3的光路側(cè)的傾斜面成為對(duì)自發(fā) 光元件5發(fā)出的光L (參照?qǐng)Dl (b))進(jìn)行反射的反射面3a。
這樣，就可以制造由基板l、發(fā)光元件5和層疊有下包層2、 芯層3以及上包層4而形成的光波導(dǎo)路構(gòu)成的上述光波導(dǎo)路設(shè) 備(參照?qǐng)Dl (a)、圖l (b))。
另外，在上述實(shí)施方式中，在將芯層3的一部分切削成反 射面(傾斜面)3a時(shí)，如圖3所示，也可以使自發(fā)光元件5發(fā)出 的光L投射向正上方方向，以該投射為記號(hào)，沿著該光投射方 向(使光投射方向和旋轉(zhuǎn)刀D的旋轉(zhuǎn)面重疊)使旋轉(zhuǎn)刀D沿箭頭 X方向下落。在進(jìn)行該切削時(shí)，使形成的反射面3a的大致中央 與光投射方向重疊地將旋轉(zhuǎn)刀D定位(在圖3中，旋轉(zhuǎn)刀D的寬 度中心偏置在光投射方向的左側(cè))。這樣將投射作為記號(hào)時(shí)，則 能夠輕易地進(jìn)行切削時(shí)的旋轉(zhuǎn)刀D的定位，能夠更正確且輕易 地定位形成上述反射面3a。
另外，在上述實(shí)施方式中，將發(fā)光元件5的光投射方向設(shè) 成正上方方向，將芯層3的一部分設(shè)成45。的傾斜面(反射面3a) 并定位在上述發(fā)光元件5的正上方，但是本發(fā)明并不限于此， 例如如圖4所示，也可以將發(fā)光元件5的投射設(shè)向斜上方，不使 芯層3的一部分形成傾斜面(參照?qǐng)Dl (b))。即，在如圖4所示 的光波導(dǎo)路設(shè)備中，發(fā)光元件5被芯層3覆蓋，因此自發(fā)光元件 5向斜上方投射的光L自芯層3的底面直接射入到芯層3內(nèi)， 一邊 在芯層3內(nèi)反復(fù)反射， 一邊沿著芯層3的光路的方向(長(zhǎng)度方向) 前進(jìn)。另外，在形成上述傾斜面(反射面3a)時(shí)，其傾斜角度 若可以使自發(fā)光元件5發(fā)出的光光路變換成沿著芯層3的光路 的狀態(tài)即可，沒(méi)有特別的限定，也可以將上述傾殺牛面(反射面 3a)和芯層3的底面所成的角度設(shè)定為45。之外的角度(例如、 10°~80°的范圍內(nèi)的任意角度)。
并且，雖在上述各實(shí)施方式(參照?qǐng)Dl (a)、圖l(b)、圖 4)中形成上包層4，但是該上包層4并不是必須的，根據(jù)情況 不同也可以不形成上包層4來(lái)構(gòu)成光波導(dǎo)^^設(shè)備。
接著，說(shuō)明實(shí)施例。但本發(fā)明并非受限于此。 實(shí)施例
下包層和上包層的形成材料
將35重量份9，9 - 二[(4 -羥乙氧基)苯基]芴二縮水甘油醚 (成分A)、 40重量份作為脂環(huán)式環(huán)氧樹(shù)脂的3，，4，-環(huán)氧環(huán)己基 曱基-3,4 -環(huán)氧環(huán)己烷羧酸酯(DAICEL CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.生產(chǎn)，Celloxide 2021P )(成分B )、 25 重量份(3，，4，-環(huán)氧環(huán)己烷)曱基-3，，4，-環(huán)氧環(huán)己基羧酸酯 (DAICEL CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. 生產(chǎn)， Celloxide 2081 )(成分C)、 l重量份4，4，-雙[二 ( B-羥基乙 氧基)苯基亞硫酰基]苯基硫化物-雙-六氟銻酸酯的50%碳酸 亞丙酯溶液(光致產(chǎn)酸劑，成分D)混合，由此調(diào)制下包層和表 面包層的形成材料。 芯層的形成材料
將70重量份上述成分A、 30重量份1， 3， 3-三{4- [2- (3-氧雜環(huán)丁 烷基)]丁氧基苯基)丁烷、0. 5重量份上述成分D溶解到28重量份乳酸
乙酯中，由此調(diào)制芯層的形成材料。 光波導(dǎo)路設(shè)備的制作
首先，利用旋涂法將上述下包層的形成材料涂敷到玻璃基
板(厚度1.0mm )的上表面之后，進(jìn)行100。Cxl5分鐘的干燥處 理，形成感光樹(shù)脂層。接著，借助合成石英系的曝光掩模，利 用2000mJ/cm2的紫外線照射而曝光之后，進(jìn)行150。Cx60分鐘 的加熱處理，該合成石英系的曝光掩模形成有與形成的下包層 的圖形相同形狀的開(kāi)口圖形。接著，用y - 丁內(nèi)酯水溶液進(jìn)行顯 影而溶解除去未曝光部分之后，進(jìn)行100。Cxl5分鐘的加熱處 理，從而在上述玻璃基板的上表面中設(shè)置發(fā)光元件的區(qū)域之外 的規(guī)定部分形成下包層(厚度25pm)。
接著，在上述玻璃基板的上表面中設(shè)置發(fā)光元件的區(qū)域用 些微的紫外線硬化型粘接劑將發(fā)光二極管臨時(shí)固定。
接著，利用旋涂法將上述芯層的形成材料以對(duì)發(fā)光元件及 下包層進(jìn)行覆蓋的方式涂敷到玻璃基板上之后，進(jìn)行100。Cxl5 分鐘的干燥處理，形成感光樹(shù)脂層。接著，將形成有與芯層的 圖形相同形狀的開(kāi)口圖形的合成石英系的曝光掩模配置在該感 光樹(shù)脂層的上方。于是，在自其上方采用接觸式曝光法用 4000mJ/cm2的紫外線照射進(jìn)行曝光之后，進(jìn)行120。Cxl5分鐘 的加熱處理。接著，采用y- 丁內(nèi)酯水溶液顯影而溶解除去未曝 光部分之后，進(jìn)行12(TCx30分鐘的加熱處理，從而形成芯層(厚 度50jim,寬度50阿)。
之后，利用旋涂法將上述上包層的形成材料以對(duì)芯層以及 下包層進(jìn)行覆蓋的方式涂敷到玻璃基板上之后，進(jìn)行100。Cxl5 分鐘的干燥處理，形成感光樹(shù)脂層。接著，將形成有與上包層 的圖形相同形狀的開(kāi)口圖形的合成石英系的曝光掩模定位在該
感光樹(shù)脂層的上方。于是，在自其上方采用接觸式曝光法用
2000mJ/cm2的紫外線照射進(jìn)行曝光之后，進(jìn)行150。Cx60分鐘 的加熱處理。接著，采用y- 丁內(nèi)酯水溶液顯影而溶解除去未曝 光部分之后，進(jìn)行100。Cxl5分鐘的加熱處理，從而形成上包層 (厚度25pm)。
接著，利用引線結(jié)合法將配線與上述發(fā)光二極管的端子相 連接。
于是，使自上述反光二極管發(fā)出的光投射向正上方，在該 狀態(tài)下，采用切割裝置(Disco Corp.制、Model 522 )沿著上 述光投射方向使刀尖角度為90。的旋轉(zhuǎn)刀自上包層的正上方下 落，將芯層的一部分切削成與芯層底面成45。角的傾斜面。
這樣，就可以制造由上述基板、發(fā)光元件、和層疊有下包 層、芯層以及上包層的光波導(dǎo)路構(gòu)成的光波導(dǎo)路設(shè)備。
權(quán)利要求
1.一種光波導(dǎo)路設(shè)備，其包括基板；發(fā)光元件，其設(shè)置于上述基板的上表面中設(shè)置上述發(fā)光元件的區(qū)域；下包層，其設(shè)置于上述基板的上表面中設(shè)置上述發(fā)光元件的區(qū)域之外的部分；以及芯層，其成為上述發(fā)光元件的發(fā)光的光路，對(duì)上述基板上的上述發(fā)光元件以及上述下包層進(jìn)行覆蓋。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的光波導(dǎo)路設(shè)備，其特征在于， 在與上述發(fā)光元件相對(duì)應(yīng)的芯層的部分形成有將自發(fā)光元件發(fā)出的光進(jìn)行光路變換成沿著光路的狀態(tài)的反射面。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光波導(dǎo)路設(shè)備，其特征在于，上述反射面由以與上述芯層的底面成4 5度的角度傾斜的、 形成于上述芯層的表面上的凹部的大致V字狀的底部的底面構(gòu) 成；自上述發(fā)光元件發(fā)出的光以與上述反射面成45度的角度投射。
4. 一種光波導(dǎo)路設(shè)備制造方法，其包括以下工序 在基板的上表面中設(shè)置發(fā)光元件的區(qū)域之外的部分形成下包層的工序；在設(shè)置上述發(fā)光元件的區(qū)域設(shè)置發(fā)光元件的工序； 以覆蓋上述發(fā)光元件以及上述下包層的方式在上述基板上
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光波導(dǎo)路設(shè)備制造方法，其特征 上述發(fā)光元件發(fā)出的光沿著光路進(jìn)行光路變換的反射面的工 序。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光波導(dǎo)路設(shè)備制造方法，其特征在于，上述反射面形成工序包括在上述芯層的表面形成具有大致V字狀的底部的凹部，利用與上述芯層的底面成4 5度的角度 地傾斜的上述凹部的上述底部的底面形成上述反射面的工序， 將上述反射面定位成自上述發(fā)光元件發(fā)出的光以與上述反射面 成45度的角度進(jìn)行投射。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的光波導(dǎo)路設(shè)備制造方法，其特征 在于，上述凹部形成工序包括沿著上述發(fā)光元件的光投射方向切 削上述芯層的 一 部分的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光波導(dǎo)路設(shè)備及其制造方法，在發(fā)光元件和光波導(dǎo)路之間不存在成為光路的障礙的物品。其中，在基板(1)的上表面設(shè)置有發(fā)光元件(5)，在基板(1)的上表面中設(shè)置發(fā)光元件(5)的區(qū)域之外的部分形成有下包層(2)，以覆蓋發(fā)光元件(5)的狀態(tài)在基板(1)上的設(shè)置發(fā)光元件(5)的部分以及下包層(2)的上表面上形成有成為發(fā)光元件(5)的發(fā)光的光路的芯層(3)，芯層(3)固定發(fā)光元件(5)并使自發(fā)光元件(5)發(fā)出的光直接射入。
文檔編號(hào)G02B6/13GK101354462SQ20081013423
公開(kāi)日2009年1月28日 申請(qǐng)日期2008年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月23日
發(fā)明者宗和范, 疋田貴巳 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社